DE107109T1 - Elektrolytische kupferplattierungsloesungen und verfahren fuer ihre anwendung. - Google Patents

Elektrolytische kupferplattierungsloesungen und verfahren fuer ihre anwendung.

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DE107109T1
DE107109T1 DE198383109814T DE83109814T DE107109T1 DE 107109 T1 DE107109 T1 DE 107109T1 DE 198383109814 T DE198383109814 T DE 198383109814T DE 83109814 T DE83109814 T DE 83109814T DE 107109 T1 DE107109 T1 DE 107109T1
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Germany
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hydrogen
alkali metal
magnesium
carbon atoms
electrolytic plating
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DE198383109814T
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English (en)
Inventor
John Oyster Bay N.Y. 11771 Houman
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Shipley Co Inc
Original Assignee
LeaRonal Inc
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Publication date
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    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38Electroplating: Baths therefor from solutions of copper

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EP-Anmeldung Nr. 83 109 814.0 39 262 m/wa Veröffentlichungs-Nr. 0 107 109 LeaRonal, Inc., Freeport, N.Y. / USA Elektrolytische Kupferplattierungslosungen und Verfahren für ihre Anwendung PATENTANSPRÜCHE
1. Saure elektrolytische Kupferplattierungslösung, welche ein lösliches Kupfersalz, freie Säure und ein Reaktionsprodukt
(1) einer Verbindung der Formel
R1 S
^N -C-R4
R2/
worin R, und R„ Niedrigalkylreste mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen, ein Wasserstoffatom oder Gemische derselben bedeuten und R4 ein Alkalimetall, Wasserstoff, Magnesium oder die Gruppen SX oder SSX darstellen, worin X ein Alkalimetall, Wasserstoff oder Magnesium bedeutet,
oder eine Verbindung der Formel
R ' C-R
worin R^ einen aromatischen, heterocyclischen oder alicyclischen Rest mit 3 bis 12 Kohlenstoffatomen bedeutet und R. ein Alkalimetall, Wasserstoff, Magnesium oder die Gruppen SX oder SSX darstellt, worin X ein Alkalimetall, Wasserstoff oder Magnesium bedeutet, und
(2) einer Verbindung der Formel XR1 -(S)n - R2 - SO3H
worin R, und R„ gleich oder verschieden sind und Alkylenreste mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen bedeuten, X Wasserstoff oder -SO^H darstellt und η gleich 2 bis 5 ist, und
(3) Acrylamid umfasst,
wobei das genannte Reaktionsprodukt in ausreichender Menge vorliegt, um den Glanz der Abscheidung zu erhöhen und/oder die Bildung von Rissen während einem Wärmeschock vermeidet.
2. Elektrolytische Plattierlösung gemäss Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , dass das Kupfersalz Kupfersulfat und die freie Säure Schwefelsäure darstellen.
— ο
3. Elektrolytische Plattierlösung gemäss den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass (1) ein Alkalimetallsalz von Tetraalkylthiuram-disulfid, 2,2'-Dithio-bis-arylthiazol oder 2-Mercaptoarylthiaz'ol und (2) Di-(3-sulfonat-1-alkyl)sulfid darstellen.
4. Elektrolytische Plattierlösung gemäss Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass diese einen Glänzer und/oder ein Egalisiermittel enthält.
5. Elektrolytische Plattierlösung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , dass das Mittel ein Oxyethylen- und/oder ein Oxypropylenpolymer, welches mindestens ca. 8 Ethylen- oder Propylengruppen enthält, darstellt.
6. Elektrolytische Plattierlösung gemäss den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass (1) das Natriumsalz von Tetramethylthiuram-disulfid, Tetraethylthiuram-disulfid oder Gemische derselben, 2,2'-Dithio-bisbenzothiazol oder 2-Mercaptobenzothiazol und (2) Di-(natrium-3-sulfonat-1-propyl)sulfid darstellen.
7. Elektrolytische Plattierlösung gemäss Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , dass sie einen Glänzer und/oder ein Egalisiermittel enthält.
8. Elektrolytische Plattier lösung gemäss Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , . dass das Mittel ein Oxyethylen- und/oder ein Oxypropylenpolymer, welche mindestens ca. 8 Ethylen- oder Propylengruppen enthalten, darstellt.
9. Verfahren zur elektrolytischen Plattierung von Substraten mit scharfen Ecken unter Verwendung saurer Kupferlösungen, wobei die Bildung von Rissen aufgrund von Wärmeschock vermieden wird, g ekennzeichnet durch
elektrolytische Plattierung des Substrates mit einer Lösung, welche ein Kupfersalz, freie Säure und das Reaktionsprodukt einer Verbindung der Formel
jf
N - C -
R4
R2.
worin R, und R„ Niedrigalkylreste mit 1 bis 6 Kohlenstoffatomen, ein Wasserstoffatom oder Gemische derselben, und R. ein Alkalimetall, Wasserstoff, Magnesium oder die Gruppen SX oder SSX darstellen, worin X ein Alkalimetall, Wasserstoff oder Magnesium bedeutet, oder
C-R,
/ 4
worin R^. einen aromatischen, heterocyclischen oder alicyclischen Rest mit 3 bis 12 Kohlenstoffatomen darstellt 'und R. ein Alkalimetall, Wasserstoff, Magnesium oder die Gruppen SX oder SSX bedeutet, worin X ein Alkalimetall, Wasserstoff oder Magnesium bedeutet, und
(2) einer Verbindung der Formel
XR1 -(S)n - R2 - SO3H
worin R, und R„ gleich oder verschieden sind und Alkylenreste mit 1 bis· 6 kohlenstoffatomen bedeuten, X Wasserstoff oder
und η gleich 2 bis 5 ist, und
(3) Acrylamid umfasst,
bedeuten, X Wasserstoff oder -SO3H darstellt
wobei das genannte Reaktionsprodukt in ausreichender Menge vorliegt, um die Bildung von Rissen in den Ecken zu verhindern, wenn das plattierte Substrat einem Wärmeschock unterworfen wird.
10. Verfahren gemäss Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass als Kupfersalz Kupfersulfat und als freie Säure Schwefelsäure verwendet wird.
11. Verfahren gemäss den Ansprüchen 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet , dass ein Glänzer und/oder Egalisiermittel verwendet wird.
— b -
12. Verfahren gemäss den Ansprüchen 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet , dass (1) ein Alkaliinetallsalz von Tetralkylthiuram-disulf id , 2,2'-Dithio-bis-arylthiazol oder 2-Mercaptoarylthiazol und (2) Di-(3-sulfonat-1-alkyl)sulfid verwendet wird.
13. Verfahren gemäss den Ansprüchen 9 oder 12, dadurch gekennzeichnet , dass ein Glänzer und/oder Egalisiermittel verwendet wird.
14. Verfahren gemäss den Ansprüchen 9 oder 13, dadurch gekennzeichnet , dass als Mittel ein Oxyethylen-.und/oder ein Oxypropylenpolymer verwendet wird, welches mindestens ca. 8 Ethylen- oder Propylengruppen enthält.
15. Verfahren gemäss den Ansprüchen 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass (1) das Natriumsalz von Tetramethylthiuram-disulfid, Tetraethylthiuram-disulfid oder Gemische derselben, 2,2'-Dithio-bis-benzothiazol oder 2-Mercaptobenzothiazol und (2) Di-(natrium-3-sulfonat-1-propyDsulfid verwendet werden.
16. Verfahren gemäss Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet , dass als Mittel eine Oxyethylen- und/oder eine Oxypropylengruppe verwendet wird.
DE198383109814T 1982-09-30 1983-09-30 Elektrolytische kupferplattierungsloesungen und verfahren fuer ihre anwendung. Pending DE107109T1 (de)

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ATE32611T1 (de) 1988-03-15
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DE3375732D1 (en) 1988-03-31
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