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TECHNISCHES GEBIET
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Die vorliegende Erfindung betrifft ein doppelseitiges Polierverfahren, das das Einfügen eines Wafers zwischen oberen und unteren Drehscheiben, an die die jeweiligen Polierpads angefügt sind, und gleichzeitiges Polieren beider Oberflächen des Wafers einbezieht.
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HINTERGRUND STAND DER TECHNIK
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Bei der Herstellung von Wafern, wie Siliziumwafern, wird herkömmlicherweise ein Ingot in Wafer geschnitten, die Wafer werden der Reihe nach Läppen, Ätzen und anderen Verfahren unterzogen, und mindestens eine Hauptoberfläche des Wafers wird dann spiegelpoliert. Dieses Polierverfahren wendet eine einseitige Polierapparatur zum Polieren einer Oberfläche von Wafern und eine doppelseitige Polierapparatur zum gleichzeitigen Polieren beider Oberflächen des Wafers an.
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Eine doppelseitige Polierapparatur schließt eine obere Drehscheibe und eine untere Drehscheibe ein und Polierpads, die typischerweise aus Vliesstoff bestehen, werden an die jeweiligen Drehscheiben angefügt. 5 illustriert einen Vier-Wege-Typ einer doppelseitigen Polierapparatur, die eine Planetengetriebestruktur aufweist, in der ein Sonnenrad 107 an dem Zentrum angeordnet ist und ein Innenzahnrad 108 an dem äußeren Umfang angeordnet ist. Mit solch einer doppelseitigen Polierapparatur werden Wafer in die jeweiligen Waferhaltelöcher 103, ausgebildet in einem Träger 102 und darin gehalten, eingeführt, ein Poliermittel wird zu den Wafern von oberhalb der Wafer zugeführt, Vorder- und Rückoberflächen des Wafers werden durch die jeweiligen Polierpads gepresst, während die oberen und unteren Drehscheiben rotiert werden und der Träger 102 um seine Achse rotiert wird und zwischen dem Sonnenrad 107 und dem Innenzahnrad 108 gedreht wird. Die beiden Oberflächen des Wafers werden dadurch gleichzeitig poliert.
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Es gibt ein Problem, dass, während ein Polierbatch mit einer doppelseitigen Polierapparatur ohne Austauschen eines Polierpads mit einem neuen wiederholt wird, Variation in der Waferform unter den polierten Wafern graduell zunimmt. Dieses Problem wird hauptsächlich der Lebenszeit des Polierpads zugeschrieben. Da die Dauer der Verwendung des Polierpads zunimmt, erfolgt leicht an dem äußeren Umfang der Wafer exzessives Polieren, das als eine äußere Umfangssenkung bezeichnet wird, aufgrund des Einflusses der Kompressibilitätsvariation von und Zusetzen des Polierpads. Es ist entsprechend notwendig, die Oberfläche des Polierpads zu richten, um dieses Problem zu eliminieren.
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Ein Polierpad zur Verwendung in einer doppelseitigen Polierapparatur ist typischerweise wie folgt gerichtet: Abrichtplatten werden in die jeweiligen Haltelöcher eines normalen Trägers, der beim Polieren von Wafern verwendet wird, oder einem Träger, der dem Richten gewidmet ist, eingefügt; dieser Träger wird zwischen die oberen und unteren Drehscheiben eingefügt; und die Apparatur wird auf die gleiche Weise betrieben wie beim normalen Polieren.
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Es ist wichtig, ein Polierpad so zu richten, dass die Oberfläche des Polierpads kardiert ist, um die Polierfähigkeit zu stabilisieren und zu verbessern. Eine Abrichtplatte mit auf beide ihrer Oberflächen angehafteten Diamantpellets, etc. kann verwendet werden, um solches Richten zu erreichen.
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Wenn doppelseitiges Polieren von Wafern, wie Siliziumwafern, in einer Batchweise wiederholt wird, wird Richten für das Kardieren eines Polierpads durchgeführt, um Polierstabilität an dem Beginn der Verwendung (dem Anfang) von einem neuen und an Intervallen von vorgeschriebenen Batches sicherzustellen. Wenn ein Polierbatch wiederholt wird, wird eine durch solches Richten aufgeraute Polierpad-Oberfläche graduell geglättet und die Außenumfangsabsenkung von Wafern kommt dadurch häufiger vor, deshalb wird das an den Intervallen durchgeführte Richten geeigneter Weise benötigt.
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Die Richtung (eine Richtrichtung) einer Richtbedingung eines Polierpads kann durch eine Kornrichtung und eine der Kornrichtung entgegengesetzten Richtung dargestellt sein, und wird bestimmt abhängig von der Richtung, in die eine Abrichtplatte während des Richtens gedreht wird. Patentdokument 1 offenbart ein Verfahren des Polierens eines Wafers mit einem Träger, der in eine Richtung gedreht wird, entgegengesetzt der Richtung, in die eine Abrichtplatte während des Richtens gedreht wird, um einen sehr flachen Wafer zu erhalten.
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ZITATLISTE
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PATENTLITERATUR
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- Patentdokument 1: Japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung (Kokai) Nr. 2004-98264
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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TECHNISCHES PROBLEM
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Obwohl das Polieren für eine Weile nach dem Richten stabil wird, falls das Richten in einem längeren Intervall durchgeführt wird, dann wird die Polierstabilität nach einer Weile nicht beibehalten werden, und die Waferflachheit wird besonders durch Auftreten der Außenumfangsabsenkung (outer circumference sag) reduziert. Wenn das Richten in einem kürzeren Intervall durchgeführt wird, dann nimmt die zum Richten erforderliche Zeit zu, resultierend in einer Verschlechterung der Produktivität. Es gibt daher ein Abwägen zwischen der Stabilität und der Produktivität.
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Die vorliegende Erfindung wurde im Hinblick auf die vorstehend beschriebenen Probleme gemacht. Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren des doppelseitigen Polierens eines Wafers auf stabile Weise in einen Wafer mit hoher Flachheit unter Inhibieren der Reduktion in der Produktivität aufgrund von Richten bereitzustellen.
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LÖSUNG DES PROBLEMS
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Um diese Aufgabe zu erreichen, stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum doppelseitigen Polieren eines Wafers bereit, umfassend: gleichzeitiges Polieren beider Oberflächen des Wafers durch Halten des Wafers in einem Halteloch eines Trägers, Einfügen des gehaltenen Wafers zwischen obere und untere Drehscheiben, an die Polierpads angebracht sind, Rotieren des Trägers um eine Achse des Trägers und Drehen des Trägers; und Wiederholen des Polierens in einer Batchweise, wobei eine Richtung, in die der Träger gedreht wird, bei jedem Polierbatch umgekehrt wird, unter Wiederholen des Polierens in einer Batchweise.
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Solch ein doppelseitiges Polierverfahren erlaubt dem Träger, sich immer in eine einer Richtrichtung der Polierpads entgegengesetzten Richtung zu drehen, selbst wenn ein Polierbatch unter Beibehaltung einer Richtbedingung der Polierpads für eine lange Zeit wiederholt wird. Das Verfahren kann dadurch die Reduktion in der Flachheit inhibieren, um auf stabile Weise einen Wafer mit hoher Flachheit zu erhalten. Zusätzlich kann das Verfahren die Häufigkeit von Richten verringern, um die Reduktion in der Produktivität aufgrund von Richten zu unterdrücken.
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Das Verfahren schließt vorzugsweise das Richten der Polierpads so ein, dass eine gemittelte Abweichung der Oberflächenrauheit nicht weniger als 4 μm aber nicht mehr als 5 μm beträgt, wobei die gemittelte Abweichung der Oberflächenrauheit dargestellt ist durch eine Standardabweichung von Irregularitäten einer Oberfläche der Polierpads und erhalten wird durch Scannen mit einem Rauheitsmesser vom Kontakttyp in eine einer Richtrichtung der Polierpads entgegengesetzten Richtung.
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Solch ein Verfahren ermöglicht, eine Richtbedingung der Polierpads für eine längere Zeit stabil beizubehalten, stabiles Erhalten eines Wafers mit hoher Flachheit, selbst wenn Rrichten nicht für eine lange Zeit durchgeführt worden ist.
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Die Polierpads können mit einem Abrichter (dresser) gerichtet werden, einschließlich Diamantschleifmitteln mit einer Größe von #100 oder weniger, wobei die Diamantschleifmittel auf einer Abrichtoberfläche disponiert werden.
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Auf solch eine Weise kann die gemittelte Abweichung der Oberflächenrauheit der Polierpads verlässlich innerhalb des Bereichs von 4 μm bis 5 μm gehalten werden.
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In dem Verfahren ist die Richtung, in die der Träger in einem Polierbatch, durchgeführt gleich nach dem Richten, gedreht wird, vorzugsweise entgegengesetzt der Richtrichtung der Polierpads gleich nach dem Richten.
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Auf solch eine Weise können Wafer mit hoher Flachheit verlässlich in Polierbatches, die gleich nach dem Richten durchgeführt werden, erhalten werden.
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VORTEILHAFTE WIRKUNGEN DER ERFINDUNG
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Da die Richtung der Drehung eines Träger bei jedem Polierbatch unter Wiederholen von doppelseitigem Polieren in einer Batchweise umgekehrt wird, kann in der vorliegenden Erfindung der Träger in einer Richtung, die eine Richtrichtung von Polierpads entgegengesetzt ist, sich drehen, und eine Richtbedingung der Polierpads kann dadurch stabil für eine lange Zeit beibehalten werden. Abweichung in Flachheit, wie insbesondere eine außenumfängliche Absenkung, kann konsequenterweise inhibiert werden, um stabil einen Wafer mit hoher Flachheit zu erhalten. Zusätzlich kann die Häufigkeit von Richten verringert werden, um die Reduktion in der Produktivität aufgrund von Richten zu unterdrücken.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist ein schematisches Diagramm eines Beispiels einer doppelseitigen Polierapparatur, die in einem erfinderischen Verfahren des doppelseitigen Polierens eines Wafers verwendet werden kann;
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2 ist eine Draufsicht einer internen Struktur der doppelseitigen Polierapparatur in 1;
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3 ist ein Fließdiagramm eines Beispiels eines erfinderischen Verfahrens des doppelseitigen Polierens eines Wafers;
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4 ist eine erklärende Ansicht eines Verfahrens des Richtens eines Polierpads;
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5 ist eine erklärende Ansicht eines Vier-Wege-Typs einer doppelseitigen Polierapparatur;
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6 zeigt die Beziehung zwischen einer gemittelten Abweichung der Oberflächenrauheit und einer Diamantschleifmittelgröße, wenn ein Polierpad gerichtet wird;
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7A zeigt Messergebnisse des maximalen lokalen Kantenebenheitswerts (edge site front least squares range, ESFQR) im Beispiel;
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7B zeigt Messergebnisse des maximalen lokalen Kantenebenheitswerts (edge site front least squares range, ESFQR) im Vergleichsbeispiel; und
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8 zeigt Messergebnisse der mittleren Abweichung der Oberflächenrauheit im Beispiel und Vergleichsbeispiel.
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BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Hiernach werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben werden, aber die vorliegende Erfindung ist nicht auf diese Ausführungsformen beschränkt.
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Wenn doppelseitiges Polieren von Wafern in einer Batchweise mit einer doppelseitigen Polierapparatur wiederholt wird, wird Richten zum Kardieren eines Polierpads gewöhnlicherweise durchgeführt, um Polierstabilität beim Starten eines neuen und an Intervallen von vorgeschriebenen Batches sicherzustellen.
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Ein Verfahren zum Polieren eines Wafers mit einem in eine Richtung gedrehten Träger, die der Richtung, in die eine Abrichtplatte während des Richtens gedreht wird, entgegengesetzt ist, um einen Wafer mit hoher Flachheit zu erhalten, ist bekannt gewesen. Obwohl Polieren in einigen Polierbatches nach dem Richten stabil wird, kann die Häufigkeit des Richtens, durchgeführt in Intervallen von vorgeschriebenen Batches (hiernach bezeichnet als Intervall-Abrichten) nicht verringert werden, weil die Richtbedingung eines Polierpads während wiederholter Polierbatches abweicht.
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Die vorliegenden Erfinder haben entsprechend sorgfältig untersucht, die Häufigkeit des Intervall-Abrichtens zu verringern, während die Qualität der Wafer mit hoher Flachheit sichergestellt wird. Die Erfinder haben konsequenterweise gefunden, dass während ein Polierbatch mit einem Träger wiederholt wird, der sich immer in eine identische Richtung dreht, genau wie es ein herkömmliches Verfahren macht, die Richtbedingung eines Polierpads sich leicht verschlechtert. Die Erfinder haben ebenfalls gefunden, dass die Richtrichtung umgekehrt wird, d. h. eine Kornrichtung und eine der Kornrichtung entgegengesetzte Richtung der Polierpads durch Polieren eines Wafers umgekehrt werden, und wenn die Richtung der Drehung eines Trägers in einem nächsten Polierbatch entgegengesetzt zu der in einem vorherigen Polierbatch ist, der Träger immer in die Richtung, entgegengesetzt der Richtrichtung der Polierpads sich drehen kann, und Verschlechterung einer Richtbedingung des Polierpads kann dadurch inhibiert werden, und ein Wafer mit hoher Flachheit kann auf stabile Weise erhalten werden. Die Erfinder haben dadurch die Erfindung zur Vollendung gebracht.
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Es ist zu bemerken, dass die Richtrichtung eines Polierpads dargestellt werden kann durch die Rauheit, zum Beispiel gemessen mit einem Rauheitsmesser des Kontakttyps. Diese Rauheit, gemessen mit einem Rauheitsmesser des Kontakttyps, weist einen unterschiedlichen Wert auf, abhängig von der Abtastrichtung der Messung. In einigen Ausführungsformen der Erfindung wird eine gemittelte Abweichung der Oberflächenrauheit, die dargestellt ist durch eine Standardabweichung von Oberflächenunregelmäßigkeiten des Polierpads, und erhalten durch Abtasten mit dem Rauheitsmesser des Kontakttyps in eine Richtung, die der Richtrichtung des Polierpads entgegengesetzt ist, als ein Indikator der Richtbedingung verwendet werden.
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Zuerst wird eine doppelseitige Polierapparatur, die in einem erfinderischen Verfahren des doppelseitigen Polierens eines Wafers verwendet werden kann, unter Bezugnahme auf 1 und 2 beschrieben werden.
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Wie in 1 illustriert, schließt eine doppelseitige Polierapparatur 1 eine obere Drehscheibe 5 und eine untere Drehscheibe 6 und einen Träger 2 zum Halten eines Wafers W ein. Die obere Drehscheibe 5 und die untere Drehscheibe 6 sind so angeordnet, sich vertikal gegenüberzuliegen. Polierpads 4 sind an die jeweiligen Drehscheiben 5 und 6 angefügt. Wie in 2 illustriert, ist in der doppelseitigen Polierapparatur 1 ein Sonnenrad 7 an dem Zentrum bereitgestellt und ein Innenzahnrad 8 ist an dem äußeren Umfang bereitgestellt. Der Wafer W wird in einem Halteloch 3 des Trägers 2 gehalten und zwischen der oberen Drehscheibe 5 und der unteren Drehscheibe 6 eingefügt.
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Einige Zähne des Sonnenrads 7 und des Innenzahnrads 8 greifen in entsprechende Zähne eines außen umlaufenden Zahnrads des Trägers 2. Diese Struktur ermöglicht es dem Träger 2, um seine eigene Achse zu rotieren und sich um das Sonnenrad 7 durch Rotieren der oberen Drehscheibe 5 und der unteren Drehscheibe 6 mit einem nicht gezeigten Stellmotor zu drehen. Zu diesem Zeitpunkt werden beide Oberflächen des Wafers W, die in dem Halteloch 3 des Trägers 2 gehalten werden, gleichzeitig durch die oberen und unteren Polierpads 4 poliert. Während des Polierens des Wafers W wird ein Poliermittel durch eine nicht gezeigte Düse zugeführt.
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Der Träger 2 hält einen einzelnen Wafer W in 2, wogegen ein Träger mit einer Vielzahl von Haltelöchern verwendet werden kann, um eine Vielzahl von Wafern durch den Träger zu halten, wie in 5 illustriert. Eine doppelseitige Polierapparatur einschließlich einer Vielzahl von Trägern 2 kann ebenfalls verwendet werden.
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Ein erfinderisches Verfahren des doppelseitigen Polierens eines Wafers wird nachfolgend unter Bezugnahme auf 1 bis 3 beschrieben werden.
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Zuerst werden die von der doppelseitigen Polierapparatur 1 verwendeten Polierpads 4 gerichtet (hiernach bezeichnet als Anfangsrichten) beim Anfangen (3 bei (a)). Ein solches Zurichten wird nur einmal vor Verwendung eines neuen Polierpads 4 durchgeführt. Dieses Anfangsrichten des Polierpads 4 kann mit einer Abrichtplatte, illustriert in 4, zum Beispiel durchgeführt werden. Genauer werden die Abrichtplatten 10, wie in 4 illustriert, in die jeweiligen Haltelöcher eines Trägers 9, der dem Zurichten gewidmet ist, in dem Träger, der zu einem identisch ist, der beim Polieren von Wafern verwendet wird, gesetzt und zwischen die obere Drehscheibe 5 und die untere Drehscheibe 6 der doppelseitigen Polierapparatur 1 eingefügt. Die doppelseitige Polierapparatur 1 wird dann auf eine normale Polierweise so betrieben, dass sowohl obere als auch untere Polierpads gleichzeitig gerichtet werden.
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Die Abrichtplatte kann eine Scheibe mit Richtoberflächen auf sowohl ihrer Front- als auch auf ihrer Rückseite sein und die Richtoberflächen können die jeweiligen oberen und unteren Polierpads 4 durch Kontakt mit den Pads richten. Die Abrichtplatte kann aus einem harten Material, wie Keramiken, gemacht sein und feine Unregelmäßigkeiten können auf den Richtoberflächen gebildet werden. Alternativ dazu kann die Abrichtplatte von einer Doughnut-Form sein, in der eine Aushöhlung in dem Zentrum gebildet ist, und kann mit Diamantschleifstoffen auf den Abrichtoberflächen bereitgestellt sein.
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Nach dem Anfangsrichten wird das erste Polierbatch prozessiert (3 bei (b)).
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Der Wafer W wird zuerst in dem Halteloch 3 des Trägers 2 gehalten.
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Die oberen und unteren Oberflächen des gehaltenen Wafers W werden dann durch die jeweiligen Polierpads 4, angefügt an die oberen und unteren Drehscheiben 5 und 6, gepresst. Die oberen und unteren Drehscheiben 5 und 6 werden rotiert und der Träger 2 wird rotiert und dreht sich, während ein Poliermittel zu den polierten Oberflächen so zugeführt wird, dass beide Oberflächen des Wafers W zur gleichen Zeit poliert werden.
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Zu diesem Zeitpunkt wird der Träger vorzugsweise in eine Richtung gedreht, entgegengesetzt der Abrichtrichtung der Polierpads 4, welche gerichtet worden sind. Auf diese Weise kann das Polieren stabil durchgeführt werden und ein Wafer mit hoher Flachheit kann dadurch erhalten werden.
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Das zweite Polierbatch wird nach dem ersten Polierbatch prozessiert (3 (c)).
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In dem zweiten Polierbatch, während der Träger 2 in eine Richtung gedreht wird, entgegengesetzt der Richtung der Drehung des Trägers 2 in dem ersten Polierbatch, wird der Wafer W unter den gleichen Bedingungen poliert, außer der Drehrichtung des Trägers, wie im ersten Polierbatch.
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Wie vorstehend beschrieben, die Richtrichtung der Polierpads 4 wird umgekehrt, d. h. die Kornrichtung und die Richtung entgegengesetzt der Kornrichtung der Polierpads 4 werden durch Polieren von Wafern umgekehrt. Genauer, da die Richtung, entgegengesetzt der Richtrichtung der Polierpads 4 beim zweiten Polierbatch umgekehrt ist von der in dem ersten Polierbatch, wenn der Träger 2 in eine Richtung gedreht wird, entgegengesetzt der Drehrichtung des Trägers 2 in dem ersten Polierbatch, dann ist die Drehrichtung des Trägers 2 identisch zu der Richtung, die entgegengesetzt der Richtrichtung der Polierpads 4 ist.
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Nach dem zweiten Polierbatch wird die Drehrichtung des Trägers ebenfalls bei jedem Polierbatch umgekehrt, unter Wiederholen des Polierens in einer Batchweise (3 bei (d)).
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Das erfinderische doppelseitige Polierverfahren erlaubt somit dem Träger, immer in eine der Richtrichtung der Polierpads entgegengesetzten Richtung zu drehen, selbst wenn ein Polierbatch wiederholt wird, was die Flachheit ermöglicht, wie typischerweise, dass der ESFQR (max) stabil verbessert wird und der stabil zu polierende Wafer mit hoher Flachheit ermöglicht wird. Zusätzlich kann eine gute Richtbedingung der Polierpads für eine lange Zeit beibehalten werden, und Variation in der Flachheit pro Batch kann reduziert werden. Obwohl Intervall-Richten zwischen beliebigen Batches durchgeführt werden kann (3 bei (e)), kann die Frequenz des Intervall-Richtens verglichen zu der Vergangenheit, verringert werden, und somit kann eine Reduktion in der Produktivität aufgrund von Richten unterdrückt werden.
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Beim Anfangsrichten und Intervall-Richten in dem erfinderischen doppelseitigen Polierverfahren werden die Polierpads 4 vorzugsweise so gerichtet, dass die vorstehend beschriebene gemittelte Abweichung der Oberflächenrauheit nicht weniger als 4 μm aber nicht mehr als 5 μm beträgt. Auf diese Weise kann die Richtbedingung der Polierpads 4 stabil für eine längere Zeit beibehalten werden, und ein Wafer mit hoher Flachheit kann stabil erhalten werden, selbst wenn Richten nicht für eine lange Zeit durchgeführt worden ist.
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Das Intervall-Richten wird vorzugsweise durchgeführt, wenn die gemittelte Abweichung der Oberflächenrauheit außerhalb des Bereichs von 4 μm bis 5 μm fällt. Auf diese Weise kann die Frequenz des Richtens signifikant verringert werden, ohne Reduzieren der Flachheit.
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Die Polierpads können mit einem Abrichter einschließlich Diamantschleifstoffen, die eine Größe von #100 oder weniger aufweisen, poliert werden und wird auf einer Richtoberfläche des Abrichters angeordnet. 6 zeigt die gemittelte Abweichung der Oberflächenrauheit (mean deviation of surface roughness, SMD) eines Polierpads, wenn das Polierpad mit Diamantschleifstoffen von unterschiedlichen Größen gerichtet wird. Wie in 6 gezeigt, Diamantschleifstoffe mit einer Größe von #100 oder weniger ermöglichen es, dass die gemittelte Abweichung der Oberflächenrauheit des Polierpads auf zuverlässige Weise innerhalb des Bereichs von 4 μm bis 5 μm fällt.
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BEISPIEL
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Die vorliegende Erfindung wird spezifischer beschrieben werden unter Bezugnahme auf ein Beispiel und Vergleichsbeispiel, aber die vorliegende Erfindung ist nicht auf diese Beispiele beschränkt.
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(Beispiel)
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Fünf 300 mm-Durchmesser Siliziumwafer werden mittels eines einzelnen Polierbatches mit einer doppelseitigen Polierapparatur (DSP-20B, hergestellt durch Fujikoch Machinery Corp.) doppelseitig poliert, wie in 1 illustriert, und das Polierbatch wurde wiederholt, bis insgesamt 75 Siliziumwafer doppelseitig poliert worden sind. Die ESFQR (max) der polierten Wafer wurde mit Wafer Sight (hergestellt durch KLA-Tencor Co., Ltd.) evaluiert.
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Verwendet wurden ein Titanträger, einschließlich eines Harzrings, gebildet entlang des inneren Umlaufs eines Haltelochs, Polierpads (MH S-15A, hergestellt durch nitta haas inc.), und einem Poliermittel, erhalten durch Suspendieren von kolloidalem Silizium mit einem Durchmesser von 35 mm in eine KOH-basierten alkalischen Lösung.
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Zuerst wurde Anfangsrichten der Polierpads mit einem dem Richten gewidmeten Träger und einer Abrichtplatte durchgeführt, wie in 4 illustriert. Die hierin verwendete Druckplatte war mit Diamantschleifstoffen mit einer Größe von #60 auf den Richtoberflächen bereitgestellt. Die Beladung betrug 100 g/cm2 und die Richtzeit betrug 60 Minuten.
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Nach dem Anfangsrichten wurden Wafer wiederholter Weise poliert ohne Intervall-Richten zwischen Batches. Beim Wiederholen des Polierens wurde die Richtung der Drehung des Trägers bei jedem Polierbatch umgekehrt. In dem ersten Polierbatch wurde der Träger in eine der Richtrichtung der Polierpads nach dem Anfangsrichten entgegengesetzten Richtung gedreht.
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7 zeigt das Ergebnis von ESFQR (max) der polierten Wafer. Wie in 7A gezeigt, wurde die ESFQR (max) stabil auf einen niedrigeren Spiegel unterdrückt und alle der Polierbatches erreichten einen Zielwert von 90 nm oder weniger. Da kein Intervall-Richten durchgeführt wurde, wurde die Verarbeitungszeit im Beispiel reduziert. In dem später beschriebenen Vergleichsbeispiel war im Gegensatz dazu die Variation in ESFQR (max) größer und ESFQR (max) übertraf einen Zielwert von 90 nm in einigen Fällen.
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8 zeigt das Ergebnis der gemittelten Abweichung der Oberflächenrauheit der Polierpads nach dem Polieren. Wie in 8 gezeigt, wurde die gemittelte Abweichung der Oberflächenrauheit innerhalb des Bereichs von 4 μm bis 5 μm gehalten, und wies nicht dessen graduelle Reduktion bei einer Zunahme in der Zahl an Polierbatches auf. Der Grund ist, dass Umkehren der Drehrichtung des Trägers bei jedem Polierbatch ermöglicht, dass die Verschlechterung der Richtbedingungen des Polierpads inhibiert wird.
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Es wurde somit bestätigt, dass das erfinderische doppelseitige Polierverfahren es einem Wafer ermöglicht, mit hoher Flachheit auf stabile Weise erhalten zu werden unter Inhibieren der Reduktion in der Produktivität aufgrund von Richten.
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(Vergleichsbeispiel)
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Fünf 300 mm-Durchmesser Siliziumwafer wurden doppelseitig mittels eines einzelnen Polierbatches mit dem gleichen doppelseitigen Polierapparat wie im Beispiel doppelseitig poliert und das Polierbatch wurde wiederholt, bis insgesamt 75 Siliziumwafer doppelseitig poliert worden sind, um die gleiche Evaluierung wie im Beispiel zu machen, vorausgesetzt, dass das Polierbatch wiederholt wurde ohne Verändern der Drehrichtung des Trägers nach dem Anfangsrichten, und Intervall-Richten wurde alle fünf Polierbatches durchgeführt. Das Anfangs- und Intervall-Richten wurde auf die gleiche Weise durchgeführt wie im Beispiel, und die Zeit des Intervall-Richtens betrug 5 Minuten.
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7 zeigt das Ergebnis von ESFQR (max) der polierten Wafer. Wie in 7B gezeigt, wurde die ESFQR (max) graduell schlechter nach dem Richten und variierte stark. Die ESFQR (max) übertraf konsequenterweise einen Zielwert von 90 nm in einigen Fällen.
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8 zeigt das Ergebnis der gemittelten Abweichung der Oberflächenrauheit der Polierpads nach dem Polieren. Wie in 8 gezeigt, die gemittelte Abweichung der Oberflächenrauheit wies dessen graduelle Reduktion nach dem Richten auf, was eine Verschlechterung der Abrichtbedingungen der Polierpads demonstriert.
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Es ist anzumerken, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die vorgehende Ausführungsform beschränkt ist. Die Ausführungsform ist nur eine Erläuterung, und jegliche Beispiele, die im Wesentlichen das gleiche Merkmal aufweisen und die gleichen Funktionen und Wirkungen wie solche in dem technischen Konzept, das in den Ansprüchen der vorliegenden Erfindung beschrieben ist, demonstriert, sind in den technischen Schutzbereich der vorliegenden Erfindung eingeschlossen.
