DE112007002294T5 - Bedampfungsvorrichtung, Vorrichtung zum Steuern einer Bedampfungsvorrichtung, Verfahren zum Steuern einer Bedampfungsvorrichtung, Verfahren zur Verwendung einer Bedampfungsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines Blasausganges - Google Patents

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Abstract

Bedampfungsvorrichtung, umfassend:
eine Dampfabscheidungsquelle zum Verdampfen eines Filmbildungsmaterials, das ein Ausgangsmaterial für eine Filmbildung ist;
eine Transportstrecke, die mit der Dampfabscheidungsquelle über eine Verbindungsstrecke verbunden ist, zum Transportieren des Filmbildungsmaterials, das von der Dampfabscheidungsquelle verdampft wird;
einen Blasbehälter mit einem Blasausgang, der mit der Transportstrecke verbunden ist, zum Ausblasen des Filmbildungsmaterials, das durch die Transportstrecke transportiert wird, aus dem Blasausgang; und
eine Prozesskammer zum Durchführen der Filmbildung auf einem Zielobjekt mit dem ausgeblasenen Filmbildungsmaterial,
wobei der Blasbehälter einen Pufferraum darin aufweist und das Filmbildungsmaterial aus dem Blasausgang ausbläst, nachdem das Filmbildungsmaterial durch den Pufferraum hindurchtritt, so dass ein Druck in dem Pufferraum des Blasbehälters höher als ein Druck außerhalb des Blasbehälters wird.

Description

  • [Technisches Gebiet]
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Bedampfungsvorrichtung, eine Vorrichtung zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung, ein Verfahren zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung, ein Verfahren zur Verwendung der Bedampfungsvorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen eines Blasausganges. Genauer betrifft die vorliegende Erfindung eine Bedampfungsvorrichtung, die eine hohe Ausnutzungseffizienz des Materials aufweist, und ein Steuerungsverfahren dafür.
  • [Technischer Hintergrund]
  • Bei einem Herstellungsprozess einer elektronischen Einrichtung, wie etwa eines Flachbildschirms oder dergleichen, wird weitläufig ein Bedampfungsverfahren zum Bilden eines Films auf einem Zielobjekt durch Anlagerung von Gasmolekülen, die infolge des Verdampfens eines vorgegebenen Filmbildungsmaterials erzeugt werden, an dem Zielobjekt angewandt. Unter verschiedenen Typen von Einrichtungen, die unter Verwendung einer derartigen Bedampfungstechnologie hergestellt werden, ist besonders bekannt, dass ein organisches EL-Display einem Flüssigkristalldisplay aus dem Grund seiner Eigenlumineszenz, seiner hohen Reaktionsgeschwindigkeit, seines niedrigen Stromverbrauchs usw. überle gen ist. Dementsprechend wird von nun an eine zunehmende Nachfrage nach dem organischen EL-Display erwartet, und im Besonderen zieht es eine hohe Aufmerksamkeit auf dem Gebiet der Herstellung des Flachbildschirm-Paneels auf sich, von dem erwartet wird, dass es größer wird. Somit geht man davon aus, dass die Bedampfungstechnologie, die bei der Herstellung des organischen EL-Displays angewandt wird, sehr wichtig ist.
  • Die Bedampfungstechnologie, die die Aufmerksamkeit bei einem solchen technischen Hintergrund auf sich zieht, wird durch eine Bedampfungsvorrichtung umgesetzt. Im Hinblick auf diese Bedampfungsvorrichtung sind zwei Typen von Dampfabscheidungsquellen angewandt worden: eine ist eine Dampfabscheidungsquelle vom Punktquellentyp zum Anlagern von Gasmolekülen an Substrat durch Blasen der Gasmoleküle aus einer punktförmigen Öffnung, die an der Dampfabscheidungsquelle vorgesehen ist; und die andere ist eine Dampfabscheidungsquelle vom Linearquellentyp zum Anlagern von Gasmolekülen an einem Substrat durch Blasen der Gasmoleküle aus einer rechteckigen Öffnung oder einer Öffnung, die durch Einrichten mehrerer Dampfabscheidungsquellen vom Punktquellentyp in einem Array gebildet ist (siehe beispielsweise Nichtpatent-Dokument 1).
  • Hinsichtlich der Bedampfungsvorrichtung vom Linearquellentyp mit der rechteckigen Öffnung unter den oben erwähnten Bedampfungsvorrichtungen müssen in dem Fall, dass es mehrere Filmbildungsmaterialien gibt, die als Ausgangsmaterialien zur Filmbildung verwendet werden sollen, Gasmoleküle der jeweiligen Filmbildungsmaterialien an einem Substrat angelagert werden, nachdem sie miteinander gleichmäßig vermischt worden sind, um eine qualitativ hohe und gleichmäßige Filmbildung zu erreichen. Deshalb wird bei der herkömmlichen Bedampfungs vorrichtung ein Spalt zwischen einem Blasausgang zum Austragen des Filmbildungsmaterials und einem Zielobjekt genügend erhöht, um zuzulassen, dass die Gasmoleküle der unterschiedlichen Filmbildungsmaterialien ausreichend diffundiert und vermischt werden, bis sie das Zielobjekt erreichen, nachdem sie aus dem Blasausgang ausgetragen worden sind (siehe beispielsweise Patentdruckschrift 2).
    • Nichtpatent-Druckschrift 1: Organic EL display Illumination 2005 thorough verification (gehalten am 28. Juni 2005) Sponsor: Electronic journal, Preliminary notice collection of lectures, Seiten 32 bis 34
    • Patentdruckschrift 2: japanisches offengelegtes Patent Veröffentlichungsnummer 2001-291589
  • [Offenbarung der Erfindung]
  • [Mittel zum Lösen der Probleme]
  • Wenn jedoch ein Spalt zwischen einem Blasausgang und einem Zielobjekt erhöht wird, wird ebenso der Bereich einer Diffusion von Gasmolekülen während ihrer Bewegung von dem Blasausgang zu dem Zielobjekt verbreitert. Wenn die Gasmoleküle auf diese Weise bewegt werden, während sie über eine Dampfabscheidungsfläche des Zielobjekts hinaus diffundiert werden, nimmt eine Menge von Filmbildungsmaterial (Gasmoleküle), das ausgestoßen wird, ohne dass es an dem Zielobjekt angelagert wird, zu, so dass die Ausnutzungseffizienz des Materials verschlechtert wird, was zu einer Zunahme der Herstellungskosten führt.
  • Ferner können Gasmoleküle, die nicht an einem Substrat angelagert werden, an anderen Teilen im Inneren einer Prozesskammer angelagert werden. In einem solchen Fall wird ein Reinigungszyklus für das Innere der Prozesskammer verkürzt, was zu einer Verschlechterung des Durchsatzes und der Produktivität führt.
  • In Anbetracht des Vorstehenden stellt die vorliegende Erfindung eine neuartige und fortschrittliche Bedampfungsvorrichtung bereit, die eine hohe Ausnutzungseffizienz des Materials aufweist, und stellt auch eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung und ein Verfahren zur Verwendung der Bedampfungsvorrichtung bereit.
  • Um die oben erwähnten Probleme zu lösen, ist gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Bedampfungsvorrichtung vorgesehen, umfassend: eine Dampfabscheidungsquelle zum Verdampfen eines Filmbildungsmaterials, das ein Ausgangsmaterial für eine Filmbildung ist; eine Transportstrecke, die mit der Dampfabscheidungsquelle über eine Verbindungsstrecke verbunden ist, zum Transportieren des Filmbildungsmaterials, das von der Dampfabscheidungsquelle verdampft wird; einen Blasbehälter mit einem Blasausgang, der mit der Transportstrecke verbunden ist, zum Ausblasen des Filmbildungsmaterials, das durch die Transportstrecke transportiert wird, aus dem Blasausgang; und eine Prozesskammer zum Durchführen der Filmbildung auf einem Zielobjekt mit dem ausgeblasenen Filmbildungsmaterial.
  • Hier impliziert der Ausdruck ”Verdampfung” oder ”Bedampfung” nicht nur dass Phänomen, dass eine Flüssigkeit in ein Gas umgewandelt wird, sondern auch ein Phänomen, dass ein Feststoff direkt in ein Gas umgewandelt wird, ohne eine Flüssigkeit zu werden (d. h. Sublimation).
  • Der Blasbehälter weist einen Pufferraum darin auf, und bläst das Filmbildungsmaterial aus dem Blasausgang aus, nachdem das Filmbildungsmaterial durch den Pufferraum hindurchtritt, so dass ein Druck in dem Pufferraum des Blasbehälters höher als ein Druck außerhalb des Blasbehälters wird.
  • Man nimmt an, dass in dem Fall, dass ein Druck in dem Pufferraum des Blasbehälters höher als ein Druck außerhalb des Blasbehälters ist, das folgende Phänomen in der Nachbarschaft des Blasausganges auftritt. Das heißt es wird nicht zugelassen, dass zumindest ein Teil der Gasmoleküle, die im Inneren des Blasbehälters vorhanden sind, gleichmäßig durch den Blasausgang hindurchtritt, sondern von der Innenwand des Blasbehälters reflektiert und in den Pufferraum zurückgeworfen wird. Nachdem derartige Bewegungen wiederholt werden, können die Gasmoleküle durch die Öffnung des Blasausganges ausgetragen werden. Das heißt zwischen den Gasmolekülen, die in den Pufferraum durch das Verbindungsrohr und die Transportstrecke eingeleitet worden sind, nachdem sie von der Dampfabscheidungsquelle verdampft worden sind, können Gasmoleküle, die eine vorgegebene Menge übersteigen, nicht sofort durch den Blasausgang hindurchtreten, und sie verbleiben temporär in dem Pufferraum. Auf diese Weise wird der Druck (Dichte) im Inneren des Pufferraums höher als der Druck (Dichte) außerhalb des Blasbehälters gehalten. Während die Gasmoleküle in dem Pufferraum bleiben, werden sie dementsprechend miteinander vermischt, so dass sie in einem gleichmäßigen Zustand vorliegen.
  • Infolgedessen werden die Gasmoleküle von dem Blasausgang in einem gleichmäßigen Zustand ausgeblasen, wodurch auf dem Zielobjekt ein gleichmäßiger Film mit hoher Qualität unter Verwendung der Gasmoleküle mit der hohen Steuerbarkeit der Filmbildung selbst in dem Fall gebildet werden kann, dass der Spalt zwischen dem Blasausgang und dem Zielobjekt im Vergleich mit herkömmlichen Fällen stark verkürzt ist.
  • Ferner wird durch Verkürzen des Spalts zwischen dem Blasausgang des Blasbehälters und dem Zielobjekt eine übermäßige Diffusion der Gasmoleküle, die von dem Blasausgang ausgeblasen werden, verhindet, so dass eine größere Menge von Gasmolekülen an der Dampfabscheidungsfläche des Zielobjekts angelagert werden kann, was zu einer Verbesserung der Materialausnutzungseffizienz führt. Folglich werden die Herstellungskosten eines Produkts verringert.
  • Durch Verhindern der übermäßigen Diffusion der Gasmoleküle, wie es oben beschrieben ist, wird darüber hinaus verhindert, dass sich die Gasmoleküle an anderen Teilen im Inneren der Prozesskammer anlagern. Somit kann der Reinigungszyklus für das Innere der Prozesskammer verlängert werden, so dass der Durchsatz und die Produktivität gesteigert werden können.
  • Der Blasausgang kann als ein poröser Körper gebildet sein. Ferner kann der Blasausgang eine praktische Breite Wp in einem Bereich von α mm ± α × 0,01 mm aufweisen, wenn eine Zielbreite Wg einer kürzeren Seite des Blasausganges als α mm festgelegt ist, und eine Länge lo einer längeren Seite der Öffnung, wobei die Länge lo an beiden Enden des Blasausganges um zumindest ls × 0,1 mm länger als eine Länge ls des Zielobjekts ist, das oberhalb des Blasbehälters in einer Richtung horizontal zu einer Längsrichtung der Öffnung angeordnet ist.
  • Es ist erwünscht, dass in dem Fall, dass der Blasausgang aus einem porösen Körper gebildet ist, die Porosität des porösen Körpers gleich oder kleiner als etwa 97% ist. Wenn beispielsweise die Porosität 97 % beträgt, wird der Partikeldurchmesser des porösen Körpers etwa 600 μm. Wenn die Gasmoleküle durch den porösen Körper mit dem Partikeldurchmesser gleich oder kleiner als 600 μm hindurchtreten, kollidieren die Gasmoleküle mit der Wandfläche der Strömungsstrecken (Leerräume zwischen den Poren) im Inneren des porösen Körpers oder anderen Gasmolekülen und werden gleichmäßig von der gesamten Fläche des Blasausganges in einem Zustand ausgeblasen, in welchem ihre Richtungsablenkung niedrig ist, während ihre Geschwindigkeit reduziert wird. Dementsprechend können die Gasmoleküle des Filmbildungsmaterials aus der gesamten Fläche des Blasausganges ausgeblasen werden, nachdem sie ausreichend miteinander vermischt worden sind.
  • Wenn ferner in dem Fall, dass der Blasausgang eine vorgegebene Schlitzform aufweist, die Genauigkeit der Schlitzbreite verbessert ist, so dass der praktische Wert Wp der Breite (kürzere Seite) der schlitzförmigen Öffnung derart festgelegt ist, dass sie in einem Bereich von α mm ± α × 0,01 mm (α mm ist der Zielbreitenwert Wg) liegt, können die Gasmoleküle aus der schlitzförmigen Öffnung gleichmäßig ausgeblasen werden. Es ist insbesondere wünschenswert, dass das α mm als der Zielbreitenwert Wg der schlitzförmigen Öffnung derart festgelegt ist, dass er gleich oder kleiner als etwa 3 mm ist.
  • Es ist darüber hinaus wünschenswert, dass eine Länge lo einer längeren Seite der Schlitzöffnung an ihren beiden Enden um zumindest ls × 0,1 mm länger als eine Länge ls (siehe 10) des Zielobjekts ist, das oberhalb des Blasbehälters in einer Richtung horizontal zu einer Längsrichtung der Öffnung angeordnet ist.
  • Auf diese Weise kann durch Einstellen der Länge der Schlitzöffnung, so dass sie an beiden Enden der Schlitzöffnung um 10% länger als die Länge des Zielobjekts ist, die Menge von organischen Molekülen, die bis zu dem Außenumfangsabschnitt des Zielobjekts diffundiert werden, auch im Wesentlichen gleich der Menge der organischen Moleküle gehalten werden kann, die zu der anderen Position des Zielobjekts diffundiert werden, wenn die organischen Moleküle (Gasmoleküle des Filmbildungsmaterials) in einer Längsrichtung der Schlitzrichtung diffundiert werden. Infolgedessen kann ein gleichmäßiger Dünnfilm mit hoher Qualität auf dem Zielobjekt gebildet werden.
  • Die Transportstrecke kann in mehrere Transportstrecken verzweigt sein, und die verzweigten Transportstrecken können die gleichen Langen aufweisen. Die Geschwindigkeitsabnahme der Gasmoleküle des Filmbildungsmaterials aufgrund einer Kollision mit der Wandfläche der Transportstrecke oder anderen Gasmolekülen während ihrer Bewegung durch die Transportstrecke ist proportional zu der Länge der Transportstrecke, durch die die Gasmoleküle hindurchtreten. Dementsprechend können durch Einstellen der Längen der verzweigten Transportstrecken, so dass sie alle gleich sind, die Gasmoleküle aus den jeweiligen Öffnungen der verzweigten Transportstrecken in Richtung des Pufferraums mit im Wesentlichen der gleichen Geschwindigkeit ausgeblasen werden.
  • Zu dieser Zeit können Öffnungen der verzweigten Transportstrecken in Bezug auf eine vorgegebene Richtung gleich beabstandet sein. Ferner können die verzweigten Transportstrecken punktsymmetrisch mit Bezug auf eine Verzweigungsposition der Transportstrecken gebildet sein. In dieser Ausgestaltung werden die Gasmoleküle gleichmäßig aus den Öffnungen der Transportstrecken, die in dem gleichen Abstand in Richtung des Pufferraums angeordnet sind, ausgetragen, nachdem sie durch die Transportstrecken, die die gleiche Struktur punktsymmetrisch aufweisen, hindurchgetreten sind. Dementsprechend können die Gasmoleküle gleichmäßiger in Richtung des Pufferraums mit einer im Wesentlichen gleichen Geschwindigkeit ausgetragen werden. Infolgedessen können die Gasmoleküle in einem gleichmäßigeren Zustand in dem Pufferraum des Blasbehälters gehalten werden.
  • Die Bedampfungsvorrichtung kann ferner eine Diffusionsplatte umfassen, die den Pufferraum des Blasbehälters in einen Blasausgangseitigen Raum und einen transportstreckenseitigen Raum teilt und zulässt, dass das Filmbildungsmaterial dort hindurchtreten kann. Die Diffusionsplatte kann eine Trennplatte sein, die aus einem porösen Körper gebildet ist, oder eine Trennplatte, die mit einer Anzahl von Löchern versehen ist, wie z. B. ein Lochblech.
  • Mit dieser Ausgestaltung ist der Pufferraum in den blasausgangseitigen Raum und den transportstreckenseitigen Raum durch die Diffusionsplatte geteilt. Auf diese Weise wird veranlasst, dass die Gasmoleküle, die in dem Pufferraum ausgetragen werden, immer durch die Diffusionsplatten hindurchtreten und dann zu dem blasausgangseitigen Raum von dem transportstreckenseitigen Raum bewegt werden. Auf diese Weise können die Gasmoleküle weiter vermischt werden, wenn sie durch die Diffusionsplatte hindurchtreten, und auch ein Druck in dem blasausgangseitigen Raum kann durch die Diffusionsplatte weiter stabilisiert werden. Infolgedessen können die Gasmoleküle aus dem Blasausgang gleichmäßiger ausgeblasen werden. Somit nimmt die Steuerbarkeit der Filmbildung zu, so dass ein gleichmäßiger Film mit einer hohen Qualität auf dem Zielobjekt selbst dann gebildet werden kann, wenn der Spalt zwischen dem Blasbehälter und dem Zielobjekt derart festgelegt wird, dass er kürzer als in herkömmlichen Fällen ist.
  • Ein jeder von dem Blasausgang des porösen Körpers und der Diffusionsplatte kann aus einem leitfähigen Element hergestellt sein. Ferner können der Blasausgang des porösen Körpers und die Diffusionsplatte Temperatursteuerungsmechanismen zum Steuern von Temperaturen des Blasausganges und der Diffusionsplatte umfassen.
  • Auf diese Weise sind der Blasausgang und die Diffusionsplatte aus einem leitfähigen Element, wie etwa z. B. einem Metall, hergestellt, und ein Temperatursteuerungsmechanismus, wie etwa eine Heizung, ist an dem Blasausgang und der Diffusionsplatte eingebaut, wodurch die gesamten Bereiche des Blasausganges und der Diffusionsplatte mittels Heizen des Blasausganges und der Diffusionsplatte mit den Heizungen oder dergleichen und Übertragen der Wärme zu den gesamten Bereichen des Blasausganges und der Diffusionsplatte auf hohen Temperaturen gehalten werden können.
  • Gemäß der Offenbarung eines Buches mit dem Titel "Thin Film Optics" (Dünnfilmoptik) (das von Murata Seishiro, Maruzen Inc., 1. Ausgabe am 15. März 2003 und 2. Ausgabe am 10. April 2004 veröffentlicht wurde) werden hier verdampfte Moleküle (Gasmoleküle der Filmbildungsmaterialien), die das Substrat erreicht haben, nicht an dem Substrat angelagert und darauf angesammelt werden, und zwar gerade wie sie sind auf eine solche Weise, dass sie herunterfallen und gestapelt werden, um einen Film zu bilden, sondern ein Teil von ihnen wird reflektiert und in das Vakuum zurückgeworfen. Ferner bewegen sich einige der Moleküle, die auf der Oberfläche des Substrats angelagert sind, weiter auf der Oberfläche, wobei einige von ihnen wieder zurück in das Vakuum geworfen werden, und einige von ihnen an Stellen auf dem Zielobjekt gefangen werden, um einen Film zu bilden. Eine durchschnittliche Zeit, die die Moleküle in einem Adsorptionszustand gehalten werden (durchschnittliche Verweilzeit τ) wird durch eine Gleichung τ = τ0exp(Ea/kT) angegeben, wobei Ea eine Aktivierungsenergie für das Entweichen darstellt.
  • Da T eine absolute Temperatur ist; k eine Boltzmann-Konstante ist, und τ0 eine vorbestimmte Konstante ist, geht man davon aus, dass die durchschnittliche Verweilzeit τ eine Funktion der absoluten Temperatur T ist. Diese Gleichung gibt an, dass die Zahl der Gasmoleküle, die physikalisch an einer Transportstrecke angelagert werden, mit zunehmender Temperatur abnimmt.
  • Da, wie oben beschrieben, die Temperaturen der Elemente (z. B. des Blasausganges und der Diffusionsplatte), durch die die Gasmoleküle hindurchtreten, derart eingestellt werden, dass sie höher sind, nimmt die Zahl der Gasmoleküle, die an diesen Elementen angelagert werden, ab, während sie durch derartige Elemente hindurchtreten. Infolgedessen wird zugelassen, dass die meisten Gasmoleküle an dem Zielobjekt angelagert werden, ohne an dem Blasausgang oder der Diffusionsplatte angelagert zu werden. Somit kann die Materialausnutzungseffizienz weiter verbessert werden.
  • Außerdem kann die Dampfabscheidungsquelle einen Temperatursteuerungsmechanismus zum Steuern einer Temperatur der Dampfabscheidungsquelle umfassen. In dieser Ausgestaltung kann die Temperatur der Dampfabscheidungsquelle unter Verwendung des Temperatursteuerungsmechanismus gesteuert werden, der an der Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, um die Zahl der Gasmoleküle der Filmbildungsmaterialien, die an der Dampfabscheidungsquelle oder der Verbindungsstrecke angelagert werden, weiter zu verringern, nachdem sie von der Dampfabscheidungsquelle verdampft worden sind. Infolgedessen kann die Materialausnutzungseffizienz weiter verbessert werden.
  • Genauer kann der Temperatursteuerungsmechanismus der Dampfabscheidungsquelle einen ersten Temperatursteuerungsmechanismus und einen zweiten Temperatursteuerungsmechanismus umfassen, wobei der erste Temperatursteuerungsmechanismus auf der Seite des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts der Dampfabscheidungsquelle angeordnet sein kann, um eine Temperatur des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts auf einer vorbestimmten Temperatur zu halten, und der zweite Temperatursteuerungsmechanismus kann an einem Auslassabschnitt der Dampfabscheidungsquelle angeordnet sein, von welchem das Filmbildungsmaterial ausgetragen wird, um eine Temperatur des Auslassabschnitts derart zu halten, dass sie höher als oder gleich wie die Temperatur des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts ist.
  • Ein Beispiel des ersten Temperatursteuerungsmechanismus, der an dem das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitt der Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, kann eine erste Heizung sein, die in einer Unterseitenwand der Dampfabscheidungsquelle, wo das Filmbildungsmaterial gespeichert ist, eingebettet ist (siehe beispielsweise 400e1 in 2). Ferner kann ein Beispiel des zweiten Temperatursteuerungsmechanismus, der an der Auslassseite der Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, von welcher das Filmbildungsmaterial ausgetragen wird, eine zweite Heizung sein (siehe beispielsweise 410e1 in 2), die in der Seitenwand der Dampfabscheidungsquelle eingebettet ist. Als ein Beispiel einer Temperatursteuerung unter Verwendung der ersten und zweiten Heizung kann eine Spannung, die von einer Stromversorgung an die zweite Heizung angelegt wird, auf höher als die eingestellt werden, die an die erste Heizung angelegt wird. Auf diese Weise kann die Temperatur der Nachbarschaft (durch r in 2 angegeben) eines Auslasses jedes Tiegels, von welchem das verdampfte Filmbildungsmaterial ausgeblasen wird, auf höher als die Temperatur der Nachbarschaft des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts der Dampfabscheidungsquelle (durch q in 2 angegeben) erhöht werden. Infolgedessen wird die Zahl der Gasmoleküle, die an der Dampfabscheidungsquelle oder der Verbindungsstrecke angelagert werden, weiter verringert, während die Filmbildungsmaterialien in Richtung des Blasbehälters strömen gelassen werden, so dass die Materialausnutzungseffizienz verbessert werden kann.
  • Es kann mehr als eine Dampfabscheidungsquelle eingebaut sein; unterschiedliche Arten von Filmbildungsmaterialien können jeweils in den Dampfabscheidungsquellen aufgenommen sein; Verbindungsstrecken können jeweils mit den Dampfabscheidungsquellen an einer vorgegebenen Vereinigungsposition gekoppelt sein; und auf der Basis der Mengen der unterschiedlichen Arten von Filmbildungsmaterialien, die von den Dampfabscheidungsquellen pro Zeiteinheit verdampft werden, kann ein Strömungsstrecken-Anpassungselement (beispielsweise eine Blende) an einer der Verbindungsstrecken oberstromig der vorgegebenen Vereinigungsposition eingebaut sein, um eine Strömungsstrecke einer Verbindungsstrecke zu steuern.
  • Beispielsweise kann auf der Basis der Mengen der unterschiedlichen Arten von Filmbildungsmaterialien, die von den Dampfabscheidungsquellen pro Zeiteinheit verdampft werden, das Strömungsstrecken-Anpassungselement in der Verbindungsstrecke eingebaut sein, durch das das Filmbildungsmaterial mit einer niedrigen Verdampfungsrate pro Zeiteinheit hindurchtritt.
  • Wenn die Verbindungsstrecken die gleichen Durchmesser aufweisen, wird ein Innendruck einer Verbindungsstrecke, durch die das Filmbildungsmaterial mit einer hohen Verdampfungsrate pro Zeiteinheit (Molekülmenge pro Zeiteinheit) hindurchtritt, nach der Verdampfung von der Dampfabscheidungsquelle höher als der Innendruck einer Verbindungsstrecke, durch die das Filmbildungsmaterial mit einer niedrigen Verdampfungsrate pro Zeiteinheit hindurchtritt. Dementsprechend besteht die Tendenz, dass Gasmoleküle in die Verbindungsstrecke mit dem niedrigeren Innendruck von der Verbindungsstrecke mit dem höheren Innendruck eingeleitet werden.
  • Jedoch ist auf der Basis der Verdampfungsrate der Filmbildungsmaterialien, die von den Dampfabscheidungsquellen verdampft werden, das Strömungsstrecken-Anpassungselement in der Verbindungsstrecke, durch die das Filmbildungsmaterial mit der niedrigen Verdampfungsrate pro Zeiteinheit hindurchtritt, eingebaut. Wenn beispielsweise eine Blende (Trennplatte) mit einer zentralen Öffnung als das Strömungsstrecken-Anpassungselement verwendet wird, ist die Strömungsstrecke an der Position, an der die Blende eingebaut ist, verengt, so dass ein Durchgang der Gasmoleküle eingeschränkt wird.
  • In dieser Ausgestaltung kann verhindert werden, dass die Gasmoleküle des Filmbildungsmaterials von der Verbindungsstrecke mit dem höheren Innendruck in Richtung der Verbindungsstrecke mit dem niedrigeren Innendruck eingeleitet werden. Auf diese Weise kann durch Einleiten der Gasmoleküle der verschiedenen Filmbildungsmaterialien in Richtung des Blasbehälters während ihr Rückstrom verhindert wird, eine größere Menge von Gasmolekülen auf dem Zielobjekt abgeschieden werden, so dass die Materialausnutzungseffizienz weiter verbessert werden kann.
  • Es kann mehr als ein Blasbehälter eingebaut sein, und die Prozesskammer kann die Blasbehälter darin aufnehmen, und mehrere Filmbildungsprozesse können fortlaufend auf dem Zielobjekt durchgeführt werden, wobei die Filmbildungsmaterialien von dem jeweiligen Blasbehälter in der ersten Prozesskammer ausgeblasen werden.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung werden mehrere Filme fortlaufend in der gleichen Prozesskammer gebildet. Somit kann der Durchsatz gesteigert werden und die Produktivität kann verbessert werden. Da darüber hinaus nicht mehrere Prozesskammern getrennt für jeden der zu bildenden Filme wie in herkömmlichen Fällen eingebaut werden müssen, wird eine Vergrößerung der Anlage verhindert, und die Kosten dafür können vermindert werden.
  • Ferner kann die Prozesskammer einen organischen EL-Film oder einen organischen Metallfilm auf dem Zielobjekt durch Dampfabscheidung unter Verwendung eines organischen EL-Filmbildungsmaterials oder eines organischen Metallfilmbildungsmaterials als ein Ausgangsmaterial bilden.
  • Außerdem kann mehr als eine Dampfabscheidungsquelle eingebaut sein, und mehrere erste Sensoren, die den Dampfabscheidungsquellen entsprechen, können angeordnet sein, um jeweilige Verdampfungsraten der Filmbildungsmaterialien, die in den Dampfabscheidungsquellen aufgenommen sind, zu detektieren.
  • Dementsprechend kann die Temperatur jeder Dampfabscheidungsquelle mit hoher Genauigkeit auf der Basis der Verdampfungsrate jedes Filmbildungsmaterials (einfache Substanz), die von dem ersten Sensor ausgegeben wird, gesteuert werden. Infolgedessen kann durch Zulassen, dass die Verdampfungsrate des Filmbildungsmaterials, das in jeder Dampfabscheidungsquelle enthalten ist, sich einem Zielwert genauer annähert, ein Verhältnis des Gemisches von Gasmolekülen, das von dem Blasmechanismus ausgeblasen wird, mit höherer Genauigkeit gesteuert werden. Folglich kann die Steuerbarkeit der Filmbildung verbessert werden und ein gleichmäßigerer Dünnfilm mit besserer Qualität kann auf dem Zielobjekt gebildet werden.
  • Ein zweiter Sensor, der dem Blasbehälter entspricht, kann zusätzlich in einer ersten Prozesskammer angeordnet sein, um eine Filmbildungsrate des Filmbildungsmaterials, das von dem Blasbehälter ausgeblasen wird, zu detektieren.
  • Mit dieser Ausgestaltung ist es möglich, die Filmbildungsrate der Filmbildungsmaterialien, die in dem Pufferraum des Blasbehälters vermischt werden, unter Verwendung des zweiten Sensors zu detektieren, während gleichzeitig die Verdampfungsrate jedes Filmbildungsmaterials (einfache Substanz), das in jeder Dampfabscheidungsquelle enthalten ist, unter Verwendung der ersten Sensoren detektiert wird. Dementsprechend ist es möglich, die Verlustmenge der Gasmoleküle infolge ihrer Anlagerung zu messen, während sie sich von der Dampfabscheidungsquelle zu dem Blasbehälter durch die Verbindungsstrecke und die Transportstrecke bewegen. Somit kann die Temperatur jeder Dampfabscheidungsquelle auf der Basis der Verdampfungsraten von verschiedenen Arten von Filmbildungsmaterialien (einfache Substanzen) und der Filmbildungsrate des Gemisches von Filmbildungsmaterialien genauer gesteuert werden. Dementsprechend kann die Steuerbarkeit der Filmbildung verbessert werden, und ein gleichmäßigerer Dünnfilm mit einer besseren Qualität kann auf dem Zielobjekt gebildet werden. Ferner ist der Einbau des zweiten Sensors optional, solange die ersten Sensoren vorgesehen sind.
  • Zur Steuerung einer Temperatur jeder Dampfabscheidungsquelle auf der Basis der Verdampfungsrate jedes Filmbildungsmaterials (einfache Substanz), die von jedem Sensor ausgegeben wird, wird beispielsweise eine QCM (Quarzmikrowaage oder Quartz Crystal Microbalance) verwendet. Nachstehend wird das Prinzip der QCM einfach erläutert.
  • n dem Fall, dass eine Dichte, ein Elastizitätsmodul, eine Größe oder dergleichen eines Quarzschwingkörpers äquivalent verändert werden, indem eine Substanz an der Oberfläche eines Quarzschwingelements angelagert wird, tritt eine Schwankung einer elektrischen Resonanzfrequenz f, die durch die folgende Gleichung angegeben ist, aufgrund der piezoelektrischen Eigenschaft des Schwingelements auf. f = 1/2t (√C/ρ)(t: Dicke eines Quarzstücks, C: Elastizitätskonstante, ρ: Dichte)
  • Unter Verwendung dieses Phänomens kann eine infinitesimale Quantität von Abscheidungen quantitativ auf der Basis der Schwankung der Resonanzfrequenz des Quarzschwingelements gemessen werden. Ein allgemeiner Ausdruck für das Quarzschwingelement, das wie oben beschrieben konstruiert ist, ist QCM. Wie es aus der Gleichung zu sehen ist, geht man davon aus, dass eine Änderung der Frequenz auf der Basis einer Änderung der Elastizitätskonstante in Abhängigkeit von der angelagerten Substanz, und einer Dickenabmessung der angelagerten Substanz, die vermittels der Quarzdichte berechnet wird, bestimmt wird. Somit kann die Änderung der Frequenz vermittels des Gewichts der Abscheidungen berechnet werden.
  • Zum Lösen der oben erwähnten Probleme ist gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung eine Steuerungsvorrichtung zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung vorgesehen, die eine Temperatur eines Temperatursteuerungsmechanismus, der an jeder Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, auf der Basis der jeweiligen Verdampfungsraten der Filmbildungsmaterialien, die von den ersten Sensoren detektiert werden, regelt.
  • Ferner ist zum Lösen der oben erwähnten Probleme gemäß einem nochmals anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ein Steuerungsverfahren zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung vorgesehen, das eine Temperatur eines Temperatursteuerungsmechanismus, der an jeder Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, auf der Basis der jeweiligen Verdampfungsraten der Filmbildungsmaterialien, die von den ersten Sensoren detektiert werden, regelt.
  • Auf diese Weise kann die Temperatur jeder Dampfabscheidungsquelle mit hoher Genauigkeit in Echtzeit auf der Basis der Verdampfungsraten der unterschiedlichen Arten von Filmbildungsmaterialien (einfache Substanzen), die von den ersten Sensoren detektiert werden, gesteuert werden. Infolgedessen kann durch Zulassen, dass die Verdampfungsrate des Filmbildungsmaterials sich einem Zielwert genauer annähert, ein Verhältnis des Gemisches von Gasmolekülen, die von dem Blasmechanismus ausgeblasen werden, mit höherer Genauigkeit gesteuert werden. Folglich kann die Steuerbarkeit der Filmbildung verbessert werden, und es kann ein gleichmäßigerer Dünnfilm mit einer besseren Qualität auf dem Zielobjekt gebildet werden.
  • Ferner wird durch Regeln der Temperatur des Temperatursteuerungsmechanismus, der an jeder Dampfabscheidungsquelle einge baut ist, so dass die Temperatur des Auslassabschnitts der Dampfabscheidungsquelle, von der das verdampfte Filmbildungsmaterial ausgetragen wird, derart eingestellt ist, dass sie höher als oder gleich wie die Temperatur des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts der Dampfabscheidungsquelle ist, die Zahl der Gasmoleküle, die an der Dampfabscheidungsquelle oder der Verbindungsstrecke angelagert werden, weiter verringert, während die Filmbildungsmaterialien in Richtung des Blasmechanismus strömen gelassen werden, so dass die Materialausnutzungseffizienz verbessert werden kann.
  • Ferner ist zum Lösen der oben erwähnten Probleme gemäß noch einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Verwendung einer Bedampfungsvorrichtung vorgesehen, wobei das Verfahren umfasst: Verdampfen des Filmbildungsmaterials, das in der Dampfabscheidungsquelle aufgenommen ist; Durchleiten des verdampften Filmbildungsmaterials durch den Pufferraum, der in dem Blasbehälter eingebaut ist, über die Verbindungsstrecke und die Transportstrecke; Ausblasen des Filmbildungsmaterials, das durch den Pufferraum hindurchgetreten ist, aus dem Blasausgang eines porösen Körpers in dem Blasbehälter; und Durchführen der Filmbildung auf dem Zielobjekt mit dem ausgeblasenen Filmbildungsmaterial in der Prozesskammer.
  • Um die oben erwähnten Probleme zu lösen, ist ferner gemäß noch einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Verwendung einer Bedampfungsvorrichtung vorgesehen, wobei das Verfahren umfasst: Verdampfen des Filmbildungsmaterials, das in der Dampfabscheidungsquelle aufgenommen ist; Durchleiten des verdampften Filmbildungsmaterials durch den Pufferraum, der in dem Blasbehälter eingebaut ist, über die Verbindungsstrecke und die Transportstrecke; Ausblasen des Filmbildungsmaterials, das durch den Pufferraum hin durchgetreten ist, aus dem Blasausgang, der in dem Blasbehälter eingebaut ist, so dass ein Druck in dem Pufferraum des Blasbehälters höher als ein Druck außerhalb des Blasbehälters wirkt; und Durchführen der Filmbildung auf dem Zielobjekt mit dem ausgeblasenen Filmbildungsmaterial in der Prozesskammer.
  • Darüber hinaus ist gemäß einem nochmals anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Blasausganges vorgesehen, der in einem Blasbehälter vorgesehen ist, zum Ausblasen eines Filmbildungsmaterials, das von einer Dampfabscheidungsquelle verdampft wird, wobei das Verfahren eine Form des Blasausganges derart einrichtet, dass eine praktische Breite Wp in einem Bereich von α mm ± α × 0,01 mm liegt, wenn eine Zielbreite Wg der kürzeren Seite einer schlitzförmigen Öffnung des Blasausganges als α mm festgelegt ist und eine Länge lo einer längeren Seite der Öffnung an beiden Seiten der Öffnung um zumindest ls × 0,1 mm länger als eine Länge ls eines Zielobjekts in einer Richtung horizontal zur Längsrichtung der Öffnung ist.
  • Gemäß diesem Verfahren werden die Gasmoleküle des Filmbildungsmaterials aus dem schlitzförmigen Blasausgang mit beispielsweise einer vorgegebenen Genauigkeit und vorgegebenen Form ausgeblasen, so dass die ausgeblasene Menge der Gasmoleküle begrenzt ist. Auf diese Weise können unter den Gasmolekülen, die in dem Pufferraum durch das Verbindungsrohr und die Transportstrecke eingeleitet worden sind, nachdem sie von der Dampfabscheidungsquelle verdampft worden sind, Gasmoleküle, die eine vorgegebene Menge überschreiten, nicht sofort durch den Blasausgang mit dem porösen Körper oder einer vorgegebenen Schlitzform hindurchtreten, und sie bleiben temporär in dem Pufferraum. Infolgedessen wird der Druck (Dichte) im Inneren des Pufferraums höher als der Druck (Dichte) außerhalb des Blasbehälters gehalten. Während die Gasmoleküle in dem Pufferraum bleiben, werden sie dementsprechend miteinander vermischt, so dass sie in einem gleichmäßigen Zustand vorliegen.
  • Ferner wird die Genauigkeit der Schlitzbreite derart verbessert, dass der praktische Wert Wp der Breite (kürzere Seite) der Schlitzöffnung derart festgelegt ist, dass er im Bereich von α mm ± α × 0,01 mm (α mm ist der Zielbreitenwert Wg) liegt, so dass das Gas sehr gleichmäßig in der Längsrichtung der Öffnung ausgeblasen werden kann.
  • Darüber hinaus ist eine Form des Blasausganges derart gebildet, dass er an seinen beiden Enden eine Länge lo einer längeren Seite der Öffnung um zumindest ls × 0,1 mm länger als eine Länge ls des Zielobjekts ist, das oberhalb des Blasbehälters in einer Richtung horizontal zu einer Längsrichtung der Öffnung angeordnet ist, so dass die Menge an organischen Molekülen, die bis zu dem Außenumfangsabschnitt des Zielobjekts diffundiert werden, auf im Wesentlichen gleich der Menge der organischen Moleküle gehalten werden kann, die zu der anderen Position des Zielobjekts diffundiert werden, wenn die organischen Moleküle in einer Längsrichtung der Öffnung diffundiert werden. Infolgedessen kann ein gleichmäßiger Dünnfilm mit einer hohen Qualität auf dem Zielobjekt gebildet werden.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es, wie es soweit festgestellt wurde, möglich, eine neuartige und fortschrittliche Bedampfungsvorrichtung mit einer hohen Materialausnutzungseffizienz; eine Steuerungsvorrichtung und ein Steuerungsverfahren zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung; ein Verfahren zur Verwendung der Bedampfungsvor richtung; und ein Verfahren zur Herstellung eines Blasausganges zur Verfügung zu stellen.
  • [Kurzbeschreibung der Zeichnungen]
  • 1 liefert eine Perspektivansicht von Hauptkomponenten einer Bedampfungsvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 2 führt eine Querschnittsansicht der Bedampfungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung, genommen entlang der Linie A-A von 1, aus;
  • 3 stellt ein Diagramm dar, das eine Diffusionsplatte gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 4 bietet ein Diagramm, das einen Blasbehälter gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 5 zeigt ein Diagramm zum Beschreiben eines durch einen 6 Schichten umfassenden fortlaufenden Filmbildungsprozess gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gebildeten Films;
  • 6 führt einen Graphen aus, der eine Beziehung zwischen Temperatur und Adhäsionskoeffizient zeigt;
  • 7 veranschaulicht ein Schaubild, das Verarbeitungsbedingungen für ein Experiment unter Verwendung der Bedampfungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 8 ist ein Graph, der ein Ergebnis eines Experiments zeigt, das sich mit der Zuverlässigkeit in dem Fall der Verwendung der Bedampfungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung befasst;
  • 9 führt einen Graphen aus, der ein Ergebnis eines Experiments in dem Fall eines Veränderns der Porosität eines porösen Materials eines Blasausganges in der Bedampfungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 10 stellt eine Perspektivansicht von Hauptkomponenten einer Bedampfungsvorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar;
  • 11 liefert eine Querschnittsansicht der Bedampfungsvorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, genommen entlang der Linie A-A von 1;
  • 12 zeigt eine Draufsicht eines Blasausganges gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 13 führt ein Diagramm zum Beschreiben eines Experiments unter Verwendung des Blasausganges gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung aus;
  • 14 liefert ein Schaubild, das Daten eines Experiments bezüglich einer Genauigkeit einer Länge der kürzeren Seite des Blasausganges gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 15 ist ein Schaubild, das normierte Daten jeder Schlitzbreite von 14 zeigt; und
  • 16 stellt einen Graphen dar, der ein Ergebnis eines Experiments im Fall eines Veränderns der Länge der längeren Seite des Blasausganges gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • [Beste Ausführungsart der Erfindung]
  • (Erste Ausführungsform)
  • Zunächst wird eine Bedampfungsvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung anhand von 1 beschrieben, die eine Perspektivansicht liefert, die Hauptkomponenten der Bedampfungsvorrichtung zeigt. Die folgende Beschreibung ist für den Beispielfall der Herstellung eines organischen EL-Displays durch fortlaufende Abscheidung von 6 Schichten, die eine organische EL-Schicht umfassen, in einer Folge auf einem Zielobjekt (nachstehend einfach als ”Substrat” bezeichnet) unter Verwendung der Bedampfungsvorrichtung vorgesehen.
  • Ferner sind Teile, die die gleichen Ausgestaltungen und Funktionen besitzen, in der folgenden Beschreibung und den begleitenden Zeichnungen mit gleichen Bezugszeichen versehen, und deren redundante Beschreibung wird weggelassen. Ferner wird bei der vorliegenden Druckschrift angenommen, dass 1 mTorr (10–3 × 101325/760) Pa ist und 1 sccm (10–6/60) m3/s ist.
  • [Bedampfungsvorrichtung]
  • Die Bedampfungsvorrichtung 10 umfasst eine erste Prozesskammer 100 und eine zweite Prozesskammer 200. Nachstehend wird zunächst die Form und innere Ausgestaltung der ersten Prozesskammer 100 erläutert, und die Form und innere Ausgestaltung der zweiten Prozesskammer 200 wird später beschrieben.
  • (Erste Prozesskammer)
  • Die erste Prozesskammer 100 weist eine rechteckige parallelepipedische Form auf und umfasst einen ersten Blasbehälter 110a, einen zweiten Blasbehälter 110b, einen dritten Blasbehälter 110c, einen vierten Blasbehälter 110d, einen fünften Blasbehälter 110e und einen sechsten Blasbehälter 110f. Im Inneren der ersten Prozesskammer 100 werden fortlaufend Filmbildungsprozesse auf dem Zielobjekt G durch Gasmoleküle, die von den sechs Blasbehältern 110 ausgeblasen werden, durchgeführt. Die erste Prozesskammer 100 ist eine Prozesskammer zum Durchführen einer Filmbildung auf dem Zielobjekt G unter Verwendung eines Filmbildungsmaterials, das von einer Dampfabscheidungsquelle verdampft wird.
  • Die sechs Blasbehälter 110 sind parallel zueinander mit einem gleichen Abstand dazwischen derart angeordnet, dass ihre Längsrichtungen im Wesentlichen senkrecht zu der Vorschubrichtung des Zielobjekts G werden. Trennwände 120 sind zwischen den jeweiligen Blasbehältern 110 angeordnet. Durch Trennen der Blasbehälter 110 mit den sieben Trennwänden 120 kann verhindert werden, dass Gasmoleküle eines Filmbildungsmaterials, die von jedem Blasbehälter 110 ausgeblasen werden, sich mit Gasmolekülen vermischen, die von benachbarten Blasbehältern 110 ausgeblasen werden.
  • Jeder Blasbehälter 110 weist eine Länge auf, die annähernd gleich der Breite des Zielobjekts G ist, und sie weisen die gleiche Form und Ausgestaltung auf. Somit wird nur die innere Ausgestaltung des fünften Blasbehälters 110e als Beispiel erläutert, während die Beschreibung der anderen Blasbehälter 110 weggelassen wird.
  • Wie es aus 1 und 2 zu sehen ist, welche eine Querschnittsansicht der Bedampfungsvorrichtung 10, genommen entlang der Linie A-A von 1, ist, umfasst der fünfte Blasbehälter 110e einen Blasmechanismus 110e1 in seinem oberen Abschnitt und einen Transportmechanismus 110e2 in seinem unteren Abschnitt. Der Blasmechanismus 110e1, dessen Inneres hohl ist (nachstehend wird dieses Innere als ”Pufferraum S” bezeichnet), weist einen Blasausgang 110e11 und einen Rahmen 110e12 an seinem oberen Abschnitt auf. Eine Diffusionsplatte 110e13 ist im Inneren des Pufferraums S vorgesehen.
  • Der Blasausgang 110e11 ist aus einem porösen Metallelement hergestellt. Das poröse Metallelement ist ein poröser Metallkörper, und die Poren darin sind miteinander verbunden. Sie weisen einen Porendurchmesser (Lochdurchmesser) von etwa 150 μm und eine Porosität von etwa 87% auf. Der Blasausgang 110e11 bläst das verdampfte Filmbildungsmaterial in Richtung des Zielobjekts G aus, indem zugelassen wird, dass das verdampfte Filmbildungsmaterial durch Leerräume zwischen den Poren in dem porösen Metallelement hindurchtritt. Obwohl es erwünscht ist, die Porosität des porösen Metallelements derart festzulegen, dass sie gleich oder niedriger als etwa 97% ist, wird ferner die Optimierung der Porosität später weiter beschrieben. Eine Heizung 420e zum Steuern der Temperatur des Blasausgangs 110e11 ist in den Blasausgang 110e11 eingebettet. Eine Wechselstromversorgung 600 ist mit der Heizung 420e verbunden.
  • Der Rahmen 110e12 weist eine rechteckige zentrale Öffnung auf, durch die das poröse Metallelement des Blasausgangs 110e11 frei liegt, wie es in 1 gezeigt ist, und fixiert den Blasausgang 110e11 an dem Umfangsabschnitt des Blasausgangs 110e11 mit Schrauben.
  • Die Diffusionsplatte 110e13 ist parallel zu dem porösen Metallelement des Blasausgangs 110e11 eingebaut, um den Pufferraum S in einen Raum an dem Blasausgang 110e11 und einen Raum an einer Transportstrecke 110e21, die später beschrieben werden, zu unterteilen. Wie es in 3 veranschaulicht ist, die eine Draufsicht der Diffusionsplatte 110e13 liefert, ist die Diffusionsplatte 110e13 eine Trennplatte, die mit mehreren Löchern versehen ist, z. B. ein Lochblech, das mit mehreren Löchern h versehen ist, die durch Stanzen eines Metallblechs gebildet werden. Ferner kann die Diffusionsplatte 110e13 aus einem porösen Material, wie etwa einem porösen Metallelement (nicht gezeigt), gebildet sein.
  • Nun wieder unter Bezugnahme auf 2 ist eine Heizung 430e zum Steuern der Temperatur der Diffusionsplatte 110e13 in der Diffusionsplatte 110e13 eingebettet. Eine Wechselstromversorgung 600 ist mit der Heizung 430e verbunden.
  • Da ein jeder von dem Blasausgang 110e11 und der Diffusionsplatte 110e13 aus einem leitfähigen Element, wie etwa einem Metall oder dergleichen, gebildet ist, können die gesamten Bereiche des Blasausgangs 110e11 und der Diffusionsplatte 110e13 mittels Heizens des Blasausgangs 110e11 und der Diffusionsplatte 110e13 mit den Heizungen 420e und 430e und Übertragen der Wärme zu den gesamten Bereichen des Blasausgangs 110e11 und der Diffusionsplatte 110e13 auf hohen Temperaturen gehalten werden.
  • Gemäß der Offenbarung eines Buches mit dem Titel "Thin Film Optics" (Dünnfilmoptik) (das von Murata Seishiro, Maruzen Inc., 1. Ausgabe am 15. März 2003 und 2. Ausgabe am 10. April 2004 veröffentlicht wurde) werden hier verdampfte Moleküle (Gasmoleküle der Dünnfilmmaterialien), die das Substrat erreicht haben, nicht an dem Substrat angelagert und darauf angesammelt werden, und zwar gerade wie sie sind auf eine solche Weise, dass sie herunterfallen und gestapelt werden, um einen Film zu bilden, sondern ein Teil von ihnen wird reflektiert und in das Vakuum zurückgeworfen. Ferner bewegen sich einige der Moleküle, die auf der Oberfläche des Substrats angelagert sind, weiter auf seiner Oberfläche, wobei einige von ihnen in das Vakuum zurückgeworfen werden; und einige von ihnen an Stellen auf dem Zielobjekt gefangen werden, um einen Film zu bilden. Eine durchschnittliche Zeit, die die Moleküle in einem Absorptionszustand gehalten werden (durchschnittliche Verweilzeit τ), wird durch eine Gleichung τ = τ0exp (Ea/kT) ausgedrückt, wobei Ea eine Aktivierungsenergie für das Entweichen darstellt.
  • Da T eine absolute Temperatur ist, k eine Boltzmann-Konstante ist und τ0 eine vorbestimmte Konstante ist, geht man davon aus, dass die durchschnittliche Verweilzeit τ eine Funktion der absoluten Temperatur T ist. Die Erfinder führten Berechnungen durch, um die Beziehung zwischen der Temperatur und dem Adhäsionskoeffizienten zu untersuchen. Hier wurde α-NPD (Diphenylnaphthyldiamin: ein Beispiel eines organischen Materials) als ein organisches Material verwendet, und das Berechnungsergebnis ist in 5 angegeben. Wie es aus dem Ergebnis zu sehen ist, ist festzustellen, dass der Adhäsionskoeffizient mit zunehmender Temperatur (°C) abnimmt. Das heißt das Ergebnis zeigt an, dass die Zahl von Gasmolekülen, die physikalisch an der Transportstrecke oder dergleichen angelagert werden, mit zunehmender Temperatur abnimmt.
  • Das heißt da die Temperaturen der Elemente (z. B. des Blasausgangs 110e11 und der Diffusionsplatte 110e13), durch die die Gasmoleküle hindurchtreten, derart eingestellt sind, dass sie höher sind, nimmt die Zahl von Gasmolekülen, die an diesen Elementen angelagert werden, ab, während sie durch derartige Elemente hindurchtreten. Infolgedessen können sich die meisten Gasmoleküle an dem Zielobjekt G anlagern, ohne sich an dem Blasausgang 110e11 oder der Diffusionsplatte 110e13 anzulagern. Somit kann die Materialausnutzungseffizienz weiter verbessert werden.
  • Der Blasmechanismus 110e1 ist mit einem Versorgungsrohr 110e14 versehen, das durch die Seitenwände der ersten Prozesskammer 100 und des Blasmechanismus 110e1 eingesetzt ist, um dadurch zuzulassen, dass das Äußere der ersten Prozesskammer 100 und der Pufferraum S des Blasmechanismus 110e1 miteinander kommunizieren können. Das Versorgungsrohr 110e14 wird verwendet, um ein nicht reaktives Gas (z. B. ein Ar-Gas) von einer nicht dargestellten Gasversorgungsquelle in den Pufferraum S des Blasmechanismus 110e1 zuzuführen. Obwohl es erwünscht ist, das nicht reaktive Gas derart zuzuführen, dass es die Gleichmäßigkeit des Gemisches der Gasmoleküle (Filmbildungsgas), das in dem Pufferraum S vorhanden ist, verbessert, ist es nicht unverzichtbar.
  • Darüber hinaus ist der Blasmechanismus 110e1 auch mit einem Auslassrohr 110e15 versehen, das durch die Seitenwand des Blasmechanismus 110e1 eingesetzt ist, um dadurch zuzulassen, dass das Innere U der ersten Prozesskammer 100 und der Pufferraum S des Blasmechanismus 110e1 miteinander kommunizieren können. Ferner ist eine Blende 110e16 in dem Auslassrohr 110e15 eingesetzt, um den Durchgang zu verengen.
  • Der Transportmechanismus 110e2 weist vier Transportstrecken 110e21 auf, die durch dessen Inneres hindurch gebildet sind, nachdem sie von einer Transportstrecke verzweigt sind, wie es in 4 gezeigt ist. Die Abstände von einem Verzweigungsabschnitt A zu Öffnungen B1, B2, B3 und B4 der vier Transportstrecken 110e21 (Kommunikationsöffnungen zwischen den Transportstrecken 110e21 und dem Pufferraum S) sind beinahe gleich.
  • Die verzweigten Transportstrecken 110e21 sind punktsymmetrisch (in gleichen Formen) um eine Achse aX in Bezug auf die Verzweigungsposition A der Transportstrecken 110e21 gebildet. Ferner sind die mehreren Auslässe B1, B2, B3 und B4 der Transportstrecken 110e21 in der Unterseitenfläche des Blasbehälters 110e in einem gleichen Abstand angeordnet.
  • Eine QCM (Quarzmikrowaage oder Quartz Crystal Microbalance: Quarzschwingelement) 300 ist in der Nachbarschaft der Öffnung des Auslassrohrs 110e14 im Inneren der ersten Prozesskammer 100 von 2 eingebaut. Die QCM 300 ist ein Beispiel eines zweiten Sensors zum Detektieren einer Erzeugungsrate des Gemisches von Gasmolekülen, das aus der Öffnung des Auslassrohrs 110e14 ausgelassen wird, d. h. einer Filmbildungsrate (D/R: Abscheidungsrate). Nachstehend wird das Prinzip der QCM einfach erläutert.
  • In dem Fall, dass eine Dichte, ein Elastizitätsmodul, eine Größe oder dergleichen eines Quarzschwingkörpers äquivalent verändert werden, indem eine Substanz an der Oberfläche eines Quarzschwingele ments angelagert wird, tritt eine Schwankung einer elektrischen Resonanzfrequenz f, die durch die folgende Gleichung angegeben ist, aufgrund der piezoelektrischen Eigenschaft des Schwingelements auf. f = 1/2t(√C/ρ)(t: Dicke eines Quarzstücks, C: Elastizitätskonstante, ρ: Dichte)
  • Unter Verwendung dieses Phänomens kann eine infinitesimale Quantität von Abscheidungen quantitativ auf der Basis der Schwankung der Resonanzfrequenz des Quarzschwingelements gemessen werden. Ein allgemeiner Ausdruck für das Quarzschwingelement, das auf diese Weise konstruiert ist, ist QCM. Wie es aus der Gleichung zu sehen ist, geht man davon aus, dass eine Änderung der Frequenz auf der Basis einer Änderung der Elastizitätskonstante in Abhängigkeit von der angelagerten Substanz und einer Dickenabmessung der angelagerten Substanz, die vermittels der Quarzdichte berechnet wird, bestimmt wird. Somit kann die Änderung der Frequenz vermittels des Gewichts der Abscheidungen berechnet werden.
  • Durch die Verwendung eines derartigen Prinzips gibt die QCM 300 ein Frequenzsignal ft zum Detektieren einer Filmdicke, die an dem Quarzschwingelement angelagert ist (Filmbildungsrate), aus. Die Filmbildungsrate, die aus dem Frequenzsignal ft detektiert wird, wird für eine Regelung der Temperatur jedes Tiegels verwendet, um die Verdampfungsrate jedes Filmbildungsmaterials, das in dem Tiegel enthalten ist, zu steuern.
  • Nun wird die Form und innere Ausgestaltung der zweiten Prozesskammer 200 anhand der 1 und 2 beschrieben. Die zweite Prozesskammer 200 ist getrennt von der ersten Prozesskammer 100 eingebaut, wie es oben erwähnt wurde, und weist eine im Wesentlichen rechteckige parallelepipedische Form auf und ist auch mit Vorsprungabschnitten und Vertiefungsabschnitten an ihrem Unterseitenabschnitt versehen.
  • Die zweite Prozesskammer 200 umfasst eine erste Dampfabscheidungsquelle 210a, eine zweite Dampfabscheidungsquelle 210b, eine dritte Dampfabscheidungsquelle 210c, eine vierte Dampfabscheidungsquelle 210d, eine fünfte Dampfabscheidungsquelle 210e und eine sechste Dampfabscheidungsquelle 210f.
  • Die erste bis sechste Dampfabscheidungsquelle 210a bis 210f sind jeweils mit dem ersten bis sechsten Blasbehälter 110a bis 110f über entsprechende Verbindungsrohre 220a bis 220f verbunden.
  • Jede Dampfabscheidungsquelle 210 weist die gleiche Form und Ausgestaltung auf. Somit wird nur die innere Ausgestaltung der fünften Dampfabscheidungsquelle 210e als Beispiel anhand der 1 und 2 erläutert, während die Beschreibung der anderen Dampfabscheidungsquellen 210 weggelassen wird.
  • Die fünfte Dampfabscheidungsquelle 210e umfasst einen ersten Tiegel 210e1, einen zweiten Tiegel 210e2 und einen dritten Tiegel 210e3 als drei Dampfabscheidungsquellen. Der erste Tiegel 210e1, der zweite Tiegel 210e2 und der dritte Tiegel 210e3 sind jeweils mit einem ersten Verbindungsrohr 220e1, einem zweiten Verbindungsrohr 220e2 bzw. einem dritten Verbindungsrohr 220e3 verbunden, und diese drei Verbindungsrohre 220e1 bis 220e3 sind miteinander an einem Vereinigungsabschnitt C verbunden, nachdem sie die Prozesskammer 200 durchdrungen haben, und sind mit dem fünften Blasbehälter 110e verbunden, nachdem sie die in die Prozesskammer 100 eingedrungen sind.
  • Die Tiegel 210e1 bis 210e3 enthalten darin unterschiedliche Arten von Filmbildungsmaterialien als ein Filmbildungsausgangsmaterial, und durch Einstellen der Temperatur jedes Tiegels auf ein hohes Temperaturniveau von z. B. etwa 200 bis 500°C werden die verschiedenen Arten von Filmbildungsmaterialien verdampft. Die Unterseitenfläche jedes Tiegels 210e steht mit der zweiten Prozesskammer 200 in Kontakt, so dass die Wärme um die Unterseitenfläche jedes Tiegels 210e herum von den Vorsprungabschnitten und Vertiefungsabschnitten, die an der zweiten Prozesskammer 200 vorgesehen sind, ausgetragen werden kann.
  • An den Verbindungsrohren 220e1 bis 220e3 außerhalb der zweiten Prozesskammer (in der Atmosphäre) sind jeweils Ventile 230e1 bis 230e3 eingebaut. Durch Manipulieren des Öffnens/Schließens jedes Ventils 230e wird gesteuert, ob jedes Filmbildungsmaterial (Gasmoleküle) in die erste Prozesskammer 100 zugeführt wird oder nicht. Wenn ferner jeder Tiegel mit dem Filmbildungsausgangsmaterial nachgefüllt wird, wird nicht nur das Innere der zweiten Prozesskammer 200 sondern auch das Innere des Verbindungsrohrs 220e zu der Atmosphäre hin geöffnet. Dementsprechend wird durch Schließen jedes Ventils 230e während des Ergänzens des Filmbildungsausgangsmaterials eine Kommunikation mit dem Inneren des Verbindungsrohrs 220e und dem Inneren der ersten Prozesskammer 100 unterbrochen, so dass verhindert werden kann, dass das Innere der ersten Prozesskammer 100 zu der Atmosphäre hin geöffnet wird, und somit kann das Innere der ersten Prozesskammer 100 in einem vorgegebenen druckgeminderten Zustand gehalten werden.
  • Ferner verbindet das Verbindungsrohr 220e (das das erste Verbindungsrohr 220e1, das zweite Verbindungsrohr 220e2 und das dritte Verbindungsrohr 220e3 umfasst) die Dampfabscheidungsquelle 210 mit dem Blasbehälter 110, wobei es als eine Verbindungsstrecke zum Transportieren des Filmbildungsmaterials, das von der Dampfabscheidungsquelle 210 verdampft wird, in Richtung des Blasbehälters 110 fungiert.
  • Blenden 240e2 und 240e3, die jeweils mit einem Loch mit einem Durchmesser von etwa 0,5 mm versehen sind, sind jeweils in das zweite bzw. dritte Verbindungsrohr 220e2 bzw. 220e3 im Inneren der zweiten Prozesskammer eingesetzt.
  • Versorgungsrohre 210e11, 210e21 und 210e31 sind jeweils an den Tiegeln 210e1, 210e2 bzw. 210e3 auf eine Weise eingebaut, dass sie durch die Seitenwand jedes Tiegels eingesetzt sind, wodurch zugelassen wird, dass das Innere T der zweiten Prozesskammer 200 mit dem Inneren R1, R2 und R3 der Tiegel kommunizieren kann. Die Versorgungsrohre 210e11, 210e21 und 210e31 werden verwendet, um ein nicht reaktives Gas (z. B. ein Ar-Gas) in das Innere jedes Tiegels von einer nicht dargestellten Gasversorgungsquelle zuzuführen. Das zugeführte nicht reaktive Gas fungiert als ein Trägergas, das jedes Filmbildungsgas (Gasmolekül), das in den Innenräumen R1, R2 und R3 vorgesehen ist, durch das Verbindungsrohr 220e und die Transportstrecke 110e21 zu dem Blasmechanismus 110e1 transportiert.
  • Ferner sind Auslassrohre 210e12, 210e22 und 210e32 jeweils an den Tiegeln 210e1, 210e2 bzw. 210e3 auf eine Weise eingebaut, dass sie durch die Seitenwand jedes Tiegels 210e eingesetzt sind, wodurch zugelassen wird, dass das Innere T der Prozesskammer 200 mit dem Inneren R1, R2 und R3 jedes Tiegels 210e kommunizieren kann. Blenden 210e13, 210e23 und 210e33 sind jeweils in die Auslassrohre 210e12, 210e22 bzw. 210e32 eingesetzt. Jede der Blenden 210e13 bis 210e33 ist mit einer zentralen Öffnung mit einem Durchmesser von etwa 0,1 mm versehen, und sie fungieren, um einen Durchgang der Auslassrohre 210e12 bis 210e32 zu verengen (siehe 4).
  • Im Inneren T der zweiten Prozesskammer 200 sind QCMs 310a bis 310c jeweils in der Nachbarschaft der jeweiligen Auslassrohre 210e12 bis 210e32 eingebaut. Die QCMs 310a bis 310c geben Frequenzsignale f1 bis f3 aus, um jeweilige Verdampfungsraten von Filmbildungsmaterialien, die aus den Öffnungen der Auslassrohre 210e12 bis 210e32 ausgelassen worden sind, zu detektieren. Eine QCM 310 ist ein Beispiel eines ersten Sensors.
  • Heizungen 400 und 410 sind in jeder Dampfabscheidungsquelle 210e eingebettet, um die Temperatur der Dampfabscheidungsquelle 210e zu steuern. Beispielsweise ist in dem ersten Tiegel 210e1 eine Heizung 400e1 in seiner Unterseitenwand eingelassen, und eine Heizung 410e1 ist in seiner Seitenwand eingebaut. Gleichermaßen sind in dem zweiten und dritten Tiegel 210e2 und 210e3 Heizungen 400e2 und 400e3 in ihren Unterseitenwänden eingelassen, und Heizungen 410e2 und 410e3 sind jeweils in ihren Seitenwänden eingelassen. Jede der Heizungen 400 und 410 ist mit einer Wechselstromversorgung 600 verbunden.
  • Ein Controller 700 umfasst einen ROM 710, einen RAM 720, eine CPU 730 und eine Eingabe/Ausgabe-Schnittstelle (E/A) 740. Der ROM 710 und der RAM 720 speichern darin beispielsweise Daten, die eine Beziehung zwischen der Frequenz und der Filmdicke angeben, Programme zur Regelung der Heizungen oder dergleichen. Durch die Verwendung derartiger verschiedener Daten oder Programme, die in diesen Speicherbereichen gespeichert sind, berechnet die CPU 730 eine Erzeugungsrate von Gasmolekülen jedes Filmbildungsmaterials aus den Frequenzsignalen ft, f1, f2, f3, die von der Eingabe/Ausgabe E/A eingegeben werden, berechnet Spannungen, die an die Heizungen 400e1 bis 400e3 und die Heizungen 410e1 bis 410e3 angelegt werden sollen, auf der Basis der berechneten Erzeugungsrate, und überträgt die Ergebnisse zu der Wechselstromversorgung 600 als Temperatursteuerungssignale.
  • Die Wechselstromversorgung 600 legt eine vorgegebene Spannung an die Heizungen 400 und 410 auf der Basis von Temperatursteuerungssignalen, die von einem Controller 700 übertragen werden, an. Ferner legt die Wechselstromversorgung 600 eine vorgegebene Spannung an die Heizungen 420 und 430 an, um diese auf der Basis von vorbestimmten Verarbeitungsbedingungen auf gewünschte Temperaturen zu erwärmen.
  • Ferner ist ein O-Ring 500 an der Unterseitenfläche der Außenwand der ersten Prozesskammer 100 angeordnet, durch die das Verbindungsrohr 220e eingesetzt ist, wodurch die Kommunikation zwischen der Atmosphäre und der ersten Prozesskammer 100 unterbrochen wird, und somit das Innere der ersten Prozesskammer hermetisch gehalten werden kann.
  • Ferner sind O-Ringe 510 bis 530 an einer oberen Fläche der Außenwand der zweiten Prozesskammer 200 eingebaut, durch die jeweils die Verbindungsrohre 220e1 bis 220e3 eingesetzt sind, wodurch die Kommunikation zwischen der Atmosphäre und der zweiten Prozesskammer 200 unterbrochen wird und das Innere der zweiten Prozesskammer 200 hermetisch gehalten werden kann. Außerdem können die Innenräume der ersten und zweiten Prozesskammern 100 und 200 durch ein nicht dargestelltes Auslasssystem auf vorgegebene Vakuumniveaus druckgemindert werden.
  • Das Substrat G wird elektrostatisch angezogen und auf einer Plattform (nicht gezeigt), die einen Verschiebemechanismus aufweist, in einem oberen Bereich der ersten Prozesskammer 100 gehalten. Wie es in 1 gezeigt ist, wird das Substrat G von der ersten Blaseinrichtung 110a zu der zweiten Blaseinrichtung 110b, der dritten Blaseinrichtung 110c, der vierten Blaseinrichtung 110d, der fünften Blaseinrichtung 110e und zu der sechsten Blaseinrichtung 110f (110a → 110b → 110c → 110d → 110e → 110f) mit einer vorgegebenen Geschwindigkeit bewegt, während es geringfügig oberhalb eines jeden der Blasbehälter 110a bis 110f, die durch die sieben Trennwände 120 getrennt sind, angeordnet ist. Infolgedessen werden unterschiedliche Filme auf dem Zielobjekt G in sechs Schichten in Abhängigkeit von den Filmbildungsmaterialien, die von den jeweiligen Blasbehältern 110a bis 110f ausgeblasen werden, gebildet. Nachstehend wird die spezifische Arbeitsweise der Bedampfungsvorrichtung 10 während dieses 6 Schichten umfassenden fortlaufenden Filmbildungsprozesses erläutert.
  • (6 Schichten umfassender fortlaufender Filmbildungsprozess)
  • Zunächst werden Filmbildungsmaterialien, die bei dem 6 Schichten umfassenden fortlaufenden Filmbildungsprozess verwendet werden, anhand von 5 beschrieben. 5 veranschaulicht den Zustand jeder Schicht, die auf dem Substrat G abgeschieden wird, infolge der Durchführung des 6 Schichten umfassenden fortlaufenden Filmbildungsprozesses unter Verwendung der Bedampfungsvorrichtung 10.
  • Zunächst wird, während das Zielobjekt G oberhalb des ersten Blasbehälters 110a mit einer bestimmten Geschwindigkeit bewegt wird, ein Filmbildungsmaterial, das von dem ersten Blasbehälter 110a ausge blasen wird, an dem Zielobjekt G angelagert, so dass eine Lochtransportschicht als eine erste Schicht auf dem Substrat G gebildet wird. Während das Zielobjekt G oberhalb des zweiten Blasbehälters 110b bewegt wird, wird dann ein Filmbildungsmaterial, das von dem zweiten Blasbehälter 110b ausgeblasen wird, an dem Zielobjekt G angelagert, so dass eine nicht Licht emittierende Schicht (Elektronensperrschicht) als eine zweite Schicht auf dem Zielobjekt G gebildet wird. Während das Zielobjekt G oberhalb des dritten Blasbehälters 110c, des vierten Blasbehälters 110d, des fünften Blasbehälters 110e und des sechsten Blasbehälters 110f (110c → 110d → 110e → 110f) in dieser Reihenfolge bewegt wird, werden eine blaues Licht emittierende Schicht als eine dritte Schicht, eine rotes Licht emittierende Schicht als eine vierte Schicht, eine grünes Licht emittierende Schicht als eine fünfte Schicht und eine Elektronentransportschicht als eine sechste Schicht auf dem Zielobjekt G in Abhängigkeit von den Filmbildungsmaterialien, die von den Blasbehältern ausgeblasen werden, gebildet.
  • Durch den oben beschriebenen 6 Schichten umfassenden fortlaufenden Filmbildungsprozess der Bedampfungsvorrichtung 10 werden die sechs Filme fortlaufend in der gleichen Kammer (d. h. der ersten Prozesskammer 100) gebildet. Dementsprechend kann der Durchsatz verbessert werden, was zu einer Steigung der Produktivität führt. Da ferner ein herkömmlicher Einbau mehrerer Prozesskammern für die zu bildenden unterschiedlichen Filmtypen unnötig wird, kann eine Vergrößerung der Vorrichtung verhindert werden, und die Kosten können vermindert werden.
  • (Strömung von Gasmolekülen im Inneren des Blasbehälters)
  • Nun wird unter Bezugnahme auf 2 erläutert, wie die Gasmoleküle im Inneren des Blasbehälters 110 strömen, während der Filmbildungsprozess an dem Zielobjekt G unter Verwendung der Bedampfungsvorrichtung 10 durchgeführt wird.
  • (Transportstrecke)
  • Die Gasmoleküle (einfache Substanzen) jedes Filmbildungsmaterials, die von jedem der Tiegel 210e1 bis 210e3 verdampft werden, treten in die Transportstrecke 110e21 durch das Verbindungsrohr 220e ein, während sie miteinander an einem Vereinigungsabschnitt C vermischt werden, nachdem sie durch die jeweiligen Verbindungsrohre 220e1 bis 220e3 hindurchgetreten sind. Anschließend werden die Gasmoleküle durch die vier verzweigten Transportstrecken 110e21, die punktsymmetrisch in den gleichen Formen von der Verzweigungsposition A gebildet sind, wie es in 4 veranschaulicht ist, transportiert und daraufhin in den Pufferraum S aus den Öffnungen B (B1 bis B4) ausgetragen, die an der Unterseitenfläche des Pufferraums S in seiner Längs- und Breitenrichtung gleich beabstandet sind.
  • In dieser Ausgestaltung sind die Abstände von der Verzweigungsposition A der Transportstrecken zu den vier verzweigten Öffnungen B alle gleich. Indessen nimmt die Geschwindigkeit der Gasmoleküle aufgrund einer Kollision mit der Wandfläche der Transportstrecke 110e21 oder anderen Gasmolekülen während ihrer Bewegung durch die Transportstrecke 110e21 proportional zu der Länge der Transportstrecke 110e21, durch die die Gasmoleküle hindurchtreten, ab. Deshalb wird die Geschwindigkeitsabnahme der Gasmoleküle während ihrer Bewegung durch die vier Transportstrecken 110e21 mit den gleichen Längen im Wesentlichen gleich. Dementsprechend können die Gasmoleküle in den Pufferraum S aus den Öffnungen B1 bis B4 der jeweiligen Transportstrecken mit im Wesentlichen gleicher Geschwindigkeit ausgetragen werden.
  • Da ferner die Öffnungen B1 bis B4 gleich beabstandet sind, können die Gasmoleküle in dem Pufferraum S gleichmäßig aus den Öffnungen B1 bis B4 der jeweiligen Transportstrecken ausgetragen werden. Dementsprechend können die Gasmoleküle gleichmäßig in den Pufferraum S mit im Wesentlichen gleicher Geschwindigkeit ausgetragen werden.
  • Außerdem ist die Form der verzweigten Transportstrecken 110e21 nicht auf das in 4 gezeigte Beispiel beschränkt, sondern kann auf vielerlei Weisen abgewandelt werden, solange ihre Längen gleich sind und die Öffnungen der verzweigten Transportstrecken 110e21 gleich in Bezug auf eine bestimmte Richtung von Öffnungsflächen beabstandet sind.
  • (Diffusionsplatte)
  • Wie es oben festgestellt wurde, ist die Diffusionsplatte 110e13 eingebaut, um den Pufferraum S des Blasbehälters in den Raum an dem Blasausgang 110e11 und den Raum an der Transportstrecke 110e21 zu unterteilen. In dieser Ausgestaltung wird immer bewirkt, dass die Gasmoleküle, die in den Pufferraum S ausgetragen werden, durch die Diffusionsplatte 110e13 hindurchtreten. Indem bewirkt wird, dass die Gasmoleküle durch Durchgänge (Löcher h), die im Inneren der Diffusionsplatte 110e13 gebildet sind, hindurchtreten, können auf diese Weise die Gasmoleküle weiter vermischt werden. Zusätzlich kann der Druck des Raums an dem Blas ausgang weiter stabilisiert werden, indem er von dem Raum an der Transportstrecke durch die Diffusionsplatte 110e13 getrennt ist.
  • (Blasausgang mit dem porösem Metallelement)
  • Die Gasmoleküle, die in Richtung der Blasausgangsseite durch die Diffusionsplatte 110e13 bewegt werden, werden aus dem porösen Metallelement, das an dem Blasausgang 110e11 eingebaut ist, ausgeblasen. Zu diesem Zeitpunkt ist die Menge der ausgeblasenen Moleküle begrenzt, da die Gasmoleküle durch die Leerräume zwischen den Poren, die im Inneren des porösen Metallelements des Blasausgangs 110e11 gebildet sind, ausgeblasen werden. Dementsprechend wird nicht zugelassen, dass unter den Gasmolekülen, die in dem Pufferraum S durch die Verbindungsstrecke 220e und die Transportstrecke 110e21 eingeleitet worden sind, nachdem sie von der Dampfabscheidungsquelle 210e verdampft worden sind, Gasmoleküle, die eine vorgegebene Menge übersteigen, sofort durch den Blasausgang 110e11 des porösen Metallelements hindurchtreten, und sie bleiben temporär in dem Pufferraum S.
  • Auf diese Weise bleiben die Gasmoleküle temporär in dem Pufferraum S, so dass der Druck des Pufferraums S größer als der Druck (d. h. der Druck einer Prozesskammer U) außerhalb des Blasbehälters 110 ist, und dann werden die verbliebenen Gasmoleküle aus dem Blasausgang ausgeblasen. Infolgedessen wird der Pufferraum S auf einem vorgegebenen Druck (Dichte) gehalten, und die Gasmoleküle werden während ihres Verbleibs in dem Pufferraum S vermischt, so dass sie gleichmäßiger werden.
  • Auf diese Weise kollidieren die Gasmoleküle, die in einen gleichmäßigeren Zustand gelangt sind, mit der Wandfläche der Strö mungsstrecken (Leerräume zwischen den Poren) im Inneren des porösen Elements oder anderen Gasmolekülen, wenn sie durch den porösen Blasausgang 110e11 hindurchtreten. Infolgedessen werden die Gasmoleküle gleichmäßig aus der gesamten Fläche des porösen Blasausgangs 110e11 in einem Zustand ausgeblasen, in welchem ihre Richtungsablenkung niedrig ist, während ihre Geschwindigkeit vermindert wird. Das heißt die Gasmoleküle der Filmbildungsmaterialien werden aus der gesamten Fläche des porösen Blasausgangs 110e11 ausgeblasen, während sie in dem hochgleichmäßigen Zustand gehalten werden, nachdem sie ausreichend miteinander vermischt worden sind. Infolgedessen nimmt die Steuerbarkeit der Filmbildung zu, so dass selbst in dem Fall, dass der Spalt zwischen dem Blasausgang 110e11 des Blasbehälters 110e und dem Zielobjekt G derart eingestellt ist, dass er kürzer als in herkömmlichen Fällen ist, ein gleichmäßiger Film mit einer hohen Qualität auf dem Zielobjekt gebildet werden kann.
  • Ferner wird durch Verkürzen des Spalts zwischen dem Blasausgang 110e11 des Blasbehälters 110 und dem Zielobjekt G, wie es oben erwähnt wurde, eine übermäßige Diffusion der Gasmoleküle, die aus dem Blasausgang 110e11 ausgeblasen werden, verhindert, so dass eine größere Menge von Gasmolekülen an der Dampfabscheidungsfläche des Zielobjekts G angelagert werden kann. Deshalb kann die Materialausnutzungseffizienz verbessert werden, wodurch eine Verringerung der Herstellungskosten eines Produkts ermöglicht wird.
  • Außerdem wird durch Verhindern der übermäßigen Diffusion der Gasmoleküle, wie es oben beschrieben wurde, verhindert, dass sich die Gasmoleküle an den anderen Teilen im Inneren der Prozesskammer anlagern. Dadurch kann der Reinigungszyklus für das Innere der Pro zesskammer verlängert werden, so dass der Durchsatz und die Produktivität gesteigert werden können.
  • (Temperatursteuerungsmechanismus)
  • Die Bedampfungsvorrichtung 10 umfasst einen Temperatursteuerungsmechanismus zum Steuern einer Temperatur der Dampfabscheidungsquelle 210. Wie es in 2 gezeigt ist, umfasst die Dampfabscheidungsquelle 210e die Heizungen 400e und 410e, die für jeden Tiegel dann vorgesehen sind. Die Heizung 400e entspricht einem ersten Temperatursteuerungsmechanismus, der an jedem das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitt eines jeden Tiegels (durch q in 2 markiert) angeordnet ist, und die Heizung 410e entspricht einem zweiten Temperatursteuerungsmechanismus, der an jeder Auslassseite eines jeden Tiegels (durch r in 2 markiert), von welchem das verdampfte Filmbildungsmaterial von jedem Tiegel ausgetragen wird, angeordnet ist. In dem Fall, dass eine Spannung, die an die Heizung 410e von der Wechselstromversorgung 600 angelegt wird, größer als oder gleich der ist, die an die Heizung 400e angelegt wird, kann die Temperatur in der Nachbarschaft des Auslasses jedes Tiegels auf höher als oder gleich wie die der Nachbarschaft des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts eingerichtet werden.
  • Auf diese Weise ist es durch Einstellen einer Temperatur der Nachbarschaft des Auslasses jedes Tiegels, so dass sie höher als oder gleich wie eine Temperatur der Nachbarschaft des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts ist, möglich, die Temperatur des Abschnitts, durch den das verdampfte Filmbildungsmaterial hindurchtritt, höher als oder gleich einer Temperatur des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts einzurichten. Infolgedessen kann die Zahl der Gasmoleküle, die an der Dampfabscheidungsquelle 210, dem Verbin dungsrohr 220 oder dergleichen angelagert werden, weiter verringert werden, und somit kann die Materialausnutzungseffizienz weiter gesteigert werden.
  • (Regelung durch den Temperatursteuerungsmechanismus)
  • In der Bedampfungsvorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform werden die Temperaturen der Heizungen 400 und 410 durch den Controller 700 geregelt. Für diese Regelung ist jede QCMs 310 für jeden Tiegel der Dampfabscheidungsquelle 210 eingebaut.
  • In der Bedampfungsvorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform sind die Dampfabscheidungsquelle 210 und die Blasbehälter 110 in den getrennten Kammern eingearbeitet. Deshalb detektiert der Controller 700 die Verdampfungsrate von jedem der verschiedenen Filmbildungsmaterialien, die in den mehreren Tiegeln gespeichert sind, auf der Basis von Schwingungszahlen (Frequenzen f1 bis f3) des Quarzschwingelements, die von der QCM 310 ausgegeben werden, die derart eingebaut ist, dass sie jeder Dampfabscheidungsquelle 210 entspricht. Der Controller 700 regelt die Temperatur jeder Dampfabscheidungsquelle 210 mit hoher Genauigkeit auf der Basis der somit erhaltenen Verdampfungsraten. Indem zugelassen wird, dass die Verdampfungsraten der Filmbildungsmaterialien, die in den mehreren Dampfabscheidungsquellen 210 gespeichert sind, sich den Zielwerten genauer annähern, kann der Controller 700 auf diese Weise die Menge und das Mischungsverhältnis des Gemisches von Gasmolekülen, die von dem Blasbehälter 210 ausgeblasen werden, genauer steuern. Infolgedessen kann die Steuerbarkeit der Filmbildung erhöht werden, und es können gleichmäßige Dünnfilme mit hohen Qualitäten auf dem Zielobjekt G gebildet werden.
  • Darüber hinaus ist in der Bedampfungsvorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform die QCM 300 derart eingebaut, dass sie dem Blasbehälter 110 entspricht, und der Controller 700 berechnet die Filmbildungsrate des Gemisches von Gasmolekülen, die aus dem Blasbehälter 110 ausgeblasen werden, auf der Basis der Schwingungszahl (Frequenz ft) des Quarzschwingelements, die von der QCM 300 ausgegeben wird.
  • Auf die oben erwähnte Weise detektiert der Controller 700 die Verdampfungsraten der Filmbildungsmaterialien, die in jeder Dampfabscheidungsquelle 210 aufgenommen sind, und die resultierende Erzeugungsrate des Gemisches von Gasmolekülen, die durch den Blasbehälter 110 hindurchtreten. Infolgedessen ist es möglich, die Verlustmenge von Gasmolekülen aufgrund ihrer Anlagerung an dem Verbindungsrohr 220 oder dergleichen zu detektieren, während sie sich von der Dampfabscheidungsquelle 210 zu dem Blasbehälter 110 durch das Verbindungsrohr 220 oder dergleichen bewegen. Mit dieser Ausgestaltung können durch Steuern der Temperatur jeder Dampfabscheidungsquelle 210 auf genauere Weise auf der Basis der Verdampfungsrate der Gasmoleküle der verschiedenen Filmbildungsmaterialien (einfache Substanzen) und der Erzeugungsrate des Gemisches der Gasmoleküle gleichmäßigere Dünnfilme mit besseren Qualitäten auf dem Zielobjekt gebildet werden. Obwohl es erwünscht ist, die QCM 300 einzubauen, ist sie aber nicht unverzichtbar.
  • (Blende)
  • Wie es oben erwähnt wurde, sind die Blenden 240e2 und 240e3 in dem zweiten und dritten Verbindungsrohr 220e2 bzw. 220e3 eingesetzt. Auf diese Weise kann es möglich sein, eine Blende an einer Position benachbart zu dem Vereinigungsabschnitt C an jedem Verbindungsrohr 220, das mit der Dampfabscheidungsquelle verbunden ist, auf der Basis von Molekülmengen der verschiedenen Filmbildungsmaterialien, die von den mehreren Dampfabscheidungsquellen pro Zeiteinheit verdampft werden, einzubauen, um die Menge von Filmbildungsmaterial, das durch das Verbindungsrohr 220 hindurchtritt, zu steuern.
  • Es sei beispielsweise angenommen, dass ein Material A, ein Material B und Alq3 (tris(8-Hydroxychinolin)aluminium) als Filmbildungsmaterialien für die fünfte Schicht verwendet werden, wie es in 5 dargestellt ist. Ferner sei angenommen, dass die Molekülmenge des Materials A, die von dem ersten Tiegel 210e1 pro Zeiteinheit verdampft wird, größer als die Molekülmengen des Materials B und des Alq3, das von dem zweiten und dritten Tiegel 210e2 bzw. 210e3 pro Zeiteinheit verdampft wird, ist.
  • In einem solchen Fall wird ein Innendruck der Verbindungsstrecke 220e1, durch die das Material A strömt, höher als die Innendrücke der Verbindungsstrecken 220e2 und 220e3, durch die das Material B und das Alq3 strömen. In dem Fall, dass die Verbindungsstrecken 220e die gleichen Durchmesser aufweisen, besteht dementsprechend die Tendenz, dass die Gasmoleküle von der Verbindungsstrecke 220e1 mit dem höheren Innendruck in die Verbindungsstrecken 220e2 und 220e3 mit den niedrigeren Innendrücken über den Vereinigungsabschnitt C eingeleitet werden.
  • Da jedoch die Strömungsstrecken der zweiten und dritten Verbindungsrohre 220e2 und 220e3 jeweils durch die Blenden 240e2 bzw. 240e3 verengt sind, wird ein Durchtritt der Gasmoleküle des Materials A eingeschränkt. Dementsprechend kann verhindert werden, dass Gasmoleküle des Filmbildungsmaterials in Richtung der Verbindungsstrecken 220e2 und 220e3 mit dem niedrigeren Innendruck von der Verbindungs strecke 220e1 mit dem höheren Innendruck eingeleitet werden, was aus dem Grund verursacht werden kann, dass der Innendruck des Verbindungsrohrs 220e1, durch das das Material A hindurchtritt, höher als die Innendrücke der Verbindungsrohre 220e2 und 220e3 wird, durch die das Material B und Alq3 hindurchtreten. Auf diese Weise kann durch Einleiten der Gasmoleküle der Filmbildungsmaterialien in Richtung des Blasbehälters 110, während deren Rückströmung verhindert wird, eine größere Menge von Gasmolekülen auf dem Zielobjekt G abgeschieden werden, so dass die Materialausnutzungseffizienz weiter verbessert werden kann.
  • Wie es festgestellt wurde, ist es auf der Basis der Molekülmengen der verschiedenen Filmbildungsmaterialien, die von den mehreren Dampfabscheidungsquellen (Tiegeln) pro Zeiteinheit verdampft werden, erwünscht, die Blenden an dem Verbindungsrohr 220e, durch die das Filmbildungsmaterial mit den geringeren verdampften Mengen strömt, einzubauen.
  • Es kann jedoch auch möglich sein, keinerlei Blende 240e an einem der drei Verbindungsrohre 220e1 bis 220e3 ungeachtet der Mengen der Filmbildungsmaterialien pro Zeiteinheit einzubauen, oder es kann auch möglich sein, eine Blende an einem der drei Verbindungsrohre 220e1 bis 220e3 einzubauen. Obwohl die Blende 240e an jeder Position (Tiegelseite) benachbart zu dem Vereinigungsabschnitt C der Verbindungsrohre 220e1 bis 220e3 eingebaut sein kann, ist es ferner erwünscht, sie näher bei dem Vereinigungsabschnitt C als in der Nachbarschaft jedes Tiegels 210e einzubauen, um die Rückströmung des verdampften Filmbildungsmaterials in die Dampfabscheidungsquelle 210e zu verhindern.
  • Ferner sind in der Bedampfungsvorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform die Blenden 110e16, 210e13, 210e23 und 210e33 an den Auslassstrecken 110e15, 210e12, 210e22 und 210e32 zum Auslassen eines Teils jedes Filmbildungsmaterials, die an der Seite der QCM 300 und der QCM 310 vorgesehen sind, eingebaut.
  • Mit dieser Ausgestaltung kann durch Begrenzen der Menge von Gasmolekülen, die durch jede Auslassstrecke hindurchtreten, unter Verwendung jeder Blende, die Menge von ausgelassenen Gasmolekülen verringert werden. Folglich kann das unnötige Auslassen der Gasmoleküle der Filmbildungsmaterialien verhindert werden, so dass die Ausnützungseffizienz des Materials weiter gesteigert werden kann.
  • (Experimente zum Untersuchen der Gleichmäßigkeit eines Films)
  • Die Erfinder führten sieben Mal Experimente durch, um den Grad an Gleichmäßigkeit und die Qualität eines Films zu untersuchen, der unter Verwendung der Bedampfungsvorrichtung 10 mit der oben beschriebenen Ausgestaltung in dem Fall erhalten wurde, dass der Spalt zwischen dem Blasausgang und dem Zielobjekt G auf etwa 15 mm eingestellt war. Die Verarbeitungsbedingungen dafür sind in 7 angegeben und die Ergebnisse des Experiments sind in 8 angegeben.
  • Zunächst werden die Verarbeitungsbedingungen erläutert. Alg3 (tris 8-Hydrochinolinaluminium) wurde als das Filmbildungsmaterial verwendet, und seine Strömungsrate wurde auf etwa 0,5 sccm eingestellt. Hinsichtlich einer Temperaturbedingung wurde zur Einstellung der Temperatur der Nachbarschaft der Unterseitenfläche jedes Tiegels 210 (d. h. der Temperatur der Heizung 400e von 2) und der Temperatur der Nachbarschaft eines Deckels jedes Tiegels 210 (d. h. der Temperatur der Heizung 410e) auf jeweils etwa 360°C bzw. 380°C von der Wechselstrom versorgung 600 eine voreingestellte Wechselspannung an jede Heizung angelegt. Um ferner die Temperatur des Transportmechanismusabschnitts (d. h. des Transportmechanismus 110e2 von 2) auf etwa 380°C einzustellen, wurde von der Wechselstromversorgung 600 an eine nicht dargestellte Heizung, die in dem Transportmechanismus eingebaut ist, eine Wechselspannung angelegt. Eine Wechselspannung wurde auch an die Heizung 420e angelegt, um die Temperatur des Blasausgangs 110e11 auf etwa 380°C einzustellen. Ferner wurde die Temperatur einer Plattform (nicht gezeigt) zur Befestigung des Zielobjekts G darauf auf etwa 20°C gehalten.
  • Zusätzlich führten die Erfinder der Nachbarschaft des Deckels im Inneren jedes Tiegels 210 (d. h. der Auslassseite jedes Tiegels 210 durch die das Filmbildungsmaterial ausgetragen wird) Argongas mit einer Strömungsrate von etwa 0,5 sccm als ein Trägergas zu. Dem Blasausgang 110e11 wurde indessen kein Gas zugeführt. Ein Silizium-Wafer mit einer Größe von etwa 200 mm × 80 mm wurde als das Zielobjekt G verwendet.
  • Ferner legten die Erfinder eine Hochspannung HV von etwa 4 kV an die Plattform an, um den Wafer elektrostatisch anzuziehen und zu halten. Außerdem führten sie das Argongas mit etwa 40 Torr einer hinteren Fläche des Wafers zu, um die Wärme der Plattform zu emittieren, indem sie den Gegendruck GD (BP) der hinteren Fläche des Wafers erhöhten.
  • Die Erfinder verdampften das Alq3-Gas und bliesen das verdampfte Alq3 aus dem porösen Metallelement des Blasausgangs 110e11 aus, um es dadurch an dem Wafer unter den oben erwähnten Bearbeitungsbedingungen unter Verwendung der Bedampfungsvorrichtung 10 anzulagern. 8 zeigt ein Filmdickenverhältnis (Y-Achse) an jeder Positi an entlang der Breitenrichtung (X-Achse) des Silizium-Wafers von 200 mm. Wie es aus 8 zu sehen ist, konnten während aller sieben Experimente gute Ergebnisse ohne Abweichung erhalten werden.
  • Bei den Ergebnissen der Experimente wurde der Randabschnitt des Silizium-Wafers im Bereich von etwa 10 mm von beiden Enden des Silizium-Wafers von 200 mm nicht als Produkt verwendet. Dementsprechend wurde in den folgenden Daten der Experimente der Zustand der Filme, die im Bereich von etwa ± 90 mm von der Mitte 0 des Silizium-Wafers gebildet wurden, bewertet, und in den Zeichnungen sind Daten des Bereichs von 10 mm von beiden Enden des Silizium-Wafers von 200 mm weggelassen.
  • Die Ergebnisse der Experimente zeigten, dass der Unterschied zwischen dem Maximum und dem Minimum der Daten in dem Bereich von ± 90 mm von der Mitte 0 des Silizium-Wafers nur etwa 6% (d. h. +3%~–3%) betrug, wie es in 8 veranschaulicht ist. Somit konnten die Erfinder beweisen, dass es möglich ist, einen gleichmäßigen Film mit einer hohen Qualität als ein Produkt selbst in dem Fall zu bilden, dass der Spalt zwischen dem Blasausgang und dem Silizium-Wafer auf etwa 15 mm eingestellt ist, indem die Bedampfungsvorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform verwendet wird.
  • Außerdem führten die Erfinder auch ein Experiment zum Berechnen einer optimalen Porosität des porösen Metallelements des Blasausgangs 110e11 durch. Das heißt sie führten ein Experiment zum Untersuchen einer Schwankung des Filmdickenverhältnisses auf dem Silizium-Wafer durch, während sie die Porosität des porösen Metallelements des Blasausgangs 110e11 veränderten. 9 zeigt ein Filmdicken verhältnis (Y-Achse) an jeder Position entlang der Breitenrichtung (X-Achse) des Silizium-Wafers von 200 mm.
  • Infolgedessen konnten die Erfinder beobachten, dass die Differenz zwischen dem Maximum und dem Minimum des Filmdickenverhältnisses des abgeschiedenen Films im Bereich von ± 9 cm von der Mitte 0 des Silizium-Wafers nur etwa 7% betrug, und zwar in beiden Fällen einer Verwendung von α-NPD, während der Teilchendurchmesser des porösen Metallelements auf 600 μm eingestellt wurde, d. h. die Porosität 97% betrug, und einer Verwendung des Alq3 (ein Beispiel eines organischen Materials), während der Teilchendurchmesser auf 150 μm eingestellt wurde, d. h. die Porosität 87% betrug, und es konnten gute Ergebnisse ohne Abweichung erhalten werden. Somit konnten die Erfinder beweisen, dass es möglich ist, einen gleichmäßigen Film mit einer guten Qualität zu bilden, indem die Porosität des porösen Metallelements, das in dem Blasausgang 110e11 der Bedampfungsvorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform eingebaut ist, gleich oder niedriger als etwa 97% eingestellt wird.
  • In der oben beschriebenen Bedampfungsvorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform kann durch Einbau des porösen Körpers in dem Blasausgang 110e11 bewirkt werden, dass die Gasmoleküle temporär in dem Pufferraum S verbleiben. Deshalb können die Gasmoleküle gleichmäßig aus dem porösen Körper ausgeblasen werden, so dass ein gleichmäßiger Film mit guter Qualität auf dem Zielobjekt G selbst in dem Fall gebildet werden kann, dass der Spalt zwischen dem Zielobjekt G und dem Blasausgang 110e11 im Vergleich mit herkömmlichen Fällen verkürzt ist.
  • (Zweite Ausführungsform)
  • Nun wird eine Bedampfungsvorrichtung 10 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben. Die Bedampfungsvorrichtung 10 gemäß der zweiten Ausführungsform unterscheidet sich von der Bedampfungsvorrichtung 10 mit dem porösen Körper in dem Blasausgang 110e1 von 2 gemäß der ersten Ausführungsform darin, dass ein Blasausgang 110e17 eines Blasbehälters 110 in einer Schlitzform gebildet ist, wie es in den 10 und 11 gezeigt ist. Dementsprechend wird die Bedampfungsvorrichtung 10 der zweiten Ausführungsform auf der Basis dieses Unterschieds erläutert.
  • Der Blasausgang 110e17 des Blasbehälters 110 gemäß dieser Ausführungsform weist eine schlitzförmige Öffnung auf, deren praktischer Breitenwert Wp in dem Bereich von α mm ± α × 0,01 mm fällt, wenn sein Zielbreitenwert Wg als α mm festgelegt ist, wie es in 12 gezeigt ist. Die Länge des Blasausgangs 110e17 wird als lo bezeichnet.
  • Die Erfinder fanden optimale Werte für die Abmessungen der Breite (kürzere Seite) und der Länge (längere Seite) der schlitzförmigen Öffnung über ein Experiment. Ein solches Ergebnis des Experiments ist nachstehend angegeben.
  • (Optimale Größe der Breite der schlitzförmigen Öffnung)
  • 14 liefert ein Ergebnis eines Experiments einer Messung einer Filmdicke an jeder Position (–90, –45, 0, +45, +90) des Schlitzes des Blasausgangs 110e17, wenn der Zielwert Wg und der praktische Wert Wp der Schlitzbreite, die in 13 gezeigt sind, verändert werden. Genauer be trägt α als der Zielwert Wg in den Beispielen Nrn. 1, 2, 3, 5, 4 jeweils 1 mm, 3 mm, 1 mm, 1 mm bzw. 1 mm, und ihre praktischen Werte sind in 14 angegeben. In dem Beispiel Nr. 5 weist der Schlitz eine Form auf, die allmählich von der Einlassseite in Richtung der Ausgangsseite breiter wird, wobei die Öffnungsbreite des Einlasses des Schlitzes 1 mm beträgt, wohingegen die Öffnungsbreite des Ausgangs des Schlitzes 6 mm beträgt. Obwohl die Öffnungsbreite des Schlitzaustritts in 14 gezeigt ist, wird eine Gasströmungsrate durch die Öffnungsbreite (1 mm) des Schlitzeinlasses gesteuert. Dementsprechend ist α als der Zielwert Wg des Beispiels Nr. 5 1 mm.
  • Außerdem sind Werte in Klammern in der Tabelle Prozentsätze der Abweichung von einem Referenzwert, wobei eine Schlitzposition von 0 mm (Schlitzmitte) als Referenz angenommen wird. Das heißt die Werte in den Klammern in der Tabelle geben die Genauigkeit der Schlitzbreite an jeder Position (–90, –45, 0, +45, +90) in Bezug auf die Breite an der Mittenposition des Schlitzes an.
  • Das Ergebnis des Experiments zeigt, dass die Genauigkeit der Schlitzbreite an jeder Position in Bezug auf die Schlitzbreite α kleiner als 1 in allen Beispiel Nr. 1, 2, 3 und 5 ist. Indessen liegt in dem Fall von Beispiel Nr. 4 (herkömmlicher Schlitz) die Genauigkeit der Schlitzbreite an jeder Position in Bezug auf die Schlitzbreite α in einem Bereich von etwa 1,5 bis 5%.
  • 15 liefert ein Ergebnis einer Normierung der obigen Ergebnisse durch Festlegen eines Werts an der Schlitzposition von 0 mm als 1. In Beispiel Nr. 1, 2, 3 und 5 sind Unterschiede der Filmdickenverhältnisse an jeweiligen Positionen auf dem Silizium-Wafer auf weniger als oder gleich ± 1% stabilisiert. Indessen überstiegen in dem Fall von Beispiel Nr. 4 (herkömmlicher Schlitz) die Unterschiede des Filmdickenverhältnisses an jeweiligen Positionen auf dem Silizium-Wafer ± 5%.
  • Aus dem Ergebnis des obigen Experiments fanden die Erfinder heraus, dass, wenn der praktische Wert Wp der Breite der Schlitzöffnung derart festgelegt ist, dass er im Bereich von α mm ± α × 0,01 mm (α mm ist der Zielbreitenwert Wg) liegt, der Unterschied der Filmdickenverhältnisse an jeder der unterschiedlichen Positionen auf dem Silizium-Wafer wie gewünscht kleiner als oder gleich 1% eingerichtet werden kann. Aus den Ergebnissen des obigen Experiments fanden die Erfinder heraus, dass die Gasmoleküle der Filmbildungsmaterialien gleichmäßig mit einer niedrigen Geschwindigkeit aus dem schlitzförmigen Blasausgang 110e17 ausgeblasen werden können, wenn der Zielwert Wg der Breite der schlitzförmigen Öffnung kleiner als oder gleich 3 mm ist.
  • Auf der Grundlage der Ergebnisse des obigen Experiments gingen die Erfinder davon aus, dass die Gasmoleküle der Filmbildungsmaterialien gleichmäßig mit der niedrigen Geschwindigkeit aus dem schlitzförmigen Blasausgang 110e17 in der Bedampfungsvorrichtung 10 gemäß der vorliegenden Erfindung aufgrund des folgenden Mechanismus ausgeblasen werden können.
  • Das heißt in dem Fall, dass der Schlitz die oben beschriebene Form aufweist, wird nicht zugelassen, dass der größte Teil der Gasmoleküle, die im Inneren des Blasbehälters 110 vorhanden sind, durch den Blasausgang 110e17 ruhig hindurchtritt, sondern von der Innenwand des Blasbehälters 110 reflektiert und in den Pufferraum S zurückgeworfen wird. Nachdem derartige Bewegungen wiederholt worden sind, wird zuge lassen, dass die Gasmoleküle durch den Schlitz des Blasausgangs 110e17 ausgetragen werden. Das heißt dass unter den Gasmolekülen, die in den Pufferraum S durch das Verbindungsrohr 220e und die Transportstrecke 110e21 eingeleitet wurden, nachdem sie von der Dampfabscheidungsquelle 210 verdampft wurden, Gasmoleküle, die eine vorgegebene Menge übersteigen, nicht sofort durch den Blasausgang 110e17 hindurchtreten können und sie temporär in dem Pufferraum S verbleiben. Auf diese Weise wird der Druck (Dichte) im Inneren des Pufferraums S höher als der Druck (Dichte) außerhalb des Blasbehälters 110 gehalten. Während die Gasmoleküle in dem Pufferraum S verbleiben, werden sie dementsprechend miteinander vermischt, so dass sie in einem gleichmäßigen Zustand vorliegen.
  • Wie es beschrieben wurde, wurde bewiesen, dass die Steuerbarkeit der Filmbildung verbessert werden kann, wodurch ermöglicht wird, einen gleichmäßigen Film mit guter Qualität auf dem Zielobjekt G selbst in dem Fall zu bilden, dass der Spalt zwischen dem Blasausgang 110e17 und dem Zielobjekt G im Vergleich mit herkömmlichen Fällen verkürzt ist.
  • (Optimale Größe der Länge der schlitzförmigen Öffnung)
  • Zusätzlich fanden die Erfinder auch heraus, dass es erwünscht ist, die Länge lo der Schlitzöffnung derart festzulegen, dass sie an beiden Enden der Schlitzöffnung um zumindest ls × 0,1 mm länger als die Länge ls (siehe 10) des Silizium-Wafers ist, der oberhalb des Blasbehälters in einer Richtung horizontal zur Längsrichtung der Schlitzöffnung angeordnet ist. 16 stellt Ergebnisse von Experimenten dar, die von den Erfindern durchgeführt wurden, um eine optimale Größe der Länge der schlitzförmigen Öffnung zu erhalten.
  • In den Experimenten waren die Öffnungen B1 bis B4 der vier Transportstrecken 110e21 von 13 auf der Position der unteren Oberfläche des Pufferraums S unterhalb des schlitzförmigen Blasausgangs 110e17 in der Längsrichtung davon gleich beabstandet. Der Abstand zwischen den Öffnungen B betrug etwa 58 mm, und die Längen von den Öffnungen B1 und B4 zu jeweiligen Endabschnitten des Blasbehälters 110e betrugen jeweils etwa 18 mm.
  • Im Experiment A wurde ein Gas nur aus der Öffnung B2 ausgeblasen. Im Experiment B wurde ein Gas nur aus der Öffnung B1 ausgeblasen. In Experimenten C und D wurden Gase aus den Öffnungen B1 und B4 ausgeblasen. Ferner war die Länge lo des Schlitzes in einem typischen Filmbildungsexperiment, das in 16 gezeigt ist, derart festgelegt, dass sie gleich der Breite des Silizium-Wafers war, wohingegen die Länge lo des Schlitzes derart festgelegt war, dass sie an beiden Enden des Schlitzes um ls × 0,1 mm (hier um 20 mm) länger als die Breite des Zielobjekts (die Länge ls des Zielobjekts von 10 = 200 mm) war, d. h. die Länge lo war derart festgelegt, dass sie in den Experimenten A bis D etwa 240 mm betrug.
  • Infolgedessen fanden die Erfinder heraus, dass ein gleichmäßigerer Film gebildet werden kann, wenn im Vergleich mit der typischen Filmbildung, in welcher die Schlitzbreite gleich der Breite des Silizium-Wafers ist, die Länge lo des Schlitzes an beiden Enden des Schlitzes um ls × 0,1 mm länger als die Länge ls des Silizium-Wafers ist. Dementsprechend wurde bewiesen, dass sich durch Optimieren der Schlitzform, wie es oben beschrieben ist, die Steuerbarkeit der Filmbildung verbessert, so dass ein gleichmäßiger Film mit hoher Qualität auf dem Zielobjekt G selbst in dem Fall gebildet werden kann, dass der Spalt zwischen dem Blasausgang 110e17 und dem Zielobjekt G im Vergleich mit herkömmlichen Fällen verkürzt ist.
  • Da darüber hinaus der Spalt zwischen dem Blasausgang 110e17 und dem Zielobjekt G kurz wie 15 mm ist, werden die Gasmoleküle, die aus dem Blasausgang 110e17 ausgeblasen werden, kaum diffundiert und werden an dem Zielobjekt G angelagert. In dieser Hinsicht kann bewiesen werden, dass die Gleichmäßigkeit der Filmbildung weiter verbessert werden kann, indem lediglich die Schlitzlänge lo an beiden Enden des Schlitzes auf um ls × 0,1 mm länger als die Länge ls des Zielobjekts G festgelegt wird.
  • Darüber hinaus fanden die Erfinder auch heraus, dass eine bessere Filmbildung erreicht werden kann, indem das Gas an einer Position ausgeblasen wird, die von dem Endabschnitt des Blasausgangs 110e17 um etwa 10% nach innen hin beabstandet ist, auf der Basis der Tatsache, dass eine gleichmäßigere Filmbildung in den Experimenten C und D im Vergleich mit den Experimenten A und B erreicht wurde.
  • Wie es oben beschrieben ist, wird in der Bedampfungsvorrichtung 10 gemäß jeder Ausführungsform die Struktur des Blasausgangs in den vorgegebenen Formen gebildet. Infolgedessen kann die Steuerbarkeit der Filmbildung verbessert werden, so dass die Materialausnutzungseffizienz gesteigert werden kann, während die Herstellungskosten eines Produkts verringert werden.
  • Obwohl die Ergebnisse des oben erwähnten Experiments unter Verwendung des Silizium-Wafers erhalten wurden, kann darüber hinaus das Zielobjekt der Filmbildung ein Glassubstrat sein. In einem solchen Fall beträgt die Größe des Glassubstrats, das durch die Bedamp fungsvorrichtung 10 verarbeitet werden kann, etwa 730 mm × 920 mm oder größer und kann beispielsweise eine G4.5-Substratgröße von etwa 730 mm × 920 mm (Größe in der Kammer: etwa 1000 mm × 1190 mm) oder ein G5-Substrat mit einer Größe von etwa 1100 mm × 1300 mm (Größe in der Kammer: etwa 1470 mm × 1590 mm) sein.
  • Ferner kann als ein weiteres Beispiel des Sensors, der bei der Regelung in jeder Ausführungsform verwendet wird, ein Interferometer (z. B. ein Laserinterferometer) zum Detektieren einer Filmdicke eines Zielobjekts angewandt werden, indem z. B. Licht, das von einer Lichtquelle ausgegeben wird, auf eine obere Fläche und eine untere Fläche eines Films, der auf dem Zielobjekt gebildet ist, einstrahlen gelassen wird und ein Interferenzring, der durch einen Unterschied der optischen Wege der beiden reflektierten Strahlen erzeugt wird, beobachtet und analysiert wird.
  • Ferner kann ein anderes Beispiel eines Strömungsstrecken-Anpassungselements zum Anpassen der Strömungsstrecken der Verbindungsrohre oder der Auslassstrecken in jeder Ausführungsform ein Ventil mit variabler Öffnung zum Einstellen einer Strömungsstrecke eines Rohrs durch Verändern eines Öffnungsgrades eines Ventils sein.
  • Ferner kann es möglich sein, eine Kühlmittelversorgungsquelle (nicht gezeigt) anstelle der Stromversorgung 600 einzubauen, die außerhalb der Bedampfungsvorrichtung 10 angeordnet ist, und eine Kühlmittelversorgungsstrecke (nicht gezeigt) im Inneren der Wandfläche der zweiten Prozesskammer 200 anstelle der Heizungen 400 und 410 von 2 als einen Temperatursteuerungsmechanismus einzubetten. Bei einer solchen Ausgestaltung kann der das Filmbildungsmaterial aufnehmende Abschnitt der Dampfabscheidungsquelle 210 gekühlt werden, indem ein Kühlmittel durch die Kühlmittelversorgungsstrecke von der Kühlmittelversorgungsquelle zugeführt und zirkulieren gelassen wird.
  • Es kann auch möglich sein, den das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitt durch direktes Ausblasen eines Kühlmittels, wie etwa Luft, die von der Kühlmittelversorgungsquelle zugeführt wird, in Richtung der Nachbarschaft des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts ohne Einbau der Kühlmittelversorgungsstrecke zu kühlen.
  • In der oben beschriebenen Ausführungsform stehen die Arbeitsabläufe der jeweiligen Komponenten miteinander in Beziehung und können durch eine Reihe von Arbeitsabläufen unter Berücksichtigung einer derartigen Beziehung untereinander ersetzt werden. Durch das Ersetzen kann die Ausführungsform der Bedampfungsvorrichtung als eine Ausführungsform eines Verfahrens einer Verwendung der Bedampfungsvorrichtung verwendet werden, und die Ausführungsform der Steuerungsvorrichtung der Bedampfungsvorrichtung kann als eine Ausführungsform eines Steuerungsverfahrens für die Bedampfungsvorrichtung verwendet werden.
  • Ferner kann durch Substituieren des Betriebs jeder Komponente durch den Prozess jeder Komponente die Ausführungsform des Steuerungsverfahrens der Bedampfungsvorrichtung als eine Ausführungsform eines Programms zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung und eine Ausführungsform eines computerlesbaren Speichermediums, das das Programm darin speichert, verwendet werden.
  • Die obige Beschreibung der vorliegenden Erfindung ist zu Darstellungszwecken angegeben, und Fachleute auf dem Gebiet werden verstehen, dass verschiedene Änderungen und Abwandlungen vorgenom men werden können, ohne die technische Konzeption und wesentliche Merkmale der vorliegenden Erfindung zu verändern. Es ist zu verstehen, dass alle Abwandlungen und Ausführungsformen, die von der Bedeutung und dem Schutzumfang der Ansprüche eingeschlossen werden, und deren Äquivalente im Schutzumfang der vorliegenden Erfindung enthalten sind.
  • Beispielsweise wird in der Bedampfungsvorrichtung 10 gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform ein organisches EL-Material in der Form eines Pulvers (Feststoffs) als das Filmbildungsmaterial verwendet, und ein organischer EL-Mehrschichtfilmbildungsprozess wird auf dem Zielobjekt G durchgeführt. Jedoch kann die Bedampfungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung auch in einem MOCVD-Verfahren (Metal Organic Chemical Vapor Deposition Verfahren) zum Abscheiden eines Dünnfilms auf einem Zielobjekt durch Zersetzen eines Filmbildungsmaterials, das von z. B. einem flüssigen organischen Metall verdampft wird, auf dem Zielobjekt, das auf bis zu etwa 500 bis 700°C erwärmt worden ist, angewandt werden. Wie beschrieben kann die Bedampfungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung als eine Vorrichtung zum Bilden eines organischen EL-Films oder eines organischen Metallfilms auf dem Zielobjekt durch Dampfabscheidung unter Verwendung eines organischen EL-Filmbildungsmaterials oder eines organischen Metallfilmbildungsmaterials als ein Ausgangsmaterial verwendet werden.
  • Ferner sind in der Bedampfungsvorrichtung gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung die mehreren Dampfabscheidungsquellen und die mehreren Blasbehälter in der ersten und der zweiten Prozesskammer getrennt aufgenommen. Es kann jedoch auch möglich sein, die Dampfabscheidungsquellen und die Blasbehälter in der gleichen Kammer aufzunehmen.
  • Zusammenfassung
  • Eine Bedampfungsvorrichtung (10) umfasst eine Dampfabscheidungsquelle (210), eine Transportstrecke (110e21), einen Blasbehälter (110) und eine erste Prozesskammer (100). Die Transportstrecke (110e21) ist mit der Dampfabscheidungsquelle (210) über eine Verbindungsstrecke (220e) verbunden und transportiert ein Filmbildungsmaterial, das von der Dampfabscheidungsquelle (210) verdampft wird. Ein Blasausgang (110e11) ist aus einem porösen Metallelement gebildet und bläst das Filmbildungsmaterial aus, das durch einen Pufferraum (S) über die Transportstrecke (110e21) hindurchgetreten ist. Die erste Prozesskammer (100) führt die Filmbildung auf einem Zielobjekt (G) mit dem ausgeblasenen Filmbildungsmaterial durch. Ein Spalt zwischen dem Zielobjekt (G) und dem Blasausgang (110e1) kann verkürzt werden, indem Gasmoleküle mit einer hohen Gleichmäßigkeit aus dem porösen Metallelement ausgeblasen werden.
    • 10
    Bedampfungsvorrichtung
    100
    erste Prozesskammer
    110, 110a~110f
    Blasbehälter
    110e1
    Blasmechanismus
    110e11, 110e17
    Blasausgänge
    110e12
    Rahmen
    110e13
    Diffusionsplatte
    110e16
    Blende
    110e2
    Transportmechanismus
    110e21
    Transportstrecke
    200
    zweite Prozesskammer
    210, 210a~210f
    Dampfabscheidungsquellen
    210e1
    erster Tiegel
    210e13
    Blende
    210e2
    zweiter Tiegel
    210e23
    Blende
    210e3:
    dritter Tiegel
    210e33
    Blende
    220e, 220e1~220e3
    Verbindungsrohre
    230e1, 230e3
    Ventile
    240e2, 240e3
    Blenden
    300, 310
    QCMs
    400e, 410e, 420e, 430e
    Heizungen
    700
    Controller
    S
    Pufferraum
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - JP 2001-291589 [0004]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • - Organic EL display Illumination 2005 thorough verification (gehalten am 28. Juni 2005) Sponsor: Electronic journal, Preliminary notice collection of lectures, Seiten 32 bis 34 [0004]
    • - ”Thin Film Optics” (Dünnfilmoptik) (das von Murata Seishiro, Maruzen Inc., 1. Ausgabe am 15. März 2003 und 2. Ausgabe am 10. April 2004 [0026]
    • - ”Thin Film Optics” (Dünnfilmoptik) (das von Murata Seishiro, Maruzen Inc., 1. Ausgabe am 15. März 2003 und 2. Ausgabe am 10. April 2004 [0086]

Claims (24)

  1. Bedampfungsvorrichtung, umfassend: eine Dampfabscheidungsquelle zum Verdampfen eines Filmbildungsmaterials, das ein Ausgangsmaterial für eine Filmbildung ist; eine Transportstrecke, die mit der Dampfabscheidungsquelle über eine Verbindungsstrecke verbunden ist, zum Transportieren des Filmbildungsmaterials, das von der Dampfabscheidungsquelle verdampft wird; einen Blasbehälter mit einem Blasausgang, der mit der Transportstrecke verbunden ist, zum Ausblasen des Filmbildungsmaterials, das durch die Transportstrecke transportiert wird, aus dem Blasausgang; und eine Prozesskammer zum Durchführen der Filmbildung auf einem Zielobjekt mit dem ausgeblasenen Filmbildungsmaterial, wobei der Blasbehälter einen Pufferraum darin aufweist und das Filmbildungsmaterial aus dem Blasausgang ausbläst, nachdem das Filmbildungsmaterial durch den Pufferraum hindurchtritt, so dass ein Druck in dem Pufferraum des Blasbehälters höher als ein Druck außerhalb des Blasbehälters wird.
  2. Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Blasausgang aus einem porösen Körper gebildet ist.
  3. Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Blasausgang eine praktische Breite Wp im Bereich von α mm ± α × 0,01 mm auf weist, wenn eine Zielbreite Wg einer kürzeren Seite des Blasausgangs als α mm festgelegt ist, und eine Länge lo einer längeren Seite der Öffnung aufweist, wobei die Länge lo an beiden Enden des Blasausgangs um zumindest ls × 0,1 mm länger als eine Länge ls des Zielobjekts ist, welches oberhalb des Blasbehälters in einer Richtung horizontal zur Längsrichtung der Öffnung angeordnet ist.
  4. Bedampfungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Transportstrecke in mehrere Transportstrecken verzweigt ist und die verzweigten Transportstrecken gleiche Längen aufweisen.
  5. Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 4, wobei Öffnungen der verzweigten Transportstrecken gleich beabstandet sind.
  6. Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 4, wobei die verzweigten Transportstrecken punktsymmetrisch in Bezug auf eine Verzweigungsposition der Transportstrecken gebildet sind.
  7. Bedampfungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, ferner umfassend: eine Diffusionsplatte, die den Pufferraum des Blasbehälters in einen blasausgangsseitigen Raum und einen transportstreckenseitigen Raum unterteilt und zulässt, dass das Filmbildungsmaterial dort hindurchtreten kann.
  8. Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 7, wobei die Diffusionsplatte eine Trennplatte ist, die aus einem porösen Körper gebildet ist, oder eine Trennplatte, die mit einer Anzahl von Löchern versehen ist.
  9. Bedampfungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei ein jedes von dem Blasausgang und der Diffusionsplatte aus einem leitfähigen Element hergestellt ist.
  10. Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 9, wobei der Blasausgang und die Diffusionsplatte jeweilige Temperatursteuerungsmechanismen zum Steuern der Temperaturen des Blasausgangs und der Diffusionsplatte umfassen.
  11. Bedampfungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Dampfabscheidungsquelle einen Temperatursteuerungsmechanismus zum Steuern einer Temperatur der Dampfabscheidungsquelle umfasst.
  12. Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 11, wobei der Temperatursteuerungsmechanismus der Dampfabscheidungsquelle einen ersten Temperatursteuerungsmechanismus und einen zweiten Temperatursteuerungsmechanismus umfasst, wobei der erste Temperatursteuerungsmechanismus an einem das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitt der Dampfabscheidungsquelle angeordnet ist, um eine Temperatur des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts auf einer vorbestimmten Temperatur zu halten, und der zweite Temperatursteuerungsmechanismus an einem Auslass der Dampfabscheidungsquelle angeordnet ist, von welchem das Filmbildungsmaterial ausgetragen wird, um eine Temperatur des Auslasses auf höher als oder gleich wie die Temperatur des das Filmbildungsmaterial aufnehmenden Abschnitts zu halten.
  13. Bedampfungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei mehr als eine Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist; unterschiedliche Arten von Filmbildungsmaterialien jeweils in den Dampfabscheidungsquellen aufgenommen sind; Verbindungsstrecken, die jeweils mit den Dampfabscheidungsquellen verbunden sind, an einer vorgegebenen Vereinigungsposition gekoppelt sind; und auf der Basis der Mengen der unterschiedlichen Arten von Filmbildungsmaterialien, die von den Dampfabscheidungsquellen pro Zeiteinheit verdampft werden, ein Strömungsstrecken-Anpassungselement in einer der Verbindungsstrecken an einer oberstromigen Position der vorgegebenen Vereinigungsposition eingebaut ist, um eine Strömungsstrecke der einen Verbindungsstrecke zu steuern.
  14. Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 13, wobei auf der Basis der Mengen der unterschiedlichen Arten von Filmbildungsmaterialien, die von den Dampfabscheidungsquellen pro Zeiteinheit verdampft werden, das Strömungsstrecken-Anpassungselement in der Verbindungsstrecke eingebaut ist, durch die das Filmbildungsmaterial mit einer niedrigen Verdampfungsrate pro Zeiteinheit hindurchtritt.
  15. Bedampfungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei mehr als ein Blasbehälter eingebaut ist, und die Prozesskammer die Blasbehälter darin aufnimmt, und mehrere Filmbildungsprozesse fortlaufend auf dem Zielobjekt durchgeführt werden, wobei die Filmbildungsmaterialien von den jeweiligen Blasbehältern in der Prozesskammer ausgeblasen werden.
  16. Bedampfungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Prozesskammer einen organischen EL-Film oder einen organi schen Metallfilm auf dem Zielobjekt durch Dampfabscheidung unter Verwendung eines organischen EL-Filmbildungsmaterials oder eines organischen Metallfilmbildungsmaterials als ein Ausgangsmaterial bildet.
  17. Bedampfungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei mehr als eine Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, und mehrere erste Sensoren, die den Dampfabscheidungsquellen entsprechen, angeordnet sind, um jeweilige Verdampfungsraten von Filmbildungsmaterialien, die in den Dampfabscheidungsquellen aufgenommen sind, zu detektieren.
  18. Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 17, wobei ein zweiter Sensor, der dem Blasmechanismus entspricht, angeordnet ist, um eine Filmbildungsrate des Filmbildungsmaterials, das von dem Blasmechanismus ausgeblasen wird, zu detektieren.
  19. Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 2, wobei der poröse Körper des Blasausgangs eine Porosität aufweist, die gleich oder kleiner als etwa 97% ist.
  20. Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 3, wobei das α mm als der Zielbreitenwert Wg des Blasausgangs derart festgelegt ist, dass es gleich oder kleiner als etwa 3 mm ist.
  21. Steuerungsvorrichtung zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 17, wobei die Steuerungsvorrichtung eine Temperatur eines Temperatursteuerungsmechanismus, der an jeder Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, auf der Basis der jeweiligen Ver dampfungsraten der Filmbildungsmaterialien, die von den ersten Sensoren detektiert werden, regelt.
  22. Steuerungsverfahren zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 17, wobei das Steuerungsverfahren eine Temperatur eines Temperatursteuerungsmechanismus, der an jeder Dampfabscheidungsquelle eingebaut ist, auf der Basis der jeweiligen Verdampfungsraten der Filmbildungsmaterialien, die von den ersten Sensoren detektiert werden, regelt.
  23. Verfahren zur Verwendung einer Bedampfungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Verfahren umfasst: Verdampfen des Filmbildungsmaterials, das in der Dampfabscheidungsquelle aufgenommen ist; Durchleiten des verdampften Filmbildungsmaterials durch den Pufferraum, der in dem Blasbehälter eingebaut ist, über die Verbindungsstrecke und die Transportstrecke; Ausblasen des Filmbildungsmaterials, das durch den Pufferraum hindurchgetreten ist, aus dem Blasausgang, der in dem Blasbehälter eingebaut ist, so dass ein Druck in dem Pufferraum des Blasbehälters höher als ein Druck außerhalb des Blasbehälters wird; und Durchführen der Filmbildung auf dem Zielobjekt mit dem ausgeblasenen Filmbildungsmaterial in der Prozesskammer.
  24. Verfahren zum Herstellen eines Blasausgangs, der in einem Blasbehälter vorgesehen ist, zum Ausblasen eines Filmbildungsmaterials, das von einer Dampfabscheidungsquelle verdampft wird, wobei das Verfahren die Form des Blasausgangs derart einrichtet, dass eine praktische Breite Wp im Bereich von α mm ± α × 0,01 mm liegt, wenn die Zielbreite Wg einer kürzeren Seite einer schlitzförmigen Öffnung des Blasausgangs als α mm festgelegt ist, und eine Länge lo einer längeren Seite der Öffnung an beiden Enden der Öffnung um zumindest ls × 0,1 mm länger als eine Länge ls eines Zielobjekts in einer Richtung horizontal zu einer Längsrichtung der Öffnung ist.
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