JP5151800B2 - 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 - Google Patents

両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5151800B2
JP5151800B2 JP2008211529A JP2008211529A JP5151800B2 JP 5151800 B2 JP5151800 B2 JP 5151800B2 JP 2008211529 A JP2008211529 A JP 2008211529A JP 2008211529 A JP2008211529 A JP 2008211529A JP 5151800 B2 JP5151800 B2 JP 5151800B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
double
side polishing
carrier
polishing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008211529A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010050193A (ja
Inventor
一弥 佐藤
淳一 上野
修一 小林
秀雄 工藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority to JP2008211529A priority Critical patent/JP5151800B2/ja
Priority to DE112009002008.9T priority patent/DE112009002008B4/de
Priority to KR1020117003649A priority patent/KR101592978B1/ko
Priority to CN200980132351.5A priority patent/CN102124546B/zh
Priority to US13/055,302 priority patent/US8118646B2/en
Priority to PCT/JP2009/003457 priority patent/WO2010021086A1/ja
Publication of JP2010050193A publication Critical patent/JP2010050193A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5151800B2 publication Critical patent/JP5151800B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/27Work carriers
    • B24B37/28Work carriers for double side lapping of plane surfaces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

本発明は、両面研磨装置において、ウェーハを研磨する際にウェーハを保持する両面研磨装置用キャリア及びその装置を用いた両面研磨方法に関する。
ウェーハの両面をポリッシング等で同時に研磨する際、両面研磨装置用キャリアによってウェーハを保持している。この両面研磨装置用キャリアは、ウェーハより薄い厚みに形成され、両面研磨装置の上定盤と下定盤の間の所定位置にウェーハを保持するための保持孔を備えている。この保持孔にウェーハが挿入されて保持され、上定盤と下定盤の対向面に設けられた研磨布等の研磨具でウェーハの上下面が挟み込まれ、研磨面に研磨剤を供給しながら研磨が行われる。
ここで、このようなウェーハの両面研磨に使用している両面研磨装置用キャリアは、金属製のものが主流である。
このため、ウェーハの周縁部を金属製の両面研磨装置用キャリアによるダメージから保護するために樹脂リングが保持孔の内周部に沿って取り付けられている。
このように、キャリアの保持孔とウェーハの間に樹脂リングを取り付けて研磨することでウェーハの周縁部が破損するのを防ぐことができる。
しかし、上述のようにして両面研磨を行う場合、ウェーハの外周部分に圧力が集中すると、研磨スラリーや研磨布の粘弾性の影響等により、ウェーハの外周部のみが過剰に研磨されて外周ダレが生じてしまうという問題があった。そして、この外周ダレがウェーハの平坦度を悪化させる1つの原因となっていた。
ところで、ウェーハの平坦度に関し、両面研磨時に両面研磨装置用キャリアの保持孔に保持されるウェーハを自転させることで、ウェーハの研磨面にテーパが発生するのを抑制し、平坦度を向上することができることが知られている。
また、前記のような外周ダレを低減する方法として、第1次両面研磨工程で生じた外周ダレを修正する第2次両面研磨工程を行う方法が開示されている(特許文献1参照)。
しかし、この方法では外周ダレを修正する第2次両面研磨工程を行うことで工程が増えるという欠点があり、より簡便に外周ダレを低減する両面研磨方法が求められていた。
また、研磨前のウェーハの外周部にサポートリングを装着することによってサポートリング付ウェーハを形成し、該サポートリング付ウェーハの状態で研磨することで外周ダレを低減するウェーハの製造方法が開示されている(特許文献2参照)。
特開2005−158798号公報 特開2004−241723号公報
両面研磨時に発生する外周ダレの原因の1つとして、研磨布の粘弾性特性に伴うクリープ変形による影響がある。これは、図7に示すように、研磨するウェーハWの周縁部に面取りが施されている場合、樹脂リング102の内周部とウェーハの面取り部112との間に隙間が生じ、その隙間にクリープ変形した研磨布105が入り込むことによってウェーハWの最外周にダレが生じてしまうという問題である。
このような、研磨布のクリープ変形によるダレの発生は、例えば上述したような、ウェーハの外周部にサポートリングを装着して研磨することにより防ぐことはできるものの、このような従来方法では、研磨中にウェーハが固定されてしまうので、ウェーハが自転することによるウェーハの研磨面のテーパ発生の低減効果を奏することができず、平坦度の向上効果が十分であるとは言えない。
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、研磨布のクリープ変形によるウェーハの外周ダレの発生を抑制しつつ、研磨中においてウェーハを自転させることによって研磨面のテーパの発生を低減し、平坦度を向上することができる両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明によれば、周縁に面取り部を有するウェーハの両面を研磨する両面研磨装置における両面研磨装置用キャリアであって、少なくとも、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれる前記ウェーハを保持するための保持孔が形成されたキャリア母体と、該キャリア母体の保持孔の内周に沿って配置され、前記保持されるウェーハの面取り部と接して該面取り部を保護するリング状の樹脂リングとを具備し、前記樹脂リングの内周に凹溝を有し、該凹溝に形成された上下のテーパ面と前記ウェーハの面取り部とが断面点接触で接して前記ウェーハが保持されるものであることを特徴とする両面研磨装置用キャリアを提供する(請求項1)。
このように、少なくとも、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれる前記ウェーハを保持するための保持孔が形成されたキャリア母体と、該キャリア母体の保持孔の内周に沿って配置され、前記保持されるウェーハの面取り部と接して該面取り部を保護するリング状の樹脂リングとを具備し、前記樹脂リングの内周に凹溝を有し、該凹溝に形成された上下のテーパ面と前記ウェーハの面取り部とが断面点接触で接して前記ウェーハが保持されるものであれば、ウェーハの面取り部と樹脂リングの内周部との隙間を小さくして外周ダレの発生を抑制しつつ、研磨中にウェーハの自転を行わせて研磨面にテーパが発生するのを抑制することができ、研磨するウェーハの平坦度を向上することができる。
このとき、前記樹脂リングの上下主面に対する前記凹溝のウェーハが接触するテーパ面の角度をβとし、前記ウェーハの面取り角をθとしたとき、θ<β<90°を満たすことによって前記凹溝の上下のテーパ面と前記ウェーハの面取り部とが断面点接触で接するものであることが好ましい(請求項2)。
このように、前記樹脂リングの上下主面に対する前記凹溝のウェーハが接触するテーパ面の角度をβとし、前記ウェーハの面取り角をθとしたとき、θ<β<90°を満たすことによって、前記凹溝の上下のテーパ面と前記ウェーハの面取り部とを確実に断面点接触で接するものとすることができる。
またこのとき、前記樹脂リングの上下主面に対する前記凹溝のウェーハが接触するテーパ面の角度βが、θ<β≦θ+7°を満たすものであることが好ましい(請求項3)。
このように、前記樹脂リングの上下主面に対する前記凹溝のウェーハが接触するテーパ面の角度βが、θ<β≦θ+7°を満たすものであれば、ウェーハの面取り部と樹脂リングの内周部との隙間を十分に小さくすることができ、外周ダレの発生をより効果的に抑制することができる。また、ウェーハの保持力を高めることができる。
また、本発明によれば、少なくとも、前記本発明に係る両面研磨装置用キャリアを具備した両面研磨装置を提供する(請求項4)。
このように、前記本発明に係る両面研磨装置用キャリアを具備した両面研磨装置であれば、研磨するウェーハの外周ダレ及びテーパの発生を抑制して平坦度を向上することができる。
また、本発明によれば、ウェーハを両面研磨する方法であって、研磨布が貼付された上下定盤の間に前記本発明に係る両面研磨装置用キャリアを配設し、該キャリアの保持孔の内周に配置された前記樹脂リングの凹溝の上下のテーパ面と前記ウェーハの面取り部とを断面点接触させて保持し、前記上下定盤の間に前記ウェーハを挟み込んで両面研磨することを特徴とするウェーハの両面研磨方法を提供する(請求項5)。
このように、研磨布が貼付された上下定盤の間に前記本発明に係る両面研磨装置用キャリアを配設し、該キャリアの保持孔の内周に配置された前記樹脂リングの凹溝の上下のテーパ面と前記ウェーハの面取り部とを断面点接触させて保持し、前記上下定盤の間に前記ウェーハを挟み込んで両面研磨すれば、研磨するウェーハの外周ダレ及びテーパの発生を抑制して平坦度を向上することができる。
本発明では、両面研磨装置用キャリアにおいて、樹脂リングの内周に凹状の溝を有し、該凹溝に形成された上下のテーパ面とウェーハの面取り部とが断面点接触で接してウェーハが保持されるものであるので、この両面研磨装置用キャリアを具備した両面研磨装置を用いて研磨を行えば、ウェーハの面取り部と樹脂リングの内周部との隙間を小さくして外周ダレの発生を抑制しつつ、研磨中にウェーハの自転を行わせて研磨面にテーパが発生するのを抑制することができ、研磨するウェーハの平坦度を向上することができる。
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
従来のウェーハの両面研磨において、研磨中に研磨布の粘弾性特性に伴うクリープ変形が発生し、ウェーハの周縁部に面取りが施されている場合には、樹脂リングの内周部とウェーハの面取り部との間の隙間にクリープ変形した研磨布が入り込むことによってウェーハの外周にダレが生じてしまう場合があり、ウェーハの平坦度を悪化させる原因となっていた。
従来、このような外周ダレを抑制するために、例えば、ウェーハと接する樹脂リングの内周部の形状をウェーハの面取り部の形状に合わせて形成し、接着して研磨することで、このような外周ダレを抑制することはできたが、研磨時のウェーハの自転をも阻害してしまうため、ウェーハの研磨面にテーパが発生するのを抑制する効果を奏することができず、平坦度を十分に向上させることができなかった。
そこで、本発明者はこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、樹脂リングの内周部に凹状の溝を形成してウェーハの面取り部と樹脂リングの内周部との隙間を小さくしてクリープ変形した研磨布がその隙間に入り込むのを抑制しつつ、樹脂リングの凹溝に形成した上下のテーパ面とウェーハの面取り部とを断面点接触で接触させてウェーハを保持すれば、ウェーハの自転を極力阻害しないようにすることができ、外周ダレ及びテーパの発生の両方を抑制することができることに想到し、本発明を完成させた。
ここで、図1に本発明の両面研磨装置用キャリアを具備した両面研磨装置の概略断面図、図2に平面視による両面研磨装置の内部構造図を示す。
図1、図2に示すように、本発明の両面研磨装置用キャリア1を具備した両面研磨装置20は、上下に相対向して設けられた上定盤6と下定盤7を備えており、各定盤6、7の対向面側には、それぞれ研磨布5が貼付されている。そして上定盤6と下定盤7の間の中心部にはサンギヤ13が、周縁部にはインターナルギヤ14が設けられている。ウェーハWは両面研磨装置用キャリア1の保持孔4に保持され、上定盤6と下定盤7の間に挟まれている。
また、サンギヤ13及びインターナルギヤ14の各歯部には両面研磨装置用キャリア1の外周歯が噛合しており、上定盤6及び下定盤7が不図示の駆動源によって回転されるのに伴い、両面研磨装置用キャリア1は自転しつつサンギヤ13の周りを公転する。このときウェーハWは両面研磨装置用キャリア1の保持孔4で保持されており、上下の研磨布5により両面を同時に研磨される。また、研磨時には、不図示のノズルから研磨液が供給される。
また、図3に示すように、両面研磨装置用キャリア1はウェーハWを保持するための保持孔4が形成された金属製のキャリア母体3を有している。そして、そのキャリア母体3の保持孔4の内周面に沿って樹脂リング2が配置されている。この樹脂リング2により、研磨中にウェーハWが金属性のキャリア母体3と接触することによってウェーハWの周縁部にダメージが発生するのを防ぐことができる。
そして、このような樹脂リング2が内周面に配置された両面研磨装置用キャリア1の保持孔4にウェーハWが挿入されて保持されるようになっている。
ここで、図4にウェーハWが両面研磨装置用キャリア1の保持孔4に挿入され、ウェーハWの周縁部が樹脂リング2の内周と接触した様子を表わした概略断面図を示す。
図4に示すように、研磨するウェーハWの周縁部には面取りが施されており、面取り部12を有している。また、樹脂リング2の内周には凹状の溝8が形成されている。また、その凹溝8には上下にテーパ面9が形成されている。
そして、この凹溝8の上下のテーパ面9とウェーハWの面取り部12とが断面点接触で接するようになっており、ウェーハWはこのような断面点接触の状態で保持されるようになっている。ここで、断面点接触とは、接触箇所を断面にして見たときに点接触している状態のことを言う。従って、本発明では、上下のテーパ面9とウェーハWの面取り部12とが上下2点で接触していることになる。
このように、樹脂リング2の凹溝8に形成した上下のテーパ面9とウェーハWの面取り部12とを断面点接触で接触させてウェーハWを保持すれば、研磨中にウェーハWの自転を極力阻害しないようにすることができる。
このように、樹脂リング2の内周に凹状の溝8を形成し、凹溝8の上下のテーパ面9とウェーハWの面取り部12とが断面点接触で接してウェーハWが保持される両面研磨装置用キャリアであれば、この両面研磨装置用キャリアを具備した本発明に係る両面研磨装置を用いて研磨することにより、ウェーハWの面取り部12と樹脂リング2の内周部との隙間Lを小さくすることができ、クリープ変形した研磨布5がその隙間に入り込むのを抑制して外周ダレを抑制することができる。
さらに、これに加えて、凹溝8の上下のテーパ面9とウェーハWの面取り部12とを断面点接触で接触させて保持することで研磨中にウェーハWの自転を行わせることができ、研磨面にテーパが発生するのを抑制することもできる。これらの結果、特に研磨工程を増やして平坦度を向上するための工程を行う必要もなく、1つの研磨工程だけで研磨するウェーハWの平坦度を向上することができる。
このとき、樹脂リング2の上下主面10、11に対する凹溝8のウェーハWが接触するテーパ面9の角度をβとし、ウェーハWの面取り角をθとしたとき、θ<β<90°を満たすことによって凹溝8の上下のテーパ面9とウェーハWの面取り部12とが断面点接触で接するものであることが好ましい。
このように、θ<β<90°を満たすことによって、凹溝8の上下のテーパ面9とウェーハの面取り部12とが確実に断面点接触で接するようにすることができる。
ここで、ウェーハの面取り角θは、図4、図5に示すような角度θであり、その定義はウェーハWの面取り部12のウェーハ表面側へ向うR端部の接線とウェーハ表面からの水平線との交点角である。
なお、図2、図3では各両面研磨装置用キャリア1がそれぞれ1枚のウェーハWを保持するようになっているが、複数の保持孔を有する両面研磨装置用キャリアを用いて、各両面研磨装置用キャリア内に複数枚のウェーハWを保持してもよい。
ここで、樹脂リング2の凹溝8の形状は、ウェーハWの面取り部12と断面点接触で接する上下のテーパ面9が形成されていれば良く、例えば、凹溝8の最深部の形状等は特にV溝に限定されない。例えば、図5に示すような台形状の凹溝8であっても良い。
このとき、樹脂リング2の上下主面10、11に対する凹溝8のウェーハWが接触するテーパ面9の角度βが、θ<β≦θ+7°を満たすものであることが好ましい。
例えば、ウェーハWの面取り角が18°の場合、樹脂リング2の上下主面10、11に対する凹溝8のウェーハWが接触するテーパ面9の角度βが、18°<β≦25°を満たせば、ウェーハWの面取り部12と樹脂リング2の内周部との隙間Lを十分に小さくすることができ、クリープ変形した研磨布5がその隙間に入り込むのをより効果的に抑制することができる。また、ウェーハの保持力を高めることができる。
また、本発明に係るウェーハの両面研磨方法では、例えば図4、5に示すような樹脂リング2を有した図3に示すような両面研磨装置用キャリア1、及びその両面研磨装置用キャリア1を具備した図1に示すような両面研磨装置20を用い、まず、両面研磨装置20の研磨布5が貼付された上下定盤6、7の間に両面研磨装置用キャリア1を配設する。
次に、両面研磨装置用キャリア1の保持孔4にウェーハWを挿入し、両面研磨装置用キャリア1の保持孔4の内周に配置された樹脂リング2の凹溝8の上下のテーパ面9とウェーハWの面取り部12とを断面点接触させて保持する。
そして、上下定盤6、7に貼付された研磨布5でウェーハWの上下研磨面を挟み込み、研磨面に研磨剤を供給しながら研磨を行う。
このようにして研磨すれば、ウェーハWの面取り部12と樹脂リング2の内周部との隙間Lを小さくしてクリープ変形した研磨布5がその隙間に入り込むのを抑制して外周ダレを抑制しつつ、研磨中にウェーハWの自転を行わせて研磨面にテーパが発生するのを抑制することができる。この結果、特に研磨工程を増やすこともなく、1つの研磨工程だけで研磨するウェーハWの平坦度を向上することができる。
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例)
図3、図4に示すような両面研磨装置用キャリア、及びその両面研磨装置用キャリアを具備した図1のような両面研磨装置を用いて、直径300mmのシリコンウェーハ250枚を両面研磨し、研磨後のウェーハ表面の平坦度(SFQR(max))を平坦度測定器(WaferSight M49モード/Cell Size:26×8mm/Offset:0×0mm/Edge Exclusion:2mm)で測定した。
なお、SFQR(site front least squares range)とはウェーハ裏面を平面に矯正した状態で、設定されたサイト内でデータを最小二乗法にて算出したサイト内平面を基準平面とし、各サイト毎のこの平面からの最大、最小の位置変位の差を示す。(max)とは、各サイト毎のその差のうち最大のものを指す。
ここで、ウェーハは研磨前に面取り加工を施し、その面取り角を18°とした。また、樹脂リングの内径を300.5mmとし、樹脂リングの幅を1700μm、βを25°とした。樹脂リングの内径はウェーハ直径に対して差を2mm以下にしてウェーハを保持するのが好ましい。また、樹脂リングの幅は1500〜2000μmの範囲にするのが強度的に好ましい。このとき、ウェーハの面取り部と樹脂リングの内周部との隙間Lは42μmであった。
その結果を図6に示す。図6に示すように、後述する比較例の結果と比べSFQR(max)が改善されていることが分かる。そして、SFQR(max)の平均値は26.65nmであり、比較例の32.56nmと比べ改善されており、その改善比率は22.18%であった。
このように、本発明の両面研磨装置用キャリアを用いて両面研磨することにより、クリープ変形した研磨布がその隙間に入り込むのを抑制して外周ダレを抑制しつつ、研磨中にウェーハの自転を行わせて研磨面にテーパが発生するのを抑制することができ、研磨するウェーハの平坦度を向上することができることが確認できた。
(比較例)
図7に示すような従来の凹溝のない樹脂リングを有した両面研磨装置用キャリアを具備した両面研磨装置を用いた以外、実施例と同様な条件で250枚のウェーハを研磨し、実施例と同様な方法で平坦度を測定した。
その結果を図6に示す。また、SFQR(max)の平均値は32.56nmであった。このように、実施例の結果と比べると平坦度が悪化していることが分かった。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
本発明に係る両面研磨装置の一例を示した概略断面図である。 平面視による本発明の両面研磨装置の内部構造図である。 本発明に係る両面研磨装置用キャリアの一例を示した概略図である。 ウェーハの周縁部(面取り部)が本発明の両面研磨装置用キャリアの樹脂リングの内周(凹溝の上下テーパ面)と断面点接触した様子と樹脂リングの凹溝の形状を表わした概略断面図である。 本発明に係る両面研磨装置用キャリアの樹脂リングの凹溝の別の形状を表わした概略断面図である。 実施例と比較例の結果を示す図である。 従来の両面研磨装置用キャリアにおける樹脂リングを用いて研磨したときの、クリープ変形した研磨布が樹脂リングの内周部とウェーハの面取り部との間の隙間に入り込んだ様子を示した説明図である。
符号の説明
1…両面研磨装置用キャリア、2…樹脂リング、3…キャリア母体、
4…保持孔、5…研磨布、6…上定盤、7…下定盤、
8…凹溝、9…テーパ面、10…上主面、11…下主面、
12…面取り部、13…サンギア、14…インターナルギア、
20…両面研磨装置、W…ウェーハ。

Claims (5)

  1. 周縁に面取り部を有するウェーハの両面を研磨する両面研磨装置における両面研磨装置用キャリアであって、少なくとも、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれる前記ウェーハを保持するための保持孔が形成されたキャリア母体と、該キャリア母体の保持孔の内周に沿って配置され、前記保持されるウェーハの面取り部と接して該面取り部を保護するリング状の樹脂リングとを具備し、前記樹脂リングの内周に凹溝を有し、該凹溝に形成された上下のテーパ面と前記ウェーハの面取り部とが断面点接触で接して前記ウェーハが保持されるものであることを特徴とする両面研磨装置用キャリア。
  2. 前記樹脂リングの上下主面に対する前記凹溝のウェーハが接触するテーパ面の角度をβとし、前記ウェーハの面取り角をθとしたとき、θ<β<90°を満たすことによって前記凹溝の上下のテーパ面と前記ウェーハの面取り部とが断面点接触で接するものであることを特徴とする請求項1に記載の両面研磨装置用キャリア。
  3. 前記樹脂リングの上下主面に対する前記凹溝のウェーハが接触するテーパ面の角度βが、θ<β≦θ+7°を満たすものであることを特徴とする請求項2に記載の両面研磨装置用キャリア。
  4. 少なくとも、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の両面研磨装置用キャリアを具備したものであることを特徴とする両面研磨装置。
  5. ウェーハを両面研磨する方法であって、研磨布が貼付された上下定盤の間に請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の両面研磨装置用キャリアを配設し、該キャリアの保持孔の内周に配置された前記樹脂リングの凹溝の上下のテーパ面と前記ウェーハの面取り部とを断面点接触させて保持し、前記上下定盤の間に前記ウェーハを挟み込んで両面研磨することを特徴とするウェーハの両面研磨方法。
JP2008211529A 2008-08-20 2008-08-20 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 Active JP5151800B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008211529A JP5151800B2 (ja) 2008-08-20 2008-08-20 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
DE112009002008.9T DE112009002008B4 (de) 2008-08-20 2009-07-23 Träger für eine Doppelseitenpoliervorrichtung, Doppelseitenpoliervorrichtung, die diesen verwendet, und Doppelseitenpolierverfahren
KR1020117003649A KR101592978B1 (ko) 2008-08-20 2009-07-23 양면 연마 장치용 캐리어, 및 이를 이용한 양면 연마 장치 및 양면 연마 방법
CN200980132351.5A CN102124546B (zh) 2008-08-20 2009-07-23 双面研磨装置用载具、使用此载具的双面研磨装置及双面研磨方法
US13/055,302 US8118646B2 (en) 2008-08-20 2009-07-23 Carrier for double-side polishing apparatus, double-side polishing apparatus using the same, and double-side polishing method
PCT/JP2009/003457 WO2010021086A1 (ja) 2008-08-20 2009-07-23 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008211529A JP5151800B2 (ja) 2008-08-20 2008-08-20 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010050193A JP2010050193A (ja) 2010-03-04
JP5151800B2 true JP5151800B2 (ja) 2013-02-27

Family

ID=41706979

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008211529A Active JP5151800B2 (ja) 2008-08-20 2008-08-20 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8118646B2 (ja)
JP (1) JP5151800B2 (ja)
KR (1) KR101592978B1 (ja)
CN (1) CN102124546B (ja)
DE (1) DE112009002008B4 (ja)
WO (1) WO2010021086A1 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103029031A (zh) * 2011-09-30 2013-04-10 上海双明光学科技有限公司 一种晶圆基片加工方法
JP5741497B2 (ja) * 2012-02-15 2015-07-01 信越半導体株式会社 ウェーハの両面研磨方法
JP5748717B2 (ja) 2012-09-06 2015-07-15 信越半導体株式会社 両面研磨方法
CN103707178A (zh) * 2013-02-26 2014-04-09 任靖日 加工表面高平坦化方法及其装置
US9427841B2 (en) 2013-03-15 2016-08-30 Ii-Vi Incorporated Double-sided polishing of hard substrate materials
SG10201903568TA (en) * 2014-01-23 2019-05-30 Locus Lp Stratified composite portfolios of investment securities
JP6269450B2 (ja) * 2014-11-18 2018-01-31 信越半導体株式会社 ワークの加工装置
JP6128198B1 (ja) * 2015-12-22 2017-05-17 株式会社Sumco ウェーハの両面研磨方法及びこれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法
JP6754519B2 (ja) * 2016-02-15 2020-09-16 国立研究開発法人海洋研究開発機構 研磨方法
TWI599872B (zh) * 2016-07-22 2017-09-21 宇瞻科技股份有限公司 具均勻出光之擴充卡及其均光裝置
CN107127674B (zh) * 2017-07-08 2021-01-08 上海致领半导体科技发展有限公司 一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘
JP7021632B2 (ja) * 2018-12-27 2022-02-17 株式会社Sumco ウェーハの製造方法およびウェーハ
CN110091003B (zh) * 2019-05-14 2024-04-05 柳州欧维姆机械股份有限公司 一种圆形工件双面外圆倒角设备
CN113373446B (zh) * 2021-06-16 2023-06-23 蓝思科技股份有限公司 一种化学抛光用载具

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57157453A (en) 1981-03-24 1982-09-29 Mitsubishi Electric Corp High pressure electric-discharge lamp
JPS5936367Y2 (ja) * 1981-03-31 1984-10-06 株式会社東芝 両面研摩装置
JP2000198065A (ja) * 1999-01-11 2000-07-18 Memc Kk 薄板円盤状ワ―クの研磨方法
JP2000280167A (ja) * 1999-03-30 2000-10-10 Kyocera Corp キャリアプレート及びこれを用いた両面研磨装置
JP2000288921A (ja) * 1999-03-31 2000-10-17 Hoya Corp 研磨用キャリア及び研磨方法並びに情報記録媒体用基板の製造方法
JP2000301451A (ja) * 1999-04-21 2000-10-31 Super Silicon Kenkyusho:Kk 研磨機用キャリア及びその製造方法
US6623343B2 (en) * 2000-05-12 2003-09-23 Multi Planar Technologies, Inc. System and method for CMP head having multi-pressure annular zone subcarrier material removal control
JP2002160156A (ja) * 2000-11-27 2002-06-04 Fukushichi Fukuzaki 研磨用キャリア
JP2004241723A (ja) 2003-02-07 2004-08-26 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウエーハの製造方法、サポートリング及びサポートリング付ウエーハ
JP2004303280A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Hoya Corp 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法
JP4352229B2 (ja) 2003-11-20 2009-10-28 信越半導体株式会社 半導体ウェーハの両面研磨方法
JP2006068895A (ja) * 2004-08-02 2006-03-16 Showa Denko Kk 研磨用キャリア及び磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法並びに磁気記録媒体用シリコン基板
CN1993206A (zh) * 2004-08-02 2007-07-04 昭和电工株式会社 用于磁记录介质的抛光托架和硅基底的制造方法以及用于磁记录介质的硅基底
US20080318493A1 (en) 2004-08-02 2008-12-25 Showa Denko K.K. Method of Manufacturing Polishing Carrier and Silicon Substrate for Magnetic Recording Medium, and Silicon Substrate for Magnetic Recording Medium
JP2008006526A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Konica Minolta Opto Inc 研磨キャリア

Also Published As

Publication number Publication date
KR101592978B1 (ko) 2016-02-11
DE112009002008B4 (de) 2022-11-10
CN102124546A (zh) 2011-07-13
CN102124546B (zh) 2013-07-24
JP2010050193A (ja) 2010-03-04
US8118646B2 (en) 2012-02-21
KR20110055555A (ko) 2011-05-25
US20110124271A1 (en) 2011-05-26
WO2010021086A1 (ja) 2010-02-25
DE112009002008T5 (de) 2011-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5151800B2 (ja) 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
JP4605233B2 (ja) 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
JP5648623B2 (ja) 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
US9050698B2 (en) Manufacturing method of carrier for double-side polishing apparatus, carrier for double-side polishing apparatus, and double-side polishing method of wafer
JP5212041B2 (ja) 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
EP1808887B1 (en) Production method of semiconductor wafer
US8772177B2 (en) Semiconductor wafer and method of producing the same
KR101605384B1 (ko) 양두 연삭 장치 및 웨이퍼의 제조 방법
KR20090029270A (ko) 양면 연마 장치용 캐리어 및 이를 이용한 양면 연마 장치 및 양면 연마 방법
KR102644651B1 (ko) 양면연마장치용의 캐리어의 제조방법 및 웨이퍼의 양면연마방법
TWI532091B (zh) Double-sided grinding method
TWI727490B (zh) 晶圓製造方法以及晶圓
CN112218737B (zh) 晶片的镜面倒角方法、晶片的制造方法及晶片
US20140264765A1 (en) Semiconductor wafer and method of producing same
JP5605260B2 (ja) インサート材及び両面研磨装置
WO2018012097A1 (ja) 両面研磨装置
JP2013094925A (ja) 修正キャリア及び研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100726

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120424

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120529

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121106

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121119

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151214

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5151800

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250