DE112016000371A5 - Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips und Halbleiterchip - Google Patents
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Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102015100686.3A DE102015100686A1 (de) | 2015-01-19 | 2015-01-19 | Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips und Halbleiterchip |
DE102015100686.3 | 2015-01-19 | ||
PCT/EP2016/050392 WO2016116316A1 (de) | 2015-01-19 | 2016-01-11 | Verfahren zur herstellung einer mehrzahl von halbleiterchips und halbleiterchip |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112016000371A5 true DE112016000371A5 (de) | 2017-10-19 |
DE112016000371B4 DE112016000371B4 (de) | 2024-03-07 |
Family
ID=55077528
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102015100686.3A Withdrawn DE102015100686A1 (de) | 2015-01-19 | 2015-01-19 | Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips und Halbleiterchip |
DE112016000371.4T Active DE112016000371B4 (de) | 2015-01-19 | 2016-01-11 | Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips und Halbleiterchip |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102015100686.3A Withdrawn DE102015100686A1 (de) | 2015-01-19 | 2015-01-19 | Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips und Halbleiterchip |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10629486B2 (de) |
JP (1) | JP6667540B2 (de) |
KR (1) | KR102557927B1 (de) |
CN (1) | CN107210334B (de) |
DE (2) | DE102015100686A1 (de) |
WO (1) | WO2016116316A1 (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015110429A1 (de) * | 2015-06-29 | 2017-01-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Leuchtvorrichtung |
DE102019103761A1 (de) * | 2019-02-14 | 2020-08-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur herstellung eines bauelements und bauelement |
KR102629307B1 (ko) * | 2022-04-26 | 2024-01-29 | 숭실대학교산학협력단 | 질화물 반도체 소자의 제조방법 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0151383B1 (ko) * | 1994-06-16 | 1998-10-01 | 문정환 | 안티퓨즈 구조를 갖는 프로그램 가능한 반도체소자 및 그의 제조방법 |
JP3402972B2 (ja) * | 1996-11-14 | 2003-05-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2004179565A (ja) | 2002-11-29 | 2004-06-24 | Sony Corp | 電子部品の製造方法及びダイシング方法、並びにこれらを実施するための製造装置 |
JP2004311487A (ja) | 2003-04-02 | 2004-11-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
TWI240434B (en) * | 2003-06-24 | 2005-09-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method to produce semiconductor-chips |
JP2006253402A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
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JP2008300645A (ja) | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Sharp Corp | 窒化物系半導体ledチップの製造方法 |
KR101470020B1 (ko) | 2008-03-18 | 2014-12-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 샌드위치 구조의 웨이퍼 결합 및 포톤 빔을 이용한 단결정 반도체 박막 전이 |
JP5237764B2 (ja) | 2008-11-10 | 2013-07-17 | スタンレー電気株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
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KR101007137B1 (ko) | 2010-03-08 | 2011-01-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
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JP2013058707A (ja) | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
DE102011054891B4 (de) * | 2011-10-28 | 2017-10-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Durchtrennen eines Halbleiterbauelementverbunds |
JP5916105B2 (ja) | 2012-03-27 | 2016-05-11 | 国立大学法人九州工業大学 | 半導体装置の製造方法 |
JP5880243B2 (ja) | 2012-04-18 | 2016-03-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
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US20150011073A1 (en) | 2013-07-02 | 2015-01-08 | Wei-Sheng Lei | Laser scribing and plasma etch for high die break strength and smooth sidewall |
US9711365B2 (en) * | 2014-05-02 | 2017-07-18 | International Business Machines Corporation | Etch rate enhancement for a silicon etch process through etch chamber pretreatment |
-
2015
- 2015-01-19 DE DE102015100686.3A patent/DE102015100686A1/de not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-01-11 CN CN201680006363.3A patent/CN107210334B/zh active Active
- 2016-01-11 KR KR1020177023141A patent/KR102557927B1/ko active IP Right Grant
- 2016-01-11 JP JP2017538220A patent/JP6667540B2/ja active Active
- 2016-01-11 DE DE112016000371.4T patent/DE112016000371B4/de active Active
- 2016-01-11 WO PCT/EP2016/050392 patent/WO2016116316A1/de active Application Filing
- 2016-01-11 US US15/544,267 patent/US10629486B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112016000371B4 (de) | 2024-03-07 |
JP6667540B2 (ja) | 2020-03-18 |
WO2016116316A1 (de) | 2016-07-28 |
CN107210334A (zh) | 2017-09-26 |
JP2018507547A (ja) | 2018-03-15 |
US10629486B2 (en) | 2020-04-21 |
KR20170106438A (ko) | 2017-09-20 |
KR102557927B1 (ko) | 2023-07-19 |
US20180012801A1 (en) | 2018-01-11 |
CN107210334B (zh) | 2020-12-25 |
DE102015100686A1 (de) | 2016-07-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R409 | Internal rectification of the legal status completed | ||
R079 | Amendment of ipc main class |
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