DE112010002081T5

DE112010002081T5 - Vorrichtung zum Reinigen einer Siebdruckmaske, Siebdruckmaschine und Verfahren zum Reinigen einer Siebdruckmaske

Info

Publication number: DE112010002081T5
Application number: DE112010002081T
Authority: DE
Inventors: Tetsuya Tanaka; Seiko Abe
Original assignee: Panasonic Corp
Current assignee: Panasonic Corp
Priority date: 2009-05-25
Filing date: 2010-05-07
Publication date: 2012-08-16
Also published as: KR20120030032A; CN102227312B; GB2482573A; GB201106390D0; JP5240069B2; WO2010137243A1; GB2482573B; CN102227312A; JP2010269556A; US20110259222A1

Abstract

Es werden eine Siebdruckmasken-Reinigungseinheit, die ein effizientes Abwischen von Paste von einer einem Hohlsubstrat entsprechenden Siebdruckmaske ermöglicht, eine Siebdruckmaschine und ein Siebdruckmasken-Reinigungsverfahren angegeben.
Ein Reibungsbereich 34a eines Papierglieds 34 wird gegen eine untere Fläche eines Maskenbereichs für einen flachen Bereich (MRF) gerieben, um an der unteren Fläche des MRF haftende Paste PT abzuwischen. Der Reibungsbereich 34a des Papierglieds 34 wird sequentiell gegen untere Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile 3a in einem Maskenbereich für Hohlräume (MRC) gerieben, um die an den unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile 3a haftende Paste PT abzuwischen. Im Verlauf des Abwischens der an den unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile 3a haftenden Paste PT wird das Papierglied 34 in einer Periode von der Trennung des Reibungsbereichs 34a des Papierglieds 34 von einem Vorsprungsteil 3a bis zu dem Kontakt des Reibungsbereichs 34a mit einem anderen Vorsprungsteil 3a aufgenommen, um den Reibungsbereich 34a des Papierglieds 34 zu erneuern.

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Siebdruckmasken-Reinigungseinheit, die eine an einer unteren Fläche der Siebdruckmaske haftende Paste abwischt, eine Siebdruckmaschine und ein Siebdruckmasken-Reinigungsverfahren.
Stand der Technik
Bei einer Siebdruckmaske (nachfolgend einfach als Maske bezeichnet), die während der Verwendung in Kontakt mit einem Substrat gehalten wird, wenn eine Paste wie etwa eine Lotpaste auf die Elektroden des Substrats gedruckt wird, muss nach der Trennung der Maske die an der Maske haftende Paste in Vorbereitung auf die nächste Siebdruckoperation abgewischt werden. Die Reinigungseinheit zum Abwischen der an einer derartigen Maske haftenden Paste ist konfiguriert, um die an der Maske haftende Paste abzuwischen, indem ein vorbestimmter Bereich (ein Reibungsbereich) eines Papierglieds gegen die untere Fläche der Maske gerieben wird (siehe zum Beispiel das Patentdokument 1).
Ein bekannter Substrattyp ist ein Hohlsubstrat, das Elektroden an Bodenflächen von entsprechenden Öffnungen (Hohlräumen) in einer oberen Fläche des Substrats und Elektroden auf der oberen Fläche (einem flachen Bereich) des Substrats umfasst. Weil das Hohlsubstrat Hohlraum-Elektroden in den entsprechenden Hohlräumen und Flachelektroden auf dem flachen Bereich umfasst, weist eine dem Hohlsubstrat entsprechende Maske Musteröffnungen, die den Hohlraum-Elektroden entsprechen, und Musteröffnungen, die den Flachelektroden entsprechen, auf. In diesem Fall weist die Maske eine Vielzahl von Vorsprungsteilen auf, die nach unten vorstehen und in die entsprechenden Hohlräume gepasst werden. Musteröffnungen in Entsprechung zu den Hohlraumelektroden sind an unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile ausgebildet.
Die dem Hohlsubstrat entsprechende Maske kann mit einer derartigen Geometrie realisiert werden, dass ein Maskenbereich für Hohlräume mit Musteröffnungen, die den Hohlraum-Elektroden entsprechen und in entsprechenden unteren Flächen der Vielzahl von Vorsprungsteilen ausgebildet sind, und ein Maskenbereich für einen flachen Bereich mit Musteröffnungen, die den Flachelektroden entsprechen, als separate Bereiche vorgesehen sind. Wenn eine derartige Maske gereinigt wird, müssen lediglich eine Reinigung durch das Reiben eines Reibungsbereichs eines Papierglieds gegen die unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile in dem Maskenbereich für Hohlräume und eine Reinigung durch das Reiben des Reibungsbereichs des Papierglieds gegen die untere Fläche des Maskenbereichs für einen flachen Bereich nacheinander ausgeführt werden. Das Reinigen der Maske kann also einfach vorgenommen werden.
Dokument aus dem Stand der Technik
Patentdokument

Patentdokument 1: JP-A-2004-66832

Beschreibung der Erfindung
Problemstellung der Erfindung
Wenn jedoch wie oben genannt der Reibungsbereich des Papierglieds sequentiell gegen die unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile gerieben wird und das nach Abschluss der Reinigung eines Vorsprungsteils von dem Vorsprungsteil weg bewegte Papierglied einen anderen Vorsprungsteil kontaktiert, haftet die von dem vorausgehenden Vorsprungsteil abgewischte Paste gelegentlich aufgrund einer Reibungswirkung an einem folgenden Vorsprungsteil. Wenn die von dem vorausgehenden Vorsprungsteil abgewischte Paste aufgrund einer Reibungswirkung an dem folgenden Vorsprungsteil haftet, muss die haftende Paste zusätzlich in der Operation zum Reinigen des folgenden Vorsprungsteils abgewischt werden. Aus diesem Grund wird die Reinigungseffizienz häufig vermindert.
Die vorliegende Erfindung bezweckt, eine Siebdruckmasken-Reinigungseinheit, die ein effizientes Abwischen von Paste von einer Siebdruckmaske für ein Hohlsubstrat ermöglicht, eine Siebdruckmaschine und eine Siebdruckmasken-Reinigungseinheit anzugeben.
Problemlösung
Eine Reinigungseinheit für eine Siebdruckmaske der vorliegenden Erfindung ist eine Siebdruckmasken-Reinigungseinheit zum Abwischen von Paste von einer unteren Fläche einer Siebdruckmaske mit einem flachen ersten Maskenbereich und einem zweiten Maskenbereich, der separat zu dem ersten Maskenbereich vorgesehen ist und eine Vielzahl von nach unten vorstehenden Vorsprungsteilen aufweist, wobei die Reinigungseinheit umfasst:
ein Papierglied mit einem Reibungsbereich, der gegen die untere Fläche der Siebdruckmaske gerieben wird,
eine Papierglied-Reibungseinrichtung, die den Reibungsbereich des Papierglieds gegen eine untere Fläche des ersten Maskenbereichs reibt, um die an der unteren Fläche des ersten Maskenbereichs haftende Paste abzuwischen, und den Reibungsbereich des Papierglieds sequentiell gegen die unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile in dem zweiten Maskenbereich reibt, um die an den unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile haftende Paste abzuwischen, und
eine Reibungsbereich-Erneuerungseinrichtung, die das Papierglied in einer Periode von der Trennung des Reibungsbereichs des Papierglieds von einem Vorsprungsteil bis zu dem Kontakt des Reibungsbereichs mit einem anderen Vorsprungsteil aufnimmt, um den Reibungsbereich des Papierglieds zu erneuern.
Eine Siebdruckmaschine der vorliegenden Erfindung ist eine Siebdruckmaschine, die eine Vielzahl von ersten Elektroden auf einer oberen Fläche eines Substrats und eine Vielzahl von zweiten Elektroden auf entsprechenden Bodenflächen einer Vielzahl von Öffnungen in Teilen der oberen Fläche des Substrats einem Siebdrucken unterwirft, wobei die Siebdruckmaschine umfasst:
eine Siebdruckmaske, die umfasst:
einen flachen ersten Maskenbereich, der während der Verwendung in Kontakt mit der oberen Fläche des Substrats bleibt und erste Musteröffnungen in Entsprechung zu den ersten Elektroden aufweist, und
einen zweiten Maskenbereich, der als ein zu dem ersten Maskenbereich separater Bereich vorgesehen ist und zweite Musteröffnungen in Entsprechung zu der Vielzahl von zweiten Elektroden in der Vielzahl von nach unten vorstehenden Vorsprungsteilen aufweist, die in die entsprechenden Öffnungen des Substrats gepasst werden,
eine Druckausführungseinrichtung, die Paste zu dem zweiten Maskenbereich zuführt, während die in dem zweiten Maskenbereich der Siebdruckmaske ausgebildeten zweiten Musteröffnungen und die zweiten Elektroden des Substrats miteinander ausgerichtet gehalten werden, und anschließend die Siebdruckmaske relativ von dem Substrat trennt, um die Paste auf die zweiten Elektroden zu drucken, und weiterhin Paste zu dem ersten Maskenbereich zuführt, während die ersten Musteröffnungen in dem ersten Maskenbereich der Siebdruckmaske und die ersten Elektroden des Substrats miteinander ausgerichtet bleiben, und anschließend die Siebdruckmaske relativ von dem Substrat trennt, um die Paste auf die ersten Elektroden zu drucken, und
eine Siebdruckmasken-Reinigungseinheit, die an einer unteren Fläche der Siebdruckmaske haftende Paste abwischt, wobei
die Siebdruckmasken-Reinigungseinheit umfasst:
ein Papierglied mit einem Gummibereich, der gegen die untere Fläche der Siebdruckmaske gerieben wird,
eine Papierglied-Reibungseinrichtung, die den Reibungsbereich des Papierglieds gegen eine untere Fläche des ersten Maskenbereichs reibt, um die an der unteren Fläche des ersten Maskenbereichs haftende Paste abzuwischen, und den Reibungsbereich des Papierglieds sequentiell gegen untere Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile in dem zweiten Maskenbereich reibt, um die an den unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile haftende Paste abzuwischen, und
eine Reibungsbereich-Erneuerungseinrichtung, die das Papierglied in einer Periode von der Trennung des Reibungsbereichs des Papierglieds von einem Vorsprungsteil bis zu dem Kontakt des Reibungsbereichs mit einem anderen Vorsprungsteil aufnimmt, um den Reibungsbereich des Papierglieds zu erneuern.
Ein Siebdruckmasken-Reinigungsverfahren der vorliegenden Erfindung ist ein Siebdruckmasken-Reinigungsverfahren zum Abwischen von Paste, die an einer unteren Fläche einer Siebdruckmaske haftet, die einen flachen ersten Maskenbereich und einen zweiten Maskenbereich aufweist, der separat zu dem ersten Maskenbereich vorgesehen ist und eine Vielzahl von nach unten vorstehenden Vorsprungsteilen aufweist, wobei das Verfahren umfasst:
einen Schritt zum Abwischen der an einer unteren Fläche des ersten Maskenbereichs haftenden Paste durch das Reiben eines Reibungsbereichs eines Papierglieds gegen die untere Fläche des ersten Maskenbereichs, und
einen Schritt zum sequentiellen Reiben des Reibungsbereichs des Papierglieds gegen die unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile in dem zweiten Maskenbereich, um die an den unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile haftende Paste abzuwischen, wobei in dem Schritt zum sequentiellen Reiben des Reibungsbereichs des Papierglieds gegen die unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile in dem zweiten Maskenbereich zum Abwischen der an den unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile haftenden Paste das Papierglied in einer Periode von der Trennung des Reibungsbereichs des Papierglieds von einem Vorsprungsteil bis zu dem Kontakt des Reibungsbereichs mit einem anderen Vorsprungsteil aufgenommen wird, um den Reibungsbereich des Papierglieds zu erneuern.
Vorteil der Erfindung
In der vorliegenden Erfindung wird das Papierglied in einer Periode von der Trennung des Reibungsbereichs des Papierglieds von einem Vorsprungsteil bis zu dem Kontakt des Reibungsbereichs mit einem anderen Vorsprungsteil aufgenommen. Wenn also das Papierglied, das nach Abschluss der Reinigung eines Vorsprungsteils von demselben getrennt wurde, einen anderen Vorsprungsteil kontaktiert, wird verhindert, dass die von dem vorausgehenden Vorsprungsteil abgewischte Paste gegen den nächsten Vorsprungsteil gerieben wird. Auf diese Weise kann die Paste effizient von der Siebdruckmaske für ein Hohlsubstrat abgewischt werden.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
1 ist eine schematische Ansicht einer Siebdruckmaschine einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
2a ist eine Draufsicht auf ein Hohlsubstrat, das einer Druckoperation der Siebdruckmaschine der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unterworfen wird; und 2b ist eine seitliche Querschnittansicht des Hohlsubstrats.
3(a) ist eine Draufsicht auf eine Maske in der Siebdruckmaschine der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und 3(b) ist eine seitliche Querschnittansicht derselben.
4(a), 4(b), 4(c) und 4(d) sind erläuternde Ansichten zu dem Betrieb der Siebdruckmaschine der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
5(a), 5(b), 5(c) und 5(d) sind erläuternde Ansichten zu dem Betrieb der Siebdruckmaschine der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
6 ist eine erläuternde Ansicht zu dem Betrieb einer Reinigungseinheit in der Siebdruckmaschine der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
7(a), 7(b), 7(c) und 7(d) sind erläuternde Ansichten zu dem Betrieb der Reinigungseinheit in der Siebdruckmaschine der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Ausführungsform der Erfindung
Im Folgenden wird eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. In 1 umfasst eine Siebdruckmaschine 1 der Ausführungsform: einen Substrathalteblock 2, der ein Substrat PB hält, das einem Drucken unterworfen wird; eine Siebdruckmaske (nachfolgend einfach als Maske bezeichnet) 3, die horizontal über dem durch den Substrathalteblock 2 gehaltenen Substrat PB platziert ist und insgesamt eine längliche Form aufweist; einen Pastenzuführkopf 4, der über der Maske 3 vorgesehen ist; und eine Reinigungseinheit 5, die von unten eine untere Fläche der Maske 3 kontaktiert und die Maske 3 reinigt, nachdem die Siebdruckmaschine 1 das Siebdrucken abgeschlossen hat. In der vorliegenden Beschreibung entspricht die Richtung der kurzen Seite der Maske 3 (die Richtung senkrecht zu der Zeichnungsebene von 1) einer X-Achsenrichtung, entspricht die Richtung der langen Seite der Maske 3 (die horizontale Richtung der Zeichnungsebene von 1) einer Y-Achsenrichtung und entspricht die Dickenrichtung der Maske 3 (die vertikale Richtung der Zeichnungsebene von 1) der Z-Achsenrichtung.
Das in 2(a) und 2(b) gezeigte Substrat PB umfasst ein unteres Substratglied 11 und ein auf eine obere Fläche des unteren Substratglieds 11 gebondetes oberes Substratglied 12. Eine Vielzahl von Flachelektroden fd (ersten Elektroden) sind auf einer oberen Fläche des Substrats PB (des oberen Substratglieds 12) vorgesehen. Weiterhin ist eine Vielzahl von Hohlraum-Elektroden cd (zweiten Elektroden) auf Bodenflächen von als Öffnungen in Teilen der oberen Fläche des oberen Substratglieds 12 vorgesehen Hohlräumen CV (d. h. der oberen Fläche des unteren Substratglieds 11) platziert. Insbesondere ist das Substrat PB ein Hohlsubstrat, das die Vielzahl von Flachelektroden fd auf der oberen Fläche (auf der oberen Fläche des oberen Substratglieds 12) und die Vielzahl von Hohlraum-Elektroden cd auf den entsprechenden Bodenflächen der Hohlräume CV (auf der oberen Fläche des unteren Substratglieds 11) umfasst.
Der Substrathalteblock 2 ist derart vorgesehen, dass er in einer Richtung in einer horizontalen Ebene (d. h. in einer Richtung in einer X-Y-Ebene) und in einer vertikalen Ebene (d. h. in der Z-Achsenrichtung) bewegt werden kann und das derart gehaltene Substrat PB an einer beliebigen Position unter der Maske 3 positionieren kann.
In 1, 3(a) und 3(b) werden die vier Seiten der Maske 3 durch ein Rahmenglied 3w gehalten. Ein Maskenbereich für einen flachen Bereich (MRF) und ein Maskenbereich für Hohlräume (MRC) sind als separate Bereiche innerhalb eines rechteckigen Bereichs, der durch das Rahmenglied 3w umgeben wird, vorgesehen. Eine Vielzahl von ersten Musteröffnungen h1 in Entsprechung zu der Vielzahl von Flachelektroden fd auf der oberen Fläche des oberen Substratglieds 12 ist in dem MRF vorgesehen. Weiterhin ist eine Vielzahl von Vorsprungsteilen 3a, die nach unten vorstehen und jeweils in die Vielzahl von Hohlräumen CV des Substrats PB passen, in dem MRC vorgesehen. Eine Vielzahl von zweiten Musteröffnungen h2 in Entsprechung zu der Vielzahl von Hohlraum-Elektroden cd ist auf der oberen Fläche (den Bodenflächen der Hohlräume CV) des unteren Substratglieds 11 in jedem der Vorsprungsteile 3a vorgesehen.
Wie in 3(a) gezeigt, besteht der MRF aus einem von zwei Bereichen der Maske 3, die durch eine Mittellinie CL der Maske 3, die parallel zu der kurzen Seite der Maske 3 (in der X-Achsenrichtung) verläuft, voneinander getrennt werden. Der MRC besteht aus dem anderen der zwei Bereiche der Maske 3, die durch die Mittellinie CL voneinander getrennt werden. Die Maske 3 der vorliegenden Ausführungsform ist also als eine Maske für ein Hohlsubstrat ausgebildet, die den flachen MRF (einen ersten Maskenbereich) und den MRC (einen zweiten Maskenbereich) umfasst, der separat zu dem MRF vorgesehen ist und die Vielzahl von nach unten vorstehenden Vorsprungsteilen 3a aufweist.
In 1 umfasst der Pastenzuführkopf 4 einen Kopfhauptkörper 21, der derart vorgesehen ist, dass er in einer Richtung in der horizontalen Ebene (in einer Richtung in einer X-Y-Ebene) und in einer vertikalen Richtung (einer Z-Achsenrichtung) in Bezug auf die Maske 3 bewegt werden kann, und weiterhin zwei Führungsglieder 22, die an einem unteren Teil des Kopfhauptkörpers 21 vorgesehen sind und einander entlang der Y-Achsenrichtung gegenüberliegen. Jedes der Führungsglieder 22 ist ein spatelförmiges Glied, das sich in der X-Achsenrichtung erstreckt. Die Führungsglieder 22 führen Paste wie etwa eine Lotpaste oder eine leitende Paste von einem in dem Kopfhauptkörper 21 untergebrachten Pastenwagen (nicht gezeigt) nach unten zu, sodass die Paste intensiv zu einer Zielpaste auf der Maske 3 zugeführt wird.
In 1 umfasst die Reinigungseinheit 5: einen gehäuseartigen Basisblock 31, der derart vorgesehen ist, dass er in einer Richtung innerhalb der horizontalen Ebene (in einer Richtung in der X-Y-Ebene) und in der vertikalen Richtung (in der Z-Achsen-Richtung) bewegt werden kann; ein nach oben geöffnetes Stützglied 32, das in dem Basisblock 31 vorgesehen ist; ein Paar von Aufnahmerollen 33, die einander gegenüberliegend in der Y-Achsenrichtung mit dazwischen dem Stützglied 32 angeordnet sind und um die X-Achse gedreht werden können; ein Papierglied 34, das sich über das Paar von Aufnahmerollen 33 erstreckt; und ein Paar von Führungsrollen 35, die zwischen dem Paar von Aufnahmerollen 33 entlang der Y-Achsenrichtung mit dazwischen dem Aufnahmeglied 32 angeordnet sind und um die X-Achse gedreht werden können.
Eine obere Fläche des Papierglieds 34 ist eine klebende Fläche. Eine horizontale Fläche des durch das Stützglied 32 zwischen dem Paar von Führungsrollen 35 gehaltenen Papierglieds wirkt als ein Reibungsbereich 34a, der von unten gegen eine untere Fläche der Maske 3 gerieben wird. Der Reibungsbereich 34a des Papierglieds 34 kann erneuert werden, indem das Paar von Aufnahmerollen 33 in einer Richtung gedreht wird, um das Papierglied 34 aufzunehmen. Ein nach oben geöffnetes Saugrohr 32a ist in dem Stützglied 32 ausgebildet. Luft wird durch einen Unterdrucksog aus dem Saugrohr 32a gezogen, sodass Luft über den Reibungsbereich 34a des Papierglieds 34 in das Luftsaugrohr 32a gezogen werden kann.
Die Operation zum Positionieren des Substrats PB in Bezug auf die Maske 3 durch eine Bewegung des Substrathalteblocks 2 in einer Richtung in der horizontalen Ebene und in der vertikalen Richtung wird durch eine Steuereinrichtung 40 (1) in der Siebdruckmaschine 1 geleistet, die den Betrieb eines Substratpositionierungsmechanismus 41 (1) steuert, der aus einem nicht gezeigten Stellglied oder ähnlichem besteht.
Die Operation zum Positionieren des Pastenzuführkopfs 4 in Bezug auf die Maske 3 durch eine Bewegung des Kopfhauptkörpers 21 des Pastenzuführkopfs 4 in einer Richtung in der horizontalen Ebene und in der vertikalen Richtung wird geleistet, indem die Steuereinrichtung 40 den Betrieb eines Pastenzuführkopf-Betätigungsmechanismus 42 (1) steuert, der aus einem nicht gezeigten Stellglied oder ähnlichem besteht. Die Operation zum Zuführen von Paste von dem Pastenzuführkopf 4 wird geleistet, indem die Steuereinrichtung 40 den Betrieb eines Pastenzuführmechanismus 43 (1) steuert, der aus einem nicht gezeigten Stellglied besteht.
Die Operation zum Positionieren und relativen Bewegen der Reinigungseinheit 5 in Bezug auf die Maske 3 durch eine Bewegung des Basisblocks 31 der Reinigungseinheit 5 in einer Richtung in der horizontalen Ebene und in der vertikalen Richtung wird geleistet, indem die Steuereinrichtung 40 den Betrieb eines Reinigungseinheits-Betätigungsmechanismus 44 (1) steuert, der aus einem nicht gezeigten Stellglied oder ähnlichem besteht. Weiterhin wird die Operation zum Aufnehmen des Papierglieds 34, die durch das Paar von Aufnahmerollen 33 durchgeführt wird (die Operation zum Erneuern des Reibungsbereichs 34a des Papierglieds 34), geleistet, indem die Steuereinrichtung 40 den Betrieb eines Papierglied-Aufnahmemechanismus 45 (1) steuert, der aus einem nicht gezeigten Stellglied oder ähnlichem besteht. Die Operation zum Ziehen von Luft aus dem Luftsaugrohr 32a durch einen Unterdrucksog wird geleistet, indem die Steuereinrichtung 40 den Betrieb eines Saugmechanismus 46 steuert, der aus einem nicht gezeigten Stellglied oder ähnlichem besteht.
Während die Siebdruckmaschine 1 das Substrat PB einem Siebdrucken unterwirft, bewegt die Steuereinrichtung 40 das Substrat PB zuerst derart, dass die zweiten Musteröffnungen h2 in dem MRC der Maske 3 und die entsprechenden Hohlraum-Elektroden cd des durch den Substrathalteblock 2 gehaltenen Substrats PB miteinander in der vertikalen Richtung ausgerichtet werden (4(a)), und hebt dann das Substrat PB, um die obere Fläche des Substrats PB in einen Kontakt mit der unteren Fläche der Maske 3 zu bringen (4(b)). Die Vorsprungsteile 3a der Maske 3 und die Hohlräume CV des Substrats PB werden dadurch in der vertikalen Richtung ineinander gepasst, sodass die entsprechenden zweiten Musteröffnungen h2 in dem MRC und die Hohlraum-Elektroden cd des Substrats PB in der vertikalen Richtung miteinander ausgerichtet werden (Positionierungsprozess).
Die Steuereinrichtung 40 bringt die obere Fläche des Substrats PB in einen Kontakt mit der unteren Fläche der Maske 3, bringt anschließend die Führungsglieder 22 des Pastenzuführkopfs 4 in einen Kontakt mit einer oberen Fläche der Maske 3 und aktiviert dann den Pastenzuführmechanismus 43, um die Paste PT in den MRC (die Vorsprungsteile 3a) zu führen (4(c): Pastenzuführprozess). Dadurch wird die Paste PT über die entsprechenden zweiten Musteröffnungen h2 in dem MRC zu den entsprechenden Hohlraum-Elektroden cd geführt. Die Paste PT wird auf die entsprechenden Hohlraum-Elektroden cd gedruckt (übertragen), indem dann das Substrat PB relativ von der Maske 3 in der vertikalen Richtung getrennt wird (Maskentrennungsprozess) (4(d)).
Die Steuereinrichtung 40 bewegt dann das Substrat PB derart, dass die entsprechenden ersten Musteröffnungen h1 in dem MRF auf der Maske 3 den entsprechenden Flachelektroden fd des durch den Substrathalteblock 2 gehaltenen Substrats PB in der vertikalen Richtung gegenüberliegen (5(a)), und hebt dann das Substrat PB, um die obere Fläche des Substrats PB in einen Kontakt mit der unteren Fläche der Maske 3 zu bringen (5(b)). Die entsprechenden ersten Musteröffnungen h1 in dem MRF der Maske 3 werden dadurch mit den entsprechenden Flachelektroden fd des Substrats PB in der vertikalen Richtung ausgerichtet.
Die Steuereinrichtung 40 bringt die obere Fläche des Substrats PB in einen Kontakt mit der unteren Fläche der Maske 3 und bringt anschließend die Führungsglieder 22 des Pastenzuführkopfs 4 in einen Kontakt mit der oberen Fläche der Maske 3. Die Steuereinrichtung 40 aktiviert dann den Pastenzuführmechanismus 43, um die Paste PT zu dem MRF zu führen (5(c)). Dadurch wird die Paste PT über die ersten Musteröffnungen h1 in dem MRF zu den entsprechenden Flachelektroden fd geführt. Die Paste wird auf die entsprechenden Flachelektroden fd gedruckt, indem dann das Substrat PB relativ von der Maske 3 in der vertikalen Richtung getrennt wird (5d)).
Die Hohlraum-Elektroden cd sind in den entsprechenden Hohlräumen CV in der oberen Fläche des Substrats PB vorgesehen. Also auch wenn die Maske 3 in einen Kontakt mit der oberen Fläche des Substrats PB gebracht wird, nachdem die Paste PT auf die Hohlraum-Elektroden cd gedruckt wurde, kontaktiert die Maske 3 nicht die Paste PT an den entsprechenden Hohlraum-Elektroden cd.
Nachdem die Verarbeitung für den Siebdruckprozess abgeschlossen ist, führt die Steuereinrichtung 40 eine Reinigung der unteren Fläche der Maske 3 mittels der Reinigungseinheit 5 aus. Während der Operation zum Reinigen der unteren Fläche der Maske 3 werden das Reinigen des MRC und das Reinigen des MRF separat durchgeführt.
Während des Reinigens des MRF der Maske 3 steuert die Steuereinrichtung 40 den Betrieb des Reinigungseinheits-Betätigungsmechanismus 44 wie in 6 gezeigt, bringt den Reibungsbereich 34a des Papierglieds 34 der Reinigungseinheit 5 in einen Kontakt mit der unteren Fläche des MRF und betätigt anschließend den Basisblock 31 in einer Richtung in der horizontalen Ebene (in diesem Fall in der Y-Achsenrichtung, wie durch den Pfeil D1 von 6 angegeben). Die an der unteren Fläche des MRF der Maske 3 haftende Paste PT (Reste DS der Paste DT, siehe 5(d)) haftet daraufhin an dem Reibungsbereich 34a des Papierglieds 34, sodass die Paste PT von der unteren Fläche des MRF der Maske 3 abgewischt werden kann (Prozess zum Abwischen der Paste von einem MRF).
Während der Operation zum Reinigen des MRC der Maske 3 steuert die Steuereinrichtung 40 den Betrieb des Reinigungseinheits-Betätigungsmechanismus 44 wie in 7(a) gezeigt, um den Reibungsbereich 34a des Papierglieds 34 der Reinigungseinheit 5 in einen Kontakt mit einer unteren Fläche eines der Vorsprungsteile 3a in dem MRC zu bringen und den Basisblock 31 in diesem Zustand in einer Richtung in der horizontalen Ebene (in dieser Ausführungsform in der Y-Achsenrichtung, wie durch den Pfeil D2 von 7(a) angegeben) zu betätigen. Die an einer Fläche des MRC der Maske 3 haftende Paste PT (die Reste DS der Paste PT, siehe 4(d)) haftet daraufhin an dem Reibungsbereich 34a des Papierglieds 34, sodass die Paste PT von der unteren Fläche des MRC der Maske 3 abgewischt werden kann.
Nachdem das Reinigen der unteren Fläche eines Vorsprungsteils 3a abgeschlossen wurde, bewegt die Steuereinrichtung 40 den Reibungsbereich zu einem anderen (benachbarten) Vorsprungsteil 3a (wie durch den Pfeil D3 von 7(b), 7(c) und 7(d) angegeben, um eine untere Fläche des Vorsprungsteils 3a zu reinigen. Die Paste PT kann auf diese Weise von den unteren Flächen aller Vorsprungsteile 3 abgewischt werden (Prozess zum Abwischen von Paste von dem MRC).
Wenn die Paste PT in diesen Pastenabwischprozessen abgewischt wird, steuert die Steuereinrichtung 40 den Betrieb des Saugmechanismus 46 und zieht Luft über den Reibungsbereich 34a des Papierglieds 34 durch einen Unterdrucksog aus dem Luftsaugrohr 32a. Die an der unteren Fläche der Maske 3 haftende Paste PT wird auf diese Weise zu dem Papierglied 34 gezogen, sodass das Abwischen der Paste PT effektiver durchgeführt werden kann.
In einem Prozess zum Abwischen der an den unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile 3a haftenden Paste PT durch das sequentielle Reiben der Reibungsfläche 34a des Papierglieds 34 gegen die unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile 3a in dem MRC, aktiviert die Steuereinrichtung 40 den Papierglied-Aufnahmemechanismus 45 während einer Periode von der Trennung des Reibungsbereichs 34a des Papierglieds 34 von einem Vorsprungsteil 3a bis zu dem Kontakt des Reibungsbereichs mit einem anderen Vorsprungsteil 3a und nimmt das Papierglied 34 auf. Der Reibungsbereich 34a des Papierglieds 34 wird auf diese Weise erneuert (wie durch den Pfeil D4 in 7(c) und 7(d) angegeben; Reibungsbereich-Erneuerungsprozess). Die an dem Papierglied 34 haftenden Reste DS der Paste PT werden entfernt (7(b), 7(c) und 7(d)), wodurch verhindert wird, dass die von dem vorausgehenden Vorsprungsteil 3a abgewischte Paste PT gegen den nächsten Vorsprungsteil 3a gerieben wird.
Wie oben beschrieben, umfasst die Reinigungseinheit 5 für die Siebdruckmaske 3 der vorliegenden Ausführungsform: das Papierglied 34 mit dem Reibungsbereich 34a, der gegen die untere Fläche der Maske 3 gerieben wird; eine Papierglied-Reibungseinrichtung (den Reinigungseinheits-Betätigungsmechanismus 44 und die Steuereinrichtung 40), die den Reibungsbereich 34a des Papierglieds 34 gegen die untere Fläche des MRF (den ersten Maskenbereich) der Maske 3 reibt, um die an der unteren Fläche des MRF haftende Paste PT abzuwischen, und anschließend den Reibungsbereich 34a des Papierglieds 34 gegen die unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile 3a in dem MRC (den zweiten Maskenbereich) reibt, um die an den unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile 3a haftende Paste PT abzuwischen; und eine Reibungsbereich-Erneuerungseinrichtung (den Papierglied-Aufnahmemechanismus 45 und die Steuereinrichtung 40), die das Papierglied 34 in einer Periode von der Trennung des Reibungsbereichs 34a des Papierglieds 34 von einem Vorsprungsteil 3a bis zu dem Kontakt des Reibungsbereichs 34a mit einem anderen Vorsprungsteil 3a aufnimmt, um den Reibungsbereich 34a des Papierglieds 34 zu erneuern.
Das Verfahren zum Reinigen der Siebdruckmaske 3 der vorliegenden Ausführungsform ist derart konfiguriert, dass ausgeführt werden: eine Verarbeitung für einen Prozess zum Abwischen der an der unteren Fläche des MRF haftenden Paste PT durch das Reiben des Reibungsbereichs 34a des Papierglieds 34 gegen die untere Fläche des MRF (den ersten Maskenbereich) (Schritt zum Abwischen von Paste von dem MRF); eine Verarbeitung für einen Prozess zum Abwischen der an den unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile 3a haftenden Paste PT durch das sequentielle Reiben des Reibungsbereichs 34a des Papiergliedes 34 gegen die unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile 3a in dem MRC (den zweiten Maskenbereich) (Schritt zum Abwischen von Paste von dem MRC); und einen Prozess zum Erneuern des Reibungsbereichs 34a des Papierglieds 34 durch das Aufnahmen des Papierglieds 34 in einer Periode von der Trennung des Reibungsbereichs 34a des Papierglieds 34 von einem Vorsprungsteil 3a in dem Schritt zum Abwischen von Paste von dem MRC bis zu dem Kontakt des Reibungsbereichs mit einem anderen Vorsprungsteil 3a (Reibungsbereich-Erneuerungsschritt).
Wie zuvor genannt, wird in der vorliegenden Ausführungsform das Papierglied 34 in einer Periode von der Trennung des Reibungsbereichs 34a des Papierglieds 34 von einem Vorsprungsteil 3a bis zu dem Kontakt der Reibungsbereichs mit dem anderen Vorsprungsteil 3a aufgenommen, sodass der Reibungsbereich 34a des Papierglieds 34 erneuert wird. Wenn das Papierglied 34, das nach dem Reinigen eines Vorsprungsteils 3a von demselben getrennt wurde, in einen Kontakt mit einem anderen Vorsprungsteil 3a kommt, wird die von dem vorausgehenden Vorsprungsteil 3a abgewischte Paste PT nicht gegen den nächsten Vorsprungsteil 3a gerieben. Deshalb kann die Paste PT effizient von der dem Hohlsubstrat entsprechenden Siebdruckmaske 3 abgewischt werden.
Die Siebdruckmaschine 1 der vorliegenden Ausführungsform unterwirft die Vielzahl von Flachelektroden fd (die ersten Elektroden), die auf der oberen Fläche des Substrats PB vorgesehen sind, und die Vielzahl von Hohlraum-Elektroden cd (die zweiten Elektroden), die auf den entsprechenden Bodenflächen der Vielzahl von Hohlräumen CV (Öffnungen) in Teilen der oberen Fläche des Substrats PB vorgesehen sind, einem Siebdrucken. Die Siebdruckmaschine 1 umfasst die Maske 3. Die Maske 3 weist den flachen MRF (den ersten Maskenbereich) auf, der während der Verwendung in Kontakt mit der oberen Fläche des Substrats PB bleibt und die ersten Musteröffnungen h1 in Entsprechung zu den Flachelektroden fd aufweist. Die Maske weist weiterhin den MRC (den zweiten Maskenbereich) auf, der separat zu dem MRF vorgesehen ist und die zweiten Musteröffnungen h2 in Entsprechung zu den entsprechenden Hohlraum-Elektroden cd in der Vielzahl von nach unten vorstehenden Vorsprungsteilen 3a aufweist, die in die entsprechenden Öffnungen (Hohlräume CV) des Substrats gepasst werden. Die Siebdruckmaschine weist weiterhin eine Druckausführungseinrichtung (den Pastenzuführkopf 4, den Substrathalteblock 2, den Pastenzuführmechanismus 43, einen Substratpositionierungsmechanismus 41 und die Steuereinrichtung 40) auf. Die Druckausführungseinrichtung führt die Paste PT zu dem MRC zu, während die zweiten Musteröffnungen h2 in dem MRC der Maske 3 und die Hohlraum-Elektroden cd des Substrats PB miteinander ausgerichtet gehalten werden, und trennt anschließend die Maske 3 relativ von dem Substrat PB, um die Paste PT auf die Hohlraum-Elektroden cd zu drucken. Die Druckausführungseinrichtung führt weiterhin die Paste PT zu dem MRF zu, während die ersten Musteröffnungen h1 in dem MRF der Maske 3 und die Flachelektroden fd des Substrats PB miteinander ausgerichtet bleiben. Die Druckausführungseinrichtung trennt dann die Maske 3 relativ von dem Substrat PB, um die Paste PT auf die Flachelektroden fd zu drucken. Die Siebdruckmaschine 1 umfasst also die Reinigungseinheit 5, die die an der unteren Fläche der Maske 3 haftende Paste PT abwischt.
In einer derartigen Siebdruckmaschine kann der MRF gereinigt werden, ohne durch die Vorsprungsteile 3a in dem MRC unterbrochen zu werden. Deshalb kann die dem Hohlsubstrat entsprechende dreidimensionale Siebdruckmaske 3 gut gereinigt werden.
Vorstehend wurde eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben, wobei die Erfindung jedoch nicht auf die zuvor beschriebene Ausführungsform beschränkt ist. Zum Beispiel wird in der Ausführungsform die untere Fläche des MRC gereinigt, nachdem die untere Fläche des MRF gereinigt wurde. Die Reinigungsreihenfolge kann aber auch umgekehrt werden.
Die vorliegende Patentanmeldung beruht auf der japanischen Patentanmeldung ( JP-A-2009-124865 ) vom 25. Mai 2009, deren gesamter Inhalt hier unter Bezugnahme eingeschlossen ist.
Industrielle Anwendbarkeit
Es werden eine Siebdruckmasken-Reinigungseinheit und ein Siebdruckmasken-Reinigungsverfahren angegeben, die ein effizientes Abwischen von Paste von einer einem Hohlsubstrat entsprechenden Siebdruckmaske ermöglichen.
Bezugszeichenliste

1: Siebdruckmaschine
2: Substrathalteblock (Druckausführungseinrichtung)
3: Siebdruckmaske
3a: Vorsprungsteil
4: Pastenzuführkopf (Druckausführungseinrichtung)
5: Reinigungseinheit
34: Papierglied
34a: Reibungsbereich
40: Steuereinrichtung (Papierglied-Reibungseinrichtung,Reibungsbereich-Erneuerungseinrichtung, Druckausführungseinrichtung)
41: Substratpositionierungsmechanismus(Druckausführungseinrichtung)
43: Pastenzuführmechanismus (Druckausführungseinrichtung)
44: Reinigungseinheit (Papierglied-Reibungseinrichtung)
45: Papierglied-Aufnahmemechanismus (Reibungsbereich-Erneuerungseinrichtung)
MRF: Maskenbereich für flachen Bereich (erster Maskenbereich)
MRC: Maskenbereich für Hohlräume (zweiter Maskenbereich)
h1: erste Musteröffnung
h2: zweite Musteröffnung
PB: Substrat
CV: Hohlraum (Öffnung)
fd: Flachelektrode (erste Elektrode)
cd: Hohlraum-Elektrode (zweite Elektrode)
PT: Paste

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2004-66832 A [0005]
JP 2009-124865 A [0047]

Claims

Siebdruckmasken-Reinigungseinheit zum Abwischen von Paste von einer unteren Fläche einer Siebdruckmaske mit einem flachen ersten Maskenbereich und einem zweiten Maskenbereich, der separat zu dem ersten Maskenbereich vorgesehen ist und eine Vielzahl von nach unten vorstehenden Vorsprungsteilen aufweist, wobei die Reinigungseinheit umfasst: ein Papierglied mit einem Reibungsbereich, der gegen die untere Fläche der Siebdruckmaske gerieben wird, eine Papierglied-Reibungseinrichtung, die den Reibungsbereich des Papierglieds gegen eine untere Fläche des ersten Maskenbereichs reibt, um die an der unteren Fläche des ersten Maskenbereichs haftende Paste abzuwischen, und den Reibungsbereich des Papierglieds sequentiell gegen die unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile in dem zweiten Maskenbereich reibt, um die an den unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile haftende Paste abzuwischen, und eine Reibungsbereich-Erneuerungseinrichtung, die das Papierglied in einer Periode von der Trennung des Reibungsbereichs des Papierglieds von einem Vorsprungsteil bis zu dem Kontakt des Reibungsbereichs mit einem anderen Vorsprungsteil aufnimmt, um den Reibungsbereich des Papierglieds zu erneuern.
Siebdruckmaschine, die eine Vielzahl von ersten Elektroden auf einer oberen Fläche eines Substrats und eine Vielzahl von zweiten Elektroden auf entsprechenden Bodenflächen einer Vielzahl von Öffnungen in Teilen der oberen Fläche des Substrats einem Siebdrucken unterwirft, wobei die Siebdruckmaschine umfasst: eine Siebdruckmaske, die umfasst: einen flachen ersten Maskenbereich, der während der Verwendung in Kontakt mit der oberen Fläche des Substrats bleibt und erste Musteröffnungen in Entsprechung zu den ersten Elektroden aufweist, und einen zweiten Maskenbereich, der als ein zu dem ersten Maskenbereich separater Bereich vorgesehen ist und zweite Musteröffnungen in Entsprechung zu der Vielzahl von zweiten Elektroden in der Vielzahl von nach unten vorstehenden Vorsprungsteilen aufweist, die in die entsprechenden Öffnungen des Substrats gepasst werden, eine Druckausführungseinrichtung, die Paste zu dem zweiten Maskenbereich zuführt, während die in dem zweiten Maskenbereich der Siebdruckmaske ausgebildeten zweiten Musteröffnungen und die zweiten Elektroden des Substrats miteinander ausgerichtet gehalten werden, und anschließend die Siebdruckmaske relativ von dem Substrat trennt, um die Paste auf die zweiten Elektroden zu drucken, und weiterhin Paste zu dem ersten Maskenbereich zuführt, während die ersten Musteröffnungen in dem ersten Maskenbereich der Siebdruckmaske und die ersten Elektroden des Substrats miteinander ausgerichtet bleiben, und anschließend die Siebdruckmaske relativ von dem Substrat trennt, um die Paste auf die ersten Elektroden zu drucken, und eine Siebdruckmasken-Reinigungseinheit, die an einer unteren Fläche der Siebdruckmaske haftende Paste abwischt, wobei die Siebdruckmasken-Reinigungseinheit umfasst: ein Papierglied mit einem Gummibereich, der gegen die untere Fläche der Siebdruckmaske gerieben wird, eine Papierglied-Reibungseinrichtung, die den Reibungsbereich des Papierglieds gegen eine untere Fläche des ersten Maskenbereichs reibt, um die an der unteren Fläche des ersten Maskenbereichs haftende Paste abzuwischen, und den Reibungsbereich des Papierglieds sequentiell gegen untere Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile in dem zweiten Maskenbereich reibt, um die an den unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile haftende Paste abzuwischen, und eine Reibungsbereich-Erneuerungseinrichtung, die das Papierglied in einer Periode von der Trennung des Reibungsbereichs des Papierglieds von einem Vorsprungsteil bis zu dem Kontakt des Reibungsbereichs mit einem anderen Vorsprungsteil aufnimmt.
Siebdruckmasken-Reinigungsverfahren zum Abwischen von Paste, die an einer unteren Fläche einer Siebdruckmaske haftet, die einen flachen ersten Maskenbereich und einen zweiten Maskenbereich aufweist, der separat zu dem ersten Maskenbereich vorgesehen ist und eine Vielzahl von nach unten vorstehenden Vorsprungsteilen aufweist, wobei das Verfahren umfasst: einen Schritt zum Abwischen der an einer unteren Fläche des ersten Maskenbereichs haftenden Paste durch das Reiben eines Reibungsbereichs eines Papierglieds gegen die untere Fläche des ersten Maskenbereichs, um die an der unteren Fläche des ersten Maskenbereichs haftende Paste abzuwischen, und einen Schritt zum sequentiellen Reiben des Reibungsbereichs des Papierglieds gegen die unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile in dem zweiten Maskenbereich, um die an den unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile haftende Paste abzuwischen, wobei in dem Schritt zum sequentiellen Reiben des Reibungsbereichs des Papierglieds gegen die unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile in dem zweiten Maskenbereich zum Abwischen der an den unteren Flächen der entsprechenden Vorsprungsteile haftenden Paste das Papierglied in einer Periode von der Trennung des Reibungsbereichs des Papierglieds von einem Vorsprungsteil bis zu dem Kontakt des Reibungsbereichs mit einem anderen Vorsprungsteil aufgenommen wird, um den Reibungsbereich des Papierglieds zu erneuern.