DE112013004148T5

DE112013004148T5 - Doppelseitiges Polierverfahren

Info

Publication number: DE112013004148T5
Application number: DE112013004148.0T
Authority: DE
Inventors: c/o Nagano Electronics Industr Asai Kazumasa
Original assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date: 2012-11-13
Filing date: 2013-10-21
Publication date: 2015-05-28
Also published as: JP5896884B2; TWI541884B; TW201436012A; US9862072B2; SG11201501825WA; KR102004701B1; CN104620362B; US20150209931A1; WO2014076880A1; CN104620362A; JP2014099471A; KR20150084764A

Abstract

Die Erfindung stellt ein Verfahren zum doppelseitigen Polieren bereit, das ein erstes Polieren mit einer hohen Polierrate, ein zweites Polieren mit einer niedrigen Polierrate, das Unterteilen einer gerade Linie, die sich zwischen den äußersten Umfängen des Wafers erstreckt, in vorgegebene Abschnitte, und das optische Messen einer Querschnittsform der Abschnitte; das Anwenden eines für jeden unterteilten Abschnitt vorbestimmten Gewichts auf die Querschnittsform, um die Planheit jedes Abschnitts zu quantifizieren; und das Bestimmen der Polierbedingungen des ersten und des zweiten Polierschrittes in einem anschließenden Polierzyklus auf einer Grundlage der quantifizierten Planheit, wobei ein Strahldurchmesser einer Messvorrichtung, der verwendet wird, um die Querschnittsform von äußersten Abschnitten zu messen, kleiner ist als derjenige, der verwendet wird, um die Querschnittsform des anderen Abschnitts zu messen, beinhaltet. Das Verfahren kann die Form des Wafers bis zu seinem äußersten Umfang mit hoher Präzision messen, ohne die Produktivität zu verringern, und die Planheit des gesamten Wafers einschließlich dessen äußersten Umfangs verbessern.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung betrifft ein doppelseitiges Polierverfahren zum gleichzeitigen Polieren beider Oberflächen eines Wafers, während ein Poliermittel zugeführt wird.
STAND DER TECHNIK
Die Verkleinerung von Halbleitervorrichtungen hat zu einem größeren Bedarf an hochgradig flachen Halbleiterwafern mit verbesserter Produktivität geführt, die als deren Substrat verwendet werden. Angesichts dieser Umstände wurde aufgrund der höheren Genauigkeit zum Polieren von Wafern doppelseitiges Polieren anstatt des herkömmlichen einseitigen Polierens verwendet.
8 zeigt ein schematisches Diagramm einer üblichen Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren vom Typ mit Planetengetriebe. Die Vorrichtung 101 zum doppelseitigen Polieren umfasst eine obere und eine untere Drehscheibe. Die obere Drehscheibe ist aufwärts und abwärts beweglich und kann durch Druck auf die untere Drehscheibe eine Last auf einen zwischen der oberen und der unteren Drehscheibe angeordneten Wafer aufbringen. Wie in 8 gezeigt, umfasst die Vorrichtung 101 zum doppelseitigen Polieren ein innerhalb der unteren Drehscheibe angeordnetes Sonnenrad 107 und ein außerhalb der unteren Drehscheibe angeordnetes Innenrad 108.
Ein Träger 105 zum Halten des Wafers ist zwischen der oberen und der unteren Drehscheibe angeordnet und kann sich drehen, wobei sein Außenumfang an dem Sonnenrad 107 und dem Innenrad 108 angreift. Der Träger 105 wird gemäß der Rotationsgeschwindigkeit des Sonnenrads 107 und des Innenrads 108 zwischen der oberen und der unteren Drehscheibe gedreht und revolviert. Der zu polierende Wafer wird in eine in dem Träger gebildete Halteöffnung 106 eingefügt und dort festgehalten, so dass der Wafer poliert werden kann, ohne sich von der Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren zu lösen.
Bezüglich der Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren vom Typ mit Planetengetriebe ist bekannt, dass, da das Verhältnis zwischen der Dicke eines Trägers und der Dicke eines polierten Wafers, d. h. der Dicke eines fertiggestellten Wafers, die Planheit des polierten Wafers beeinflusst, die Planheit durch Einstellen des Verhältnisses der Enddicke zu der Dicke des Trägers gesteuert wird (siehe zum Beispiel Patentdokument 1).
Im Allgemeinen erfordert eine Verbesserung der Präzision der Planheit eine verringerte Polierrate, wohingegen eine Verbesserung der Produktivität eine erhöhte Polierrate erfordert. Der Polierprozess wird dementsprechend in zwei Schritte, einen ersten Polierschritt und einen zweiten Polierschritt, unterteilt. Der erste Polierschritt führt grobes Polieren bei einer hohen Polierrate aus; der zweite Polierschritt führt präzises Polieren bei einer niedrigen Polierrate aus. Mit anderen Worten trägt der erste Polierschritt zu effizientem Polieren bei, während der zweite Polierschritt zum Erreichen präziser Planheit beiträgt, so dass die Planheit verbessert werden kann, ohne die Produktivität zu verringern.
Die Enddicke wird durch das Ändern der Polierzeit in dem ersten Polierschritt eingestellt. Das oben genannte herkömmliche Verfahren muss einen Wafer mit der optimalen Dicke in Abhängigkeit von der Trägerdicke fertigstellen, um den Wafer zu einem flachen Wafer zu polieren.
STAND DER TECHNIK
PATENTLITERATUR

Patentdokument 1: Japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung (Kokai) Nr. H05-177539
Patentdokument 2: Japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung (Kokai) Nr. 2002-100594

KURZBESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
TECHNISCHES PROBLEM
Der polierte Wafer mit der eingestellten Enddicke hat jedoch nicht zwangsläufig sowohl eine hohe Planheit des gesamten Wafers, wie z. B.: Global Backside Ideal Range (GBIR), als auch eine hohe Planheit des Außenumfangs, wie z. B. Site Front Least Squares Range (SFQR) oder Edge SFQR (ESFQR). Selbst wenn der Wafer mit einer derartigen Enddicke poliert ist, dass er einen guten GBIR hat, kann zum Beispiel eine Erhebung oder eine Vertiefung am Außenumfang auftreten, was die Planheit von SFQR und ESFQR verschlechtert.
In den letzten Jahren wurde die Ausbeute der neuesten Vorrichtungen, insbesondere durch die Vertiefungen und Erhebungen, die am Außenumfang auftreten, wesentlich beeinträchtigt. Die Planheit des Außenumfangs ist dementsprechend wichtiger gewesen als die Planheit des gesamten Wafers. Es ist jedoch schwierig, die Planheit des Außenumfangs lediglich durch das Steuern der Planheit des gesamten Wafers zu verbessern. Außerdem ist es bei dem oben genannten Verfahren, das als ein Kriterium die Trägerdicke verwendet, schwierig, mit den Schwankungen der Trägerdicke, die durch Abnutzung des Trägers im Laufe der Zeit verursacht werden, umzugehen.
Patentdokument 2 offenbart zum Beispiel, dass die Dicke eines Rads eines Trägers so konfiguriert ist, dass sie dünner ist als ein Waferhaltebereich des Trägers, so dass die Planheit des Außenumfangs eines Wafers verbessert wird. Dieses Verfahren begrenzt jedoch die Struktur eines Trägers und kann den Außenumfang nicht ausreichend verbessern.
Die vorliegende Erfindung wurde in Anbetracht der oben beschriebenen Probleme geschaffen. Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum doppelseitigen Polieren bereitzustellen, das die Form eines polierten Wafers bis zu seinem äußersten Umfang mit hoher Präzision messen kann, ohne die Produktivität zu verringern, und die Planheit des gesamten Wafers einschließlich seines äußersten Umfangs verbessern kann.
LÖSUNG FÜR DAS PROBLEM
Zur Lösung dieser Aufgabe stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum doppelseitigen Polieren bereit, das einen Polierzyklus beinhaltet, der folgende Schritte umfasst: Ausführen eines ersten Polierschrittes, in dem ein Prozess zum doppelseitigen Polieren bei einer hohen Polierrate durchgeführt wird, wobei der Prozess zum doppelseitigen Polieren beide Oberflächen eines Wafers gleichzeitig poliert, wobei der Wafer mit einem Träger gehalten wird und zwischen Polierpads angeordnet ist, die auf der oberen und der unteren Drehscheibe angebracht sind, während der Träger gedreht und revolviert wird, Poliermittel zugeführt wird und eine Dicke des Wafers gemessen wird; Ausführen eines zweiten Polierschrittes, in dem ein Prozess zum doppelseitigen Polieren bei einer niedrigen Polierrate durchgeführt wird; Unterteilen einer geraden Linie, die sich von einem äußersten Umfang des polierten Wafers durch eine Mitte des polierten Wafers zu dem anderen äußersten Umfang erstreckt, in vorgegebene Abschnitte und optisches Messen einer Querschnittsform der unterteilten Abschnitte; Anwenden eines für jeden unterteilten Abschnitt vorbestimmten Gewichts auf die gemessene Querschnittsform, um die Planheit jedes Abschnitts zu quantifizieren; und Bestimmen der Polierbedingungen des ersten und des zweiten Polierschrittes in einem anschließenden Polierzyklus auf einer Grundlage der quantifizierten Planheit, wobei ein Strahldurchmesser einer Messvorrichtung, der zum Messen der Querschnittsform der äußersten Abschnitte verwendet wird, kleiner ist als derjenige, der zum Messen der Querschnittsform des anderen Abschnitts verwendet wird.
Solch ein Verfahren zum doppelseitigen Polieren kann die Form des polierten Wafers bis zu seinem äußersten Umfang mit hoher Präzision messen, ohne die Produktivität zu verringern, und das Messergebnis in dem anschließenden Polierzyklus präziser verwenden, um die Planheit des gesamten Wafers, einschließlich seines äußersten Umfangs, zu verbessern.
Der Schritt des Bestimmens der Polierbedingungen des ersten und des zweiten Polierschrittes kann das Einstellen mindestens eines der folgenden Parameter beinhalten: die Polierlast, die Rotationsgeschwindigkeit und die Revolutionsgeschwindigkeit des Trägers sowie die Rotationsgeschwindigkeit der oberen und der unteren Drehscheibe, so dass die Dicke des Wafers, der in dem ersten und dem zweiten Polierschritt bearbeitet wird, eine Solldicke wird.
Diese spezielle Einstellung der Polierbedingungen des ersten und des zweiten Polierschrittes ermöglicht eine Verbesserung der Planheit des gesamten Wafers, einschließlich dessen äußersten Umfangs, in dem anschließenden Polierzyklus.
Der Strahldurchmesser der Messvorrichtung, der zum Messen der Querschnittsform der äußersten Abschnitte verwendet wird, ist vorzugsweise 1 mm oder weniger.
Auf diese Weise kann die Form der äußersten Abschnitte zuverlässiger mit hoher Präzision gemessen werden.
Die Querschnittsform wird vorzugsweise durch optische Reflexionsinterferometrie mit einem Infrarot-Laser gemessen.
Auf diese Weise kann die Querschnittsform mit höherer Präzision gemessen werden.
Der Schritt des Messens der Querschnittsform beinhaltet vorzugsweise: Unterteilen der Linie derart, dass die vorgegebenen Abschnitte bezüglich der Mitte des Wafers symmetrisch sind: Berechnen einer Differenz ΔA in der Dicke des Wafers zwischen beiden Enden jedes Abschnitts; Vergleichen der Differenz ΔA jedes Abschnitts mit dem des entsprechenden bezüglich der Mitte des Wafers symmetrischen Abschnitts und Bestimmen, dass die Differenz der entsprechenden Abschnitte ein größerer Wert von Absolutwerten der verglichenen Differenzen ist, und der Schritt des Quantifizierens der Planheit beinhaltet; Quantifizieren der Planheit β eines Außenumfangs des Wafers von der Differenz ΔA der äußersten Abschnitte; Quantifizieren der Planheit α des gesamten Wafers mit Ausnahme des Außenumfangs durch derartiges Anwenden jedes Gewichts auf die Differenz ΔA des entsprechenden Abschnitts, dass das Gewicht, wenn sich der Abschnitt näher an der Mitte des Wafers befindet, größer ist, und Addieren der Differenz ΔA der anderen Abschnitte als den äußersten Abschnitten.
Auf diese Art kann die Planheit konkret von der gemessenen Querschnittsform quantifiziert werden und können die Polierbedingungen des ersten und des zweiten Polierschrittes leicht auf der Grundlage der quantifizierten Planheit bestimmt werden.
Die Planheit α des gesamten Wafers wird vorzugsweise derart quantifiziert, dass die Planheit α des Abschnitts, der der Mitte des Wafers am nächsten ist, in 0 umgewandelt wird, wenn die Differenz ΔA 0 ist, in 1 oder 2, wenn die Differenz ΔA positiv ist, in –1 oder –2, wenn die Differenz ΔA negativ ist; die Planheit α des anderen Abschnitts wird in 0 umgewandelt, wenn die Differenz ΔA 0 ist, in 0,5, wenn die Differenz ΔA positiv ist, in –0,5, wenn die Differenz ΔA negativ ist; und die Differenz ΔA jedes Abschnitts wird dann aufaddiert, die Planheit β des Außenumfangs des Wafers wird vorzugsweise derart quantifiziert, dass die Planheit β 0 ist, wenn die Differenz ΔA 0 ist, 1 ist, wenn die Differenz ΔA positiv ist, –1 ist, wenn die Differenz ΔA negativ ist, und der Schritt des Bestimmens der Polierbedingungen des ersten und des zweiten Polierschrittes beinhaltet vorzugsweise das Bestimmen der Solldicke des Wafers, auf die in dem ersten in dem anschließenden Polierzyklus auszuführenden Schritt zu polieren ist, durch Addieren von βxT zu der Solldicke in einem gegenwärtigen Polierzyklus sowie das Bestimmen der Zieldicke des Wafers, auf die in dem zweiten in dem anschließenden Polierzyklus auszuführenden Polierschritt zu polieren ist, durch Subtrahieren von αxT von der Solldicke in dem gegenwärtigen Polierzyklus, wobei T eine Differenz zwischen der maximalen Dicke und der minimalen Dicke des Wafers ist.
Die Planheit kann auf diese Weise mit höherer Präzision quantifiziert werden und die Planheit des gesamten Wafers, einschließlich seines äußersten Umfangs, kann wirksamer verbessert werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren beinhaltet vorzugsweise das Blasen von Luft auf eine Oberfläche der aus dem Träger entnommenen Wafer.
Solch ein Verfahren kann die Querschnittsform mit höherer Präzision messen.
VORTEILHAFTE WIRKUNGEN DER ERFINDUNG
Das erfindungsgemäße Verfahren zum doppelseitigen Polieren beinhaltet einen Schritt des Messens der Querschnittsform eines polierten Wafers, in dem eine gerade Linie, die sich von einem äußersten Umfang des Wafers durch die Mitte des Wafers zu dem anderen äußersten Umfang erstreckt, in vorgegebene Abschnitte unterteilt wird, um die Querschnittsform zu messen, und ein Strahldurchmesser einer Messvorrichtung, der verwendet wird, um die Querschnittsform der äußersten Abschnitte zu messen, kleiner ist als derjenige, der verwendet wird, um die Querschnittsform der anderen Abschnitte zu messen, was eine hochgradig präzise Messung der Waferform bis zu dessen äußerstem Umfang ermöglicht, ohne die Produktivität zu verringern. Das Verfahren beinhaltet auch einen Schritt des Bestimmens der Polierbedingungen des ersten und des zweiten Polierschrittes in dem anschließenden Polierzyklus auf der Grundlage der von der mit hoher Präzision gemessenen Form quantifizierten Planheit, was die Verbesserung der Planheit des gesamten Wafers, einschließlich des äußersten Umfangs, ermöglicht.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist ein Ablaufdiagramm eines Beispiels für das erfindungsgemäße Verfahren zum doppelseitigen Polieren;
2 ist ein schematisches Diagramm eines Beispiels für eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, die für das erfindungsgemäße Verfahren zum doppelseitigen Polieren verwendet werden kann;
3 ist eine erläuternde Ansicht eines Beispiels für die Unterteilung in Abschnitte und die Quantifizierung der Planheit;
4 ist ein schematisches Diagramm eines Beispiels für ein Verfahren zum Ändern des Strahldurchmessers einer Messvorrichtung;
5 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen einer Polierlast und der Form des Außenumfangs eines Wafers zeigt;
6 ist ein Diagramm, das das Bewertungsergebnis der Planheit α und β in dem ersten Polierzyklus und dem zweiten Polierzyklus beispielhaft zeigt;
7 ist ein Diagramm, das das Bewertungsergebnis der Planheit des Außenumfangs von polierten Wafern in einem Beispiel und einem Vergleichsbeispiel zeigt; und
8 ist ein schematisches Diagramm einer üblichen Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren vom Typ mit Planetengetriebe.
BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind nachstehend beschrieben, wobei die vorliegende Erfindung jedoch nicht auf diese Ausführungsformen beschränkt ist.
Wie zuvor beschrieben, muss die Planheit des Außenumfangs, die in letzten Jahren besonders wichtig geworden ist, verbessert werden. Der Erfinder der vorliegenden Erfindung hat eine Studie über dieses Problem durchgeführt und dabei Folgendes herausgefunden.
Zuerst beschäftigte der Erfinder sich mit einem herkömmlichen Verfahren zur Bewertung der Planheit des Außenumfangs eines polierten Wafers: die Form des Außenumfangs wird optisch innerhalb eines Messbereichs gemessen, der einen Bereich von dem Außenumfang bis 2 mm davon entfernt ausschließt. Der Grund für den Ausschluss dieses Bereichs ist, dass so verhindert werden kann, dass die Messung von einem Messlaserstrahl beeinflusst wird, der von dem Außenumfang, insbesondere einem abgefasten Teil, reflektiert wird. Der Erfinder hat festgestellt, dass der Ausschluss dieses Bereichs aus dem Messbereich eine Ursache für eine verringerte Präzision der Planheitsmessung ist.
Als nächstes suchte der Erfinder ein Verfahren zur Lösung dieses Problems und kam auf Folgendes:
Der Strahldurchmesser einer Messvorrichtung wird entsprechend einer Position, an der die Vorrichtung die Querschnittsform eines Wafers misst, geändert. Insbesondere wird die Querschnittsform des äußersten Umfangs des Wafers mit einer Messvorrichtung mit einem kleineren Strahldurchmesser gemessen. Dieses Verfahren kann zu dem Messbereich den äußersten Umfang, der normalerweise ein ausgeschlossener Bereich ist, addieren, um die Messgenauigkeit zu verbessern, wobei eine wesentliche Verlängerung der Messzeit verhindert wird, was es ermöglicht, die Form bis zum äußersten Umfang mit hoher Präzision zu messen.
Schließlich kam der Erfinder auf Folgendes:
Bei der Formmessung wird eine gerade Linie, die sich von einem äußersten Umfang des Wafers durch die Wafermitte zu dem anderen äußersten Umfang erstreckt, in vorgegebene Abschnitte unterteilt; jeder dieser Abschnitte wird einem vorbestimmten Gewicht zugeordnet, insbesondere derart, dass das Gewicht größer ist, wenn sich der Abschnitt näher an der Wafermitte befindet; die Planheit wird in jedem Abschnitt bewertet, zu dem das entsprechende Gewicht addiert wird. Dieses Verfahren kann die Planheit mit höherer Präzision bewerten. Das Ergebnis der Bewertung wird verwendet, um die Polierbedingungen in dem anschließenden Polierzyklus dementsprechend zu bestimmen und ermöglicht dadurch, dass die Planheit des gesamten Wafers, einschließlich die des äußersten Umfangs, wirksamer verbessert werden kann. Der Erfinder brachte die Erfindung dadurch zum Abschluss.
Eine Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, die für das erfindungsgemäße Verfahren zum doppelseitigen Polieren verwendet werden kann, wird jetzt beschrieben. Wie in 2 gezeigt, weist die Vorrichtung 1 zum doppelseitigen Polieren eine zylinderförmige obere Drehscheibe 2 und eine zylinderförmige untere Drehscheibe 3 auf. Polierpads 4 sind an der oberen und der unteren Drehscheibe 2, 3 angebracht, wobei alle Polieroberflächen einander zugewandt angeordnet sind. Die Polierpads 4 sind aus einem mit einem Urethanharz oder Urethanschaum imprägnierten Vliesstoff gemacht. Ein Sonnenrad 7 ist in der unteren Drehscheibe 3 angeordnet. Ein Innenrad 8 ist außerhalb der unteren Drehscheibe 3 angeordnet. Die obere und die untere Drehscheibe 2, 3, das Sonnenrad 7 und das Innenrad 8 haben dieselbe Drehachse und können sich unabhängig um die Achse drehen.
Der Träger 5 ist mit Halteöffnungen 6 versehen, um einen Wafer W zu halten. Eine Mehrzahl der Träger 5 kann zwischen der oberen und der unteren Drehscheibe 2, 3 angeordnet sein. Die in jedem der Träger 5 vorgesehenen Halteöffnungen 6 ermöglichen, dass in jedem Polierzyklus eine Mehrzahl von Wafern W poliert wird. Jeder Träger 5 greift an dem Sonnenrad 7 und dem Innenrad 8 an und kann sich um seine Achse drehen und entsprechend der Rotationsgeschwindigkeit des Sonnenrads 7 und des Innenrads 8 um die oben genannte Drehachse zwischen der oberen und der unteren Drehscheibe revolvieren. Die Wafer W werden eingelegt und in den Halteöffnungen 6 der Träger 5 gehalten. Die obere Drehscheibe 2 wird gesenkt, so dass die Wafer W und die Träger 5 zwischen den Drehscheiben eingefügt sind und dadurch eine Polierlast auf die Wafer W aufgebracht wird. Die Drehscheibe 2 und die untere Drehscheibe 3 werden in einer entgegengesetzten Richtung gedreht, während ein von einer Düse 10 zugeführtes Poliermittel durch in der oberen Drehscheibe 2 gebildete Durchgangsöffnungen 9 in einen Raum zwischen den Drehscheiben gegossen wird, so dass beide Oberflächen des Wafers W gleichzeitig poliert werden.
Die Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren weist auch eine Messvorrichtung zum Messen der Form der aus den Trägern herausgenommenen polierten Wafern sowie einen Transferroboter zum Übertragen des Wafers auf die Messvorrichtung auf.
Ein Beispiel für eine Messvorrichtung ist eine Vorrichtung zum Messen der Dicke eines Wafers mit einem Infrarot-Laser mit einer variablen Wellenlänge, die durch den Wafer lichtübertragbar ist. Die Messvorrichtung kann den Durchmesser eines auf den Wafer zu emittierenden Laserstrahls einstellen.
Das erfindungsgemäße Verfahren zum doppelseitigen Polieren verwendet die Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren von diesem Typ, um Wafer durch einen ersten Polierschritt mit einer hohen Polierrate und einen anschließenden zweiten Polierschritt mit einer niedrigen Polierrate zu polieren. Der erste Polierschritt entfernt Verformungen und Einsackstellen, die auf der Waferoberfläche hauptsächlich durch einen vorherigen Prozess entstanden sind, und wird mit einer hohen Polierlast mit einer hohen Polierrate ausgeführt, um die Produktivität zu verbessern. Der zweite Polierschritt stellt hauptsächlich die Planheit ein und wird mit einer niedrigen Polierrate ausgeführt. Die Polierbedingungen dieser Schritte werden auf der Grundlage des Bewertungsergebnisses der Planheit in dem vorherigen Polierzyklus geeignet bestimmt. Die oben genannte Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren, die für die Erfindung verwendet werden kann, wird jetzt beispielhaft beschrieben und schränkt die Erfindung nicht ein.
Das erfindungsgemäße Verfahren zum doppelseitigen Polieren wird jetzt genauer mit Bezug auf 1 beschrieben.
Wie in 1 gezeigt, beginnt ein gegenwärtiger Polierzyklus, während die Dicke des zu polierenden Wafers gemessen wird (S1 in 1). Die Dicke des Wafers wird vorzugsweise durch optische Reflexionsinterferometrie mit einem Infrarot-Laser gemessen, was die Messgenauigkeit verbessert. In dem Polierzyklus wird zuerst der erste Polierschritt ausgeführt, wie vorstehend beschrieben (S2 in 1). Die Polierbedingungen des ersten Polierschrittes werden in dem vorherigen Polierzyklus bestimmt, wie nachstehend beschrieben.
Daraufhin wird der zweite Polierschritt ausgeführt (S3 in 1). Die Polierbedingungen des zweiten Polierschrittes werden auch in dem vorherigen Polierzyklus bestimmt, wie nachstehend beschrieben. Der zweite Polierschritt ist abgeschlossen, wenn die Dicke des Wafers die Sollenddicke erreicht hat (S4 in 1). Die polierten Wafer werden aus den Trägern herausgenommen (S5 in 1). Mindestens einer der Wafer wird zum Messen der Querschnittsform des Wafers auf die Messvorrichtung übertragen (S6 in 1). Vor der Messung der Querschnittsform des Wafers wird vorzugsweise Luft auf die Waferoberfläche geblasen, um das Poliermittel und am Wafer haftendes Wasser zu entfernen (S7 in 1). Dies verbessert die Messgenauigkeit.
Dann wird die Querschnittsform des polierten Wafers gemessen. In dieser Messung wird die gerade Linie, die sich von einem äußersten Umfang des Wafers durch die Wafermitte zu dem anderen äußersten Umfang erstreckt, in vorgegebene Abschnitte unterteilt und wird die Querschnittsform der unterteilten Abschnitte optisch gemessen. Die Messung wird in zwei Schritten ausgeführt: Messung der äußersten Abschnitte, Messung der anderen Abschnitte. Die Querschnittsform des gesamten Wafers mit Ausnahme der äußersten Abschnitte wird zuerst gemessen (S8 in 1). In dieser Messung kann der Strahldurchmesser der Messvorrichtung etwa 3 mm sein, was der gleiche Durchmesser wie herkömmlicherweise ist. Dieser Wert schränkt die Erfindung jedoch nicht ein. Nach dieser Messung wird der Strahldurchmesser in einen kleineren geändert, um die Querschnittsform der äußersten Abschnitte zu messen (S9 in 1). Nachdem der Strahldurchmesser geändert wurde, wird die Querschnittsform der äußersten Abschnitte gemessen (S10 in 1).
Der äußerste Abschnitt umfasst einen Teil des abgefasten Teils (einen Teil mit Fasenbreite X1, X2 der Hauptoberflächen des Wafers) des Wafers und den ausgeschlossenen äußersten Umfang von 2 mm. Bei der Messung dieses Abschnitts, der den 2 mm äußersten Umfangsbereich und den Teil des abgefasten Bereichs umfasst, verringert die Verwendung der optischen Reflexionsinterferometrie mit einem Strahldurchmesser von 1 mm oder weniger die Intensität des gestreuten Lichts von dem X1- und X2-Teil des abgefasten Teils auf weniger als die Hälfte des einfallenden Strahls, was es ermöglicht, dass das Reflexionslicht zuverlässig von einem Teil von dem äußersten Umfang bis zu 1 mm davon entfernt empfangen wird. Dies wird bevorzugt, weil die Querschnittsform des Außenumfangs stabil gemessen werden kann. Insbesondere ist ein Strahldurchmesser von etwa 0,06 mm vorzuziehen, weil dieser Durchmesser eine Fokustiefe von etwa 1,1 mm liefert, was es einem optischen Messsystem leicht macht, den Fokus ungeachtet Schwankungen in der Waferdicke einzustellen, so dass die Planheit des Außenumfangs leicht gemessen werden kann.
Ein Strahldurchmesser von 0,04 mm oder weniger ist unpraktisch, weil dieser Durchmesser es dem optischen System schwer macht, den Fokus einzustellen.
Das erfindungsgemäße Verfahren misst die Form der äußersten Abschnitte mit der Messvorrichtung mit einem Strahldurchmesser, der kleiner ist als derjenige, der verwendet wird, um die Form der anderen Abschnitte zu messen, und kann dadurch die Formmessung bis zum äußersten Umfang in einer kurzen Zeit erreichen, was eine Verringerung der Produktivität verhindert. Das Verfahren kann auch den Einfluss eines von dem abgefasten Teil reflektierten Laserstrahls bei der Messung verhindern und dadurch die Präzision der Formmessung verbessern.
Wie in 3 gezeigt, kann die gerade Linie, die sich von einem äußersten Umfang des Wafers durch die Wafermitte erstreckt, zum Beispiel so in die Abschnitte unterteilt werden, dass die Abschnitte bezüglich der Wafermitte symmetrisch sind. 3 zeigt die Position der Mitte eines Wafers mit C, die Position des äußersten Umfangs des Wafers mit n oder n'. Der Wert von n ist eine ganze Zahl von 2 oder mehr. Die Dicke des Wafers an der Position n wird von A_n gezeigt. In 3 sind die äußersten Abschnitte ein Abschnitt von n bis n – 1 und ein Abschnitt von n' bis n – 1'. Ein Gesamtabschnitt mit Ausnahme der äußersten Abschnitte setzt sich aus Abschnitten von n – 1 bis n – 1' zusammen.
Die Querschnittsform wird vorzugsweise von der optischen Reflexionsinterferometrie mit einem Infrarot-Laser gemessen, um die Messgenauigkeit zu verbessern. Die Messung der Querschnittsform kann die Messung der Waferdicke sein.
Wie in 4 gezeigt, kann der Strahldurchmesser zum Beispiel durch Fokussierung eines Laserstrahls 11 mit einer Fokussierlinse 12 von t₁ auf t₂ verringert werden. Wenn der Strahldurchmesser 0,06 mm beträgt, dann beträgt die Fokustiefe d etwa 100 mm. Dieser Durchmesser macht es möglich, die Größe der Messvorrichtung und deren Kosten zu verringern.
Die Differenz T (T_max – T_min) zwischen der maximalen Dicke T_max und der minimalen Dicke T_min der gemessenen Querschnittsform wird dann berechnet. Diese Querschnittsform entspricht derjenigen der in 3 gezeigten Abschnitte zwischen A_n und A_n'. Das Gewicht, das für jeden unterteilten Abschnitt vorbestimmt wird, wird auf die gemessene Querschnittsform angewandt, um die Planheit jedes Abschnitts zu quantifizieren (S11 in 1). Die Planheit kann zum Beispiel von einer Differenz ΔA in der Dicke des Wafers zwischen beiden Enden jedes unterteilten Abschnitts quantifiziert werden. Die Quantifizierung ist nachstehend mit Bezug auf 3 beschrieben. Die Differenz (ΔA_n-1 = A_n-1 – A_n) in der Waferdicke zwischen beiden Enden n – 1 und n des äußersten Abschnitts wird berechnet. Die Differenz (ΔA_n-1' = A_n-1' – A_n') in der Waferdicke zwischen beiden Enden n – 1' und n' des bezüglich der Wafermitte zu diesem äußersten Abschnitt symmetrischen anderen äußersten Abschnitts wird auch berechnet. Die Planheit β des Außenumfangs des Wafers wird von einem größeren Wert von Absolutwerten von ΔA_n-1 und ΔA_n-1' quantifiziert. Der Wert der Differenz ΔA ist negativ, wenn der Außenumfang die Form einer Erhebung hat; der Wert der Differenz ΔA ist positiv, wenn der Außenumfang die Form einer Vertiefung hat.
Die Planheit α des gesamten Wafers mit Ausnahme des Außenumfangs wird auf ähnliche Weise quantifiziert wie folgt: Die Differenz in der Waferdicke zwischen beiden Enden jedes Abschnitts (von ΔA_n-2 zu A0 und von ΔA_n-2' zu A_0') mit Ausnahme der äußersten Abschnitte wird berechnet. Die Differenz ΔA jedes Abschnitts wird mit derjenigen des entsprechenden bezüglich der Wafermitte dazu symmetrischen Abschnitts verglichen. Von der Differenz ΔA dieser Abschnitte wird bestimmt, dass sie ein größerer Wert von Absolutwerten der verglichenen Differenzen ist. Das Gewicht, das für jeden Abschnitt vorbestimmt wird, wird auf die Differenz ΔA des entsprechenden Abschnitts angewandt. Die daraus resultierende Differenz ΔA jedes Abschnitts wird aufaddiert. Die Planheit α des gesamten Wafers ist die Gesamtsumme der addierten Differenzen. Der Wert der Differenz ΔA ist negativ, wenn die Gesamtform des Wafers konkav ist; der Wert der Differenz ΔA ist positiv, wenn die allgemeine Form des Wafers konvex ist.
Das Gewicht kann zum Beispiel so vorbestimmt werden, dass das Gewicht größer ist, wenn der Abschnitt näher an der Mitte des Wafers ist. Tabellen 1 und 2 zeigen ein bestimmtes Beispiel für die nach Gewichtung erhaltene Planheit in dem in 3 gezeigten Beispiel, in dem n = 3, das heißt, wo es drei Paare von symmetrischen Abschnitten bezüglich der Wafermitte gibt. Insbesondere zeigt Tabelle 1 ein Beispiel für die quantifizierte Planheit des äußersten Abschnitts. Wie in Tabelle 1 gezeigt, sind, wenn die Form flach ist, das Gewicht und die Planheit 0, wenn die Form eine Erhebung oder eine Vertiefung ist, das Gewicht 1; wenn die Form eine Erhebung ist, die Planheit –1; wenn die Form eine Vertiefung ist, die Planheit 1. Diese Werte können als die Planheit β des Außenumfangs betrachtet werden.
Tabelle 2 zeigt ein Beispiel für die quantifizierte Planheit von Abschnitt 1-2 (außen) und Abschnitt C-1 (innen). In Tabelle 2 stellt die Zahl des Symbols ”+” der konkaven und konvexen Formen den Grad der Formen dar, und je größer die Zahl, desto größer der Grad. Wenn die Form flach ist, sind das Gewicht und die Planheit 0; wenn die Form eine Erhebung oder Vertiefung ist, ist das Gewicht für den Abschnitt 1-2 0,5 und ist die Planheit dieses Abschnitts 0,5, wenn die Form konvex ist, oder –0,5, wenn die Form konkav ist; wenn die Form eine Erhebung oder Vertiefung ist, ist das Gewicht für den Abschnitt C-1 1 oder 2, ist die Planheit dieses Abschnitts 1 oder 2, wenn die Form konvex ist, oder –1 oder –2, wenn die Form konkav ist. Die Planheit α des gesamten Wafers kann von der Planheit der Abschnitte durch den oben beschriebenen Vergleich und Addition der symmetrischen Abschnitte berechnet werden. [Tabelle 1]

QUERSCHNITTSFORM PLANHEIT DES ÄUSSERSTEN ABSCHNITTS (ABSCHNITT 2-3)

ERHEBUNG –1

FLACH 0

VERTIEFUNG 1

[Table 2]

QUERSCHNITTSFORM PLANHEIT DES ABSCHNITTS 1-2 PLANHEIT DES ABSCHNITTS C-1

KONVEX++ 0,5 2

KONVEX+ 1

FLACH 0 0

KONKAV+ –0,5 –1

KONKAV++ –2
Die Polierbedingungen des ersten und des zweiten Polierschrittes in dem anschließenden Polierzyklus werden auf der Grundlage der oben genannten quantifizierten Planheit bestimmt (S12 in 1). Diese Bedingungen können derart bestimmt werden, dass sowohl der erste als auch der zweite Polierschritt die Wafer derart polieren, dass sie die jeweiligen Solldicken haben, indem mindestens einer der folgenden Parameter eingestellt wird: Polierlast, Rotationsgeschwindigkeit und Revolutionsgeschwindigkeit des Trägers sowie Rotationsgeschwindigkeit der oberen und der unteren Drehscheibe. Diese Solldicken des Wafers nach den jeweiligen Polierschritten können zum Beispiel wie folgt bestimmt werden.
Die Sollwaferdicke des ersten Polierschrittes in dem anschließenden Polierzyklus wird durch Multiplizieren der erhaltenen Planheit β des Außenumfangs mit der Differenz T zwischen der maximalen Waferdicke und der minimal Waferdicke und Addieren des Ergebnisses zu der Solldicke in dem gegenwärtigen Polierzyklus berechnet. Wenn die Form des Außenumfangs zum Beispiel eine Erhebung ist, führt, da der Wert von β negativ ist, das Addieren des Wertes βxT zu der Solldicke in dem gegenwärtigen Polierzyklus zu einer Verringerung der Solldicke. Die Solldicke kann durch Erhöhen der Polierlast oder Erhöhen der Rotationsgeschwindigkeit der Drehscheiben und der Rotationsgeschwindigkeit und der Revolutionsgeschwindigkeit des Trägers, um die Polierrate zu erhöhen, verringert werden. Wenn die Form des Außenumfangs eine Vertiefung ist, führt, da der Wert von β positiv ist, das Addieren des Wertes von βxT zu der Solldicke in dem gegenwärtigen Polierzyklus zu einer Erhebung der Solldicke. Die Solldicke kann durch Verringern der Polierlast oder Verringern der Rotationsgeschwindigkeit der Drehscheiben und der Rotationsgeschwindigkeit und der Revolutionsgeschwindigkeit des Trägers, um die Polierrate zu verringern, erhöht werden.
5 zeigt das Ergebnis der Bewertung von Schwankungen in der Form des Außenumfangs des Wafers in einem Beispiel, in dem die Polierlast geändert wird. Wie in 5 gezeigt, tendiert, wenn die Polierlast zunimmt, die Form des Außenumfangs dazu, eine Vertiefung zu sein; wenn die Polierlast abnimmt, tendiert die Form des Außenumfangs dazu, eine Erhebung zu sein. Die Form des Außenumfangs kann dementsprechend durch Ändern der Polierlast auf der Grundlage dieser Beziehung eingestellt werden.
Die Sollwaferdicke des zweiten Polierschrittes in dem anschließenden Polierzyklus wird durch Subtrahieren der Planheit α des gesamten Wafers von der Solldicke in dem gegenwärtigen Polierzyklus berechnet. Wenn zum Beispiel die Planheit des gesamten Wafers konkav ist, führt, da der Wert von α negativ ist, das Subtrahieren der Planheit α des gesamten Wafers αxT von der Solldicke in dem gegenwärtigen Polierzyklus zu einer Erhöhung der Solldicke. Wenn die Planheit des gesamten Wafers konvex ist, führt, da der Wert von α positiv ist, das Subtrahieren der Planheit α des gesamten Wafers xT von der Solldicke in dem gegenwärtigen Polierzyklus zu einer Verringerung der Solldicke. In diesen Fällen können die Polierlast, die Rotationsgeschwindigkeit der Drehscheiben und die Rotationsgeschwindigkeit, und die Revolutionsgeschwindigkeit des Trägers auf dieselbe Art wie oben beschrieben eingestellt werden.
Schließlich wird der anschließende Polierzyklus unter den oben genannten bestimmten Polierbedingungen ausgeführt (S13 in 1). Das Verfahren kann eine Steuervorrichtung verwenden, um die Quantifizierung der Planheit von der gemessenen Querschnittsform und die Bestimmung der Polierbedingungen auf der Grundlage der quantifizierten Planheit automatisch auszuführen, was die Produktivität verbessert.
Das erfindungsgemäße Verfahren zum doppelseitigen Polieren kann die Form des polierten Wafers bis zum Außenumfang mit hoher Präzision messen und die Planheit des gesamten Wafers einschließlich des äußersten Umfangs durch präzise Verwendung der von dieser gemessenen Form quantifizierten Planheit in dem anschließenden Polierzyklus verbessern. Dieses Verfahren kann auch eine Verlängerung der Messzeit und dadurch eine Verringerung der Produktivität verhindern.
BEISPIEL
Die vorliegende Erfindung wird genauer mit Bezug auf ein Beispiel und ein Vergleichsbeispiel beschrieben, wobei die vorliegende Erfindung jedoch nicht auf dieses Beispiel beschränkt ist.
(Beispiel)
Ein Siliziumeinkristallwafer mit einem Durchmesser von 300 mm wurde gemäß dem in 1 gezeigten erfindungsgemäßen Verfahren zum doppelseitigen Polieren doppelpoliert. Dieses Beispiel begann mit der Vorbereitung von Wafern durch das Schneiden eines mittels des Czochralski(CZ)-Verfahrens gezüchteten Siliziumeinkristallblocks in Wafer sowie Abfasen, Überlappen und Ätzen der Wafer. Das Polieren wurde mit einer in 2 gezeigten Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren ausgeführt. Die Vorrichtung zum doppelseitigen Polieren hat Urethanschaum-Polierpads auf beiden Seiten der oberen und der unteren Drehscheibe sowie ein Poliermittel verwendet, das kolloidale Siliciumdioxid-Körner enthält und dessen pH-Wert auf zwischen 10,0 und 11,0 eingestellt wurde.
Die Polierbedingungen des ersten Polierschrittes in dem ersten Polierzyklus waren folgende: die Polierlast war 150 g/cm², die Rotationsgeschwindigkeiten der oberen und der unteren Drehscheibe, des Sonnenrads und des Innenrads wurden derart bestimmt, dass die Differenz zwischen der Revolutionsgeschwindigkeit des Trägers und der Rotationsgeschwindigkeit der oberen Drehscheibe und die Differenz zwischen der Rotationsgeschwindigkeit der unteren Drehscheibe und der Revolutionsgeschwindigkeit des Trägers 10 U/min waren; die Rotationsgeschwindigkeit des Trägers war 2,5 U/min; die Zieldicke des ersten Polierschrittes war 785 μm; die Zieldicke des zweiten Polierschrittes, die endgültige Dicke, war 780 μm.
Nach dem ersten Polierzyklus wurde die Planheit bewertet. Das Ergebnis war, dass die Form des Außenumfangs eine Erhebung war und die allgemeine Form konkav war. Die wie in 6 bei (A) gezeigt entschiedenen Werte wurden verwendet, um die Polierbedingungen in dem zweiten Polierzyklus folgendermaßen zu bestimmen: die Polierlast des ersten Polierschrittes wurde erhöht, um die Solldicke auf 784,909 μm (785 μm + β(–1) × T (0,091)) zu verringern. Die Polierlast des zweiten Polierschrittes wurde verringert, um die Solldicke auf 780,136 μm (780 μm – α(–1,5) × T (0,091)) zu erhöhen.
Nach dem zweiten Polierzyklus wurde die Planheit bewertet. Das Ergebnis war, wie in 6 bei (B) gezeigt, dass die Planheit des gesamten Wafers einschließlich des äußersten Umfangs verbessert war.
Der Strahldurchmesser der für die Messung der äußersten Abschnitte verwendeten Messvorrichtung war 0,06 mm.
Der oben genannte Polierzyklus wurde wiederholt, um die Planheit des Außenumfangs des polierten Wafers zu bewerten. Das Ergebnis ist in 7 angegeben. Der relative Wert der bewerteten Planheit des Außenumfangs ist ein aus einem Standardwert zwischen 0 und 100 umgewandelter Wert, wobei ein Wert näher an 0 eine bessere Planheit darstellt. Wie in 7 gezeigt, wurde bestätigt, dass die Planheit in dem Beispiel mehr als die in dem Vergleichsbeispiel verbessert wurde.
(Vergleichsbeispiel)
Der Polierzyklus wurde unter den gleichen Bedingungen wiederholt, um dieselbe Bewertung wie in dem Beispiel vorzunehmen mit der Ausnahme, dass die Polierbedingungen nicht nach dem jedem Polierzyklus geändert wurden.
Das Ergebnis der ausgewerteten Planheit des Außenumfangs des polierten Wafers ist in Tabelle 7 angegeben. Wie in 7 gezeigt, war die Planheit schlechter als die in dem Beispiel.
Es ist zu beachten, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die oben beschriebene Ausführungsform beschränkt ist. Die Ausführungsform ist nur ein Beispiel und jegliche Beispiele, die im Wesentlichen die gleichen Merkmale haben und die gleichen Funktionen und Wirkungen aufweisen wie die in dem in den Ansprüchen der vorliegenden Erfindung beschriebenen technischen Konzept sind von dem technischen Anwendungsbereich der vorliegenden Erfindung erfasst.

Claims

Verfahren zum doppelseitigen Polieren, umfassend einen Polierzyklus, der Folgendes umfasst: Ausführen eines ersten Polierschrittes, in dem ein doppelseitiger Polierprozess mit einer hohen Polierrate ausgeführt wird, wobei der doppelseitige Polierprozess gleichzeitig beide Oberflächen eines Wafers poliert, der mit einem Träger gehalten wird und zwischen Polierpads angeordnet ist, die jeweils an einer oberen und einer unteren Drehscheibe angeordnet sind, während der Träger gedreht und revolviert wird, Poliermittel zugeführt wird und eine Dicke des Wafers gemessen wird, Ausführen eines zweiten Polierschrittes, in dem der doppelseitige Polierprozess mit einer niedrigen Polierrate ausgeführt wird, Unterteilen einer geraden Linie, die sich von einem äußersten Umfang des polierten Wafers durch eine Mitte des polierten Wafers zum anderen äußersten Umfang in vorgegebene Abschnitte erstreckt, und optisches Messen einer Querschnittsform der unterteilten Abschnitte; Anwenden eines für jeden unterteilten Abschnitt vorbestimmten Gewichts auf die gemessene Querschnittsform, um die Planheit jedes Abschnitts zu quantifizieren; und Bestimmen der Polierbedingungen des ersten und des zweiten Polierschrittes in einem anschließenden Polierzyklus auf einer Grundlage der quantifizierten Planheit, wobei ein Strahldurchmesser einer Messvorrichtung, der verwendet wird, um die Querschnittsform von äußersten Abschnitten zu messen, kleiner ist als derjenige, der verwendet wird, um die Querschnittsform des anderen Abschnitts zu messen.
Verfahren zum doppelseitigen Polieren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Bestimmens der Polierbedingungen des ersten und des zweiten Polierschrittes das Einstellen mindestens eines der folgenden Parameter beinhaltet: eine Polierlast, eine Rotationsgeschwindigkeit und eine Revolutionsgeschwindigkeit des Trägers sowie eine Rotationsgeschwindigkeit der oberen und der unteren Drehscheibe, so dass die Dicke des in dem ersten und dem zweiten Polierschritt behandelten Wafers eine Solldicke wird.
Verfahren zum doppelseitigen Polieren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei der Strahldurchmesser der Messvorrichtung, der zum Messen der Querschnittsform der äußersten Abschnitte verwendet wird, 1 mm oder weniger ist.
Verfahren zum doppelseitigen Polieren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Querschnittsform durch optische Reflexionsinterferometrie mit einem Infrarot-Laser gemessen wird.
Verfahren zum doppelseitigen Polieren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Schritt des Messens der Querschnittsform beinhaltet: Unterteilen der Linie derart, dass die vorgegebenen Abschnitte bezüglich der Mitte des Wafers symmetrisch sind; Berechnen einer Differenz ΔA in der Dicke des Wafers zwischen beiden Enden jedes Abschnitts; Vergleichen der Differenz ΔA jedes Abschnitts mit derjenigen des entsprechenden bezüglich der Mitte des Wafers symmetrischen Abschnitts und Bestimmen, dass die Differenz der entsprechenden Abschnitte ein größerer Wert von Absolutwerten der verglichenen Differenzen ist; und der Schritt des Quantifizierens der Planheit beinhaltet: Quantifizieren der Planheit β eines Außenumfangs des Wafers von der Differenz ΔA der äußersten Abschnitte; Quantifizieren der Planheit α des gesamten Wafers mit Ausnahme des Außenumfangs durch Anwenden jedes Gewichts auf die Differenz ΔA des entsprechenden Abschnitts, so dass, wenn der Abschnitt näher an der Mitte des Wafers ist, das Gewicht größer ist, und Aufaddieren der Differenz ΔA der Abschnitte mit Ausnahme der äußersten Abschnitte.
Verfahren zum doppelseitigen Polieren nach Anspruch 5, wobei die Planheit α des gesamten Wafers derart quantifiziert wird, dass die Planheit α des am nächsten an der Mitte des Wafers liegenden Abschnitts in 0 umgewandelt wird, wenn die Differenz ΔA 0 ist, in 1 oder 2, wenn die Differenz ΔA positiv ist, in –1 oder –2, wenn die Differenz ΔA negativ ist; die Planheit α des anderen Abschnitts in 0 umgewandelt wird, wenn die Differenz ΔA 0 ist, in 0,5, wenn die Differenz ΔA positiv ist, in –0,5, wenn die Differenz ΔA negativ ist; und die Differenz ΔA jedes Abschnitts dann aufaddiert wird, die Planheit β des Außenumfangs des Wafers derart quantifiziert wird, dass die Planheit β 0 ist, wenn die Differenz ΔA 0 ist, 1, wenn die Differenz ΔA positiv ist, –1, wenn die Differenz ΔA negativ ist, und der Schritt des Bestimmens der Polierbedingungen des ersten und des zweiten Polierschrittes das Bestimmen der Solldicke des Wafers, auf die in dem ersten Polierschritt poliert werden soll, der in dem anschließenden Polierzyklus auszuführen ist, durch Addieren von βxT zu der Solldicke in einem gegenwärtigen Polierzyklus und Bestimmen der Solldicke des Wafers, auf die in dem zweiten Polierschritt poliert werden soll, der in dem anschließenden Polierzyklus auszuführen ist, durch Subtrahieren von αxT von der Solldicke in dem gegenwärtigen Polierzyklus beinhaltet, wobei T eine Differenz zwischen der maximalen Dicke und der minimalen Dicke des Wafers ist.
Verfahren zum doppelseitigen Polieren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, das ferner das Blasen von Luft auf eine Oberfläche des aus dem Träger herausgenommenen Wafers umfasst.