DE1132246B - Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung durch Aufschmelzen einer Elektrode auf einen Halbleiterkoerper mit einer Aushoehlung - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung durch Aufschmelzen einer Elektrode auf einen Halbleiterkoerper mit einer Aushoehlung

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Jan Coenraad Van Vessem
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL210117A (enrdf_load_stackoverflow) * 1956-08-24
BE569023A (enrdf_load_stackoverflow) * 1957-07-01
US3040266A (en) * 1958-06-16 1962-06-19 Union Carbide Corp Surface field effect transistor amplifier
GB869863A (en) * 1958-06-18 1961-06-07 A & M Fell Ltd Improvements in or relating to the manufacture of transistors, rectifiers and other semi-conductor devices
US3234440A (en) * 1959-12-30 1966-02-08 Ibm Semiconductor device fabrication
US3067071A (en) * 1960-01-04 1962-12-04 Ibm Semiconductor devices and methods of applying metal films thereto
DE1173993B (de) * 1961-03-30 1964-07-16 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-anordnung mit einlegierten Elektroden

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT154538B (de) * 1935-07-29 1938-10-10 Philips Nv Elektrodensystem.
DE1032405B (de) * 1953-10-16 1958-06-19 Gen Electric Flaechenhalbleiter mit guter Waermeableitung
DE975179C (de) * 1952-12-31 1961-09-21 Rca Corp Verfahren zur Herstellung eines Flaechengleichrichters oder Flaechentransistors

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2612567A (en) * 1949-10-04 1952-09-30 Stuetzer Otmar Michael Transconductor employing field controlled semiconductor
US2717341A (en) * 1949-10-11 1955-09-06 Gen Electric Asymmetrically conductive device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT154538B (de) * 1935-07-29 1938-10-10 Philips Nv Elektrodensystem.
DE975179C (de) * 1952-12-31 1961-09-21 Rca Corp Verfahren zur Herstellung eines Flaechengleichrichters oder Flaechentransistors
DE1032405B (de) * 1953-10-16 1958-06-19 Gen Electric Flaechenhalbleiter mit guter Waermeableitung

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Publication number Publication date
US2844770A (en) 1958-07-22
GB769048A (en) 1957-02-27
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NL91363C (enrdf_load_stackoverflow)
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