DE107109T1 - Elektrolytische kupferplattierungsloesungen und verfahren fuer ihre anwendung. - Google Patents
Elektrolytische kupferplattierungsloesungen und verfahren fuer ihre anwendung.Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
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Claims (16)
1. Saure elektrolytische Kupferplattierungslösung, welche ein lösliches Kupfersalz, freie Säure und
ein Reaktionsprodukt
(1) einer Verbindung der Formel
R1 S
^N -C-R4
R2/
R2/
worin R, und R„ Niedrigalkylreste mit 1 bis 6
Kohlenstoffatomen, ein Wasserstoffatom oder Gemische
derselben bedeuten und R4 ein Alkalimetall,
Wasserstoff, Magnesium oder die Gruppen SX oder SSX darstellen, worin X ein Alkalimetall,
Wasserstoff oder Magnesium bedeutet,
oder eine Verbindung der Formel
R ' C-R
worin R^ einen aromatischen, heterocyclischen
oder alicyclischen Rest mit 3 bis 12 Kohlenstoffatomen bedeutet und R. ein Alkalimetall, Wasserstoff,
Magnesium oder die Gruppen SX oder SSX darstellt, worin X ein Alkalimetall, Wasserstoff
oder Magnesium bedeutet, und
(2) einer Verbindung der Formel XR1 -(S)n - R2 - SO3H
worin R, und R„ gleich oder verschieden sind
und Alkylenreste mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen
bedeuten, X Wasserstoff oder -SO^H darstellt und η gleich 2 bis 5 ist, und
(3) Acrylamid umfasst,
wobei das genannte Reaktionsprodukt in ausreichender Menge vorliegt, um den Glanz der Abscheidung
zu erhöhen und/oder die Bildung von Rissen während einem Wärmeschock vermeidet.
2. Elektrolytische Plattierlösung gemäss Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet , dass das Kupfersalz Kupfersulfat und die freie Säure Schwefelsäure darstellen.
— ο
3. Elektrolytische Plattierlösung gemäss den Ansprüchen
1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
dass (1) ein Alkalimetallsalz von Tetraalkylthiuram-disulfid,
2,2'-Dithio-bis-arylthiazol oder 2-Mercaptoarylthiaz'ol und (2) Di-(3-sulfonat-1-alkyl)sulfid
darstellen.
4. Elektrolytische Plattierlösung gemäss Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass diese
einen Glänzer und/oder ein Egalisiermittel enthält.
5. Elektrolytische Plattierlösung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , dass das
Mittel ein Oxyethylen- und/oder ein Oxypropylenpolymer,
welches mindestens ca. 8 Ethylen- oder Propylengruppen enthält, darstellt.
6. Elektrolytische Plattierlösung gemäss den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
dass (1) das Natriumsalz von Tetramethylthiuram-disulfid,
Tetraethylthiuram-disulfid oder Gemische derselben, 2,2'-Dithio-bisbenzothiazol
oder 2-Mercaptobenzothiazol und (2) Di-(natrium-3-sulfonat-1-propyl)sulfid
darstellen.
7. Elektrolytische Plattierlösung gemäss Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , dass sie
einen Glänzer und/oder ein Egalisiermittel enthält.
8. Elektrolytische Plattier lösung gemäss Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , . dass das
Mittel ein Oxyethylen- und/oder ein Oxypropylenpolymer, welche mindestens ca. 8 Ethylen- oder
Propylengruppen enthalten, darstellt.
9. Verfahren zur elektrolytischen Plattierung von Substraten mit scharfen Ecken unter Verwendung
saurer Kupferlösungen, wobei die Bildung von Rissen aufgrund von Wärmeschock vermieden wird, g ekennzeichnet
durch
elektrolytische Plattierung des Substrates mit einer Lösung, welche ein Kupfersalz, freie Säure
und das Reaktionsprodukt einer Verbindung der Formel
jf
N - C -
R4
R2.
worin R, und R„ Niedrigalkylreste mit 1 bis 6
Kohlenstoffatomen, ein Wasserstoffatom oder Gemische
derselben, und R. ein Alkalimetall, Wasserstoff, Magnesium oder die Gruppen SX oder SSX
darstellen, worin X ein Alkalimetall, Wasserstoff oder Magnesium bedeutet, oder
C-R,
/ 4
/ 4
worin R^. einen aromatischen, heterocyclischen
oder alicyclischen Rest mit 3 bis 12 Kohlenstoffatomen darstellt 'und R. ein Alkalimetall, Wasserstoff,
Magnesium oder die Gruppen SX oder SSX bedeutet, worin X ein Alkalimetall, Wasserstoff
oder Magnesium bedeutet, und
(2) einer Verbindung der Formel
XR1 -(S)n - R2 - SO3H
worin R, und R„ gleich oder verschieden sind und Alkylenreste mit 1 bis· 6 kohlenstoffatomen
bedeuten, X Wasserstoff oder
und η gleich 2 bis 5 ist, und
und η gleich 2 bis 5 ist, und
(3) Acrylamid umfasst,
bedeuten, X Wasserstoff oder -SO3H darstellt
wobei das genannte Reaktionsprodukt in ausreichender Menge vorliegt, um die Bildung von Rissen
in den Ecken zu verhindern, wenn das plattierte Substrat einem Wärmeschock unterworfen wird.
10. Verfahren gemäss Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
dass als Kupfersalz Kupfersulfat und als freie Säure Schwefelsäure verwendet
wird.
11. Verfahren gemäss den Ansprüchen 9 oder 10, dadurch
gekennzeichnet , dass ein Glänzer und/oder Egalisiermittel verwendet wird.
— b -
12. Verfahren gemäss den Ansprüchen 9 oder 10, dadurch
gekennzeichnet , dass (1) ein Alkaliinetallsalz von Tetralkylthiuram-disulf id ,
2,2'-Dithio-bis-arylthiazol oder 2-Mercaptoarylthiazol
und (2) Di-(3-sulfonat-1-alkyl)sulfid
verwendet wird.
13. Verfahren gemäss den Ansprüchen 9 oder 12, dadurch
gekennzeichnet , dass ein Glänzer und/oder Egalisiermittel verwendet wird.
14. Verfahren gemäss den Ansprüchen 9 oder 13, dadurch gekennzeichnet , dass als
Mittel ein Oxyethylen-.und/oder ein Oxypropylenpolymer
verwendet wird, welches mindestens ca. 8 Ethylen- oder Propylengruppen enthält.
15. Verfahren gemäss den Ansprüchen 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass (1)
das Natriumsalz von Tetramethylthiuram-disulfid, Tetraethylthiuram-disulfid oder Gemische derselben,
2,2'-Dithio-bis-benzothiazol oder 2-Mercaptobenzothiazol
und (2) Di-(natrium-3-sulfonat-1-propyDsulfid
verwendet werden.
16. Verfahren gemäss Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet , dass als Mittel eine
Oxyethylen- und/oder eine Oxypropylengruppe verwendet wird.
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