DE112013001861A5 - Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements - Google Patents

Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements Download PDF

Info

Publication number
DE112013001861A5
DE112013001861A5 DE112013001861.6T DE112013001861T DE112013001861A5 DE 112013001861 A5 DE112013001861 A5 DE 112013001861A5 DE 112013001861 T DE112013001861 T DE 112013001861T DE 112013001861 A5 DE112013001861 A5 DE 112013001861A5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light
semiconductor component
emitting semiconductor
producing
emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE112013001861.6T
Other languages
English (en)
Inventor
Thomas Schwarz
Stefan Illek
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of DE112013001861A5 publication Critical patent/DE112013001861A5/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
DE112013001861.6T 2012-04-02 2013-02-28 Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements Ceased DE112013001861A5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102012102847A DE102012102847A1 (de) 2012-04-02 2012-04-02 Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements
DE102012102847.8 2012-04-02
PCT/EP2013/054050 WO2013149772A1 (de) 2012-04-02 2013-02-28 Licht emittierendes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines licht emittierenden halbleiterbauelements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112013001861A5 true DE112013001861A5 (de) 2014-12-18

Family

ID=47845967

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102012102847A Withdrawn DE102012102847A1 (de) 2012-04-02 2012-04-02 Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements
DE112013001861.6T Ceased DE112013001861A5 (de) 2012-04-02 2013-02-28 Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102012102847A Withdrawn DE102012102847A1 (de) 2012-04-02 2012-04-02 Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9954150B2 (de)
JP (1) JP2015513226A (de)
KR (1) KR20150002627A (de)
CN (1) CN104221173B (de)
DE (2) DE102012102847A1 (de)
WO (1) WO2013149772A1 (de)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012111247A1 (de) 2012-11-21 2014-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102013210668A1 (de) * 2013-06-07 2014-12-11 Würth Elektronik GmbH & Co. KG Verfahren zur Herstellung eines optischen Moduls
DE102014108295A1 (de) * 2014-06-12 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Halbleiterbauelement
DE102014109779A1 (de) * 2014-06-13 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Anordnung mit einem Bauteil
JP6414454B2 (ja) * 2014-10-24 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
CN110676286B (zh) 2015-02-13 2024-01-19 首尔伟傲世有限公司 发光元件以及发光二极管
KR102424364B1 (ko) * 2015-05-27 2022-07-25 서울바이오시스 주식회사 발광소자
JP5985782B1 (ja) * 2015-04-03 2016-09-06 創光科学株式会社 窒化物半導体紫外線発光素子及び窒化物半導体紫外線発光装置
DE102015113310B4 (de) * 2015-08-12 2022-08-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterchip
DE102015115900A1 (de) * 2015-09-21 2017-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
US10118547B2 (en) 2015-11-13 2018-11-06 The Boeing Company Embedded lighting features for lighting panels
DE102015120642A1 (de) * 2015-11-27 2017-06-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung mit zumindest einem optoelektronischen Halbleiterbauelement
DE102016100320A1 (de) 2016-01-11 2017-07-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Modul und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP6447557B2 (ja) * 2016-03-24 2019-01-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN107482099B (zh) * 2016-06-08 2019-09-10 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构
DE102016121510A1 (de) 2016-11-10 2018-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen, optoelektronisches Bauelement mit einem Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102017123898A1 (de) * 2017-10-13 2019-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
TWI642335B (zh) * 2017-12-11 2018-11-21 欣興電子股份有限公司 電路板及其製造方法
DE102018119538A1 (de) 2018-08-10 2020-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil und herstellungsverfahren für optoelektronische halbleiterbauteile
DE102019104010A1 (de) 2019-02-18 2020-08-20 Infineon Technologies Austria Ag Elektronisches modul mit verbesserter wärmeabfuhr und dessen herstellung
CN113054042B (zh) * 2021-03-15 2022-07-08 河南城建学院 一种具有衬底结构的光电子半导体器件
DE112023000363A5 (de) * 2022-02-17 2024-09-05 Ams-Osram International Gmbh Herstellungsverfahren, optoelektronisches halbleiterbauteil und träger

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4432275B2 (ja) * 2000-07-13 2010-03-17 パナソニック電工株式会社 光源装置
US6507049B1 (en) * 2000-09-01 2003-01-14 General Electric Company Encapsulants for solid state devices
ATE425556T1 (de) * 2001-04-12 2009-03-15 Matsushita Electric Works Ltd Lichtquellenbauelement mit led und verfahren zu seiner herstellung
ATE551731T1 (de) 2001-04-23 2012-04-15 Panasonic Corp Lichtemittierende einrichtung mit einem leuchtdioden-chip
US6880100B2 (en) 2001-07-18 2005-04-12 Smartmatic Corp. Peer-to-peer fault detection
JP4122784B2 (ja) 2001-09-19 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置
US6498355B1 (en) * 2001-10-09 2002-12-24 Lumileds Lighting, U.S., Llc High flux LED array
DE10214210B4 (de) * 2002-03-28 2011-02-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip zur Flip-Chip-Montage auf einen lotbedeckten Träger und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2006038543A2 (ja) 2004-10-04 2006-04-13 Toshiba Kk 発光装置及びそれを用いた照明器具または液晶表示装置
US7355276B1 (en) 2005-03-11 2008-04-08 Maxtor Corporation Thermally-enhanced circuit assembly
FI20095557A0 (fi) * 2009-05-19 2009-05-19 Imbera Electronics Oy Valmistusmenetelmä ja elektroniikkamoduuli, joka tarjoaa uusia mahdollisuuksia johdevedoille
DE102009036621B4 (de) 2009-08-07 2023-12-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US20110049545A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led package with phosphor plate and reflective substrate
KR101601622B1 (ko) 2009-10-13 2016-03-09 삼성전자주식회사 발광다이오드 소자, 발광 장치 및 발광다이오드 소자의 제조방법
US8248803B2 (en) 2010-03-31 2012-08-21 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited Semiconductor package and method of manufacturing the same
CN101984511B (zh) 2010-11-10 2016-06-01 秦彪 Led芯片和led晶片及芯片制造方法
US8299488B2 (en) * 2010-12-16 2012-10-30 King Dragon International Inc. LED chip
KR20120091839A (ko) * 2011-02-10 2012-08-20 삼성전자주식회사 플립칩 발광소자 패키지 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US9954150B2 (en) 2018-04-24
US20150041845A1 (en) 2015-02-12
DE102012102847A1 (de) 2013-10-02
KR20150002627A (ko) 2015-01-07
CN104221173B (zh) 2018-01-05
WO2013149772A1 (de) 2013-10-10
JP2015513226A (ja) 2015-04-30
CN104221173A (zh) 2014-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112013001861A5 (de) Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements
DE112013005934A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE112014005954A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE112013006140A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112011105262A5 (de) Optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Vorrichtungen
DE112013001553A5 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE112014001665A5 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE112014004180A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE112013005312A5 (de) Konvertermaterial, Verfahren zur Herstellung eines Konvertermaterials und optoelektronisches Bauelement
DE112014002166A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE112014004422A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE112013004117A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements und Licht emittierendes Halbleiterbauelement
DE112013001866A5 (de) Optoelektronisches Bauelement umfassend eine Konverterträgerschicht, und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements umfassend eine Konverterträgerschicht
DE102013202355B8 (de) Halbleiterchip, verfahren zur herstellung eines halbleiterchips, bauelement und verfahren zur herstellung eines bauelements
DE112014005953A5 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE112013003800A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE112014005897A5 (de) Konversionselement, Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
DE112014003402A5 (de) Oberflächenmontierbares optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung zumindest eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE112013004651A5 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102011004476A8 (de) Halbleitereinrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung
DE112014000942A5 (de) Getriebegehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Getriebegehäuses
DE112013000669A5 (de) Leuchte und Verfahren zur Herstellung einer Leuchte
DE112013001133A5 (de) Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und derart hergestelltes optoelektronisches Bauelement
DE112013000984A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements
DE102010035966A8 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final