CN107127674B - 一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘 - Google Patents

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Abstract

一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘，在所述陶瓷载盘与抛光布贴合面上开有导液槽，该导液槽使得抛光液在陶瓷载盘的导液槽中自由流动。陶瓷载盘中贴晶片区域高于抛光液导液槽，贴晶片区域直径略大于晶片直径，贴晶片以外区域部分或全部低于贴晶片区域的高度。

Description

一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘
技术领域
本发明属于半导体材料加工技术领域，特别涉及一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘。
背景技术
在半导体晶片有蜡抛光工艺中，需使用蜡将晶片粘贴于陶瓷载盘的表面。由于晶片厚度较薄，同时抛光布本身有一定的弹性，在抛光过程中，如图2所示，大部分的抛光液都被陶瓷盘边缘阻挡至抛光区域以外，尤其是在使用较软的精抛垫抛光薄晶片时，只有极少量的抛光液能进入抛光区域参与抛光加工，导致抛光效率下降。同时，抛光区域中近陶瓷盘中心和外圈的抛光液分布严重不均衡，导致近陶瓷盘中心和边缘的晶片抛光效率不同，直接影响晶片抛光后的精度。
发明内容
本发明提供了一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘。
一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘，在所述陶瓷载盘与抛光布贴合面上开有导液槽，该导液槽使得抛光液在陶瓷载盘的导液槽中自由流动。
进一步的，陶瓷载盘中贴晶片区域高于抛光液导液槽，贴晶片区域直径略大于晶片直径，贴晶片以外区域部分或全部低于贴晶片区域的高度。
本发明在陶瓷载盘上加工出适合抛光液流通的区域，该区域高度低于贴晶片。本发明增加了进入抛光区域的抛光液量，晶片抛光效率得以提升。抛光区域中抛光液的分布更加均匀，使得晶片抛光精度得以提升。
附图说明
通过参考附图阅读下文的详细描述，本发明示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本发明的若干实施方式，其中：
图1是现有技术中陶瓷载盘结构正视图。
图2是现有技术中陶瓷载盘工作状态俯视图。
图3是本发明的陶瓷载盘结构正视图。
图4是本发明图3中B-B方向的剖视图。
图5是本发明的陶瓷载盘工作状态俯视图。
1——陶瓷载盘，2——抛光布，3——晶片，4——抛光液，5——贴晶片区域，6——导液槽，7——带有导液槽的陶瓷载盘。
具体实施方式
如图3、4和5所示，一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘，在所述陶瓷载盘与抛光布贴合面上开有导液槽，该导液槽使得抛光液在陶瓷载盘的导液槽中自由流动。陶瓷载盘中贴晶片区域高于抛光液导液槽，贴晶片区域直径略大于晶片直径，贴晶片以外区域部分或全部低于贴晶片区域的高度。
如图5所示，使用带有导液槽的陶瓷载盘抛光晶片时，抛光液可以在陶瓷载盘的导液槽中自由流动，参与抛光加工的抛光液的量得到了保证，同时抛光液的分布也更加均匀，使得抛光结果也更加稳定,晶片抛光精度得以提升。陶瓷载盘中贴晶片区域高于抛光液导液槽，贴晶片区域直径略大于晶片直径，贴晶片以外区域可以部分或全部加工至低于贴晶片区域的高度。
带有导液槽的陶瓷盘上粘贴晶片区域的边缘到晶片边缘的距离为2～4mm,可以依据晶片的形状对粘片区域进行加工。导液槽的深度一般介于0.2mm～2mm之间。晶片贴片区域以外可以整体加工也可以部分加工,所有导液槽联通，确保抛光液在导液槽之间可自由流动。
值得说明的是，虽然前述内容已经参考若干具体实施方式描述了本发明创造的精神和原理，但是应该理解，本发明并不限于所公开的具体实施方式，对各方面的划分也不意味着这些方面中的特征不能组合，这种划分仅是为了表述的方便。本发明旨在涵盖所附权利要求的精神和范围内所包括的各种修改和等同布置。

Claims (1)

1.一种用于半导体晶片抛光的陶瓷载盘，其特征在于，在所述陶瓷载盘与抛光布贴合面上开有导液槽，该导液槽使得抛光液在陶瓷载盘的导液槽中自由流动，
陶瓷载盘中贴晶片区域高于抛光液导液槽，贴晶片区域直径略大于晶片直径，贴晶片以外区域部分或全部低于贴晶片区域的高度，
所述导液槽的深度介于0.5mm～2mm之间，
所有的导液槽是联通的，联通的导液槽设置在贴晶片区域周围，确保抛光液在导液槽之间可自由流动，
贴晶片区域边缘距离晶片边缘的距离为2～4mm。
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