DE112004000641T5

DE112004000641T5 - Neuer blauer Phosphor und Verfahren zur Herstellung desselben

Info

Publication number: DE112004000641T5
Application number: DE112004000641T
Authority: DE
Inventors: Gyun-Joong Kim; Tae-Hyun Kwon; Kwang-Wook Choi; Won-Kyoung Oh; Min-Soo Kang; Se-Hwa Kim
Original assignee: LG Chem Investment Co Ltd
Current assignee: Dae Joo Electronic Materials Co Ltd
Priority date: 2003-12-23
Filing date: 2004-12-22
Publication date: 2006-04-06
Also published as: CN100386404C; US20050179009A1; JP4473259B2; JP2007528426A; TW200526081A; CN1791658A; TWI264245B; KR100553216B1; WO2005061658A1; KR20050064449A

Abstract

Blauer BAM [(M^II,Eu²⁺)MgAl₁₀O₁₇]-Phosphor, in dem eine Magnetoplumbitphase epitaktisch als Schutzfilm auf der β-Phase eines blauen BAM-Phosphors ausgebildet ist.

Description

Hintergrund der Erfindung
1. Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen neuen blauen Bariummagnesiumaluminat (BAM)-Phosphor und auf ein Verfahren zur Herstellung desselben. Die vorliegende Erfindung bezieht sich insbesondere auf einen blauen BAM-Phosphor, in dem eine Magnetoplumbitphase epitaktisch als Schutzfilm auf der β-Phase eines BAM-Phosphors ausgebildet ist.
2. Beschreibung des Standes der Technik
Bariummagnesiumaluminat (BAM; [(Ba,Eu²⁺)MgAl₁₀O₁₇]) wird als blau-emittierender Phosphor in PDPs (Plasma Display Panels = Plamsabildschirme) oder in Drei-Wellenlängen-Fluoreszenzlampen verwendet.
Allerdings ist gut bekannt, dass ein BAM-Phosphor während einer Hitzebehandlung bei der Herstellung von Anwendungsprodukten einem Luminanzabbau unterliegt oder bei der Verwendung von Anwendungsprodukten unter Gasentladung einem Luminanzabbau unterliegt. Im erstgenannten Fall wird z.B. der Luminanzabbau eines BAM-Phosphors während eines Binder Burn-Out (BBO)-Prozesses (bei 450 bis 510°C für PDPs und bei 700-750°C für Fluoreszenzlampen) oder während der Kopplung unterer und oberer Platten bei etwa 450°C bei der Herstellung von PDPs verursacht. Der BAM hat β-Aluminiumoxidstruktur und hat spezifischer eine abwechselnd gestapelte Schichtstruktur aus einer dicht gepackten MgAl₁₀O₁₆-Spinell-Schicht und einer (Ba,Eu)O-Schicht relativ niedriger Dichte, die "Leitungsschicht" genannt wird. Die Leitungsschicht hat Zwischenräume, die von kleinen Molekülen, wie z.B. Wassermolekülen, besetzt werden können.
Infolge einer solchen charakteristischen Struktur des BAM gibt es eine Änderung bei den Luminanzcharakteristika unter spezifischen Bedingungen, wie sie oben beschrieben wurden. Im Allgemeinen wird die Änderung bei den Luminanzcharakterista als "Luminanzabbau" bezeichnet, da sie in der Richtung erfolgt, welche die Leistungsfähigkeit eines BAM-Phosphors reduziert. Luminanzabbau ist durch eine Abnahme der Emissionseffizienz und eine Änderung der Emissionsfarbe charakterisiert. Vor kurzem wurden viele Berichte über die wissenschaftliche Untersuchung der Gründe des Luminanzabbaus eines BAM-Phosphors veröffentlicht und gleichzeitig wurden viele Anstrengungen unternommen, um den Luminanzabbau zu minimieren.
Erstens, bezüglich des thermischen Luminanzabbaus wurde hauptsächlich die Abnahme der Emissionseffizienz durch Oxidation eines BAM-Phosphors, d.h. Oxidation eines Eu²⁺-Aktivators zu Eu³⁺, durch Sauerstoff in Luft oder Wasser während einer Hitzebehandlung [S. Oshio et al., Journal of the Electrochemical Society, 145 (11), 3903,1998] und die Abnahme der Emissionseffizienz und die Änderung der Emissionsfarbe durch Infiltration von Wassermolekülen in die Kristallstruktur eines BAM-Phosphors [T. H. Kwon et al., Proceedings of Asia Display/IDW 01, 1051 ; T. H. Kwon et al., Journal of the Society for Information Display, 10 (3), 241,2002] beschrieben.
Zweitens, bezüglich des Luminanzabbaus durch Gasentladung wurden die Abnahme der Emissionseffizienz oder die Änderung der Emissionsfarbe infolge einer Schädigung der Kristallstruktur eines BAM-Phosphors durch physikalische Kollision des Phosphors mit ultraviolettem Licht (UV) oder ionisierten Gasen, die bei Entladung erzeugt werden, beschrieben [M. Ishimoto et al., Extended Abstracts of the Fifth International Conference on the Science and Technology of Display Phosphors (San Diego, California, 1999), S. 361, 364 ; S. Tadaki et al., SID International Symposium Digest Tech. Papers, 418.421, 2001].
Der Luminanzabbau eines BAM-Phosphors verringert die Qualität von Anwendungsprodukten. Zur Lösung dieses Problems wurden viele Anstrengungen beschrieben. Beispielsweise offenbart die Japanische Offenlegungsschrift Nr. 2003-82345 eine Verbesserung des Luminanzabbaus, der Chromatizitätsänderung und der Entladungscharakteristika eines BAM-Phosphors, basierend auf der Annahme, dass Sauerstoffmangel in einer Leistungsschicht des BAM-Phosphors die Hauptursache für den Abbau des BAM-Phosphors ist und dass eine Eliminierung des Sauerstoffmangels die Adsorption von Wasser oder CO₂ am BAM-Phosphor verhindert; dadurch werden Luminanzabbau, Chromatizitätsänderung und Entladungscharakteristika des BAM-Phosphors verbessert. Detailliert ausgedrückt, die Verbesserung des Luminanzabbaus, der Chromatizitätsänderung und der Entladungscharakteristika eines BAM-Phosphors kann durch partielle Oxidation von Eu²⁺-Ionen in Eu³⁺-Ionen ohne Zusatz einer getrennten Verbindung oder durch Bildung eines Oxidfilms oder eines Fluoridfilms durch Addition von Al, Si oder La erreicht werden. Die Japanische Offenlegungsschrift Nr. 2003-82344 offenbart ein Verfahren zur Verbesserung des Abbaus eines BAM-Phosphors durch Erhöhung der positiven Ladungen durch Einsatz eines vierwertigen Elements (Ti, Zr, Hf, Si, Sn, Ge oder Ce) für Al oder Mg in einer Spinell-Schicht des BAM-Phosphors, um Sauerstoffmangel in einer Leitungsschicht des BAM-Phosphors zu eliminieren, was ein Hauptgrund für den Phosphorabbau ist, der in der Japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2003-82345 nahe gelegt wird. Die Japanische Offenlegungsschrift Nr. 2003-282343 offenbart ein Verfahren zur Verhinderung des Luminanz-Abbaus eines BAM-Phosphors durch Beschichten des BAM-Phosphors mit einem Oxid, z.B. SiO₂, Al₂O₃, ZnO, MgAl₂O₄, Ln₂O₃, LaPO₄ und Zn₂SiO₄, oder Fluorids wie z.B. Si(OF)₄, La(OF)₃ und Al(OF)₃, gefolgt von einem Erhitzen bei 300 bis 600°C in Luft, um die Adsorption von Wasser oder CO₂ am BAM-Phosphor durch Sauerstoffmangel in einer Leitungsschicht des BAM-Phosphors zu verhindern.
Inzwischen offenbarte die Japanische Offenlegungsschrift Nr. 2002-348570 eine Hitzebehandlung eines blau-emittierenden, siliciumhaltigen BAM-Phosphors bei 500 bis 800°C in Luft, um die Abbaucharakteristika des BAM-Phosphors durch Vakuumultraviolett (VUV)-Strahlung zu erhöhen. Die Koreanische Offenlegungsschrift Nr. 2003-14919 offenbart eine Technik der Minimierung des Abbaus eines BAM-Phosphors durch selektive Oberflächenbehandlung (Beschichtung) des BAM-Phosphors, d.h. eine Technik der Verhinderung des thermischen Abbaus eines BAM-Phosphors durch die selektive chemische Oberflächenbehandlung von nur einer Kristallebene parallel zur c-Achse des Phosphorkristalls, die auf der Annahme basiert, dass ein thermischer Abbau eines BAM-Phosphors durch Feuchtigkeitsinfiltration in die Kristallstruktur des BAM-Phosphors während eines Hochtemperaturbehandlungsprozesses bei der Herstellung von Plasma-Bildschirmen, z.B. eines BBO-Prozesses oder eines Kopplungsprozesses von unteren und oberen Platten, verursacht wird. Die Koreanische Offenlegungsschrift Nr. 2002-0025483 offenbart eine Technik zur Verhinderung des Abbaus eines BAM-Phosphors durch kontinuierliches Auftragen von SiO₂ zu einer Dicke von 5 bis 40 nm auf eine Oberfläche des BAM-Phosphors; das US-Patent Nr. 5,998,047 offenbart eine Technik zur Verhinderung des Abbaus eines BAM-Phosphors durch UV, indem der BAM-Phosphor mit Catena-Polyphosphaten beschichtet wird; die Japanische Offenlegungsschrift Nr. 2000-303065 offenbart eine Technik zur Verhinderung des thermischen Abbaus eines blau-emittierenden BAM-Phosphors, der ein VUV-Phosphor ist, indem der Phosphor mit Ba- oder Sr-Verbindungen, wie Boraten, Phosphaten, Silikaten, Halogen, Nitraten, Sulfaten und Carbonaten, beschichtet wird; und die Japanische Offenlegungsschrift Nr. 2002-080843 offenbart eine Technik zur Verhinderung des Abbaus eines ersten BAM-Phosphors durch Beschichten des ersten BAM-Phosphors mit einem zweiten BAM-Phosphor, der UV-Licht emittiert, das den ersten BAM-Phosphor anregt.
Der oben beschriebene Stand der Technik kann in zwei Kategorien eingeteilt werden: Hitzebehandlung eines blau-emittierenden BAM-Phosphors mit leichter Zusammensetzungsänderung in Luft, um den Abbau durch VUV-Strahlung zu reduzieren, und Oberflächenbehandlung eines blau-emittierenden BAM-Phosphors ohne Zusammensetzungsänderung. Für die zuerst genannte Technik wird eine Aufrechterhaltung der Luminosität genannt, allerdings wird keine Änderung der Emissionsfarbe in Betracht gezogen. Da insbesondere nur eine Verhinderung des Abbaus durch VUV-Strahlung in Betracht gezogen wird, gibt es keine Angaben über eine Verbesserung des Abbaus, der bei einer tatsächlichen Bildschirmproduktion verursacht werden kann. Andererseits ist die zuletzt genannte Technik eine Technik zur Verhinderung eines Abbaus durch Ausbildung eines Schutzfilms auf einer Oberfläche eines BAM-Phosphors und kann in die Bildung eines Schutzfilms auf einem Oberflächenteils eines BAM-Phosphors (z.B. Koreanische Offenlegungsschrift Nr. 2003-14919) und die Bildung eines Schutzfilms auf der gesamten Oberfläche eines BAM-Phosphors untergruppiert werden.
Die Bildung eines Schutzfilms auf der gesamten Oberfläche eines BAM-Phosphors induziert eine Veränderung der Emissionseffizienz entsprechend der Beschichtungsmenge. Eine Verringerung der Emissionseffizienz erhöht sich, wenn die Beschichtungsmenge zunimmt. Wenn andererseits die Beschichtungsmenge abnimmt, kann die Verhinderung des Abbaus eines BAM-Phosphors unzureichend sein. Außerdem dient ein Beschichtungsmaterial als Schutzfilm, dient aber auch als Bindemittel, wodurch die Agglomeration von Phosphorpartikeln verursacht wird. Die agglomerierten Phosphorpartikel können in Folge der schlechten Dispersionseigenschaften bei der tatsächlichen Verwendung keinen einheitlichen Beschichtungsfilm bilden und können eine Änderung bei den Luminanzcharakteristika verursachen, d.h. eine Verringerung der Emissionseffizienz und eine Änderung bei der Emissionsfarbe in Folge einer chemischen Reaktion zwischen einem Beschichtungsmaterial und Phosphorpartikeln bei hoher Temperatur; dadurch wird der Abbau eines BAM-Phosphors verursacht. Darüber hinaus ist der oben beschriebene Schutzfilm ein einfacher physikalischer Beschichtungsfilm ohne chemische Bindung zwischen einem BAM-Phosphor und einem Beschichtungsmaterial. Daher ist der Schutzfilm bei einer tatsächlichen Anwendung durch mechanische Schädigung verletzbar, wodurch der Abbau von BAM-Phosphor verursacht wird.
Zur Lösung dieser Probleme eines blau-emittierenden BAM-Phosphors mit Zusammensetzungsänderung zur Verbesserung lediglich der Luminositätsaufrechterhaltung und eines blau-emittierenden BAM-Phosphors, der mit einem einfachen Schutzfilm ohne Zusammensetzungsänderung für eine gewünschte Emissionsfarbe beschichtet ist, entwickelte der Erfinder der vorliegenden Erfindung einen neuen blauen BAM-Phosphor, bei dem nur eine spezifische Kristallebene eines BAM-Phosphors, d.h. nur eine Kristallebene parallel zur c-Achse des BAM-Phosphors, selektiv durch eine Magnetoplumbitstruktur, die chemisch an den BAM-Phosphor gebunden ist und physikalisch-chemisch der β-Aluminiumoxid-Struktur des BAM-Phosphors sehr ähnlich ist, oberflächenmodifiziert wird, und hat somit die vorliegende Erfindung vollendet.
Zusammenfassung der Erfindung
In Anbetracht dieser Probleme stellt die vorliegende Erfindung einen neuen blauen BAM-Phosphor bereit, in dem eine Magnetoplumbitphase epitaktisch als Schutzfilm auf der β- Phase eines blauen BAM-Phosphors ausgebildet ist; und sie stellt einen hochqualitativen Plasmadisplay-Bildschirm (PDP) unter Verwendung des blauen BAM-Phosphors bereit, der hohe Luminosität und einen breiten Farbbereich hat, gegenüber einer mechanischen Schädigung unverwundbar ist und ein einheitliches Bild erzeugen kann.
Nach einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein neuer blauer BAM-Phosphor bereitgestellt, in dem eine Magnetoplumbitphase epitaktisch als Schutzfilm auf der β-Phase eines BAM[(M^II,Eu²⁺)MgAl₁₀O₁₇]-Phosphors ausgebildet ist.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Die 1 und 2 sind transmissionselektronenmikroskopische (TEM) Bilder eines blau-emittierenden Bariummagnesiumaluminat (BAM)-Phosphors mit einer zu dicken Magnetoplumbit (MP)-Phase, wobei zwischen der MP-Phase und der β-Phase des BAM-Phosphors eine Grenzfläche ausgebildet ist und in der MP-Phase Nano-Risse ausgebildet sind; und
3 sind Emissionsspektren vor und nach einem Feuchtigkeitsbeständigkeitstest.
Detaillierte Beschreibung der Erfindung
Nachfolgend wird die vorliegende Erfindung im Detail beschrieben.
Detaillierter ausgedrückt, die vorliegende Erfindung betrifft einen blauen BAM-Phosphor, in dem eine Magnetoplumbit (MP)-Phase auf der Oberfläche eines Bariummagnesiumaluminat (BAM)-Phosphors mit β-Aluminiumoxidphase mit oder ohne Zusatz eines MP-Phase-bildenden Materials, das fähig ist, chemisch an die Oberfläche des BAM-Phosphors zu binden, ausgebildet ist, d.h., die MP-Phase ist epitaktisch auf der β-Aluminiumoxid phase gewachsen. Ein derartiges epitaktisches Wachstum wird durch ähnliche Kristallstruktur und sehr ähnliche Gitterkonstante zwischen der β-Aluminiumoxidphase und der MP-Phase erreicht [J.M.P.J. Verstegen et al., Journal of Luminescence, 9, 406.414, 1974 ; N. Iyi et al., Journal of Solid State Chemistry, 83, 8.19,1989 ; ibid, 47,34, 1983].
MP ist ein Material, das eine Kristallstruktur hat, die β-Aluminiumoxid sehr ähnlich ist, und kann durch die Formel 1 unten dargestellt werden: M₁ ^(II)M'^(III) ₁₂O₁₉, <Formel 1>worin M₁ ^(II) Ca, Sr, Pb oder Eu ist und M'^(III) Al, Ga oder eine Kombination davon ist.
Das MP kann auch durch die Formel 2 unten dargestellt werden: M₂ ^(III)M''^(II)M'^(III) ₁₂O₁₉, <Formel 2>worin M₂ ^(III) ein Lanthanidmetall, z.B. La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu und Gd ist, M''^(II) Ni, Co, Fe, Mn oder Mg ist und M'^(III) Al, Ga oder eine Kombination davon ist.
Das MP kann auch durch die Formel III unten dargestellt werden: M₃ ^(III)M'^(III) ₁₁O₁₈, <Formel 3>worin M₃ ^(III) La, Ce oder eine Kombination davon ist und M'^(III) Al, Ga oder eine Kombination davon ist.
Insbesondere ist nur eine Kristallebene parallel zur c-Achse des BAM-Phosphors durch die MP-Phase selektiv chemisch oberflächenmodifiziert.
Im Folgenden wird die vorliegende Erfindung mit der Maßgabe beschrieben, dass M'^(III) zu Erläuterungszwecken Al ist.
Die MP-Struktur unterscheidet sich von der β-Aluminiumoxidstruktur nur bezüglich einer Leitungsschicht. Was die β-Aluminiumoxidstruktur angeht, so ist die Konfiguration von Atomen, die eine M^(II)O-Leitungsschicht bilden, d.h. M^(II) und Sauerstoffatome, weniger dicht, und somit gibt es Zwischenräume zwischen den Konstitutionsatomen. Allerdings hat die MP-Struktur eine M^(III)AlO₃-Leitungsschicht, die aus mehr Atomen besteht und somit eine dicht gepackte Struktur ohne Zwischenräume bildet [N. Iyi et al., Journal of Solid State Chemistry, 26, 385, 1983; T. Gbehi et al., Materials Research Bulletin, 22, 21. 129, 1987]. Daher zeigt die MP-Struktur weniger Wahrscheinlichkeit einer Infiltration von kleinen Molekülen, z.B. Wassermolekülen, in ihre Leitungsschicht und weist bei hoher Temperatur keine hohe ionische Leitfähigkeit auf, und zwar anders als die β-Aluminiumoxidstruktur.
Der neue blaue BAM-Phosphor gemäß der vorliegenden Erfindung liefert die folgenden Vorzüge und Effekte.
Erstens, der blau-emittierende Phosphor der vorliegenden Erfindung weist kaum einen Abbau des Phosphors auf, wenn er auf Produkte wie z.B. PDPs angewendet wird, d.h. wenn bei der Herstellung von PDPs eine Hochtemperaturbehandlung durchgeführt wird. Da eine chemische Bindung zwischen einem Schutzfilm und BAM-Phosphor-Partikeln bei einer höheren Temperatur durchgeführt wird, d.h. bei einer Temperatur oberhalb einer Hitzebehandlungstemperatur, die bei der Herstellung eines Anwendungsproduktes erforderlich ist, ist die Emissionsfarbe des blau-emittierenden Phosphors der vorliegenden Erfindung fast dasselbe Blau oder ein tieferes Blau als das eines herkömmlichen blau-emittierenden BAM-Phosphors mit nur β-Aluminiumoxidstruktur. Daher ist der blau-emittierende Phosphor der vorliegenden Erfindung ein hoch qualitativer Phosphor, der keinen Abbau von Luminanzcharakteristika aufweist, selbst wenn er bei hoher Temperatur, z.B. über 400°C, eingesetzt wird.
Bei der PDP-Herstellung beispielsweise unterliegt der blau-emittierende Phosphor der vorliegenden Erfindung keinem Luminanzabbau durch Feuchtigkeitsinfiltration in die Kristallstruktur des Phosphors bei hoher Temperatur (400 bis 510°C) und weist somit keine Abnahme der Emissionseffizienz und der Emissionsfarbreinheit, d.h, die Änderung bei der Emissionsfarbe (Erhöhung des y-Werts bei den C.I.E.-Farbkoordinaten) von tief-blau nach grünlich-blau, auf. Daher wird die Herstellung eines hoch qualitativen PDP mit hoher Luminosität und breitem Farbbereich erreicht.
Zweitens, Bilder, die durch ein PDP, das den blau-emittierenden Phosphor der vorliegenden Erfindung enthält, erzeugt werden, sind bezüglich der Leistungsreduktion mit der Zeit, d.h. Verringerung der Leuchtkraft und colorimetrische Verschiebung, im Vergleich zu denen, die durch ein PDP, das einen herkömmlichen blau-emittierenden BAM-Phosphor enthält, deutlich verbessert. Daher kann ein Anwendungsprodukt, das den blau-emittierenden Phosphor der vorliegenden Erfindung verwendet, eine lange Lebenszeit haben.
Drittens, der blau-emittierende Phosphor der vorliegenden Erfindung hat eine starke chemische Bindung zwischen der als Schutzfilm verwendeten MP-Phase und der β-Phase des BAM-Phosphors. Dadurch wird eine starke Beständigkeit gegenüber mechanischer Schädigung sichergestellt, was im Gegensatz zu einem herkömmlichen BAM-Phosphor mit einem einfachen Schutzfilm steht. Daher tritt keine mechanische Schädigung auf, die bei tatsächlichen Verwendung eines Phosphors involviert sein kann, dadurch wird die Herstellung eines hoch qualitativen Anwendungsprodukts sichergestellt.
Viertens, der blau-emittierende Phosphor der vorliegenden Erfindung erleidet keine Agglomeration zwischen Phosphorpartikeln, dadurch wird eine gute Dispergierbarkeit sichergestellt, wenn er verwendet wird. Daher kann ein einheitlicher Phosphorfilm gebildet werden, was eine einheitliche Bilderzeugung über den gesamten Schirm eines Anwendungsproduktes, z.B. eines PDP, sicherstellt.
Die vorliegende Erfindung stellt auch ein Verfahren zur Herstellung eines neuen blauen BAM-Phosphors bereit.
Detaillierter ausgedrückt, die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung eines blauen BAM-Phosphors bereit, in dem eine MP-Phase chemisch an die β-Phase eines BAM-Phosphors gebunden ist. Das Herstellungsverfahren für den blau-emittierenden Phosphor kann grob in zwei Kategorien eingeteilt werden: einfache Oberflächenrestrukturierung der β-Phase des BAM-Phosphors ohne Zusatz einer getrennten Verbindung und Beschichten der β-Phase mit einer MP-Phase-bildenden Zusammensetzung, gefolgt von einer Hochtemperaturbehandlung zur chemischen Bindung zwischen den zwei Phasen.
Typische Herstellungsverfahren für blau-emittierenden Phosphor gemäß der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend beschrieben.
(Verfahren I)
Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung eines blau-emittierenden Phosphors bereit, das Erhitzen eines BAM-Phosphors mit β-Phase unter einer oxidierenden Atmosphäre ohne Zusatz einer getrennten Verbindung unter Bildung einer MP-Phase umfasst.
Das Verfahren I wird durch das folgende Schema vereinfacht dargestellt. <Schema 1>
worin M für Ca, Sr, Ba oder eine Kombination davon steht, das O₂/N₂-Verhältnis 0,01 bis 100 %, vorzugsweise 0,01 bis 10 und bevorzugter 0,1 bis 5 % ist, T die Erhitzungstemperatur ist, die im Bereich von 800 bis 1200°C, vorzugsweise von 950 bis 1050°C liegt, und t die Erhitzungszeit ist, die im Bereich von 1 Minute bis 10 Stunden und vorzugsweise von 0,5 bis 3 Stunden liegt. Das Erhitzen kann optimalerweise durchgeführt werden, indem die Menge des β-Phasen-BAM-Phosphors, das O₂/N₂-Verhältnis, die Erhitzungstemperatur und die Dauer des Erhitzens eingestellt werden.
Der Satz "das Erhitzen kann optimal durchgeführt werden", wie er hier verwendet wird, gibt an, dass eine Oxidation minimiert werden kann, so dass die Reduktion der Emissionseffizienz des BAM-Phosphors mit β-Phase minimiert wird und die MP-Phase in ausreichender Weise als Schutzfilm wirkt. Das heißt, der Satz "das Erhitzen kann optimal durchgeführt werden", zeigt an, dass das Erhitzen so durchgeführt werden kann, dass eine Minimierung der Reduktion der Emissionseffizienz und die beste Funktion der MP-Phase als Schutzfilm gewährleistet werden. Die so gebildete MP-Phase hat eine Dicke von 0,5 bis 5 nm, vorzugsweise 0,5 bis 2 nm. Wenn die Dicke der MP-Phase zu dick ist, ist das Gitter zwischen der β-Phase und der MP-Phase nicht passend, es werden insbesondere Nano-Risse entlang der c-Achse (vertikale Ebene bezüglich einer Leitungsschicht) verursacht. Daher kann die Funktion der MP-Phase als Schutzfilm schlecht sein, was es unmöglich macht, eine Abbauverhinderung effizient durchzuführen. 1 und 2 zeigen transmissionselektronenmikroskopische (TEM)-Aufnahmen eines blau-emittierenden BAM-Phosphors mit einer zu dicken MP-Phase. Was die 1 und 2 angeht, so ist die MP-Phase auf einer Kristallebene parallel zur c-Achse des BAM-Phosphors ausgebildet und Nano-Risse mit einer Breite von 5 nm und einer Tiefe von 12 nm sind in 60 nm-Intervallen entlang der c-Achse ausgebildet. In diesem Fall ist die Gitterkonstante der β-Phase wie folgt: a = b = 5,65 Å und c = 22,8 Å, und die Gitterkonstante der MP-Phase ist wie folgt: a = b = 5,71 Å und c = 22,0 Å, was in dem vorher beschriebenen Bereich liegt und zeigt, dass die MP-Phase epitaktisch auf der β-Phase ausgebildet ist. Es wird beurteilt, dass die Nano-Risse gebildet werden, um Spannung an der Kristallstruktur infolge des Nichtpassens des Gitters zwischen der MP-Phase und der β-Phase zu entspannen. Diesbezüglich ist es zur Verhinderung der Bildung von Nano-Rissen bevorzugt, dass die MP-Phase eines blauen BAM-Phosphors eine Dicke von 0,5 bis 2 nm wie ein blauer BAM-Phosphor von Beispiel 1 hat, wie später beschrieben wird.
(Verfahren II): Bildung einer MP-Phase bei niedriger Temperatur (unter Verwendung von Metallfluorid)
(Verfahren II-1)
Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung eines blau-emittierenden Phosphors bereit, das Zusetzen von Metallfluorid zu einem BAM-Phosphor unter Erhalt eines Gemisches und Erhitzen des Gemisches unter einer oxidierenden Atmosphäre, in das O₂/N₂-Verhältnis im Bereich von 0,01 bis 100 % liegt, bei 650 bis 850°C für 0,5 bis 2 h unter Bildung einer MP-Phase umfasst.
Das Metallfluorid kann ein zweiwertiges Metallfluorid, z.B. MgF₂, ZnF₂ oder SnF₂, oder ein dreiwertiges Metallfluorid, z.B. AlF₃ oder GaF₃, sein. Das Metallfluorid wird in einer Menge von 0,001 bis 0,02 g, vorzugsweise 0,001 bis 0,01 g, bezogen auf 1 g des BAM-Phosphors, verwendet.
(Verfahren II-2)
Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung eines blau-emittierenden Phosphors bereit, das Austauschen von Ba- oder Eu-Ionen in einer Leitungsschicht eines BAM-Phosphors durch ein Kation (M), das zur Bildung einer MP-Phase fähig ist, und Erhitzen des ionisch ausgetauschten BAM-Phosphors unter einer oxidierenden Atmosphäre unter Bildung einer MP-Phase umfasst. Zu dieser Zeit wird zur Senkung der Erhitzungstemperatur Kationen (M)-fluorid, das zur Bildung einer MP-Phase fähig ist, verwendet. Wenn Metallfluorid, das Metallkation enthält, als Ionenaustauschmaterial verwendet wird, kann die Erhitzungstemperatur auf 650 bis 750°C reduziert werden.
Das Kation (M) ist Ca²⁺, Sr²⁺, Eu³⁺, La³⁺ oder Gd³⁺ und wird in einer Menge von 0,001 bis 0,02 g, bezogen auf 1 g des BAM-Phosphors, eingesetzt.
Genauer ausgedrückt, das Verfahren II-2 wird in zwei Kategorien eingeteilt: Ein Verfahren besteht darin, einen BAM-Phosphor mit einem Kationenfluorid (MF_x) in einem vorbestimmten Verhältnis zu mischen, und das andere Verfahren besteht darin, eine Stammlösung zu verwenden.
Für das Letztgenannte wird ein BAM-Phosphor mit einer Stammlösung vermischt. Die Stammlösung kann eine Fluoridstammlösung sein, die durch Zugeben einer NH₄F-Lösung zu einer wässrigen Kationennitrid-enthaltenden Lösung, M(NO₃)_xyH₂O, bezogen auf das Molverhältnis, hergestellt wird.
Das Verhältnis O₂/N₂ unter der oxidierenden Atmosphäre liegt im Bereich von 0,01 bis 100 %, und das Erhitzen wird für 0,5 bis 2 h bei 650 bis 850°C durchgeführt.
Der mit dem Kationenfluorid gemischte BAM-Phosphor wird unter einem Sauerstoffpartialdruck mit einer Geschwindigkeit von 10°C/min auf eine Temperatur im Bereich von 650 bis 750°C für 1,2 h erhitzt und dann mit einer Geschwindigkeit von 10°C/min abgekühlt, um einen neuen Phosphor mit Feuchtigkeitsbeständigkeit herzustellen.
Das Verfahren II-2 kann durch das folgende Schema 2 dargestellt werden. <Schema 2>

1) Ein BAM-Phosphor wird mit MF_x in einem vorbestimmten Verhältnis vermischt und bei 650 bis 750°C unter einem vorbestimmten Sauerstoffpartialdruck erhitzt.
2) Eine Fluoridstammlösung, die nach dem folgenden Reaktionsschema erhalten wird, kann auch anstelle von MF_x von 1) eingesetzt werden: M(NO₃)_xyH₂O + xNH₄F → MF_x + xNH₄NO₃ + yH₂O

(Verfahren II-3)
Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung eines blau-emittierenden Phosphors bereit, das Zusetzen von Metallfluorid und Metallnitrid zu einem BAM-Phosphor mit β-Phase unter Erhalt eines Gemisches und Erhitzen des Gemisches unter einer inerten Atmosphäre bei 650-750°C für 0,5 bis 2 h umfasst.
Das heißt, zur Herstellung eines blau-emittierenden Phosphors mit Feuchtigkeitsbeständigkeit, d.h. mit erhöhten Abbaucharakteristika, können das Verfahren II-1 (Verfahren unter Verwendung von Metallfluorid zur Senkung der Erhitzungstemperatur) und das Verfahren II-2 (Verfahren des Ionenaustauschs von Ba- oder Eu-Ionen in einer Leitungsschicht eines BAM-Phosphors durch ein Kation, das zur Bildung einer MP-Phase fähig ist) gleichzeitig eingesetzt werden.
Das Metallfluorid kann ein zweiwertiges Metallfluorid sein, z.B. MgF₂, ZnF₂ oder SnF₂ oder ein dreiwertiges Metallfluorid, z.B. AlF₃ oder GaF₃. Das Metallfluorid wird in einer Menge von 0,001 bis 0,02 g, bezogen auf 1 g des BAM-Phosphors, eingesetzt. Die Erhitzungstemperatur kann entsprechend der verwendeten Menge an MgF₂ oder AlF₃ eingestellt werden. Durch die Löslichkeit in Wasser kann AlF₃ eingestellt werden. Durch Löslichkeit in Wasser kann AlF₃ ein gleichmäßiges Gemisch mit einem BAM-Phosphor bilden. Wenn anstelle von MgF₂ oder AlF₃ eine Stammlösung verwendet wird, wird ein BAM-Phosphor mit einer Al(NO₃)₃·9H₂O- oder Mg(NO₃)₂·6H₂O-Stammlösung vermischt, und dann wird eine NHgF-Stammlösung zugesetzt, und zwar basierend auf dem Molverhältnis.
Ein Metallion, das ionisch auszutauschen ist, kann dann in Form einer Stammlösung, die durch L(NO₃)_x·yH₂O dargestellt wird, zugegeben werden. Hier ist L Ca^2+N, Sr²⁺, Eu³⁺, La³⁺ oder Gd³⁺ und wird in einer Menge von 0,001 bis 0,02 g, bezogen auf 1 g des BAM-Phosphors, verwendet.
Die Inertgasatmosphäre wird durch Stickstoff, Argon oder ein Mischgas derselben aufrechterhalten.
Nach dem Verfahren II-3 wird ein BAM-Phosphor mit den Zusatzmaterialien vermischt und getrocknet. Dann wird das Gemisch unter einer kontrollierten Inertgasatmosphäre mit einer Geschwindigkeit von 10°C/min bei einer Temperatur im Bereich von 650 bis 850°C für 0,5 bis 2 h erhitzt und dann mit einer Geschwindigkeit von 10°C/min abgekühlt, um einen blau-emittierenden Phosphor zu erhalten.
Das Verfahren II-3 verwendet gleichzeitig die Verfahren II-1 und II-2, um die Bildung einer MP-Phase zu erleichtern, und kann durch das folgende Schema dargestellt werden: <Schema 3>
Worin M Mg²⁺ oder Al³⁺ ist und L Ca²⁺, Sr²⁺ oder ein dreiwertiges Lanthanidmetall ist.

1) ein BAM-Phosphor wird mit MF_x und L(NO₃)_x·yH₂O in einem vorbestimmten Verhältnis (1 20 mmol/g BAM, vorzugsweise 18 mmol/g BAM für MF_x und 1 bis 10 mmol/g BAM, vorzugsweise 6 bis 9 mmol/g BAM für L(NO₃)_x·yH₂O) vermischt und dann unter Stickstoffatmosphäre oder einer inerten Atmosphäre bei 650 bis 850°C erhitzt.
2) MF_x und L(NO₃)_x·yH₂O von 1) können unter Verwendung der folgenden Stammlösungen hergestellt: M(NO₃)_xyH₂O, x(NH₄)F, L(NO₃)_wzH₂O

(Verfahren III)
Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung eines blau-emittierenden Phosphors bereit, das Zugeben eines MP-Phase-bildenden Materials zu einem BAM-Phosphor unter Erhalt eines Gemisches und Erhitzen des Gemisches unter einer inerten Atmosphäre umfasst.
Das MP-Phase-bildende Material wird erhalten, indem M₁X₃, M₂(NO₃)₂ und Al(OR)₃ vermischt werden. Hier ist M₁ ein Lanthanidmetall, z.B. Eu³⁺, Ce³⁺ oder La³⁺; X₃ ist Cl^– oder NO^3–, M₂ ist Mg²⁺ und OR ist Alkoxid. M₁ wird in einer Menge von 0,002 bis 0,05 mmol, bezogen auf 1 g des BAM-Phosphors, eingesetzt.
Die inerte Atmosphäre wird durch Stickstoff, Argon oder ein Gemisch des Gases derselben aufrechterhalten, und die Heiztemperatur liegt im Bereich von 800 bis 1000°C.
Das Verfahren III ist ein Verfahren zur Bildung einer MP-Phase als Schutzfilm auf dem BAM-Phosphor durch Erhitzen nach Zusatz eines MP-Phase-bildenden Materials und kann in einfacher Weise durch das folgende Schema 4 dargestellt werden. <Schema 4>
Im Folgenden wird die vorliegende Erfindung spezifisch durch Beispiele beschrieben. Allerdings werden die folgenden Beispiele nur zur Erläuterung angeführt, und demnach wird die vorliegende Erfindung durch diese nicht beschränkt und auch nicht auf diese beschränkt.
<Vergleichsbeispiel 1>
Ba, Eu, Mg und Al wurden in einem Molverhältnis von 0,9:0,1:1,0:10 vermischt, und es wird eine geeignete Menge an AlF₃ als Flussmittel zugesetzt. Dann wurde das Gemisch unter einer gemischten Gasatmosphäre aus Stickstoff und Wasserstoff (95:5, V/V) bei 1400°C für 2 Stunden calciniert.
Der so erhaltene calcinierte Körper wurde kugelvermahlen, mit Wasser gewaschen und getrocknet, wobei ein Phosphor mit der Zusammensetzung Ba_0,9Eu_0,1MgAl₁₀O₁₇ (BAM: Eu²⁺) erhalten wurde.
<Beispiel 1>
500 g BAM: Eu²⁺-Phosphor, der in Vergleichsbeispiel 1 hergestellt worden war, wurde in einen Tiegel gegeben, und es wurde nach dem folgenden Temperaturprofil eine Hitzebehandlung durchgeführt: Erhitzen mit einer Geschwindigkeit von 5°C/min unter einem gemischten Gas (N₂+O₂) (0,1 Vol.-%), Halten bei 1000°C für 2 h und Abkühlen mit einer Geschwindigkeit von 5°C/min, um einen gewünschten blauen BAM-Phosphor zu erhalten.
<Beispiel 2>
Ein Gemisch aus 500 g des BAM: Eu²⁺-Phosphors, hergestellt in Vergleichsbeispiel 1, und 1,25 g AlF₃ wurde in einen Tiegel gegeben, und es wurde eine Hitzebehandlung nach dem folgenden Temperaturprofil durchgeführt: Erhitzen unter einem gemischten Gas (2,5 Gew.-% Luft/N₂+Luft) mit einer Geschwindigkeit von 5°C/min, Halten bei 750°C für 1 h und Abkühlen mit einer Geschwindigkeit von 5°C/min unter Erhalt eines gewünschten blauen BAM-Phosphors.
<Beispiel 3>
1 g des BAM: Eu²⁺-Phosphors, der in Vergleichsbeispiel 1 hergestellt worden war, 0,2927 mmol (0,0608 g) Aluminiumisopropoxid (Al(OⁱPr)₃), 0,0035 mmol (0,00152 g) Cernitrat (Ce(NO₃)₃(6H₂O)) und 0, 0215 mmol (0, 0093 g) Lanthannitrat (La(NO₃)₃(6H₂)) wurden in 10 ml destilliertem Wasser gerührt, und zur Entfernung des Lösungsmittels erhitzt. So erhaltene Phosphorpulver wurden auf 900°C unter einer Stickstoffatmosphäre mit einer Geschwindigkeit von 10°C/min für 2 h erhitzt, um einen gewünschten blauen BAM-Phosphor zu erhalten.
<Experimentelles Beispiel 1> Abbautest für blau-emittierenden Phosphor
Die Funktion eines Schutzfilms wurde in relativer Weise beurteilt, indem der Grad der Reduktion der Luminanzcharakteristika (thermischer Abbau) durch Feuchtigkeitsinfiltration in eine Leitungsschicht eines blau-emittierenden Phosphors gemessen wurde. Es wurde beurteilt, dass, wenn der Reduktionsgrad bei den Luminanzcharakteristika abnimmt, die Funktion eines Schutzfilms ausgezeichnet ist.
Dieser Test wurde nach den folgenden Bedingungen auf der Basis es öffentlich bekannten Dokuments durchgeführt [T.H. Kwon et al., Proceedings of Asia Display/IDW 01, 1051; T.H. Kwon et al., Journal of the Society for Information Display, 10 (3), 241, 2002]. – Feuchtigkeitsbeständigkeitstest-Bedingungen –

Heizgeschwindigkeit: 10°C/min

Haltetemperatur und -zeit: 450°C, 1 h

Abkühlgeschwindigkeit: 10°C/min

Testmenge: 5 g
Um die Zuverlässigkeit des Feuchtigkeitsbeständigkeitstests sicherzustellen, wurde ein Feuchtigkeitsbeständigkeitstest für den Phosphor von Beispiel 1 und 42" PDP unter Verwendung des Phosphors von Beispiel 1 durchgeführt, und die Resultate sind in Tabelle 1 bzw. 2 präsentiert. Wie in Tabelle 1 und 2 gezeigt ist, waren das 42" PDP und der Phosphor bezuglich der Emissionseffizienz und der Farbkoordinaten fast gleich. Diesbezüglich können Abbaucharakteristika des Phosphors der Beispiele in einfacher Weise vorausgesagt werden, selbst wenn der Phosphor nicht in PDPs eingebaut ist. Somit wird die Feuchtigkeitsbeständigkeit beschrieben werden, wobei sie als die Aufrechterhaltungsfähigkeit von Luminanzcharakteristika des Phosphors in Abbauumgebung angesehen wird. Tabelle 1
Tabelle 2
Die Luminanzcharakteristika-Resultate für den Phosphor, der in den Beispielen 1 bis 3 hergestellt wurde, die auf Feuchtigkeitsbeständigkeitstests basieren, sind in Tabelle 3 angegeben. Wie in Tabelle 3 gezeigt wird, weist der Phosphor, der in den Beispielen 1 bis 3 hergestellt wurde, relativ hervorragende Abbaucharakteristika auf, wenn man Vergleiche mit einem herkömmlichen blauen BAM-Phosphor anstellt. Tabelle 3

1) vor Feuchtigkeitsbeständigkeitstest für den Phosphor von Vergleichsbeispiel 1
2) Emissionseffizienz für den Phosphor von Vergleichsbeispiel 1 vor Feuchtigkeitsbeständigkeitstest ist 100 %.

Die Luminanzcharakteristika eines neuen blauen BAM-Phosphors der vorliegenden Erfindung weisen unterschiedliche Verstärkungen der Abbaucharakteristika entsprechend der zugesetzten Menge eines MP-Phase-bildenden Materials und einer Erhitzungstemperatur auf. Wenn die Erhitzungstemperatur weniger als 800°C ist oder die zugesetzte Menge eines MP-Phase-bildenden Materials weniger als 0,002 mmol/1 g BAM ist, ist die Erhöhung der Abbaucharakteristika unbedeutend. Es ist bevorzugt, dass die zugesetzte Menge eines MP-Phase-bildenden Materials nicht mehr als 0,002 mmol/1 g BAM (0,002 bis 0,05 mmol/1 g BAM) ist und das Erhitzen in einer Stickstoffatmosphäre bei 800°C oder mehr (Heizgeschwindigkeit: 10°C/min) über 1 h oder mehr durchgeführt wird. Wenn das Erhitzen bei 1000°C für 2 h oder mehr durchgeführt wird, nimmt die Feuchtigkeitsbeständigkeit eines blau-emittierenden Phosphors zu, allerdings nimmt auch die Reduktion der Emissionseffizienz infolge einer MP-Phase, die auf der β-Phase ausgebildet ist, zu.
Wie aus der obigen Beschreibung deutlich wird, ist ein Phosphor gemäß der vorliegenden Erfindung ein blau-emittierender Phosphor, in dem eine MP-Phase epitaktisch auf der β-Phase eines BAM-Phosphors ausgebildet ist. Daher hat der Phosphor der vorliegenden Erfindung eine hohe Luminosität und einen breiten Farbbereich, ist für eine mechanische Schädigung nicht verletzbar und kann ein einheitliches Bild erzeugen und ist damit bei der Herstellung eines hoch qualitativen PDP sehr nützlich.
ZUSAMMENFASSUNG
Bereitgestellt wird neuer blauer BAM-Phosphor und ein Herstellungsverfahren dafür. Beim blau-emittierenden Phosphor wird epitaktisch eine Magnetoplumbit-Phase als Schutzfilm auf der β-Phase eines blauen BAM-Phosphors gebildet. Der blau-emittierende Phosphor hat hohe Luminosität und einen breiten Farbbereich, ist gegenüber einer mechanischen Schädigung unverletzbar und kann einheitliche Bilder erzeugen und ist damit bei der Herstellung eines hoch qualitativen Plasma-Anzeigeschirms sehr nützlich.

Claims

Blauer BAM [(M^II,Eu²⁺)MgAl₁₀O₁₇]-Phosphor, in dem eine Magnetoplumbitphase epitaktisch als Schutzfilm auf der β-Phase eines blauen BAM-Phosphors ausgebildet ist.
Blau-emittierender Phosphor nach Anspruch 1, wobei M^II Ba, Ca, Sr oder eine Kombination davon ist und Al vollständig oder teilweise durch Ga ersetzt ist.
Blau-emittierender Phosphor nach Anspruch 1, wobei die Magnetoplumbit-Phase eine Zusammensetzung M₁ ²⁺Al₁₂O₁₉ hat, wobei, wenn M₁ ²⁺ Ca oder Sr ist, die Magnetoplumbit-Phase eine Zusammensetzung M₂ ³⁺MgAl₁₁O₁₉ hat, und wobei, wenn M₂ ³⁺ Eu, La, Gd; Ce oder eine Kombination davon ist, die Magnetoplumbit-Phase eine Zusammensetzung M₃ ³⁺Al₁₁O₁₈ hat und wobei, wenn M₃ ³⁺ La, Ce oder eine Kombination davon ist und Al vollständig oder teilweise durch Ga ersetzt ist.
Blau-emittierender Phosphor nach Anspruch 1, wobei nur eine Kristallebene parallel zu einer c-Achse des BAM-Phosphorkristalls durch die Magnetoplumbit-Phase selektiv chemisch oberflächenmodifiziert ist.
Verfahren zur Herstellung des blau-emittierenden Phosphors nach Anspruch 1, umfassend Erhitzen eines BAM-Phosphors mit β-Phase unter einer oxidierenden Atmosphäre ohne Zusatz einer getrennten Verbindung, um eine Magnetoplumbit-Phase zu bilden.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei das O₂/N₂-Verhältnis in der oxidierenden Atmosphäre im Bereich von 0,01 bis 100 % ist und das Erhitzen bei einer Temperatur von 800 bis 1200°C für 1 min bis 10 h durchgeführt wird.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Magnetoplumbit-Phase eine Dicke von 0,5 bis 5 nm hat.
Verfahren zur Herstellung des blau-emittierenden Phosphors nach Anspruch 1, umfassend Zugeben von Metallfluorid zu einem BAM-Phosphor unter Erhalt eines Gemisches und Erhitzen des Gemisches unter einer oxidierenden Atmosphäre, in der das O₂/N₂-Verhältnis im Bereich von 0,01 bis 100 % liegt, bei einer Temperatur von 650 bis 850°C für 0,5 bis 2 Stunden.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Metallfluorid zweiwertiges Metallfluorid ist, das aus der Gruppe bestehend aus MgF₂, ZnF₂ und SnF₂ ausgewählt ist, oder dreiwertiges Metallfluorid ist, das aus der Gruppe bestehend aus AlF₃ und GaF₃ ausgewählt ist.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Metallfluorid in einer Menge von 0,001 bis 0,02 g, bezogen auf 1 g des BAM-Phosphors, verwendet wird.
Verfahren zur Herstellung des blau-emittierenden Phosphors nach Anspruch 1, umfassend partielles Ionenaustauschen von Ba- oder Eu-Ionen in einem BAM-Phosphor mit β-Phase gegen Kationenfluorid, das fähig ist, eine Magnetoplumbit-Phase zu bilden, und Erhitzen des ionisch ausgetauschten BAM-Phosphors unter oxidierender Atmosphäre.
Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Kation Ca²⁺, Sr²⁺, Eu³⁺, La³⁺ oder Gd³⁺ ist und in einer Menge von 0,001 bis 0,02 g, bezogen auf 1 g BAM-Phosphor, verwendet wird.
Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Kationenfluorid hergestellt wird, indem eine NH₄F-Lösung zu einer Kationennitrid-enthaltenden wässrigen Lösung gegeben wird.
Verfahren nach Anspruch 11, wobei das O₂/N₂-Verhältnis in der oxidierenden Atmosphäre im Bereich von 0,01 bis 100 % liegt und das Erhitzen bei 650 bis 850°C für 0,5 bis 2 Stunden durchgeführt wird.
Verfahren zur Herstellung des blau-emittierenden Phosphors nach Anspruch 1, umfassend Zugeben von Metallfluorid und Metallnitrid zu einem BAM-Phosphor mit β-Phase unter Erhalt eines Gemisches und Erhitzen des Gemisches unter einer inerten Atmosphäre bei einer Temperatur von 650 bis 750°C für 0,5 bis 2 Stunden.
Verfahren nach Anspruch 15, wobei das Metallfluorid zweiwertiges Metallfluorid, das aus der Gruppe bestehend aus MgF₂, ZnF₂ und SnF₂ ausgewählt ist, oder dreiwertiges Metallfluorid, das aus der Gruppe bestehend aus AlF₃ und GaF₃ ausgewählt ist, ist.
Verfahren nach Anspruch 15, wobei ein Metallion des Metallnitrids Ca²⁺, Sr²⁺, Eu³⁺, La³⁺ oder Gd³⁺ ist und in einer Menge von 0,001 bis 0,02 g, bezogen auf 1 g BAM-Phosphor, verwendet wird.
Verfahren nach Anspruch 15, wobei die inerte Atmosphäre eine Stickstoffatmosphäre, eine Argonatmosphäre oder eine Mischgasatmosphäre ist.
Verfahren zur Herstellung des blau-emittierenden Phosphors nach Anspruch 1, umfassend Zusetzen von M₁X₃, M₂(NO₃)₂ und Al(OR)₃ zu einem BAM-Phosphor, um ein Gemisch zu erhalten, und Erhitzen des Gemisches unter einer inerten Atmosphäre.
Verfahren nach Anspruch 19, wobei M₁ ein Lanthanidmetall ist, das aus der Gruppe bestehend aus Eu³⁺, Ce³⁺ und La³⁺ ausgewählt ist, X₃ Cl^– oder NO^3– ist, M₂ Mg²⁺ ist und OR Alkoxid ist.
Verfahren nach Anspruch 19, wobei M₁ in einer Menge von 0,002 bis 0,05 mmol, bezogen auf 1 g BAM-Phosphor, verwendet wird.
Verfahren nach Anspruch 19, wobei die inerte Atmosphäre eine Stickstoffatmosphäre, eine Argonatmosphäre oder eine Mischgasatmosphäre davon ist und das Erhitzen bei einer Temperatur von 800 bis 1000°C durchgeführt wird.