DE112021003511T5 - Halbleiterverbundvorrichtung und verfahren zur herstellung einer halbleiterverbundvorrichtung - Google Patents

Halbleiterverbundvorrichtung und verfahren zur herstellung einer halbleiterverbundvorrichtung Download PDF

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Koshi HIMEDA
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

Eine Halbleiterverbundvorrichtung 1 umfasst aktive Elemente 10 und passive Elemente 20, die einen Spannungsregler bilden und derart angeordnet sind, dass sie einer Vielzahl von Kanälen zugeordnet sind, einen Verbraucher 30, der mit einer durch den Spannungsregler geregelten Gleichspannung versorgt werden soll, und eine Leiterplatte 40, die mit den aktiven Elementen 10, den passiven Elementen 20 und dem Verbraucher 30 elektrisch verbunden ist. Eine Vielzahl von in den Kanälen angeordneten Kondensatoren (zum Beispiel Ausgangskondensatoren C1 und C2) umfassen eine integral ausgebildete Kondensatoranordnung 50 mit einer Vielzahl von in einer Ebene angeordneten Kondensatorabschnitten. Die Kondensatoranordnung 50 umfasst eine Vielzahl von Durchgangslochleitern TH1 und TH2, die sich durch die Kondensatoranordnung 50 in einer Richtung senkrecht zu einer Montagefläche der Leiterplatte 40 erstrecken. Zumindest ein Teil der Kondensatoranordnung 50 ist derart positioniert, dass sie den Verbraucher 30 von der Montagefläche der Leiterplatte 40 betrachtet überlappt.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiterverbundvorrichtung sowie ein Verfahren zur Herstellung der Halbleiterverbundvorrichtung.
  • Technischer Hintergrund
  • Patentdokument 1 offenbart eine Halbleitervorrichtung mit einem Gehäusesubstrat, in das ein passives Element (passive Vorrichtung) wie eine Induktivität oder ein Kondensator teilweise oder vollständig eingebettet ist, und einem Spannungsregler mit einem aktiven Element (aktive Vorrichtung) wie einem Schaltelement. Bei der in Patentschrift 1 beschriebenen Halbleiteranordnung sind der Spannungsregler und ein mit einer Versorgungsspannung zu versorgender Verbraucher auf dem Gehäusesubstrat montiert. Eine durch einen Spannungsregler geregelte Gleichspannung wird durch das passive Element im Gehäusesubstrat geglättet und dem Verbraucher zugeführt.
  • Liste der Entgegenhaltungen
  • Patentdokument
  • Patentdokument 1: U.S. Patentanmeldung Veröffentlichung Nr. 2011/0050334
  • Darstellung der Erfindung
  • Technisches Problem
  • Die Halbleitervorrichtung mit dem in Patentdokument 1 beschriebenen Spannungsregler wird in elektronischen Geräten wie Mobiltelefonen und Smartphones eingesetzt. In den letzten Jahren wurden die elektronischen Geräte verkleinert und verdünnt, und damit einhergehend gibt es einen Bedarf an einer Verkleinerung des Halbleiterbauelements an sich. Darüber hinaus verwendet der Stromversorgungsschaltkreis eines leistungsstarken mobilen Endgeräts, zum Beispiel eines Smartphones, zum Beispiel einen mehrkanaligen Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler-IC (Integrated Circuit) oder einen PMIC (Power Management Integrated Circuit) mit einer Funktion für geringen Stromverbrauch. Bei diesen ICs wurden die Erhöhung der Ansteuerungsgeschwindigkeit und die Verringerung des Stromverbrauchs durch niedrige Spannung und großen Strom vorangetrieben.
  • 1 ist eine Draufsicht, die schematisch ein Beispiel für eine Halbleiterverbundvorrichtung zeigt, die eine mehrkanalige Stromversorgung bildet. 1 zeigt ein Beispiel mit zwei Kanälen.
  • Eine in 1 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 100 umfasst aktive Elemente 10 und passive Elemente 20, die einen Spannungsregler bilden, eine Last bzw. einen Verbraucher 30, die bzw. der mit einer durch den Spannungsregler geregelten Gleichspannung versorgt werden soll, und eine Leiterplatte 40, die elektrisch mit den aktiven Elementen 10, den passiven Elementen 20 und dem Verbraucher 30 verbunden ist.
  • Die aktiven Elemente 10 und die passiven Elemente 20 sind für einzelne Kanäle angeordnet. Ein erster Kanal CH1 bildet eine einphasige Stromversorgung mit einem einzigen Stromversorgungskreis. Ein zweiter Kanal CH2 bildet eine mehrphasige Stromversorgung mit mehreren parallel geschalteten Stromversorgungskreisen.
  • Die aktiven Elemente 10, die den Spannungsregler bilden, umfassen Schaltelemente SW1, SW2, SW3 und SW4. Von diesen Schaltelementen ist das Schaltelement SW1 in dem ersten Kanal CH1 angeordnet, und die Schaltelemente SW2, SW3 und SW4 sind in dem zweiten Kanal CH2 angeordnet.
  • Zu den passiven Elementen 20, die den Spannungsregler bilden, gehören Ausgangskondensatoren C1 und C2. Von diesen Ausgangskondensatoren ist der Ausgangskondensator C1 im ersten Kanal CH1 angeordnet, und der Ausgangskondensator C2 ist im zweiten Kanal CH2 angeordnet. Zur Vereinfachung der Beschreibung werden hier als Ausgangskondensatoren nur Spannungsglättungskondensatoren beschrieben, die an die Schaltfrequenzen der Schaltelemente angepasst sind, aber Entkopplungskondensatoren zur Rauschunterdrückung und zum Kurzschließen hoher Frequenzen können im Nebenschluss mit den Ausgangsleitungen für die einzelnen Kanäle verbunden sein, und diese Kondensatoren können parallel geschaltet sein.
  • Zu den passiven Elementen 20, die den Spannungsregler bilden, gehören ferner Induktivitäten L1, L2, L3 und L4. Von diesen Induktivitäten ist die Induktivität L1 im ersten Kanal CH1 angeordnet, und die Induktivitäten L2, L3 und L4 sind im zweiten Kanal CH2 angeordnet.
  • Zu den passiven Elementen 20, die den Spannungsregler bilden, gehören zumindest die Ausgangskondensatoren C1 und C2, die Induktivitäten L1, L2, L3 und L4 müssen nicht unbedingt enthalten sein.
  • Wenn die Kondensatoren, wie zum Beispiel die Ausgangskondensatoren, auf einer Montagefläche der Leiterplatte angeordnet sind, wie in dem in 1 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 100, ist ein Montagebereich erforderlich, um die Kondensatoren anzuordnen. Daher ist es schwierig, die Größe der Halbleiterverbundvorrichtung zu verringern. Da die Kondensatoren für die einzelnen Kanäle angeordnet sind, steigt die Montagefläche mit zunehmender Anzahl der Kanäle.
  • Wenn sich der Abstand zwischen dem Kondensator, zum Beispiel dem Ausgangskondensator, und dem Verbraucher vergrößert, erhöht sich der durch die äquivalente Serieninduktivität (ESL) und den äquivalenten Serienwiderstand (ESR) verursachte Verlust aufgrund einer Induktivitätskomponente und einer Widerstandskomponente in der Verdrahtung. Daher ist der Kondensator bevorzugt in der Nähe des Verbrauchers angeordnet.
  • Die vorliegende Erfindung zielt darauf ab, eine Halbleiterverbundvorrichtung bereitzustellen, die verkleinert werden kann und einen kurzen Verbindungsabstand zwischen einem Kondensator und einem Verbraucher aufweist. Ferner hat die vorliegende Erfindung den Zweck, ein Verfahren zur Herstellung der Halbleiterverbundvorrichtung bereitzustellen.
  • Lösung des Problems
  • Eine Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung weist aktive Elemente und passive Elemente, die einen Spannungsregler bilden und in Verbindung mit einer Vielzahl von Kanälen angeordnet sind, einen Verbraucher, der mit einer durch den Spannungsregler geregelten Gleichspannung versorgt werden soll und ein Halbleiterelement aufweist, sowie eine Leiterplatte auf, die elektrisch mit den aktiven Elementen, den passiven Elementen und dem Verbraucher verbunden ist. Die aktiven Elemente, die den Spannungsregler bilden, umfassen Schaltelemente. Die passiven Elemente, die den Spannungsregler bilden, umfassen Kondensatoren. Eine Vielzahl der in den Kanälen angeordneten Kondensatoren umfasst eine integral ausgebildete Kondensatoranordnung mit einer Vielzahl von in einer Ebene angeordneten Kondensatorabschnitten. Die Kondensatoranordnung umfasst eine Vielzahl von Durchgangslochleitern, die sich durch die Kondensatoranordnung in einer Richtung senkrecht zu einer Montagefläche der Leiterplatte erstrecken. Zumindest ein Teil der Kondensatoranordnung ist derart positioniert, dass er den Verbraucher von der Montagefläche der Leiterplatte betrachtet überlappt.
  • In der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung umfassen die passiven Elemente, die den Spannungsregler bilden, zum Beispiel einen Kondensator zur Ansteuerung einer Stromversorgung. Es kann ein Kanal vorhanden sein, in dem die Stromversorgung durch einen anderen Kondensator als die integral ausgebildete Kondensatoranordnung betrieben wird. Die Vielzahl von Kondensatoren in der Kondensatoranordnung können parallel mit demselben Kanal verbunden sein. Jeder zweite Kondensator kann parallel zu der Kondensatoranordnung geschaltet sein.
  • Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung der Halbleiterverbundvorrichtung einschließlich der in die Leiterplatte eingebetteten Kondensatoranordnung. Das Verfahren umfasst einen Schritt des Bildens eines Hohlraums in einer Leiterplatte, einen Schritt des Anordnens einer Kondensatoranordnung in dem Hohlraum, einen Schritt des elektrischen Verbindens der Leiterplatte und der Kondensatoranordnung und einen Schritt des Einbettens der Kondensatoranordnung in die Leiterplatte durch Abdichten des Hohlraums.
  • Vorteilhafte Wirkungen der Erfindung
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, eine Halbleiterverbundvorrichtung bereitzustellen, die verkleinert werden kann und einen kurzen Anschlussabstand von dem Kondensator zu dem Verbraucher aufweist.
  • Figurenliste
    • [1] 1 ist eine Draufsicht, die schematisch ein Beispiel für eine Halbleiterverbundvorrichtung darstellt, die eine mehrkanalige Stromversorgung bildet.
    • [2] 2 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für eine Halbleiterverbundvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • [3] 3 ist eine Draufsicht auf die in 2 gezeigte Halbleiterverbundvorrichtung, die von einer Montagefläche einer Leiterplatte betrachtet wird.
    • [4] 4 ist eine Draufsicht, die schematisch ein Beispiel für eine Kondensatoranordnung zeigt, die die in 2 und 3 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung bildet.
    • [5] 5 ist ein Schaltungsstrukturdiagramm der in 2 und 3 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung.
    • [6] 6 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Durchgangslochleiter, der mit einem positiven Anschluss eines Kondensators verbunden ist, und den Umfang des Durchgangslochleiters zeigt.
    • [7] 7 ist eine projizierte Querschnittsansicht entlang der Linie VII-VII in 6.
    • [8] 8 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Durchgangslochleiter, der mit einem negativen Anschluss des Kondensators verbunden ist, und den Umfang des Durchgangslochleiters zeigt.
    • [9] 9 ist eine projizierte Querschnittsansicht entlang der Linie IX-IX in 8.
    • [10] 10 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für eine Halbleiterverbundvorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • [11] 11 ist eine Draufsicht auf die in 10 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung, die von einer Montagefläche einer Leiterplatte betrachtet wird.
    • [12] 12 ist eine Draufsicht auf die in 10 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung, die von der anderen Montagefläche der Leiterplatte betrachtet wird.
    • [13] 13 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für eine Halbleiterverbundvorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • [14] 14 ist eine Draufsicht auf die in 13 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung, die von einer Montagefläche einer Leiterplatte betrachtet wird.
    • [15] 15 ist eine Draufsicht auf die in 13 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung, die von der anderen Montagefläche der Leiterplatte betrachtet wird.
    • [16] 16 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein weiteres Beispiel für eine Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • [17] 17 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein weiteres Beispiel für eine Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • [18] 18A und 18B sind Querschnittsansichten, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt zur Bildung eines Hohlraums in einer Leiterplatte zeigen.
    • [19] 19 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt des Aufbringens eines Klebebandes auf die Leiterplatte zeigt.
    • [20] 20 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt des Anordnens einer Kondensatoranordnung in dem Hohlraum zeigt.
    • [21] 21 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt des Durchführens einer Harzversiegelung von einer Verbindungsanschlussseite der Kondensatoranordnung zeigt.
    • [22] 22 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt des Abziehens des Bands von der Leiterplatte zeigt.
    • [23] 23 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt des Durchführens einer Harzversiegelung von der anderen Verbindungsanschlussseite der Kondensatoranordnung aus zeigt.
    • [24] 24 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt des Herstellens von Durchgangslöchern zeigt.
    • [25] 25 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt des Durchführens einer Beschichtung zeigt.
    • [26] 26A und 26B sind Querschnittsansichten, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt zur Bildung eines Hohlraums in einer Leiterplatte zeigen.
    • [27] 27 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt zur Herstellung von Durchgangslöchern zeigt.
    • [28] 28 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt des Durchführens von Strukturierung und Beschichtung zeigt.
    • [29] 29 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt des Anordnens einer Kondensatoranordnung in dem Hohlraum zeigt.
    • [30] 30 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt des Durchführens einer Harzversiegelung zeigt.
    • [31] 31 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt des Herstellens von Durchgangslöchern zeigt.
    • [32] 32 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt des Durchführens einer Beschichtung zeigt.
    • [33] 33 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein erstes modifiziertes Beispiel der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • [34] 34 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein zweites modifiziertes Beispiel der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • [35] 35 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein drittes modifiziertes Beispiel der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • [36] 36 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein viertes modifiziertes Beispiel der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • [37] 37 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein fünftes modifiziertes Beispiel der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • [38] 38 ist ein Schaltungsstrukturdiagramm einer Halbleiterverbundvorrichtung mit einem Eingangskondensator.
    • [39] 39 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein sechstes modifiziertes Beispiel der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • [40] 40 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein siebtes modifiziertes Beispiel der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • [41] 41 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein achtes modifiziertes Beispiel der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • [42] 42 ist ein Beispiel für ein Schaltungsstrukturdiagramm einer Halbleiterverbundvorrichtung mit einer Stromversorgungsschaltung, die einen Transformator enthält.
    • [43] 43 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Halbleiterverbundvorrichtung mit einem Stromversorgungsmodul zeigt.
    • [44] 44 ist ein Beispiel für ein Schaltungsstrukturdiagramm der Halbleiterverbundvorrichtung, das das Stromversorgungsmodul enthält.
    • [45] 45 ist ein weiteres Beispiel für das Schaltungsstrukturdiagramm der Halbleiterverbundvorrichtung mit dem Stromversorgungsmodul.
    • [46] 46 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein weiteres Beispiel für eine Halbleiterverbundvorrichtung einschließlich des Stromversorgungsmoduls zeigt.
    • [47] 47 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für eine Halbleiterverbundvorrichtung mit einer Kondensatoranordnung in einem Substrat eines Stromversorgungsmoduls zeigt.
    • [48] 48 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein weiteres Beispiel der Halbleiterverbundvorrichtung einschließlich der Kondensatoranordnung im Substrat des Stromversorgungsmoduls zeigt.
    • [49] 49 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für eine Halbleiterverbundvorrichtung mit einer Induktivitätsanordnung zeigt.
    • [50] 50 ist eine Draufsicht auf die in 49 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung, die von der anderen Montagefläche einer Leiterplatte betrachtet wird.
    • [51] 51 ist ein Beispiel für ein Schaltungsstrukturdiagramm der Halbleiterverbundvorrichtung, welche die Induktivitätsanordnung aufweist.
  • Beschreibung von Ausführungsformen
  • Im Folgenden werden eine Halbleiterverbundvorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung der Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die folgenden Strukturen beschränkt und kann in geeigneter Weise modifiziert werden, ohne vom Geist der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Die vorliegende Erfindung umfasst eine Kombination von zwei oder mehr einzelnen wünschenswerten Strukturen der vorliegenden Erfindung, die im Folgenden beschrieben werden.
  • [Halbleiterverbundvorrichtung]
  • Die Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung umfasst aktive Elemente und passive Elemente, die einen Spannungsregler bilden und einer Vielzahl von Kanälen zugeordnet angeordnet sind, einen Verbraucher, der mit einer durch den Spannungsregler geregelten Gleichspannung versorgt werden soll, und eine Leiterplatte, die mit den aktiven Elementen, den passiven Elementen und dem Verbraucher elektrisch verbunden ist. Die aktiven Elemente, die den Spannungsregler bilden, weisen Schaltelemente auf. Die passiven Elemente, die den Spannungsregler bilden, weisen Kondensatoren auf.
  • In der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung weisen die passiven Elemente, die den Spannungsregler bilden, zum Beispiel einen Kondensator zur Ansteuerung einer Stromversorgung auf. Der Kondensator zur Ansteuerung der Stromversorgung kann ein ausgangsseitiger Kondensator oder ein eingangsseitiger Kondensator sein. Die Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung kann den ausgangsseitigen und/oder den eingangsseitigen Kondensator als Kondensator zur Ansteuerung der Stromversorgung aufweisen.
  • Die folgenden Ausführungsformen dienen der Veranschaulichung, und die in verschiedenen Ausführungsformen beschriebenen Komponenten können teilweise ersetzt oder kombiniert werden. In der zweiten und anderen nachfolgenden Ausführungsformen wird auf die Beschreibung von Gemeinsamkeiten mit der ersten Ausführungsform verzichtet und es werden nur Unterschiede beschrieben. Insbesondere werden ähnliche Vorgänge und Vorteile ähnlicher Komponenten nicht in jeder Ausführungsform erwähnt.
  • In der folgenden Beschreibung wird einfach der Begriff „Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung“ verwendet, es sei denn, die Ausführungsformen werden unterschieden.
  • Bei den nachstehenden Zeichnungen handelt es sich um schematische Darstellungen, und die Abmessungen, Längen- und Breitenmaße usw. können von jenen der tatsächlichen Produkte abweichen.
  • (Erste Ausführungsform)
  • 2 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel einer Halbleiterverbundvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 3 ist eine Draufsicht auf die in 2 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung, die von einer Montagefläche einer Leiterplatte betrachtet wird. 4 ist eine Draufsicht, die schematisch ein Beispiel für eine Kondensatoranordnung zeigt, die die in 2 und 3 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung bildet. 5 ist ein Schaltungsstrukturdiagramm der in 2 und 3 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung. 3 zeigt ein Beispiel mit zwei Kanälen, aber die Anzahl der Kanäle kann auch drei oder mehr betragen.
  • Eine in 2 und 3 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 1 umfasst aktive Elemente 10 und passive Elemente 20, die einen Spannungsregler bilden, einen Verbraucher 30, der mit einer durch den Spannungsregler geregelten Gleichspannung versorgt werden soll, und eine Leiterplatte 40, die mit den aktiven Elementen 10, den passiven Elementen 20 und dem Verbraucher 30 elektrisch verbunden ist.
  • Die aktiven Elemente 10 und die passiven Elemente 20 sind für einzelne Kanäle angeordnet. Ein erster Kanal CH1 bildet eine einphasige Stromversorgung mit einem einzigen Stromversorgungskreis. Ein zweiter Kanal CH2 bildet eine mehrphasige Stromversorgung mit mehreren parallel geschalteten Stromversorgungskreisen. Im zweiten Kanal CH2 wird als Beispiel eine mehrphasige Stromversorgung mit drei parallel geschalteten Stromversorgungskreisen beschrieben, aber die Anzahl der parallel geschalteten Stromversorgungskreise ist nicht konkret eingeschränkt.
  • Sowohl der erste Kanal CH1 als auch der zweite Kanal CH2 können einphasige Stromversorgungen sein. Alternativ dazu können sowohl der erste Kanal CH1 als auch der zweite Kanal CH2 mehrphasige Stromversorgungen sein. In diesem Fall kann die Anzahl der parallel geschalteten Stromversorgungskreise gleich oder unterschiedlich sein.
  • Die aktiven Elemente 10, die den Spannungsregler bilden, umfassen die Schaltelemente SW1, SW2, SW3 und SW4. Von diesen Schaltelementen ist das Schaltelement SW1 im ersten Kanal CH1 angeordnet, und die Schaltelemente SW2, SW3 und SW4 sind im zweiten Kanal CH2 angeordnet.
  • In dem in 2 und 3 dargestellten Beispiel sind das im ersten Kanal CH1 angeordnete Schaltelement SW1 und die im zweiten Kanal CH2 angeordneten Schaltelemente SW2, SW3 und SW4 auf einer Montagefläche der Leiterplatte 40 angeordnet.
  • Zu den passiven Elementen 20, die den Spannungsregler bilden, gehören die Ausgangskondensatoren C1 und C2. Von diesen Ausgangskondensatoren ist der Ausgangskondensator C1 im ersten Kanal CH1 angeordnet, und der Ausgangskondensator C2 ist im zweiten Kanal CH2 angeordnet. Ähnlich wie in 1 werden hier zur Vereinfachung der Beschreibung nur Spannungsglättungskondensatoren, die an die Schaltfrequenzen der Schaltelemente angepasst sind, als Ausgangskondensatoren beschrieben, aber Entkopplungskondensatoren zur Rauschunterdrückung und zum Kurzschließen hoher Frequenzen können parallel zu den Ausgangsleitungen für die einzelnen Kanäle geschaltet werden, und diese Kondensatoren können parallel geschaltet werden. Dies gilt auch für die folgenden Abbildungen.
  • Die Ausgangskondensatoren C1 und C2 sind Beispiele für Kondensatoren zur stabilen Ansteuerung der Stromversorgung und sind Ausgangskondensatoren zur Glättung einer Ausgangsspannung. Wie in 2, 3 und 4 dargestellt, sind der im ersten Kanal CH1 angeordnete Ausgangskondensator C1 und der im zweiten Kanal CH2 angeordnete Ausgangskondensator C2 durch eine integral ausgebildete Kondensatoranordnung 50 definiert, die eine Vielzahl von in einer Ebene angeordneten Kondensatorabschnitten enthält. Die Größe des Kondensatorabschnitts, der den Ausgangskondensator C1 bildet, kann gleich oder verschieden von der Größe des Kondensatorabschnitts sein, der den Ausgangskondensator C2 bildet.
  • Die Kondensatoranordnung 50 umfasst eine Vielzahl von Durchgangslochleitern TH1 und TH2, die sich durch die Kondensatoranordnung 50 in einer Richtung senkrecht zur Montagefläche der Leiterplatte 40 erstrecken. Ein erster Verbindungsanschluss 61 ist an einem Endabschnitt des Durchgangslochleiters TH1 oder TH2 ausgebildet. Ein zweiter Verbindungsanschluss 62 ist an dem anderen Endabschnitt des Durchgangslochleiters TH1 oder TH2 ausgebildet.
  • Wie in 2 und 3 dargestellt, ist zumindest ein Teil der Kondensatoranordnung 50 derart positioniert, dass sie den Verbraucher 30 von der Montagefläche der Leiterplatte 40 betrachtet überlappt. In dem in 2 und 3 dargestellten Beispiel ist die Kondensatoranordnung 50 in die Leiterplatte 40 eingebettet.
  • Zu den passiven Elementen 20, die den Spannungsregler bilden, gehören ferner die Induktivitäten L1, L2, L3 und L4. Von diesen Induktivitäten ist die Induktivität L1 im ersten Kanal CH1 angeordnet, und die Induktivitäten L2, L3 und L4 sind in dem zweiten Kanal CH2 angeordnet. Die Induktivität L1 ist zwischen dem Schaltelement SW1 und dem Verbraucher 30 angeschlossen. Die Induktivität L2 ist zwischen dem Schaltelement SW2 und dem Verbraucher 30 angeschlossen. Die Induktivität L3 ist zwischen dem Schaltelement SW3 und dem Verbraucher 30 angeschlossen. Die Induktivität L4 ist zwischen dem Schaltelement SW4 und dem Verbraucher 30 angeschlossen.
  • In dem in 2 und 3 dargestellten Beispiel sind die im ersten Kanal CH1 angeordnete Induktivität L1 und die im zweiten Kanal CH2 angeordneten Induktivitäten L2, L3 und L4 auf der einen Montagefläche der Leiterplatte 40 angeordnet.
  • Zu den passiven Elementen 20, die den Spannungsregler bilden, gehören zumindest die Ausgangskondensatoren C1 und C2, die Induktivitäten L1, L2, L3 und L4 müssen nicht unbedingt enthalten sein.
  • Der Verbraucher 30 umfasst ein Halbleiterelement. Beispiele für der Verbraucher 30 sind ein integrierter Halbleiterschaltkreis (IC) wie etwa ein logischer Operationsschaltkreis oder ein Speicherschaltkreis.
  • In dem in 2 und 3 dargestellten Beispiel ist der Verbraucher 30 auf der einen Montagefläche der Leiterplatte 40 angeordnet.
  • Auf der einen Montagefläche der Leiterplatte 40 ist eine Schaltungsschicht 45 ausgebildet, die Lötaugen zur Montage der Komponenten wie etwa der Schaltelemente SW1, SW2, SW3 und SW4, der Induktivitäten L1, L2, L3 und L4 und der Verbraucher 30 sowie Drähte zur Verbindung der Komponenten aufweist. Die Leiterplatte 40 ist über die Schaltungsschicht 45 elektrisch mit den aktiven Elementen 10, den passiven Elementen 20 und dem Verbraucher 30 verbunden.
  • Obwohl nicht dargestellt, können auf der Montagefläche der Leiterplatte 40 neben den aktiven Elementen 10, den passiven Elementen 20 und dem Verbraucher 30 auch elektronische Bauteile wie eine Drosselspule, eine Überspannungsschutzdiode und ein Spannungsteilerwiderstandselement angeordnet sein.
  • In dem in 2 und 3 dargestellten Beispiel wird die Halbleiterverbundvorrichtung mit zwei Kanälen beschrieben. Bei der Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Anzahl der Kanäle jedoch nicht konkret eingeschränkt, solange die Anzahl der Kanäle zwei oder mehr beträgt.
  • Die Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist das Merkmal auf, dass die Vielzahl von Kondensatoren, wie z.B. die in den Kanälen angeordneten Ausgangskondensatoren, die integral ausgebildete Kondensatoranordnung mit der Vielzahl von in der Ebene angeordneten Kondensatorabschnitten aufweisen, die Kondensatoranordnung die Vielzahl von Durchgangslochleitern aufweist, die sich durch die Kondensatoranordnung in der Richtung senkrecht zur Montagefläche der Leiterplatte erstrecken, und zumindest ein Teil der Kondensatoranordnung derart angeordnet ist, dass sie den Verbraucher von der Montagefläche der Leiterplatte betrachtet überlappt.
  • In der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind die Vielzahl der Kondensatoren nicht in der gleichen Ebene wie jener des Verbrauchers angeordnet, weil die Halbleiterverbundvorrichtung die oben beschriebene Eigenschaft besitzt. Dadurch kann die Montagefläche verkleinert werden. Infolgedessen kann die Halbleiterverbundvorrichtung verkleinert werden.
  • Da die Verdrahtung von jedem Kondensator zu dem Verbraucher nicht in der gleichen Ebene verlegt werden muss, kann der Anschlussabstand von dem Kondensator zu dem Verbraucher verkürzt werden. Dadurch können die Induktivitätskomponente und die Widerstandskomponente der Verdrahtung verkleinert werden.
  • In der Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die integral ausgebildete Kondensatoranordnung mit nur einem Kanal aus der Vielzahl von Kanälen verbunden sein, ist jedoch bevorzugt mit zwei oder mehr Kanälen verbunden. In der Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die Vielzahl von Kondensatoren, die in allen Kanälen angeordnet sind, durch die integral ausgebildete Kondensatoranordnung bzw. Kondensatorarray allein definiert sein. Alternativ kann es einen Kanal geben, in dem die Stromversorgung durch einen anderen Kondensator als die integral ausgebildete Kondensatoranordnung stabil betrieben wird, die Vielzahl von Kondensatoren in der Kondensatoranordnung kann parallel zu demselben Kanal geschaltet sein, oder jeder zweite Kondensator kann parallel zu der Kondensatoranordnung geschaltet sein.
  • In dem in 2 und 3 dargestellten Beispiel wird die Halbleiterverbundvorrichtung beschrieben, in der der erste Kanal CH1 die einphasige Stromversorgung und der zweite Kanal CH2 die mehrphasige Stromversorgung bildet. In der Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können jedoch alle Kanäle einphasige Stromversorgungen bilden, alle Kanäle können mehrphasige Stromversorgungen bilden, oder der Kanal, der die einphasige Stromversorgung bildet, und der Kanal, der die mehrphasige Stromversorgung bildet, können miteinander gemischt werden. Bei mehreren Kanälen, die mehrphasige Stromversorgungen bilden, kann die Anzahl der parallel geschalteten Stromversorgungskreise unter den Kanälen gleich oder unterschiedlich sein.
  • In der Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist der Durchgangslochleiter auf zumindest der Innenwandfläche eines Durchgangslochs ausgebildet, das sich in Richtung seiner Dicke von oben nach unten durch die Kondensatoranordnung erstreckt. Die Innenwandfläche des Durchgangslochs ist mit einem Metall mit geringem Widerstand, wie Cu, Au oder Ag, metallisiert. Zur Erleichterung des Verfahrens kann die Innenwandfläche zum Beispiel durch stromlose Cu-Beschichtung oder elektrolytische Cu-Beschichtung metallisiert werden. Die Metallisierung des Durchgangslochleiters ist nicht auf die Metallisierung nur der Innenwandfläche des Durchgangslochs beschränkt, sondern kann auch mit einem Metall oder einem Verbundmaterial aus einem Metall und einem Harz erfolgen.
  • Die Durchgangslochleiter werden unterschieden in A. einen Durchgangslochleiter für einen positiven Anschluss eines Kondensators, B. einen Durchgangslochleiter für einen negativen Anschluss eines Kondensators und für eine Erdung, und C. einen Durchgangslochleiter für eine E/A-Leitung. A. Der Durchgangslochleiter für einen positiven Anschluss eines Kondensators ist mit dem positiven Anschluss des Kondensators verbunden. B. Der Durchgangslochleiter für den negativen Anschluss eines Kondensators und für die Masse ist mit dem negativen Anschluss des Kondensators verbunden. C. Der Durchgangslochsleiter für eine E/A-Leitung ist weder mit dem positiven Anschluss noch mit dem negativen Anschluss des Kondensators verbunden.
  • Im Fall von A., dem Durchgangslochleiter für einen positiven Anschluss eines Kondensators, kann ein Raum zwischen dem sich durch den Kondensator erstreckenden Durchgangsloch und dem Durchgangslochleiter mit einem isolierenden Material gefüllt sein oder muss nicht gefüllt sein. Im letztgenannten Fall ist die Struktur derart beschaffen, dass ein Kernabschnitt einer positiven Anschlussplatte, die den positiven Anschluss des Kondensators darstellt, wie später beschrieben, direkt mit dem Durchgangslochleiter verbunden ist. Im Fall von B. dem Durchgangslochleiter für einen negativen Anschluss eines Kondensators und für eine Masse und C. dem Durchgangslochleiter für eine E/A-Leitung ist ein Raum zwischen dem sich durch den Kondensator erstreckenden Durchgangsloch und dem Durchgangslochleiter mit einem Isoliermaterial gefüllt.
  • In der Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist zumindest ein Durchgangslochleiter aus den Durchgangslochleitern, die sich durch die Kondensatoranordnung erstrecken, mit einem positiven Anschluss eines Kondensators wie dem Ausgangskondensator verbunden.
  • 6 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für den mit dem positiven Anschluss des Kondensators verbundenen Durchgangslochleiter und den Umfang des Durchgangslochleiters zeigt. 7 ist eine projizierte Querschnittsansicht entlang der Linie VII-VII in 6. In 6 und 7 wird ein erster Durchgangslochleiter TH11 beschrieben, der mit einem positiven Anschluss des Ausgangskondensators C1 verbunden ist.
  • Der in 6 dargestellte Ausgangskondensator C1 umfasst einen Kondensatorabschnitt 210, leitfähige Abschnitte 220, die elektrisch mit dem ersten Durchgangslochleiter TH11 verbunden sind, und Isolierabschnitte 230, die auf die Oberflächen des Kondensatorabschnitts 210 laminiert sind. Die leitfähigen Abschnitte 220 sind auf den Oberflächen des ersten Durchgangslochleiters TH11 ausgebildet und können als Verbindungsanschlüsse dienen. Wie in 6 dargestellt, umfasst jeder Isolierabschnitt 230 bevorzugt einen ersten Isolierabschnitt 230A, der auf die Oberfläche des Kondensatorabschnitts 210 laminiert ist, und einen zweiten Isolierabschnitt 230B, der auf die Oberfläche des ersten Isolierabschnitts 230A laminiert ist.
  • In dieser Ausführungsform umfasst der Kondensatorabschnitt 210 eine positive Anschlussplatte 211 aus einem Metall. Zum Beispiel umfasst die positive Anschlussplatte 211 einen Kernabschnitt 212 aus einem Metall mit Ventilwirkung. Die positive Anschlussplatte 211 umfasst bevorzugt einen porösen Abschnitt 214, der auf zumindest einer Hauptfläche des Kernabschnitts 212 vorgesehen ist. Eine dielektrische Schicht (nicht dargestellt) ist auf der Oberfläche des porösen Abschnitts 214 vorgesehen, und eine negative Anschlussschicht 216 ist auf der Oberfläche der dielektrischen Schicht vorgesehen. Dementsprechend dient der Kondensatorabschnitt 210 in dieser Ausführungsform als Elektrolytkondensator. 6 zeigt eine Kohlenstoffschicht 216A und eine Kupferschicht 216B, die Leiterschichten als negative Anschlussschicht 216 sind. Obwohl in 6 nicht dargestellt, ist eine Festelektrolytschicht auf der Oberfläche der dielektrischen Schicht als negative Anschlussschicht 216 vorgesehen, und die Leiterschichten sind auf der Oberfläche der Festelektrolytschicht vorgesehen.
  • Wenn der Kondensatorabschnitt 210 als der Elektrolytkondensator dient, besteht die positive Anschlussplatte 211 aus einem sogenannten Ventilmetall, das eine Ventilwirkung aufweist. Beispiele für ein Metall mit Ventilwirkung sind ein einzelnes Metall wie Aluminium, Tantal, Niob, Titan oder Zirkonium sowie eine Legierung, die zumindest eine Art dieser Metalle enthält. Von diesen Metallen ist Aluminium oder eine Aluminiumlegierung bevorzugt. Ein Elektrolytkondensator, der Aluminium oder eine Aluminiumlegierung als Grundmaterial enthält, wird im Folgenden auch als „Aluminiumelement“ bezeichnet.
  • Die Form der positiven Anschlussplatte 211 ist bevorzugt eine flache Plattenform und besonders bevorzugt eine Folienform. Die positive Anschlussplatte 211 umfasst den porösen Abschnitt 214 auf zumindest einer Hauptoberfläche des Kernabschnitts 212 und kann poröse Abschnitte 214 auf beiden Hauptoberflächen des Kernabschnitts 212 umfassen. Der poröse Abschnitt 214 ist bevorzugt eine poröse Schicht, die auf der Oberfläche des Kernabschnitts 212 ausgebildet ist, und besonders bevorzugt eine geätzte Schicht.
  • Die dielektrische Schicht auf der Oberfläche des porösen Abschnitts 214 ist porös, indem sie den Zustand der Oberfläche des porösen Abschnitts 214 widerspiegelt, und hat eine Oberflächenform mit feinen Unebenheiten. Die dielektrische Schicht ist bevorzugt eine Oxidschicht aus dem oben beschriebenen Metall mit Ventilwirkung. Zum Beispiel kann in einem Fall, in dem die Aluminiumfolie als die positive Anschlussplatte 211 verwendet wird, die dielektrische Schicht aus dem Oxidfilm gebildet werden, indem eine positive Anschlussoxidation (auch als „chemische Umwandlung“ bezeichnet) auf der Oberfläche der Aluminiumfolie in einer wässrigen Lösung durchgeführt wird, die Ammoniumadipat oder Ähnliches enthält.
  • Die negative Anschlussschicht 216, die auf der Oberfläche der dielektrischen Schicht vorgesehen ist, umfasst zum Beispiel die Festelektrolytschicht, die auf der Oberfläche der dielektrischen Schicht vorgesehen ist. Ferner umfasst die negative Anschlussschicht 216 bevorzugt die Leiterschichten, die auf der Oberfläche der Festelektrolytschicht vorgesehen sind.
  • Beispiele für das Material für die Festelektrolytschicht sind leitfähige Polymere wie Polypyrrole, Polythiophene und Polyaniline. Von diesen Materialien sind Polythiophene bevorzugt, und Poly(3,4-ethylendioxythiophen), genannt PEDOT, ist besonders bevorzugt. Die leitfähigen Polymere können ein Dotiermittel wie Polystyrolsulfonat (PSS) enthalten. Die Festelektrolytschicht umfasst bevorzugt eine innere Schicht, die die Poren (Vertiefungen) der dielektrischen Schicht ausfüllt, und eine äußere Schicht, die die dielektrische Schicht bedeckt.
  • Die leifähigen Schichten umfassen zumindest eine Schicht aus einer leifähigen Harzschicht und einer Metallschicht. Bei der Leiterschicht kann es sich um die leifähige Harzschicht allein oder um die Metallschicht allein handeln. Die Leiterschicht bedeckt bevorzugt die gesamte Festelektrolytschicht.
  • Zu den Beispielen für die leitfähige Harzschicht gehört eine leitfähige Klebstoffschicht, die zumindest eine Art von leitfähigem Füllstoff enthält, der aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Silberfüllstoff, Kupferfüllstoff, Nickelfüllstoff und Kohlenstofffüllstoff besteht.
  • Beispiele für die Metallschicht sind ein metallbeschichteter Film und eine Metallfolie. Die Metallschicht ist bevorzugt aus zumindest einer Art von Metall gebildet, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Nickel, Kupfer, Silber und Legierungen, die diese Metalle als Hauptbestandteil enthalten. Der Begriff „Hauptbestandteil“ bezieht sich auf einen elementaren Bestandteil mit dem größten Elementgewichtsverhältnis.
  • Zu den Leiterschichten gehören zum Beispiel die Kohlenstoffschicht, die auf der Oberfläche der Festelektrolytschicht angebracht ist, und die Kupferschicht, die auf der Oberfläche der Kohlenstoffschicht angebracht ist.
  • Die Kohlenstoffschicht dient dazu, die Festelektrolytschicht und die Kupferschicht elektrisch und mechanisch zu verbinden. Die Kohlenstoffschicht kann in einem vorbestimmten Bereich durch Auftragen von Kohlenstoffpaste auf die Festelektrolytschicht durch Schwammübertragung, Siebdruck, Auftragen, Tintenstrahldruck oder Ähnliches gebildet werden.
  • Die Kupferschicht kann durch Auftragen von Kupferpaste auf die Kohlenstoffschicht mittels Schwammübertragung, Siebdruck, Sprühen, Auftragen, Tintenstrahldruck oder ähnlichem hergestellt werden.
  • Der leitfähige Abschnitt 220 ist hauptsächlich aus einem Metall mit geringem Widerstand wie Ag, Au oder Cu gebildet. Um die Adhäsionskraft zwischen den Schichten zu verbessern, kann ein leitfähiges Klebematerial, das durch Mischen des oben beschriebenen leitfähigen Füllstoffs und eines Harzes erhalten wird, als der leitfähige Abschnitt vorgesehen werden.
  • Der Isolierabschnitt 230 ist aus einem isolierenden Material, typischerweise einem Harz wie Epoxid, Phenol oder Polyimid, oder einem Material, das durch Mischen eines Harzes wie Epoxid, Phenol oder Polyimid und eines anorganischen Füllstoffs wie Siliziumdioxid oder Aluminiumoxid gewonnen wird hergestellt.
  • Als der Kondensatorabschnitt 210 kann ein keramischer Kondensator unter Verwendung von Bariumtitanat oder ein Dünnschichtkondensator unter Verwendung von Siliziumnitrid (SiN), Siliziumdioxid (SiO2 ), Fluorwasserstoff (HF) oder dergleichen verwendet werden. Unter dem Gesichtspunkt der Bildung eines dünneren Kondensatorabschnitts 210 mit einer relativ großen Fläche und mechanischen Eigenschaften der Kondensatoranordnung 50, wie Steifigkeit und Flexibilität, ist der Kondensatorabschnitt 210 jedoch bevorzugt ein Kondensator, der ein Metall wie Aluminium als Grundmaterial verwendet, besonders bevorzugt ein elektrolytischer Kondensator, der ein Metall wie Aluminium als Grundmaterial verwendet, und besonders bevorzugt ein elektrolytischer Kondensator, der Aluminium oder eine Aluminiumlegierung als Grundmaterial verwendet.
  • Der erste Durchgangslochleiter TH11 ist durch den Kondensatorabschnitt 210 in einer Dickenrichtung des Ausgangskondensators C1 ausgebildet. Insbesondere ist der erste Durchgangslochleiter TH11 an zumindest der Innenwandfläche eines ersten Durchgangslochs h11 ausgebildet, das sich durch den Kondensatorabschnitt 210 in Dickenrichtung erstreckt.
  • Wie in 6 und 7 dargestellt, ist der erste Durchgangslochleiter TH11 mit der Endfläche der positiven Anschlussplatte 211 verbunden. Das heißt, der erste Durchgangslochleiter TH11 ist mit dem Kernabschnitt 212 verbunden, der den positiven Anschluss des Kondensatorabschnitts 210 an der Endfläche der positiven Anschlussplatte 211 darstellt.
  • Durch die elektrische Verbindung des ersten Durchgangslochleiters TH11 mit dem positiven Anschluss des Kondensatorabschnitts 210 kann der Ausgangskondensator C1 verkleinert werden, und die Halbleiterverbundvorrichtung kann weiter verkleinert werden. Wenn der erste Durchgangslochleiter TH11 in diesem Fall mit der Endfläche der positiven Anschlussplatte 211 verbunden ist, kann eine Verdrahtungsfunktion zum Verbinden der Oberseite und der Unterseite des Ausgangskondensators C1 und eine Funktion zum Verbinden des positiven Anschlusses des Kondensatorabschnitts 210 mit der Verdrahtung gleichzeitig durch den ersten Durchgangslochleiter TH11 erreicht werden. Daher kann die Halbleiterverbundvorrichtung verkleinert werden. Ferner können die ESL und der ESR des Ausgangskondensators C1 durch die Verringerung der Verdrahtungslänge verringert werden.
  • Der Kernabschnitt 212 und der poröse Abschnitt 214 liegen an der Endfläche der positiven Anschlussplatte 211 frei, die mit dem ersten Durchgangslochleiter TH11 verbunden ist. Durch Füllen des porösen Abschnitts 214 mit einem isolierenden Material wird ein dritter isolierender Abschnitt 230C um den ersten Durchgangslochleiter TH11 herum bereitgestellt, wie in 6 und 7 dargestellt.
  • Wie in 6 dargestellt, liegen der Kernabschnitt 212 und der poröse Abschnitt 214 bevorzugt an der Endfläche der positiven Anschlussplatte 211, die mit dem ersten Durchgangslochleiter TH11 verbunden ist, frei. In diesem Fall vergrößert sich die Kontaktfläche zwischen dem ersten Durchgangslochleiter TH11 und dem porösen Abschnitt 214, wodurch der enge Kontakt erhöht und Störungen wie das Ablösen des ersten Durchgangslochleiters TH11 verringert werden.
  • In dem Fall, in dem der Kernabschnitt 212 und der poröse Abschnitt 214 an der Endfläche der positiven Anschlussplatte 211, die mit dem ersten Durchgangslochleiter TH11 verbunden ist, freiliegen, befindet sich das Isoliermaterial bevorzugt in einem hohlen Teil des porösen Abschnitts 214. Das heißt, der dritte Isolierabschnitt 230C ist bevorzugt um den ersten Durchgangslochleiter TH11 herum angeordnet. Durch Füllen des porösen Abschnitts 214 an einem vorbestimmten Teil um den ersten Durchgangslochleiter TH11 mit dem Isoliermaterial kann die Isolierung zwischen dem Kernabschnitt 212 der positiven Anschlussplatte 211 und der negativen Anschlussschicht 216 gesichert und der Kurzschluss verhindert werden. Ferner kann die Auflösung der Endfläche der positiven Anschlussplatte 211, die während der chemischen Flüssigkeitsbehandlung zur Bildung des leitfähigen Abschnitts 220 und dergleichen verursacht werden kann, unterdrückt werden. Daher kann Eindringen der chemischen Flüssigkeit in den Kondensatorabschnitt 210 verhindert werden, und die Zuverlässigkeit des Ausgangskondensators C1 wird verbessert.
  • Unter dem Gesichtspunkt der Erhöhung der oben beschriebenen Vorteile ist die Dicke des dritten Isolierabschnitts 230C bevorzugt größer als die Dicke des porösen Abschnitts 214, wie in 6 dargestellt.
  • In dem Fall, in dem der Kernabschnitt 212 und der poröse Abschnitt 214 an der Endfläche der positiven Anschlussplatte 211, die mit dem ersten Durchgangslochleiter TH11 verbunden ist, freiliegen, muss das Isoliermaterial nicht in dem hohlen Abschnitt des porösen Abschnitts 214 vorhanden sein. In diesem Fall liegt der hohle Teil des porösen Abschnitts 214 an der Endfläche der positiven Anschlussplatte 211 frei.
  • Wie in 6 und 7 dargestellt, ist es bevorzugt, dass eine positive Anschlussverbindungsschicht 240 zwischen dem ersten Durchgangslochleiter TH11 und der positiven Anschlussplatte 211 vorgesehen ist und der erste Durchgangslochleiter TH11 über die positive Anschlussverbindungsschicht 240 mit der Endfläche der positiven Anschlussplatte 211 verbunden ist. Durch die Bereitstellung der positiven Anschlussverbindungsschicht 240 zwischen dem ersten Durchgangslochleiter TH11 und der positiven Anschlussplatte 211 fungiert die positive Anschlussverbindungsschicht 240 als Sperrschicht für den Kernabschnitt 212 und den porösen Abschnitt 214 der positiven Anschlussplatte 211. Infolgedessen kann die Auflösung der positiven Anschlussplatte 211, die während der chemischen Flüssigkeitsbehandlung zur Bildung des leitfähigen Abschnitts 220 und dergleichen verursacht werden kann, unterdrückt werden. Daher kann das Eindringen der chemischen Flüssigkeit in den Kondensatorabschnitt 210 verhindert werden und die Zuverlässigkeit des Ausgangskondensators C1 wird verbessert.
  • In dem Fall, in dem die positive Anschlussverbindungsschicht 240 zwischen dem ersten Durchgangslochleiter TH11 und der positiven Anschlussplatte 211 vorgesehen ist, umfasst die positive Anschlussverbindungsschicht 240 zum Beispiel eine erste positive Anschlussverbindungsschicht 240A, die Zn als Hauptmaterial verwendet, und eine zweite positive Anschlussverbindungsschicht 240B, die Ni oder Cu als Hauptmaterial verwendet, in der Reihenfolge der positiven Anschlussplatte 211, wie in 6 und 7 dargestellt. Zum Beispiel wird die erste positive Anschlussverbindungsschicht 240A an der Endfläche der positiven Anschlussplatte 211 durch Ersatzabscheidung von Zn durch Zinkatbehandlung gebildet, und dann wird die zweite positive Anschlussverbindungsschicht 240B auf der ersten positiven Anschlussverbindungsschicht 240A durch stromlose Ni-Beschichtung oder stromlose Cu-Beschichtung gebildet. Die erste positive Anschlussverbindungsschicht 240A kann verloren gehen. In diesem Fall kann die positive Anschlussverbindungsschicht 240 nur die zweite positive Anschlussverbindungsschicht 240B enthalten.
  • Insbesondere enthält die positive Anschlussverbindungsschicht 240 bevorzugt eine Schicht mit Ni als Hauptmaterial. Durch die Verwendung von Ni für die positive Anschlussverbindungsschicht 240 kann die Beschädigung von zum Beispiel Al, das die positive Anschlussplatte 211 bildet, verringert und die Sperrleistung verbessert werden.
  • In dem Fall, in dem die positive Anschlussverbindungsschicht 240 zwischen dem ersten Durchgangslochleiter TH11 und der positiven Anschlussplatte 211 vorgesehen ist, ist die Länge der positiven Anschlussverbindungsschicht 240 in einer Richtung, in der sich der erste Durchgangslochleiter TH11 erstreckt, bevorzugt größer als die Länge der positiven Anschlussplatte 211 in der Richtung, in der sich der erste Durchgangslochleiter TH11 in einer Querschnittsansicht in einer Richtung orthogonal zur Dickenrichtung erstreckt, wie in 6 dargestellt. In diesem Fall sind der Kernabschnitt 212 und der poröse Abschnitt 214, der an der Endfläche der positiven Anschlussplatte 211 freiliegt, vollständig mit der positiven Anschlussverbindungsschicht 240 bedeckt. Somit kann die oben beschriebene Auflösung der positiven Anschlussplatte 211 weiter unterdrückt werden.
  • In einer Draufsicht in Dickenrichtung, wie in 7 dargestellt, ist der erste Durchgangslochleiter TH11 bevorzugt über den gesamten Umfang des ersten Durchgangslochs h11 mit der Endfläche der positiven Anschlussplatte 211 verbunden. In diesem Fall vergrößert sich die Kontaktfläche zwischen dem ersten Durchgangslochleiter TH11 und der positiven Anschlussplatte 211, wodurch der Verbindungswiderstand mit dem ersten Durchgangslochleiter TH11 verringert wird. So kann der ESR des Ausgangskondensators C1 verringert werden. Außerdem erhöht sich der enge Kontakt zwischen dem ersten Durchgangslochleiter TH11 und der positiven Anschlussplatte 211, wodurch Probleme wie das Ablösen an den Verbindungsflächen aufgrund von thermischer Belastung verringert werden.
  • Das erste Durchgangsloch h11 ist bevorzugt mit einem harzhaltigen Material gefüllt. Das heißt, wie in 6 und 7 dargestellt, ist in dem ersten Durchgangsloch h11 bevorzugt ein erster harzhaltiger Füllabschnitt 242A vorgesehen. Durch das Füllen des ersten Durchgangslochs h11 mit dem Harzmaterial wird ein Spalt beseitigt. Auf diese Weise ist es möglich, das Auftreten von Delamination des ersten Durchgangslochleiters TH11, der an der Innenwandfläche des ersten Durchgangslochs h11 ausgebildet ist, zu verringern.
  • Das Material, das das erste Durchgangsloch h11 füllt, hat bevorzugt einen größeren Wärmeausdehnungskoeffizienten als das Material für den ersten Durchgangslochleiter TH11 (zum Beispiel Kupfer). In diesem Fall wird das Material, das das erste Durchgangsloch h11 füllt, unter einer Hochtemperaturumgebung gedehnt, um den ersten Durchgangslochleiter TH11 vom inneren Seitenabschnitt zum äußeren Seitenabschnitt des ersten Durchgangslochs h11 zu drücken. Auf diese Weise kann das Auftreten einer Delaminierung des ersten Durchgangslochleiters TH11 weiter verringert werden.
  • Der Wärmeausdehnungskoeffizient des Materials, welches das erste Durchgangsloch h11 füllt, kann gleich dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des Materials für den ersten Durchgangslochleiter TH11 sein oder kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient des Materials für den ersten Durchgangslochleiter TH11 sein.
  • In der Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die in zumindest einem Kanal angeordnete Induktivität elektrisch mit dem Durchgangslochleiter verbunden sein, der mit dem positiven Anschluss des Kondensators, wie dem Ausgangskondensator, verbunden ist. In diesem Fall sind die Induktivitäten, die in allen Kanälen angeordnet sind, bevorzugt elektrisch mit dem Durchgangslochleiter verbunden, der mit dem positiven Anschluss des Kondensators verbunden ist.
  • In der Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist zumindest ein Durchgangslochleiter aus den Durchgangslochleitern, die sich durch die Kondensatoranordnung erstrecken, mit einem negativen Anschluss des Kondensators, wie dem Ausgangskondensator, verbunden.
  • 8 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel des Durchgangslochleiters, der mit dem negativen Anschluss des Kondensators verbunden ist, und den Umfang des Durchgangslochleiters zeigt. 9 ist eine projizierte Querschnittsansicht entlang der Linie IX-IX in 8. In 8 und 9 wird ein zweiter Durchgangslochleiter TH12 beschrieben, der mit einem negativen Anschluss des Ausgangskondensators C1 verbunden ist.
  • Der in 8 dargestellte Ausgangskondensator C1 umfasst den Kondensatorabschnitt 210, leitfähige Abschnitte 222, die elektrisch mit dem zweiten Durchgangslochleiter TH12 verbunden sind, und die Isolierabschnitte 230, die auf die Oberflächen des Kondensatorabschnitts 210 laminiert sind. Die leitfähigen Abschnitte 222 sind auf den Oberflächen des zweiten Durchgangslochleiters TH12 ausgebildet und können als Verbindungsanschlüsse dienen. Wie in 8 dargestellt, umfasst jeder Isolierabschnitt 230 bevorzugt den ersten Isolierabschnitt 230A, der auf die Oberfläche des Kondensatorabschnitts 210 laminiert ist, und den zweiten Isolierabschnitt 230B, der auf die Oberfläche des ersten Isolierabschnitts 230A laminiert ist.
  • Wie in 6 beschrieben, umfasst der Kondensatorabschnitt 210 die positive Anschlussplatte 211 aus einem Metall. Zum Beispiel umfasst die positive Anschlussplatte 211 den Kernabschnitt 212, der aus dem Metall mit Ventilwirkung gebildet ist. Die positive Anschlussplatte 211 umfasst bevorzugt den porösen Abschnitt 214, der auf zumindest einer Hauptfläche des Kernabschnitts 212 vorgesehen ist. Die dielektrische Schicht (nicht dargestellt) ist auf der Oberfläche des porösen Abschnitts 214 vorgesehen, und die negative Anschlussschicht 216 ist auf der Oberfläche der dielektrischen Schicht vorgesehen. Dementsprechend dient der Kondensatorabschnitt 210 in dieser Ausführungsform als der Elektrolytkondensator.
  • Der zweite Durchgangslochleiter TH12 ist durch den Kondensatorabschnitt 210 in der Dickenrichtung des Ausgangskondensators C1 ausgebildet. Insbesondere ist der zweite Durchgangslochleiter TH12 an zumindest der Innenwandfläche eines zweiten Durchgangslochs h12 ausgebildet, das sich durch den Kondensatorabschnitt 210 in Dickenrichtung erstreckt.
  • Wie in 8 dargestellt, ist der zweite Durchgangslochleiter TH12 über den leitfähigen Abschnitt 222 und einen VIA-Leiter 224 elektrisch mit der negativen Anschlussschicht 216 verbunden.
  • In dem Fall, in dem der Isolierabschnitt 230 den ersten Isolierabschnitt 230A und den zweiten Isolierabschnitt 230B umfasst, erstreckt sich der zweite Isolierabschnitt 230B bevorzugt zwischen dem zweiten Durchgangslochleiter TH12 und der positiven Anschlussplatte 211, wie in 8 und 9 dargestellt. Mit dem zweiten Isolierabschnitt 230B, der sich zwischen dem zweiten Durchgangslochleiter TH12 und der positiven Anschlussplatte 211 befindet, kann die Isolierung zwischen dem zweiten Durchgangslochleiter TH12 und dem Kernabschnitt 212 der positiven Anschlussplatte 211 gesichert werden.
  • Der Kernabschnitt 212 und der poröse Abschnitt 214 liegen an der Endfläche der positiven Anschlussplatte 211 in Kontakt mit dem zweiten Isolierabschnitt 230B frei. Durch Füllen des porösen Abschnitts 214 mit einem isolierenden Material wird ein vierter isolierender Abschnitt 230D um den zweiten Durchgangslochleiter TH12 herum bereitgestellt, wie in 8 und 9 dargestellt.
  • In dem Fall, in dem sich der zweite Isolierabschnitt 230B zwischen dem zweiten Durchgangslochleiter TH12 und der positiven Anschlussplatte 211 erstreckt, liegen der Kernabschnitt 212 und der poröse Abschnitt 214 bevorzugt an der Endfläche der positiven Anschlussplatte 211 in Kontakt mit dem zweiten Isolierabschnitt 230B frei, wie in 8 dargestellt. In diesem Fall vergrößert sich die Kontaktfläche zwischen dem zweiten Isolierabschnitt 230B und dem porösen Abschnitt 214, wodurch der enge Kontakt erhöht und Probleme wie Ablösung verringert werden.
  • In dem Fall, in dem der Kernabschnitt 212 und der poröse Abschnitt 214 an der Endfläche der positiven Anschlussplatte 211 in Kontakt mit dem zweiten Isolierabschnitt 230B freiliegen, befindet sich das Isoliermaterial bevorzugt in dem hohlen Teil des porösen Abschnitts 214. Das heißt, der vierte Isolierabschnitt 230D ist bevorzugt um den zweiten Durchgangslochleiter TH12 herum vorgesehen, wie in 8 und 9 dargestellt. Durch Füllen des porösen Abschnitts 214 an einem vorbestimmten Teil um den zweiten Durchgangslochleiter TH12 mit dem Isoliermaterial kann die Isolierung zwischen dem zweiten Durchgangslochleiter TH12 und dem Kernabschnitt 212 der positiven Anschlussplatte 211 sichergestellt und der Kurzschluss verhindert werden.
  • Um die oben beschriebenen Vorteile zu erhöhen, ist die Dicke des vierten Isolierabschnitts 230D bevorzugt größer als die Dicke des porösen Abschnitts 214, wie in 8 dargestellt.
  • In dem Fall, in dem der Kernabschnitt 212 und der poröse Abschnitt 214 an der Endfläche der positiven Anschlussplatte 211 in Kontakt mit dem zweiten Isolierabschnitt 230B freiliegen, muss das isolierende Material nicht in dem hohlen Teil des porösen Abschnitts 214 vorhanden sein. In diesem Fall liegt der hohle Teil des porösen Abschnitts 214 an der Endfläche der positiven Anschlussplatte 211 frei.
  • In dem Fall, bei dem sich der zweite Isolierabschnitt 230B zwischen dem zweiten Durchgangslochleiter TH12 und der positiven Anschlussplatte 211 erstreckt, befindet sich das Isoliermaterial für den zweiten Isolierabschnitt 230B bevorzugt in dem hohlen Teil des porösen Abschnitts 214. Dadurch kann die mechanische Festigkeit des porösen Abschnitts 214 verbessert werden. Ferner kann das Auftreten von Delaminationen, die durch den Spalt in dem porösen Abschnitt 214 verursacht werden können, verringert werden.
  • Das Isoliermaterial für den zweiten Isolierabschnitt 230B hat bevorzugt einen größeren Wärmeausdehnungskoeffizienten als das Material für den zweiten Durchgangslochleiter TH12 (zum Beispiel Kupfer). In diesem Fall wird das Isoliermaterial für den zweiten Isolierabschnitt 230B unter einer Hochtemperaturumgebung ausgedehnt, um den porösen Abschnitt 214 und den zweiten Durchgangslochleiter TH12 zu drücken. Dadurch kann das Auftreten von Delaminationen weiter verringert werden.
  • Der Wärmeausdehnungskoeffizient des Isoliermaterials für den zweiten Isolierabschnitt 230B kann gleich dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des Materials für den zweiten Durchgangslochleiter TH12 sein, oder er kann kleiner sein als der Wärmeausdehnungskoeffizient des Materials für den zweiten Durchgangslochleiter TH12.
  • Das zweite Durchgangsloch h12 ist bevorzugt mit einem harzhaltigen Material gefüllt. Das heißt, wie in 8 und 9 dargestellt, ist in dem zweiten Durchgangsloch h12 bevorzugt ein zweiter harzhaltiger Füllabschnitt 242B vorgesehen. Durch das Füllen des zweiten Durchgangslochs h12 mit dem Harzmaterial wird ein Spalt beseitigt. Auf diese Weise ist es möglich, das Auftreten von Delamination des zweiten Durchgangslochleiters TH12, der an der Innenwandfläche des zweiten Durchgangslochs h12 ausgebildet ist, zu verringern.
  • Das Material, welches das zweite Durchgangsloch h12 füllt, hat bevorzugt einen größeren Wärmeausdehnungskoeffizienten als das Material für den zweiten Durchgangslochleiter TH12 (zum Beispiel Kupfer). In diesem Fall wird das Material, welches das zweite Durchgangsloch h12 füllt, unter einer Hochtemperaturumgebung gedehnt, um den zweiten Durchgangslochleiter TH12 vom inneren Seitenabschnitt zum äußeren Seitenabschnitt des zweiten Durchgangslochs h12 zu drücken. Auf diese Weise kann das Auftreten von Delamination des zweiten Durchgangslochleiters TH12 weiter verringert werden.
  • Der Wärmeausdehnungskoeffizient des Materials, das das zweite Durchgangsloch h12 ausfüllt, kann gleich dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des Materials für den zweiten Durchgangslochleiter TH12 sein oder kleiner als der Wärmeausdehnungskoeffizient des Materials für den zweiten Durchgangslochleiter TH12 sein.
  • Die Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann einen dritten Durchgangslochleiter aufweisen, der nicht mit dem positiven Anschluss oder dem negativen Anschluss des Kondensators, wie dem Ausgangskondensator, verbunden ist. Zum Beispiel ist eine Leitung, die mit der Masse verbunden ist, in ähnlicher Weise mit der Oberseite und der Unterseite der Leiterplatte über den Durchgangslochleiter zusätzlich zu dem ersten Durchgangslochleiter, der mit dem positiven Anschluss des Kondensators verbunden ist, und dem zweiten Durchgangslochleiter, der mit dem negativen Anschluss des Kondensators verbunden ist, verbunden. Auf diese Weise kann der Freiheitsgrad in Bezug auf die Gestaltung der Halbleiterverbundvorrichtung verbessert und die Halbleiterverbundvorrichtung weiter verkleinert werden.
  • Wie oben beschrieben werden die Durchgangslochleiter in A. den Durchgangslochleiter für einen positiven Anschluss eines Kondensators, B. den Durchgangslochleiter für einen negativen Anschluss eines Kondensators und für eine Masse und C. den Durchgangslochleiter für eine E/A-Leitung unterteilt. Der erste Durchgangslochleiter entspricht A. dem Durchgangslochleiter für einen positiven Anschluss eines Kondensators. Der zweite Durchgangslochleiter entspricht B. dem Durchgangslochleiter für einen negativen Anschluss eines Kondensators und für eine Masse. Der dritte Durchgangslochleiter entspricht C. dem Durchgangslochleiter für eine E/A-Leitung.
  • Unter A. den Durchgangslochleitern für einen positiven Anschluss eines Kondensators kann ein Durchgangslochleiter, der direkt mit der Endfläche der positiven Anschlussplatte verbunden ist, zum Beispiel durch das folgende Verfahren gebildet werden.
    1. 1. Ein Durchgangsloch 1 wird durch Bohren, Laserbearbeitung oder ähnliches an einem Teil gebildet, an dem der Durchgangslochleiter gebildet werden soll.
    2. 2. Der Durchgangslochleiter wird durch Metallisierung der Innenwandfläche des Durchgangslochs 1 durch Beschichtung oder ähnliches gebildet.
  • B. Der Durchgangslochleiter für einen negativen Anschluss eines Kondensators und für eine Masse und C. der Durchgangslochleiter für eine E/A-Leitung können zum Beispiel nach dem folgenden Verfahren gebildet werden.
    1. 1. Ein Durchgangsloch 1 wird durch Bohren, Laserbearbeitung oder ähnliches an einem Teil gebildet, an dem der Durchgangslochleiter gebildet werden soll.
    2. 2. Das Durchgangsloch 1 wird mit einem Harz gefüllt.
    3. 3. Ein Durchgangsloch 2 wird durch Bohren, Laserbearbeitung oder ähnliches in das Harz, das das Durchgangsloch 1 ausfüllt, eingebracht. Zu diesem Zeitpunkt wird das Harz zwischen dem Durchgangsloch 1 und dem Durchgangsloch 2 belassen, indem der Durchmesser des Durchgangslochs 2 kleiner als der Durchmesser des Harzes eingestellt wird.
    4. 4. Der Durchgangslochleiter wird durch Metallisieren der Innenwandfläche des Durchgangslochs 2 durch Beschichtung oder dergleichen gebildet.
  • (Zweite Ausführungsform)
  • Eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dadurch, dass die Induktivitäten elektrisch mit den Durchgangslochleitern verbunden sind, die sich durch die Kondensatoranordnung erstrecken, und die Induktivitäten derart angeordnet sind, dass sie die Kondensatoranordnung überlappen. In der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die Anordnung der Schaltelemente identisch mit oder verschieden von der in der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sein.
  • 10 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für eine Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 11 ist eine Draufsicht auf die in 10 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung, die von einer Montagefläche einer Leiterplatte betrachtet wird. 12 ist eine Draufsicht auf die in 10 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung, die von der anderen Montagefläche der Leiterplatte betrachtet wird. 10 zeigt ein Beispiel mit zwei Kanälen, jedoch kann die Anzahl der Kanäle auch drei oder mehr betragen.
  • Eine in 10, 11 und 12 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 2 umfasst, ähnlich wie die in 2 und 3 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 1, die aktiven Elemente 10 und die passiven Elemente 20, die den Spannungsregler bilden, den Verbraucher 30, der mit der durch den Spannungsregler geregelten Gleichspannung versorgt werden soll, und die Leiterplatte 40, die elektrisch mit den aktiven Elementen 10, den passiven Elementen 20 und dem Verbraucher 30 verbunden ist.
  • In der in 10, 11 und 12 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 2 sind die im ersten Kanal CH1 angeordnete Induktivität L1 und die im zweiten Kanal CH2 angeordneten Induktivitäten L2, L3 und L4 mit den sich durch die Kondensatoranordnung 50 erstreckenden Durchgangslochleitern TH1 elektrisch verbunden.
  • Die Induktivitäten L1, L2, L3 und L4, die elektrisch mit den Durchgangslochleitern TH1 verbunden sind, sind von der Kondensatoranordnung 50 betrachtet gegenüber des Verbrauchers 30 angeordnet, und zumindest Teile der Induktivitäten L1, L2, L3 und L4 sind derart positioniert, dass sie die Kondensatoranordnung 50 von der Montagefläche der Leiterplatte 40 betrachtet überlappen. In dem in 10, 11 und 12 dargestellten Beispiel sind die Induktivitäten L1, L2, L3 und L4 auf der anderen Montagefläche der Leiterplatte 40 angeordnet.
  • Die Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist das Merkmal auf, dass die in zumindest einem Kanal angeordnete Induktivität elektrisch mit dem sich durch die Kondensatoranordnung erstreckenden Durchgangslochleiter verbunden ist und zumindest ein Teil der elektrisch mit dem Durchgangslochleiter verbundenen Induktivität derart positioniert ist, dass sie die Kondensatoranordnung von der Montagefläche der Leiterplatte betrachtet überlappt. Die Induktivität ist, von der Kondensatoranordnung betrachtet, bevorzugt gegenüber des Verbrauchers angeordnet, kann aber auch zwischen der Kondensatoranordnung und dem Verbraucher angeordnet sein.
  • In der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Induktivität nicht in der gleichen Ebene wie jener des Kondensators angeordnet, weil die Halbleiterverbundvorrichtung die oben beschriebene Eigenschaft aufweist. Dadurch kann der Verbindungsabstand zwischen der Induktivität und dem Kondensator verkürzt werden. Infolgedessen kann der Verlust durch die Verdrahtung verringert werden.
  • Bei der Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind die in allen Kanälen angeordneten Induktivitäten bevorzugt elektrisch mit den sich durch die Kondensatoranordnung erstreckenden Durchgangslochleitern verbunden.
  • In der Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist der Durchgangslochleiter, der mit der Induktivität verbunden ist, bevorzugt mit dem positiven Anschluss des Kondensators wie dem Ausgangskondensator verbunden. In diesem Fall wird der Durchgangslochleiter, der mit dem positiven Anschluss des Kondensators verbunden ist, bevorzugt mit der Endfläche des positiven Anschlussplatte verbunden, welche in der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben wird.
  • (Dritte Ausführungsform)
  • Eine dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unterscheidet sich von der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dadurch, dass die Durchgangslochleiter, die mit den Induktivitäten verbunden sind, die in den jeweiligen Stromversorgungskreise angeordnet sind, die die mehrphasige Stromversorgung bilden, mit dem positiven Anschluss des Kondensators, wie dem Ausgangskondensator, verbunden sind, und dass die Vielzahl von Durchgangslochleitern, die mit den jeweiligen Induktivitäten verbunden sind, elektrisch über den positiven Anschluss des Kondensators verbunden sind.
  • 13 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel einer Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 14 ist eine Draufsicht auf die in 13 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung, die von einer Montagefläche einer Leiterplatte betrachtet wird. 15 ist eine Draufsicht auf die in 13 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung, die von der anderen Montagefläche der Leiterplatte betrachtet wird. 13 zeigt ein Beispiel mit zwei Kanälen, aber die Anzahl der Kanäle kann auch drei oder mehr betragen.
  • Eine in 13, 14 und 15 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 3 umfasst, ähnlich wie die in 2 und 3 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 1, die aktiven Elemente 10 und die passiven Elemente 20, die den Spannungsregler bilden, den Verbraucher 30, der mit der durch den Spannungsregler geregelten Gleichspannung versorgt werden soll, und die Leiterplatte 40, die elektrisch mit den aktiven Elementen 10, den passiven Elementen 20 und dem Verbraucher 30 verbunden ist.
  • Bei der in 13, 14 und 15 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 3 sind die im ersten Kanal CH1 angeordnete Induktivität L1 und die im zweiten Kanal CH2 angeordneten Induktivitäten L2, L3 und L4 mit den Durchgangslochleitern TH1 elektrisch verbunden, die sich durch die Kondensatoranordnung 50 erstrecken.
  • Die Induktivitäten L1, L2, L3 und L4, die mit den Durchgangslochleitern TH1 elektrisch verbunden sind, sind von der Kondensatoranordnung 50 betrachtet gegenüber des Verbrauchers 30 angeordnet, und zumindest Teile der Induktivitäten L1, L2, L3 und L4 sind derart positioniert, dass sie von der Montagefläche der Leiterplatte 40 betrachtet die Kondensatoranordnung 50 überlappen. In dem in 13, 14 und 15 dargestellten Beispiel sind die Induktivitäten L1, L2, L3 und L4 auf der anderen Montagefläche der Leiterplatte 40 angeordnet.
  • In dem zweiten Kanal CH2, der die mehrphasige Stromversorgung bildet, sind der Durchgangslochleiter TH1, der mit der in der Stromversorgungsschaltung angeordneten Induktivität L2 verbunden ist, der Durchgangslochleiter TH2, der mit der in der Stromversorgungsschaltung angeordneten Induktivität L3 verbunden ist, und der Durchgangslochleiter TH1, der mit der in der Stromversorgungsschaltung angeordneten Induktivität L4 verbunden ist, mit einem positiven Anschluss des Ausgangskondensators C2 verbunden. Ferner sind die Vielzahl von Durchgangslochleitern TH1, die mit den jeweiligen Induktivitäten L2, L3 und L4 verbunden sind, über den positiven Anschluss des Ausgangskondensators C2 elektrisch verbunden.
  • Die Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass in den Kanälen, die die mehrphasige Stromversorgung bilden, die Durchgangslochleiter, die mit den in den jeweiligen Stromversorgungskreise angeordneten Induktivitäten verbunden sind, mit dem positiven Anschluss des Kondensators wie dem Ausgangskondensator verbunden sind, und die Vielzahl von Durchgangslochleitern, die mit den jeweiligen Induktivitäten verbunden sind, elektrisch über den positiven Anschluss des Kondensators verbunden sind.
  • Sind die Anschlussabstände von den einzelnen Schaltelementen zum Verbraucher in den Kanälen der mehrphasigen Stromversorgung unterschiedlich, so ändert sich die Induktivität aus der Verdrahtung und damit wird die Phasenauslegung schwierig. In der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden die Vielzahl von Induktivitäten nicht durch Verlegung der Verdrahtung verbunden, sondern über den positiven Anschluss des Kondensators. Dadurch kann die Verlegung der Verdrahtung auf ein Minimum verringert werden. Infolgedessen kann der Verdrahtungsverlust weiter verringert und die Phasenverschiebung verhindert werden.
  • In der Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist der mit dem positiven Anschluss des Kondensators wie dem Ausgangskondensator verbundene Durchgangslochleiter bevorzugt mit der Endfläche der in der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschriebenen positiven Anschlussplatte verbunden.
  • In der zweiten und dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die elektrisch mit dem Durchgangslochleiter verbundene Induktivität bevorzugt von der Kondensatoranordnung betrachtet gegenüber des Verbrauchers angeordnet, kann aber auch zwischen der Kondensatoranordnung und dem Verbraucher angeordnet sein.
  • 16 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein weiteres Beispiel einer Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Bei einer in 16 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 2A ist die Induktivität L1 auf der einen Montagefläche der Leiterplatte 40 zwischen der Kondensatoranordnung 50 und dem Verbraucher 30 angeordnet. Die Induktivitäten L2, L3 und L4 sind von der Kondensatoranordnung 50 betrachtet auf der anderen Montagefläche der Leiterplatte 40 gegenüber dem Verbraucher 30 angeordnet.
  • Die Induktivität L1 kann auf der anderen Montagefläche der Leiterplatte 40 angeordnet sein, die dem Verbraucher 30 von der Kondensatoranordnung 50 betrachtet gegenüberliegt, und die Induktivitäten L2, L3 und L4 können auf der einen Montagefläche der Leiterplatte 40 zwischen der Kondensatoranordnung 50 und dem Verbraucher 30 angeordnet sein. Alternativ können die Induktivitäten L1, L2, L3 und L4 auf der einen Montagefläche der Leiterplatte 40 zwischen der Kondensatoranordnung 50 und dem Verbraucher 30 angeordnet sein.
  • In der zweiten und dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die Induktivität, wenn sie elektrisch mit dem Durchgangslochleiter verbunden ist und von der Kondensatoranordnung betrachtet gegenüber des Verbrauchers angeordnet ist, auf der Montagefläche der Leiterplatte angeordnet oder in die Leiterplatte eingebettet sein.
  • 17 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein weiteres Beispiel für eine Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Bei einer in 17 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 2B sind die Induktivitäten L1, L2, L3 und L4 von der Kondensatoranordnung 50 betrachtet gegenüber des Verbrauchers 30 angeordnet. Die Induktivitäten L1 und L2 sind in die Leiterplatte 40 eingebettet. Die Induktivitäten L2 und L4 sind auf der anderen Montagefläche der Leiterplatte 40 angeordnet.
  • In der zweiten und dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird in dem Kanal, in dem die Induktivität elektrisch mit dem Durchgangslochleiter verbunden ist, bevorzugt zumindest ein Teil des Schaltelements derart positioniert, dass es von der Montagefläche der Leiterplatte betrachtet die Kondensatoranordnung überlappt. In diesem Fall kann der Verbindungsabstand zwischen dem Schaltelement und dem Verbraucher weiter verkürzt werden. Das Schaltelement ist von der Kondensatoranordnung betrachtet bevorzugt gegenüber des Verbrauchers angeordnet, kann aber auch zwischen der Kondensatoranordnung und dem Verbraucher angeordnet sein.
  • [Verfahren zur Herstellung von Halbleiterverbundvorrichtungen]
  • Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterverbundvorrichtung mit einer in eine Leiterplatte eingebetteten Kondensatoranordnung wird im Folgenden als ein Beispiel für das Verfahren zur Herstellung der Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben. Ein solches Verfahren zur Herstellung der Halbleiterverbundvorrichtung ist auch ein Element der vorliegenden Erfindung.
  • Das Verfahren zur Herstellung der Halbleiterverbundvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst einen Schritt des Ausbildens eines Hohlraums in einer Leiterplatte, einen Schritt des Anordnens einer Kondensatoranordnung in dem Hohlraum, einen Schritt des elektrischen Verbindens der Leiterplatte und der Kondensatoranordnung und einen Schritt des Einbettens der Kondensatoranordnung in die Leiterplatte durch Abdichten des Hohlraums.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen Halbleiterverbundvorrichtung ist die Reihenfolge der oben beschriebenen Schritte nicht konkret eingeschränkt.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Halbleiterverbundvorrichtung ist das Verfahren zum elektrischen Verbinden der in dem Hohlraum angeordneten Kondensatoranordnung mit der Leiterplatte nicht konkret eingeschränkt. Beispiele für das Verfahren sind die Durchkontaktierung, die Bump-Verbindung, die galvanische Verbindung und die Verbindung über eine leifähige Paste eines anisotropen leifähigen Films oder ähnliches.
  • Was die Tiefe des in der Leiterplatte gebildeten Hohlraums bei dem Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Halbleiterverbundvorrichtung betrifft, so kann der Hohlraum durch die Leiterplatte hindurch oder derart gebildet werden, dass er sich nicht durch die Leiterplatte hindurch erstreckt.
  • Ein Beispiel, bei dem der Hohlraum durch die Leiterplatte hindurch gebildet wird, wird als erstes Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen Halbleiterverbundvorrichtung beschrieben.
  • 18A und 18B sind Querschnittsansichten, die schematisch ein Beispiel für den Schritt der Bildung des Hohlraums in der Leiterplatte zeigen.
  • Wie in 18A dargestellt, wird eine Leiterplatte 400 mit Verdrahtungsschichten 420 auf beiden Oberflächen einer Kernschicht 410 vorbereitet. Dann wird ein Hohlraum 430 durch die Leiterplatte 400 gebildet, wie in 18B dargestellt.
  • 19 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für das Aufbringen eines Bandes auf die Leiterplatte zeigt.
  • Wie in 19 dargestellt, wird ein Klebeband 440 auf eine Oberfläche der Leiterplatte 400 aufgebracht.
  • 20 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für den Schritt des Anordnens der Kondensatoranordnung im Hohlraum zeigt.
  • Wie in 20 dargestellt, wird eine Kondensatoranordnung 500 in dem Hohlraum 430 angeordnet, indem die Kondensatoranordnung 500 auf dem Band 440 befestigt wird.
  • Die Kondensatoranordnung 500 umfasst eine Vielzahl von Durchgangslochleitern TH1 und TH2, die sich durch die Kondensatoranordnung 500 in einer Richtung senkrecht zur Montagefläche der Leiterplatte 400 erstrecken. Ein erster Verbindungsanschluss 610 ist an einem Endabschnitt des Durchgangslochleiters TH1 oder TH2 ausgebildet. Eine zweite Verbindungsanschluss 620 ist am anderen Endabschnitt des Durchgangslochleiters TH1 oder TH2 ausgebildet. In dem in 20 dargestellten Beispiel ist ein Teil der Kondensatoranordnung 500 auf der Seite des zweiten Verbindungsanschlusses 620 an dem Band 440 befestigt.
  • 21 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt der Durchführung einer Harzversiegelung von einer Verbindungsanschlussseite der Kondensatoranordnung zeigt.
  • Wie in 21 dargestellt, wird eine Isolierschicht 450 gebildet, indem die Harzversiegelung von der einen Verbindungsanschlussseite der Kondensatoranordnung 500 unter Verwendung eines isolierenden Laminatmaterials durchgeführt wird. In dem in 21 gezeigten Beispiel wird die Harzversiegelung von der Seite des ersten Verbindungsanschlusses 610 aus durchgeführt, auf der das Band 440 nicht angebracht ist.
  • 22 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt des Abziehens des Bandes von der Leiterplatte zeigt.
  • Wie in 22 dargestellt, wird das Band 440 von der Leiterplatte 400 abgezogen.
  • 23 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt der Durchführung einer Harzversiegelung von der anderen Verbindungsanschlussseite der Kondensatoranordnung aus zeigt.
  • Wie in 23 dargestellt, wird die Isolierschicht 450 durch die Durchführung der Harzversiegelung von der anderen Verbindungsanschlussseite der Kondensatoranordnung 500 unter Verwendung des isolierenden Laminatmaterials gebildet. In dem in 23 dargestellten Beispiel wird die Harzversiegelung von der Seite des zweiten Anschlusses 620 aus durchgeführt, von der das Band 440 abgezogen wurde. Somit ist die Kondensatoranordnung 500 in die Leiterplatte 400 eingebettet.
  • 24 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt der Herstellung von Durchgangslöchern zeigt.
  • Wie in 24 dargestellt, sind in der Isolierschicht 450 VIA-Löcher 460 ausgebildet, um die ersten Verbindungsanschlüsse 610 und die zweiten Verbindungsanschlüsse 620 freizulegen.
  • 25 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt zur Durchführung einer Beschichtung zeigt.
  • Wie in 25 dargestellt, werden erste Leiterabschnitte 470 und zweite Leiterabschnitte 480 in den VIA-löchern 460 durch Plattieren gebildet. Der erste Leiterabschnitt 470 und der zweite Leiterabschnitt 480 sind auch auf den Oberflächen der Isolierschichten 450 ausgebildet. Die ersten Leiterabschnitte 470 sind mit den ersten Verbindungsanschlüsse 610 verbunden. Die zweiten Leiterabschnitte 480 sind mit den zweiten Verbindungsanschlüsse 620 verbunden. Somit sind die Leiterplatte 400 und die Kondensatoranordnung 500 elektrisch verbunden.
  • Dann werden Komponenten wie aktive Elemente einschließlich Schaltelementen und ein Verbraucher einschließlich eines Halbleiterelements angeordnet. Zu diesem Zeitpunkt ist zumindest ein Teil der Kondensatoranordnung derart angeordnet, dass sie den Verbraucher von der Montagefläche der Leiterplatte betrachtet überlappt. Auf die oben beschriebene Weise wird die Halbleiterverbundvorrichtung erhalten.
  • Ein Beispiel, bei dem der Hohlraum derart ausgebildet ist, dass er sich nicht durch die Leiterplatte hindurch erstreckt, wird als zweites Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Halbleiterverbundvorrichtung beschrieben.
  • 26A und 26B sind Querschnittsansichten, die schematisch ein Beispiel für den Schritt der Bildung des Hohlraums in der Leiterplatte zeigen.
  • Wie in 26A dargestellt, wird die Leiterplatte 400 mit den Verdrahtungsschichten 420 auf beiden Oberflächen der Kernschicht 410 vorbereitet. Dann wird ein Hohlraum 430A derart ausgebildet, dass er sich nicht durch die Leiterplatte 400 erstreckt, wie in 26B dargestellt.
  • 27 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt der Herstellung von Durchgangslöchern zeigt.
  • Wie in 27 dargestellt, sind in der Kernschicht 410 und der Verdrahtungsschicht 420 Durchgangslöcher 490 ausgebildet, wo der Hohlraum 430A nicht ausgebildet ist. In dem in 27 dargestellten Beispiel sind die Durchgangslöcher 490 an Stellen ausgebildet, an denen die zweiten Leiterabschnitte 480 (siehe 28), die mit den zweiten Verbindungsanschlüsse 620 (siehe 29) der Kondensatoranordnung 500 verbunden sind, ausgebildet werden sollen.
  • 28 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt zur Durchführung von Strukturierung und Beschichtung zeigt.
  • Wie in 28 dargestellt, werden die zweiten Leiterabschnitte 480 in den Durchgangslöchern 490 durch Strukturierung und Beschichtung gebildet.
  • 29 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für den Schritt des Anordnens der Kondensatoranordnung in dem Hohlraum zeigt.
  • Wie in 29 dargestellt, ist die Kondensatoranordnung 500 in dem Hohlraum 430 angeordnet.
  • Die Kondensatoranordnung 500 umfasst eine Vielzahl von Durchgangslochleitern TH1 und TH2, die sich durch die Kondensatoranordnung 500 in der Richtung senkrecht zur Montagefläche der Leiterplatte 400 erstrecken. Der erste Verbindungsanschluss 610 ist an einem Endabschnitt des Durchgangslochleiters TH1 oder TH2 ausgebildet. Der zweite Verbindungsanschluss 620 ist an dem anderen Endabschnitt des Durchgangslochleiters TH1 oder TH2 ausgebildet. In dem in 29 dargestellten Beispiel sind die zweiten Verbindungsanschlüsse 620 der Kondensatoranordnung 500 durch Reflow-Verbindung mit den zweiten Leiterabschnitten 480 verbunden.
  • 30 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt zur Durchführung einer Harzversiegelung zeigt.
  • Wie in 30 dargestellt, wird die Isolierschicht 450 durch die Durchführung der Harzversiegelung von der einen Verbindungsanschlussseite der Kondensatoranordnung 500 unter Verwendung des isolierenden Laminatmaterials gebildet. In dem in 30 gezeigten Beispiel wird die Harzversiegelung von der Seite der ersten Verbindungsanschlusses 610 aus durchgeführt.
  • 31 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt zur Herstellung von Durchgangslöchern zeigt.
  • Wie in 31 dargestellt, sind die VIA-Löcher 460 in der Isolierschicht 450 ausgebildet, um die ersten Verbindungsanschlüsse 610 freizulegen.
  • 32 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für einen Schritt zur Durchführung einer Beschichtung zeigt.
  • Wie in 32 dargestellt, werden die ersten Leiterabschnitte 470 in den VIA-Löchern 460 durch Galvanisieren gebildet. Der erste Leiterabschnitt 470 ist auch auf der Oberfläche der Isolierschicht 450 ausgebildet. Die ersten Leiterabschnitte 470 sind mit den ersten Verbindungsanschlüssen 610 verbunden. Somit sind die Leiterplatte 400 und die Kondensatoranordnung 500 elektrisch verbunden.
  • Dann werden Komponenten wie aktive Elemente einschließlich Schaltelementen und ein Verbraucher einschließlich eines Halbleiterelements angeordnet. Zu diesem Zeitpunkt ist zumindest ein Teil der Kondensatoranordnung derart angeordnet, dass sie den Verbraucher von der Montagefläche der Leiterplatte betrachtet überlappt. Auf die oben beschriebene Weise wird die Halbleiterverbundvorrichtung erhalten.
  • [Andere Ausführungsformen]
  • Die Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung ist nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen beschränkt. Im Rahmen der vorliegenden Erfindung können verschiedene Anwendungen und Modifikationen an der Struktur und den Herstellungsbedingungen der Halbleiterverbundvorrichtung erfolgen.
  • In der erfindungsgemäßen Halbleiterverbundvorrichtung umfassen die passiven Elemente, die den Spannungsregler bilden, zumindest die Kondensatoren und müssen nicht unbedingt die Induktivitäten umfassen.
  • In der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung umfasst die Kondensatoranordnung bevorzugt eine Vielzahl von Kondensatorabschnitten, die durch Unterteilung einer einzelnen Kondensatorplatte aus dem Aluminiumelement erhalten werden. In diesem Fall ist der Freiheitsgrad in Bezug auf die Anordnung der Kondensatorabschnitte verbessert, wodurch größere Vorteile in Bezug auf zum Beispiel die Verkleinerung der Halbleiterverbundvorrichtung erreicht werden.
  • In der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung ist die Kondensatoranordnung bevorzugt in die Leiterplatte eingebettet. Wenn die Kondensatoranordnung in die Leiterplatte eingebettet ist, kann die Montagefläche verringert werden.
  • In der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung kann die Kondensatoranordnung als Zwischenschaltung für den Verbraucher, die Induktivität oder das Schaltelement verwendet werden. Auch in diesem Fall ist zumindest ein Teil der Kondensatoranordnung derart angeordnet, dass sie den Verbraucher von der Montagefläche der Leiterplatte betrachtet überlappt.
  • 33 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein erstes modifiziertes Beispiel der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Eine in 33 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 4A umfasst die aktiven Elemente 10 und die passiven Elemente 20, die den Spannungsregler bilden, den Verbraucher 30, der mit der vom Spannungsregler geregelten Gleichspannung versorgt werden soll, und die Leiterplatte 40, die mit den aktiven Elementen 10, den passiven Elementen 20 und dem Verbraucher 30 elektrisch verbunden ist.
  • Die aktiven Elemente 10, die den Spannungsregler bilden, umfassen ein Schaltelement SW. Das Schaltelement SW ist auf der einen Montagefläche der Leiterplatte 40 angeordnet.
  • Zu den passiven Elementen 20, die den Spannungsregler bilden, gehören die Kondensatoranordnung 50 und eine Induktivität L. Die Kondensatoranordnung 50 und die Induktivität L sind auf der einen Montagefläche der Leiterplatte 40 angeordnet.
  • Der Verbraucher 30 ist mit der Kondensatoranordnung 50 auf der Leiterplatte 40 verbunden. Zumindest ein Teil der Kondensatoranordnung 50 ist derart positioniert, dass sie den Verbraucher 30 von der Montagefläche der Leiterplatte 40 betrachtet überlappt.
  • Die in 33 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 4A hat einen ähnlichen Aufbau wie die in 2 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 1, mit der Ausnahme, dass die Kondensatoranordnung 50 als Zwischenschaltung für die Verbraucher 30 verwendet wird.
  • 34 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein zweites modifiziertes Beispiel der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Eine in 34 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 4B hat eine ähnliche Struktur wie die in 13 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 3, mit dem Unterschied, dass die Kondensatoranordnung 50 als Zwischenschaltung für den Verbraucher 30 verwendet wird.
  • In ähnlicher Weise kann in der in 10 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 2, der in 16 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 2A und der in 17 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 2B die Kondensatoranordnung 50 als Zwischenschaltung für den Verbraucher 30 verwendet werden.
  • 35 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein drittes modifiziertes Beispiel der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Eine in 35 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 4C hat eine ähnliche Struktur wie die in 13 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 3, mit der Ausnahme, dass die Kondensatoranordnung 50 als Zwischenschaltung für die Induktivitäten L verwendet wird.
  • In ähnlicher Weise kann bei der in 10 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 2, der in 16 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 2A und der in 17 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 2B die Kondensatoranordnung 50 als Zwischenschaltung für die Induktivitäten L verwendet werden.
  • Der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung kann eine Vielzahl von Kondensatoranordnungen aufweisen. Zum Beispiel kann in einem Fall, in dem die Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung zwei Kondensatoranordnungen umfasst, eine Kondensatoranordnung allein derart positioniert werden, dass sie den Verbraucher von der Montagefläche der Leiterplatte betrachtet überlappt, oder beide Kondensatoranordnungen können derart positioniert werden, dass sie den Verbraucher überlappen.
  • 36 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein viertes modifiziertes Beispiel der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Eine in 36 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 4D umfasst eine erste Kondensatoranordnung 51 und eine zweite Kondensatoranordnung 52. Die erste Kondensatoranordnung 51 ist auf der einen Montagefläche der Leiterplatte 40 angeordnet. Die zweite Kondensatoranordnung 52 ist in die Leiterplatte 40 eingebettet.
  • Der Verbraucher 30 ist mit der ersten Kondensatoranordnung 51 auf der Leiterplatte 40 verbunden. Zumindest ein Teil der ersten Kondensatoranordnung 51 ist derart positioniert, dass sie den Verbraucher 30 von der Montagefläche der Leiterplatte 40 betrachtet überlappt. Ferner ist zumindest ein Teil der zweiten Kondensatoranordnung 52 derart positioniert, dass sie den Verbraucher 30 von der Montagefläche der Leiterplatte 40 betrachtet überlappt.
  • In der in 36 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 4D werden zum Beispiel sowohl die erste Kondensatoranordnung 51 als auch die zweite Kondensatoranordnung 52 als Ausgangskondensatoren zur Glättung der Ausgangsspannung verwendet.
  • Die in 36 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 4D ist derart aufgebaut, dass die Kondensatoranordnung in die Leiterplatte 40 der in 34 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 4B eingebettet ist. Als weitere Struktur kann die Kondensatoranordnung in die Leiterplatte 40 der in 35 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 4C eingebettet sein. Alternativ kann die Struktur derart beschaffen sein, dass die in 34 gezeigte Halbleiterverbundvorrichtung 4B mit der in 35 gezeigten Halbleiterverbundvorrichtung 4C kombiniert ist, d.h. die als Zwischenschaltung für den Verbraucher 30 verwendete Kondensatoranordnung ist mit der als Zwischenschaltung für die Induktivitäten L verwendeten Kondensatoranordnung kombiniert.
  • Wenn zum Beispiel nur eine Kondensatoranordnung derart positioniert ist, dass sie den Verbraucher in der Halbleiterverbundvorrichtung mit zwei Kondensatoranordnungen überlappt, kann die andere Kondensatoranordnung in der Nähe der Schaltelemente angeordnet werden. In diesem Fall kann die andere Kondensatoranordnung zum Beispiel als Eingangskondensator zum Glätten einer Eingangsspannung verwendet werden.
  • 37 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein fünftes modifiziertes Beispiel der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt. 38 ist ein Schaltungsstrukturdiagramm einer Halbleiterverbundvorrichtung, die den Eingangskondensator aufweist.
  • Eine in 37 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 4E enthält die erste Kondensatoranordnung 51 und die zweite Kondensatoranordnung 52. Sowohl die erste Kondensatoranordnung 51 als auch die zweite Kondensatoranordnung 52 sind in die Leiterplatte 40 eingebettet.
  • Der Verbraucher 30 ist auf der einen Montagefläche der Leiterplatte 40 angeordnet. Zumindest ein Teil der ersten Kondensatoranordnung 51 ist derart positioniert, dass sie den Verbraucher 30 von der Montagefläche der Leiterplatte 40 betrachtet überlappt. Die zweite Kondensatoranordnung 52 ist in der Nähe der Schaltelemente SW angeordnet und ist nicht derart positioniert, dass sie den Verbraucher 30 von der Montagefläche der Leiterplatte 40 betrachtet überlappt.
  • Bei der in 37 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 4E wird die erste Kondensatoranordnung 51 zum Beispiel als Ausgangskondensator zur Glättung der Ausgangsspannung verwendet, und die zweite Kondensatoranordnung 52 wird zum Beispiel als Eingangskondensator zur Glättung der Eingangsspannung verwendet (siehe 38).
  • Die erste Kondensatoranordnung 51 muss nicht in die Leiterplatte 40 eingebettet sein. Ebenso muss die zweite Kondensatoranordnung 52 nicht in die Leiterplatte 40 eingebettet sein.
  • In der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung kann die Ladung das Halbleiterelement und ein Verpackungssubstrat aufweisen, auf dem das Halbleiterelement montiert ist.
  • 39 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein sechstes modifiziertes Beispiel der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • In der in 39 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 4F weist ein Verbraucher 30A ein Halbleiterelement 31 und ein Gehäusesubstrat 32 auf, auf dem das Halbleiterelement 31 montiert ist. Die in 39 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 4F hat eine ähnliche Struktur wie die in 2 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 1, mit der Ausnahme, dass die Struktur des Verbrauchers anders ist.
  • In der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung kann die Kondensatoranordnung in das Gehäusesubstrat eingebettet sein, auf dem das Halbleiterelement montiert ist. Die in das Gehäusesubstrat eingebettete Kondensatoranordnung ist derart angeordnet, dass sie den Verbraucher überlappt. Eine weitere Kondensatoranordnung kann auf der Leiterplatte montiert oder in diese eingebettet sein. In diesem Fall kann die andere Kondensatoranordnung derart positioniert werden, dass sie den Verbraucher als Ausgangskondensator überlappt, oder sie kann in der Nähe der Schaltelemente als Eingangskondensator angeordnet sein.
  • 40 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein siebtes modifiziertes Beispiel der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Eine in 40 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 4G enthält die erste Kondensatoranordnung 51 und die zweite Kondensatoranordnung 52. Der Verbraucher 30A umfasst das Halbleiterelement 31 und das Gehäusesubstrat 32, auf dem das Halbleiterelement 31 montiert ist. Die erste Kondensatoranordnung 51 ist in das Gehäusesubstrat 32 eingebettet. Die zweite Kondensatoranordnung 52 ist in die Leiterplatte 40 eingebettet.
  • Zumindest ein Teil der ersten Kondensatoranordnung 51 ist derart positioniert, dass sie den Verbraucher 30A von der Montagefläche der Leiterplatte 40 betrachtet überlappt. Ferner ist zumindest ein Teil der zweiten Kondensatoranordnung 52 derart positioniert, dass sie den Verbraucher 30A von der Montagefläche der Leiterplatte 40 betrachtet überlappt.
  • Bei der in 40 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 4G werden zum Beispiel sowohl die erste Kondensatoranordnung 51 als auch die zweite Kondensatoranordnung 52 als Ausgangskondensatoren zur Glättung der Ausgangsspannung verwendet.
  • 41 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein achtes modifiziertes Beispiel der Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • Eine in 41 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 4H unterscheidet sich von der in 40 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 4G dadurch, dass die zweite Kondensatoranordnung 52 in der Nähe der Schaltelemente SW angeordnet ist.
  • Bei der in 41 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 4H wird die erste Kondensatoranordnung 51 zum Beispiel als Ausgangskondensator zur Glättung der Ausgangsspannung verwendet, und die zweite Kondensatoranordnung 52 wird zum Beispiel als Eingangskondensator zur Glättung der Eingangsspannung verwendet (siehe 38).
  • Die Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung kann eine Stromversorgungsschaltung mit einem Transformator aufweisen.
  • 42 ist ein Beispiel für ein Schaltungsstrukturdiagramm einer Halbleiterverbundvorrichtung mit der Stromversorgungsschaltung einschließlich des Transformators.
  • In dem in 42 dargestellten Beispiel ist in dem zweiten Kanal CH2 eine Stromversorgungsschaltung mit einem Transformator TR vorgesehen.
  • Die Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung kann ein Stromversorgungsmodul aufweisen.
  • 43 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für eine Halbleiterverbundvorrichtung einschließlich des Stromversorgungsmoduls zeigt. 44 ist ein Beispiel für ein Schaltungsstrukturdiagramm der Halbleiterverbundvorrichtung mit dem Stromversorgungsmodul.
  • Eine in 43 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung 5A umfasst ein Stromversorgungsmodul 70 mit aktiven Elementen (nicht dargestellt). In der in 43 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 5A ist der Verbraucher 30 auf der einen Montagefläche der Leiterplatte 40 angeordnet, die Kondensatoranordnung 50 ist in die Leiterplatte 40 eingebettet, und das Stromversorgungsmodul 70 ist auf der anderen Montagefläche der Leiterplatte 40 angeordnet. Wie in 43 dargestellt, ist zumindest ein Teil des Stromversorgungsmoduls 70 bevorzugt derart angeordnet, dass es den Verbraucher 30 und die Kondensatoranordnung 50 von der Montagefläche der Leiterplatte 40 betrachtet überlappt.
  • Wie in 43 und 44 dargestellt, können die Induktivitäten L in dem Stromversorgungsmodul 70 montiert sein. Wie in 44 dargestellt, kann das Stromversorgungsmodul 70 die Schaltelemente SW aufweisen.
  • 45 ist ein weiteres Beispiel für das Schaltungsstrukturdiagramm der Halbleiterverbundvorrichtung mit dem Stromversorgungsmodul.
  • Wie in 45 dargestellt, kann das Stromversorgungsmodul 70 den Transformator TR aufweisen. Das Stromversorgungsmodul 70 muss nicht die Induktivität L und nicht einmal das Schaltelement SW an einer Stufe vor dem Transformator TR (linke Seite in 45) aufweisen. Das Stromversorgungsmodul 70 kann das Schaltelement SW oder die Induktivität L in dem ersten Kanal CH1 aufweisen.
  • 46 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein weiteres Beispiel für eine Halbleiterverbundvorrichtung einschließlich des Stromversorgungsmoduls zeigt.
  • In einer in 46 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 5B ist das Stromversorgungsmodul 70 auf der einen Montagefläche der Leiterplatte 40 an einer Position angeordnet, an der das Stromversorgungsmodul 70 von der Montagefläche der Leiterplatte 40 betrachtet nicht mit dem Verbraucher 30 oder der Kondensatoranordnung 50 überlappt. Die Induktivitäten L können in dem Stromversorgungsmodul 70 montiert sein. Das Stromversorgungsmodul 70 kann die Schaltelemente SW aufweisen. Das Stromversorgungsmodul 70 kann den Transformator TR aufweisen.
  • In dem Fall, in dem die Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung das Stromversorgungsmodul aufweist, kann die Kondensatoranordnung in einem Substrat des Stromversorgungsmoduls enthalten sein.
  • 47 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel für eine Halbleiterverbundvorrichtung mit der Kondensatoranordnung in dem Substrat des Stromversorgungsmoduls zeigt. 48 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein weiteres Beispiel für eine Halbleiterverbundvorrichtung mit der Kondensatoranordnung in dem Substrat des Stromversorgungsmoduls zeigt.
  • Bei der in 47 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 5C ist die Kondensatoranordnung 50 in einem Substrat des Stromversorgungsmoduls 70 enthalten.
  • In einer in 48 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 5D ist die erste Kondensatoranordnung 51 in das Substrat des Stromversorgungsmoduls 70 und die zweite Kondensatoranordnung 52 in die Leiterplatte 40 eingebettet.
  • In dem Halbleiterverbundvorrichtung der vorliegenden Erfindung können die passiven Elemente, die den Spannungsregler bilden, eine Induktivitätsanordnung mit einer Vielzahl von in einer Ebene angeordneten Induktivitäten aufweisen.
  • 49 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch ein Beispiel einer Halbleiterverbundvorrichtung mit der Induktivitätsanordnung zeigt. 50 ist eine Draufsicht auf die in 49 dargestellte Halbleiterverbundvorrichtung von der anderen Montagefläche der Leiterplatte betrachtet. 51 ist ein Beispiel für ein Schaltungsstrukturdiagramm der Halbleiterverbundvorrichtung mit der Induktivitätsanordnung.
  • Bei einer in 49 und 50 dargestellten Halbleiterverbundvorrichtung 6 umfassen die passiven Elemente 20 eine Induktivitätsanordnung 80. Bei dem in 50 und 51 dargestellten Beispiel ist die Induktivitätsanordnung 80 in dem zweiten Kanal CH2 angeordnet. Die Induktivitätsanordnung 80 kann, muss aber nicht in dem Stromversorgungsmodul 70 montiert sein. Die Halbleiterverbundvorrichtung 6 muss das Stromversorgungsmodul 70 nicht aufweisen.
  • Bezugszeichenliste
    • 1, 2, 2A, 2B, 3, 4A, 4B, 4C, 4D, 4E, 4F, 4G, 4H, 5A, 5B,5C, 5D, 6, 100
    Halbleiterverbundvorrichtung
    10
    aktives Element
    20
    passives Element
    30, 30A
    Verbraucher
    31
    Halbleiterelement
    32
    Verpackungssubstrat
    40, 400
    Leiterplatte
    45
    Schaltungsschicht
    50, 500
    Kondensatoranordnung
    51
    erste Kondensatoranordnung
    52
    zweite Kondensatoranordnung
    61, 610
    erster Verbindungsanschluss
    62, 620
    zweiter Verbindungsanschluss
    70
    Stromversorgungsmodul
    80
    Induktivitätsanordnung
    210
    Kondensatorabschnitt
    211
    positive Anschlussplatte
    212
    Kernstück
    214
    poröser Abschnitt
    216
    negative Anschlussschicht
    216A
    Kohlenstoffschicht
    216B
    Kupferschicht
    220, 222
    leitfähiger Abschnitt
    224
    VIA-Leiter
    230
    Isolierabschnitt
    230A
    erster Isolierabschnitt
    230B
    zweiter Isolierabschnitt
    230C
    dritter Isolierabschnitt
    230D
    vierter Isolierabschnitt
    240
    positive Anschlussverbindungsschicht
    240A
    erste positive Anschlussverbindungsschicht
    240B
    zweite positive Anschlussverbindungsschicht
    242A
    erster Harzfüllungsabschnitt
    242B
    zweiter Harzfüllungsabschnitt
    410
    Kernschicht
    420
    Verdrahtungsschicht
    430, 430A
    Hohlraum
    440
    Band
    450
    Isolierschicht
    460
    VIA-Loch
    470
    erster Leiterabschnitt
    480
    zweiter Leiterabschnitt
    490
    Durchgangsloch
    CH1
    erster Kanal
    CH2
    zweiter Kanal
    CH3
    dritter Kanal
    C1,
    C2 Ausgangskondensator
    L1, L2, L3, L4, L
    Induktivität
    SW1, SW2, SW3, SW4, SW
    Schaltelement
    TH1, TH2
    Durchgangslochleiter
    TH11
    erster Durchgangslochleiter
    TH12
    zweiter Durchgangslochleiter
    TR
    Transformator
    h11
    erstes Durchgangsloch
    h12
    zweites Durchgangsloch

Claims (15)

  1. Halbleiterverbundvorrichtung, aufweisend: aktive Elemente und passive Elemente, die einen Spannungsregler bilden und derart angeordnet sind, dass sie einer Vielzahl von Kanälen zugeordnet sind; einen Verbraucher, der mit einer durch den Spannungsregler geregelten Gleichspannung versorgt werden soll und ein Halbleiterelement aufweist; und eine Leiterplatte, die mit den aktiven Elementen, den passiven Elementen und dem Verbraucher elektrisch verbunden ist, wobei die aktiven Elemente, die den Spannungsregler bilden, Schaltelemente aufweisen, wobei die passiven Elemente, die den Spannungsregler bilden, Kondensatoren aufweisen, und eine Vielzahl der in den Kanälen angeordneten Kondensatoren eine integral ausgebildete Kondensatoranordnung mit einer Vielzahl von in einer Ebene angeordneten Kondensatorabschnitten aufweisen, wobei die Kondensatoranordnung eine Vielzahl von Durchgangslochleitern aufweist, die sich durch die Kondensatoranordnung in einer Richtung senkrecht zu einer Montagefläche der Leiterplatte erstrecken, und wobei zumindest ein Teil der Kondensatoranordnung derart positioniert ist, dass sie den Verbraucher von der Montagefläche der Leiterplatte betrachtet überlappt.
  2. Halbleiterverbundvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die integral ausgebildete Kondensatoranordnung mit zwei oder mehr Kanälen aus der Vielzahl von Kanälen verbunden ist.
  3. Halbleiterverbundvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die passiven Elemente, die den Spannungsregler bilden, ferner Induktivitäten aufweisen, die zwischen den Schaltelementen und dem Verbraucher angeschlossen sind, wobei die in zumindest einem der Kanäle angeordneten Induktivitäten mit den Durchgangslochleitern, die sich durch die Kondensatoranordnung erstrecken, elektrisch verbunden sind, und wobei zumindest Teile der Induktivitäten, die mit den Durchgangslochleitern elektrisch verbunden sind, derart positioniert sind, dass sie die Kondensatoranordnung von der Montagefläche der Leiterplatte betrachtet überlappen.
  4. Halbleiterverbundvorrichtung nach Anspruch 3, wobei die mit den Induktivitäten verbundenen Durchgangslochleiter mit einem positiven Anschluss des Kondensators verbunden sind.
  5. Halbleiterverbundvorrichtung nach Anspruch 3, wobei der Kanal, in dem die Induktivitäten mit den Durchgangslochleitern elektrisch verbunden sind, eine mehrphasige Stromversorgung bildet, die eine Vielzahl von parallel geschalteten Stromversorgungskreisen aufweist, wobei die Durchgangslochleiter, die mit den Induktivitäten verbunden sind, die in den jeweiligen Stromversorgungskreisen angeordnet sind, die die mehrphasige Stromversorgung bilden, mit einem positiven Anschluss des Kondensators verbunden sind, und wobei die Vielzahl von Durchgangslochleitern, die mit den jeweiligen Induktivitäten verbunden sind, über den positiven Anschluss des Kondensators elektrisch verbunden sind.
  6. Halbleiterverbundvorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei die elektrisch mit den Durchgangslochleitern verbundenen Induktivitäten von der Kondensatoranordnung betrachtet gegenüber dem Verbraucher angeordnet sind.
  7. Halbleiterverbundvorrichtung nach Anspruch 6, wobei die mit den Durchgangslochleitern elektrisch verbundenen Induktivitäten auf der Montagefläche der Leiterplatte angeordnet sind.
  8. Halbleiterverbundvorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 7, wobei in dem Kanal, in dem die Induktivitäten elektrisch mit den Durchgangslochleitern verbunden sind, zumindest Teile der Schaltelemente derart positioniert sind, dass sie die Kondensatoranordnung von der Montagefläche der Leiterplatte betrachtet überlappen.
  9. Halbleiterverbundvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei zumindest ein Durchgangslochleiter von den Durchgangslochleitern, die sich durch die Kondensatoranordnung erstrecken, mit einem positiven Anschluss des Kondensators verbunden ist.
  10. Halbleiterverbundvorrichtung nach Anspruch 9, wobei der Kondensator eine positive Anschlussplatte aus einem Metall aufweist, und wobei der Durchgangslochleiter, der mit dem positiven Anschluss des Kondensators verbunden ist, mit einer Endfläche der positiven Anschlussplatte verbunden ist.
  11. Halbleiterverbundvorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, wobei die passiven Elemente, die den Spannungsregler bilden, ferner Induktivitäten aufweisen, die zwischen den Schaltelementen und dem Verbraucher angeschlossen sind, und wobei die in zumindest einem der Kanäle angeordneten Induktivitäten elektrisch mit dem Durchgangslochleiter verbunden sind, der mit dem positiven Anschluss des Kondensators verbunden ist.
  12. Halbleiterverbundvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei zumindest ein Durchgangslochleiter von den Durchgangslochleitern, die sich durch die Kondensatoranordnung erstrecken, mit einem negativen Anschluss des Kondensators verbunden ist.
  13. Halbleiterverbundvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei die Kondensatoranordnung die Vielzahl von Kondensatorabschnitten aufweist, die durch Unterteilen einer einzelnen, aus einem Aluminiumelement gebildeten Kondensatorplatte erhalten werden.
  14. Halbleiterverbundvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei die Kondensatoranordnung in die Leiterplatte eingebettet ist.
  15. Verfahren zur Herstellung der Halbleiterverbundvorrichtung nach Anspruch 14, wobei das Verfahren umfasst: einen Schritt des Bildens eines Hohlraums in einer Leiterplatte; einen Schritt des Anordnens einer Kondensatoranordnung in dem Hohlraum; einen Schritt des elektrischen Verbindens der Leiterplatte und der Kondensatoranordnung; und einen Schritt des Einbettens der Kondensatoranordnung in die Leiterplatte durch Versiegeln des Hohlraums.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117794045A (zh) * 2022-09-20 2024-03-29 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 线路板及其制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7692284B2 (en) 2005-12-12 2010-04-06 Intel Corporation Package using array capacitor core
US7843302B2 (en) 2006-05-08 2010-11-30 Ibiden Co., Ltd. Inductor and electric power supply using it
JP5382212B2 (ja) 2011-01-25 2014-01-08 株式会社村田製作所 Ｄｃ−ｄｃコンバータモジュールおよび多層基板
JP2013030528A (ja) * 2011-07-27 2013-02-07 Cmk Corp 形成キャパシタ内蔵型多層プリント配線板
JP2013074178A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Ngk Spark Plug Co Ltd 部品内蔵配線基板の製造方法
KR102151200B1 (ko) 2012-12-31 2020-09-03 이피션트 파워 컨버젼 코퍼레이션 다층 반도체 소자를 위한 기생 인덕턴스 감소 회로기판 레이아웃 디자인
DE112018006091T5 (de) * 2017-12-27 2020-08-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Halbleiter-verbund-bauelement und darin verwendete package-platine
US10790740B2 (en) * 2018-05-02 2020-09-29 Analog Devices Global Unlimited Company Techniques for switch capacitor regulator power savings
US11133256B2 (en) 2019-06-20 2021-09-28 Intel Corporation Embedded bridge substrate having an integral device

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