DE102008015078B4 - Vakuumverdampfer - Google Patents

Vakuumverdampfer Download PDF

Info

Publication number
DE102008015078B4
DE102008015078B4 DE102008015078A DE102008015078A DE102008015078B4 DE 102008015078 B4 DE102008015078 B4 DE 102008015078B4 DE 102008015078 A DE102008015078 A DE 102008015078A DE 102008015078 A DE102008015078 A DE 102008015078A DE 102008015078 B4 DE102008015078 B4 DE 102008015078B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
source
source container
mass
measuring device
container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE102008015078A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102008015078A1 (de
Inventor
Young Woo Lee
Dong Joo Shin
Jeong Min CHO
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electro Mechanics Co Ltd filed Critical Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Publication of DE102008015078A1 publication Critical patent/DE102008015078A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102008015078B4 publication Critical patent/DE102008015078B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/246Replenishment of source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/26Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541Heating or cooling of the substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/548Controlling the composition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Vakuumverdampfer, umfassend:
eine Kammer, wobei ein Substrat in dem oberen Abschnitt der Kammer angeordnet ist;
einen Quellenbehälter, der direkt unter dem Substrat angeordnet ist und der eine darin eingefüllte Quelle enthält;
eine Massemesseinrichtung, die an der Unterseite des Quellenbehälters angeordnet ist;
eine Steuereinheit, die mit der Massemesseinrichtung verbunden ist, um die Masseinformationen des Quellenbehälters zu empfangen; und
eine Quellenzufuhreinrichtung, die mit der Steuereinheit verbunden ist und die ein von der Steuereinheit gemäß den Masseinformationen des Quellenbehälters erzeugtes Quellenzufuhrsignal empfängt, um dadurch dem Quellenbehälter die Quelle zuzuführen, umfassend einen Wärmeisolator, der zwischen dem Quellenbehälter und der Massemesseinrichtung angeordnet ist, um zu verhindern, dass die durch den Quellenbehälter erzeugte Wärme an die Massemesseinrichtung weitergeleitet wird, wobei die Massenmesseinrichtung, der Wärmeisolator und die Außenseite des Quellenbehälters von einem Kammer-Innenbad umgeben sind, wobei eine Öffnung des Quellenbehälters ausgenommen ist.

Description

  • Verweis auf verbundene Anmeldungen
  • Diese Anmeldung stützt sich auf die Koreanische Patentanmeldung Nummer 10-2007-0135557 , die am 21. Dezember 2007 beim Koreanischen Amt für Geistiges Eigentum eingereicht wurde und deren Offenbarung durch Bezugnahme mit eingebunden ist.
  • Hintergrund der Erfindung
  • 1. Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Vakuumverdampfer, mit dem eine Menge einer Quelle gesteuert werden kann.
  • 2. Beschreibung des Stands der Technik
  • Als typische Verfahren zur Ausbildung einer Dünnschicht stehen das physikalische Dampfabscheidungsverfahren (PVD = Physical Vapour Deposition) und das chemische Dampfabscheidungsverfahren (CVD = Chemical Vapour Deposition) zur Verfügung.
  • Das PVD-Verfahren wird im Unterschied zu dem CVD-Verfahren in einer Reinraumumgebung durchgeführt. Zudem werden in einem Vakuumzustand Widerstandsbeheizung, Elektronenstrahlen oder Plasma eingesetzt, um einen Feststoff in Gas umzuwandeln, so dass der Stoff auf einem Substrat abgeschieden wird.
  • Das PVD-Verfahren kann in ein Vakuumverdampfungsverfahren, Sputterverfahren, Ionenplattierungsverfahren etc. unterteilt werden.
  • In jüngster Zeit wird das Vakuumverdampfungsverfahren im Zuge der Entwicklung der Vakuumtechnik und der Anlagen-Fertigungstechnik zur Fertigung von Antireflexionsbeschichtungen, Spiegelfiltern, Sonnenbrillen, dekorativen Beschichtungen, Kathodenstrahlröhren und Elektronikschaltungen häufig eingesetzt. Durch das nachfolgende Verfahren wird auf der Oberfläche eines Abscheidungsziels eine metallische Dünnschicht ausgebildet.
  • Das heißt, dass ein fester oder flüssiger Stoff in Gas umgewandelt wird, wobei das Gas an ein Substrat weitergeleitet und dann auf dem Substrat kondensiert wird, wodurch eine dünne Metallschicht ausgebildet wird.
  • Mit den in dem Vakuumverdampfungsverfahren eingesetzten Verdampfungsanlagen kann das Fertigungsverfahren vereinfacht werden, die Abscheidungsgeschwindigkeit erhöht werden und eine Dünnschicht innerhalb von einer kurzen Zeit ausgebildet werden. Aus diesem Grund werden die Verdampfungsanlagen als Kernanlagen zur Bildung einer metallischen Dünnschicht in einem Elektronikbauteil-Fertigungsverfahren, umfassend ein Halbleiterverfahren, verwendet.
  • Die in dem Vakuumabscheidungsverfahren eingesetzte Verdampfungsanlage ist in einen thermischen Verdampfer und in einen Elektronenstrahlverdampfer unterteilt. Der thermische Verdampfer heizt unter Verwendung der Wärme, die von einem Heizelement erzeugt wird, eine Quelle auf, so dass die Abscheidung durchgeführt wird. Der Elektronenstrahlverdampfer verdampft eine Quelle, die in einem Quellenbehälter, wie beispielsweise einem Tiegel, enthalten ist, während die elektrische Energie, die durch die beschleunigten Elektronenstrahlen geliefert wird, in thermische Energie umgewandelt wird, wodurch die Abscheidung durchgeführt wird.
  • In den vorstehend dargelegten beiden Vakuumabscheidungsverfahren wird der Abscheidungsvorgang in einem Zustand durchgeführt, in dem eine vorgegebene Menge der Quelle, die als Material zur Ausbildung einer Dünnschicht dient, in einem Quellenbehälter, wie beispielsweise einem Schiffchen oder Tiegel, die das Heizelement bilden, enthalten ist.
  • Zu diesem Zeitpunkt nimmt beim Durchführen des Abscheidungsvorgangs die Menge der Quelle in dem Behälter ab. Demzufolge sollte die Quelle erneut zugeführt werden, so dass eine konstante Menge der Quelle in dem Quellenbehälter beibehalten werden kann.
  • Wenn die Quelle nicht zugeführt wird, kommt es während der kontinuierlichen Durchführung des Abscheidungsvorgangs zu einer Änderung des Füllstands der in dem Behälter enthaltenen Quelle. Nunmehr wird ein Schmelzbereich verkleinert, so dass in dem Abscheidungsvorgang eine Änderung auftritt. Zudem werden die Dicke und die Gleichmäßigkeit der Dünnschicht, die auf der Oberfläche eines Abscheidungsziels abgeschieden wird, durch diese Änderung beeinflusst, wodurch es schwierig ist, die Eigenschaften der Dünnschicht zu steuern.
  • Währenddessen wird in einer Verdampfungsanlage zur Massenproduktion oder in einer Verdampfungsanlage für eine Großfläche ein Verdampfungsbereich schnell vergrößert, so dass eine Verbrauchsmenge der Quelle steigt. Da die Verdampfungsanlage gegenüber einer durch den Quellenverbrauch verursachten Änderung empfindlich reagiert, ist es demzufolge äußerst wichtig, in dem Quellenbehälter eine konstante Menge der Quelle beizubehalten.
  • Die Verdampfungsanlage enthält jedoch keine Komponente, mit der eine Quellenmenge konstant beibehalten werden kann. Außerdem sollte eine in dem Quellenbehälter zurückbleibende Menge der Quelle durch das Bedienpersonal zur Aufstockung der Quelle überprüft werden. Daher ist es schwierig, eine konstante Menge der Quelle zum Sicherstellen einer Dünnschicht mit einer gleichmäßigen Dicke beizubehalten.
  • Des Weiteren ist es unmöglich, während des Betriebs der Verdampfungsanlage eine Quelle zuzuführen. Um der Verdampfungsanlage eine Quelle zuzuführen, sollte der Verdampfungsvorgang demzufolge unterbrochen werden.
  • Aus dem Stand der Technik ist mit der US 4,262,160 A eine Vorrichtung zur Materialzufuhr für einen Elektronenstrahlverdampfer bekannt. Dabei wird das Ausgangsmaterial dem Behälter mit dem geschmolzenen Material an einer Stelle zugeführt, die nicht von dem Elektronenstrahl aufgeheizt wird. Das Ausgangsmaterial kann durch Sekundärelektronen eingeschmolzen werden.
  • Die DE 196 05 315 C1 offenbart ein Verfahren und eine Einrichtung zur Regelung eines Vakuumbeschichtungsprozesses wobei eine Kraftmesszelle an der dampfabgewandten Seite eines Tiegels angeordnet ist. Dadurch soll eine durch den Beschichtungsprozess unbeeinflusste Funktion der Kraftmesszelle ermöglicht werden.
  • Die US 5 871 805 A beschreibt einen computergesteuerten Gasphasenabscheidungsprozess, wobei der räumliche Ort der Abscheidung aus der Gasphase durch Blenden und Trennwände eingegrenzt wird.
  • Auch die JP 61-079763 A handelt von einer Gasphasenabscheidungsvorrichtung, bei der mittels einer Blende der Abscheidungsbereich eingegrenzt wird.
  • Vorteile der Erfindung
  • Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass sie einen Vakuumverdampfer liefert, der die Masse eines Quellenbehälters, der eine darin eingefüllte Quelle enthält, unter Verwendung einer Massemesseinrichtung in Echtzeit misst und der ein Quellenzufuhrsignal, das durch eine Steuereinheit auf Grundlage der Masseinformationen, die durch die Massemesseinrichtung gemessen werden, erzeugt wird, an eine Quellenzufuhreinrichtung liefert, so dass dem Quellenbehälter ein Quellenmaterial zugeführt wird. Anschließend kann eine in dem Quellenbehälter enthaltene Quellenmenge konstant beibehalten werden, so dass eine gleichmäßige dünne Metallschicht ausgebildet wird.
  • Weitere Aspekte und Vorteile des vorliegenden allgemeinen erfinderischen Konzepts werden teilweise durch die folgende Beschreibung erläutert und werden teilweise durch die Beschreibung offensichtlich oder können durch Umsetzung des allgemeinen erfinderischen Konzepts erkannt werden.
  • Ein Aspekt der Erfindung besteht darin, dass ein Vakuumverdampfer Folgendes umfasst: eine Kammer; ein Substrat, das in dem oberen Abschnitt der Kammer angeordnet ist; einen Quellenbehälter, der direkt unter dem Substrat angeordnet ist und der eine darin eingefüllte Quelle enthält; eine Massemesseinrichtung, die an der Unterseite des Quellenbehälters angeordnet ist; eine Steuereinheit, die mit der Massemesseinrichtung verbunden ist, um die Masseinformationen des Quellenbehälters zu empfangen; und eine Quellenzufuhreinrichtung, die mit der Steuereinheit verbunden ist und die ein von der Steuereinheit gemäß den Masseinformationen des Quellenbehälters erzeugtes Quellenzufuhrsignal empfängt, um dadurch dem Quellenbehälter die Quelle zuzuführen. Erfindungsgemäß ist die Massemesseinrichtung aus einer Wägezelle oder einer elektronischen Waage gebildet, mit der eine Änderung in der Masse der Quelle, die in den Quellenbehälter eingefüllt ist, in Echtzeit gemessen werden kann. Die Massenmesseinrichtung, der Wärmeisolator und die Außenseite des Quellenbehälters sind von einem Kammer-Innenbad umgeben, wobei eine Öffnung des Quellenbehälters ausgenommen ist.
  • Die Kammer ist vorzugsweise kastenförmig ausgestaltet und weist einen Innenraum auf, der im Vakuumzustand gehalten wird.
  • Der Quellenbehälter ist vorzugsweise aus einem Heizelement gebildet, das selbst Wärme erzeugt oder das einen darin eingebauten Heißdraht aufweist, so dass die in den Quellenbehälter eingefüllte Quelle durch die Wärme, die durch den Quellenbehälter erzeugt wird, verdampft wird.
  • Der Vakuumverdampfer umfasst zudem einen Wärmeisolator, der zwischen dem Quellenbehälter und der Massemesseinrichtung angeordnet ist, um zu verhindern, dass die durch den Quellenbehälter erzeugte Wärme an die Massemesseinrichtung weitergeleitet wird.
  • Die Quellenzufuhreinrichtung ist vorzugsweise aus einer Drahtzufuhreinrichtung, um die eine Feststoffquelle in Form eines Drahtes gewickelt ist, oder aus einer Pulverzufuhreinrichtung zum Einspeisen einer pulverförmigen Quelle gebildet.
  • Vorzugsweise wird eine Änderung in der Masse der Quelle, die in den Quellenbehälter eingefüllt ist, durch die Massemesseinrichtung in Echtzeit gemessen, um an die Steuereinheit übertragen zu werden, wobei die Steuereinheit gemäß den Informationen über die Änderung in der Masse der Quelle ein Quellenzufuhrsignal erzeugt und das Quellenzufuhrsignal anschließend an die Quellenzufuhreinrichtung überträgt, so dass die Quelle zugeführt wird.
  • Die Quellenzufuhreinrichtung ist vorzugsweise innerhalb oder außerhalb der Kammer angeordnet.
  • Ein weiterer Aspekt der Erfindung besteht darin, dass ein Vakuumverdampfer Folgendes umfasst: eine Kammer; ein Substrat, das in dem oberen Abschnitt der Kammer angeordnet ist; einen Quellenbehälter, der direkt unter dem Substrat angeordnet ist und der eine darin eingefüllte Quelle enthält; ein Innenbad, das die Außenseite des Quellenbehälters umgibt, wobei eine Öffnung des Quellenbehälters ausgenommen ist; eine Massemesseinrichtung, die an dem unteren Abschnitt des Innenbads angeordnet ist, um die Masse des Quellenbehälters zu messen; einen Wärmeisolator, der durch die Unterseite des Innenbads abgestützt ist und der ein unteres Ende aufweist, das mit der Massemesseinrichtung verbunden ist; eine Steuereinheit, die mit der Massemesseinrichtung verbunden ist, um die Masseinformationen des Quellenbehälters zu empfangen; und eine Quellenzufuhreinrichtung, die mit der Steuereinheit verbunden ist und die ein Quellenzufuhrsignal, das von der Steuereinheit gemäß den Masseinformationen des Quellenbehälters erzeugt wird, empfängt, um dadurch dem Quellenbehälter ein Quellenmaterial zuzuführen. Die Massemesseinrichtung ist vorzugsweise außerhalb der Kammer angeordnet.
  • Der Wärmeisolator ist vorzugsweise durch die Wand der Kammer senkrecht mit der Unterseite des Innenbads verbunden.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Diese und/oder weitere Aspekte und Vorteile des vorliegenden allgemeinen erfinderischen Konzepts werden offensichtlich und können anhand der folgenden Beschreibung der Ausführungsformen in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen besser erkannt werden, wobei:
  • 1 ein Diagramm ist, das den Aufbau eines erfindungsgemäßen Vakuumverdampfers darstellt;
  • 2 ein Diagramm ist, das den Aufbau eines Vakuumverdampfers gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung darstellt; und
  • 3 ein Diagramm ist, das den Aufbau des Vakuumverdampfers gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung darstellt.
  • Detaillierte Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen
  • Im Detail wird nun auf die Ausführungsformen der vorliegenden allgemeinen erfinderischen Idee Bezug genommen, wobei Beispiele durch die beiliegenden Zeichnungen dargestellt sind und identische Bezugszeichen durchgängig auf identische Elemente verweisen. Die Ausführungsformen werden nachfolgend erläutert, um das vorliegende allgemeine erfinderische Konzept unter Bezugnahme auf die Figuren darzulegen.
  • Nachfolgend soll ein Vakuumverdampfer gemäß der vorliegenden Erfindung im Detail unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen dargelegt werden.
  • 1 ist ein Diagramm, das den Aufbau eines erfindungsgemäßen Vakuumverdampfers zeigt. Wie in der 1 dargestellt, umfasst der erfindungsgemäße Vakuumverdampfer eine Kammer 100, einen Quellenbehälter 110, der direkt unter einem in der Kammer 100 angeordneten Substrat 130 (das der Vakuumabscheidung ausgesetzt wird) angeordnet ist, und eine Massemesseinrichtung 120, die mit dem unteren Abschnitt des Quellenbehälters 110 verbunden ist.
  • Der Quellenbehälter 110 enthält eine darin eingefüllte vorgegebene Menge einer flüssigen Quelle 111, wobei die flüssige Quelle 111 durch Wärme oder Elektronenstrahlen in der Kammer 100 verdampft wird. Indem die verdampften Partikel auf der Oberfläche des Substrats 130, das direkt über dem Quellenbehälter 110 angeordnet ist, abgeschieden werden, wird auf dem Substrat 130 eine metallische Dünnschicht ausgebildet.
  • Die kastenförmig ausgestaltete Kammer 100 weist einen Innenraum auf, der im Vakuumzustand gehalten wird. Das Substrat 130 ist in dem oberen Abschnitt des Innenraums angeordnet, während der Quellenbehälter 110, der eine darin eingefüllte vorgegebene Menge einer flüssigen Quelle 111 enthält, in dem unteren Abschnitt des Innenraums angeordnet ist.
  • Der Quellenbehälter 110 ist aus einem Heizelement gebildet. Der Quellenbehälter 110 kann aus einem Material ausgebildet sein, das selbst Wärme erzeugt, oder kann einen darin eingebauten Heißdraht zum Abstrahlen von Wärme aufweisen.
  • Die Massemesseinrichtung 120 ist an dem Quellenbehälter 110 befestigt und kann die Masse des Quellenbehälters 110, einschließlich der Masse der in den Quellenbehälter 110 eingefüllten Quelle, messen.
  • Die Massemesseinrichtung 120 kann aus einer Wägezelle oder einer elektronischen Waage gebildet sein. Indem zwischen der Massemesseinrichtung 120 und der Unterseite des Quellenbehälters 110 ein Wärmeisolator 112 angeordnet wird, wird die Wärme, die von dem Quellenbehälter 110, der aus einem Heizelement gebildet ist, abgestrahlt wird, nicht direkt an die Massemesseinrichtung 120 übertragen.
  • Da der Quellenbehälter 110, die Massemesseinrichtung 120 und der Wärmeisolator 120, der zwischen dem Quellenbehälter 110 und der Massemesseinrichtung 120 angeordnet sind, von einem Innenbad 160 umgeben sind, ist es zudem möglich, eine Wirkung, die durch Faktoren innerhalb der Kammer hervorgerufen wird, zu minimieren.
  • Das Substrat 130 ist aus einem Wafer, einem Panel, einer dünnen Platte oder einer Schicht zur Fertigung von Elektronikbauteilen, einschließlich Halbleiterbauteilen und organischen Feldeffekt-LEDs, ausgebildet. Die in den Quellenbehälter 110 eingefüllte Quelle 111 wird durch die Wärme, die von dem Quellenbehälter 110 abgestrahlt wird, verdampft, um auf der Oberfläche des Substrats 130, das direkt über dem Quellenbehälter 110 angeordnet ist, abgeschieden zu werden.
  • Zu diesem Zeitpunkt wird die in den Quellenbehälter 110 eingefüllte Quelle 111 schrittweise verbraucht, während die Quelle 111 verdampft wird. Das heißt, dass eine Änderung in der Menge der Quelle 111 auftritt. Die Änderung in der Menge der Quelle 111 wird durch die Massemesseinrichtung 120, die an der Unterseite des Quellenbehälters 110 befestigt ist, in Echtzeit gemessen.
  • Das heißt, dass die Masse des Quellenbehälters 110, der die darin eingefüllte Quelle 111 enthält, unter Berücksichtigung der konstanten Masse des Quellenbehälters 110 durch die Massemesseinrichtung 120 gemessen wird.
  • Dabei ist die Massemesseinrichtung 120 mit einer außerhalb der Kammer 100 angeordneten Steuereinheit 140 verbunden. Die Steuereinheit 140 empfängt die Informationen über die Änderung in der Masse des Quellenbehälters 110, das heißt, über die Verbrauchsmenge der Quelle 111, von der Massemesseinrichtung 120 in Echtzeit.
  • Die Informationen über die Verbrauchsmenge der Quelle 111 in dem Quellenbehälter 110 werden durch die Steuereinheit 140 in ein Quellenzufuhrsignal umgewandelt, um an eine Quellenzufuhreinrichtung 150, die innerhalb oder außerhalb der Kammer 100 angeordnet ist, geliefert zu werden. Die Quellenzufuhreinrichtung 150 führt dem Quellenbehälter 110 gemäß dem Quellenzufuhrsignal ein Quellenmaterial zu.
  • Mit anderen Worten wird die Masse des Quellenbehälters 110 durch die Massemesseinrichtung 120 in Echtzeit gemessen, in einem Zustand, in dem die Masse des Quellenbehälters 110, einschließlich die Masse der Quelle, durch die Steuereinheit 140 geregelt wird, und in dem eine Quellenänderung so geregelt wird, dass die Abscheidungsqualität nicht verschlechtert wird. In diesem Fall wird der Quellenzufuhreinrichtung 150 ein Quellenzufuhrsignal zugeführt, wenn eine vorgegebene Quellenänderung auftritt, um die Quelle 111 aufzustocken, bis sich die Menge der Quelle 111 der ursprünglich festgelegten Quellenmenge annähert. Aus diesem Grund wird die Menge der Quelle 111 konstant beibehalten.
  • Bei der Quellenzufuhreinrichtung 150 kann es sich um eine Drahtzufuhreinrichtung, um die eine Feststoffquelle in Form eines Drahtes gewickelt ist, oder um eine Pulverzufuhreinrichtung zum Einspeisen von einer pulverförmigen Quelle handeln.
  • 2 ist ein Diagramm, das den Aufbau eines Vakuumverdampfers gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung darstellt. Wie in der 2 dargestellt, umfasst der Vakuumverdampfer gemäß dieser Ausführungsform ein Substrat 130, das in dem oberen Abschnitt einer kastenförmigen Kammer 100 angeordnet ist, und einen Quellenbehälter 110, der in dem unteren Abschnitt der Kammer 100 angeordnet ist. Zudem ist der Quellenbehälter 110 durch ein Innenbad 160 umgeben, so dass er durch einen Wärmeisolator 112 abgestützt ist, wobei eine Massemesseinrichtung 120 zum Messen der Masse des Quellenbehälters 110 mit dem unteren Ende des Wärmeisolators 112 verbunden ist.
  • Der Wärmeisolator 112, der den Quellenbehälter 110 und das den Quellenbehälter 110 umgebende Innenbad 160 abstützt, ist durch die Wand der Kammer 100 senkrecht mit der Unterseite des Innenbads 160 verbunden. Die Massemesseinrichtung 120, die mit dem unteren Abschnitt des Wärmeisolators 112 verbunden ist, ist außerhalb der Kammer 100 angeordnet.
  • Ähnlich wie in der ersten Ausführungsform liefert die Massemesseinrichtung 120, die mit der Außenseite der Kammer 100 verbunden ist, Informationen über eine Verbrauchsmenge der Quelle in dem Quellenbehälter 110 an eine Steuereinheit 140, die mit einer Quellenzufuhreinheit 150 verbunden ist.
  • In dieser Ausführungsform ist die Massemesseinrichtung 120, die eine Änderung in der Masse des Quellenbehälters 110, der die darin eingefüllte Quelle 111 enthält, in Echtzeit misst, außerhalb der Kammer 100 angeordnet. Da die Massemesseinrichtung 120 durch die Wärme, die durch den Quellenbehälter 110, der aus einem Heizelement gebildet ist, erzeugt wird, nicht beeinflusst wird, ist es folglich möglich, einen durch die Wärme verursachten Fehler in der Massemessung zu minimieren.
  • Im Weiteren wird auf detaillierte Beschreibungen der Bestandteile, die identisch mit denen der ersten Ausführungsform sind, verzichtet, wobei identische Bestandteile mit identischen Bezugszeichen versehen sind.
  • 3 ist ein Diagramm, das den Aufbau eines Vakuumverdampfers gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung darstellt. Wie in der 3 dargestellt, weist der Vakuumverdampfer gemäß dieser Ausführungsform einen solchen Aufbau auf, dass der Innenraum einer kastenförmigen Kammer 100 durch eine horizontale Trennwand 101, die eine Öffnung aufweist, aufgeteilt ist, wenn ein Substrat 130 und ein Quellenbehälter 110 an den oberen beziehungsweise unteren Abschnitten der Kammer 100 angeordnet sind.
  • Der Innenumfang der Öffnung der horizontalen Trennwand 101 ist eng mit dem unteren Ende des Quellenbehälters 110 verbunden. Der Quellenbehälter 110 ist, ähnlich wie in der zweiten Ausführungsform, durch einen Wärmeisolator 112, der mit dem unteren Ende einer außerhalb der Kammer 100 angeordneten Massemesseinrichtung 120 verbunden ist, abgestützt.
  • Die mit der Außenseite der Kammer 100 verbundene Massemesseinrichtung 120 liefert Informationen über eine Verbrauchsmenge der Quelle innerhalb des Quellenbehälters 110 an eine Steuereinheit 140, die mit der Quellenzufuhreinheit 150 verbunden ist.
  • Im Unterschied zu der ersten und zweiten Ausführungsform setzt sich die Quelle 111 in dieser Ausführungsform auf der Oberfläche der horizontalen Trennwand 101 fest, da der Quellenbehälter 110 in dem Raum angeordnet ist, der durch die horizontale Trennwand 101 innerhalb der Kammer 100 aufgeteilt ist. Demzufolge kann eine Änderung in der Masse des Quellenbehälters 110 reduziert werden.
  • Das heißt, dass verhindert wird, dass sich die verdampfte, aber nicht auf der Oberfläche des Substrats 130 abgeschiedene Quelle 111 an der Außenseite des Quellenbehälters 110 oder dem Innenbad 160 festsetzt. Daher ist es möglich, einen Messungsfehler, der durch einen äußeren Faktor verursacht wird, wenn eine Verbrauchsmenge der Quelle in dem Quellenbehälter 110 gemessen wird, zu minimieren.
  • In dieser Ausführungsform wird auf detaillierte Beschreibungen der Bestandteile, die mit denen der ersten Ausführungsform identisch sind, verzichtet, wobei identische Bestandteile mit identischen Bezugszeichen versehen sind.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Menge der Quelle innerhalb des Quellenbehälters durch die Massemesseinrichtung, die in der Kammer angeordnet ist, in Echtzeit gemessen und gemäß den Masseinformationen, die durch die Massemesseinrichtung gemessen werden, konstant beibehalten. Daher ist es möglich, auf dem Substrat eine dünne Metallschicht mit einer gleichmäßigen Dicke auszubilden. Zudem ist es möglich, ein Quellenmaterial ohne Unterbrechung des Vakuumverdampfers zuzuführen.
  • Obwohl einige Ausführungsformen des vorliegenden allgemeinen erfinderischen Konzepts dargestellt und erläutert wurden, können vom Fachmann Änderungen in diesen Ausführungsformen gemacht werden, ohne von den Prinzipien und dem Boden des allgemeinen erfinderischen Konzepts abzuweichen, dessen Umfang in den beigefügten Ansprüchen und ihren Entsprechungen dargelegt ist.

Claims (8)

  1. Vakuumverdampfer, umfassend: eine Kammer, wobei ein Substrat in dem oberen Abschnitt der Kammer angeordnet ist; einen Quellenbehälter, der direkt unter dem Substrat angeordnet ist und der eine darin eingefüllte Quelle enthält; eine Massemesseinrichtung, die an der Unterseite des Quellenbehälters angeordnet ist; eine Steuereinheit, die mit der Massemesseinrichtung verbunden ist, um die Masseinformationen des Quellenbehälters zu empfangen; und eine Quellenzufuhreinrichtung, die mit der Steuereinheit verbunden ist und die ein von der Steuereinheit gemäß den Masseinformationen des Quellenbehälters erzeugtes Quellenzufuhrsignal empfängt, um dadurch dem Quellenbehälter die Quelle zuzuführen, umfassend einen Wärmeisolator, der zwischen dem Quellenbehälter und der Massemesseinrichtung angeordnet ist, um zu verhindern, dass die durch den Quellenbehälter erzeugte Wärme an die Massemesseinrichtung weitergeleitet wird, wobei die Massenmesseinrichtung, der Wärmeisolator und die Außenseite des Quellenbehälters von einem Kammer-Innenbad umgeben sind, wobei eine Öffnung des Quellenbehälters ausgenommen ist.
  2. Vakuumverdampfer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die kastenförmig ausgestaltete Kammer einen Innenraum aufweist, der im Vakuumzustand gehalten wird.
  3. Vakuumverdampfer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Quellenbehälter aus einem Heizelement gebildet ist, das selbst Wärme erzeugt oder das einen darin eingebauten Heißdraht aufweist, so dass die in den Quellenbehälter eingefüllte Quelle durch die Wärme, die durch den Quellenbehälter erzeugt wird, verdampft wird.
  4. Vakuumverdampfer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Massemesseinrichtung aus einer Wägezelle oder einer elektronischen Waage gebildet ist, mit der eine Änderung in der Masse der Quelle, die in den Quellenbehälter eingefüllt ist, in Echtzeit gemessen werden kann.
  5. Vakuumverdampfer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Quellenzufuhreinrichtung aus einer Drahtzufuhreinrichtung, um die eine Feststoffquelle in Form eines Drahtes gewickelt ist, oder aus einer Pulverzufuhreinrichtung zum Einspeisen einer pulverförmigen Quelle gebildet ist.
  6. Vakuumverdampfer nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Quellenzufuhreinrichtung innerhalb oder außerhalb der Kammer angeordnet ist.
  7. Vakuumverdampfer, umfassend: eine Kammer, wobei ein Substrat in dem oberen Abschnitt der Kammer angeordnet ist; einen Quellenbehälter, der direkt unter dem Substrat angeordnet ist und der eine darin eingefüllte Quelle enthält; ein Innenbad, das die Außenseite des Quellenbehälters umgibt, wobei eine Öffnung des Quellenbehälters ausgenommen ist; eine Massemesseinrichtung, die an dem unteren Abschnitt des Innenbads angeordnet ist, um die Masse des Quellenbehälters zu messen; einen Wärmeisolator, der durch die Unterseite des Innenbads abgestützt ist und der ein unteres Ende aufweist, das mit der Massemesseinrichtung verbunden ist; eine Steuereinheit, die mit der Massemesseinrichtung verbunden ist, um die Masseinformationen des Quellenbehälters zu empfangen; und eine Quellenzufuhreinrichtung, die mit der Steuereinheit verbunden ist und die ein Quellenzufuhrsignal, das von der Steuereinheit gemäß den Masseinformationen des Quellenbehälters erzeugt wird, empfängt, um dadurch dem Quellenbehälter ein Quellenmaterial zuzuführen, wobei die Massemesseinrichtung außerhalb der Kammer angeordnet ist.
  8. Vakuumverdampfer nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Wärmeisolator durch die Wand der Kammer senkrecht mit der Unterseite des Innenbads verbunden ist.
DE102008015078A 2007-12-21 2008-03-19 Vakuumverdampfer Expired - Fee Related DE102008015078B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2007-0135557 2007-12-21
KR1020070135557A KR100984148B1 (ko) 2007-12-21 2007-12-21 소스량 제어가 가능한 진공증착장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102008015078A1 DE102008015078A1 (de) 2009-06-25
DE102008015078B4 true DE102008015078B4 (de) 2012-02-16

Family

ID=40690055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102008015078A Expired - Fee Related DE102008015078B4 (de) 2007-12-21 2008-03-19 Vakuumverdampfer

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2009149968A (de)
KR (1) KR100984148B1 (de)
DE (1) DE102008015078B4 (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012246534A (ja) * 2011-05-27 2012-12-13 Nec Corp 蒸着装置
DE102012109626A1 (de) * 2012-10-10 2014-04-10 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur langzeitstabilen Beschichtung mittels Verdampfung
US10184169B2 (en) 2012-10-19 2019-01-22 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Method for supplying deposition material, method for producing substrate, control device and deposition device
CN104278249A (zh) * 2013-07-02 2015-01-14 上海和辉光电有限公司 坩埚材料量检测装置、方法及蒸镀机
CN108385077A (zh) * 2018-03-02 2018-08-10 中国计量大学 一种能够实时间接监控膜层厚度的镀膜装置及镀膜方法
CN108531863B (zh) * 2018-05-09 2020-03-27 深圳市华星光电技术有限公司 补料装置及蒸镀设备
KR102302266B1 (ko) * 2021-05-06 2021-09-14 이주성 크롬 질화물(CrN)을 이용한 금형의 PVD 도금방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4262160A (en) * 1979-07-18 1981-04-14 Jersey Nuclear-Avco Isotopes, Inc. Evaporator feed
JPS6179763A (ja) * 1984-09-26 1986-04-23 Seiko Instr & Electronics Ltd 蒸着装置
DE4404550A1 (de) * 1994-02-12 1995-08-24 Leybold Ag Anordnung zur Regelung der Verdampferrate von Tiegeln
DE19605135C1 (de) * 1996-02-13 1997-04-17 Concordia Fluidtechnik Gmbh Elektromagnetventil
US5871805A (en) * 1996-04-08 1999-02-16 Lemelson; Jerome Computer controlled vapor deposition processes
EP1422313A1 (de) * 2002-11-05 2004-05-26 Theva Dünnschichttechnik GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Aufdampfen eines Beschichtungsmaterials im Vakuum mit kontinuierlicher Materialnachführung
DE102004047938A1 (de) * 2004-10-01 2006-04-13 Leybold Optics Gmbh Vorrichtung für die Beschichtung eines bandförmigen Substrates

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51135882A (en) * 1975-05-20 1976-11-25 Osaka Kouon Denki Kk Process for supplying continu ously evaporating substance
JPH03274264A (ja) * 1990-03-22 1991-12-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 溶融材料あるいは昇華性材料の重量監視装置及びその重量制御装置
JPH04301071A (ja) * 1991-03-28 1992-10-23 Kobe Steel Ltd 真空蒸着法
JP2001172762A (ja) * 1999-12-13 2001-06-26 Toyobo Co Ltd 真空蒸着装置
JP2002030419A (ja) * 2000-07-18 2002-01-31 Canon Inc 成膜装置および方法
JP2002235167A (ja) * 2001-02-06 2002-08-23 Toyota Motor Corp 真空蒸着装置
KR100727470B1 (ko) * 2005-11-07 2007-06-13 세메스 주식회사 유기물 증착 장치 및 방법
JP5081899B2 (ja) * 2007-03-26 2012-11-28 株式会社アルバック 蒸着源、蒸着装置、成膜方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4262160A (en) * 1979-07-18 1981-04-14 Jersey Nuclear-Avco Isotopes, Inc. Evaporator feed
JPS6179763A (ja) * 1984-09-26 1986-04-23 Seiko Instr & Electronics Ltd 蒸着装置
DE4404550A1 (de) * 1994-02-12 1995-08-24 Leybold Ag Anordnung zur Regelung der Verdampferrate von Tiegeln
DE19605135C1 (de) * 1996-02-13 1997-04-17 Concordia Fluidtechnik Gmbh Elektromagnetventil
US5871805A (en) * 1996-04-08 1999-02-16 Lemelson; Jerome Computer controlled vapor deposition processes
EP1422313A1 (de) * 2002-11-05 2004-05-26 Theva Dünnschichttechnik GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Aufdampfen eines Beschichtungsmaterials im Vakuum mit kontinuierlicher Materialnachführung
DE102004047938A1 (de) * 2004-10-01 2006-04-13 Leybold Optics Gmbh Vorrichtung für die Beschichtung eines bandförmigen Substrates

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090067786A (ko) 2009-06-25
KR100984148B1 (ko) 2010-09-28
DE102008015078A1 (de) 2009-06-25
JP2009149968A (ja) 2009-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102008015078B4 (de) Vakuumverdampfer
DE60305246T2 (de) Quelle zur thermischen PVD-Beschichtung für organische elektrolumineszente Schichten
DE3136798C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung dünner Oxidfilmschichten unter Verwendung der reaktiven Verdampfung
DE19738330A1 (de) Chemische Dampfabscheidungsvorrichtung und Abscheidungsverfahren für organische Metalle
WO2006069774A2 (de) Vakuumbeschichtungssystem
DE10224908B4 (de) Vorrichtung für die Beschichtung eines flächigen Substrats
DE1515300A1 (de) Vorrichtung zur Herstellung hochwertiger duenner Schichten durch Kathodenzerstaeubung
DE1290409B (de) Verfahren zur Erzeugung duenner Schichten aus Kadmiumsalzen durch Aufdampfen
WO2018189147A1 (de) Beschichtungsvorrichtung und verfahren zur reaktiven dampfphasenabscheidung unter vakuum auf einem substrat
DE2012077B2 (de) Einrichtung zum Vakuumaufdampfen von Legierungsschichten auf Trägerkörper
DE2612542A1 (de) Mit amorphem selen beschichtete perforierte unterlagen und verfahren zu ihrer herstellung
DE102008032256B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Abscheiden aus der Dampfphase mit Sputterverstärkung
DE102011078243B4 (de) Herstellungsverfahren für ein elektronisches Bauteil mit einem Schritt zur Einbettung einer Metallschicht
DE2834806A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum vakuumaufdampfen duenner schichten, insbesondere bei der herstellung von bildschirmen von katodenstrahlroehren
EP0490068B1 (de) Verfahren zum Zentrieren eines Elektronenstrahles
DE3239131A1 (de) Verfahren zur thermischen verdampfung von metallen im vakuum
DE102009037326A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur langzeitstabilen plasmaaktivierten Vakuumbedampfung
DE102017103746A1 (de) Elektronenstrahlverdampfer, Beschichtungsvorrichtung und Beschichtungsverfahren
DE10051509A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsystems
DE1621295C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Bedecken von Substraten durch Bedampfen
DE112008000544B4 (de) Schichtabscheidevorrichtung und Schichtabscheideverfahren
DE102008037944B4 (de) Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten Abscheiden von leitfähigem Material
DE10341914B4 (de) Einrichtung zur Herstellung dünner Schichten und Verfahren zum Betreiben der Einrichtung
DE4421045C2 (de) Einrichtung zur plamagestützten Beschichtung von Substraten, insbesondere mit elektrisch isolierendem Material
DE2460827C3 (de) Verfahen zum Herstellen einer dielektrischen Schicht über einer Metallisierungsschicht

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final

Effective date: 20120517

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20131001