DE112013003761A5 - Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip - Google Patents

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014102029A1 (de) * 2014-02-18 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement
DE102014116935A1 (de) 2014-11-19 2016-05-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
DE102015100578A1 (de) * 2015-01-15 2016-07-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
DE102015111046B9 (de) * 2015-07-08 2022-09-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip
JP6665466B2 (ja) 2015-09-26 2020-03-13 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
DE102015116865A1 (de) * 2015-10-05 2017-04-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips und Halbleiterchip
TWI648870B (zh) * 2016-12-09 2019-01-21 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 發光二極體晶片
US10770440B2 (en) * 2017-03-15 2020-09-08 Globalfoundries Inc. Micro-LED display assembly

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3128811B2 (ja) * 1990-08-07 2001-01-29 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
JP3724110B2 (ja) * 1997-04-24 2005-12-07 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
US6242327B1 (en) * 1997-09-19 2001-06-05 Fujitsu Limited Compound semiconductor device having a reduced source resistance
US20040224504A1 (en) * 2000-06-23 2004-11-11 Gadgil Prasad N. Apparatus and method for plasma enhanced monolayer processing
US7233028B2 (en) 2001-02-23 2007-06-19 Nitronex Corporation Gallium nitride material devices and methods of forming the same
DE102007022947B4 (de) 2007-04-26 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102008011848A1 (de) * 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102009032486A1 (de) 2009-07-09 2011-01-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
CN102576789B (zh) 2009-09-20 2016-08-24 维亚甘有限公司 电子器件的晶片级封装
TWI403003B (zh) 2009-10-02 2013-07-21 Chi Mei Lighting Tech Corp 發光二極體及其製造方法
US20110198609A1 (en) * 2010-02-12 2011-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light-Emitting Devices with Through-Substrate Via Connections
KR101252032B1 (ko) * 2010-07-08 2013-04-10 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
US8901586B2 (en) 2010-07-12 2014-12-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same

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