DE1084758B - Transistorschalter mit zwei Transistoren zum Schalten von Spannungen groesser als die zugelassene Sperrspannung der einzelnen Transistoren - Google Patents
Transistorschalter mit zwei Transistoren zum Schalten von Spannungen groesser als die zugelassene Sperrspannung der einzelnen TransistorenInfo
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- DE1084758B DE1084758B DEL31415A DEL0031415A DE1084758B DE 1084758 B DE1084758 B DE 1084758B DE L31415 A DEL31415 A DE L31415A DE L0031415 A DEL0031415 A DE L0031415A DE 1084758 B DE1084758 B DE 1084758B
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
Um elektrische Kreise mit praktisch beliebiger Schaltgeschwindigkeit ein- und ausschalten zu können,
werden elektronische Schaltglieder benutzt.
Die bekannten Vorzüge der Schalttransistoren gegenüber Elektronenröhren, wie Erschütterungsfestigkeit,
lange Lebensdauer und Raumersparnis, machen die Anwendung der Schalttransistoren wünschenswert.
Die Anwendung von Transistoren als elektronische Schaltglieder wird durch die maximal zulässige
Sperrspannung derselben begrenzt, so daß die von einem Transistor geschaltete Betriebsspannung nicht
über den maximal zulässigen Sperrspannungswert des Transistors hinausgehen darf, da bei Überschreiten
der maximal zulässigen Sperrspannung der Transistor zerstört wird. Die Möglichkeit, mittels einfacher
Reihenschaltung mehrerer Transistoren durch Summation der für jeden einzelnen Transistor zugelassenen
Sperrspannung die zu schaltende Betriebsspannung erhöhen zu können, ist dadurch von Nachteil, daß sich
die inneren Widerstände der Transistoren auf Grund der Exemplarstreuung oder der unterschiedlichen
Aussteuerung stark unterscheiden können. Wird nämlich infolge einer Überschreitung der zulässigen Sperrspannung
ein Transistor zerstört, dann fällt die gesamte Betriebsspannung über den verbleibenden Transistoren
ab, so daß auch diese Transistoren der Reihenschaltung zerstört werden.
Die Erfindung betrifft die Schaltungsanordnung eines Transistorschalter mit zwei Transistoren zum
Schalten von Spannungen, größer als die zugelassene Sperrspannung der einzelnen Transistoren, und besteht
darin, daß die aus zwei Teilspannungsquellen 3 und 4 bestehende Betriebsspannungsquelle mit zwei
Transistoren 1 und 2 in Reihe geschaltet ist, daß zwischen den beiden Transistoren 1 und 2 der Verbraucher
7 liegt, daß zwischen Verbraucher 7 und Emitter des einen, 1, und Verbraucher 7 und Kollektor
des anderen Transistors 2 je ein Gleichrichter 5 bzw. 6 in Sperrichtung zum Verbindungspunkt
der beiden Teilspannungsquellen 3 und 4 gelegt ist und daß die Spannung jeder Teilspannungsquelle 3
bzw. 4 kleiner, ist als die zugelassene Sperrspannung des jeweils zugeordneten Transistors 1 bzw. 2.
An Hand der Figur, die ein Schaltungsbeispiel darstellt,
wird die Schaltungsanordnung und deren Wirkungsweise erläutert.
Die Betriebsspannungsquelle setzt sich aus den beiden Teilspannungsquellen 3 und 4 zusammen. Die
Spannung jeder einzelnen Teilspannungsquelle muß kleiner sein als die maximal zugelassene Sperrspannung
des zugeordneten Transistors. Die Spannung der Spannungsquelle 3 ist kleiner als die zugelassene
Sperrspannung des Transistors 1 und die Spannung Transistorschalter mit zwei Transistoren
zum Schalten von Spannungen
größer als die zugelassene Sperrspannung
der einzelnen Transistoren
Anmelder:
LICENTIA Patent -Verwaltungs -G.m.b.H., Frankfurt/M., Theodor-Stem-Kai 1
Walter Stübctien, Frankfurt/M.,
ist als Erfinder genannt worden
der Spannungsquelle 4 kleiner als die zugelassene Sperrspannung des Transistors 2. Über die Transistoren
1 und 2 fließen bei ungleichen inneren Widerständen verschiedene Restströme. Ist beispielsweise
der innere Widerstand des Transistors 1 kleiner als der des Transistors 2, so fließt über den Transistor 1
ein größerer Reststrom als über den Transistor 2. Der aus den Restströmen über den beiden Transistoren 1
und 2 resultierende Differenzstrom fließt über den Gleichrichter 6 und verändert die Spannung über den
Transistor 2 in der Weise, daß zu der Spannung der Spannungsquelle 4 der Spannungsabfall über dem
Gleichrichter 6 hinzukommt. Wenn der Innenwiderstand des Transistors 2 kleiner als der des Transistors
1 ist, dann ist der Reststrom über Transistor 2 größer als der über Transistor 1. Der Differenzstrom
fließt dann über den Gleichrichter 5, und damit liegt am Transistor 1 die Spannung der Spannungsquelle 3, vermehrt um den Spannungsabfall über dem
Gleichrichter 5, an. Damit ist jeweils eine Begrenzung der Spannung an den Transistoren gegeben.
Die Aussteuerung des Transistors 1 erfolgt zweckmäßig mittels einer Kippstufe 8, so daß der Emitter
des Transistors 1 das negative Potential der Spannungsquelle 3 annimmt und ein Strom von der Spannungsquelle
3 über den Gleichrichter 6, den Verbraucher 7 und den Transistor 1 zurück zur Spannungsquelle
3 fließen kann. Gleichzeitig wird der Transistor 2 über den Widerstand 10 ausgesteuert, da die
aus den beiden Teilspannungsquellen 3 und 4 kommende Betriebsspannung größer ist als die Zenerspannung
der Zenerdiode9. Nach der Aussteuerung des Transistors 2 liegt an dem Verbraucher 7 die gesamte
Betriebsspannung. Vom positiven Pol der Teilspannungsquelle 4 fließt über den Transistor 2, den
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Verbraucher 7, den Transistor 1 der gesamte Betriebsstrom zum negativen Pol der Teilspannungsquelle 3.
Wird der Transistor 1 über die Kippstufe 8 gesperrt, -dann liegt der Emitter desselben an dem Verbindungspunkt
der beiden Teilspannungsquellen 3 und 4 — auf dem negativen Potential der Teilspannungsquelle
4 bzw. dem positiven Potential der Teilspannungsquelle 3. Da die Zenerspannung der Zenerdiode
9 größer ist als die Spannung der Teilspannungsquelle 4, wird der Basisstrom des Transistors 2 Null,
so daß auch der Transistor 2 gesperrt ist.
Das in der Figur dargestellte Schaltungsbeispiel ist für pnp-Transistoren ausgeführt. Durch entsprechende
Umpolung der Spannungsquellen 3 und 4 und der stromrichtungsgebundenen Schaltelemente 5, 6 und 9
kann die Schaltungsanordnung auch mit npn-Transistoren ausgelegt werden.
Claims (4)
1. Transistorschalter mit zwei Transistoren zum Schalten von Spannungen größer als die zugelassene
Sperrspannung der einzelnen Transistoren, dadurch gekennzeichnet, daß die aus zwei Teilspannungsquellen
(3 und 4j bestehende Betriebsspannungsquelle mit zwei Transistoren (1 und 2) in
Reihe geschaltet ist, daß zwischen den beiden Transistoren (1 und 2) der Verbraucher (7) liegt,
daß zwischen Verbraucher (7) und Emitter des einen (1) und Verbraucher (7) und Kollektor des
anderen Transistors (2) je ein Gleichrichter (5 bzw. 6) in Sperrichtung zum Verbindungspunkt
der beiden Teilspannungsquellen (3 und 4) gelegt ist und daß die Spannung jeder Teilspannungsquelle
(3 bzw. 4) kleiner ist als die zugelassene Sperrspannung des jeweils zugeordneten Transistors
(1 bzw. 2).
2. Transistorschalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungsabfall, welchen
der Differenzstrom der Restströme beider Transistoren (1 und 2) in-Durchlaßrichtung über der
Diode (5 bzw. 6) hervorruft, die Sperrspannung an den Transistoren (1 und 2) begrenzt.
3. Transistorschalter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Aussteuerung des
Transistors (1) über eine Kippstufe (8), die Aussteuerung des Transistors (2) über einen Widerstand
(10) und eine Zenerdiode (9) erfolgt.
4. Transistorschalter nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Zenerspannung der Zenerdiode
(9) kleiner als die aus den beiden Spannungen der Teilspannungsquellen (3 und 4) bestehende
Betriebsspannung und größer als die Spannung der Teilspannungsquelle (4) ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEL31415A DE1084758B (de) | 1958-10-04 | 1958-10-04 | Transistorschalter mit zwei Transistoren zum Schalten von Spannungen groesser als die zugelassene Sperrspannung der einzelnen Transistoren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEL31415A DE1084758B (de) | 1958-10-04 | 1958-10-04 | Transistorschalter mit zwei Transistoren zum Schalten von Spannungen groesser als die zugelassene Sperrspannung der einzelnen Transistoren |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1084758B true DE1084758B (de) | 1960-07-07 |
Family
ID=7265562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEL31415A Pending DE1084758B (de) | 1958-10-04 | 1958-10-04 | Transistorschalter mit zwei Transistoren zum Schalten von Spannungen groesser als die zugelassene Sperrspannung der einzelnen Transistoren |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1084758B (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1146109B (de) * | 1961-03-29 | 1963-03-28 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zum Festlegen der an einem Transistor anliegenden Sperrspannung innerhalb einer Schaltstrecke |
DE1129534C2 (de) * | 1960-06-30 | 1973-07-12 | Siemens Ag | Elektronische Schaltanordnung fuer eine Schaltspannung, die hoeher als die maximal zulaessige Sperrspannung eines Schaltelementes ist |
FR2437113A1 (fr) * | 1978-09-21 | 1980-04-18 | Exxon Research Engineering Co | Amplificateur bipolaire non lineaire de commutation |
-
1958
- 1958-10-04 DE DEL31415A patent/DE1084758B/de active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1129534C2 (de) * | 1960-06-30 | 1973-07-12 | Siemens Ag | Elektronische Schaltanordnung fuer eine Schaltspannung, die hoeher als die maximal zulaessige Sperrspannung eines Schaltelementes ist |
DE1146109B (de) * | 1961-03-29 | 1963-03-28 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zum Festlegen der an einem Transistor anliegenden Sperrspannung innerhalb einer Schaltstrecke |
FR2437113A1 (fr) * | 1978-09-21 | 1980-04-18 | Exxon Research Engineering Co | Amplificateur bipolaire non lineaire de commutation |
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