DE112016005319A5 - Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips - Google Patents

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017108199A1 (de) 2017-04-18 2018-10-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Betriebsverfahren für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102017112875A1 (de) * 2017-06-12 2018-12-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips
FR3077931A1 (fr) * 2018-02-14 2019-08-16 Centre National De La Recherche Scientifique Dispositif a semi-conducteur avec structure de passivation des surfaces recombinantes

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2133928B (en) 1982-12-04 1986-07-30 Plessey Co Plc Coatings for semiconductor devices
DE102004029412A1 (de) * 2004-02-27 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips
US7791061B2 (en) 2004-05-18 2010-09-07 Cree, Inc. External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces
KR101232507B1 (ko) * 2006-04-10 2013-02-12 삼성전자주식회사 표면발광소자 및 그의 제조방법
KR100867541B1 (ko) 2006-11-14 2008-11-06 삼성전기주식회사 수직형 발광 소자의 제조 방법
TW200841393A (en) * 2007-04-02 2008-10-16 Miin-Jang Chen Optoelectronic device and method of fabricating the same
KR20110006652A (ko) 2008-03-25 2011-01-20 라티스 파워(지앙시) 코포레이션 양면 패시베이션을 갖는 반도체 발광 소자
KR20110049799A (ko) 2008-08-19 2011-05-12 라티스 파워(지앙시) 코포레이션 양면 패시베이션을 갖는 반도체 발광 디바이스 제작 방법
DE102009035429A1 (de) 2009-07-31 2011-02-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip
TWI408834B (zh) * 2010-04-02 2013-09-11 Miin Jang Chen 基於奈米晶粒之光電元件及其製造方法
KR101782081B1 (ko) 2010-08-30 2017-09-26 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
CN102544009B (zh) * 2010-12-08 2014-03-26 中国科学院微电子研究所 一种高迁移率cmos集成单元
TW201310667A (zh) * 2011-08-17 2013-03-01 Epistar Corp 太陽能電池
JP6035736B2 (ja) * 2011-10-26 2016-11-30 ソニー株式会社 発光素子およびその製造方法、並びに発光装置
KR101867999B1 (ko) * 2011-10-31 2018-06-18 삼성전자주식회사 Iii-v족 물질층을 형성하는 방법, iii-v족 물질층을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조방법
TWI452714B (zh) * 2012-01-20 2014-09-11 Univ Nat Taiwan 太陽能電池及其製造方法
TWI455333B (zh) * 2012-04-09 2014-10-01 Sino American Silicon Prod Inc 太陽能電池
CN104488095B (zh) * 2012-07-10 2018-05-01 欧司朗光电半导体有限公司 封装光电器件的方法及发光二极管芯片
FI20135967L (fi) * 2013-09-27 2015-03-28 Lumichip Oy Asennustason monitoiminen kapselointikerros ja menetelmä sen valmistamiseksi
US9768345B2 (en) * 2013-12-20 2017-09-19 Apple Inc. LED with current injection confinement trench
US9484492B2 (en) * 2015-01-06 2016-11-01 Apple Inc. LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination
US9865772B2 (en) * 2015-01-06 2018-01-09 Apple Inc. LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination
US9601659B2 (en) * 2015-01-06 2017-03-21 Apple Inc. LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination
IL238368B (en) * 2015-04-19 2019-08-29 Semi Conductor Devices An Elbit Systems Rafael Partnership light sensor
DE102015108529A1 (de) * 2015-05-29 2016-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaserdiode und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode
DE102015212477A1 (de) * 2015-07-03 2017-01-05 Osram Oled Gmbh Organisches lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements
DE102015120323A1 (de) 2015-11-24 2017-05-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenchip mit einer reflektierenden Schichtenfolge

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