CN103029031A - 一种晶圆基片加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种晶圆基片加工方法，该方法包括以下步骤：1)在毛坯片上开设定位槽；2)采用超薄石英玻璃加工工艺对毛坯片进行研磨加工；3)对研磨后的毛坯片进行抛光处理。与现有技术相比，本发明具有生产成本低，产品良率高等优点。

Description

一种晶圆基片加工方法
技术领域
本发明涉及一种机械加工领域，尤其是涉及一种晶圆基片加工方法。 
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，是半导体行业的基础，在晶圆片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅，但是晶圆的技术过去主要掌握在欧美以及日本等国手中，尤其是在基片加工中难度较大，国内基片的厂家屈指可数，尤为大尺寸8’以上的更是凤毛麟角。 
发明内容
本发明的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种生产成本低，产品良率高的晶圆基片加工方法。 
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现： 
一种晶圆基片加工方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1)在毛坯片上开设定位槽；2)采用超薄石英玻璃加工工艺对毛坯片进行研磨加工；3)对研磨后的毛坯片进行抛光处理。 
所述的超薄石英玻璃加工工艺为具体包括以下步骤：A)毛坯片通过定位槽固定在研磨装置上；B)在待加工的毛坯片周围设置多个保护片；C)研磨装置从上方对毛坯片进行研磨。 
3所述的保护片设有3个，均匀设置在毛坯片周围，保护片的高度高于毛坯片0.15～0.3mm。 
研磨装置从上方对毛坯片进行研磨时，进刀量为0.01mm。 
与现有技术相比，本发明采用超薄石英玻璃加工工艺确保了晶圆基片在研磨中的良率，不需要额外的生产设备，生产成本较低。 
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。 
实施例 
一种晶圆基片加工方法，具体包括以下步骤：首先在毛坯片上开设定位槽，通过定位槽将毛坯片固定在研磨装置上，然后在待加工的毛坯片周围均匀设置三个保护片，该保护片的高度高于毛坯片0.2mm，增大毛坯片在研磨装置进刀过程中的受力面，使其不易产生裂痕甚至破碎。设置好毛坯片以及保护片之后，从上方开始对进行研磨加工，研磨装置的进刀量设为0.01mm。研磨完成后，对毛坯片进行抛光处理，即为晶圆基片产品。该加工方法在生产过程中不需要额外的生产设备，仅需要加设几个保护片，生产成本较低。 

Claims (5)

1.一种晶圆基片加工方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
1)在毛坯片上开设定位槽；
2)采用超薄石英玻璃加工工艺对毛坯片进行研磨加工；
3)对研磨后的毛坯片进行抛光处理。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆基片加工方法，其特征在于，所述的超薄石英玻璃加工工艺为具体包括以下步骤：
A)毛坯片通过定位槽固定在研磨装置上；
B)在待加工的毛坯片周围设置多个保护片；
C)研磨装置从上方对毛坯片进行研磨。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆基片加工方法，其特征在于，所述的保护片设有3个，均匀设置在毛坯片周围。
4.根据权利要求2所述的一种晶圆基片加工方法，其特征在于，所述的保护片的高度高于毛坯片0.15～0.3mm。
5.根据权利要求2所述的一种晶圆基片加工方法，其特征在于，研磨装置从上方对毛坯片进行研磨时，进刀量为0.01mm。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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