DE112013006318T5

DE112013006318T5 - Integration von Signalabtastung innerhalb einer Transistorverstärkerstufe

Info

Publication number: DE112013006318T5
Application number: DE112013006318.2T
Authority: DE
Inventors: Sohrab Emami; James R. Parker
Original assignee: Silicon Image Inc
Current assignee: Qualcomm Inc
Priority date: 2012-12-31
Filing date: 2013-11-19
Publication date: 2015-09-10
Also published as: GB2523917B; CN104885225B; CN104885225A; TW201444273A; TWI601375B; US8928411B2; WO2014105295A1; GB201506761D0; GB2523917A; US20140184341A1

Abstract

Ausführungsbeispiele der Erfindungen sind im Allgemeinen auf die Integration von Signalabtastung innerhalb einer Transistorverstärkerstufe gerichtet. Eine Ausführung einer Vorrichtung weist eine Verstärkerstufe mit einem Transistor zum Empfangen eines Quellsignals und Erzeugen eines Ausgangssignals auf, wobei der Transistor eine Vielzahl von Fingern für mindestens eine erste Elektrode des Transistors aufweist. Die Verstärkerstufe benutzt Verbindungen zu einigen der Finger der ersten Elektrode für die Erzeugung des Ausgangssignals und benutzt einen oder mehrere andere Finger für die erste Elektrode des Transistors für eine von der Erzeugung des Ausgangssignals gesonderte Funktion.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Ausführungsformen der Erfindung beziehen sich im Allgemeinen auf das Gebiet der elektronischen Bauelemente und insbesondere auf die Integration von Signalabtastung innerhalb einer Transistorverstärkerstufe.
HINTERGRUND
Verschiedene Bauelemente oder Komponenten benutzen Signalverläufe, um Signalwerte zu messen oder auf andere Weise Signalbezogene Daten zu erstellen. Zum Beispiel überwacht ein Leistungsdetektor, wie zum Beispiel ein HF(Hochfrequenz)-Leistungsdetektor, einen Signalverlauf und stellt eine der Leistung des Signals entsprechende DC(Gleichspannung)-Ausgangsspannung bereit. Leistungsdetektoren finden weite Verbreitung beim Messen und Steuern von HF-Signalstärken in drahtlosen Systemen. In Sendern ist die Sendeleistungssteuerung entscheidend, um das Einhalten von regulatorischen Richtlinien zu gewährleisten und um die Reichweite und Qualität der Funkverbindung aufrechtzuerhalten. In Empfängern wird die Empfangssignalstärke zur Verstärkungssteuerung in der HF/ZF(RF/IF)-Kette benutzt, um einen für die Analog-Digital-Wandlung und Demodulation geeigneten konstanten Signalpegel aufrecht zu erhalten.
Herkömmliche Verfahren, die zum Erstellen eines Abtastwerts der durch den Leistungsdetektor zu überwachenden HF-Leistung eingesetzt werden, umfassen:

(1) Verwendung von dezidierten Signalketten, die den HF-Signalpfad nachbilden, wobei aber die Abschlusslast oder Antenne durch einen Leistungsdetektor ersetzt wird. Die Implementierung einer dedizierten Signalkette, die den Signalpfad nachbildet, verschwendet jedoch sowohl Leistung während des Betriebs als auch Siliziumfläche eines HF-Verstärkers.
(2) Abtasten (sampling) eines kleinen Teils vom Ausgang des HF-Signalpfads über einen Richtkoppler oder eine kapazitiv gekoppelte Leitung und Übertragen dieses abgetasteten Signals an einen dedizierten Leistungsdetektor. Diese Vorgehensweise verbraucht jedoch auch signifikante Fläche in einem Bauelement für die Kopplungsleitungen und schränkt die Anordnung des Koppelbereichs im Layout von mehrstufigen Verstärkern ein. Weiter kann die Kopplung gegenüber der Impedanzanpassung des Hauptsignalpfads empfindlich sein und/oder diese beeinflussen.

In beiden dieser herkömmlichen Vorgehensweisen wird normalerweise nach Erhalt eines Abtastwerts oder Nachbildung des HF-Signals ein solcher Abtastwert oder Nachbildung einer dedizierten Leistungsdetektorschaltung zur Wandlung in eine Gleichstromspannung zugeführt. Selbst in einer einfachen Implementierung erfordert dies ein zusätzliches Leistungsdetektorbauelement, wie zum Beispiel einen einfachen Diodengleichrichterdetektor oder einen NMOS(N-type Metal Oxid Semiconductor)-Leistungsdetektor und eine Filterschaltung.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Ausführungsformen der Erfindung werden in den Figuren der beigefügten Zeichnungen beispielshalber und nicht einschränkend illustriert, in welchen gleiche Referenzzeichen sich auf ähnliche Elemente beziehen.
1 illustriert einen innerhalb einer Leistungstransistorverstärkungsstufe integrierten Leistungsdetektor gemäß einer Ausführungsform;
2 illustriert eine Layoutrealisierung einer Ausführungsform einer Abgriffssignalabtastung;
3 ist eine Illustration eines Mehrfachfinger-HF-Leistungsbauelementlayouts mit integrierter Signalabtastung gemäß einer Ausführungsform; und
4 ist eine Illustration einer eine integrierte Signalabtastung in einer Leistungsverstärkerstufe aufweisenden Vorrichtung oder Systems.
ZUSAMMENFASSUNG
Ausführungsformen der Erfindung sind im Allgemeinen auf die Integration von Signalabtastung innerhalb einer Transistorverstärkerstufe gerichtet.
Gemäß einem ersten Aspekt der Erfindung weist eine Ausführungsform einer Vorrichtung auf: eine Verstärkerstufe, die einen Transistor zum Empfangen eines Quellsignals und zum Erzeugen eines Ausgangssignals aufweist, wobei der Transistor für zumindest eine erste Elektrode des Transistors Mehrfach-Finger aufweist. Die Verstärkerstufe benutzt Verbindungen zu einer ersten Untermenge der Vielzahl von Fingern der ersten Elektrode zum Erzeugen des Ausgangssignals und benutzt eine zweite Untermenge der Vielzahl von Fingern des Transistors, die einen oder mehrere andere Finger der ersten Elektrode aufweist, für eine von der Erzeugung des Ausgangssignals gesonderten Funktion.
Gemäß einem zweiten Aspekt der Erfindung weist ein Verfahren auf Empfangen einer Signalquelle an einer Verstärkerstufe, wobei die Verstärkerstufe einen Transistor mit einer Vielzahl von Elektroden aufweist, die eine erste Elektrode aufweist, Erzeugen eines Ausgangssignals aus der Verstärkerstufe, wobei das Erzeugen des Ausgangssignals das Erhalten eines Signals von einer ersten Untermenge von Fingern von einer Vielzahl von Fingern der ersten Elektrode aufweist und Durchführen einer Funktion, die von der Erzeugung des Ausgangssignals gesondert ist, wobei das Durchführen der Funktion das Erstellen eines Signals von einer zweiten Untermenge von Fingern der Vielzahl von Fingern der ersten Elektrode aufweist.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Ausführungsformen der Erfindung sind im Allgemeinen auf die Integration von Signalabtastung innerhalb einer Transistorverstärkerstufe gerichtet.
In einigen Ausführungsformen weist eine Vorrichtung eine Verstärkerstufe auf, wobei die Verstärkerstufe einen Transistor zum Empfangen eines Quellsignals und Erzeugen eines Ausgangssignals aufweist, wobei der Transistor für mindestens eine erste Elektrode des Transistors Mehrfach-Finger aufweist und wobei die Verstärkerstufe Verbindungen zu einigen (einer ersten Untermenge) der Finger der ersten Elektrode zum Erzeugen des Ausgangssignals benutzt und einen oder mehrere (eine zweite Untermenge) der Finger für die erste Elektrode des Transistors für eine von der Erzeugung des Ausgangssignals gesonderte Funktion benutzt. In einigen Ausführungsformen können mehrfache Elektroden eines Transistor abgegriffen werden, um Signale an solchen Elektroden zu beeinflussen.
In einigen Ausführungsformen wird ein Teil eines Leistungsverstärkertransistors, wie zum Beispiel der Leistungsverstärker einer HF-Leistungsstufe, benutzt, um ein Abtastwert eines HF-Signals zu erhalten. In einigen Ausführungsformen wirkt der Leistungstransistor gleichzeitig als Leistungsverstärker als auch als ein Teil der Leistungsdetektorschaltung.
Ein Leistungstransistor kann ein NMOS, CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) oder ein Bauelement ähnlicher Technologie aufweisen. In einem Transistor kann ein Signalkettebauelement einen Kamm oder eine Fingerstruktur für die Ausgangselektrode, die den Signalausgang bereitstellt, aufweisen, wobei die Mehrfach-Finger zum Beispiel eine Reduzierung der Länge von Polysilizium durch welche Strom fließen muss, ermöglichen können.
In einigen Ausführungsformen ist ein Leistungsdetektionsbauelement innerhalb eines Leistungstransistors, wie zum Beispiel einer CMOS oder NMOS HF-Leistungstransistorverstärkerstufe, durch Abgreifen eines kleinen Teils des Signalkettebauelements integriert. In einigen Ausführungsformen wird eine relativ kleine Anzahl von Fingern von einem Mehrfach-Finger-Transistorlayout für Zwecke einer Leistungsdetektorschaltung, die außerdem ein Ausgangssignal, wie zum Beispiel ein HF Ausgangssignal, gleichrichten und/oder filtern kann, abgegriffen.
In einigen Ausführungsformen ist eine integrierte Leistungsdetektorschaltung eingerichtet, um ein Signalduplikat eines Leistungssignalausgangs einer Leistungstransistorverstärkerstufe zu erhalten. In einigen Ausführungsformen sind die abgegriffenen („tapped“) Finger eines kombinierten Leistungsverstärker/Leistungsdetektors mit der gleichen Eingangsanpassung und Eingangssignalen wie der Hauptleistungsverstärker verbunden, so dass ein Abtastsignalverlauf ein Duplikat des Hauptsignalpfadssignalverlaufs ist.
In einigen Ausführungsformen wird ein Mehrfach-Finger HF-Transistorlayout so modifiziert, dass eine gewisse Anzahl von Bauteil-Drain (oder Source)-Verbindungen vom HF-Signalpfad getrennt sind und stattdessen solche Bauteilverbindungen an eine Leistungsdetektorschaltung geroutet werden, die die abgetastete HF-Signalform in eine Gleichspannung wandelt. Falls die Fläche der abgegriffenen („tapped“) Finger gegenüber der gesamten Fläche der HF-Leistungsbauelementfinger klein ist und das Abgreifen/Routen des Leistungsdetektorsignals entsprechend gehandhabt wird, wird dadurch ein Einfluss auf den HF-Verstärker reduziert und die zusätzliche Fläche für die Detektionschaltung in der Transistorschaltung kann gering ausfallen.
1 illustriert einen in einer Leistungstransistorverstärkerstufe integrierten Leistungsdetektor gemäß einer Ausführungsform. 1 stellt eine vereinfachte schematische Ansicht einer Implementierung bereit und enthält nicht alle Komponenten, die in einer Schaltung vorhanden sein können. 1 stellt eine schematische Darstellung einer Ausführungsform einer integrierten oder abgegriffenen Leistungsdetektorimplementierung mit einer Drain-Abgriffskonfiguration bereit. Während 1 und die anderen Figuren ein besonderes Beispiel eines integrierten Leistungsdetektors illustrieren, sind Ausführungsformen nicht auf dieses Beispiel beschränkt und können die Integration von beliebigen, gesonderten Funktionen aufweisen, die ein Signal von einer oder mehreren der Finger einer Elektrode des Transistors nutzen.
Wie in 1 illustriert ist, empfängt eine HF-Leistungstransistorverstärkerstufe 100 am Gate eines NMOS-Leistungstransistors 120/121 ein HF-Eingangssignal 110. In einigen Ausführungsformen werden eine gewisse Anzahl von Fingern der Drain-Elektrode des Leistungstransistors abgegriffen, um einen Leistungsdetektor zu bilden. In diesem Beispiel werden vier Drain-Finger eines 120-Finger NMOS-Layouts abgegriffen und neu geroutet, um Teil der Leistungsdetektor(PD)-Schaltung und des Tiefpassfilters zu bilden. Dies wird schematisch gezeigt als ein erster Transistor 120, der einhundertsechzehn (116) der Finger des Leistungstransistors benutzt und ein zweiter Transistor 121, der die übrigen vier (4) Finger eines Anschlusses des Leistungstransistors benutzt.
Transistoren 120 und 121 werden daher in 1 zur Vereinfachung der Illustration als zwei getrennte Transistoren gezeigt. In einer tatsächlichen Implementierung sind diese jedoch Teile eines einzigen Mehrfach-Finger NMOS-Leistungstransistors 120/121, dessen Layouts modifiziert wurde, um eine kleine Anzahl der Finger eines Anschlusses des Leistungstransistors neu zu routen. In diesem Beispiel sind die Transistor-Bias-, -Gate- und -Source-Anschlussverbindungen und das angelegte Eingangssignal (HF-Signal 110) dem Hauptverbundtransistor gemeinsam, der einen ersten Transistor 120 und den Drainabgriffsbereich aufweist, wobei der Drainabgriffsbereich in 1 als zweiter Transistor 121 dargestellt ist. Obwohl in diesem Beispiel eine bestimmte Anzahl von Finger des Drains zur Integration der Leistungsdetektion abgegriffen werden, können alternativ mehrfach Finger der Source- oder Gate-Elektroden abgegriffen werden.
In einigen Ausführungsformen weist die HF-Leistungstransistorverstärkerstufe 100 eine integrierte Leistungsdetektorschaltung 130, die den gezeigten Drainabgriffsbereich 121 des Leistungstransistors 120/121, einen als Widerstand RL 132 gezeigten Lastwiderstand und einen als Kapazität 134 gezeigten Tiefpass aufweist, um die abgetastete HF-Signalform in eine Ausgangsgleichspannung zu wandeln und den Leistungsdetektor(PD)-Ausgang 136 auf.
Wie weiter in 1 illustriert ist, ist ein Drain des Haupttransistorteils 120 mit einem Anpassnetzwerk 140 gekoppelt, um den HF-Signalausgang 150 zu erzeugen, welches als für eine Übertragung über Antenne 145 bereitgestellt illustriert wurde.
In einigen Ausführungsformen entfällt durch Nutzen eines sehr kleinen Teils eines bereits vorhandenen HF-Transistors als Leistungsdetektorbauelement der Bedarf für eine dezidierte Abtastschaltung und ein gesondertes Leistungsdetektorbauelement für die Leistungsverstärkerstufe 100, wodurch in beiden Fällen Fläche in einem Bauelement eingespart wird.
In einer Ausführungsform kann die Verwendung der Abgriff-Leistungsdetektor-Vorgehensweise zum Erzeugen eines integrierten Leistungsdetektors für einen Leistungsverstärker einen zusätzlichen Vorteil bieten, indem die Empfindlichkeit des Leistungsdetektorausgangs gegenüber der Abschluss-HF-Lastimpedanz durch Integration des Leistungsdetektors in Treiberverstärkerstufen, die zumindest teilweise von der Abschlusslastimpedanz gepuffert sind, abgeschwächt werden kann. Dies kann beispielsweise durch Gekoppelte-Leitungslösungen, die möglicherweise nicht mit den Zwischenstufen-Anpassungsnetzwerken kompatibel sind, implementiert werden.
2 illustriert eine Layout-Realisierung einer Ausführungsform von Abgriffssignalabtastung. In einigen Ausführungsformen kann Abgriffssignalabtastung für Leistungsdetektion eingesetzt werden. 2 stellt eine Layout-Ansicht eines Mehrfach-Finger-HF NMOS-Transistor-Layouts dar, das eine Drain-Abgriff—Leistungsdetektorverbindung beinhaltet. In dieser Illustration wird ein kompletter Transistor 200 auf der linken Seite von 2 gezeigt, mit HF-Gate 235- und Drain 230-Metallverbindungen, die respektive auf den linken und rechten Seiten des Transistors 200 gezeigt werden. In der illustrierten Ausführungsform von 2 besteht das Transistorbauelement 200 aus 120 Gate-Fingern, die 4 den Gate-Fingern 240 entsprechenden Drain-Knoten wurden vom HF-Signalpfad auf der Drain-Seite getrennt und separat 245 für beispielsweise die Leistungsdetektorfunktion PD 225 geroutet. Ausführungsformen sind jedoch nicht auf die Implementierung einer Leistungsdetektorfunktion begrenzt. Eine Detailansicht des Zentralbereichs 250 des Transistors ist auf der rechten Seite von 2 gezeigt, wobei der Zentralbereich 250 den Split-Drain-Abgriff des Transistors illustriert.
In einigen Ausführungsformen werden mehrere Elektroden eines Transistors abgegriffen und die Finger der Elektroden können für andere Zwecke eingesetzt werden. In einem Beispiel kann eine zweite Elektrode eine zweite Vielzahl von Fingern aufweisen, die zweite Vielzahl von Fingern kann eine Untermenge von Fingern aufweisen, wobei die Untermenge der zweiten Vielzahl von Fingern benutzt wird, um eine Antwort (response) der gesonderten Signalabtastfunktion zu steuern. Zum Beispiel kann ein Drain-Anschluss und ein Source-Anschluss abgegriffen werden, um die Vorspannung (Bias) am Signalabtastteil des Transistors zu modifizieren.
In einigen Ausführungsformen können die Source- oder Gate-Finger des MOS-Transistors ebenso abgegriffen werden und die abgegriffenen Finger der Source oder des Gates können ebenso benutzt werden, um eine HF-Signalform zur Leistungsdetektion zu erstellen. Die Wahl, welcher interner Knoten des Leistungstransistors für die Implementierung der Abgriffe ausgewählt wird, kann von den Einzelheiten der HF-Signalform und dem Signalpfaddesign abhängen. Die gleichen allgemeinen Prinzipien zum Aufnehmen eines Leistungsdetektors in einer Leistungstransistorverstärkerstufeausführungsform gelten jedoch auch für solche Implementierungen.
Obwohl hier die Illustration einen MOS-Transistor betrifft, sind die Ausführungsformen nicht auf MOS-Transistoren beschränkt und können in anderen Transistoren, die mehrfach Anschlussfinger aufweisen, genutzt werden. In einigen Ausführungsformen kann ein Leistungsdetektor in einer Leistungstransistorstufe integriert werden, die einen MESFET (Metal Semiconductor Field Effect Transistor) oder mehrfach Kollektor- oder Emitter-Anschlussfinger einsetzende Bipolartransistor aufweist. Weiter sind die Ausführungsformen nicht auf den HF-Frequenzbetrieb eines Verstärkers begrenzt.
3 ist eine Illustration eines Mehrfach-Finger-HF-Leistungsbauelement-Layouts mit integrierter Signalabtastung gemäß einer Ausführungsform, wobei die Signalabtastung zum Beispiel Leistungsdetektionsoperationen aufweisen kann. In einigen Ausführungsbeispielen werden bestimmte Drain-Knoten, wie zum Beispiel einer oder mehrere der zentralen Drain-Knoten, eines Mehrfach-Fingerbauelements abgegriffen und neu geroutet, um HF-Signale an die Last und den Filter einer integrierten Leistungsdetektorschaltung, wie zum Beispiel die in 1 gezeigte Leistungsdetektorschaltung 130, bereitzustellen.
In 3 illustriert eine erste Ansicht 300 des Leistungsbauelements die Anschlüsse für Source 310, Gate 315 und Drain 320. In einigen Ausführungsformen werden bestimmte der Drain-Knoten, wie zum Beispiel der zentrale Drain-Knoten 330, abgegriffen und separat an die integrierte Leistungsdetektorschaltung geroutet. 3 zeigt weiter eine zweite Ansicht 350 des Leistungsbauelements, die den Gate-Anschluss 365 für die Gate-Knoten, den Source-Anschluss 360 für die Source-Knoten (S) und den Drain-Anschluss 370 für die Drain-Knoten (D) illustriert. In einigen Ausführungsformen wird einer oder mehrere der Drain-Knoten, wie zum Beispiel Drain-Knoten 375, welcher einer von den zentralen Drain-Knoten im Layout ist, abgegriffen und separat an die integrierte Leistungsdetektorschaltung 380 geroutet.
4 ist eine Illustration einer Vorrichtung oder eines Systems, das integrierte Signalabtastung in einer Leistungsverstärkerstufe aufweist. In einigen Ausführungsformen benutzt die Vorrichtung oder das System die integrierte Signalabtastung, um eine Funktion durchzuführen, die vom Erzeugen eines Ausgangssignals gesondert ist, und den Betrieb eines integrierten Leistungsdetektors zum Messen von Ausgangsleistung einer Leistungstransistorstufe aufweist. Ausführungsformen sind jedoch nicht auf einen integrierten Leistungsdetektor beschränkt und können den Einsatz von integrierter Signalabtastung für andere Funktionen aufweisen.
In einigen Ausführungsformen weist eine Vorrichtung oder System 400 (im Allgemeinen hier als eine Vorrichtung bezeichnet) eine Zwischenverbindung oder Kreuzschiene (crossbar) 402 oder andere Kommunikationsmittel zum Übertragen von Daten auf. Ein oder mehrere Sender oder Empfänger 420 können mit der Zwischenverbindung 402 gekoppelt sein. In einigen Ausführungsformen können die Empfänger oder Sender 420 einen oder mehrere Anschlüsse (ports) 422 für den Anschluss von anderen Vorrichtungen aufweisen und können eine Antenne 440 für das Ausstrahlen vom HF-Signal aufweisen.
In einigen Ausführungsformen weist ein Sender 420 einen HF-Leistungsverstärker mit integrierter Signalabtastung auf, inklusive zum Beispiel des illustrierten integrierten Leistungsdetektors 422. Der HF-Leistungsverstärker kann zum Beispiel die in 1 illustrierte HF-Leistungstransistorverstärkerstufe 100 mit integrierter Leistungsdetektorschaltung 130 sein. In einigen Ausführungsformen kann die Vorrichtung den integrierten Leistungsdetektor benutzen, um die Ausgangsleistung des Leistungsverstärkers zu messen, ohne eine dezidierte Abtastschaltung und ein separates Leistungsdetektorbauelement für den Leistungsverstärker zu benötigen.
In einigen Ausführungsformen kann die Vorrichtung 400 mehrere Sender 420 aufweisen, die beispielsweise Implementierungen aufweisen, in denen die Vorrichtung einen phasengesteuerten Sender (phased array transmitter) aufweisen. In einigen Ausführungsformen können integrierte Leistungsdetektoren 422 von einem, einigen oder allen der individuellen Sender aufgewiesen sein.
Die Vorrichtung 400 der 4 kann weiter folgende Elemente oder Komponenten aufweisen:
Die Vorrichtung 400 kann ein Verarbeitungsmittel (processing means), wie zum Beispiel ein oder mehrere mit der Zwischenverbindung 402 gekoppelte Prozessoren 404 zum Verarbeiten von Informationen, aufweisen. Die Prozessoren 404 können einen oder mehrere physikalische Prozessoren und einen oder mehrere logische Prozessoren aufweisen.
Die Zwischenverbindung 402 ist zur Vereinfachung als eine einzelne Zwischenverbindung gezeigt, sie kann jedoch eine Vielzahl von verschiedenen Zwischenverbindungen oder Busse repräsentieren und die Komponentenverbindung zur solchen Zwischenverbindungen können variieren. Die in 4 gezeigte Zwischenverbindung 402 ist eine Abstraktion, die irgendeinen oder mehrere durch entsprechende Brücken, Adapter oder Controller verbundene, separate physikalische Busse, Punkt-zu-Punkt-Verbindungen (point-to-point connections) oder beide, repräsentiert.
In einigen Ausführungsformen kann die Vorrichtung 400 weiter ein Direktzugriffsspeicher (random access memory, RAM) oder andere dynamische Speichergeräte oder -elemente als Hauptspeicher 412 zum Speichern von Informationen und von von den Prozessoren 402 auszuführen Befehlen aufweisen. In einigen Ausführungsformen kann der Hauptspeicher eine aktive Speicherung von Anwendungen (applications) aufweisen, die eine Browser-Anwendung zum Benutzen in Netzwerk-Browsing-Aktivitäten durch einen Benutzer der Vorrichtung 400 aufweist. In einigen Ausführungsformen kann der Speicher der Vorrichtung bestimmte Register oder andere Sonderzweckspeicher aufweisen.
Die Vorrichtung 400 kann auch einen Festwertspeicher (read only memory, ROM) 416 oder andere statische Speichergeräte zum Speichern von statischen Informationen und Befehlen für die Prozessoren 404 aufweisen. Die Vorrichtung 400 kann einen oder mehrere nicht-flüchtige Speicherelemente 418 für das Speichern von gewissen Elementen aufweisen, inklusive zum Beispiel Flash-Speicher und eine Festplatte oder ein Festkörperlaufwerk (solid-state drive).
Die Vorrichtung 400 kann weiter ein oder mehrere Eingabegeräte 424 aufweisen, welche eine oder mehrere von einer Tastatur, Maus, Touchpad, Sprachbefehlserkennung, Gestenerkennung, Sensoren oder Monitoren (inklusive Leistungs- und Performancedaten bereitstellende Sensoren oder Monitoren) oder andere Geräte zum Bereitstellen einer Eingabe an die Vorrichtung 400, aufweisen können.
Die Vorrichtung 400 kann auch über die Zwischenverbindung 402 an eine Ausgangsanzeige 426 gekoppelt sein. In einigen Ausführungsformen kann die Anzeige 426 eine Flüssigkeitskristallanzeige (LCD) oder irgendeine andere Anzeigetechnologie zum Anzeigen von Information oder Inhalt für einen Benutzer, einschließlich dreidimensionaler (3D) Anzeigen, aufweisen. In einigen Ausführungsbeispiel kann die Anzeige 426 einen berührungsempfindlichen Bildschirm (touch-screen) aufweisen, der auch als mindestens ein Teil eines Eingabegeräts eingesetzt wird. In einigen Ausführungsformen kann die Anzeige 426 ein Audiogerät, wie zum Beispiel ein Lautsprecher zum Bereitstellen von Audioinformationen, sein oder aufweisen.
Die Vorrichtung 400 kann weiter ein Leistungsgerät oder -vorrichtung 430 aufweisen, welche eine Stromversorgung, eine Batterie, eine Solarzelle, eine Brennstoffzelle oder andere Systeme oder Geräte zum Bereitstellen oder Erzeugen von Leistung aufweisen kann. Die vom Leistungsgerät oder -system 430 bereitgestellte Leistung kann nach Bedarf an Elemente der Vorrichtung 400 verteilt werden.
In der obigen Beschreibung werden für die Zwecke der Erklärung zahlreiche spezifische Details dargelegt, um ein eingehendes Verständnis der vorliegenden Erfindung zu bieten. Es ist jedoch für eine Fachperson offensichtlich, dass die vorliegende Erfindung auch ohne einige der spezifischen Details ausgeübt werden kann. In anderen Fällen werden wohlbekannte Strukturen und Geräte in Blockschaltform gezeigt. Zwischen den gezeigten Komponenten können Zwischenstrukturen vorhanden sein. Die hier beschriebenen oder gezeigten Komponenten können zusätzliche Eingänge und Ausgänge haben, die nicht gezeigt oder beschrieben sind. Die gezeigten Elemente oder Komponenten können auch in anderen Anordnungen oder Ordnungen angeordnet werden, inklusive dem Umordnen von irgendwelchen Feldern oder der Modifikation von Feldgrößen.
Die vorliegende Erfindung kann verschiedene Prozesse aufweisen. Die Prozesse der vorliegenden Erfindung können durch Hardwarekomponenten ausgeführt werden oder durch computerlesbare Befehle verkörpert werden, welche eingesetzt werden können, um mit den Befehlen programmierte Mehrzweck- oder Spezialzweckprozessor oder Logikschaltungen die Prozesse ausführen zu lassen. Alternativ können die Prozesse durch eine Kombination von Hardware und Software ausgeführt werden.
Teile der vorliegenden Erfindung können als ein Computerprogrammprodukt bereitgestellt werden, welches ein computerlesbares, nicht-vorübergehendes Speichermedium mit darauf gespeicherten Computerprogrammbefehlen aufweist, welche zum Programmieren eines Computers (oder anderen elektronischen Geräten) benutzt werden können, um einen Prozess gemäß der vorliegenden Erfindung auszuführen. Das computerlesbare Speichermedium kann Disketten, optische Platten, CD-ROMs (compact disk read-only memory) und magnetooptische Platten, ROMs (read-only memory), RAMs (random access memory), EPROMs (erasable programmable read-only memory), EEPROMs (electrically-erasable programmable read-only memory), Magnet- oder optische Karten, Flash-Speicher oder andere zum Speichern von elektronischen Befehlen geeignete Art von Medien/computerlesbaren Medien umfassen, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Des weiteren kann die vorliegende Erfindung auch als ein Computerprogrammprodukt heruntergeladen werden, wobei das Programm von einem entfernten Computer an einen anfragenden Computer übertragen wird.
Viele der Verfahren sind in ihrer einfachsten Form beschrieben, jedoch können Prozesse zu jeder der Methoden hinzugefügt oder entfernt werden und Informationen können zu jeder der beschriebenen Nachrichten hinzugefügt oder entfernt werden, ohne vom Grundumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es ist für Fachpersonen offensichtlich, dass viele weitere Modifikationen und Anpassungen gemacht werden können. Die jeweiligen Ausführungsformen wurden nicht bereitgestellt um die Erfindung zu beschränken, sondern um sie zu illustrieren.
Wenn gesagt wurde, dass ein Element „A“ an oder mit einem Element “B“ gekoppelt ist, kann das Element A direkt an Element B gekoppelt sein oder indirekt gekoppelt sein, zum Beispiel durch Element C. Wenn die Spezifikation angibt, dass eine Komponente, Merkmal, Struktur, Prozess oder Eigenschaft A eine Komponente, Merkmal, Struktur, Prozess oder Eigenschaft B „verursacht“, bedeutet dies, dass „A“ zumindest eine Teilursache von „B“ ist, wobei jedoch auch mindestens eine andere Komponente, Merkmal, Struktur, Prozess oder Eigenschaft vorhanden sein kann, die das Verursachen von „B“ unterstützt. Wenn die Spezifikation angibt, dass eine Komponente, Merkmal, Struktur, Prozess oder Eigenschaft aufgewiesen sein „kann“, „vielleicht könnte“ oder „könnte“, ist es nicht erforderlich, dass die jeweilige Komponente, Merkmal, Struktur, Prozess oder Eigenschaft mit einbezogen ist. Wenn die Spezifikation sich auf „ein“ Element bezieht, heißt es nicht, dass nur eines der beschriebenen Elemente vorhanden ist.
Eine Ausführungsform ist eine Implementierung oder ein Beispiel der Erfindung. Bezugnahme in der Spezifikation auf „eine Ausführungsform“, „einige Ausführungsformen“ oder „andere Ausführungsformen“ bedeutet, dass ein im Zusammenhang mit den Ausführungsformen beschriebenes jeweiliges Merkmal, Struktur oder Eigenschaft in zumindest einigen Ausführungsformen, jedoch nicht notwendigerweise allen Ausführungsformen enthalten ist. Die verschiedenen Erscheinungen von „eine Ausführungsform“ oder „einige Ausführungsformen“ beziehen sich nicht notwendigerweise alle auf die gleichen Ausführungsformen. Es sollte bedacht werden, dass in der vorangehenden Beschreibung von beispielhaften Ausführungsformen der Erfindung, verschiedene Merkmale der Erfindung manchmal in einer einzigen Ausführungsform, Figur oder deren Beschreibung zusammengefasst werden, mit dem Zweck, die Offenbarung zu straffen und beim Verständnis von einen oder mehreren der verschiedenen erfinderischen Aspekte zu helfen.

Claims

Eine Vorrichtung, umfassend: eine Verstärkerstufe, aufweisend einen Transistor zum Empfangen eines Quellsignals und zum Erzeugen eines Ausgangssignals, wobei der Transistor eine Vielzahl von Fingern für mindestens eine erste Elektrode des Transistors aufweist; wobei die Verstärkerstufe Verbindungen mit einer ersten Untermenge der Vielzahl von Fingern der ersten Elektrode zum Erzeugen des Ausgangssignals benutzt und eine zweite Untermenge der Vielzahl von Fingern, die einen oder mehrere andere Finger der ersten Elektrode des Transistors aufweist, für eine von der Erzeugung des Ausgangssignals gesonderte Funktion benutzt.
Die Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die gesonderte Funktion eine Leistungsdetektionsfunktion umfasst und wobei eine integrierte Leistungsdetektionsschaltung zum Erstellen eines Abtastwerts des Ausgangssignals über die zweite Untermenge der Fingern für die erste Elektrode eingerichtet ist.
Die Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei die zweite Untermenge der Finger der ersten Elektrode eine Gleichrichtung des Ausgangssignals durchführen und Teil der Leistungsdetektionsschaltung bilden.
Die Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Leistungsdetektionsschaltung weiter einen Lastwiderstand und einen Tiefpassfilter aufweist.
Die Vorrichtung nach Anspruch 4, wobei die Leistungsdetektionsschaltung den Abtastwert des Ausgangssignals in eine Gleichstromausgangsspannung wandelt.
Die Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Transistor eine Vielzahl von Fingern für jeden der mehrfachen Anschlüsse des Transistors aufweist, inklusive einer ersten Vielzahl von Fingern für die erste Elektrode des Transistors und einer zweiten Vielzahl von Fingern für eine zweite Elektrode des Transistors.
Die Vorrichtung nach Anspruch 6, wobei die zweite Vielzahl von Fingern eine Untermenge von Fingern aufweist, wobei die Untermenge der zweiten Vielzahl von Fingern benutzt wird, um eine Antwort der gesonderten Funktion zu steuern.
Die Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Transistor einer von einem CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)- oder NMOS (N-type Metal Oxide Semiconductor)-Transistor ist.
Die Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei die erste Elektrode irgendeine von einer Drain-Elektrode, einer Source-Elektrode oder einer Gate-Elektrode des Transistors ist.
Die Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Ausgangssignal ein HF-(Hochfrequenz)-Ausgangssignal ist.
Ein Verfahren, umfassend: Empfangen einer Signalquelle an einer Verstärkerstufe, wobei die Verstärkerstufe einen Transistor mit einer Vielzahl von Elektroden inklusive einer ersten Elektrode aufweist; Erzeugen eines Ausgangssignals von der Verstärkerstufe, wobei das Erzeugen des Ausgangssignals das Erstellen eines Signals von einer ersten Untermenge von Fingern von einer Vielzahl von Fingern der ersten Elektrode aufweist; und Durchführen einer Funktion, die von der Erzeugung des Ausgangssignals gesondert ist, wobei Durchführen der Funktion das Erstellen eines Signals von einer zweiten Untermenge von Fingern von der Vielzahl von Fingern der ersten Elektrode aufweist.
Das Verfahren nach Anspruch 11, wobei Durchführen der Funktion das Durchführen einer Leistungsdetektionsfunktion mittels einer zum Erhalten eines Abtastwert des Ausgangssignals über die zweite Untermenge der Finger für die erste Elektrode konfigurierten integrierten Leistungsdetektorschaltung aufweist.
Das Verfahren nach Anspruch 12, weiter umfassend: Gleichrichten des Ausgangssignals mittels der zweiten Untermenge von Fingern der ersten Elektrode, wobei die zweite Untermenge der Finger einen Teil der Leistungsdetektionsschaltung bildet.
Das Verfahren nach Anspruch 13, wobei die Leistungsdetektionsschaltung weiter einen Lastwiderstand und einen Tiefpassfilter aufweist.
Das Verfahren nach Anspruch 14, weiter umfassend: Wandeln des Abtastwerts des Ausgangssignals in eine Gleichstromspannungsausgabe.
Das Verfahren nach Anspruch 11, wobei der Transistor eine Vielzahl von Fingern für mehrfache Anschlüsse des Transistors aufweist, inklusive einer ersten Vielzahl von Fingern für die erste Elektrode des Transistors und einer zweiten Vielzahl von Fingern für eine zweite Elektrode des Transistors, und weiter umfassend: Durchführen einer zweiten Funktion mittels der zweiten Vielzahl von Fingern.
Das Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Erzeugen des Ausgangssignals das Erzeugen eines HF (Hochfrequenz)-Ausgangssignals umfasst.