DE112021007349T5 - Speichervorrichtung - Google Patents

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Toshitada Saito
Yasuo Otsuka
Atsushi Kondo
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Kioxia Corp
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Abstract

Eine Speichervorrichtung umfasst ein Trägermaterial 30, einen nichtflüchtigen Speicher 14, der auf dem Trägermaterial 30 vorgesehen ist, eine Speichersteuereinheit 13, die auf dem Trägermaterial 30 vorgesehen ist und mit dem nichtflüchtigen Speicher 14 verbunden ist, eine Verdrahtung 40, die auf dem Trägermaterial 30 vorgesehen ist und ein Ende und ein anderes Ende umfasst, wobei das eine Ende mit der Speichersteuereinheit 13 verbunden ist. Die Speichervorrichtung umfasst ferner einen Fußabdruck 60, der auf dem Trägermaterial 30 vorgesehen und mit dem anderen Ende der Verdrahtung 40 verbunden ist, ein ESD-Schutzelement 12A, das auf dem Trägermaterial 30 vorgesehen und mit dem Fußabdruck 60 verbunden ist, einen Verbindungsanschluss, der auf dem Trägermaterial 30 vorgesehen und elektrisch mit einer Host-Vorrichtung verbindbar ist, einen Durchgangsstecker, der in dem Trägermaterial vorgesehen ist, wobei ein Ende mit dem anderen Ende der Verdrahtung 40 verbunden ist, ein anderes Ende mit dem Verbindungsanschluss verbunden ist.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung betreffen eine Speichervorrichtung.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Eine Speichervorrichtung umfasst beispielsweise einen Flash-Speicher, eine Speichersteuereinheit, einen Verbindungsanschluss, der mit einer Host-Vorrichtung verbunden werden kann, und ein ESD-Schutzelement (Electro Static Discharge - elektrostatische Entladung).
  • Zitierliste
  • Patentliteratur
  • Patentschrift 1: JP 2020-003875 A
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Technische Aufgabenstellung
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Speichervorrichtung vorzusehen, die den Einfluss von ESD unterdrücken und eine Verschlechterung der Übertragungseigenschaften elektrischer Signale verhindern kann.
  • Lösung der Aufgabenstellung
  • Eine Speichervorrichtung einer Ausführungsform umfasst ein Trägermaterial, einen nichtflüchtigen Speicher, der auf dem Trägermaterial vorgesehen ist, eine Speichersteuereinheit, die auf dem Trägermaterial vorgesehen ist und mit dem nichtflüchtigen Speicher verbunden ist, eine erste Verdrahtung, die auf dem Trägermaterial vorgesehen ist und ein Ende und ein anderes Ende umfasst, wobei das eine Ende mit der Speichersteuereinheit verbunden ist. Die Speichervorrichtung der Ausführungsform umfasst ferner einen Fußabdruck, der auf dem Trägermaterial vorgesehen und mit dem anderen Ende der ersten Verdrahtung verbunden ist, ein ESD-Schutzelement, das auf dem Trägermaterial vorgesehen und mit dem Fußabdruck verbunden ist, einen Verbindungsanschluss, der auf dem Trägermaterial vorgesehen und mit einer Host-Vorrichtung elektrisch verbindbar ist, einen ersten Durchgangsstecker, der in dem Trägermaterial vorgesehen ist, wobei ein Ende mit dem anderen Ende der ersten Verdrahtung verbunden ist, ein anderes Ende mit dem Verbindungsanschluss verbunden ist.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
    • 1 ist ein Blockdiagramm einer Speichervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform.
    • 2 ist ein Konfigurationsdiagramm eines ESD-Schutzelements.
    • 3 ist eine Draufsicht auf eine äußere Form der Speichervorrichtung.
    • 4 ist eine Seitenansicht der äußeren Form der Speichervorrichtung.
    • 5 ist eine Draufsicht auf die Speichervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
    • 6 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie VI-VI von 5.
    • 7 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie VII-VII von 5.
    • 8 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie VIII-VIII von 5.
    • 9 ist eine Draufsicht auf einen Fußabdruck der Speichervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform.
    • 10 ist eine Draufsicht auf eine Speichervorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel.
    • 11 ist eine Draufsicht auf den Fußabdruck einer Speichervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform.
    • 12 ist ein charakteristisches Diagramm, das die Übertragungseigenschaften von elektrischen Signalen der Speichervorrichtung gemäß der Ausführungsform und die Übertragungseigenschaften von elektrischen Signalen der Speichervorrichtung gemäß dem Vergleichsbeispiel zeigt.
    • 13 ist eine Draufsicht auf eine Speichervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform.
    • 14 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie XIV-XIV von 13.
    • 15 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie XV-XV von 13.
  • Beschreibung der Ausführungsformen
  • Nachfolgend werden die Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
  • (Erste Ausführungsform)
  • 1 ist ein Blockdiagramm einer Speichervorrichtung 1 gemäß einer ersten Ausführungsform.
  • Bei der Speichervorrichtung 1 handelt es sich um eine Speichervorrichtung, beispielsweise eine Wechselspeicherkarte, die elektrisch mit einer Host-Vorrichtung 2 verbunden werden kann. Bei der Host-Vorrichtung 2 handelt es sich beispielsweise um eine Informationsverarbeitungsvorrichtung wie einen Personalcomputer oder einen Server, eine Prüfvorrichtung, eine Fertigungsvorrichtung, eine Bildaufnahmevorrichtung wie eine Fotokamera oder eine Videokamera, ein mobiles Endgerät wie einen Tablet-Computer oder ein Smartphone, ein Spielgerät oder ein Fahrzeugnavigationssystem (fahrzeugseitiges Endgerät).
  • Die Speichervorrichtung 1 umfasst eine Anschlussgruppe 11, eine ESD-Schutzschaltung 12, eine Speichersteuereinheit 13 und einen nichtflüchtigen Speicher 14.
  • Die Anschlussgruppe 11 umfasst eine Vielzahl von Verbindungsanschlüssen (nicht dargestellt). Die Vielzahl von Verbindungsanschlüssen ist elektrisch mit der Host-Vorrichtung 2 verbindbar. Beispielsweise sind in dem Zustand, in dem die Speichervorrichtung 1 mit der Host-Vorrichtung 2 verbunden ist, die Vielzahl der Verbindungsanschlüsse elektrisch mit der Host-Vorrichtung 2 verbunden. Die Übertragung der Daten zwischen der Host-Vorrichtung 2 und der Speichervorrichtung 1 erfolgt beispielsweise durch serielle Übertragung.
  • Die ESD-Schutzschaltung 12 umfasst eine Vielzahl von ESD-Schutzelementen (nicht dargestellt). Die Vielzahl der ESD-Schutzelemente und die Vielzahl der Verbindungsanschlüsse sind miteinander verbunden. Beispielsweise sind die Vielzahl der ESD-Schutzelemente und die Vielzahl der Verbindungsanschlüsse gleich groß. In diesem Fall wird eines der ESD-Schutzelemente mit einem der Verbindungsanschlüsse verbunden, und die verschiedenen ESD-Schutzelemente werden mit den verschiedenen Verbindungsanschlüssen verbunden.
  • 2 ist ein Konfigurationsdiagramm eines ESD-Schutzelements 12A.
  • Das ESD-Schutzelement 12A umfasst eine erste Diode 12A1, eine zweite Diode 12A2, einen ersten Anschluss T1 und einen zweiten Anschluss T2.
  • Die erste Diode 12A1 und die zweite Diode 12A2 sind in Reihe geschaltet. Eine Kathode der ersten Diode 12A1 ist mit einer Kathode der zweiten Diode 12A2 verbunden. Der erste Anschluss T1 ist mit einer Anode der ersten Diode 12A1 verbunden. Der zweite Anschluss T2 ist mit einer Anode der zweiten Diode 12A2 verbunden.
  • Wenn jede der Dioden 12A1 und 12A2 eine Zener-Diode ist, ist das ESD-Schutzelement 12A eine bidirektionale Zener-Diode.
  • Nachfolgend wird der Fall beschrieben, in dem das in 2 dargestellte ESD-Schutzelement 12A als ESD-Schutzelement verwendet wird, aber das ESD-Schutzelement ist nicht auf das ESD-Schutzelement 12A beschränkt. Beispielsweise kann die Anzahl der Dioden, die das ESD-Schutzelement bilden, eine sein. Außerdem kann das ESD-Schutzelement auch eine andere Art von Element umfassen, das sich von der Diode unterscheidet. Das verwendete ESD-Schutzelement wird in Abhängigkeit vom Typ, den Spezifikationen usw. der Speichervorrichtung entsprechend bestimmt.
  • Die in 1 dargestellte Speichersteuereinheit 13 steuert den nichtflüchtigen Speicher 14. Genauer gesagt empfängt die Speichersteuereinheit 13 Befehle von der Host-Vorrichtung 2 und steuert den nichtflüchtigen Speicher 14 auf der Grundlage der empfangenen Befehle. Insbesondere schreibt die Speichersteuereinheit 13 Daten, die von der Hostvorrichtung 2 in den nichtflüchtigen Speicher 14 geschrieben werden sollen, liest Daten, die von der Hostvorrichtung 2 aus dem nichtflüchtigen Speicher 14 gelesen werden sollen, und überträgt die Daten an die Hostvorrichtung 2.
  • Es ist zu beachten, dass die Speichervorrichtung 1 auch eine andere Steuereinheit als die Speichersteuereinheit 13 umfassen kann. Die Steuereinheit und die Speichersteuereinheit 13 können als eine Steuereinheit (Chip) konfiguriert sein, oder die Steuereinheit und die Speichersteuereinheit 13 können als unterschiedliche Steuereinheiten (Chips) konfiguriert sein.
  • Der nichtflüchtige Speicher 14 ist ein Speicher, der Daten nichtflüchtig speichert, und der nichtflüchtige Speicher 14 ist beispielsweise ein Flash-Speicher vom NAND-Typ, der eine Vielzahl von nichtflüchtigen Halbleiterspeicherzellen umfasst. Der NAND-Flash-Speicher umfasst beispielsweise eine Vielzahl von gestapelten NAND-Flash-Speicherchips (nicht dargestellt). Anstelle des NAND-Flash-Speichers kann auch ein Speicher verwendet werden, der eine Vielzahl nichtflüchtiger magnetischer Speicherzellen oder Phasenwechsel-Speicherzellen umfasst.
  • 3 ist eine Draufsicht auf eine äußere Form der Speichervorrichtung 1. Es ist zu beachten, dass in 3 die Speichersteuereinheit 13 und der nichtflüchtige Speicher 14 in der Speichervorrichtung 1 durch gestrichelte Linien dargestellt sind. 4 ist eine Seitenansicht der Speichervorrichtung 1.
  • In 3 und 4 sind eine X-Achse, eine Y-Achse und eine Z-Achse dargestellt. Die X-Achse, die Y-Achse und die Z-Achse sind zueinander orthogonal. Die X-Achse verläuft entlang einer Breite der Speichervorrichtung 1. Die Y-Achse verläuft entlang einer Länge (Höhe) der Speichervorrichtung 1. Die Z-Achse verläuft entlang der Dicke der Speichervorrichtung 1.
  • Die Speichervorrichtung 1 ist mit einem dünnen plattenförmigen Kartengehäuse (auch als Körper, Gehäuse oder Verpackung bezeichnet) 10 vorgesehen. Ein Material des Kartengehäuses 10 ist beispielsweise ein isolierendes Harz, beispielsweise ein Polycarbonatharz oder ein ABS-Harz. Das Kartengehäuse 10 hat beispielsweise die Form einer annähernd rechteckigen Platte, die sich in Richtung der Y-Achse erstreckt. Die Y-Achsenrichtung ist die Längsrichtung des Kartengehäuses 10. Die Speichervorrichtung 1 weist einen abgeschrägten Abschnitt 20 auf, der nach vorne oder hinten bzw. nach oben oder unten gerichtet ist.
  • Wie in 4 dargestellt, umfasst das Kartengehäuse 10 eine erste Oberfläche 21 und eine zweite Oberfläche 22. Die erste Oberfläche 21 und die zweite Oberfläche 22 haben eine annähernd tetragonale (rechteckige) Form, die sich in Richtung der Y-Achse erstreckt. Die Y-Achsenrichtung ist auch die Längsrichtung der ersten Oberfläche 21 und der zweiten Oberfläche 22. Die erste Fläche 21 ist eine annähernd ebene Fläche, die in eine positive Richtung der Z-Achse gerichtet ist. Die zweite Fläche 22 liegt der ersten Fläche 21 gegenüber und ist eine annähernd ebene Fläche, die in eine negative Richtung der Z-Achse weist.
  • Wie in 3 dargestellt, umfasst die Speichervorrichtung 1 eine Vielzahl von Verbindungsanschlüssen 11P, die auf der Seite der ersten Oberfläche 21 vorgesehen sind. Bei der Vielzahl von Verbindungsanschlüssen 11P handelt es sich um die zuvor beschriebene Vielzahl von Verbindungsanschlüssen der Anschlussgruppe 11 von 1. Die Vielzahl der Verbindungsanschlüsse 11P sind entlang der X-Achse angeordnet. Die Vielzahl der Verbindungsanschlüsse 11P sind aus dem Kartengehäuse 10 herausgeführt. Die Vielzahl der Verbindungsanschlüsse 11P werden auch als externe Verbindungsanschlüsse oder Pads bezeichnet.
  • Es ist zu beachten, dass in 3 der Einfachheit halber die Anzahl der Verbindungsanschlüsse 11P sieben beträgt, die Anzahl der Verbindungsanschlüsse 11P kann jedoch größer als sieben sein. Auch kann die Anzahl der Verbindungsanschlüsse 11P kleiner als sieben sein. Außerdem sind in 3 der Einfachheit halber die Vielzahl von Verbindungsanschlüssen 11P in einer Reihe angeordnet, aber die Vielzahl von Verbindungsanschlüssen 11P kann über eine Vielzahl von Reihen angeordnet sein. Die Anzahl der in jeder Reihe angeordneten Verbindungsanschlüsse 11P kann in allen Reihen gleich oder unterschiedlich sein.
  • Als nächstes wird eine Vorrichtung im Kartengehäuse 10 beschrieben.
  • 5 ist eine Draufsicht auf die Speichervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform und zeigt den Bereich von 3, der von einer gestrichelt-gepunkteten Linie umgeben ist, von der Seite der zweiten Oberfläche 22. 6 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie VI-VI von 5. 7 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie VII-VII von 5. 8 ist eine Querschnittsansicht (dritte Querschnittsansicht) entlang einer Linie VIII-VIII von 5. In 5 bis 8 ist das Gehäuse 10 nicht dargestellt. 9 ist eine Draufsicht auf einen Fußabdruck 60.
  • In dem Gehäuse sind die Verbindungsanschlüsse 11P, die Speichersteuereinheit 13, der nichtflüchtige Speicher 14, ein Trägermaterial 30, eine Mikrostreifenleitung 40, eine erste Pad-Elektrode 41, eine zweite Pad-Elektrode 42, ein Bonddraht 43, ein erster Durchgangsstecker 51, der Fußabdruck 60, eine erste Grundplatte 71 und eine zweite Grundplatte 72 vorgesehen.
  • Das Trägermaterial 30 umfasst eine erste Isolierschicht 31, eine zweite Isolierschicht 32 und eine gedruckte Leitungsplatine 33. Die erste Isolierschicht 31, die zweite Isolierschicht 32 und die gedruckte Leitungsplatine 33 sind in dieser Reihenfolge entlang der negativen Richtung der Z-Achse (erste Richtung) gestapelt.
  • Ein Material der ersten Isolierschicht 31 und ein Material der zweiten Isolierschicht 32 sind beispielsweise ein Siliziumoxid oder ein Siliziumnitrid. Das Material der ersten Isolierschicht 31 und das Material der zweiten Isolierschicht 32 sind nicht unbedingt identisch.
  • Die Leitungsplatine 33 umfasst eine gedruckte Verdrahtung (nicht abgebildet). Die Leitungsplatine 33 umfasst einen Bereich, in dem die gedruckte Verdrahtung vorgesehen ist (Verdrahtungsbereich), und einen Bereich, in dem die gedruckte Verdrahtung nicht vorgesehen ist (Isolierbereich).
  • Die Speichersteuereinheit 13, der nichtflüchtige Speicher 14 und die Mikrostreifenleitung 40 sind auf der Seite der Oberfläche (Oberseite) der Leitungsplatine 33 in der negativen Richtung der Z-Achse vorgesehen.
  • Die Speichersteuereinheit 13 und der nichtflüchtige Speicher 14 sind in dem Verdrahtungsbereich der Leitungsplatine 33 angeordnet. Die Speichersteuereinheit 13 und der nichtflüchtige Speicher 14 sind über die gedruckte Verdrahtung elektrisch verbunden. Andererseits ist die Mikrostreifenleitung 40 im isolierenden Bereich der Leitungsplatine 33 angeordnet.
  • Es ist zu beachten, dass der nichtflüchtige Speicher 14 auch auf der Seite der Oberfläche (Unterseite) der Leitungsplatine 33 in positiver Richtung der Z-Achse angeordnet sein kann. Anstelle der Mikro-Streifenleitung kann auch eine andere Verdrahtung (Übertragungsleitung), beispielsweise eine Streifenleitung, verwendet werden.
  • Die erste Pad-Elektrode 41 ist auf der Oberseite der Leitungsplatine 33 vorgesehen. Die erste Pad-Elektrode 41 ist mit einem Ende (Ende in negativer Richtung der Y-Achse) der Mikrostreifenleitung 40 verbunden.
  • Die zweite Pad-Elektrode 42 ist auf der Oberfläche (Oberseite) der Speichersteuereinheit 13 in negativer Richtung der Z-Achse vorgesehen. Die erste Pad-Elektrode 41 und die zweite Pad-Elektrode 42 sind durch den Bonddraht 43 miteinander verbunden. Dadurch sind die Mikrostreifenleitung 40 und die Speichersteuereinheit 13 elektrisch miteinander verbunden.
  • Wie in 6 und 8 dargestellt, ist ein anderes Ende (Ende in positiver Richtung der Y-Achse) der Mikrostreifenleitung 40 mit einem Ende (Ende in negativer Richtung der Z-Achse) des ersten Durchgangssteckers 51 verbunden. Der erste Durchgangsstecker 51 ist in der Leitungsplatine 33 und der zweiten Isolierschicht 32 vorgesehen. Ein anderes Ende (in Z-Achsen-Positiv-Richtung) des ersten Durchgangssteckers 51 ist mit dem Verbindungsanschluss 11P verbunden. Der erste Durchgangsstecker 51 wird beispielsweise durch Verwendung von elektrisch leitender Paste oder durch Galvanisieren hergestellt. In 6 und 8 ist der erste Durchgangsstecker 51 dargestellt, der mit Hilfe von elektrisch leitender Paste gebildet wurde.
  • Wie in 8 dargestellt, sind auf der Oberseite der Leitungsplatine 33 das ESD-Schutzelement 12A, der Fußabdruck 60 und die erste Erdungsebene 71 vorgesehen. Das ESD-Schutzelement 12A ist auf dem Fußabdruck 60 montiert.
  • Wie in 5 und 8 dargestellt, umfasst der Fußabdruck 60 einen ersten elektrisch leitenden Abschnitt 61 und einen zweiten elektrisch leitenden Abschnitt 62. Der erste Anschluss (der in 2 dargestellte erste Abschnitt T1) und der zweite Anschluss (der in 2 dargestellte zweite Abschnitt T2) des ESD-Schutzelements 12A sind elektrisch mit dem ersten elektrisch leitenden Abschnitt 61 bzw. dem zweiten elektrisch leitenden Abschnitt 62 verbunden.
  • Der erste Anschluss des ESD-Schutzelements 12A ist über den ersten elektrisch leitenden Abschnitt 61 mit dem einen Ende (dem Ende in negativer Richtung der Z-Achse) des ersten Steckers 51 verbunden. Der zweite Anschluss des ESD-Schutzelements 12A ist über den zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt 62 mit der ersten Erdungsebene 71 verbunden. Die erste Erdungsebene 71 hat elektrisches Massepotential. Es ist zu beachten, dass der Fußabdruck auch als Pad, Pad-Elektrode oder Land bezeichnet wird.
  • Der erste elektrisch leitende Abschnitt 61, der zweite elektrisch leitende Abschnitt 62 und die erste Grundfläche 71 werden beispielsweise durch Ätzen einer Metallschicht hergestellt. Bei der Metallschicht handelt es sich beispielsweise um eine Kupferschicht.
  • Wie in 6 dargestellt, ist die zweite Erdungsebene 72 in der Leitungsplatine 33 vorgesehen. Die zweite Erdungsebene 72 hat das elektrische Massepotential. Die zweite Erdungsebene 72 ist physisch von dem ersten Durchgangsstecker 51 getrennt. Die zweite Erdungsebene 72 ist nicht elektrisch mit dem ersten Durchgangsstecker 51 verbunden. In der positiven Richtung der Z-Achse (unterhalb) der Mikrostreifenleitung 40 hat die zweite Erdungsebene 72 eine massive Form.
  • Der Verbindungsanschluss 11P ist in der ersten Isolierschicht 31 vorgesehen. Die erste Isolierschicht 31 umfasst eine Öffnung 81, durch die der Verbindungsanschluss 11P freigelegt ist.
  • Wenn der freiliegende Verbindungsanschluss 11P mit statischer Elektrizität aufgeladen wird, kann es zu einer elektrostatischen Entladung (ESD) kommen. Die ESD ist eine Ursache, die einen Spannungsstoß hervorruft. Wenn der Spannungsstoß über den Verbindungsanschluss 11P in die Speichervorrichtung 1 eindringt, besteht die Möglichkeit, dass die Speichersteuereinheit 13 oder der nichtflüchtige Speicher 14 zerstört wird.
  • Wenn jedoch die ESD-Schutzeinheit 12A verwendet wird, fließt der durch die ESD erzeugte Stromstoß über die ESD-Schutzeinheit 12A zur ersten Erdungsebene 71, so dass die Zerstörung (Einfluss der ESD) der Speichersteuereinheit 13 oder des nichtflüchtigen Speichers 14 durch die ESD unterdrückt wird.
  • Darüber hinaus bewirkt die Speichervorrichtung 1 der vorliegenden Ausführungsform, dass eine Verschlechterung der Übertragungseigenschaften der elektrischen Signale unterdrückt werden kann, selbst wenn die Frequenzen der elektrischen Signale in Zukunft weiter ansteigen. Nachfolgend wird dieser Punkt näher beschrieben.
  • Bei der vorliegenden Ausführungsform ist das ESD-Schutzelement 12A über den Fußabdruck 60 zwischen dem Verbindungsanschluss 11P und der zweiten Pad-Elektrode 42 angeschlossen. Mit anderen Worten, das ESD-Schutzelement 12A ist zwischen dem Verbindungsanschluss 11P und der zweiten Pad-Elektrode 42 verbunden, ohne dass es durch eine Verzweigungsverdrahtung geht, die von einer einzelnen Verdrahtung getrennt ist (im Folgenden als erste Verdrahtung bezeichnet).
  • Die oben beschriebene erste Verdrahtung umfasst den Fußabdruck 60 (den ersten elektrisch leitenden Abschnitt 61), den ersten Durchgangsstecker 51, die Mikrostreifenleitung 40, die erste Pad-Elektrode 41 und den Bonddraht 43.
  • 10 ist eine Draufsicht auf eine Speichervorrichtung gemäß einem vergleichenden Beispiel. In der Speichervorrichtung gemäß dem Vergleichsbeispiel ist ein erster elektrisch leitender Abschnitt 61 mit einer von einer Mikrostreifenleitung 40 abgezweigten Verdrahtung 44 verbunden. Daher ist im Falle des Vergleichsbeispiels ein ESD-Schutzelement 12A zwischen einem Verbindungsanschluss 11P (nicht dargestellt) und einer zweiten Pad-Elektrode 42 über die Verzweigungsverdrahtung 44 angeschlossen.
  • Die Zweigverdrahtung 44 erzeugt eine parasitäre Induktivität. Außerdem erzeugt ein PN-Übergang einer Diode, die das ESD-Schutzelement 12A bildet, eine parasitäre Kapazität. Die parasitäre Induktivität und die parasitäre Kapazität bilden einen LC-Serienresonanzkreis. Folglich sind LC-Serienresonanzkreise parallel zu der oben beschriebenen ersten Verdrahtung geschaltet.
  • Wenn daher ein elektrisches Signal mit einer Resonanzfrequenz des LC-Serienresonanzkreises in der ersten Leitung fließt, kommt es zu einer Verschlechterung der Übertragungseigenschaften des elektrischen Signals, die das elektrische Signal weitgehend abschwächt. Wenn die Frequenz des elektrischen Signals in Zukunft weiter ansteigt, besteht die Möglichkeit, dass die Verschlechterung der Übertragungseigenschaften des elektrischen Signals (Einfluss des LC-Serienresonanzkreises) nicht mehr ignorierbar ist, selbst wenn die Länge der Zweigleitung kurz ist.
  • Da die Speichervorrichtung 1 der vorliegenden Ausführungsform keine Verzweigungsverdrahtung verwendet, kann die Verschlechterung der Übertragungseigenschaften der elektrischen Signale unterdrückt werden, selbst wenn die Frequenzen der elektrischen Signale in Zukunft weiter ansteigen.
  • Wie oben beschrieben, kann gemäß der vorliegenden Ausführungsform die Speichervorrichtung 1 vorgesehen werden, die den Einfluss von ESD durch das ESD-Schutzelement 12A unterdrücken kann und die Verschlechterung der Übertragungseigenschaften der elektrischen Signale unterdrücken kann, selbst wenn die Frequenzen der elektrischen Signale in der Zukunft weiter erhöht werden.
  • (Zweite Ausführungsform)
  • 11 ist eine Draufsicht auf einen Fußabdruck einer Speichervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform. 11 gehört zu 9 der ersten Ausführungsform.
  • Die vorliegende Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform in dem Punkt, dass eine Form des zweiten elektrisch leitenden Abschnitts 62 eine massive Form ist. Nachfolgend wird dieser Punkt näher beschrieben.
  • In der Ebene (X-Y-Ebene), die durch die X-Achse und die Y-Achse definiert ist, ist die Größe des zweiten elektrisch leitenden Abschnitts 62 in Richtung der Y-Achse konstant, unabhängig von der Koordinate der X-Achse. Mit anderen Worten, in der vorliegenden Ausführungsform ist die Form des zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitts 62 in der X-Y-Ebene ein Rechteck mit einer Seite parallel zur X-Achse und einer Seite parallel zur Y-Achse als zwei Seiten. Es ist zu beachten, dass in der ersten und zweiten Ausführungsform eine Form des ersten elektrisch leitenden Abschnitts 61 eine Vollform ist.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann der Abschnitt, der als Induktionskomponente eines LC-Serienresonanzkreises dienen kann, auch an dem Verbindungsteil des zweiten elektrisch leitenden Teils 62 mit einer ersten Grundplatte 71 reduziert werden. Infolgedessen kann die Verschlechterung der Übertragungseigenschaften von elektrischen Signalen effektiver unterdrückt werden.
  • 12 ist ein charakteristisches Diagramm, das die Übertragungseigenschaften der elektrischen Signale der Speichervorrichtung gemäß der Ausführungsform und die Übertragungseigenschaften der elektrischen Signale einer Speichervorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel zeigt. Eine vertikale Achse veranschaulicht die Intensitäten (Signalstärken) der elektrischen Signale, und eine horizontale Achse veranschaulicht die Frequenzen der elektrischen Signale. Darüber hinaus ist die Speichervorrichtung gemäß dem Vergleichsbeispiel die oben beschriebene Speichervorrichtung, die in 10 dargestellt ist.
  • Gemäß 12 ist die Signalintensität bei den Frequenzen in der Nähe von 0 bis 24 GHz in der vorliegenden Ausführungsform gewährleistet, während die Signalintensität bei den Frequenzen in der Nähe von 24 GHz im Vergleichsbeispiel nicht gewährleistet ist. Dies bedeutet, dass das elektrische Signal der dritten Harmonischen einer Grundfrequenz (8 GHz) von PCIExpress (PCle) (eingetragenes Warenzeichen) 4.0 (Gen 4) in der vorliegenden Ausführungsform übertragen werden kann.
  • Bei der Übertragung einer Bitfolge, in der abwechselnd „0“-Daten und „1“-Daten weiterlaufen, wird eine hohe Frequenz von 24 GHz erzeugt. Die Frequenz von 24 GHz ist die maximale Frequenz, die bei PCle 4.0 erwartet wird. Bei der tatsächlichen Übertragung von Daten werden in der Regel aufgrund der Übertragungsbitmuster niedrigere Frequenzen als 24 GHz erzeugt. Da im Vergleichsbeispiel die Signalintensität in der Nähe von 21 GHz abgesenkt wird, besteht die Möglichkeit, dass die Übertragung der elektrischen Signale mit den Frequenzen in der Nähe von 21 GHz gestört wird.
  • (Dritte Ausführungsform)
  • 13 ist eine Draufsicht auf eine Speichervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform. 14 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie XIV-XIV von 13. 15 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie XV-XV von 13.
  • In der ersten und zweiten Ausführungsform ist das ESD-Schutzelement auf der Oberseite der Leitungsplatine des Trägermaterials vorgesehen, in der vorliegenden Ausführungsform ist jedoch ein ESD-Schutzelement in einer Isolierschicht eines Trägermaterials vorgesehen.
  • Wie in 14 dargestellt, umfasst das Trägermaterial 30 der vorliegenden Ausführungsform eine erste Isolierschicht 31, eine zweite Isolierschicht 32, eine dritte Isolierschicht 34 und eine Leitungsplatine 33. Die erste Isolierschicht 31, die zweite Isolierschicht 32, die dritte Isolierschicht 34 und die gedruckte Leitungsplatine 33 sind in dieser Reihenfolge entlang der negativen Richtung der Z-Achse (erste Richtung) gestapelt.
  • Wie in 15 dargestellt, ist das ESD-Schutzelement 12A in der dritten Isolierschicht 34 vorgesehen. In der dritten Isolierschicht 34 sind ferner ein erster elektrisch leitender Abschnitt 61, ein zweiter elektrisch leitender Abschnitt 62 und eine erste Erdungsebene 71 vorgesehen. Der zweite Abschnitt des ESD-Schutzelements 12A ist über den zweiten elektrisch leitenden Abschnitt 62 mit der ersten Erdungsebene 71 verbunden.
  • Ein erster Durchgangsstecker 51 ist in der Leitungsplatine 33 und der dritten Isolierschicht 34 vorgesehen. Ein anderes Ende (in positiver Richtung der Z-Achse) des ersten Durchgangssteckers 51 ist mit dem ersten elektrisch leitenden Abschnitt 61 verbunden. Ein zweiter Durchgangsstecker 52 ist in der zweiten Isolierschicht 32 vorgesehen. Ein Ende (Ende in negativer Richtung der Z-Achse) des zweiten Durchgangssteckers 52 ist mit dem ersten elektrisch leitenden Abschnitt 61 verbunden. Ein anderes Ende (Ende in Z-Achsen-Positivrichtung) des zweiten Durchgangssteckers 52 ist mit einem Verbindungsanschluss 11P verbunden.
  • Das ESD-Schutzelement 12A ist zwischen dem Verbindungsanschluss 11P und einer zweiten Pad-Elektrode 42 angeschlossen, ohne durch die Verzweigungsverdrahtung zu gehen. Daher kann die Speichervorrichtung der vorliegenden Ausführungsform die Verschlechterung der Übertragungseigenschaften von elektrischen Signalen unterdrücken, selbst wenn die Frequenzen der elektrischen Signale in Zukunft weiter ansteigen.
  • Außerdem ist in der vorliegenden Ausführungsform das ESD-Schutzelement 12A in der dritten Isolierschicht 34 des Trägermaterials 30 vorgesehen. Der Einbau des ESD-Schutzelements 12A in das Trägermaterial 30 auf diese Weise führt auch zur Unterdrückung der Verschlechterung der Übertragungseigenschaften der elektrischen Signale.
  • Es ist zu beachten, dass in der Speichervorrichtung der oben beschriebenen Ausführungsform die Anzahl der Schichten, die die gedruckte Verdrahtung umfassen, eine ist, aber die Anzahl der Schichten, die die gedruckte Verdrahtung umfassen, kann zwei oder mehr sein.
  • Ein Teil oder alle allgemeinen Konzepte, Mediumskonzepte und spezifischen Konzepte der oben beschriebenen Ausführungsformen und anderer Ausführungsformen, die oben nicht beschrieben sind, können beispielsweise durch die folgenden Anmerkungen 1 bis 18 und willkürliche Kombinationen der Anmerkungen 1 bis 18 (mit Ausnahme scheinbar widersprüchlicher Kombinationen) ausgedrückt werden.
  • [ANMERKUNG 1]
  • Eine Speichervorrichtung, umfassend:
    • ein Trägermaterial;
    • einen nichtflüchtigen Speicher, der auf dem Trägermaterial vorgesehen ist;
    • eine Speichersteuereinheit, die auf dem Trägermaterial vorgesehen ist und mit dem nichtflüchtigen Speicher verbunden ist;
    • eine erste Verdrahtung, die auf dem Trägermaterial vorgesehen ist und ein Ende und ein anderes Ende umfasst, wobei das eine Ende mit der Speichersteuereinheit verbunden ist;
    • einen Fußabdruck, der auf dem Trägermaterial vorgesehen ist und mit dem anderen Ende der ersten Verdrahtung verbunden ist;
    • ein ESD-Schutzelement, das auf dem Trägermaterial vorgesehen und mit der Grundfläche verbunden ist;
    • einen Verbindungsanschluss, der auf dem Trägermaterial vorgesehen ist und elektrisch mit einer Host-Vorrichtung verbunden werden kann; und
    • einen ersten Durchgangsstecker, der in dem Trägermaterial vorgesehen ist, wobei ein Ende mit dem anderen Ende der ersten Verdrahtung verbunden ist und ein anderes Ende mit dem Verbindungsanschluss verbunden ist.
  • [ANMERKUNG 2]
  • Die Speichervorrichtung gemäß Anmerkung 1, umfassend eine erste Erdungsebene, die auf dem Trägermaterial vorgesehen und mit dem Fußabdruck verbunden ist.
  • [ANMERKUNG 3]
  • Die Speichervorrichtung gemäß Anmerkung 2, wobei
    das ESD-Schutzelement einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss umfasst,
    der Fußabdruck einen ersten elektrisch leitenden Abschnitt umfasst, der mit dem ersten Anschluss verbunden ist, und einen zweiten elektrisch leitenden Abschnitt, der mit dem zweiten Anschluss verbunden ist,
    das eine Ende des ersten Durchgangssteckers mit dem ersten elektrisch leitenden Abschnitt des Fußabdrucks verbunden ist.
  • [ANMERKUNG 4]
  • Die Speichervorrichtung gemäß Anmerkung 3, wobei die erste Erdungsebene mit dem zweiten elektrisch leitenden Abschnitt des Fußabdrucks verbunden ist.
  • [ANMERKUNG 5]
  • Die Speichervorrichtung gemäß Anmerkung 4, die eine zweite Erdungsebene umfasst, die in dem Trägermaterial vorgesehen und unterhalb der ersten Verdrahtung angeordnet ist.
  • [ANMERKUNG 6]
  • Die Speichervorrichtung gemäß Anmerkung 5, wobei eine Form der zweiten Erdungsebene eine feste Form ist.
  • [ANMERKUNG 7]
  • Die Speichervorrichtung gemäß Anmerkung 6, bei der eine Form des zweiten elektrisch leitenden Abschnitts eine feste Form ist.
  • [ANMERKUNG 8]
  • Die Speichervorrichtung gemäß Anmerkung 6, wobei
    das Trägermaterial eine Isolierschicht und eine gedruckte Leitungsplatine umfasst, die in einer ersten Richtung gestapelt sind,
    der nichtflüchtige Speicher, die Speichersteuereinheit, die erste Verdrahtung, der Fußabdruck, das ESD-Schutzelement und die erste Erdungsebene auf der gedruckten Leitungsplatine vorgesehen sind,
    der erste Durchgangsstecker in der gedruckten Leitungsplatine und der Isolierschicht vorgesehen ist.
  • [ANMERKUNG 9]
  • Die Speichervorrichtung gemäß Anmerkung 8, wobei
    die Isolierschicht eine erste Isolierschicht und eine zweite Isolierschicht umfasst,
    die erste Isolierschicht, die zweite Isolierschicht und die gedruckte Leitungsplatine in dieser Reihenfolge in der ersten Richtung gestapelt sind,
    der erste Durchgangsstecker in der gedruckten Leitungsplatine und der zweiten Isolierschicht vorgesehen ist.
  • [ANMERKUNG 10]
  • Eine Speichervorrichtung mit:
    • ein Trägermaterial;
    • einen nichtflüchtigen Speicher, der auf dem Trägermaterial vorgesehen ist;
    • eine Speichersteuereinheit, die auf dem Trägermaterial vorgesehen ist und mit dem nichtflüchtigen Speicher verbunden ist;
    • eine erste Verdrahtung, die auf dem Trägermaterial vorgesehen ist und ein Ende und ein anderes Ende umfasst, wobei das eine Ende mit der Speichersteuereinheit verbunden ist;
    • ein ESD-Schutzelement, das in dem Trägermaterial vorgesehen ist;
    • einen Fußabdruck, der im Trägermaterial vorgesehen und mit dem ESD-Schutzelement verbunden ist;
    • einen ersten Durchgangsstecker, der in dem Trägermaterial vorgesehen ist, wobei ein Ende mit dem anderen Ende der ersten Verdrahtung verbunden ist und ein anderes Ende mit der Grundfläche verbunden ist;
    • einen Verbindungsanschluss, der auf dem Trägermaterial vorgesehen ist und elektrisch mit einer Vorrichtung verbunden werden kann; und
    • einen zweiten Durchgangsstecker, der im Trägermaterial vorgesehen ist, wobei ein Ende mit dem Fußabdruck verbunden ist und ein anderes Ende mit dem Verbindungsanschluss verbunden ist.
  • [ANMERKUNG 11]
  • Die Speichervorrichtung gemäß Anmerkung 10, wobei
    das ESD-Schutzelement einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss umfasst,
    der Fußabdruck einen ersten elektrisch leitenden Abschnitt umfasst, der mit dem ersten Anschluss verbunden ist, und einen zweiten elektrisch leitenden Abschnitt, der mit dem zweiten Anschluss verbunden ist,
    das andere Ende des ersten Durchgangssteckers mit dem ersten elektrisch leitenden Abschnitt des Fußabdrucks verbunden ist,
    das eine Ende des zweiten Durchgangssteckers mit dem ersten elektrisch leitenden Abschnitt des Fußabdrucks verbunden ist.
  • [ANMERKUNG 12]
  • Die Speichervorrichtung gemäß Anmerkung 11, umfassend
    eine erste Erdungsebene und eine zweite Erdungsebene, die auf dem Trägermaterial vorgesehen sind, wobei
    die erste Erdungsebene mit dem zweiten elektrisch leitenden Abschnitt des Fußabdrucks verbunden ist,
    die zweite Erdungsebene unterhalb der ersten Verdrahtung angeordnet ist.
  • [ANMERKUNG 13]
  • Die Speichervorrichtung gemäß Anmerkung 12, wobei
    das Trägermaterial eine erste Isolierschicht, eine zweite Isolierschicht, eine dritte Isolierschicht und eine gedruckte Leitungsplatine umfasst,
    die erste Isolierschicht, die zweite Isolierschicht und die gedruckte Leitungsplatine in dieser Reihenfolge in einer ersten Richtung gestapelt sind.
  • [ANMERKUNG 14]
  • Die Speichervorrichtung gemäß Anmerkung 13, wobei
    der nichtflüchtige Speicher, die Speichersteuereinheit und die erste Leitungsplatine auf der gedruckten Leitungsplatine vorgesehen sind,
    der zweite Durchgangsstecker in der zweiten Isolierschicht vorgesehen ist,
    der Fußabdruck, das ESD-Schutzelement und die erste Erdungsebene in der dritten Isolierschicht vorgesehen sind,
    die zweite Erdungsebene ist in der Leitungsplatine vorgesehen,
    der erste Durchgangsstecker ist in der Leitungsplatine und in der dritten Isolierschicht vorgesehen.
  • [ANMERKUNG 15]
  • Die Speichervorrichtung gemäß Anmerkung 9 oder 14, wobei
    der Verbindungsanschluss auf der ersten Isolierschicht vorgesehen ist,
    die erste Isolierschicht eine Öffnung umfasst, die den Verbindungsanschluss freilegt.
  • [ANMERKUNG 16]
  • Die Speichervorrichtung gemäß einer der Anmerkungen 1 bis 15, wobei die erste Verdrahtung eine Mikro-Streifenleitung ist.
  • [ANMERKUNG 17]
  • Die Speichervorrichtung gemäß einer der Anmerkungen 1 bis 16, wobei
    das ESD-Schutzelement eine erste Diode und eine zweite Diode umfasst,
    eine Kathode der ersten Diode und eine Kathode der zweiten Diode verbunden sind.
  • [ANMERKUNG 18]
  • Die Speichervorrichtung gemäß Anmerkung 17, wobei sowohl die erste Diode als auch die zweite Diode eine Zener-Diode ist.
  • Während bestimmte Ausführungsformen beschrieben wurden, wurden diese Ausführungsformen nur als Beispiel dargestellt und sollen den Umfang der Erfindungen nicht einschränken. Die neuartigen Ausführungsformen können in einer Vielzahl anderer Formen verkörpert werden, und es können verschiedene Auslassungen, Ersetzungen und Änderungen vorgenommen werden, ohne vom Geist der Erfindungen abzuweichen. Diese Ausführungsformen und ihre Modifikationen sind in der Substanz der Erfindung umfasst, und sind in den Umfang der Erfindung in den Ansprüchen und Äquivalenten davon beschrieben umfasst.
  • BEZUGSZEICHENLISTE
    • T1
    Erste Anschluss
    T2
    Zweiter Anschluss
    1
    Speichervorrichtung
    10
    Kartengehäuse
    11
    Anschlussgruppe
    11P
    Verbindungsanschluss
    12
    ESD-Schutzschaltung
    12A
    ESD-Schutzelement
    12A1
    erste Diode
    12A2
    zweite Diode
    14
    nichtflüchtiger Speicher
    13
    Speichersteuereinheit
    20
    abgeschrägter Abschnitt
    21
    erste Oberfläche
    22
    zweite Oberfläche
    30
    Trägermaterial
    31
    erste Isolierschicht
    32
    zweite Isolierschicht
    33
    gedruckte Leitungsplatine
    34
    dritte Isolierschicht
    40
    Mikro-Streifenleitung
    41
    erste Pad-Elektrode
    42
    zweite Pad-Elektrode
    43
    Bonddraht
    44
    Abzweigverdrahtung
    51
    erster Durchgangsstecker
    52
    zweiter Durchgangsstecker
    60
    Fußabdruck
    61
    erster elektrisch leitender Abschnitt
    62
    zweiter elektrisch leitfähiger Abschnitt
    71
    erste Grundplatte
    72
    zweite Grundplatte
    73
    dritte Grundplatte
    81
    Öffnung
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2020003875 A [0003]

Claims (18)

  1. Eine Speichervorrichtung, umfassend: ein Trägermaterial; einen nichtflüchtigen Speicher, der auf dem Trägermaterial vorgesehen ist; eine Speichersteuereinheit, die auf dem Trägermaterial vorgesehen ist und mit dem nichtflüchtigen Speicher verbunden ist; eine erste Verdrahtung, die auf dem Trägermaterial vorgesehen ist und ein Ende und ein anderes Ende umfasst, wobei das eine Ende mit der Speichersteuereinheit verbunden ist; einen Fußabdruck, der auf dem Trägermaterial vorgesehen ist und mit dem anderen Ende der ersten Verdrahtung verbunden ist; ein ESD-Schutzelement, das auf dem Trägermaterial vorgesehen und mit dem Fußabdruck verbunden ist; einen Verbindungsanschluss, der auf dem Trägermaterial vorgesehen ist und elektrisch mit einer Host-Vorrichtung verbunden werden kann; einen ersten Durchgangsstecker, der im Trägermaterial vorgesehen ist, wobei ein Ende mit dem anderen Ende der ersten Verdrahtung verbunden ist und ein anderes Ende mit dem Verbindungsanschluss verbunden ist.
  2. Speichervorrichtung nach Anspruch 1, umfassend eine erste Erdungsebene, die auf dem Trägermaterial vorgesehen und mit dem Fußabdruck verbunden ist.
  3. Speichervorrichtung nach Anspruch 2, wobei: das ESD-Schutzelement einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss umfasst; der Fußabdruck einen ersten elektrisch leitenden Abschnitt umfasst, der mit dem ersten Anschluss verbunden ist, und einen zweiten elektrisch leitenden Abschnitt, der mit dem zweiten Anschluss verbunden ist; und das eine Ende des ersten Durchgangssteckers mit dem ersten elektrisch leitenden Abschnitt des Fußabdrucks verbunden ist.
  4. Speichervorrichtung nach Anspruch 3, wobei die erste Erdungsebene mit dem zweiten elektrisch leitfähigen Abschnitt des Fußabdrucks verbunden ist.
  5. Speichervorrichtung nach Anspruch 4, mit einer zweiten Erdungsebene, die in dem Trägermaterial vorgesehen und unterhalb der ersten Verdrahtung angeordnet ist.
  6. Speichervorrichtung nach Anspruch 5, wobei eine Form der zweiten Erdungsebene eine massive Form ist.
  7. Speichervorrichtung nach Anspruch 6, wobei eine Form des zweiten elektrisch leitenden Abschnitts eine feste Form ist.
  8. Speichervorrichtung nach Anspruch 6, wobei: das Trägermaterial eine Isolierschicht und eine gedruckte Leitungsplatine umfasst, die in einer ersten Richtung gestapelt sind; der nichtflüchtige Speicher, die Speichersteuereinheit, die erste Verdrahtung, der Fußabdruck, das ESD-Schutzelement und die erste Erdungsebene auf der gedruckten Leitungsplatine vorgesehen sind; und der erste Durchgangsstecker in der gedruckten Leitungsplatine und der Isolierschicht vorgesehen ist.
  9. Speichervorrichtung nach Anspruch 8, wobei: die Isolierschicht eine erste Isolierschicht und eine zweite Isolierschicht umfasst; die erste Isolierschicht, die zweite Isolierschicht und die gedruckte Leitungsplatine in dieser Reihenfolge in der ersten Richtung gestapelt sind; und der erste Durchgangsstecker in der gedruckten Leitungsplatine und der zweiten Isolierschicht vorgesehen ist.
  10. Eine Speichervorrichtung, umfasend: ein Trägermaterial; einen nichtflüchtigen Speicher, der auf dem Trägermaterial vorgesehen ist; eine Speichersteuereinheit, die auf dem Trägermaterial vorgesehen ist und mit dem nichtflüchtigen Speicher verbunden ist; eine erste Verdrahtung, die auf dem Trägermaterial vorgesehen ist und ein Ende und ein anderes Ende umfasst, wobei das eine Ende mit der Speichersteuereinheit verbunden ist; ein ESD-Schutzelement, das in dem Trägermaterial vorgesehen ist; einen Fußabdruck, der in dem Trägermaterial vorgesehen ist und mit dem ESD-Schutzelement verbunden ist einen ersten Durchgangsstecker, der in dem Trägermaterial vorgesehen ist, wobei ein Ende mit dem anderen Ende der ersten Verdrahtung verbunden ist und ein anderes Ende mit dem Fußabdruck verbunden ist; einen Verbindungsanschluss, der auf dem Trägermaterial vorgesehen ist und elektrisch mit einer Host-Vorrichtung verbindbar ist; einen zweiten Durchgangsstecker, der im Trägermaterial vorgesehen ist, wobei ein Ende mit dem Fußabdruck verbunden ist und ein anderes Ende mit dem Verbindungsanschluss verbunden ist.
  11. Speichervorrichtung nach Anspruch 10, wobei: das ESD-Schutzelement einen ersten Anschluss und einen zweiten Anschluss umfasst; der Fußabdruck einen ersten elektrisch leitenden Abschnitt umfasst, der mit dem ersten Anschluss verbunden ist, und einen zweiten elektrisch leitenden Abschnitt, der mit dem zweiten Anschluss verbunden ist; das andere Ende des ersten Durchgangssteckers mit dem ersten elektrisch leitenden Abschnitt des Fußabdrucks verbunden ist; und das eine Ende des zweiten Durchgangssteckers mit dem ersten elektrisch leitenden Abschnitt des Fußabdrucks verbunden ist.
  12. Speichervorrichtung nach Anspruch 11, umfassend eine erste Erdungsebene und eine zweite Erdungsebene, die auf dem Trägermaterial vorgesehen sind, wobei: die erste Erdungsebene mit dem zweiten elektrisch leitenden Abschnitt des Fußabdrucks verbunden ist; und die zweite Erdungsebene unterhalb der ersten Verdrahtung angeordnet ist.
  13. Speichervorrichtung nach Anspruch 12, wobei: das Trägermaterial eine erste Isolierschicht, eine zweite Isolierschicht, eine dritte Isolierschicht und eine gedruckte Leitungsplatine umfasst; und die erste Isolierschicht, die zweite Isolierschicht und die gedruckte Leitungsplatine in dieser Reihenfolge in einer ersten Richtung gestapelt sind.
  14. Speichervorrichtung nach Anspruch 13, wobei: der nichtflüchtige Speicher, die Speichersteuereinheit und die erste Verdrahtung auf der gedruckten Leitungsplatine vorgesehen sind; der zweite Durchgangsstecker in der zweiten Isolierschicht vorgesehen ist; der Fußabdruck, das ESD-Schutzelement und die erste Erdungsebene in der dritten Isolierschicht vorgesehen sind; die zweite Erdungsebene in der Leitungsplatine vorgesehen ist; und der erste Durchgangsstecker in der gedruckten Leitungsplatine und der dritten Isolierschicht vorgesehen ist.
  15. Speichervorrichtung nach Anspruch 9 oder 14, wobei: der Verbindungsanschluss auf der ersten Isolierschicht vorgesehen ist; und die erste Isolierschicht eine Öffnung umfasst, die den Verbindungsanschluss freilegt.
  16. Speichervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei die erste Verdrahtung eine Mikro-Streifenleitung ist.
  17. Speichervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei: das ESD-Schutzelement eine erste Diode und eine zweite Diode umfasst; und eine Kathode der ersten Diode und eine Kathode der zweiten Diode verbunden sind.
  18. Speichervorrichtung nach Anspruch 17, wobei sowohl die erste Diode als auch die zweite Diode eine Zener-Diode ist.
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