DE112012005664T5

DE112012005664T5 - SRAM Speicherkarte und Spannungs-Überwachungsschaltkreis

Info

Publication number: DE112012005664T5
Application number: DE112012005664.7T
Authority: DE
Inventors: c/o Mitsubishi Electric Corp. Tomoto Chiaki; c/o Fujisoku Corp. Uji Masaharu
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2012-01-13
Filing date: 2012-01-13
Publication date: 2014-10-09
Also published as: JPWO2013105261A1; KR20140116191A; CN104081418A; TW201329977A; JP5562496B2; US20150016182A1; KR101553793B1; WO2013105261A1; TWI500030B; US9117551B2; CN104081418B

Abstract

Eine eine Überwachungseinheit umfassende SRAM Speicherkarte, welche, über ein Kontaktelement, eine von einer Batterie erzeugte Versorgungsspannung überwacht, einen EIN-Wert in einem Alarmsignal einstellt, wenn ein elektrisches Potential an dem Kontaktelement geringer als ein Schwellenwert wird und einen AUS-Wert in dem Alarmsignal einstellt, wenn das elektrische Potential einem Kontaktelement gleich oder höher als der Schwellenwert ist, und das Alarmsignal an eine Vorrichtung über ein Schnittstelleneinheit ausgibt; eine Erkennungseinheit, welche einen EIN/AUS Zustand der Spannungsversorgung der Vorrichtung über die Schnittstelleneinheit erkennt; und ein Entladungsschaltkreis, welcher gemäß dem durch die Erkennungseinheit erkannten EIN/AUS Zustand der Spannungsversorgung der Vorrichtung in einer ersten Elektrode eines kapazitiven Elements angehäuften Ladungen entlädt.

Description

GEBIET
Die vorliegende Erfindung betrifft eine SRAM Speicherkarte und einen Spannungs-Überwachungsschaltkreis.
HINTERGRUND
Eine durch eine Batterie unterstützte SRAM (Static Random Access Memory – Statistischer Arbeitsspeicher) Speicherkarte ist herausnehmbar in eine Vorrichtung wie beispielsweise einen PLC (Programmable Logic Controller – Programmierbare Logische Steuereinheit) eingesetzt. Wenn die SRAM Speicherkarte in die Vorrichtung eingesetzt ist und Daten von der Vorrichtung erhält, erhält die SRAM Speicherkarte die erhaltenen Daten zum Back-Up aufrecht. In der SRAM Speicherkarte, wenn die Spannung der Batterie unter einen bestimmten Wert fällt, ist es wahrscheinlich, dass ein Schaltkreis beispielsweise ein SRAM die Daten nicht aufrechterhalten kann und die Daten verloren gehen. Um dieses Problem in der von der Batterie unterstützten SRAM Speicherkarte zu verhindern, wenn ein Batteriespannungs-Erkennungsschaltkreis den Abfall der Batteriespannung erkennt, gibt der Batteriespannung-Erkennungsschaltkreis ein Alarmsignal mit einem EIN-Wert an die Vorrichtung aus. Die Vorrichtung fordert einen Benutzer zum Austauschen der Batterie auf. Wenn die SRAM Speicherkarte vibriert verursacht manchmal die Batterie einen momentanen Verbindungsfehler und der Batteriespannung-Erkennungsschaltkreis erkennt irrtümlicherweise einen Abfall in der Batteriespannung und gibt fälschlicherweise ein Alarmsignal mit einem EIN-Wert aus. Um die momentane fälschliche Ausgabe des Alarmsignals zu verhindern, ist in der durch die Batterie unterstützten SRAM Speicherkarte ein Kontaktprell-Präventionsschaltkreis parallel zu der Batterie vorgesehen. Wenn Kontaktprellen auftritt, führt anstelle der Batterie der Kontaktprell-Präventionsschaltkreis dem Schaltkreis wie beispielsweise der SRAM eine Spannung zu.
Andererseits beschreibt Patentliteratur 1, dass in einem Kontaktprell-Präventionsschaltkreis, wenn eine Ausgabe an eine Vergleichsschaltung, welche die Spannung einer Kapazität und einer Widerstands-geteilten Spannung vergleicht, invertiert wird, wenn ein externer Schalter an ist, wobei ein NPN Transistor, dessen Basis mit einer Ausgabe der Vergleichsschaltung verbunden ist, eingeschaltet wird, und wobei eine Emitter-Spannung des NPN Transistors an eine mit beiden Enden der Kapazität über einen Strom-Spiegel verbundene Basis des NPN Transistors zugeführt wird. Folglich ist es entsprechend Patentliteratur 1 möglich das Auftreten von Kontaktprellen nahe einem Schwellenwert der Kapazität zu verhindern, da die Kapazität schnell entladen wird.
Patentliteratur 2 beschreibt, dass in einem Kontaktprell-Entfernungsschaltkreis, wenn das Potential eines Eingabeknotens eines Inverters mit einer Hysterese-Charakteristik von einem hohen Potential auf ein zweites Level fällt, welches eine intermediäres Potential ist, nachdem ein Schalter eingeschaltet wird, wobei eine Ausgabe des Inverters von einem niedrigen Potential zu einem hohen Potential invertiert wird, wobei ein Transistor, dessen Basis mit einer Ausgabeseite des Inverters verbunden ist, und dessen mit einem Eingabeknoten des Inverters verbunden ist, und dessen Emitter mit einem Erdungspotential verbunden ist, eingeschaltet wird, und wobei eine mit dem Eingabeknoten des Inverters verbundene Kapazität schnell entladen wird. Wenn das Potential des Eingabeknoten des Inverters sich von dem niedrigen Potential zu einem ersten Level erhöht, welches eine intermediäres Potential ist, wird die Ausgabe des Inverters von dem hohen Potential zu dem niedrigen Potential invertiert, wobei ein Transistor, dessen Basis mit der Ausgabeseite des Inverters verbunden ist, dessen Kollektor mit dem Eingabeknoten des Inverters verbunden ist, und dessen Emitter mit dem Versorgungsspannungs-Potential verbunden ist, eingeschaltet wird, und wobei die mit dem Eingabeknoten des Inverters verbundene Kapazität schnell entladen wird. Folglich wird die Kapazität gemäß Patentliteratur zu 2 nicht vollständig geladen, selbst wenn ein Kontaktprelle-Phänomen lange andauert, da die Kapazität schnell geladen und entladen wird. Es ist möglich einen Kontaktprell-Signal sicherlich zu entfernen.
Patentliteratur 3 beschreibt, dass in einem Spannungsversorgungsschaltkreis einer kleinen elektronischen Vorrichtung ein logisches Produkt eines Batterie-Ablösesignals, welches zu einem „H” Level wechselt, wenn sich eine Batterie von einem Spannungsversorgungs-Befestigungsbereich löst, wobei ein EIN/AUS Signal, welches zu einem „H” Level entsprechend einem EIN Zustand eines Netzschalters wechselt, und ein Ausgabesignal einer Spannungserkennungseinheit, welches zu dem „H” Level wechselt, in einem Zustand, bei dem ein Versorgungsspannungslevel eines Vcc-Anschlusses eine Betriebsspannung eines CPUs erreicht, an die Basis eines Transistors eingegeben wird, dessen Kollektor mit dem Vcc-Anschluss verbunden ist, und dessen Emitter mit einem GND-Anschluss verbunden ist. Folglich wird die in einer Kapazität in einem Vorrichtungsschaltkreis angehäufte Ladung von dem Vcc-Anschluss an den GND-Anschluss entladen gemäß Patentliteratur 3, wenn sich die Batterie von dem Spannungsversorgungs-Befestigungsbereich löst. Demnach gibt es mit der angehäuften Ladung der Kapazität keine Fehlfunktion des CPUs. Es ist möglich das Auftreten eines Mangels wie beispielsweise eines Speicherbruchs zu verhindern.
LITERATURLISTE
PATENTDOKUMENTE

Patentliteratur 1: japanische Patentanmeldung Offenlegungsschrift NO. H4-154715
Patentliteratur 2: japanisches Gebrauchsmuster Veröffentlichungsnummer H5-46122
Patentliteratur 3: japanisches Gebrauchsmuster Veröffentlichungsnummer H4-86052

ZUSAMMENFASSUNG
AUFGABE DER ERFINDUNG
In den in Patentliteratur 1 und Patentliteratur 2 beschriebenen Technologien gibt es keine Beschreibung bezüglich einer Batterie, es gibt keine Beschreibung bezüglich einer Fehlerkennung eines Befestigungszustands einer Batterie, und es gibt keine Beschreibung bezüglich, wie der Energieverbrauch einer Batterie reduziert werden kann. Selbst wenn eine wie Patentliteratur 1 beschriebene Konstantstromquelle oder eine wie in Patentliteratur 2 beschriebene Gleichstrom-Spannungsversorgung eine Batterie ist, sind die in Patentliteratur 1 und Patentliteratur 2 beschriebenen Technologien auf der Prämisse basiert, dass Laden und Entladen der Kapazität stetig ausgeführt wird. Daher ist es schwierig einen Entladungswert pro Zeiteinheit der Kapazität zu unterdrücken und es ist schwierig den Energieverbrauch der Batterie zu reduzieren.
Die in Patentliteratur 3 beschriebene Technologie basiert auf der Prämisse, dass es möglich ist richtigerweise zu erkennen, ob die Batterie in dem Spannungsversorgung-Befestigungsbereich befestigt ist. Demnach gibt es keine Beschreibung bezüglich einer Fehlerkennung eines Befestigungszustand der Batterie. Die im Patentliteratur 3 beschriebene Technologie ist eine Technologie, welche die Reduzierung einer Fehlfunktionen des CPUs betrifft, wenn die Batterie sich von dem Spannungsversorgungs-Befestigungsbereich löst. Demnach gibt es fast keine Beschreibung bezüglich eines Zustands, bei dem die Batterie befestigt ist. Daher gibt es keine Beschreibung bezüglich, wie der Energieverbrauch der Batterie reduziert wird.
Die vorliegende Erfindung wurde in Anbetracht des Obigen gemacht und es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine SRAM Speicherkarte und einen Spannungs-Überwachungsschaltkreis zu erhalten, welche eine Fehlerkennung eines Befestigungszustands einer Batterie zu einem Zeitpunkt reduzieren kann, bei dem die Batterie nicht befestigt ist, und den Energieverbrauch der Batterie zu einem Zeitpunkt reduzieren kann, bei dem die Batterien nicht befestigt ist.
PROBLEMLÖSUNG
Die vorliegende Erfindung betrifft eine SRAM Speicherkarte, welche die Aufgabe löst. Die SRAM Speicherkarte ist herausnehmbar in eine eine Spannungsversorgung aufweisende Vorrichtung eingesetzt und umfasst eine Schnittstelleneinheit, welche zumindest eine Spannungsversorgung von der Vorrichtung erhält, wenn die Spannungsversorgung der Vorrichtung in einem Zustand an ist, bei dem die SRAM Speicherkarte in die Vorrichtung eingesetzt ist; einen einer Aufrechterhaltung zugehörigen Schaltkreis, welcher von der Spannungsversorgung eine Versorgung erhält und eine Kooperation zum Aufrechterhalten von Daten ausführt; ein Kontaktelement zum elektrischen Verbinden des einer Aufrechterhaltung zugehörigen Schaltkreises mit einer Batterie, welche eine Spannungsversorgung erzeugt; eine Schalteinheit zum Schalten einer Versorgungsspannungsquelle derart, dass, wenn die Spannungsversorgung der Vorrichtung in einem EIN Zustand ist, die über die Schnittstelleneinheit erhaltene Spannungsversorgung von der Vorrichtung dem einer Aufrechterhaltung zugehöriger Schaltkreis zugefügt wird, und wenn die Spannungsversorgung der Vorrichtung in einem AUS Zustand ist, die von der Batterie erzeugte Spannungsversorgung dem einer Aufrechterhaltung zugehörigen Schaltkreis über das Kontaktelement zugeführt wird; ein Kontaktprell-Präventionsschaltkreis umfassend ein kapazitives Element, welches eine mit dem Kontaktelement elektrisch verbundene erste Elektrode aufweist und eine mit einem elektrischen Referenzpotential elektrisch verbundene zweite Elektrode aufweist; eine Überwachungseinheit zum Überwachen, über das Kontaktelement, der von der Batterie erzeugten Versorgungsspannung, wobei ein EIN-Wert in einem Alarmsignal eingestellt wird, wenn ein elektrisches Potential an dem Kontaktelement geringer als ein Schwellenwert wird, und wobei ein AUS-Wert in dem Alarmsignal eingestellt wird, wenn das Potential an den Kontaktelement gleich oder höher als der Schwellenwert wird, und wobei das Alarmsignal an die Vorrichtung über die Schnittstelleneinheit ausgegeben wird; eine Erkennungseinheit zum Erkennen des EIN/AUS Zustands der Spannungsversorgung der Vorrichtung über die Schnittstelleneinheit; und einen Entladungsschaltkreis zum Entladen von in der ersten Elektrode des kapazitiven Elements angehäufter Ladung entsprechend dem von der Erkennungseinheit erkanntem EIN/AUS Zustand der Spannungsversorgung der Vorrichtung.
VORTEILHAFTE EFFEKTE DER ERFINDUNG
Entsprechend der vorliegenden Erfindung ist es möglich das Entladen durch den Entladungsschaltkreis auszuführen, wenn eine Fehlerkennung eines Befestigungszustands der Batterie zu einem Zeitpunkt, bei dem die Batterie nicht befestigt ist, auftreten könnte und die Entladung durch den Entladungsschaltkreis nicht auszuführen, wenn die Fehlerkennungen des Befestigungszustand der Batterie zu einem Zeitpunkt, bei dem die Batterie nicht befestigt ist, nicht auftreten könnte. Im Ergebnis ist es möglich die Fehlererkennung des Befestigungszustands der Batterie zu einem Zeitpunkt, bei dem die Batterien nicht befestigt ist, zu reduzieren und den Energieverbrauch der Batterie zu einem Zeitpunkt, bei dem die Batterie nicht befestigt ist, zu reduzieren.
KURZBESCHREIBUNG DER FIGUREN
1 ist ein Diagramm der Konfiguration einer SRAM Speicherkarte entsprechend einer Ausführungsform.
2 ist ein Diagramm der Konfiguration einer SRAM Speicherkarte entsprechend einer modifizierten Ausführungsform.
BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Eine Ausführungsform einer SRAM Speicherkarte entsprechend der vorliegenden Erfindung wird im Folgenden genauer mit Bezug zu den Zeichnungen erläutert. Es wird darauf hingewiesen, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die Ausführungsform beschränkt ist.
AUSFÜHRUNGSFORM
Eine durch eine Batterie 20 unterstützte SRAM (Static Random Access Memory – Statischer Arbeitsspeicher) Karte 1 ist herausnehmbar in eine Vorrichtung AP, wie in 1 gezeigt, eingesetzt. Die Vorrichtung AP ist eine eine Spannungsversorgung PS umfassende Vorrichtung und ist beispielsweise ein PLC (Programmable Logic Controller – Programmierbare Logische Steuereinheit) Wenn die SRAM Speicherkarte 1 in die Vorrichtung AP eingesetzt ist, erhält die SRAM Speicherkarte 1, an einer Schnittstelleneinheit 10, ein Steuersignal, eine Adresse von Daten und die Daten von der Vorrichtung AP als Eingaben. Wenn ein Schreibbefehl in dem Steuersignal umfasst ist, transferiert eine Lese- und Schreib-Steuereinheit 90 die von der Schnittstelleneinheit 10 erhaltenen Daten an einen einer Aufrechterhaltung zugehörigen Schaltkreis 40 und schreibt die Daten in den einer Aufrechterhaltung zugehörigen Schaltkreis 40. Der einer Aufrechterhaltung zugehörige Schaltkreis 40 erhält die Versorgung von einer Versorgungsspannung und führt eine Operation zum Aufrechterhalten der Daten aus. Der einer Aufrechterhaltung zugehörige Schaltkreis 40 umfasst ein Speicherarray einer SRAM und einen peripheren Schaltkreis (ein IC, usw.) des SRAM. Beispielsweise schreibt der Lese- und Schreib-Steuerschaltkreis 90 die Daten in eine Adresse in dem Speicherarray des SRAM entsprechend der Adresse der Daten gemäß dem Schreibbefehl. Alternativ, wenn ein Auslesebefehl in dem Steuersignal umfasst ist, liest die Lese- und Schreib-Steuereinheit 90 die Daten von dem einer Aufrechterhaltung zugehörigen Schaltkreis 40 aus und übermittelt die Daten an die Vorrichtung AP durch die Schnittstelleneinheit 10.
Wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP an ist, wird die SRAM Speicherkarte 1 mit einer von der Vorrichtung AP zugeführten Versorgungsspannung betrieben und führt das Schreiben und Lesen der Daten aus. Das heißt, wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP an ist in einem Zustand, bei dem die SRAM Speicherkarte 1 in der Vorrichtung AP eingesetzt ist, erhält die Schnittstelleneinheit 10 die Versorgungsspannung von der Vorrichtung AP. Wenn die Spannungsversorgung der Vorrichtung AP aus ist, erhält die Schnittstelleneinheit 10 die Versorgungsspannung nicht von der Vorrichtung AP.
Wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in einem AUS Zustand ist, wechselt die SRAM Speicherkarte 1 in einen standby Zustand. Der einer Aufrechterhaltung zugehörige Schaltkreis 40 führt die Aufrechterhaltung der Daten mit einer von der Batterie 20 bereitgestellten Versorgungsspannung aus. Das heißt, eine Schalteinheit 30 schaltet gemäß dem EIN oder AUS Zustand der Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP eine Versorgungsspannungsquelle zu dem einer Aufrechterhaltung zugehörigen Schaltkreis 40 zwischen der Spannungsversorgung der Vorrichtung AP und der Batterie 20 im Inneren um. Insbesondere schaltet die Schalteinheit 30 die Versorgungsspannungsquelle derart um, dass, wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in einem EIN Zustand ist, die über die Schnittstelleneinheit 10 von der Vorrichtung AP erhaltene Versorgungsspannung an den einer Aufrechterhaltung zugehörigen Schaltkreis 40 über eine Leitung L1, einen Verbindungsknoten N1 und eine Leitung L3 zugeführt wird und, wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in einem AUS Zustand ist, die von der Batterie 20 erzeugte Versorgungsspannung an den einer Aufrechterhaltung zugehörigen Schaltkreis 40 über ein Kontaktelement 21 durch einen Widerstand 22, ein Verbindungsknoten N2, eine Leitung L2, den Verbindungsknoten N1 und die Leitung L3 zugeführt wird.
Weiter umfasst die Schaltereinheit 30 insbesondere eine zwischen dem Verbindungsknoten N1 der Leitung L1 und der Leitung L3 und der Leitung L2 elektrisch verbundene Diode 31 derart, dass die von der Vorrichtung AP zugeführte Versorgungsspannung und die von der Batterie 20 im Inneren zugeführte Versorgungsspannung sich nicht gegenseitig behindern. Die Diode 31 ist derart verbunden, dass eine Richtung von der Leitung L2 zu den Verbindungsknoten N1 die Vorwärtsrichtung ist. Folglich kann die Schalteinheit 30 die Schaltoperation mit einer einfachen Konfiguration ausführen.
Entsprechend der Schaltoperation der Schalteinheit 30, wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in dem AUS Zustand ist, wird die von der Batterie 20 erzeugte Versorgungsspannung dem einer Aufrechterhaltung zugehörigen Schaltkreis 40 zugeführt. Allerdings, wenn die von der Batterie 20 erzeugte Versorgungsspannung abfällt und geringer als ein bestimmter Wert wird, kann der einer Aufrechterhaltung zugehörigen Schaltkreis 40 die Daten nicht aufrechterhalten. Die Daten gehen wahrscheinlich verloren. Um diesem Problem vorzubeugen umfasst die durch die Batterie 20 unterstützte SRAM Speicherkarte 1 einen Spannungs-Überwachungsschaltkreis 100, welcher zum Überwachen der Spannung der Batterie 20 und zum Erkennen eines Fehlers konfiguriert ist. Das heißt, eine Überwachungseinheit 80 des Spannungs-Überwachungsschaltkreises 100 ist mit dem Kontaktelement 21 über den Verbindungsknoten N2 und den Widerstand 22 elektrisch verbunden. Folglich überwacht die Überwachungseinheit 80 über das Kontaktelement 21 die von der Batterie 20 erzeugte Versorgungsspannung. Wenn die Überwachungseinheit 80 einen Abfall in der von der Batterie 20 erzeugten Versorgungsspannung erkennt, gibt die Überwachungseinheit 80 ein Alarmsignal mit einem EIN-Wert an die Vorrichtung AP über die Schnittstelleneinheit 10 aus.
Insbesondere Vergleich die Überwachungseinheit 80 das Potential oder elektrische Potential an dem Kontaktelement 21 mit einem Schwellenwert. Der Schwellenwert ist ein zuvor experimentell bestimmter Potentialwert, wobei ein Randbereich des Betriebs des einer Aufrechterhaltung zugehörigen Schaltkreises 40 mit Bezug auf ein „bestimmtes Level” berücksichtigt wird, bei dem der einer Aufrechterhaltung zugehörige Schaltkreis 40 Daten nicht aufrechterhalten kann. Wenn das Potential an dem Kontaktelement 21 geringer als der Schwellenwert wird, stellt die Überwachungseinheit 80 einen EIN-Wert in dem Alarmsignal ein unter der Annahme, dass ein Abfall in der von der Batterie 20 erzeugten Versorgungsspannung erkannt ist. Wenn das Potential an dem Kontaktelement 21 gleich oder höher als der Schwellenwert ist, stellt die Überwachungseinheit 80 einen AUS-Wert in dem Alarmsignal ein unter der Annahme, dass ein Abfall in der von der Batterie 20 erzeugten Versorgungsspannung nicht erkannt ist. Überwachungseinheit 80 gibt das Alarmsignal an die Vorrichtung AP über die Schnittstelleneinheit 10 aus. Folglich kann die Vorrichtung AP einen Wert des Alarmsignals überprüfen und, falls der Wert des Alarmsignals ein EIN-Wert ist, über eine Alarmeinheit AL einen Alarm ausführen zur Aufforderung des Benutzers die Batterie 20 in der SRAM Speicherkarte 1 zu ersetzen. Als ein Verfahren zum Alarmieren durch die Alarmeinheit AL kann ein Aufleuchten einer LED Lampe, ein Ausgeben eines Warntons, ein Ausgeben einer Nachricht an eine Anzeigeeinheit, einen Ausgeben eines Benachrichtigungsstroms und ähnliches verwendet werden.
In diesem Fall, wenn die SRAM Speicherkarte 1 vibriert, verursacht manchmal die Batterie 20 momentan einen Verbindungsfehler mit dem Kontaktelement 21 und die Überwachungseinheit 80 stellt das EIN Signal in dem Alarmsignal ein und gibt das Alarmsignal an die Vorrichtung AP aus unter der Annahme, dass ein Abfall in der von der Batterie 20 erzeugten Versorgungsspannung aus Versehen erkannt ist. Um eine momentane Fehlererkennung des Alarmsignals zu verhindern umfasst die SRAM Speicherkarte 1 einen Kontaktprell-Präventionsschaltkreis 60 parallel zu der Batterie 20.
Insbesondere umfasst der Kontaktprell-Präventionsschaltkreis 60 ein kapazitives Element 61. Das kapazitive Element umfasst eine erste Elektrode 61a und eine zweite Elektrode 61b. Die Elektrode 61a ist mit dem Kontaktelement 21 über den Kontaktknoten N2 und den Widerstand 22 elektrisch verbunden. Die zweite Elektrode 61b ist mit einem Referenzpotential (beispielsweise GND Potential) elektrisch verbunden. Das kapazitive Element 21 häuft in der ersten Elektrode 61a Ladungen entsprechend der von der Batterie 20 erzeugten Versorgungsspannung an und hält eine Spannung entsprechend der von der Batterie 20 erzeugten Versorgungsspannung aufrecht. Wenn Kontaktprellen auftritt, bei dem die Batterie 20 einen momentanen Kontaktfehler mit dem Kontaktelement 21 erzeugt, versorgt das kapazitive Element 61 den einer Aufrechterhaltung zugehörigen Schaltkreis 40 anstelle der Batterie 20 mit einer Versorgungsspannung. Das heißt, wenn die Batterie 20 einen Verbindungsfehler mit dem Kontaktelement 21 momentan aufgrund der Vibration der SRAM Speicherkarte 1 erzeugt, führt der Kontaktprell-Präventionsschaltkreis 60 eine Unterstützung der Batterie 20 derart aus, dass der EIN-Wert nicht in dem Alarmsignal durch die Überwachungseinheit 80 aus Versehen eingestellt wird.
Dabei wird angenommen, dass die Batterie 20 nicht befestigt ist und die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in einem EIN Zustand ist. In diesem Fall fließt eine Umkehrspannung (ein Kriechstrom) von dem Verbindungsknoten N1 zu dem Verbindungsknoten N2 zu der Diode 31. Ladungen werden in der ersten Elektrode 61a des kapazitiven Elements 61 des Kontaktprell-Präventionsschaltkreises 60 geladen. Wenn die Ladungen in dem kapazitiven Element 61 des Kontaktprell-Präventionsschaltkreises 60 angehäuft sind, stellt das kapazitive Element 61 die Versorgungsspannung anstelle der Batterie 20 bereit, selbst wenn die Batterie 20 nicht befestigt ist. Falls die Batterie 20 nicht befestigt ist, stellt die Überwachungseinheit 80 den EIN-Wert in dem Alarmsignal ein und gibt das Alarmsignal an die Vorrichtung AP aus, da die von der Batterie 20 erzeugte Versorgungsspannung gleich 0 ist. Allerdings, da das Potential des Kontaktelements 21 gleich oder höher als der Schwellenwert ist, erkennt die Überwachungseinheit 80 aus Versehen, dass die Batterie 20 nicht befestigt ist, stellt den AUS Wert in dem Alarmsignal ein und gibt fälschlicherweise das Alarmsignal an die Vorrichtung AP aus. Um die fälschliche Ausgabe zu verhindern umfasst die SRAM Speicherkarte 1 einen Entladungsschaltkreis 70, welcher zum Entladen der in der ersten Elektrode 61a des kapazitiven Elements 61 des Kontaktprell-Präventionsschaltkreises 60 angehäuften Ladungen konfiguriert ist. Das heißt, der Entladungsschaltkreis entlädt die Ladungen der ersten Elektrode 61a des kapazitiven Elements 61 des Kontaktprell-Präventionsschaltkreises 60 und stellt das Potential an dem Kontaktelement 21 ein, damit dieses gleich oder geringer als der Schwellenwert ist.
Insbesondere umfasst der Entladungsschaltkreis 70 ein Ende 70a, das andere Ende 70b und einen Schalter 72. Das eine Ende 70a ist mit der ersten Elektrode 61a des kapazitiven Elements 61 elektrisch verbunden. Das andere Ende 70b ist mit dem Referenzpotential (beispielsweise das GND Potential) elektrisch verbunden. Der Sachalter 72 verbindet das eine Ende 70a und das andere Ende 70 elektrisch und damit die in der ersten Elektrode 61a des kapazitiven Elements 61 angehäuften Ladungen an das Referenzpotential zum Entladen.
Der Schalter 72 umfasst beispielsweise einen Feldeffekttransistor 72a. Eines von einer Source und einer Drain des Feldeffekttransistors 72a ist mit dem einen Ende 70a verbunden und der andere ist mit dem anderen Ende 70b verbunden. Der Feldeffekttransistor 72a wird eingeschaltet, wenn ein Steuersignal an einem aktiven Level an ein Gate des Feldeffekttransistors 72a angelegt wird um damit das eine Ende 70a und das andere Ende 70b zu verbinden und die in der ersten Elektrode 61a des kapazitiven Elements 61 angehäuften Ladungen an das Referenzpotential zu entladen.
Folglich, wenn die Batterie 20 in einem unbefestigten Zustand (ein nicht-kontaktiert Zeitpunkt ist nicht momentan), ist es möglich den Kontaktprell-Präventionsschaltkreis 60 zu hindern die Unterstützung der Batterie 20 auszuführen und eine Fehlererkennung des Befestigungszustands der Batterie 20 durch die Überwachungseinheit 80 zu reduzieren.
Als der Erfinder die Überprüfung ausgeführt hat, in der SRAM Speicherkarte 1, ist es nicht nötig die Entladung der in der ersten Elektrode 61a des kapazitiven Elements 61 angehäuften Ladungen stetig auszuführen. Wie oben erläutert, ist es ausreichend die Entladung der Ladungen auszuführen, wenn die Batterie 20 nicht befestigt ist und die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in dem EIN Zustand ist. Andererseits, wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in dem AUS Zustand ist, fließt der Umkehrstrom der Diode 31 nicht und das Aufladen in der ersten Elektrode 61a kann nicht erfolgen. Demnach ist es nicht notwendig die Ladung von der ersten Elektrode 61a zu entladen. Es wird als schwierig angesehen die Erkennung des Befestigungszustands der Batterie 20 nicht über das Potential an dem Kontaktelement 21 durchzuführen. Allerdings wird es als möglich angesehen die Erkennung des EIN/AUS Zustand der Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP auszuführen.
In einer solchen Überprüfung, ist der Erfinder zu der Idee gekommen, dass der EIN/AUS Zustand der Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in der SRAM Speicherkarte 1 erkannt werden sollte. Wie oben erläutert, wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP ein in einem Zustand ist, bei dem die SRAM Speicherkarte 1 in die Vorrichtung AP eingesetzt ist, wird die Schnittstelleneinheit 10 mit der Versorgungsspannung von der Vorrichtung AP versorgt. Wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP aus ist, wird die Schnittstelleneinheit 10 nicht mit der Versorgungsspannung von der Vorrichtung AP versorgt. Das heißt, es ist möglich den EIN/AUS Zustand der Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP durch Feststellen, ob die Schnittstelleneinheit 10 die Versorgungsspannung erhält, zu erkennen. Daher befragt eine EIN/AUS Erkennungseinheit 50 die Schnittstelleneinheit 10, ob die Schnittstelleneinheit 10 die Spannungsversorgung erhält. Entsprechend einem Ergebnis der Anfrage, erkennt die EIN/AUS Erkennungseinheit 50 den EIN/AUS Zustand der Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP. Das heißt, die EIN/AUS Erkennungseinheit 50 erkennt den EIN/AUS Zustand der Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP über die Schnittstelleneinheit 10.
Wenn die EIN/AUS Erkennungseinheit 50 den EIN Zustand der Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP erkennt, erzeugt die EIN/AUS Erkennungseinheit 50 ein Steuersignal bei einem nicht aktiven Level und führt das Steuersignal einem Steuerterminal des Schalters 72 zu. Wenn die EIN/AUS Erkennungseinheit 50 den AUS Zustand der Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP erkennt erzeugt die EIN/AUS Erkennungseinheit 50 ein Steuersignal bei einem aktiven Level und führt das Steuersignal dem Steuerterminal des Schalters 72 zu.
Beispielsweise, wenn die EIN/AUS Erkennungseinheit 50 den EIN Zustand der Spannungsversorgung der Vorrichtung AP erkennt, erzeugt die EIN/AUS Erkennungseinheit 50 das Steuersignal bei einem aktiven Level und führt das Steuersignal dem Gate des Feldeffekttransistors 72a zu. Wenn die EIN/AUS Erkennungseinheit 50 den AUS Zustand der Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP erkennt, erzeugt die EIN/AUS Erkennungseinheit 50 das Steuersignal bei einem nicht aktiven Level und führt das Steuersignal dem Gate des Feldeffekttransistors 72a zu.
Entsprechend dem durch die EIN/AUS Erkennungseinheit 50 erkannten EIN/AUS Zustand der Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP, entlädt der Entladungsschaltkreis 70 die in der ersten Elektrode 61a des kapazitiven Elements 61 angehäuften Ladungen.
Das heißt, wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in dem EIN Zustand ist, erhält der Schalter 72 des Entladungsschaltkreises 70 das Steuersignal bei einem aktiven Level von der EIN/AUS Erkennungseinheit 50 und verbindet elektrisch das eine Ende 70a und das andere Ende 70b. Folglich entlädt der Entladungsschaltkreis 70 die in der ersten Elektrode 61 des kapazitiven Elements 61 angehäuften Ladungen an das Referenzpotential. Alternativ, wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in dem AUS Zustand ist, erhält der Schalter 72 des Entladungsschaltkreis 70 das Steuersignal bei einem nicht aktiven Level von der EIN/AUS Erkennungseinheit 50 und trennt elektrisch das eine Ende 70a und das andere Ende 70b. Folglich entlädt der Entladungsschaltkreis 70 die in der ersten Elektrode 61a des kapazitiven Elements 61 angehäuften Ladungen nicht an das Referenzpotential.
Beispielsweise, wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in dem EIN Zustand ist, erhält der Feldeffekttransistor 72a des Entladungsschaltkreises 70, an dem Gate, das Steuersignal bei einem aktiven Level von der EIN/AUS Erkennungseinheit 50 und verbindet das eine Ende 70a und das andere Ende 70b elektrisch. Folglich entlädt der Entladungsschaltkreis 70 die in der ersten Elektrode 61a des kapazitiven Elements 61 angehäuften Ladungen an das Referenzpotential. Alternativ beispielsweise, wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in dem AUS Zustand ist, erhält der Feldeffekttransistor 72a des Entladungsschaltkreises 70, an dem Gate, das Steuersignal bei dem nicht aktiven Level von der EIN/AUS Erkennungseinheit 50 und verbindet das eine Ende 70a und das andere Ende 70b elektrisch. Folglich entlädt der Entladungsschaltkreis 70 die in der ersten Elektrode 61a des kapazitiven Elements 61 angehäuften Ladungen nicht an das Referenzpotential.
Weiterhin umfasst der Entladungsschaltkreis 70 ein Widerstandselement 71, welches mit dem Schalter 72 (beispielsweise ein Feldeffekttransistor 72a) in Serie zwischen dem einen Ende 70a und dem anderen Ende 70b verbunden ist. Das Widerstandselement 71 ist in einen Entladungsweg in Serie eingesetzt. Dadurch ist es möglich durch vorab moderat großes Einstellen eines Widerstandswerts des Widerstandselements 71 einen Entladungsbetrag pro Zeiteinheit durch den Entladungsschaltkreis 70 zu begrenzen.
Wie oben erläutert, in der Ausführungsform, erkennt die EIN/AUS Erkennungseinheit 50 den EIN/AUS Zustand der Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP über die Schnittstelleneinheit 10. Der Entladungsschaltkreis 70 entlädt entsprechend des von der EIN/AUS Erkennungseinheit erkannten EIN/AUS Zustands der Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP die in der ersten Elektrode 61a des kapazitiven Elements 61 angehäuften Ladungen. Folglich ist es möglich das Entladen durch den Entladungsschaltkreis 70 auszuführen, wenn eine Fehlerkennung des Befestigungszustands der Batterie zu einem Zeitpunkt, bei dem die Batterie nicht befestigt ist, auftreten könnte und das Entladen durch den Entladungsschaltkreis nicht auszuführen, wenn eine Fehlerkennung des Befestigungszustands der Batterie zu einem Zeitpunkt, bei dem die Batterie nicht befestigt ist, nicht auftreten könnte. Im Ergebnis ist es möglich Fehlerkennung des Befestigungszustands der Batterie zu einem Zeitpunkt, bei dem die Batterien nicht befestigt ist, zu reduzieren und den Energieverbrauch der Batterie zu einem Zeitpunkt, bei dem die Batterie nicht befestigt ist, zu reduzieren.
Demnach ist es möglich die Fehlerkennung des Befestigungszustand der Batterie zu einem Zeitpunkt, bei die Batterie nicht befestigt ist, zu reduzieren, die Zuverlässigkeit der SRAM Speicherkarte 1 zu verbessern. Da es möglich ist den Energieverbrauch der Batterie zu einem Zeitpunkt, bei dem die Batterie nicht befestigt ist, zu reduzieren, ist es möglich eine Reduzierung der Lebensdauer der Batterie zu verhindern. Folglich ist es möglich eine Frequenz des Ersetzens der Batterie zu reduzieren und es ist möglich eine SRAM Speicherkarte zu realisieren, welche einfach zu warten ist.
In der Ausführungsform, wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in einem EIN Zustand ist, entlädt der Entladungsschaltkreis 70 die in der ersten Elektrode 61a des kapazitiven Elements 61 angehäuften Ladungen. Wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in einem AUS Zustand ist, entlädt der Entladungsschaltkreis 70 die in der ersten Elektrode 61a des kapazitiven Elements 61 angehäuften Ladungen nicht. Folglich ist es möglich das Entladen durch den Entladungsschaltkreis 70 auszuführen, wenn eine Fehlerkennung des Befestigungszustands der Batterie zu einem Zeitpunkt, bei dem die Batterie nicht befestigt ist, auftreten könnte und das Entladen durch den Entladungsschaltkreis nicht auszuführen, wenn eine Fehlerkennung des Befestigungszustands der Batterie zu einem Zeitpunkt, bei dem die Batterie nicht befestigt ist, nicht auftreten könnte.
In der Ausführungsform umfasst der Entladungsschaltkreis 70 das mit der ersten Elektrode 61a des kapazitiven Elements 61 elektrisch verbundene eine Ende 70a, das mit dem Referenzpotential (beispielsweise dem GND Potential) elektrisch verbundene andere Ende 70b und dem zum elektrischen Verbinden des einen Endes 70a und des anderen Endes 70b konfigurierten Schalter 72. Folglich, wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in dem EIN Zustand ist, ist es möglich mit einer einfachen Konfiguration einen Schaltkreis zu realisieren, welcher, wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in einem EIN Zustand ist, die in der ersten Elektrode 61a des kapazitiven Elements 61 angehäuften Ladungen entlädt und, wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP die in dem AUS Zustand ist, die in der ersten Elektrode 61a des kapazitiven Elements 61 angehäuften Ladungen nicht entlädt.
In der Ausführungsform verbindet der Schalter 72 das eine Ende 70a und das andere Ende 70b des Entladungsschaltkreises 70 elektrisch, wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in dem EIN Zustand ist, und trennt das eine Ende 70a und das andere Ende 70b des Entladungsschaltkreises 70 elektrisch, wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in dem AUS Zustand ist. Folglich ist es möglich das Entladen durch den Entladungsschaltkreis 70 auszuführen, wenn eine Fehlererkennung des Sättigungszustands der Batterie zu einem Zeitpunkt, bei dem die Batterie nicht befestigt ist, auftreten könnte und das Entladen durch den Entladungsschaltkreis 70 nicht auszuführen, wenn eine Fehlererkennung des Befestigungszustands der Batterie zu einem Zeitpunkt, bei dem die Batterie nicht befestigt ist, nicht auftreten könnte.
In der Ausführungsform umfasst der Schalter 72 den Feldeffekttransistor 72a. Wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in dem EIN Zustand ist, wird das Steuersignale bei einem aktiven Level dem Gate des Feldeffekttransistor 72a zugeführt. Wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in dem AUS Zustand ist, wird das Steuersignale bei einem nicht aktiven Level dem Gate des Feldeffekttransistor 72a zugeführt. Folglich ist es möglich das eine Ende 70a und das andere Ende 70b des Entladungsschaltkreises 70 elektrisch zu verbinden, und wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in dem EIN Zustand ist, das eine Ende 70a und das andere Ende 70b des Entladungsschaltkreises 70 elektrisch zu trennen, wenn die Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP in dem AUS Zustand ist. Weiterhin ist es möglich in einfacher Weise einen zu dem Entladungsweg fließenden elektrischen Strom zu begrenzen, verglichen damit, wenn der Schalter 72 ein bipolarer Transistor ist. Von diesem Gesichtspunkt aus ist es ebenfalls möglich den Energieverbrauch der Batterie zu einem Zeitpunkt, bei dem die Batterie nicht befestigt ist, zu reduzieren.
In der Ausführungsform umfasst der Entladungsschaltkreise 70 das mit dem Schalter 72 in Serie zwischen dem einen Ende 70a und dem anderen Ende 70b verbundene Widerstandselement 71. Das Widerstandselement 71 ist in dem Entladungsweg in Serie eingesetzt. Damit wird es durch das zuvor moderate Einstellen eines Widerstandswerts des Widerstandselements 71 möglich einen Entladungsbetrag pro Zeiteinheit durch den Entladungsschaltkreis 70 zu begrenzen.
Es wird darauf hingewiesen, dass, wie in 2 gezeigt, in einer SRAM Speicherkarte 1i eine EIN/AUS Erkennungseinheit 50i den EIN/AUS Zustand der Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP durch Anfragen eines EIN/Aus Zustandssignals (beispielsweise eines Zurücksetzsignals) erkennen kann, welches den EIN/AUS Zustand der Spannungsversorgung PS der Vorrichtung AP von der Vorrichtung AP über die Schnittstelleneinheit 10 anzeigt.
INDUSTRIELLE ANWENDBARKEIT
Wie oben beschriebene ist die SRAM Speicherkarte gemäß der vorliegenden Erfindung nützlich zum Sichern von Daten einer programmierbaren logischen Steuereinheit.
Bezugszeichenliste

1: SRAM Speicherkarte
1: SRAM Speicherkarte
10: Schnittstelleneinheit
20: Batterie
21: Kontaktelement
22: Widerstand
30: Schalteinheit
31: Diode
40: einer Aufrechterhaltung zugehöriger Schaltkreis
50: EIN/AUS Erkennungseinheit
50i: EIN/AUS Erkennungseinheit
60: Kontaktprell-Präventionsschaltkreis
61: kapazitives Element
61a: erste Elektrode
61b: zweite Elektrode
70: Entladungsschaltkreis
70a: ein Ende
70b: das andere Ende
71: Widerstandselement
73: Schalter
72a: Feldeffekttransistor
80: Überwachungseinheit
90: Lese- und Schreib-Steuereinheit
100: Spannungs-Überwachungsschaltkreis

Claims

Eine SRAM Speicherkarte herausnehmbar in eine eine Spannungsversorgung umfassende Vorrichtung eingesetzt, wobei die SRAM Speicherkarte umfasst: eine Schnittstelleneinheit, welche zumindest eine Versorgungsspannung von der Vorrichtung erhält, wenn die Spannungsversorgung der Vorrichtung an ist in einem Zustand ist, bei dem die SRAM Speicherkarte in die Vorrichtung eingesetzt ist; ein einer Aufrechterhaltung zugehöriger Schaltkreis, welcher mit der Versorgungsspannung versorgt wird und eine Operation zum Aufrechterhalten von Daten ausführt; ein Kontaktelement zum elektrischen Verbinden einer Batterie, welche eine Versorgungsspannung erzeugt, mit dem einer Aufrechterhaltung zugehörigen Schaltkreis; eine Schalteinheit zum Schalten einer Spannungsversorgungsquelle derart, dass, wenn die Spannungsversorgung der Vorrichtung in einem EIN Zustand ist, die über die Schnittstelleneinheit von der Vorrichtung erhaltene Versorgungsspannung dem einer Aufrechterhaltung zugehörigen Schaltkreis zugeführt wird, und wenn die Spannungsversorgung der Vorrichtung in einem AUS Zustand ist, die von der Batterie erzeugte Versorgungsspannung dem einer Aufrechterhaltung zugehörigen Schaltkreisüber das Kontaktelement zugeführt wird; ein Kontaktprell-Präventionsschaltkreis, umfassend ein kapazitives Element, welches eine erste mit dem Kontaktelement elektrisch verbundene Elektrode und eine zweite mit einem elektrischen Referenzpotential elektrisch verbundene Elektrode beinhaltet; eine Überwachungseinheit zum Überwachen, über das Kontaktelement, der von der Batterie erzeugten Versorgungsspannung, zum Einstellen eines EIN-Wertes in einem Alarmsignal, wenn das elektrische Potential an dem Kontaktelement geringer als ein Schwellenwert ist, und zum Einstellen eines AUS-Wertes in dem Alarmsignal, wenn das Potential an dem Kontaktelement gleich oder höher als der Schwellenwert ist, und zum Ausgeben des Alarmsignals an die Vorrichtung über die Schnittstelleneinheit; eine Erkennungseinheit zum Erkennen des EIN/AUS Zustandes der Spannungsversorgung der Vorrichtung über die Schnittstelleneinheit; und einen Entladungsschaltkreis zum Entladen von sich in der ersten Elektrode des kapazitiven Elements angesammelten Ladungen, entsprechend dem von der Erkennungseinheit erkanntem EIN/AUS Zustands der Spannungsversorgung der Vorrichtung.
Die SRAM Speicherkarte gemäß Anspruch 1, wobei, wenn die Spannungsversorgung der Vorrichtung in einem EIN Zustand ist, der Entladungsschaltkreis die in der ersten Elektrode des kapazitiven Elements angehäuften Ladungen entlädt, und wenn die Spannungsversorgung der Vorrichtung in einem AUS Zustand ist, die in der ersten Elektrode des kapazitiven Elements angehäuften Ladungen nicht entlädt.
Die SRAM Speicherkarte gemäß Anspruch 1, wobei der Entladungsschaltkreis umfasst: ein mit der ersten Elektrode des kapazitiven Elements elektrisch verbundenes Ende; ein mit dem elektrischen Referenzpotential elektrisch verbundenes anderes Ende; und einen Schalter, welcher das eine Ende mit dem anderen Ende elektrisch verbindet.
Die SRAM Speicherkarte gemäß Anspruch 3, wobei der Schalter das eine Ende und das andere Ende des Entladungsschaltkreises elektrisch verbindet, wenn die Spannungsversorgung der Vorrichtung in einem EIN Zustand ist, und das eine Ende und das andere Ende des Entladungsschaltkreises elektrisch trennt, wenn die Spannungsversorgung der Vorrichtung in einem AUS Zustand ist.
Die SRAM Speicherkarte gemäß Anspruch 4, wobei der Schalter einen Feldeffekttransistor umfasst, wobei zu einem Gate davon ein Steuersignal auf einem aktiven Level zugeführt wird, wenn die Spannungsversorgung der Vorrichtung in einem EIN Zustand ist, und ein Steuersignal auf einem nicht aktiven Level zugeführt wird, wenn die Spannungsversorgung der Vorrichtung in einem AUS Zustand ist.
Die SRAM Speicherkarte gemäß Anspruch 5 wobei der Entladungsschaltkreis weiterhin ein Widerstandselement umfasst, welches mit dem Schalter zwischen dem einen Ende und dem anderen Ende in Serie verbunden ist.
Ein Spannungs-Überwachungsschaltkreis einer SRAM Speicherkarte, welche herausnehmbar in eine eine Spannungsversorgung umfassende Vorrichtung eingesetzt ist, wobei der Spannungs-Überwachungsschaltkreis umfasst: ein Kontaktelement zum elektrischen Kontaktieren einer Batterie mit einem einer Aufrechterhaltung zugehörigen Schaltkreis, welche eine Versorgungsspannung erzeugt; eine Schalteinheit zum Schalten einer Spannungsversorgungsquelle derart, dass, wenn die Spannungsversorgung der Vorrichtung in einem EIN Zustand ist, die über die Schnittstelleneinheit der SRAM Speicherkarte von der Vorrichtung erhaltene Versorgungsspannung dem einer Aufrechterhaltung zugehörigen Schaltkreiszugeführt wird, und wenn die Spannungsversorgung der Vorrichtung in einem AUS Zustand ist, die von der Batterie der SRAM Speicherkarte erzeugte Versorgungsspannung dem einer Aufrechterhaltung zugehörigen Schaltkreis über das Kontaktelement zugeführt wird; ein Kontaktprell-Präventionsschaltkreis umfassend ein kapazitives Element, welches eine erste mit dem Kontaktelement elektrisch verbundene Elektrode und eine zweite mit einem elektrischen Referenzpotential elektrisch verbundene Elektrode beinhaltet; eine Überwachungseinheit zum Überwachen, über das Kontaktelement, der von der Batterie erzeugten Versorgungsspannung, zum Einstellen eines EIN-Wertes in einem Alarmsignal, wenn das elektrische Potential an dem Kontaktelement geringer als ein Schwellenwert ist, und zum Einstellen eines AUS-Wertes in dem Alarmsignal, wenn das Potential an dem Kontaktelement gleich oder höher als der Schwellenwert ist, und zum Ausgeben des Alarmsignals an die Vorrichtung über die Schnittstelleneinheit; eine Erkennungseinheit zum Erkennen des EIN/AUS Zustandes der Spannungsversorgung der Vorrichtung über die Schnittstelleneinheit; und einen Entladungsschaltkreis zum Entladen von sich in der ersten Elektrode des kapazitiven Elements angesammelter Ladung, entsprechend dem von der Erkennungseinheit erkanntem EIN/AUS Zustands der Spannungsversorgung der Vorrichtung.
Der Spannungs-Überwachungsschaltkreis gemäß Anspruch 7, wobei, wenn die Spannungsversorgung der Vorrichtung in einem EIN Zustand ist, der Entladungsschaltkreis die in der ersten Elektrode des kapazitiven Elements angehäuften Ladungen entlädt, und wenn die Spannungsversorgung der Vorrichtung in einem AUS Zustand ist, die in der ersten Elektrode des kapazitiven Elements angehäuften Ladungen nicht entlädt.