DE69128456T2

DE69128456T2 - Hysterese schaltung

Info

Publication number: DE69128456T2
Application number: DE69128456T
Authority: DE
Inventors: Hiroshi Kinoshita
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba AVE Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba AVE Co Ltd
Priority date: 1990-05-25
Filing date: 1991-05-23
Publication date: 1998-05-07
Anticipated expiration: 2011-05-24
Also published as: JP2573394B2; DE69128456D1; WO1991019354A1; EP0485617B1; KR940002861B1; US5287014A; KR910021022A; EP0485617A1; JPH0435216A; EP0485617A4

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Hystereseschaltung, umfassend einen positiven Rückkopplungskreis mit ersten und zweiten Eingangsanschlüssen und einem Ausgangsanschluß; einen ersten Schaltkreis, dessen Ausgang mit dem ersten Eingangsanschluß verbunden ist, wobei der erste Schaltkreis den Rückkopplungskreis nur dann einschaltet, wenn eine Eingangsspannung an einem Eingang von dem ersten Schaltkreis über einen Schwellwert von dem ersten Schaltkreis hinausgeht; und
einen zweiten Schaltkreis dessen Ausgang mit dem zweiten Eingangsanschluß verbunden ist, wobei der zweite Schaltkreis den Rückkopplungskreis nur dann ausschaltet, wenn die Eingangsspannung an einem Eingang des zweiten Schaltkreises niedriger ist als ein Schwellwert des zweiten Schaltkreises, worin die Schwellwertspannung von dem ersten Schaltkreis unterschiedlich von der des zweiten Schaltkreises ist, worin die Eingänge von dem ersten und zweiten Schaltkreis miteinander und mit einem Eingangsanschluß von der Hystereseschaltung verbunden sind und worin die entsprechenden Schwellwertspannungen unabhängig voneinander festgelegt werden können.
Solch eine Schaltung ist in JP-A-51 86954 beschrieben.
Die Schmitt-Trigger Schaltung ist als Schaltkreis bekannt, der mit einer Hysterese betrieben wird.
Fig. 1 zeigt ein Beispiel von der Schmitt-Trigger Schaltung. Wie in Fig. 1 gezeigt ist, ist die Basis von einem npn Transistor Q1 mit einem Eingangsanschluß Vin verbunden. Ein Ende von einem Widerstand R1 istmit dem Kollektor von dem Transistor Q1 verbunden und das andere Ende ist mit einem Stromquellenanschluß VDD verbunden. Ein Ende von einem Widerstand R2 ist mit dem Emitter von dem Transistor Q1 verbunden und das andere Ende ist mit einem Erdungsanschluss VSS verbunden Die Basis von einem npn Transistor Q2 ist mit dem Kollektor von dem Transistor Q1 verbunden, während der Kollektor von dem Transistor Q2 mit einem Ausgangsanschluß VOUT verbunden ist. Ein Ende von einem Widerstand R2 ist mit dem Kollektor von dem Transistor Q2 verbunden und das andere Ende ist mit dem Stromquellenanschluß VDD verbunden. Der Emitter von dem Transistor Q2 ist mit einem Ende von dem Widerstand R2 verbunden.
Der maximale Hysteresefehler der obigen Schaltung wird durch die Werte der Widerstände R1 - R3 bestimmt. Die Ausgangsspannung der Schaltung variiert von einer niedrigen Spannung (im folgenden als "L" bezeichnet) zu einer hohen Spannung (im folgenden als "H" bezeichnet), wenn der Transistor Q1 eingeschaltet wird, während sie von "H" bis "L" variiert, wenn der Transistor Q2 eingeschaltet ist.
D.h. wenn einer von den Transistoren Q1 and Q2 ein ist, ist der andere aus.
Die Schmitt-Trigger Schaltung, die in Fig. 1 gezeigt ist, funktioniert gemäß einer Hysterese wie in Fig. 2 gezeigt. Dieser Betrieb wird mit Verweis auf die Fig. 1 und 2 beschrieben.
Wenn der Transistor Q2 ein ist und der Transistor Q1 aus ist, ist die Ausgangsspannung "L". Danach steigt die Eingangsspannung Vin an und erreicht einen Wert, der die folgende Gleichung (1) erfüllt. Zu diesem Zeitpunkt wird der Transistor Q1 eingeschaltet und demgemäß wird der Transistor Q2 ausgeschaltet. Dadurch variiert die Ausgangsspannung von "L" bis "H".
Vin > Vth (L T H) = VDD * R2 / (R2 + R3) + VBEQ1 (1)
worin VBEQ1 die Schwellwertspannung von dem Transistor Q1 darstellt und Vth (L -) H) die Schwellwertspannung von der Schmitt-Trigger Schaltung, die angenommen wird wenn die Ausgangsspannung von "L" zu "H" variiert. Des weiteren wird die Erdspannung auf den Erdungsanschluß VSS angewendet und die Sättigungsspannung des Transistors Q2 wird ignoriert.
Dadurch variiert die Ausgangsspannung Vout in der Reihenfolge von a, b, c, d und e in Fig. 2.
Wenn sich die Eingangsspannung Vin reduziert und einen Wert erreicht, der die folgende Gleichung (2) erfüllt, wird der Transistor Q2 ausgeschaltet und der Transistor Q1 wird eingeschaltet. Dadurch variiert die Ausgangsspannung von "H" zu "L".
Vin < Vth (H T L) = VDD * R2 / (R1 + R2) + VBEQ1 (2)
worin VBEQ1 die Schwellwertspannung des Transistors Q1 darstellt und Vth (H T L) die Schwellwertspannung von der Schmitt-Trigger Schaltung, die angenommen wird, wenn die Ausgangsspannung von "H" zu "L" variiert. Des weiteren wird die Erdspannung auf den Erdungsanschluß VSS angewendet und die Sättigungsspannung des Transistors Q2 wird ignoriert.
Dadurch variiert die Ausgangsspannung WUT in der Reihenfolge von e, d, f, b und a in Fig. 2.
In der oben stehenden Ausführungsform werden die Werte von den Widerständen R1 und R3 dergestalt bestimmt, daß sie die folgende Gleichung (3) erfüllen:
Vth (L T H) > Vth (H TL) R1 > R3 (3)
Das bedeutet, daß die Hysterese-Charakteristik durch auf verschiedene Werte setzen der Schwellwertspannungen Vth (L T H) die angenommen wird, wenn die Ausgangsspannung von "L" zu "H" variiert, und Vth (H T L), die angenommen wird wenn die Ausgangsspannung von "H" zu "L" variiert, erzielt wird.
Jedoch wird, wie die Gleichung (1) deutlich macht, die Schwellwertspannung Vth (L T H), die angenommen wird wenn die Ausgangsspannung von "L" zu "H" variiert, durch das Widerstandsverhältnis zwischen den Widerständen R1 und R3 bestimmt. Ebenso wird, wie aus der Gleichung (2) offensichtlich, die Schwellwertspannung Vth (H T L), die angenommen wird wenn die Ausgangsspannung von "H" zu "L" variiert, durch das Widerstandsverhältnis zwischen den Widerständen R1 und R2 bestimmt. Demgemäß sind die Schwellwertspannungen Vth (L T H) und Vth (H TL) voneinander abhängig und müssen daher auf Werte gesetzt werden, die innerhalb eines schmalen Bereiches liegen.
Zusätzlich können in einem Fall, wo die Schmitt-Trigger Schaltung eine integrierte Schaltung umfaßt, große Unterschiede zwischen Schmitt-Trigger Schaltungen bestehen wenn das Verhältnis des größten Widerstands von den Widerständen R1 bis R3 zu dem kleinsten Widerstand davon auf einen großen Wert gesetzt wird. Des weiteren variieren, wie aus den Gleichungen (1) und (2) offensichtlich, die Schwellwertspannungen Vth (L T H) und Vth (H T L) gemäß einer Anderung in der Stromquellenspannung VDD Dementsprechend ist eine Konstantspannungsquelle zur Bereitstellung der Schwellwertspannungen für die integrierte Spannung notwendig.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Hystereseschaltung zur Verfügung zu stellen, in der die Schwellwertspannung Vth (L T H), die angenommen wird wenn die Ausgangsspannung von "L" zu "H" variiert, und die Schwellwertspannung Vth (H T L), die angenommen wird wenn die Ausgangsspannung von "H" zu "L" variiert, unabhängig voneinander festgelegt werden und sich nicht mit einer Anderung in der Stromquellenspannung der Schaltung verändern.
Gemäß der vorliegende Erfindung ist die einführend definierte Hystereseschaltung dadurch gekennzeichnet, daß der positive Rückkopplungskreis eine Thyristorschaltung ist, die betreibbar ist, eine niedrige Spannung von dem Ausgangsanschluß auszugeben, wenn sie in einem EIN Zustand ist und eine hohe Spannung von dem Ausgangsanschluß auszugeben, wenn sie in einem AUS Zustand ist, worin die Thyristorschaltung einen ersten Transistor umfaßt mit einem Emitter, der mit dem Ausgangsanschluß verbunden ist und einem Kollektor, der mit dem zweiten Eingangsanschluß verbunden ist, und eine Basis, die mit dem ersten Eingangsanschluß verbunden ist, einen zweiten Transistor mit einem Kollektor, der mit der Basis von dem ersten Transistor verbunden ist, einem Emitter, der mit einem Erdungsanschluß verbunden ist, und einer Basis, die mit dem zweiten Eingangsanschluß verbunden ist, einen ersten Widerstand, der über die Basis und den Emitter von dem ersten Transistor geschaltet ist, einen zweiten Widerstand, dessen eines Ende mit einem Stromquellenanschluß verbunden ist und dessen anderes Ende mit dem Ausgangsanschluß verbunden ist, und einen dritten Widerstand, der über die Basis und den Emitter von dem zweiten Transistor geschaltet ist, wobei die jeweiligen Schwellwertspannungen jeweils unabhängig von den Spannungen an dem Stromquellenanschluß mittels eines jeweiligen Paars von Widerständen, die einen Eingangsspannungsteiler bilden, in den ersten und zweiten Schaltkreisen bestimmt werden.
Wie oben stehend beschrieben, können die Schwellwertspannungen von dem ersten und zweiten Schaltkreis unabhängig voneinander festgelegt werden und variieren nicht mit einem Wechsel in der Spannungsversorgung, so daß die Hysteresebedingungen in einer einfachen Art und Weise bestimmt werden können.
Für ein besseres Verständnis der vorliegenden Erfindung, und um zu zeigen wie diese ausgeführt werden kann, wird mittels eines Beispiels auf die begleitenden Figuren verwiesen, in denen:
Fig. 1 ein Schaltungsdiagramm ist, das eine herkömmliche Hystereseschaltung zeigt,
Fig. 2 eine Ansicht ist, die Hysterese-Eigenschaften von der Hystereseschaltung von Fig. 1 zeigt,
Fig. 3 ist ein Schaltungsdiagramm, das eine Hystereseschaltung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt,
Fig. 4 ist ein Schaltungsdiagramm, das einen Schaltkreis im Detail zeigt, und
Fig. 5 ist eine Ansicht, die Hysterese-Eigenschaften von der Hystereseschaltung von Fig. 3 zeigt.
Die Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird im Detail mit Verweis auf die Figuren beschrieben.
Fig. 3 zeigt eine Hystereseschaltung gemäß der Ausführungsform. Ein pnp Transistor Ql weist einen Emitter auf, der mit einem Ausgangsanschluß WUT verbunden ist. Ein npn Transistor Q2 weist einen Kollektor auf, der mit der Basis des Transistors Q1 verbunden ist und einen Emitter, der mit einem Erdungsanschluß VSS verbunden ist. Ein Ende von einem Widerstand R1 ist mit der Basis von dem Transistor Q1 verbunden und das andere Ende ist mit dem Emitter von demselben verbunden. Ein Ende von einem Widerstand R2 ist mit einem Stromquellenanschluß VDD verbunden und das andere Ende ist mit dem Ausgangsanschluß Vout verbunden. Ein Ende von einem Widerstand R3 ist mit der Basis von dem Transistor Q2 verbunden und das andere Ende ist mit dem Emitter desselben verbunden.
Die Transistoren Q1 und Q2 und die Widerstände R1 bis R3 bilden eine Thyristorschaltung 101. Die Widerstände R1 und R2 sind angeordnet, um einen Fehlbetrieb der Schaltung durch Leckströme zu verhindern, während der Widerstand R2 der Lastwiderstand von der Schaltung ist.
Die Thyristorschaltung 101 ist ein positiver Rückkopplungskreis, so daß diese nicht unabhängig zu einem EIN Zustand wechseln kann. Um die Thyristorschaltung einzuschalten, wird ein Schaltkreis 102 zur Verfügung gestellt. Der Eingang von dem Schaltkreis 102 ist mit dem Eingangsanschluß Vin verbunden und der Ausgang von demselben ist mit der Basis von dem Transistor Q1 von der Thyristorschaltung 101 verbunden.
Des weiteren ist ein Schaltkreis 103 zur Verfügung gestellt, um die Thyristorschaltung 101 auszuschalten. Der Eingang des Schaltkreises 103 ist mit dem Eingangsanschluß Vin verbunden, während der Ausgang von demselben mit der Basis von dem Transistor Q2 von der Thyristorschaltung 101 verbunden ist.
Die Schwellwertspannungen von den Schaltkreisen 102 und 103 können unabhängig voneinander bestimmt werden. Wenn diese Schwellwertspannungen auf verschiedene Werte gesetzt werden, kann ein Hysteresebetrieb ausgeführt werden.
Fig. 4 zeigt die Schaltkreise 102 und 103 im Detail, welche in der Hystereseschaltung, die in Fig. 3 gezeigt ist, umfaßt sind.
Der Schaltkreis 102 umfaßt einen npn Transistor Q3 und die Widerstände R4 und R5. Der Transistor Q3 weist einen Kollektor auf, der mit der Basis von dem Transistor Q1 verbunden ist und einen Emitter, der mit dem Erdungsanschluß Vss verbunden. Ein Ende von dem Widerstand R4 ist mit der Basis des Transistors Q3 verbunden und das andere Ende ist mit dem Erdungsanschluß VSS verbunden. Ein Ende von dem Widerstand R5 ist mit der Basis des Transistors Q3 verbunden und das andere Ende ist mit dem Eingangsanschluß Vin verbunden. Der Transistor Q3 wird zur Verfügung gestellt, um den Thyristor 101 einzuschalten, d.h. um die Ausgangsspannung von "H" zu "L" zu verstellen.
Die Widerstände R4 und R5 werden zur Verfügung gestellt, um die Schwellwertspannungen des Schaltkreises 102 zu bestimmen.
Der Schaltkreis 103 umfaßt Transistoren Q4 und Q5 und Widerstände R6 - R8. Der Transistor Q4 ist ein npn Typ, und weist einen Kollektor auf, der mit der Basis des Transistors Q2 verbunden ist und einen Emitter, der mit dem Erdungsanschluß VSS verbunden ist. Ein Ende des Widerstands R6 ist mit der Basis des Transistors Q4 verbunden und das andere Ende ist mit dem Stromquellenanschluß VDD verbunden. Der Transistor Q5 ist ein npn Typ Transistor und weist einen Kollektor auf, der mit der Basis von dem Transistor Q4 verbunden ist und einen Emitter, der mit dem Erdungsanschluß Ws verbunden ist. Der Transistor Q5 dient als ein Inverter. Ein Ende des Widerstands R7 ist mit der Basis des Transistors Q5 verbunden und das andere Ende ist mit dem Erdungsanschluß VSS verbunden. Ein Ende des Widerstands R8 ist mit der Basis des Transistors Q5 verbunden und das andere Ende ist mit dem Eingangsanschluß Vin verbunden.
Der Transistor Q5 invertiert die logischen Werte von den Schaltkreisen 102 und 103. Die Transistoren Q4 und Q5 schalten die Thyristorschaltung 101 aus, d.h. sie verstellen die Ausgangsspannung von "L" zu "H". Der Widerstand R6 ist ein Vorwiderstand für den Transistor Q4, während die Widerstände R7 und R8 die Schwellwertspannung von dem Schaltkreis 103 bestimmen.
Mit dem obigen Aufbau können die Schwellwertspannungen von den Schaltkreisen 102 und 103 unabhängig voneinander, gemäß einem Wechsel in dem Eingangssignal bestimmt werden.
Demgemäß kann die Hysteresebreite einfach und frei festgelegt werden.
Die Hystereseschaltung, die in Fig. 4 gezeigt ist, führt einen Hysteresebetrieb, wie in Fig. 5 gezeigt, aus. Der Betrieb wird mit Verweis auf die Figuren 4 und 5 im folgenden erklärt.
Wenn die Thyristorschaltung 101 aus ist, ist die Ausgangsspannung "H". Wenn dann die Eingangsspannung Vin angehoben wird und einen Wert erreicht, der die folgende Gleichung (4) ' erfüllt, wird der Transistor Q3 eingeschaltet.
VBEQ3 < Vin * R4 / (R4 + R5) (4)'
wobei ein Referenzcode VBEQ3 die Schwellwertspannung des Transistors Q3 darstellt.
In anderen Worten wird, wenn die Eingangsspannung Vin die Schwellwertspannung Vth (H T L) des Schaltkreises 102 erreicht, d.h. wenn die Gleichung (4), die oben stehend angegeben ist, erfüllt wird, der Transistor Q3 eingeschaltet und die Thyristorschaltung 101 wird ebenso eingeschalten (d.h. die Transistoren Q1 und Q2 sind eingeschaltet). Demgemäß wird, wenn die Eingangsspannung Vin über die Schwellwertspannung Vth (H T L) hinausgeht, die Ausgangsspannung von "H" zu "L" verstellt.
Vin > Vth (H T L) = VBEQ3 * (R4 + R5) / R4 (4)
Dadurch ändert sich die Ausgangsspannung Vin in der Reihenfolge von a, b, c, d und e in Fig. 5.
Wenn die Thyristorschaltung 101 einmal eingeschaltet ist, wird sie mittels der Eigenschaft ihres positiven Rückkopplungsbetriebs ohne Berücksichtigung von dem EIN/AUS Zustand des Transistors Q3 auf EIN gehalten, (d.h. sogar wenn die Eingangsspannung Vin niedriger ist als Vth (H T L)).
Andererseits, wenn die Thyristorschaltung 101 ein ist, ist die Ausgangsspannung "L". Wenn dann die Eingangsspannung Vin angehoben wird und einen Wert erreicht, der die folgende Gleichung (5)' erfüllt, wird der Widerstand Q5 ausgeschaltet.
VBEQ5 > Vin * R7 / (R7 + R8) (5)'
worin ein Referenzcode VBEQ5 die Schwellwertspannung des Transistors Q5 darstellt.
In anderen Worten, wenn die Eingangsspannung Vin die Schwellwertspannung Vth (L T H) des Schaltkreises 103 erreicht, d.h. wenn sie die Gleichung (5), die unten stehend angegeben ist, erfüllt, wird der Transistor Q5 ausgeschaltet und der Transistor Q4 wird eingeschaltet, wodurch die Thyristorschaltung 101 ausgeschaltet wird (d.h. die Transistoren Q1 und Q2 werden ausgeschaltet) Demgemäß wird, wenn die Eingangsspannung Vin niedriger ist als die Schwellwertspannung Vth (L T H), die Ausgangsspannung von "L" zu "H" verstellt.
Vin < Vth (L T H) = VBEQ5 * (R7 + R8) / R7 (5)
Dadurch verändert sich die Ausgangsspannung Vout in der Reihenfolge von e, d, f, b und a in Fig. 5.
Wenn die Thyristorschaltung 101 einmal ausgeschaltet ist, wird sie durch die Eigenschaft ihres positiven Rückkopplungsbetriebs ohne Berücksichtigung von dem EIN/AUS Zustand des Transistors Q4 ausgeschaltet gehalten (d.h. sogar wenn die Eingangsspannung Vin über Vth (L T H) hinausgeht).
Die Schwellwertspannung Vth (H T L), die angenommen wird wenn die Ausgangsspannung von "H" zu "L" variiert, wird mittels des Widerstandsverhältnisses des Widerstands R4 zu dem Widerstand R5 bestimmt, während die Schwellwertspannung Vth (L T H), die angenommen wird wenn die Ausgangsspannung von "L" zu "H" variiert, mittels des Widerstandsverhältnisses des Widerstands R7 zu dem Widerstand R8 bestimmt wird. Dadurch wird ein Hysteresebetrieb (a T b T c T d T e T d T f T b T a), wie in Fig. 5 gezeigt, ausgeführt, indem die Widerstandsverhältnisse dergestalt festgelegt werden, daß sie folgende Gleichung (6) erfüllen. In diesem Fall ist VBEQ3 VBEQ5.
R8/R7 < R5/R4
1 + R8/R7 = (R7 + R8)/R7 < 1 + R5/R4 = (R4 + R5)/R4 (6)
Wenn die Widerstandsverhältnisse dergestalt sind, daß diese die Gleichung (6) erfüllen, werden die Schwellwertspannung Vth (L T H), die angenommen wird wenn die Ausgangsspannung von "L" zu "H" variiert, und die Schwellwertspannung Vth (H T L), die angenommen wird wenn die Ausgangsspannung von "H" zu "L" variiert, unabhängig voneinander bestimmt, wie aus den Gleichungen (4) und (5) in offensichtlicher Art und Weise ersichtlich. In anderen Worten kann das Widerstandsverhältnis des Widerstands R4 zu dem Widerstand R5 und das des Widerstands R7 zu dem Widerstand R8 mit einem hohen Freiheitsgrad bestimmt werden, um die Schwellwertspannungen zu bestimmen.
Des weiteren werden dadurch, daß sich die Schwellwertspannungen Vth (H T L) und Vth (L T H) unabhängig von einem Wechsel in der Stromquellenspannung VDD verändern, keine Konstantspannungsquellen benötigt. Es ist nicht notwendig zu sagen, daß die Schwellwertspannungen Vth (H und Vth (L T H) 50 festgelegt werden können, daß sich diese gemäß der Stromquellenspannung VDD verändern.

Claims

1. Eine Hystereseschaltung umfassend:

einen positiven Rückkopplungskreis (101) mit ersten und zweiten Anschlüssen und einem Ausgangsanschluß (Vout);

einen ersten Schaltkreis (102), dessen Ausgang mit dem ersten Eingangsanschluß verbunden ist, wobei der Schaltkreis den Rückkopplungskreis nur dann einschaltet, wenn eine Eingangsspannung an einem Eingang des ersten Schaltkreises über eine Schwellwertspannung des ersten Schaltkreises hinausgeht; und

einen zweiten Schaltkreis (103), dessen Ausgang mit dem zweiten Eingangsanschluß verbunden ist, wobei der zweite Schaltkreis den Rückkopplungskreis nur dann ausschaltet, wenn die Eingangsspannung an einem Eingang des zweiten Schaltkreises niedriger ist als ein Schwellwert des zweiten Schaltkreises, worin die Schwellwertspannung des Schaltkreises unterschiedlich ist von der des zweiten Schaltkreises, worin die Eingänge des ersten und zweiten Schaltkreises miteinander und mit einem Eingangsanschluß (Vin) der Hystereseschaltung verbunden sind, und worin die jeweiligen Schwellwertspannungen unabhängig voneinander eingestellt werden können, dadurch gekennzeichnet, daß

der positive Rückkopplungskreis eine Thyristorschaltung ist, die dergestalt betreibbar ist, daß sie eine niedrige Spannung von dem Ausgangsanschluß ausgibt wenn sie in einem EIN Zustand ist, und eine hohe Spannung von dem Ausgangsanschluß ausgibt wenn sie in einem AUS Zustand ist, worin die Thyristorschaltung einen ersten Transistor (Q1) umfaßt, der einen Emitter aufweist, der mit dem Ausgangsanschluß verbunden ist, einen Kollektor, der mit dem zweiten Eingangsanschluß verbunden ist, und eine Basis, die mit dem ersten Eingangsanschluß verbunden ist, einen zweiten Transistor (Q2), der einen Kollektor aufweist, der mit der Basis des ersten Transistors verbunden ist, einen Emitter, der mit einem Erdungsanschluß (Ws) verbunden ist, und eine Basis, die mit dem zweiten Eingangsanschluß verbunden ist, einen ersten Widerstand (R1), der über die Basis und den Emitter des ersten Transistors geschaltet ist, und einen zweiten Widerstand (R2), dessen eines Ende mit einem Stromquellenanschluß verbunden ist und dessen anderes Ende mit dem Ausgangsanschluß verbunden ist, und einen dritten Widerstand (R3), der über die Basis und den Emitter des zweiten Transistors geschaltet ist, wobei die entsprechenden Schwellwertspannungen unabhängig von der Spannung des Stromquellenanschlusses jeweils mittels eines jeweiligen Paars von Widerständen (R4, R5; R7, R8), die einen Eingangsspannungsteiler bilden, in dem ersten oder zweiten Schaltkreis bestimmt werden.

2. Eine Hystereseschaltung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Schaltkreis einen Transistor (Q3) umfaßt mit einem Kollektor, der mit dem ersten Eingangsanschluß verbunden ist und einem Emitter, der mit einem Erdungsanschluß verbunden ist, einen ersten Widerstand (R4), dessen eines Ende mit der Basis des Transistors verbunden ist und dessen anderes Ende mit dem Erdungsanschluß verbunden ist, und einen zweiten Widerstand (R5), dessen eines Ende mit der Basis des Transistors verbunden ist und dessen anderes Ende mit einem Eingangsanschluß verbunden ist, um ein Eingangssignal zu empfangen, und worin der zweite Schaltkreis einen ersten Transistor (Q4) umfaßt mit einem Kollektor, der mit dem zweiten Eingangsanschluß verbunden ist, und einem Emitter, der mit einem Erdungsanschluß verbunden ist, einen ersten Widerstand (R6), dessen eines Ende mit der Basis von dem ersten Transistor verbunden ist und dessen anderes Ende mit dem Stromquellenanschluß verbunden ist, einen zweiten Transistor (Q5) mit einem Kollektor, der mit der Basis des ersten Transistors verbunden ist und einem Emitter, der mit dem Erdungsungsanschluß verbunden ist, einen zweiten Widerstand (R7), dessen eines Ende mit der Basis von dem zweiten Transistor verbunden ist und dessen anderes Ende mit dem Erdungsanschluß verbunden ist, und einen dritten Widerstand (R8), dessen eines Ende mit der Basis von dem zweiten Widerstand verbunden ist und dessen anderes Ende mit einem Eingangsanschluß verbunden ist, um ein Eingangssignal zu empfangen.

3. Eine Hystereseschaltung gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Schwellwert des ersten Schaltkreises (102) mittels

R4 + R5 / R4 * VBEQ3

ausgedrückt wird, wobei R4 der Widerstand des ersten Widerstands (R4) von dem ersten Schaltkreis (102) ist, R5 der Widerstand des zweiten Widerstands (R5) von dem zweiten Schaltkreis (102) ist, und VBEQ3 ein Schwellwert des Transistors Q3 von dem ersten Schaltkreis (102) ist.

4. Eine Hystereseschaltung gemäß Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Schwellwert des zweiten Schaltkreises (103) mittels

R7 +R8 / R7 * VBEQ5

ausgedrückt wird, wobei R7 der Widerstand des zweiten Widerstands (R7) von dem Schaltkreis (103) ist, R8 ist der Widerstand des dritten Widerstands (R8) von dem zweiten Schaltkreis (103) und VBEQ5 ist ein Schwellwert des zweiten Transistors (Q5) von dem zweiten Schaltkreis (103).

5. Eine Hystereseschaltung gemäß Anspruch 2, 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Schwellwert des Transistors (Q3) von dem ersten Schaltkreis (102) gleich dem Schwellwert des zweiten Transistors (Q5) von dem zweiten Schaltkreis (103) ist, worin der erste Widerstand (R4) und ein zweiter Widerstand (R5) des ersten Schaltkreises (102) und der zweite Widerstand (R7) und der dritte Widerstand (R8) des zweiten Schaltelements (103) die folgende Beziehung erfüllen:

R7 + R8 / R7 < R4 + R5 / R4

wobei R7 der Widerstand des zweiten Widerstands (R7) von dem zweiten Schaltkreis (103) ist, R8 ist der Widerstand des dritten Widerstands (R8) von dem zweiten Schaltkreis (103), R4 ist der Widerstand des ersten Widerstands (R4) von dem ersten Schaltkreis (102), und R5 ist der Widerstand des zweiten Widerstands (R5) von dem ersten Schaltkreis (102).