DE112015002754A5 - Optoelektronisches Halbleiterbauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements sowie Lichtquelle mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement - Google Patents

Optoelektronisches Halbleiterbauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements sowie Lichtquelle mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement Download PDF

Info

Publication number
DE112015002754A5
DE112015002754A5 DE112015002754.8T DE112015002754T DE112015002754A5 DE 112015002754 A5 DE112015002754 A5 DE 112015002754A5 DE 112015002754 T DE112015002754 T DE 112015002754T DE 112015002754 A5 DE112015002754 A5 DE 112015002754A5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor component
optoelectronic semiconductor
producing
light source
optoelectronic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE112015002754.8T
Other languages
English (en)
Other versions
DE112015002754B4 (de
Inventor
Norwin Von Malm
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of DE112015002754A5 publication Critical patent/DE112015002754A5/de
Application granted granted Critical
Publication of DE112015002754B4 publication Critical patent/DE112015002754B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
DE112015002754.8T 2014-06-12 2015-06-11 Optoelektronisches Halbleiterbauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements sowie Lichtquelle mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement Active DE112015002754B4 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014108282.6 2014-06-12
DE102014108282.6A DE102014108282A1 (de) 2014-06-12 2014-06-12 Optoelektronisches Halbleiterbauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements sowie Lichtquelle mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement
PCT/EP2015/063093 WO2015189347A1 (de) 2014-06-12 2015-06-11 Optoelektronisches halbleiterbauelement, verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements sowie lichtquelle mit einem optoelektronischen halbleiterbauelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE112015002754A5 true DE112015002754A5 (de) 2017-04-06
DE112015002754B4 DE112015002754B4 (de) 2021-12-09

Family

ID=53404539

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014108282.6A Withdrawn DE102014108282A1 (de) 2014-06-12 2014-06-12 Optoelektronisches Halbleiterbauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements sowie Lichtquelle mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement
DE112015002754.8T Active DE112015002754B4 (de) 2014-06-12 2015-06-11 Optoelektronisches Halbleiterbauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements sowie Lichtquelle mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014108282.6A Withdrawn DE102014108282A1 (de) 2014-06-12 2014-06-12 Optoelektronisches Halbleiterbauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements sowie Lichtquelle mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10505085B2 (de)
JP (1) JP6420372B2 (de)
CN (1) CN106415862B (de)
DE (2) DE102014108282A1 (de)
WO (1) WO2015189347A1 (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10627672B2 (en) * 2015-09-22 2020-04-21 Samsung Electronics Co., Ltd. LED package, backlight unit and illumination device including same, and liquid crystal display including backlight unit
EP3491678B1 (de) * 2016-07-28 2021-03-03 Lumileds LLC Led-verpackung in chipgrösse mit metallisch reflektierender seitenbeschichtung auf der seite des transparenten substrats
US10193043B2 (en) 2016-07-28 2019-01-29 Lumileds Llc Light emitting device package with reflective side coating
DE102017101729A1 (de) * 2017-01-30 2018-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
DE102018111637A1 (de) * 2018-01-26 2019-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer halbleiterchip, verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
DE102018105908A1 (de) 2018-03-14 2019-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
DE102018111595A1 (de) 2018-05-15 2019-11-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
WO2021166785A1 (ja) * 2020-02-19 2021-08-26 ソニーグループ株式会社 発光素子、発光素子アレイ及び表示装置
DE102021123531A1 (de) * 2021-09-10 2023-03-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische leuchtvorrichtung und verfahren zur herstellung

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS612690A (ja) 1984-06-13 1986-01-08 日立建機株式会社 トロリ−走行式クレ−ン
JPH0612690A (ja) * 1992-06-30 1994-01-21 Mitsubishi Electric Corp 光ディスク装置のフォーカスサーボ系のゲイン調整装置及びゲイン調整方法
US6812503B2 (en) * 2001-11-29 2004-11-02 Highlink Technology Corporation Light-emitting device with improved reliability
JP2003297554A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子およびこれを用いた表示装置並びに照明装置
JP2004131768A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 樹脂薄膜の蒸着装置
JP2005158957A (ja) 2003-11-25 2005-06-16 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2004349646A (ja) 2003-05-26 2004-12-09 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
DE10335443B4 (de) 2003-07-31 2007-08-02 Humboldt-Universität Zu Berlin Quantentopfstruktur
JP4366161B2 (ja) * 2003-09-19 2009-11-18 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
WO2005106973A1 (ja) 2004-04-27 2005-11-10 Kyocera Corporation 発光素子用配線基板
JP2006066409A (ja) * 2004-07-28 2006-03-09 Kyocera Corp 発光素子用配線基板および発光装置ならびに発光素子用配線基板の製造方法
JP2006093672A (ja) 2004-08-26 2006-04-06 Toshiba Corp 半導体発光装置
KR100674858B1 (ko) * 2005-07-07 2007-01-29 삼성전기주식회사 백색 발광소자
DE102005058141A1 (de) 2005-12-06 2007-07-12 Schaeffler Kg Wälzlager mit Heizelement
JP2007273498A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Kyocera Corp 波長変換器および発光装置
JP2008056967A (ja) * 2006-08-30 2008-03-13 Konica Minolta Holdings Inc ガスバリア性樹脂基材および有機エレクトロルミネッセンスデバイス
TWI481064B (zh) 2007-02-13 2015-04-11 3M Innovative Properties Co 具有透鏡之發光二極體裝置及其製造方法
JP2007214592A (ja) 2007-04-26 2007-08-23 Kyocera Corp 発光装置
DE102007049005A1 (de) 2007-09-11 2009-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
TWI438953B (zh) 2008-01-30 2014-05-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh 電子組件之製造方法及電子組件
CN101577301B (zh) * 2008-09-05 2011-12-21 佛山市国星光电股份有限公司 白光led的封装方法及使用该方法制作的led器件
KR101018111B1 (ko) * 2008-10-07 2011-02-25 삼성엘이디 주식회사 양자점-금속산화물 복합체, 양자점-금속산화물 복합체의 제조방법 및 양자점-금속산화물 복합체를 포함하는 발광장치
DE102009004724A1 (de) 2009-01-15 2010-07-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils und optoelektronisches Bauteil
JP2010177375A (ja) 2009-01-28 2010-08-12 Citizen Electronics Co Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
DE102009024411A1 (de) 2009-03-24 2010-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnschichtverkapselung für ein optoelektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauelement
JP5500927B2 (ja) * 2009-09-29 2014-05-21 シチズン電子株式会社 発光装置の製造方法
JP5389617B2 (ja) * 2009-11-18 2014-01-15 株式会社朝日ラバー 発光装置
JP2011249729A (ja) * 2010-05-31 2011-12-08 Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd 光素子搭載用基板および光素子搭載パッケージ
JP2012015466A (ja) * 2010-07-05 2012-01-19 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
CN102376855B (zh) * 2010-08-09 2015-08-19 Lg伊诺特有限公司 发光器件和具有发光器件的照明系统
TW201212303A (en) 2010-09-03 2012-03-16 Delta Electronics Inc LED packaging structure and packaging method thereof
DE102010055265A1 (de) * 2010-12-20 2012-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US8987022B2 (en) * 2011-01-17 2015-03-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package and method of manufacturing the same
EP2669350B1 (de) * 2011-01-28 2018-11-07 Showa Denko K.K. Zusammensetzung mit einem körper mit fluoreszierenden quantenpunkten, formkörper aus einem dispersionsharz aus dem körper mit fluoreszierenden quantenpunkten, struktur mit dem körper mit fluoreszierenden quantenpunkten, lichtemittierende vorrichtung, elektronische vorrichtung, mechanische vorrichtung und verfahren zur herstellung eines formkörpers aus dem dispersionsharz aus dem körper mit fluoreszierenden quantenpunkten
JPWO2012132236A1 (ja) * 2011-03-31 2014-07-24 パナソニック株式会社 半導体発光素子および発光装置
DE102011016935A1 (de) * 2011-04-13 2012-10-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements und Licht emittierendes Halbleiterbauelement
DE102011050450A1 (de) * 2011-05-18 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US8579451B2 (en) * 2011-09-15 2013-11-12 Osram Sylvania Inc. LED lamp
JP2013080820A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Kaneka Corp 樹脂成形体および発光装置
KR101686572B1 (ko) * 2011-10-21 2016-12-15 삼성전자 주식회사 발광 소자
JP5146584B2 (ja) * 2011-10-28 2013-02-20 大日本印刷株式会社 有機薄膜太陽電池
DE102012200327B4 (de) 2012-01-11 2022-01-05 Osram Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102012101412A1 (de) * 2012-01-23 2013-07-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102012110668A1 (de) 2012-11-07 2014-05-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konvertermaterial, Verfahren zur Herstellung eines Konvertermaterials und optoelektronisches Bauelement
KR20150119179A (ko) * 2013-02-11 2015-10-23 코닌클리케 필립스 엔.브이. 파장 변환 재료의 기밀 밀봉을 가지는 led 모듈
CN104124327B (zh) * 2013-04-26 2017-06-20 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
DE102014105142B4 (de) 2014-04-10 2021-09-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Licht emittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Licht emittierenden Vorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015189347A1 (de) 2015-12-17
DE102014108282A1 (de) 2015-12-17
US20170133561A1 (en) 2017-05-11
CN106415862B (zh) 2019-05-07
JP6420372B2 (ja) 2018-11-07
US10505085B2 (en) 2019-12-10
CN106415862A (zh) 2017-02-15
JP2017523602A (ja) 2017-08-17
DE112015002754B4 (de) 2021-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112016002417A5 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE112015003999A5 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE112016000691A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE112015000814A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils sowie optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112015002754A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements sowie Lichtquelle mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement
DE112014005954A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE112015004073A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112016003199A5 (de) Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung
DE112015005495A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE112014004180A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE112016001544A5 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE112017001393A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE112015000888A5 (de) Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Halbleiterbauteile und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE112014002166A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip
DE112015001999A5 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE112017002058A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE112015004068A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE112016004575A5 (de) Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers
DE112018001984A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE112017000332A5 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE112015003591A5 (de) Elektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement, Bauelementeanordnung und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE112015005127A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE112015002379A5 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips sowie optoelektronischer Halbleiterchip
DE112017002036A5 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
DE112016002493A5 (de) Lichtemittierendes Halbleiterbauelement, lichtemittierendes Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Halbleiterbauelements

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final