DE102015100686A1

DE102015100686A1 - Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips und Halbleiterchip

Info

Publication number: DE102015100686A1
Application number: DE102015100686.3A
Authority: DE
Inventors: Michael Huber; Lorenzo Zini
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2015-01-19
Filing date: 2015-01-19
Publication date: 2016-07-21
Also published as: CN107210334A; DE112016000371B4; KR20170106438A; CN107210334B; DE112016000371A5; KR102557927B1; WO2016116316A1; US20180012801A1; JP6667540B2; JP2018507547A; US10629486B2

Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10) angegeben. Ein Verbund (1), der einen Träger (4), eine Halbleiterschichtenfolge (2) und eine funktionale Schicht (3) aufweist wird bereitgestellt. Die funktionale Schicht (3) wird mittels kohärenter Strahlung entlang eines Vereinzelungsmusters (15) durchtrennt. Trenngräben (45) werden in dem Träger (4) entlang des Vereinzelungsmusters (15) ausgebildet. Eine die funktionale Schicht (3) zu den Trenngräben (45) hin begrenzende Schutzschicht (5) wird an jeweils zumindest einer Seitenfläche (101) der zu vereinzelnden Halbleiterchips (10) aufgebracht. Die vereinzelten Halbleiterchips (10) weisen jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge (2), des Trägers (4) und der funktionalen Schicht (3) auf. Weiterhin wird ein Halbleiterchip (10) angegeben.

Description

Es werden ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips sowie ein Halbleiterchip angegeben.
Zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips aus Halbleiterwafern, insbesondere zum Vereinzeln der Halbleiterwafer in Halbleiterchips, können verschiedene Verfahren angewandt werden, die insbesondere das Substratmaterial durchtrennen. Die Effizienz der meisten Vereinzelungsverfahren hängt jedoch stark von dem zu durchtrennenden Material ab.
Es ist eine Aufgabe ein Verfahren anzugeben, das einen Beitrag leistet, einen Halbleiterchip einfach und effizient herzustellen, sowie dessen langlebig zuverlässigen Betrieb zu ermöglichen.
Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Anmeldung wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips angegeben. Bei den Halbleiterchips kann es sich insbesondere um optoelektronische Halbleiterchips, wie beispielsweise Leuchtdiodenchips oder Fotodiodenchips handeln.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt wird ein Verbund bereitgestellt. Der Verbund erstreckt sich in einer vertikalen Richtung zwischen einer ersten Hauptfläche und einer zweiten Hauptfläche des Verbunds, wobei die vertikale Richtung senkrecht zur ersten und/oder zweiten Hauptfläche verlaufen kann. Bei den Hauptflächen kann es sich beispielsweise um die Deckfläche und die Bodenfläche des Verbunds handeln. Das Verfahren betrifft insbesondere eine Vereinzelung des Verbunds in eine Mehrzahl von Halbleiterchips entlang eines Vereinzelungsmusters. Die Vereinzelung erfolgt insbesondere quer zur ersten und/oder zweiten Hauptfläche, zum Beispiel in der vertikalen Richtung.
Beispielsweise kann das Vereinzelungsmuster gitterförmig nach Art eines regelmäßigen mehreckigen Gitters ausgebildet sein. Die Vereinzelung muss dabei nicht notwendigerweise entlang gerade verlaufender Linien erfolgen. Vielmehr können durch die Vereinzelung auch Halbleiterchips entstehen, deren beim Vereinzeln entstehende Seitenflächen zumindest bereichsweise gekrümmt sind oder zumindest einen Knick aufweisen.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt weist der Verbund einen Träger auf. Der Träger enthält beispielsweise ein Halbleitermaterial, etwa Silicium, Germanium, Galliumphosphid oder Galliumarsenid oder besteht aus einem solchen Material. Der Träger kann elektrisch leitfähig oder elektrisch isolierend ausgebildet sein.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt weist der Verbund eine Halbleiterschichtenfolge auf. Die Halbleiterschichtenfolge ist beispielsweise epitaktisch, etwa mittels Sputtern, MOVPE, MOCVD oder MBE abgeschieden. Die Halbleiterschichtenfolge kann auf dem Träger oder auf einem von dem Träger verschiedenen Aufwachssubstrat abgeschieden sein. Beispielsweise enthält die Halbleiterschichtenfolge einen zur Erzeugung von Strahlung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich.
Beispielsweise enthält die Halbleiterschichtenfolge, insbesondere der aktive Bereich, ein III-V-Verbindungs-Halbleitermaterial. III-V-Verbindungs-Halbleitermaterialien sind zur Strahlungserzeugung im ultravioletten (Al_xIn_yGa_1-x-yN) über den sichtbaren (Al_xIn_yGa_1-x-yN, insbesondere für blaue bis grüne Strahlung, oder Al_xIn_yGa_1-x-yP, insbesondere für gelbe bis rote Strahlung) bis in den infraroten (Al_xIn_yGa_1-x-yAs) Spektralbereich besonders geeignet. Hierbei gilt jeweils 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1, insbesondere mit x ≠ 1, y ≠ 1, x ≠ 0 und/oder y ≠ 0. Mit III-V-Verbindungs-Halbleitermaterialien, insbesondere aus den genannten Materialsystemen, können weiterhin bei der Strahlungserzeugung hohe interne Quanteneffizienzen erzielt werden.
Die erste Hauptfläche befindet sich insbesondere auf der dem Träger abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge. Entsprechend befindet sich die zweite Hauptfläche insbesondere auf der der Halbeiterschichtenfolge abgewandten Seite des Trägers.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt weist der Verbund eine funktionale Schicht auf. Die funktionale Schicht kann einschichtig oder mehrschichtig ausgebildet sein. Die funktionale Schicht kann eine metallische Schicht und/oder eine dielektrische Schicht aufweisen.
Beispielsweise ist die funktionale Schicht oder eine Teilschicht davon elektrisch leitend mit der Halbleiterschichtenfolge verbunden.
Weiter ist es möglich, dass die funktionale Schicht oder eine Teilschicht davon in direktem Kontakt mit der Halbleiterschichtenfolge und/oder dem Träger steht.
Die funktionale Schicht oder eine Teilschicht davon kann weiterhin als Spiegelschicht für die in der Halbleiterschichtenfolge zu erzeugende oder zu detektierende Strahlung ausgebildet sein. Beispielsweise beträgt die Reflektivität für diese Strahlung mindestens 60 %.
Die funktionale Schicht oder eine Teilschicht davon kann weiterhin als eine Verbindungsschicht für eine stoffschlüssige Verbindung ausgebildet sein, etwa zwischen der Halbleiterschichtenfolge und dem Träger. In diesem Zusammenhang umfasst die funktionale Schicht beispielsweise ein Lot oder einen Klebstoff.
Die vereinzelten Halbleiterchips weisen insbesondere jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge, des Trägers und der funktionalen Schicht auf.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt wird die funktionale Schicht mittels kohärenter Strahlung durchtrennt, insbesondere entlang des Vereinzelungsmusters. Als Strahlungsquelle eignet sich beispielsweise ein Laser im Pulsbetrieb, insbesondere mit einer Pulsdauer von höchstens 100 ps, bevorzugt höchstens 10 ps. Derartig kurze Laserpulse zeichnen sich durch eine besonders geringe Materialselektivität aus. Der Materialabtrag erfolgt somit weitgehend unabhängig von dem Material der funktionalen Schicht oder einzelnen Teilschichten der funktionalen Schicht. Ferner kann in diesem Zusammenhang eine Leistungsabgabe der Strahlungsquelle, bedingt durch die kurze Pulsdauer, sowie dazu korrespondierend eine thermische Belastung der zu vereinzelnden Halbleiterchips, insbesondere der funktionalen Schicht, gering gehalten werden.
In zumindest einer Ausführungsvariante gemäß dem ersten Aspekt sind beim Durchtrennen der funktionalen Schicht in der Halbleiterschichtenfolge bereits Mesa-Gräben ausgebildet. Die Mesa-Gräben definieren die einzelnen Halbleiterkörper, die aus der Halbleiterschichtenfolge hervorgehen. Beispielsweise erstrecken sich die Mesa-Gräben vollständig durch die Halbleiterschichtenfolge hindurch. Mit anderen Worten ist die Halbleiterschichtenfolge beim Durchtrennen der funktionalen Schicht bereits durchtrennt. Das Vereinzelungsmuster verläuft in Draufsicht auf den Verbund also entlang der Mesa-Gräben. Entsprechend erfolgt das Durchtrennen der funktionalen Schicht entlang der Mesa-Gräben.
In zumindest einer alternativen Ausführungsvariante gemäß dem ersten Aspekt wird beim Durchtrennen der funktionalen Schicht auch die Halbleiterschichtenfolge zumindest teilweise durchtrennt.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt wird beim Durchtrennen der funktionalen Schicht auch der Träger zumindest teilweise durchtrennt. So werden beispielsweise die einzelnen Trägerkörper der zu vereinzelnden Halbleiterchips beim Durchtrennen der funktionalen Schicht definiert. Beispielhaft werden dazu auf einer der funktionalen Schicht zugewandten Seite des Trägers Ausnehmungen entlang des Vereinzelungsmusters ausgebildet. In anderen Worten wird der Träger also angeritzt.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt werden in dem Träger Trenngräben ausgebildet, insbesondere entlang des Vereinzelungsmusters. Ein Ausbilden der Trenngräben kann vor oder nach dem Durchtrennen der funktionalen Schicht erfolgen. Die Trenngräben können beispielsweise mittels eines chemischen Verfahrens ausgebildet werden. In den vereinzelten Halbleiterchips bilden die Seitenflächen der Trenngräben insbesondere die den Halbleiterchip in lateraler Richtung begrenzenden Seitenflächen.
Unter einer lateralen Richtung wird eine Richtung verstanden, die entlang einer Haupterstreckungsebene der Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge verläuft. Die lateralen Richtungen können zum Beispiel parallel zur ersten und/oder zweiten Hauptfläche verlaufen.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt wird eine Schutzschicht an zumindest einer Seitenfläche der jeweiligen zu vereinzelnden Halbleiterchips aufgebracht. Die Schutzschicht begrenzt insbesondere die funktionale Schicht hin zu den Trenngräben. Das Aufbringen der Schutzschicht erfolgt nach dem Durchtrennen der funktionalen Schicht. Beispielsweise kann das Aufbringen der Schutzschicht auf bereits vereinzelte Halbleiterchips oder auf einen Verbund von Halbleiterchips mit durchtrennter funktionaler Schicht erfolgen.
Die Schutzschicht dient insbesondere einer Verkapselung des Halbleiterchips, so dass dazu beigetragen wird, die jeweilige Seitenfläche des Halbleiterchips vor äußeren Einflussfaktoren wie Feuchte oder Schadgasen zu schützen. Ferner kann so bei einem späteren Umspritzen des vereinzelten Halbleiterchips mit beispielsweise Epoxidmaterial, sogenanntem „mold chip in frame“, eine Reaktion mit der Seitenfläche des Halbleiterchips, insbesondere der funktionalen Schicht vermieden werden.
Die Schutzschicht kann beispielsweise im Rahmen der Ausbildung der Trenngräben aufgebracht werden. Beispielhaft ist die Schutzschicht eine in dem chemischen Verfahren eingesetzte Passivierungsschicht. Die Schutzschicht kann beispielsweise eines der folgenden Materialien enthalten, aus einem der folgenden Materialien bestehen, oder aus einer Reaktion mit einem der folgenden Materialien hervorgehen: Octafluorcyclobutan, Tetrafluormethan, Siliciumdioxid, Tantalpentoxid, Aluminiumoxid, Siliciumnitrid, Titan(IV)-oxid.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt wird ein Verbund bereitgestellt, der einen Träger, eine Halbleiterschichtenfolge und eine funktionale Schicht aufweist. Die funktionale Schicht wird mittels kohärenter Strahlung entlang eines Vereinzelungsmusters durchtrennt. In dem Träger werden Trenngräben entlang des Vereinzelungsmusters ausgebildet. Eine die funktionale Schicht zu den Trenngräben hin begrenzende Schutzschicht wird an jeweils zumindest einer Seitenfläche der zu vereinzelnden Halbleiterchips aufgebracht. Die aus dem Verbund vereinzelten Halbleiterchips weisen jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge, des Trägers und der funktionalen Schicht auf.
Durch Materialabtrag mittels kohärenter Strahlung entstehen an den beim Vereinzeln entstehenden Seitenflächen der Halbleiterchips bereichsweise Spuren eines Materialabtrags durch kohärente Strahlung.
Durch das beschriebene Verfahren kann der Träger einfach und effizient durchtrennt werden, insbesondere mittels eines chemischen Verfahrens. Eine insbesondere auch im Bereich des Vereinzelungsmusters auf dem Träger angeordnete funktionale Schicht, die mit einem chemischen Verfahren nicht oder nur sehr langsam abgetragen würde, wird dagegen vor oder nach dem Ausbilden der Trenngräben mittels kohärenter Strahlung entfernt.
Die bei dem Durchtrennen der funktionalen Schicht mittels kohärenter Strahlung freigelegten Seitenflächen der jeweiligen Halbleiterchips werden durch Aufbringen der Schutzschicht vor äußeren Einflüssen geschützt. In vorteilhafter Weise wird so zu einer langlebig zuverlässigen Funktion der einzelnen Halbleiterchips beigetragen. Ferner kann ein gegenüber äußeren Einflüssen besonders empfindliches Material einer Teilschicht der funktionalen Schicht, wie beispielsweise Silber, durch die Schutzschicht im Wesentlichen unabhängig von äußeren Einflüssen innerhalb der funktionalen Schicht angeordnet werden, so dass eine variable Anordnung von Teilschichten der funktionalen Schicht, insbesondere in lateraler Richtung, ermöglicht wird.
Mit dem beschriebenen Verfahren gemäß dem ersten Aspekt kann also insbesondere die hohe Abtragrate für Halbleitermaterial bei einem chemischen Verfahren wie einem Plasma-Trennverfahren mit der breiten Einsetzbarkeit eines strahlungsinduzierten Materialabtrags für verschiedene Materialien einer funktionalen Schicht vereint werden, und zugleich eine langlebige Funktion der vereinzelten Halbleiterchips ermöglicht werden.
Mit verfügbaren Anlagesystemen können die Verfahrensschritte des Verfahrens gemäß dem ersten Aspekt leicht automatisiert werden, beispielsweise mittels Halbleiter-Kassetten zur Aufnahme eines oder mehrerer Verbunde, sowie einer Vorrichtung zum automatisierten Transportieren der Halbleiter-Kassetten, Positionieren eines jeweiligen Verbunds und Durchführen der Verfahrensschritte des Verfahrens (sogenannte „cassette-to-cassette“ beziehungsweise Kassette zu Kassette Systeme).
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt weist die funktionale Schicht eine metallische Schicht und/oder eine dielektrische Schicht auf. Dabei ist es möglich, dass die funktionale Schicht aus wenigstens einem Metall besteht oder aus wenigstens einem dielektrischen Material besteht. Ferner ist es möglich, dass die funktionale Schicht aus einer Kombination metallischer und dielektrischer Schichten gebildet ist.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt enthält der Träger ein Halbleitermaterial. Dabei ist es möglich, dass der Träger aus einem Halbleitermaterial besteht.
Insbesondere ist das beschriebene Verfahren gemäß dem ersten Aspekt besonders geeignet für einen Aufbau des Verbunds, bei dem die funktionale Schicht eine metallische Schicht und/oder eine dielektrische Schicht aufweist, und der Träger ein Halbleitermaterial enthält. Mit dem verwendeten Verfahren wird aufgrund der Verwendung unterschiedlicher Trennmethoden für unterschiedliche Bereiche des Verbunds, auch bei dieser Kombination von Materialien, ein besonders effizienter und präziser Materialabtrag ermöglicht. Insbesondere kann sich in diesem Zusammenhang im Vergleich zu einem einstufigen Vereinzelungsverfahren mittels Laserstrahlung mit Pulsdauern im Nanosekunden-Bereich ein höherer Ertrag an vereinzelten Halbleiterchips und/oder eine größere aktive Fläche der Halbleiterkörper ergeben, da ein Aufschmelzen der Seitenflächen der vereinzelten Halbleiterchips weitestgehend vermieden werden kann.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt ist die funktionale Schicht zwischen der Halbleiterschichtenfolge und dem Träger angeordnet. Beispielsweise enthält die funktionale Schicht eine Verbindungsschicht, mit der die Halbleiterschichtenfolge an dem Träger befestigt ist, etwa eine Lotschicht. Davon abweichend kann die funktionale Schicht aber auch auf der der Halbleiterschichtenfolge abgewandten Seite des Trägers oder auf der dem Träger abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge angeordnet sein.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt erstreckt sich die funktionale Schicht vor dem Durchtrennen mittels kohärenter Strahlung des Verbunds vollflächig über den Verbund. Die funktionale Schicht kann also in lateraler Richtung völlig unstrukturiert sein. Im Falle, dass die Trenngräben vor dem Durchtrennen der funktionalen Schicht ausgebildet werden, können benachbarte Halbleiterchips nach dem Ausbilden der Trenngräben in dem Träger beispielsweise jeweils über die funktionale Schicht mechanisch miteinander verbunden sein.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt werden die Trenngräben mittels eines chemischen Verfahrens ausgebildet. Insbesondere erfolgt das Ausbilden der Gräben mittels eines Plasma-Trennverfahrens, beispielsweise mittels eines ICP(Inductively Coupled Plasma)-Verfahrens oder mittels reaktiven Ionentiefenätzens (Deep Reactive Ion Etching, DRIE). Dieses Verfahren wird auch als „Bosch-Prozess“ bezeichnet. Plasma-Trennverfahren können sich insbesondere in Halbleitermaterial durch hohe Ätzraten auszeichnen. Insbesondere handelt es sich bei dem chemischen Verfahren um einen mehrstufigen Ätzprozess, der sowohl Ätz-, als auch Passivierungsschritte umfasst.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt ist die Schutzschicht eine Passivierungsschicht des chemischen Verfahrens. Das chemische Verfahren umfasst beispielsweise alternierende Ätz- und Passivierungsschritte, die eine anisotrope Ausbildung der Trenngräben in vertikaler Richtung ermöglichen. Ein Passivierungsschritt umfasst dabei ein Aufbringen einer Passivierungsschicht, welche insbesondere die Seitenflächen der Halbleiterchips bedeckt und vor einer Ätzreaktion beziehungsweise einem chemischen Materialabtrag in einem späteren Ätzschritt schützt. Bei Erreichen einer vorgegebenen Tiefe der Trenngräben, insbesondere wenn sich die Trenngräben vollständig durch den Träger hindurch erstrecken, wird das chemische Verfahren mit einem Passivierungsschritt beendet. In vorteilhafter Weise wird im Falle, dass die funktionale Schicht entlang des Vereinzelungsmusters bereits durchtrennt ist, die funktionale Schicht an den Seitenflächen der Halbleiterchips durch die Passivierungsschicht bedeckt. Ein derartiges Vorgehen ermöglicht ein einfaches und zuverlässiges Verkapseln der einzelnen Halbleiterchips ohne zusätzliche Verfahrensschritte.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt enthält die Schutzschicht zumindest eines der folgenden Materialien oder besteht aus einem der folgenden Materialien: Octafluorcyclobutan, Tetrafluormethan, Siliciumdioxid, Tantalpentoxid, Aluminiumoxid, Siliciumnitrid, Titan(IV)-oxid. Zusätzlich und/oder alternativ kann die Schutzschicht beispielsweise aus einer Reaktion mit einem der vorgehend genannten Materialien hervorgehen.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt erstrecken sich die Trenngräben vollständig durch den Träger hindurch. Beispielsweise wird der Verbund nach dem Ausbilden der Trenngräben nur noch über die funktionale Schicht zusammengehalten.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt erfolgt das Ausbilden der Trenngräben nach dem Durchtrennen der funktionalen Schicht. Beispielsweise werden zunächst die zwischen der Halbleiterschichtenfolge und dem Träger angeordnete funktionale Schicht mittels kohärenter Strahlung und nachfolgend der Träger mittels eines Plasma-Trennverfahrens durchtrennt. Insbesondere kann so eine im Rahmen der Ausbildung der Trenngräben aufgebrachte Passivierungsschicht als Schutzschicht für die funktionale Schicht eingesetzt werden. Die bereits durchtrennte funktionale Schicht kann ferner als Maske für das Ausbilden der Trenngräben dienen. Die Trenngräben entstehen insbesondere selbstjustierend in den Bereichen, in denen die funktionale Schicht entfernt ist. In lateraler Richtung können die funktionale Schicht und die beim Vereinzeln entstehenden Trägerkörper bündig abschließen. Davon abweichend kann aber auch eine zusätzliche Maske oder Maskenschicht vorgesehen sein.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt erfolgt das Aufbringen der Schutzschicht nach dem Ausbilden der Trenngräben. In vorteilhafter Weise kann die Schutzschicht im Rahmen eines zur Ausbildung der Trenngräben eingesetzten chemischen Verfahrens aufgebracht werden. Insbesondere können in diesem Zusammenhang die Ausbildung der Trenngräben und das Aufbringen der Schutzschicht in der gleichen Prozesskammer stattfinden. Auf diese Weise werden die durch das Trennen erzeugten Seitenflächen nicht beim Wechsel in eine andere Prozesskammer zum Beispiel mit Staub verschmutzt.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt weist der Verbund eine weitere funktionale Schicht auf. Insbesondere sind die funktionale Schicht und die weitere funktionale Schicht in vertikaler Richtung voneinander beabstandet. Beispielsweise sind die funktionale Schicht und die weitere funktionale Schicht auf gegenüberliegenden Seiten des Trägers angeordnet. Die weitere funktionale Schicht kann insbesondere wie im Zusammenhang mit der funktionalen Schicht beschrieben ausgeführt sein. Ein Durchtrennen der weiteren funktionalen Schicht kann beispielsweise mittels kohärenter Strahlung oder mechanischer Belastung, zum Beispiel mittels einer Druckeinwirkung auf den Verbund in einer schräg oder senkrecht zu den Hauptflächen des Verbunds verlaufenden Richtung erfolgen.
Vor dem Vereinzeln können sowohl die funktionale Schicht als auch die weitere funktionale Schicht in lateraler Richtung völlig unstrukturiert sein und insbesondere den Träger entlang des Vereinzelungsmusters vollständig bedecken. Beim Vereinzeln können die funktionale Schicht und die weitere funktionale Schicht entlang des Vereinzelungsmusters durchtrennt werden, wobei das Ausbilden der Trenngräben beispielsweise zwischen dem Durchtrennen der funktionalen Schicht und dem Durchtrennen der weiteren funktionalen Schicht durchgeführt wird.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem ersten Aspekt wird der Verbund vor dem Vereinzeln, insbesondere vor dem Ausbilden der Trenngräben und/oder vor dem Durchtrennen der funktionalen Schicht an einem Hilfsträger befestigt. Als Hilfsträger eignet sich beispielsweise eine Folie, ein starrer Träger oder eine Platte, bei der die noch im Verbund befindlichen oder bereits vereinzelten Halbleiterchips mittels Unterdrucks angesaugt oder mittels elektrostatischer Kräfte fixiert werden. Nach dem Vereinzeln können die Halbleiterchips auf dem Hilfsträger in einer geometrischen Ordnung, beispielsweise in einer matrixförmigen Struktur, vorliegen. Die weitere Verarbeitung der Halbleiterchips wird dadurch vereinfacht.
Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Anmeldung wird ein Halbleiterchip angegeben. Der Halbleiterchip ist insbesondere mit einem hier beschriebenen Verfahren herstellbar, so dass sämtliche für das Verfahren offenbarten Merkmale auch für den Halbleiterchip offenbart sind und umgekehrt.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem zweiten Aspekt weist der Halbleiterchip einen Halbleiterkörper, einen Trägerkörper und eine funktionale Schicht auf, die in einer vertikalen Richtung aufeinander angeordnet sind, sowie eine Schutzschicht, die an zumindest einer Seitenfläche des Halbleiterchips angeordnet ist. Die funktionale Schicht weist an zumindest einer Seitenfläche des Halbleiterchips Spuren eines Materialabtrags durch kohärente Strahlung auf. Zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips kann auf eine Strukturierung der funktionalen Schicht vor dem Durchtrennen mittels kohärenter Strahlung verzichtet werden. Bei dem Merkmal, wonach die funktionale Schicht an einer Seitenfläche des Halbleiterchips Spuren eines Materialabtrags durch kohärente Strahlung aufweist, handelt es sich um ein gegenständliches Merkmal, das mit Analysemethoden der Halbleitertechnik am fertigen Halbleiterchip eindeutig nachweisbar ist. Zum Beispiel sind diese Spuren eindeutig von Spuren unterscheidbar, die durch Sägen, Brechen, Ätzen oder andere Trenntechniken erzeugbar sind. Es handelt sich bei dem genannten Merkmal also insbesondere nicht um ein Verfahrensmerkmal.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem zweiten Aspekt ist die funktionale Schicht an der die Spuren aufweisenden zumindest einen Seitenfläche des Halbleiterchips von der Schutzschicht bedeckt. Durch die Schutzschicht wird insbesondere dazu beigetragen, die funktionale Schicht vor äußeren Einflussfaktoren wie Feuchte oder Schadgasen zu schützen. In vorteilhafter Weise wird so zu einer langlebig zuverlässigen Funktion der einzelnen Halbleiterchips beigetragen. Die Schutzschicht kann beispielsweise eines der folgenden Materialien enthalten oder aus einem der folgenden Materialien bestehen: Octafluorcyclobutan, Tetrafluormethan, Siliciumdioxid, Tantalpentoxid, Aluminiumoxid, Siliciumnitrid, Titan(IV)-oxid.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem zweiten Aspekt ist die funktionale Schicht zwischen dem Trägerkörper und dem Halbleiterkörper angeordnet. Die funktionale Schicht oder eine Teilschicht davon kann beispielsweise als eine Verbindungsschicht für eine stoffschlüssige Verbindung zwischen dem Halbleiterkörper und dem Trägerkörper ausgebildet sein. Bei einer stoffschlüssigen Verbindung werden die, bevorzugt vorgefertigten, Verbindungspartner mittels atomarer und/oder molekularer Kräfte zusammengehalten. Eine stoffschlüssige Verbindung kann beispielsweise mittels eines Verbindungsmittels, etwa eines Klebemittels oder eines Lots, erzielt werden. In der Regel geht eine Trennung der Verbindung mit einer Zerstörung des Verbindungsmittels und/oder zumindest eines der Verbindungspartner einher. Beispielsweise ist der Halbleiterchip als ein Dünnfilm-Halbleiterchip ausgebildet, bei dem ein Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterkörpers entfernt ist und der Trägerkörper den Halbleiterkörper mechanisch stabilisiert.
In zumindest einer Ausführungsform gemäß dem zweiten Aspekt weist der Halbleiterchip eine weitere funktionale Schicht auf, die auf einer dem Halbleiterkörper abgewandten Seite des Trägerkörpers angeordnet ist. Die weitere funktionale Schicht weist an zumindest einer Seitenfläche des Halbleiterchips beispielsweise Spuren eines Materialabtrags durch kohärente Strahlung, oder eine Bruchkante in Folge von mechanischer Belastung auf. Die weitere funktionale Schicht kann beispielsweise als ein trägerseitiger elektrischer Kontakt für die externe elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips ausgebildet sein.
Weitere Merkmale, Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren.
Es zeigen:
1a bis 1d ein erstes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips anhand von jeweils in schematischer Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten;
2a bis 2d ein zweites Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips anhand von jeweils in schematischer Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten;
3a bis 3e ein drittes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips anhand von jeweils in schematischer Schnittansicht dargestellten Zwischenschritten;
4a und 4b ein alternatives Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips anhand von jeweils in schematischer Schnittansicht dargestellten Zwischenschritte; und
5a und 5b schematische Darstellung jeweils eines vereinzelten Halbleiterchips.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente und insbesondere Schichtdicken zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
Ein erstes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips ist anhand der 1a bis 1d jeweils in schematischer Schnittansicht gezeigt. Wie in 1a dargestellt, wird ein Verbund 1 bereitgestellt, der für eine Vereinzelung in eine Mehrzahl von Halbleiterchips 10 vorgesehen ist. Beispielsweise sind die Halbleiterchips 10 optoelektronische Halbleiterchips, mit einem zur Erzeugung und/oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (in den Figuren zur vereinfachten Darstellung nicht explizit gezeigt). In dem in 1a dargestellten Ausführungsbeispiel umfasst der Verbund 1 eine Halbleiterschichtenfolge 2, die mittels Mesa-Gräben 25 in eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern 20 unterteilt ist. Die Halbleiterschichtenfolge 2 weist beispielsweise eine Dicke zwischen einschließlich 1 µm und einschließlich 20 µm auf. In diesem Ausführungsbeispiel weist die Halbleiterschichtenfolge 2 insbesondere eine Dicke zwischen einschließlich 7 µm bis einschließlich 8 µm auf. Die Halbleiterschichtenfolge 2, insbesondere der aktive Bereich, enthält beispielsweise eines der im allgemeinen Teil der Beschreibung genannten Verbindungs-Halbleitermaterialien. Die Halbleiterschichtenfolge 2 ist auf einem Träger 4 angeordnet. Der Träger 4 enthält beispielsweise ein Halbleitermaterial, etwa Silicium oder Germanium. Auch ein anderes Halbleitermaterial wie Galliumphosphid oder Galliumarsenid kann Anwendung finden.
Zwischen der Halbleiterschichtenfolge 2 und dem Träger 4 ist eine funktionale Schicht 3 angeordnet. Die funktionale Schicht 3 enthält beispielsweise eine Verbindungsschicht, mit der die Halbleiterschichtenfolge 2 stoffschlüssig an dem Träger 4 befestigt ist, etwa eine Lotschicht oder eine elektrisch leitfähige Klebeschicht. Die funktionale Schicht 3 kann weiterhin eine Teilschicht aufweisen, die als metallische Spiegelschicht für die in den Halbleiterkörpern 20 zu erzeugende oder zu absorbierende Strahlung vorgesehen ist. Die funktionale Schicht 3 kann beispielsweise ferner eine Schicht zur elektrischen Kontaktierung oder zur Stromaufweitung umfassen. Beispielsweise enthält die Spiegelschicht Silber. Alternativ oder ergänzend kann die funktionale Schicht 3 auch eine dielektrische Schicht umfassen.
Der Verbund 1 ist für die Herstellung von Dünnfilm-Halbleiterchips, insbesondere Dünnfilm-Lumineszenzdiodenchips ausgebildet. Ein Aufwachssubstrat für die epitaktische Abscheidung der Halbleiterschichtenfolge 2 ist in dem in 1a gezeigten Stadium bereits entfernt. Der Träger 4 stabilisiert die Halbleiterschichtenfolge mechanisch.
In einer vertikalen Richtung erstreckt sich der Verbund 1 zwischen einer ersten Hauptfläche 11 und einer zweiten Hauptfläche 12. Die erste Hauptfläche 11 ist durch die Halbleiterschichtenfolge 2 gebildet. Auf der Halbleiterschichtenfolge 2 können davon abweichend jedoch eine oder mehrere Schichten angeordnet sein, beispielsweise eine Passivierungsschicht und/oder eine Schicht zur elektrischen Kontaktierung oder zur Stromaufweitung.
Der Verbund 1 ist mit der zweiten Hauptfläche 12 an einem Hilfsträger 6 befestigt. Der Hilfsträger 6 kann beispielsweise eine auf einen Rahmen gespannte Folie sein. Alternativ kann der Hilfsträger 6 auch ein starrer Träger oder eine Vorrichtung sein, in der der Verbund 1 und insbesondere die später vereinzelten Halbleiterchips 10 mittels Unterdrucks oder mittels elektrostatischer Kräfte fixiert sind. Mittels des Hilfsträgers 6 können die vereinzelten Halbleiterchips 10 in geometrischer Ordnung, beispielsweise matrixförmig vorliegen. Dadurch wird die weitere Verarbeitung vereinfacht.
Wie in 1b dargestellt, wird der Verbund 1 von der ersten Hauptfläche 11 her entlang eines Vereinzelungsmusters 15 mit kohärenter Strahlung 7, beispielsweise Laserstrahlung mit Pulsdauern im Pikosekunden-Bereich beaufschlagt. Bevorzugt weist die kohärente Strahlung 7 eine Pulsdauer von höchstens 100 ps, bevorzugt höchstens 10 ps auf.
Das Vereinzelungsmuster 15 kann beispielsweise eine Gitterstruktur mit ersten Vereinzelungslinien entlang einer ersten Richtung und mit zweiten Vereinzelungslinien, die schräg oder senkrecht zu den ersten Vereinzelungslinien verlaufen, aufweisen. Die Vereinzelungsmuster 15 können aber auch zumindest bereichsweise gekrümmt verlaufen oder so ausgebildet sein, dass die vereinzelten Halbleiterchips 10 in Draufsicht eine Grundform mit mehr als vier Ecken, beispielsweise eine hexagonale Grundform aufweisen.
Das Vereinzelungsmuster 15 verläuft in diesem Ausführungsbeispiel entlang der Mesa-Gräben 25. Davon abweichend ist auch denkbar, dass die Halbleiterschichtenfolge 2 und die funktionale Schicht 3 in einem gemeinsamen Fertigungsschritt mittels kohärenter Strahlung 7 durchtrennt werden.
Aufgrund der geringen Materialselektivität des Abtrags mittels kohärenter Strahlung 7, insbesondere bei Lasern im Pulsbetrieb im Pikosekunden-Bereich, erfolgt das Durchtrennen der funktionalen Schicht 3 weitgehend unabhängig von der Materialzusammensetzung der funktionalen Schicht 3 oder deren Teilschichten. Auch in lateraler Richtung über den Verbund 1 auftretende Schwankungen der Materialzusammensetzung, beispielsweise Schwankungen in den Legierungs- beziehungsweise Lotbestandteilen oder in der Phasenverteilung in der Verbindungsschicht führen zu keinem ungewollten inhomogenen Materialabtrag der funktionalen Schicht 3. Der Materialabtrag kann durch Einstellung der Parameter des Lasers, insbesondere der Wellenlänge, der Pulsdauer, der Frequenz und der Pulsform sowie durch die weiteren Verfahrensparameter wie insbesondere die Strahlkaustik, die Strahlgeometrie, die Vorschubgeschwindigkeit und die optische Leistung gesteuert werden.
Beim Durchtrennen von Verbunden 1, die sich in der Zusammensetzung der funktionalen Schicht 3 vergleichsweise stark unterscheiden, kann eine einfache Anpassung dieses Laserablationsprozesses ohne großen Entwicklungsaufwand schnell auf die geänderten Bedingungen angepasst werden.
Von dem beschriebenen Ausführungsbeispiel abweichend kann der Verbund 1 an dem Hilfsträger 6 auch erst befestigt werden, nachdem die funktionale Schicht 3 bereits durchtrennt ist. Weiterhin ist auch denkbar, dass die einzelnen Schritte auf verschiedenen Hilfsträgern erfolgen. Hierfür können ein oder mehrere Aufklebe- oder Umklebeschritte durchgeführt werden. Ein als Folie ausgeführter Hilfsträger 6 kann zwischen zwei Schritten erforderlichenfalls expandiert werden.
Der Verbund 1 mit teilweise durchtrennter funktionaler Schicht 3 ist ebenfalls in 1b gezeigt. Nachfolgend werden entlang des Vereinzelungsmusters 15 Trenngräben 45 in dem Träger 4 ausgebildet. Die so vereinzelten Halbleiterchips 10, die jeweils einen Halbleiterkörper 20 und einen aus dem Träger 4 hervorgehenden Trägerkörper 40 aufweisen, sind in 1c gezeigt.
Das Ausbilden der Trenngräben 45 erfolgt vorzugsweise mittels eines chemischen Verfahrens, insbesondere mittels eines trockenchemischen Verfahrens wie einem Plasma-Trennverfahren. Beispielsweise kann ein ICP(inductively coupled plasma)-Trennverfahren oder reaktives Ionentiefenätzen Anwendung finden. Mit einem solchen Verfahren können insbesondere Halbleitermaterialien wie Silicium und Germanium mit hohen Abtragraten entfernt werden. Die so entstehenden Trenngräben 45 erstrecken sich in vertikaler Richtung vollständig durch den Träger 4 hindurch, sodass die Halbleiterchips 10 nur noch über den Hilfsträger 6 miteinander verbunden sind.
In diesem Ausführungsbeispiel wird also erst die funktionale Schicht 3 mittels kohärenter Strahlung entfernt, bevor die Trenngräben 45 von derselben Seite des Verbunds her ausgebildet werden. Die funktionale Schicht 3 kann hierbei als Maske für das Ausbilden der Trenngräben 45 dienen. Auf eine Maske beim Ausbilden der Trenngräben 45 kann also verzichtet werden. Davon abweichend ist aber auch denkbar, dass auf der weiteren funktionalen Schicht 3 eine Maske oder eine Maskenschicht vorgesehen ist.
Das beschriebene Trennverfahren vereinigt die geringe Materialselektivität und die dadurch erreichbaren hohen Abtragraten für dielektrisches Material und metallisches Material eines Laserablationsverfahrens mit den hohen Abtragraten eines chemischen Trennverfahrens, insbesondere eines Plasma-Verfahrens, für Halbleitermaterialien. Es hat sich herausgestellt, dass sich ein derartiges zweistufiges Verfahren insgesamt durch eine besonders hohe Zuverlässigkeit und durch hohe Durchsatzraten auszeichnet.
Insbesondere ist das Verfahren besonders wenig empfindlich gegenüber Prozessschwankungen in den vorgelagerten Schritten zur Herstellung des Verbunds 1, beispielsweise im Hinblick auf Schwankungen in der Schichtdicke der funktionalen Schicht 3. Zudem kann das Verfahren vereinfacht automatisiert werden, beispielsweise durch einen Kassette-zu-Kassette-Prozess.
Das beschriebene Verfahren ist weitgehend unabhängig von der konkreten Ausgestaltung der aus einem Verbund 1 zu vereinzelnden Halbleiterchips 10. Beispielsweise können die Halbleiterchips 10 auch zwei vorderseitige oder zwei rückseitige Kontakte aufweisen. Weiterhin können auf der Halbleiterschichtenfolge 2 beziehungsweise dem Halbleiterkörper 20 eine oder mehrere weitere Schichten angeordnet sein, beispielsweise eine Passivierungsschicht, etwa eine Oxidschicht oder eine Nitridschicht, und/oder eine ein TCO(Transparent Conductive Oxide)-Material enthaltende Schicht und/oder eine einen zur Strahlungskonversion vorgesehenen Leuchtstoff enthaltende Schicht.
In diesem Ausführungsbeispiel umfasst das chemische Verfahren Ätz- und Passivierungsschritte, die alternierend durchgeführt werden, bis die Trenngräben 45 sich vollständig durch den Träger 4 erstrecken. Der Verbund 1 kann in diesem Zusammenhang zunächst mit einem Schutzlack (nicht dargestellt) bedeckt werden, beispielsweise einer Polyvinylalkohol-Schicht, die insbesondere die Halbleiterschichtenfolge 2 vor den anschließenden Ätz- und Passivierungsschritten schützt. Der Schutzlack wird insbesondere vor dem Durchtrennen der funktionalen Schicht 3 aufgebracht.
In einem Passivierungsschritt des chemischen Verfahrens wird insbesondere im Bereich der Trenngräben 45 ein Gasgemisch eingeleitet, das beispielsweise Octafluorcyclobutan (C₄F₈) oder Tetrafluormethan (CF₄/H₂) umfasst, welches aktiviert durch Plasma in dem chemischen Verfahren eine Polymer-Passivierungsschicht an den Seitenflächen der Trenngräben 45 bildet. Anschließend werden Ätz- und Passivierungsschritte alternierend durchgeführt.
Bei Erreichen einer vorgegebenen Tiefe der Trenngräben 45, insbesondere wenn sich die Trenngräben 45 vollständig durch den Träger 4 erstrecken, wird ein Passivierungsschritt durchgeführt, dem kein weiterer Ätzschritt folgt. Die zuletzt aufgebrachte Passivierungsschicht bedeckt in diesem Stadium die Seitenflächen der Trenngräben 45, der funktionalen Schicht 3 und der Halbleiterschichtenfolge 2, sowie die erste Hauptfläche 11 des Verbunds 1. Durch Entfernen des Schutzlacks kann die Passivierungsschicht gezielt so entfernt werden, dass zumindest die funktionale Schicht 3 weiterhin vollständig von einem Teil der Passivierungsschicht als Schutzschicht 5 bedeckt bleibt. Zum Aufbringen der Schutzschicht 5 ist folglich kein weiterer Verfahrensschritt nötig.
In anderen Ausführungsbeispielen kann die Schutzschicht 5 alternativ in einem separaten Schritt aufgebracht werden. Beispielsweise erfolgt eine Schlussverkapselung der Halbleiterchips 10 mit einer Siliciumdioxid-(SiO₂) oder Tantalpentoxidschicht (Ta₂O₅). In diesem Zusammenhang ist denkbar, dass hierfür ein oder mehrere Aufklebe- oder Umklebeschritte durchgeführt werden. Beispielsweise werden der Verbund 1 bzw. die vereinzelten Halbleiterchips 10 auf dem Hilfsträger 6 dazu einer separaten Anlage zugeführt.
Das in den 2a bis 2d dargestellte zweite Ausführungsbeispiel und das in den 3a bis 3e dargestellte dritte Ausführungsbeispiel unterscheiden sich von dem im Zusammenhang mit den 1a bis 1d beschriebenen ersten Ausführungsbeispiel insbesondere dadurch, dass der Verbund 1 eine weitere funktionale Schicht 35 aufweist, die auf einer der funktionalen Schicht 3 abgewandten Seite des Trägers 4 angeordnet ist. Die weitere funktionale Schicht 35 kann wie im Zusammenhang mit der funktionalen Schicht 3 beschrieben ausgeführt sein. Beispielsweise ist die weitere funktionale Schicht 35 als ein trägerseitiger elektrischer Kontakt für die externe elektrische Kontaktierung des Halbleiterchips 10 ausgebildet.
In dem zweiten Ausführungsbeispiel wird der Verbund 1 mit der entlang des Vereinzelungsmusters 15 bereits vereinzelten weiteren funktionalen Schicht 35 bereitgestellt (2a).
In dem dritten Ausführungsbeispiel wird der Verbund 1 mit der als durchgängige Schicht ausgebildeten weiteren funktionalen Schicht 35 bereitgestellt (3a). Wie in 3e gezeigt wird die weitere funktionale Schicht 35 erst im Anschluss an das Aufbringen der Schutzschicht 5 durchtrennt, insbesondere mittels kohärenter Strahlung oder mechanischer Belastung, wie beispielsweise durch einen Flüssigkeitsstrahl 8.
In einem alternativen Herstellungsverfahren (4a und 4b) wird ein Verbund 401 von einer ersten Hauptfläche 411 her entlang eines Vereinzelungsmusters 415 mit kohärenter Strahlung 407, beispielsweise Laserstrahlung mit Pulsdauern Nanosekunden-Bereich beaufschlagt. Eine Leistungsabgabe der Strahlungsquelle ist dabei so hoch, dass ein Teilbereich des Verbunds 401 entlang des Vereinzelungsmusters 415 zu einer Schlacke verschmilzt, die eine Schutzschicht 405 bildet. Die Schutzschicht 405 trägt dazu bei, dass eine funktionale Schicht 403 vor äußeren Einflüsse wie Feuchte oder Schadgasen weitestgehend geschützt ist. Die Schutzschicht 405 kann sich dabei in vertikaler Richtung über die funktionale Schicht 403 hinaus erstrecken.
5a zeigt eine schematische Darstellung eines vereinzelten Halbleiterchips 10, der beispielsweise durch eines der in den Ausführungsbeispielen beschriebenen Verfahren hergestellt ist. Der Trägerkörper 40 weist eine für einen chemischen Materialabtrag typische rillenförmige Struktur auf. Die funktionale Schicht 3, in diesem Ausführungsbeispiel eine Metallschicht, zeigt die für einen Materialabtrag durch kohärente Strahlung 7 typischen Spuren 30.
5b zeigt eine schematische Darstellung eines vereinzelten Halbleiterchips 410, der beispielsweise nach dem in den 4a und 4b beschriebenen Verfahren hergestellt ist. Der Trägerkörper 440 ist an der Seitenfläche 4101 mit der für Materialabtrag mittels kohärenter Strahlung 407 mit Pulsdauern im Nanosekunden-Bereich typischen Schlacke als Schutzschicht 405 überzogen.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10) mit den Schritten: a) Bereitstellen eines Verbunds (1), der einen Träger (4), eine Halbleiterschichtenfolge (2) und eine funktionale Schicht (3) aufweist; b) Durchtrennen der funktionalen Schicht (3) mittels kohärenter Strahlung (7) entlang eines Vereinzelungsmusters (15); c) Ausbilden von Trenngräben (45) in dem Träger (4) entlang des Vereinzelungsmusters (15); und d) Aufbringen einer die funktionale Schicht (3) zu den Trenngräben (45) hin begrenzenden Schutzschicht (5) an jeweils zumindest einer Seitenfläche (101) der zu vereinzelnden Halbleiterchips (10); wobei die vereinzelten Halbleiterchips (10) jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge (2), des Trägers (4) und der funktionalen Schicht (3) aufweisen.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die funktionale Schicht (3) eine metallische Schicht und/oder eine dielektrische Schicht aufweist.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Träger (4) ein Halbleitermaterial enthält.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die funktionale Schicht (3) zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und dem Träger (4) angeordnet ist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei sich die funktionale Schicht (3) vor Schritt b) vollflächig über den Verbund (1) erstreckt.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Trenngräben (45) mittels eines chemischen Verfahrens ausgebildet werden.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei die Schutzschicht (5) eine Passivierungsschicht des chemischen Verfahrens ist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Schutzschicht (5) zumindest eines der folgenden Materialien enthält oder aus einem der folgenden Materialien besteht: Octafluorcyclobutan, Tetrafluormethan, Siliciumdioxid, Tantalpentoxid, Aluminiumoxid, Siliciumnitrid, Titan(IV)-oxid.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei sich die Trenngräben (45) nach Schritt c) vollständig durch den Träger (4) hindurch erstrecken.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei Schritt c) nach Schritt b) durchgeführt wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei Schritt d) nach Schritt c) durchgeführt wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Verbund (1) vor dem Vereinzeln an einem Hilfsträger (6) befestigt wird und die Halbleiterchips (10) nach dem Vereinzeln in einer geometrischen Ordnung auf dem Hilfsträger (6) vorliegen.
Halbleiterchip (10) mit einem Halbleiterkörper (20), einem Trägerkörper (40), und einer funktionalen Schicht (3), die in einer vertikalen Richtung aufeinander angeordnet sind, sowie einer Schutzschicht (5), die an zumindest einer Seitenfläche (101) des Halbleiterchips (10) angeordnet ist, wobei die funktionale Schicht (3) an zumindest einer Seitenfläche (101) des Halbleiterchips (10) Spuren (30) eines Materialabtrags durch kohärente Strahlung (7) aufweist.
Halbleiterchip (10) nach Anspruch 13, bei dem die funktionale Schicht (3) an der die Spuren (30) aufweisenden zumindest einen Seitenfläche (101) des Halbleiterchips (10) von der Schutzschicht (5) bedeckt ist.
Halbleiterchip (10) nach Anspruch 13 oder 14, bei dem die funktionale Schicht (3) zwischen dem Trägerkörper (40) und dem Halbleiterkörper (20) angeordnet ist.