DE112018002299A5 - Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips - Google Patents

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017104752B4 (de) * 2017-03-07 2022-10-13 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Übertragen von Halbleiterkörpern und Halbleiterchip
DE102020103433A1 (de) * 2020-02-11 2021-08-12 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische Vorrichtung und Verfahren
DE102021112359A1 (de) 2021-05-12 2022-11-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische leuchtvorrichtung
DE102022129074A1 (de) 2022-11-03 2024-05-08 Valeo Detection Systems GmbH Aktives optisches Sensorsystem mit Wärmeabfuhr

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007050328A (ja) * 2005-08-17 2007-03-01 Land Creative:Kk 汚染土壌浄化方法
TW200847489A (en) * 2007-02-27 2008-12-01 Kyocera Corp Light-emitting device
US20090154137A1 (en) * 2007-12-14 2009-06-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Illumination Device Including Collimating Optics
GB0801509D0 (en) * 2008-01-28 2008-03-05 Photonstar Led Ltd Light emitting system with optically transparent thermally conductive element
JP4799606B2 (ja) * 2008-12-08 2011-10-26 株式会社東芝 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
JP2011155188A (ja) * 2010-01-28 2011-08-11 Konica Minolta Opto Inc 発光ダイオードユニットの製造方法
WO2011093454A1 (ja) * 2010-01-29 2011-08-04 シチズン電子株式会社 発光装置の製造方法及び発光装置
JP2012138454A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2012195402A (ja) * 2011-03-16 2012-10-11 Toshiba Corp 半導体発光装置の製造方法
DE102011056220A1 (de) * 2011-12-09 2013-06-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
JP2013247301A (ja) * 2012-05-28 2013-12-09 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
EP2940743A4 (de) * 2012-12-28 2016-07-27 Konica Minolta Inc Lichtemittierende vorrichtung
JP2014143344A (ja) * 2013-01-25 2014-08-07 Mitsubishi Chemicals Corp 波長変換部材及びこれを用いた半導体発光装置
JP2014207436A (ja) * 2013-03-18 2014-10-30 日本碍子株式会社 波長変換体
JP6249699B2 (ja) * 2013-09-20 2017-12-20 シチズン時計株式会社 Led発光装置
WO2015121089A1 (en) * 2014-02-11 2015-08-20 Koninklijke Philips N.V. A wavelength converting element, a light emitting module and a luminaire
JP2015211158A (ja) * 2014-04-28 2015-11-24 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP6515515B2 (ja) * 2014-12-11 2019-05-22 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造法
DE102015111910A1 (de) * 2015-07-22 2017-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, Verbund von optoelektronischen Bauelementen und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP2017025215A (ja) * 2015-07-23 2017-02-02 コニカミノルタ株式会社 高比重粒子分散用溶液、及びこれを含む蛍光体粒子分散液、並びに発光装置、及びその製造方法

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