DE1084758B - Transistorschalter mit zwei Transistoren zum Schalten von Spannungen groesser als die zugelassene Sperrspannung der einzelnen Transistoren - Google Patents

Transistorschalter mit zwei Transistoren zum Schalten von Spannungen groesser als die zugelassene Sperrspannung der einzelnen Transistoren

Info

Publication number
DE1084758B
DE1084758B DEL31415A DEL0031415A DE1084758B DE 1084758 B DE1084758 B DE 1084758B DE L31415 A DEL31415 A DE L31415A DE L0031415 A DEL0031415 A DE L0031415A DE 1084758 B DE1084758 B DE 1084758B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
voltage
transistors
transistor
transistor switch
partial
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEL31415A
Other languages
English (en)
Inventor
Walter Stuebchen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DEL31415A priority Critical patent/DE1084758B/de
Publication of DE1084758B publication Critical patent/DE1084758B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/10Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Description

Um elektrische Kreise mit praktisch beliebiger Schaltgeschwindigkeit ein- und ausschalten zu können, werden elektronische Schaltglieder benutzt.
Die bekannten Vorzüge der Schalttransistoren gegenüber Elektronenröhren, wie Erschütterungsfestigkeit, lange Lebensdauer und Raumersparnis, machen die Anwendung der Schalttransistoren wünschenswert.
Die Anwendung von Transistoren als elektronische Schaltglieder wird durch die maximal zulässige Sperrspannung derselben begrenzt, so daß die von einem Transistor geschaltete Betriebsspannung nicht über den maximal zulässigen Sperrspannungswert des Transistors hinausgehen darf, da bei Überschreiten der maximal zulässigen Sperrspannung der Transistor zerstört wird. Die Möglichkeit, mittels einfacher Reihenschaltung mehrerer Transistoren durch Summation der für jeden einzelnen Transistor zugelassenen Sperrspannung die zu schaltende Betriebsspannung erhöhen zu können, ist dadurch von Nachteil, daß sich die inneren Widerstände der Transistoren auf Grund der Exemplarstreuung oder der unterschiedlichen Aussteuerung stark unterscheiden können. Wird nämlich infolge einer Überschreitung der zulässigen Sperrspannung ein Transistor zerstört, dann fällt die gesamte Betriebsspannung über den verbleibenden Transistoren ab, so daß auch diese Transistoren der Reihenschaltung zerstört werden.
Die Erfindung betrifft die Schaltungsanordnung eines Transistorschalter mit zwei Transistoren zum Schalten von Spannungen, größer als die zugelassene Sperrspannung der einzelnen Transistoren, und besteht darin, daß die aus zwei Teilspannungsquellen 3 und 4 bestehende Betriebsspannungsquelle mit zwei Transistoren 1 und 2 in Reihe geschaltet ist, daß zwischen den beiden Transistoren 1 und 2 der Verbraucher 7 liegt, daß zwischen Verbraucher 7 und Emitter des einen, 1, und Verbraucher 7 und Kollektor des anderen Transistors 2 je ein Gleichrichter 5 bzw. 6 in Sperrichtung zum Verbindungspunkt der beiden Teilspannungsquellen 3 und 4 gelegt ist und daß die Spannung jeder Teilspannungsquelle 3 bzw. 4 kleiner, ist als die zugelassene Sperrspannung des jeweils zugeordneten Transistors 1 bzw. 2.
An Hand der Figur, die ein Schaltungsbeispiel darstellt, wird die Schaltungsanordnung und deren Wirkungsweise erläutert.
Die Betriebsspannungsquelle setzt sich aus den beiden Teilspannungsquellen 3 und 4 zusammen. Die Spannung jeder einzelnen Teilspannungsquelle muß kleiner sein als die maximal zugelassene Sperrspannung des zugeordneten Transistors. Die Spannung der Spannungsquelle 3 ist kleiner als die zugelassene Sperrspannung des Transistors 1 und die Spannung Transistorschalter mit zwei Transistoren
zum Schalten von Spannungen
größer als die zugelassene Sperrspannung
der einzelnen Transistoren
Anmelder:
LICENTIA Patent -Verwaltungs -G.m.b.H., Frankfurt/M., Theodor-Stem-Kai 1
Walter Stübctien, Frankfurt/M., ist als Erfinder genannt worden
der Spannungsquelle 4 kleiner als die zugelassene Sperrspannung des Transistors 2. Über die Transistoren 1 und 2 fließen bei ungleichen inneren Widerständen verschiedene Restströme. Ist beispielsweise der innere Widerstand des Transistors 1 kleiner als der des Transistors 2, so fließt über den Transistor 1 ein größerer Reststrom als über den Transistor 2. Der aus den Restströmen über den beiden Transistoren 1 und 2 resultierende Differenzstrom fließt über den Gleichrichter 6 und verändert die Spannung über den Transistor 2 in der Weise, daß zu der Spannung der Spannungsquelle 4 der Spannungsabfall über dem Gleichrichter 6 hinzukommt. Wenn der Innenwiderstand des Transistors 2 kleiner als der des Transistors 1 ist, dann ist der Reststrom über Transistor 2 größer als der über Transistor 1. Der Differenzstrom fließt dann über den Gleichrichter 5, und damit liegt am Transistor 1 die Spannung der Spannungsquelle 3, vermehrt um den Spannungsabfall über dem Gleichrichter 5, an. Damit ist jeweils eine Begrenzung der Spannung an den Transistoren gegeben.
Die Aussteuerung des Transistors 1 erfolgt zweckmäßig mittels einer Kippstufe 8, so daß der Emitter des Transistors 1 das negative Potential der Spannungsquelle 3 annimmt und ein Strom von der Spannungsquelle 3 über den Gleichrichter 6, den Verbraucher 7 und den Transistor 1 zurück zur Spannungsquelle 3 fließen kann. Gleichzeitig wird der Transistor 2 über den Widerstand 10 ausgesteuert, da die aus den beiden Teilspannungsquellen 3 und 4 kommende Betriebsspannung größer ist als die Zenerspannung der Zenerdiode9. Nach der Aussteuerung des Transistors 2 liegt an dem Verbraucher 7 die gesamte Betriebsspannung. Vom positiven Pol der Teilspannungsquelle 4 fließt über den Transistor 2, den
009 549/295
Verbraucher 7, den Transistor 1 der gesamte Betriebsstrom zum negativen Pol der Teilspannungsquelle 3.
Wird der Transistor 1 über die Kippstufe 8 gesperrt, -dann liegt der Emitter desselben an dem Verbindungspunkt der beiden Teilspannungsquellen 3 und 4 — auf dem negativen Potential der Teilspannungsquelle 4 bzw. dem positiven Potential der Teilspannungsquelle 3. Da die Zenerspannung der Zenerdiode 9 größer ist als die Spannung der Teilspannungsquelle 4, wird der Basisstrom des Transistors 2 Null, so daß auch der Transistor 2 gesperrt ist.
Das in der Figur dargestellte Schaltungsbeispiel ist für pnp-Transistoren ausgeführt. Durch entsprechende Umpolung der Spannungsquellen 3 und 4 und der stromrichtungsgebundenen Schaltelemente 5, 6 und 9 kann die Schaltungsanordnung auch mit npn-Transistoren ausgelegt werden.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Transistorschalter mit zwei Transistoren zum Schalten von Spannungen größer als die zugelassene Sperrspannung der einzelnen Transistoren, dadurch gekennzeichnet, daß die aus zwei Teilspannungsquellen (3 und 4j bestehende Betriebsspannungsquelle mit zwei Transistoren (1 und 2) in Reihe geschaltet ist, daß zwischen den beiden Transistoren (1 und 2) der Verbraucher (7) liegt, daß zwischen Verbraucher (7) und Emitter des einen (1) und Verbraucher (7) und Kollektor des anderen Transistors (2) je ein Gleichrichter (5 bzw. 6) in Sperrichtung zum Verbindungspunkt der beiden Teilspannungsquellen (3 und 4) gelegt ist und daß die Spannung jeder Teilspannungsquelle (3 bzw. 4) kleiner ist als die zugelassene Sperrspannung des jeweils zugeordneten Transistors (1 bzw. 2).
2. Transistorschalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungsabfall, welchen der Differenzstrom der Restströme beider Transistoren (1 und 2) in-Durchlaßrichtung über der Diode (5 bzw. 6) hervorruft, die Sperrspannung an den Transistoren (1 und 2) begrenzt.
3. Transistorschalter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Aussteuerung des Transistors (1) über eine Kippstufe (8), die Aussteuerung des Transistors (2) über einen Widerstand (10) und eine Zenerdiode (9) erfolgt.
4. Transistorschalter nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Zenerspannung der Zenerdiode (9) kleiner als die aus den beiden Spannungen der Teilspannungsquellen (3 und 4) bestehende Betriebsspannung und größer als die Spannung der Teilspannungsquelle (4) ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DEL31415A 1958-10-04 1958-10-04 Transistorschalter mit zwei Transistoren zum Schalten von Spannungen groesser als die zugelassene Sperrspannung der einzelnen Transistoren Pending DE1084758B (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEL31415A DE1084758B (de) 1958-10-04 1958-10-04 Transistorschalter mit zwei Transistoren zum Schalten von Spannungen groesser als die zugelassene Sperrspannung der einzelnen Transistoren

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEL31415A DE1084758B (de) 1958-10-04 1958-10-04 Transistorschalter mit zwei Transistoren zum Schalten von Spannungen groesser als die zugelassene Sperrspannung der einzelnen Transistoren

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1084758B true DE1084758B (de) 1960-07-07

Family

ID=7265562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEL31415A Pending DE1084758B (de) 1958-10-04 1958-10-04 Transistorschalter mit zwei Transistoren zum Schalten von Spannungen groesser als die zugelassene Sperrspannung der einzelnen Transistoren

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1084758B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1146109B (de) * 1961-03-29 1963-03-28 Siemens Ag Schaltungsanordnung zum Festlegen der an einem Transistor anliegenden Sperrspannung innerhalb einer Schaltstrecke
DE1129534C2 (de) * 1960-06-30 1973-07-12 Siemens Ag Elektronische Schaltanordnung fuer eine Schaltspannung, die hoeher als die maximal zulaessige Sperrspannung eines Schaltelementes ist
FR2437113A1 (fr) * 1978-09-21 1980-04-18 Exxon Research Engineering Co Amplificateur bipolaire non lineaire de commutation

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1129534C2 (de) * 1960-06-30 1973-07-12 Siemens Ag Elektronische Schaltanordnung fuer eine Schaltspannung, die hoeher als die maximal zulaessige Sperrspannung eines Schaltelementes ist
DE1146109B (de) * 1961-03-29 1963-03-28 Siemens Ag Schaltungsanordnung zum Festlegen der an einem Transistor anliegenden Sperrspannung innerhalb einer Schaltstrecke
FR2437113A1 (fr) * 1978-09-21 1980-04-18 Exxon Research Engineering Co Amplificateur bipolaire non lineaire de commutation

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1096410B (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung elektrischer Impulse unter Verwendung von als Doppelbasis-dioden (Unijunction-Transistoren) ausgefuehrten Halbleiteranordnungen
DE1084758B (de) Transistorschalter mit zwei Transistoren zum Schalten von Spannungen groesser als die zugelassene Sperrspannung der einzelnen Transistoren
DE1050810B (de) Bistabile Schaltung mit Flächentransistoren
DE2360887C3 (de) Komplementär-Speicherelement und Verfahren zum Betrieb desselben
DE2148437C3 (de) Schaltungsanordnung zur Verbesserung der Kurzschlußfestigkeit von Schaltkreisen vom Typ der Langsamen störsicheren Logik
DE1762444A1 (de) Elektronische Impulsformerschaltung
DE2230751A1 (de) Digitaler schaltkreis
DE69128456T2 (de) Hysterese schaltung
DE1164474B (de) Bistabiler Multivibrator mit dauernder Speichereigenschaft bei Ausfall der Betriebsspannung
DE2209461C3 (de) Zündschaltung für einen Thyristor
DE1098034B (de) Schaltungsanordnung zum Umschalten der Stromrichtung in einem Verbraucher
EP0017668B1 (de) Programmierbare logische Schaltungsanordnung
DE1513214C (de) Schaltungsanordnung zur automatischen Anpassung eines Verbrauchers an unterschied liehe Speisegleichspannungen
DE2846934A1 (de) Vollelektronische schleifenschlussschaltung
DE1136373B (de) Schaltungsanordnung zur Steuerung eines Relais in einer Kippanordnung
DE1176714B (de) Anordnung fuer eine statische magnetische Speichervorrichtung
DE2553213C2 (de) Elektronischer Schalter
DE1196241B (de) Mit Stromuebernahme arbeitende Schaltungs-anordnung zur Durchfuehrung logischer Operationen
DE3038522C2 (de) Schaltungsanordnung mit einem bipolaren Schalttransistor
DE1144766B (de) Schwellwertschalter
DE2043737C3 (de) Aus zwei komplementären Transistoren aufgebauter bistabiler Komparator mit Hysteresisverhalten
DE2240235B2 (de) Bipolare elektronische kontaktnachbildung
DE1176191B (de) Schaltungsanordnung zur Umkehrung der Stromrichtung in einem Verbraucher
DE1112112B (de) Elektronischer Umschalter mit drei stabilen Lagen
DD211436A1 (de) Schaltungsanordnung fuer einen monostabilen multivibrator