DE10225778B4 - Leuchtstoff umgewandelte, Licht emittierende Anordnung - Google Patents
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Abstract
Description
- Gebiet der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich im Allgemeinen auf Licht emittierende Anordnungen und, im Besonderen, auf Licht emittierende Anordnungen, bei welchen Leuchtstoff eingesetzt wird.
- Beschreibung des verwandten Standes der Technik
- Blaue, Licht emittierende Dioden (LEDs) werden mit lumineszierenden Materialien (Leuchtstoffen) verwendet, um Licht emittierende Anordnungen vorzusehen, welche scheinbar weißes Licht emittieren. US-Patente
US 5 813 753 A undUS 5 998 925 A offenbaren zum Beispiel Licht emittierende Anordnungen, bei welchen eine blaueLED in einer reflektierenden Schale angeordnet und von Leuchtstoff enthaltendem Material umgeben ist.1 zeigt eine Anordnung dieser Art. Ein Teil des von derLED emittierten, blauen Lichts wird von den Leuchtstoffen absorbiert, welche in Reaktion rotes und grünes Licht emittieren. Die Kombination aus dem, von derLED emittierten, unabsorbierten, blauen Licht und dem, von den Leuchtstoffen emittierten, roten und grünen Licht kann dem menschlichen Auge weiß erscheinen. - Typischerweise weist Licht, welches von Lichtquellen emittiert wird, wie z.B. die in
1 dargestellte Anordnung, keine gleichmäßige Farbe auf. Oftmals wird weißes Licht in einem zentralen Lichtkonus, welcher von Ringen aus gelbem und blauem Licht mit kreisförmigem Querschnitt umgeben ist, emittiert. Dieser Effekt tritt auf Grund einer Ungleichmäßigkeit der Stärke des dieLED umgebenden, Leuchtstoff enthaltenden Materials und einer sich daraus ergebenden, räumlich ungleichmäßigen Absorption von blauem Licht und Emission von rotem und grünem Licht auf. Im Besonderen absorbieren Bereiche aus Leuchtstoff enthaltendem Material, welche eine große Stärke aufweisen, mehr blaues Licht und emittieren mehr rotes und grünes Licht als dünne Bereiche aus Leuchtstoff enthaltendem Material. Damit tendiert das Licht von Bereichen, welche eine große Stärke aufweisen, dazu, gelb, das Licht von den dünnen Bereichen dagegen blau zu erscheinen. Wie in1 dargestellt, wandert Licht, welches auf Weg b emittiert wurde, viel weiter durch den Leuchtstoff als Licht, welches auf Weg a emittiert wurde. Sobald Licht auf ein Leuchtstoffteilchen auftrifft, wird das Licht entweder absorbiert und auf einer anderen Wellenlänge wieder emittiert oder durch den Leuchtstoff gestreut. Es ist wahrscheinlicher, dass Licht, welches eine längere Strecke durch den Leuchtstoff zurücklegt, absorbiert und wieder emittiert wird. Umgekehrt ist es wahrscheinlicher, dass Licht, welches eine kürzere Strecke durch den Leuchtstoff zurücklegt, aus der Anordnung gestreut wird, ohne absorbiert und wieder emittiert zu werden. Infolgedessen wird mehr blaues Licht von Bereichen der Anordnung emittiert, welche kurzen Weglängen durch den Leuchtstoff entsprechen und mehr rotes und grünes Licht von Bereichen der Anordnung emittiert, welche langen Weglängen durch den Leuchtstoff entsprechen. - US-Patent
US 5 959 316 A von Lowery schlägt vor, die Ungleichmäßigkeit der Weglänge durch den Leuchtstoff zu eliminieren, indem, wie in2 dargestellt, vor Aufbringen eines Leuchtstoff enthaltenden Materials gleichmäßiger Dicke eine transparente Abstandsschicht über derLED und um diese vorgesehen wird. Jedoch sind Form und Dicke des Leuchtstoff enthaltenden Materials, welches typischerweise als Flüssigkeit oder Paste (in einer Flüssigkeit dispergierte Feststoffe) aufgebracht wird, durch die Oberflächenspannung schwer zu steuern. Darüber hinaus muss die Leuchtstoffschicht66 von der Licht emittierenden Anordnung60 getrennt sein. Infolgedessen ist die effektive Lichtquellengröße, d.h. die Licht emittierende Anordnung und die Leuchtstoffschicht, wesentlich größer als die Größe der Licht emittierenden Anordnung selbst. Da die optischen Bauelemente, welche zur Steuerung des von der Lichtquelle emittierten Lichts verwendet werden, mit der Lichtquellengröße geometrisch wachsen können, kann die von Lowery vorgeschlagene, große Lichtquellengröße Schwierigkeiten bei der praktischen Anwendung mit sich bringen. - US-Patentanmeldungen
US 2001 / 0 000 622 A1 US 2001 / 0 002 049 A1 - Die internationale Patentanmeldung
WO 00/ 33 390 A1 LED oder eine Laserdiode aufweist. Die Phosphorzusammensetzung absorbiert Strahlung aus einem ersten Spektrum und emittiert Strahlung mit einem zweiten Spektrum, wobei die Phosphorzusammensetzung und die Lichtquelle zusammen weißes Licht emittieren können. - Die deutsche Anmeldung
DE 36 85 749 T2 der europäischen PatentschriftEP 0 243 411 A1 offenbart berührungsempfindliche Anzeigeleuchten, insbesondere Leuchtdioden mit als Schaltmittel wirkenden Berührungs- oder Annäherungsfühlern. Ein Beispiel dieser Schaltmittel ist eine auf der Oberfläche der Leuchtdiode aufgetragene lichtdurchlässige und elektrisch leitende Metalloxidschicht. - US-Patentanmeldung
US 2001 / 0 002 049 A1 - US-Patent
US 5 813 752 A offenbart eine Vorrichtung zur Emission sichtbaren Lichtes, die eine UVLED , eine Phosphorschicht auf der Hauptemissionsoberfläche derLED und einen Kurzpassfilter (SWP) zwischen derLED und der Phosphorschicht umfasst, um UV-Licht von derLED zu der Phosphorschicht zu übertragen und sichtbares Licht von der Phosphorschicht in einer Vorwärtsrichtung zu reflektieren. - Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist eine Lichtquelle eine Licht emittierende Anordnung, wie z.B. eine Licht emittierende III-Nitrid-Diode, auf, die gleichmäßig mit einer Struktur aus lumineszierendem Material, wie z.B. einer Einzelschicht oder Mehrfachschichten aus Leuchtstoff, versehen ist. Schwankungen der Dicke der Struktur aus lumineszierendem Material liegen unter 10% bzw. entsprechen 10% der Durchschnittsdicke der Struktur aus lumineszierendem Material. In einigen Ausführungsbeispielen macht die Dicke der Struktur aus lumineszierendem Material weniger als 10% einer Querschnittsdimension der Licht emittierenden Anordnung aus. In einigen Ausführungsbeispielen ist die Struktur aus lumineszierendem Material das einzige lumineszierende Material, durch das Licht, welches von der Licht emittierenden Anordnung emittiert wird, hindurchtritt. In einigen Ausführungsbeispielen weist die Struktur aus lumineszierendem Material eine Dicke zwischen etwa 15 und etwa 100 Mikrometer, vorzugsweise 15-35 Mikrometer, auf. In einigen Ausführungsbeispielen weist die Struktur aus lumineszierendem Material mehrere Arten lumineszierendes Material auf. In einigen Ausführungsbeispielen setzt sich die Struktur aus lumineszierendem Material aus mehreren dünnen Schichten aus lumineszierenden Materialien zusammen.
- Beispiele sind in der Zeichnung dargestellt und werden im Folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
-
1 eineLED , welche in ein Leuchtstoff enthaltendes Material gekapselt ist; -
2 eineLED , welche durch eine transparente Abstandsschicht von einer Leuchtstoffschicht getrennt ist; -
3 eineLED gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; -
4 ,5A ,5B und5C die Schablonierung einer Schicht aus Leuchtstoff auf einerLED ; -
6 und7 die elektrophoretische Abscheidung einer Schicht aus Leuchtstoff auf einerLED ; -
8 eineLED , welche auf einer maskierten, leitenden Montagebasis angebracht ist; -
9 eineLED , welche auf einer bedeckten, leitenden Montagebasis angebracht ist. - Eine erfindungsgemäße, mit Leuchtstoff beschichtete
LED ist in3 dargestellt. Bei „Leuchtstoff“, wie hier verwendet, handelt es sich um ein lumineszierendes Material, welches Licht einer Wellenlänge absorbiert und Licht einer anderen Wellenlänge emittiert. Die „LED “ ist durch übereinander angeordnete Halbleiterschichten dargestellt, welche auf einem Substrat mit einem aktiven Bereich, der Licht emittieren kann, und Kontakten, welche auf den Halbleiterschichten angeordnet sind, ausgebildet sind. Bei „Lichtquelle“ handelt es sich um die Kombination ausLED und lumineszierenden Materialien mit, sich nicht in direktem Kontakt mit derLED befindenden Leuchtstoffschichten, durch welche das von derLED emittierte Licht hindurchtritt. DieLED in3 weist eine n-leitende Zone16 auf, welche auf einem Substrat14 , wie z.B. Saphir, SiC oder III-Nitrid, ausgebildet ist. Auf der n-leitenden Zone16 ist eine aktive Zone18 und auf der aktiven Zone18 eine p-leitende Zone22 vorgesehen. Die n-leitende Zone16 , die aktive Zone18 und die p-leitende Zone22 sind typischerweise durch Mehrschichtstrukturen aus Materialien mit der allgemeinen Formel AlxGayIn1-x-yN (0 ≤ x ≤1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x+y ≤1) dargestellt, können weiterhin Elemente der GruppeIII , wie z.B. Bor und Thallium, enthalten, wobei ein Teil des Stickstoffs durch Phosphor, Arsen, Antimon oder Bismut ersetzt werden kann. Ein Teil der p-leitenden Zone22 , der aktiven Zone18 und der n-leitenden Zone16 wird durch Ätzung abgetragen, um einen Teil der n-leitenden Zone16 freizulegen. Auf der p-leitenden Zone22 wird ein p-leitender Kontakt24 und auf dem freigelegten Teil der n-leitenden Zone16 ein n-leitender Kontakt20 aufgebracht. DieLED wird sodann gewendet und mit Hilfe eines Materials26 , wie z.B. Lötmittel, auf eine Montagebasis28 montiert. Obgleich in3 eine Flip-Chip-LED dargestellt ist, ist die Erfindung nicht auf Flip-Chip-Anordnungen beschränkt und kann ebenfalls bei anderen LED-Strukturen eingesetzt werden. DieLED emittiert, z.B. in dem UV-durchlässigen, blauen Teil des elektromagnetischen Spektrums, Licht. - Die Struktur
12 aus lumineszierendem Material weist über der Oberseite und in Angrenzung an die vertikalen Seiten derLED eine, im Wesentlichen gleichmäßige Dicke auf. In einem Ausführungsbeispiel betragen Schwankungen der Dicke der Struktur12 aus lumineszierendem Material weniger als 10% der durchschnittlichen Dicke der Struktur12 aus lumineszierendem Material und häufig weniger als 5% der Dicke der Struktur12 aus lumineszierendem Material. Damit weist jeder Lichtweg aus der Struktur12 aus lumineszierendem Material im Wesentlichen die gleiche Länge auf, wobei die Ungleichmäßigkeit der Farbe des von der Lichtquelle emittierten Lichts reduziert wird. Die Struktur12 aus lumineszierendem Material weist eine Dicke von etwa 15 Mikrometer (µm) bis etwa 100 µm auf. Die Struktur12 aus lumineszierendem Material kann mehrere dünne Schichten aus dem gleichen lumineszierenden Material oder aus verschiedenen lumineszierenden Materialien vorsehen und kann ebenfalls Teilchen aufweisen, welche Licht nicht wesentlich absorbieren oder emittieren. - Die Struktur
12 aus lumineszierendem Material befindet sich nahe genug an derLED und ist im Verhältnis zu den LED-Dimensionen dünn genug, um die Größe der Lichtquelle gegenüber der Größe derLED nicht signifikant zu erhöhen. Typischerweise ist die Struktur12 aus lumineszierendem Material in Angrenzung an dieLED vorgesehen. In einem Ausführungsbeispiel beträgt die Dicke der Struktur12 aus lumineszierendem Material weniger als 10% einer Querschnittsdimension derLED , z.B. der Länge derLED . Eine typische Querschnittsdimension einerLED beträgt 1 mm. Damit macht eine Leuchtstoff beschichteteLED gemäß Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung keine optischen Bauelemente notwendig, welche wesentlich größer als optische Bauelemente sind, die zur Steuerung des Lichts aus einer nicht Leuchtstoff beschichtetenLED erforderlich sind. - Um die Gleichmäßigkeit der Lichtweglänge durch den Leuchtstoff und folglich die Farbe des von der Lichtquelle emittierten Lichts aufrechtzuerhalten, sollte die Struktur
12 aus lumineszierendem Material der einzige Leuchtstoffweg sein, durch welchen Licht von derLED hindurchtritt. Leuchtstoffbeschichtungen auf Montagebasis28 von3 oder auf optischen Bauelementen, wie z.B. Reflexionsschalen oder Reflexionsebenen, welche die Leuchtstoffschicht auf mehr als 10% einer Querschnittsdimension derLED oder, in welcher Größe auch immer, auf mehr als 100 Mikrometer erweitern, werden vermieden. - In einigen Ausführungsbeispielen weist die Struktur aus lumineszierendem Material eine oder mehrere Schichten aus dem gleichen oder anderen Leuchtstoffmaterialien auf. Die Leuchtstoffschichten können transparente Verkappungsmaterialien, wie z.B. Silicongel, Solgel und Glas enthalten. Die Verwendung von Solgel als Verkappungsmaterial wird in US-Patentanmeldung
US 2002 / 0 070 449 A1 LED zu verbinden. Die transparenten Verkappungsmaterialien können ebenfalls die Brechungsindexphase zwischen derLED und Leuchtstoffpartikeln und unter den Leuchtstoffpartikeln selbst reduzieren, um den Photonenaustrittswinkel zu vergrößern und die Extraktionseffizienz zu erhöhen. - Die oben beschriebene, Leuchtstoff umgewandelte Lichtquelle kann zum Beispiel durch Schablonierung, Bedampfung im Vakuum, Sprühpulverbeschichtung, elektrostatische Beschichtung oder elektrophoretisches Aufbringen einer gleichmäßigen Leuchtstoffschicht auf einer
LED vorgesehen werden. Schablonierung und elektrophoretische Beschichtung werden weiter unten erläutert. Eine Schablonierung ist in dem PatentEP 1 198 016 A2 mit dem Titel „Stenciling Phosphor Layers on Light Emitting Diodes“ näher beschrieben. - Die Schablonierung wird unter Bezugnahme auf die
4 ,5A ,5B und5C beschrieben. In4 sind LEDs2A-2F in einem Muster auf einer Oberseite3 von Substrat4 angeordnet. Obgleich zum Zwecke einer deutlicheren Darstellung6 LEDs in1 dargestellt sind, können mehr oder weniger als 6 LEDs auf Substrat4 vorgesehen sein. Schablone6 weist eine Oberseite5 , eine Unterseite7 sowie durch Schablone6 hindurchgehende und in der Form den LEDs2A-2F entsprechende Öffnungen8A-8F auf. Bei einer Ausführung sind die Öffnungen8A-8F in Schablone6 in einem, dem Muster von LEDs2A-2F auf Substrat4 entsprechenden Muster verteilt. Bei einer anderen Ausführung ist die Anzahl Öffnungen in Schablone6 größer als die Anzahl LEDs auf Substrat4 , und eine Teilmenge der Öffnungen in Schablone6 ist in einem, dem Muster von LEDs2A-2F entsprechenden Muster verteilt. Schablone6 wird zum Beispiel aus nicht rostendem Stahlblech hergestellt. Die senkrecht zu ihren planaren Flächen (Tiefe von Öffnungen8A-8F ) gemessene Dicke von Schablone6 entspricht der Summe der senkrecht zu Substrat4 gemessenen Höhe einerLED 2A-2F und der ungefähren, gewünschten Dicke eines über LEDs2A-2F aufzubringenden, lumineszierenden Materials. Gleichermaßen entspricht die Länge bzw. Breite einer Öffnung8A-8F der Summe der entsprechenden Länge bzw. Breite einerLED 2A-2F und in etwa zweimal der gewünschten Dicke des um LEDs2A-2F aufzubringenden, lumineszierenden Materials. - Schablone
6 wird so auf Substrat4 positioniert, dass Öffnungen8A-8F mit LEDs2A-2F ausgerichtet sind und sich die Unterseite7 von Schablone6 in Kontakt mit der Oberseite3 von Substrat4 befindet. Wie in der Seitenansicht der auf Substrat4 vorgesehenen Schablone6 in5A dargestellt, werden LEDs2A-2C zum Beispiel in entsprechenden Öffnungen8A-8C in Schablone6 in etwa zentriert angeordnet. Als Nächstes wird eine härtbare, lumineszierende Schablonenzusammensetzung, wie z.B. die unten beschriebene, Leuchtstoff enthaltende Schablonenzusammensetzung, in Öffnungen8A-8F von Schablone6 vorgesehen. In einer Ausführung wird die Schablonenzusammensetzung in Öffnungen8A-8F von Schablone6 vorgesehen, wobei ein Metallblatt über Oberfläche5 gezogen wird. Sodann wird Schablone6 von Substrat4 entfernt, wobei schablonierte Leuchtstoffschichten, wie z.B. die in den5B und5C dargestellten Leuchtstoffschichten30A-30C , über und um LEDs2A-2F verbleiben. - Die Schritte, wobei Schablone
6 auf Substrat4 positioniert, eine lumineszierende Schablonenzusammensetzung auf Oberfläche5 und in Öffnungen8A-8F zur Ausbildung von Leuchtstoffschichten, wie z.B. Leuchtstoffschichten30A-30C auf LEDs2A-2F , vorgesehen und Schablone6 von Substrat4 entfernt wird, können mit Hilfe einer konventionellen Schablonierungsvorrichtung hoher Präzision, welche typischerweise eingesetzt wird, um Lötpaste auf Leiterplatten zu schablonieren, ausgeführt werden. - Nachdem Schablone
6 von Substrat4 entfernt wurde, werden die auf LEDs2A-2F vorgesehenen Schichten aus lumineszierendem Material durch Aushärten unter Anwendung von z.B. Wärme oder ultravioletter Strahlung, in einen festen Zustand gebracht. Das Aushärteverfahren kann zum Beispiel eine Vernetzung des polymeren Materials in den Leuchtstoffschichten umfassen. LEDs2A-2C werden zur Aushärtung der Leuchtstoffschichten30A-30C zum Beispiel in einem konventionellen Ofen etwa 10 Minuten auf etwa 100°C erwärmt. - Die auf LEDs
2A-2F vorgesehenen Schichten aus lumineszierendem Material müssen, ohne auseinanderzufallen, ihre schablonierten Formen bis zur Aushärtung im Wesentlichen beibehalten. Darüber hinaus ist es wünschenswert, dass die Schichten aus lumineszierendem Material Betriebstemperaturen über etwa 120°C über lange Zeiträume standhalten, ohne dabei ihre chemischen oder physikalischen Eigenschalten zu verändern. Epoxidharze, Urethane und ähnliche organische Harze sind zum Beispiel zur Verwendung in den Leuchtstoffschichten ungeeignet, da diese bei Temperaturen über etwa 120°C oxidieren und gelb werden. Die gelben, organischen Harze absorbieren dann blaues Licht, welches von derLED emittiert wird, wodurch die Leistung der Anordnung beeinträchtigt wird. Die scheinbare Farbe einer Anordnung, welche weißes Licht emittieren soll, würde sich zum Beispiel bei Oxidieren der organischen Harze zum Gelb hin verschieben, und die Leistungsfähigkeit würde dramatisch abnehmen, da das blaue Licht von den gelb gewordenen Harzen, nicht jedoch von den lumineszierenden Materialien absorbiert wird. - Eine lumineszierende Schablonenzusammensetzung, welche zur Verwendung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung geeignet ist, wird wie folgt hergestellt. Zuerst wird ein Leuchtstoffpulver mit einer konventionellen, härtbaren Siliconpolymerzusammensetzung vermischt. Die härtbare Siliconpolymerzusammensetzung enthält mindestens ein Polymer mit einer chemischen Zusammensetzung, welche abwechselnd Silicium- und Sauerstoffatome (ein Siliconpolymer) und wahlweise ein Härtungsmittel, wie z.B. einen Katalysator, der eine Vernetzung von Siliconpolymeren katalysiert, oder einen Photopolymerisationsinitiator enthält. Die härtbare Siliconpolymerzusammensetzung ist bei Lichtwellenlängen von etwa 350 nm bis etwa 800 nm vorzugsweise im Wesentlichen nicht absorbierend und nicht streuend (optisch klar). Die ungehärtete Schablonenzusammensetzung sollte eine größere Viskosität als etwa 1000 Zentistokes aufweisen, wenn diese ihre schablonierte Form bis zur Härtung beibehalten soll und wenn die Leuchtstoffteilchen in Suspension bleiben sollen statt sich abzuscheiden, sollte jedoch eine geringere Viskosität als etwa 20000 Zentistokes aufweisen, wenn diese leicht zu schablonieren sein soll. Infolgedessen weist die härtbare Siliconpolymerzusammensetzung vor Härtung vorzugsweise eine Viskosität von etwa 1000 Zentistokes bis etwa 20000 Zentistokes auf. Darüber hinaus sieht die härtbare Siliconpolymerzusammensetzung vorzugsweise einen größeren Brechungsindex als etwa 1,45 vor, um die Effizienz, mit welcher Licht aus der
LED und aus den Leuchtstoffteilchen in die Schablonenzusammensetzung gekoppelt wird, zu erhöhen. Ebenso ist die härtbare Siliconpolymerzusammensetzung vorzugsweise als Flüssigkeit bei Raumtemperatur beständig, bis diese durch Aushärten, z.B. Erwärmen oder Bestrahlen mit ultraviolettem Licht, in einen festen Zustand gebracht wurde. - Geeignete, härtbare Siliconpolymerzusammensetzungen sind im Handel erhältlich. Bei einer Ausführung ist die härtbare Siliconpolymerzusammensetzung zum Beispiel durch eine konventionelle, thermisch härtbare ZweikomponentenSiliconpolymerzusammensetzung dargestellt, welche eine Viskosität von etwa 1300 Zentistokes aufweist und in etwa 10 Minuten bei 100°C sowie in etwa zwei Wochen bei Raumtemperatur aushärtbar ist.
- Bei einer Ausführung handelt es sich bei dem, mit der konventionellen, härtbaren Siliconzusammensetzung gemischten Leuchtstoffpulver um ein Pulver aus (Y,Gd)3Al5O12:Ce (Gadolinium und Zer dotierter Yttrium-Aluminium-Granat) Teilchen. Teilchen dieses Leuchtstoffmaterials weisen einen typischen Durchmesser von etwa 5 Mikrometer (µm) auf, reichen von 1 bis 10 µm, absorbieren Licht mit Wellenlängen von etwa 430 Nanometer (nm) bis etwa 490 nm und emittieren Licht in einem breiten Band von etwa 510 nm bis etwa 610 nm. Die Farbe des Lichts, welche durch eine, mit einer schablonierten Leuchtstoffschicht versehene
LED emittiert wird, wird zum Teil durch die Konzentration von Leuchtstoffteilchen in der lumineszierenden Schablonenzusammensetzung bestimmt. Typischerweise werden die Leuchtstoffteilchen mit der härtbaren Siliconpolymerzusammensetzung in Konzentrationen von etwa 20 Gramm Leuchtstoffteilchen je 100 Gramm Siliconpolymerzusammensetzung bis etwa 120 Gramm Leuchtstoffteilchen je 100 Gramm Siliconpolymerzusammensetzung vermischt. - In einem Ausführungsbeispiel werden Titandioxidteilchen ebenfalls in der Siliconpolymerzusammensetzung in einer Konzentration von etwa 1,5 Gramm Titandioxid je 100 Gramm Siliconpolymerzusammensetzung bis etwa 5,0 Gramm Titandioxid je 100 Gramm Siliconpolymerzusammensetzung dispergiert. Die Titandioxidteilchen, welche in etwa die gleiche Größe wie die Leuchtstoffteilchen aufweisen, erhöhen die Streuung des durch die aktive Zone
14 emittierten Lichts und damit die Absorption des Lichts durch die Leuchtstoffteilchen. Die Gesamtumwandlungseffizienz derLED nimmt jedoch mit zunehmender Titanoxidkonzentration ab. - Nach Mischen der Leuchtstoffteilchen und optionalen Titandioxidteilchen mit der härtbaren Siliconzusammensetzung werden als Nächstes die fein verteilten Kieselerdeteilchen in dem Gemisch zur Ausbildung eines thixotropen Gels dispergiert. Ein thixotropes Gel weist eine Thixotropie, d.h., eine scheinbare Abnahme der Viskosität auf, wenn dieses einer Scherung unterworfen wird, und sieht eine Rückkehr zu dem ursprünglichen Viskositätsniveau vor, sobald die Scherkraft aufgehoben ist. Infolgedessen reagiert ein thixotropes Gel wie eine Flüssigkeit bei Schütteln, Rühren oder anderweitigem Durcheinanderbringen derselben und verfestigt sich bei Stillstand erneut zu einem Gel. Damit verhält sich eine, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung hergestellte, lumineszierende Schablonenzusammensetzung wie eine, auf einer
LED schablonierte Flüssigkeit, bildet auf derLED jedoch eine Leuchtstoff enthaltende Schicht, welche bei Nichtdurcheinanderbringen ihre Form nach Entfernen der Schablone beibehält. - In einem Ausführungsbeispiel sind die Kieselerdeteilchen durch Kieselpuder, eine, durch Verbrennung von Chlorsilan in einem Wasserstoff-Sauerstoff-Ofen hergestellte, kolloidale Form von Kieselerde, dargestellt. Kieselpuder ist bei Temperaturen über 120°C chemisch und physikalisch beständig, durchlässig für sichtbares Licht und verleiht der lumineszierenden Schablonenzusammensetzung zufriedenstellende, thixotrope Eigenschaften bei verhältnismäßig geringen Konzentrationen. Die Beschaffenheit des verwendeten Kieselpuders wird so ausgewählt, dass dieses mit nicht polaren Materialien kompatibel ist. Bei einer Ausführung handelt es sich bei dem Kieselpuder um unbehandeltes, amorphes Kieselpuder. Die Körnung dieses Kieselpuders ist hydrophob und weist eine durchschnittliche Oberfläche je Einheitsmasse von 200 ± 15 m2/g auf. Die Kieselpuderpartikel der Güteklasse M-5P werden in dem Gemisch aus Leuchtstoffteilchen und der Siliconpolymerzusammensetzung mit einem konventionellen Dreiwalzenwerk bei Konzentrationen von etwa 1,5 Gramm Kieselpuder je 100 Gramm Siliconpolymerzusammensetzung bis etwa 4,5 Gramm Kieselpuder je 100 Gramm Siliconpolymerzusammensetzung dispergiert. Mit Erhöhen der Kieselpuderkonzentration wird die Schablonenzusammensetzung thixotroper, d.h. Feststoff ähnlicher als ein nicht durcheinander gebrachtes Gel.
- Bei weiteren Ausführungen wird Kieselpuder mit einer Oberfläche von mehr oder weniger als 200 ± 15 m2/g je Einheitsmasse verwendet. Bei festen Kieselpuderkonzentrationen werden Schablonenzusammensetzungen thixotroper, da die Oberfläche je Einheitsmasse des Kieselpuders vergrößert wird. Damit muss Kieselpuder mit einer geringeren Oberfläche je Einheitsmasse bei höheren Konzentrationen verwendet werden. Die erforderlichen, hohen Konzentrationen von Kieselpuder mit einer geringen Oberfläche je Einheitsmasse können in Schablonenzusammensetzungen resultieren, welche Viskositäten aufweisen, die für eine einfache Schablonierung zu hoch sind. Infolgedessen weist das Kieselpuder vorzugsweise eine größere Oberfläche als etwa 90 m2/g je Einheitsmasse auf. Im Gegensatz dazu nimmt die erforderliche Kieselpuderkonzentration mit Zunahme der Oberfläche je Einheitsmasse des Kieselpuders ab, wobei jedoch das Kieselpuder in der Siliconpolymerzusammensetzung schwerer zu dispergieren ist.
- Die in
3 dargestellte Struktur12 aus lumineszierendem Material kann, wie unten beschrieben, ebenfalls elektrophoretisch aufgebracht werden. Zur elektrophoretischen Abscheidung einer Leuchtstoffschicht wird eine elektrisch leitende Schicht zwischen derLED und der Leuchtstoffschicht ausgebildet, deren elektrische Leitfähigkeit X so ausgewählt wird, dass der Strom durch die elektrisch leitende Schicht bei Betrieb derLED höchstens 5% des Stroms durch die Halbleiterschichten derLED ausmacht. - In der Praxis verbindet die leitende Schicht gewöhnlich die Kontakte der
LED miteinander. Die elektrische Leitfähigkeit dieser Schicht wird so ausgewählt, dass diese so gering ist, dass die Schicht keinen Kurzschluss zwischen den Kontakten derLED hervorruft und sich auf das Funktionieren derLED bzw. die Leistungsfähigkeit, mit welcher Licht erzeugt wird, nicht signifikant nachteilig auswirkt. Die elektrische Leitfähigkeit dieser Schicht wird so ausgewählt, dass diese hoch genug ist, um bei elektrophoretischem Abscheiden von Leuchtstoffmaterial aus einer entsprechend ausgewählten Suspension als Elektrode zu dienen. Auf diese Weise kann eine, einen engen Kontakt herstellende Leuchtstoffschicht gleichmäßiger Stärke auf sämtlichen Oberflächen derLED auf einfache Weise ausgebildet werden. - Typischerweise wird die elektrisch leitende Schicht aus einem Material vorgesehen, welches für das von der
LED erzeugte Licht durchlässig ist, wie zum Beispiel einem lichtdurchlässigen Oxid, wie z.B. Indiumzinnoxid, Antimonzinnoxid und Zinnoxid, oder einem geeigneten, lichtdurchlässigen, organischen, leitenden Material. - Elektrophoretisches Aufbringen von Leuchtstoffschichten wird unter Bezugnahme auf
6 und7 näher beschrieben. In6 kennzeichnetLF eine isolierende Trägerplatte, welche elektrisch leitendes Leiterrahmenmaterial enthält. ,A‘ kennzeichnet eine Baueinheit mit einer, häufig aus einem Metall gefertigten Wärmeableitvorrichtung, welche in einer Öffnung in der isolierenden TrägerplatteLF vorgesehen ist. Auf BaueinheitA ist eine MontagebasisB angeordnet, welche sich oftmals aus einem, mit Aluminium strukturierten, oxidierten Siliciumplättchen zusammensetzt. Die Enden der MontagebasisB sind an jeweilige Bonddrähte angeschlossen, welche jeweils mit der TrägerplatteLF verbunden sind.D kennzeichnet eineLED , welche ein Substrat aufweist, auf dem, wie oben beschrieben, mehrere Epitaxialschichten aus Halbleitermaterialien vorgesehen sind.C kennzeichnet Lötkugeln, welche elektrische Kontakte zwischenLED D und MontagebasisB bilden.ST kennzeichnet ein Tröpfchen einer, lumineszierendes Material enthaltenden Suspension S. Das TröpfchenST befindet sich mit einem Teil der Oberfläche der Wärmeableitvorrichtung in BaueinheitA , MontagebasisB , KontaktenC undLED D in Kontakt. Der die Suspension kontaktierende Teil der Oberfläche von WärmeableitvorrichtungA , MontagebasisB , KontaktenC , BonddrähtenBD undLED D ist mit einer elektrisch leitenden Schicht El versehen, deren elektrische Leitfähigkeit so ausgewählt wird, dass diese höher als diese der Suspension ist. Die Suspension wird mit Hilfe einer Pumpe in eine, durch die Pfeile gekennzeichneten Richtung verschoben, so dass der Teil der Suspension, welcher sich in der Nähe der Oberfläche derLED D befindet, kontinuierlich erneuert wird. Eine Kathode einer SpannungsquelleVg ist über die TrägerplatteLF und über die BonddrähteBD mit der elektrisch leitenden Schicht verbunden, so dass diese Schicht eine Kathode bildet, welche sich mit der Suspension in Kontakt befindet. Eine Anode von SpannungsquelleVg ist mit einer, in der Suspension vorgesehenen Elektrode E verbunden. Unter dem Einfluss einer, von der Spannungsquelle erzeugten Spannung V wird auf sämtlichen Flächen, die sich in elektrischem Kontakt sowohl mit der Suspension als auch mit der elektrisch leitenden Schicht befinden, mit Hilfe einer Elektrophorese eine Schicht aus einem lumineszierendem Material aufgebracht. - Bei dem in
6 dargestellten Verfahren besteht die elektrisch leitende Schicht aus Antimonzinnoxid und weist eine Dicke von etwa 50 nm auf. Die elektrisch leitende Schicht wird durch Befeuchten der Oberfläche des optoelektrischen Elements mit einer, Antimonzinnoxid enthaltenden Suspension vorgesehen. DieLED weist ein Saphirsubstrat auf, auf welchem Epitaxialschichten aus III-Nitridmaterialien ausgebildet sind. Die verwendete, lumineszierende Suspension enthält Leuchtstoffe, wie zum Beispiel Strontiumsulfid, Strontiumthiogallat, Yttrium-Aluminium-Granat, dotiert mit Gadolinium, Zer und Praseodym, oder die oben in Bezug auf die Erörterung des Schablonendrucks aus Leuchtstoffen beschriebenen Materialien. Die elektrische Leitfähigkeit solcher Suspensionen beträgt etwa 300 pS/m. Es hat sich gezeigt, dass unter dem Einfluss einer Spannung von 200 Volt die Oberfläche derLED D durch elektrophoretische Abscheidung in 50 Sekunden mit einer, etwa 50 µm dicken, lumineszierenden Schicht versehen wird. - In
7 tragen Teile, welche den in6 dargestellten entsprechen, die gleichen Bezugsziffern. Die elektrisch leitende SchichtEL bedeckt die Oberfläche der Wärmeableitvorrichtung in BaueinheitA , MontagebasisB , KontaktenC undLED D . Die elektrische SchichtEL ist wiederum vollständig mit einer lumineszierenden Schicht LU versehen. Infolgedessen ist nicht nur die von der Wärmeableitvorrichtung abgewandte Oberfläche derLED , sondern auch die sich senkrecht zu dieser erstreckenden Seitenflächen mit lumineszierendem Material versehen. Zur Beeinflussung der Richtung, in welche das durch die lumineszierende Schicht erzeugte Licht emittiert wird, ist auf derLED D ein Körper in Form einer Halbkugel vorgesehen, welche mit einer Wand E, die für sichtbares Licht durchlässig ist, sowie mit einer FüllungF versehen ist, welche ebenfalls für sichtbares Licht durchlässig ist. Bei Anlegen einer Spannung zwischen den Enden der die TrägerplatteLF kontaktierenden Bonddrähte erzeugt dieLED D eine elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs, welche durch die lumineszierende Schicht LU in sichtbares Licht eines anderen Wellenlängenbereichs umgewandelt wird. Durch das Vorhandensein der Wand E und der transparenten FüllungF wird das Licht im Wesentlichen in die Richtung der longitudinalen Achse des optoelektrischen Elements emittiert. - Um unter Anwendung des oben beschriebenen, elektrophoretischen Verfahrens die besten Ergebnisse zu erreichen, muss die
LED so leitend sein, dass Leuchtstoff auf derLED aufgebracht wird, und die Montagebasis, auf welcher dieLED angebracht ist, muss so schlecht leitend bzw. isolierend sein, dass kein Leuchtstoff auf der Montagebasis vorgesehen wird. Damit können bei LED/Montagebasis-Kombinationen mit einem isolierenden LED-Substrat und/oder einer leitenden Montagebasis mehr Verfahrensschritte als bei LED/Montagebasis-Kombinationen ohne isolierende LED-Substrate und/oder leitende Montagebasen erforderlich sein. - Zur Ausbildung der elektrisch leitenden Schicht
EL auf einer isolierendenLED , um die elektrophoretische Abscheidung zu ermöglichen, wird dieLED in eine Suspension getaucht, welche das elektrisch leitende Material, wie oben beschrieben, enthält. Der Tauchvorgang resultiert typischerweise darin, dass die komplette Montagebasis oder ein Teil derselben mit elektrisch leitendem Material versehen wird. Da die Montagebasis nun leitend ist, muss diese, wie unten in Bezug auf die8 und9 beschrieben, gegen eine Leuchtstoffabscheidung geschützt werden. - Sollte die
LED auf einem elektrisch leitenden Substrat, wie z.B, SiC, vorgesehen werden, wird dieLED nicht in die Suspension aus elektrisch leitendem Material getaucht, da keine weitere elektrisch leitende Schicht erforderlich ist; daher werden die Isolationsschichten auf der Montagebasis isolierend belassen. Da die Montagebasis isolierend oder schlecht leitend ist, wird während der oben beschriebenen, elektrophoretischen Abscheidung kein lumineszierendes Material auf der Montagebasis aufgebracht. -
8 zeigt eine, entweder auf einem leitenden Substrat ausgebildete oder durch eine Beschichtung vor Anbringen an dem Substrat leitend gemachteLED D , welche durch VerbindungsstückeC , wie z.B. Lötkontakthügel, an einer leitenden MontagebasisB befestigt wird. Vor Anbringen derLED D an MontagebasisB wird Letztere zuerst in sämtlichen Bereichen, in welchen Licht von derLED D auf Montagebasis . auftreffen kann, mit einem Isolatormaterial IM versehen. Das Isolatormaterial IM wird sodann strukturiert, um Öffnungen auszubilden, durch welche VerbindungsstückeC dieLED D und die MontagebasisB verbinden. Durch die Schicht IM aus Isolatormaterial wird während der elektrophoretischen Abscheidung des lumineszierenden Materials auf die MontagebasisB kein lumineszierendes Material aufgebracht. Beispiele isolierender Beschichtungsmaterialien, welche sich zur Verwendung als Schicht IM eignen, umfassen anorganische Beschichtungen, wie z.B. SixNy, SixOy und AlxOy sowie organische Schichten, wie z.B. Polyimid, Teflon, Nylon, zyklische Olefincopolymere und PMMA. -
9 zeigt ebenfalls eine, durch VerbindungsstückeC , wie z.. Lötkontakthügel, an einer leitenden MontagebasisB angebrachtenLED D . MontagebasisB ist mit einer isolierenden KappeIC versehen. Bei dieser kann es sich zum Beispiel um eine Kunststoffkappe handeln. Die isolierende KappeIC wird so hergestellt, dass die kleinstmögliche Bohrung vorgesehen wird, welche eine effektive Verbindung derLED D mit der MontagebasisB ermöglicht. Während der elektrophoretischen Abscheidung wird kein lumineszierendes Material auf der isolierenden KappeIC aufgebracht; dieses kann jedoch auf freigelegten Teilen von MontagebasisB zwischen der isolierenden KappeIC ,LED D und dem Bereich, in welchem Leitungen oder VerbindungsstückeC eine Verbindung herstellen, vorgesehen werden. Der Abstand zwischen dem inneren Rand der isolierenden KappeIC und dem Teil der Montagebasis, welcher mit derLED D versehen ist bzw. sich unterhalb dieser befindet, sollte gleich bzw. geringer als 10% der Länge einer Seite derLED D oder, welche Abmessung auch immer am größten ist, gleich bzw. geringer als 100 Mikrometer sein. - Weißes Licht kann erhalten werden durch:
1 ) eine blaue Lichtquelle, welche einen Leuchtstoff aktiviert, der einen Teil des blauen Lichts in gelbes Licht umwandelt;2 ) eine blaue Lichtquelle, welche Leuchtstoffe aktiviert, die einen Teil des blauen Lichts in rotes und grünes Licht umwandeln; sowie3 ) eine UV-Lichtquelle, welche Leuchtstoffe aktiviert, um geeignete Kombinationen aus blauem, rotem, grünem oder gelbem Licht zu emittieren. - Die oben beschriebenen Lichtquellen können an ein, unter der
LED vorgesehenes, reflektierendes Element angebracht werden. Das reflektierende Element kann konvex, konkav oder planar sein.
Claims (23)
- Lichtquelle mit: einer Licht emittierenden Anordnung (D), wobei diese übereinander angeordnete Schichten mit einer n-leitenden Zone (16), einer aktiven Zone (18) und einer p-leitenden Zone (22) aufweist, sowie einer Struktur (LU, 12) aus lumineszierendem Material, welche die Licht emittierende Anordnung (D) bedeckt, wobei Schwankungen der Dicke der Struktur (LU, 12) aus lumineszierendem Material höchstens 10% der Durchschnittsdicke der Struktur (LU, 12) aus lumineszierendem Material betragen, und wobei die Schicht (LU, 12) aus lumineszierendem Material Kieselerdeteilchen aufweist.
- Lichtquelle nach
Anspruch 1 , wobei Schwankungen der Dicke der Struktur (LU, 12) aus lumineszierendem Material höchstens 5% der Durchschnittsdicke der Struktur (LU, 12) aus lumineszierendem Material betragen. - Lichtquelle nach
Anspruch 1 , wobei die Durchschnittsdicke der Struktur (LU, 12) aus lumineszierendem Material 15 Mikrometer bis 100 Mikrometer beträgt. - Lichtquelle nach
Anspruch 1 , wobei die Dicke der Struktur (LU, 12) aus lumineszierendem Material höchstens 100 Mikrometer und 10% einer Querschnittsdimension der Licht emittierenden Anordnung (D) beträgt. - Lichtquelle nach
Anspruch 1 , wobei die Struktur (LU, 12) aus lumineszierendem Material mehrere Leuchtstoffschichten aufweist. - Lichtquelle nach
Anspruch 1 , wobei die Licht emittierende Anordnung (D) durch eine III-Nitrid-Anordnung dargestellt ist. - Lichtquelle nach
Anspruch 1 , wobei die Struktur (LU, 12) aus lumineszierendem Material eine Schicht, die aus der sich aus Strontiumsulfid, Strontiumthiogallat sowie Yttrium-Aluminium-Granat, dotiert mit Gadolinium, Zer und Praseodym, zusammensetzenden Gruppe ausgewählt ist, aufweist. - Lichtquelle nach
Anspruch 1 , wobei die Schicht (LU, 12) aus lumineszierendem Material aus der sich aus Siliconpolymer und Glas zusammensetzenden Gruppe ausgewählt wird. - Lichtquelle nach
Anspruch 1 , wobei die Licht emittierende Anordnung (D) weiterhin eine transparente, elektrisch leitende Schicht (EL) aufweist. - Lichtquelle nach
Anspruch 9 , wobei die elektrisch leitende Schicht (EL) ein transparentes Metalloxid aufweist. - Lichtquelle nach
Anspruch 1 , wobei die die Licht emittierende Anordnung (D) bedeckende Schicht (LU, 12) aus lumineszierendem Material die einzige Schicht aus lumineszierendem Material ist, durch welche von der Licht emittierenden Anordnung (D) emittiertes Licht hindurchtritt. - Lichtquelle nach
Anspruch 1 , wobei die Schicht (LU, 12) aus lumineszierendem Material Licht so emittiert, dass, wenn dieses mit von der Licht emittierenden Anordnung (D) emittiertem Licht verbunden wird, die Lichtquelle weißes Licht erzeugt. - Lichtquelle nach
Anspruch 1 , wobei die Schicht (LU, 12) aus lumineszierendem Material Leuchtstoffe aufweist, die bei Aktivierung durch Licht, welches von der Licht emittierenden Anordnung (D) emittiert wird, rotes und grünes Licht emittieren. - Lichtquelle nach
Anspruch 1 , wobei die Schicht (LU, 12) aus lumineszierendem Material einen oder mehrere Leuchtstoffe aufweist, die bei Aktivierung durch Licht, welches von der Licht emittierenden Anordnung (D) emittiert wird, gelbes Licht emittieren. - Lichtquelle nach
Anspruch 1 , welche weiterhin eine Montagebasis (B, 28) aufweist, die durch Verbindungsstücke (C, 26) mit der Licht emittierenden Anordnung (D) verbunden ist. - Lichtquelle nach
Anspruch 15 , wobei die Montagebasis (B, 28) ein leitendes Material aufweist, wobei die Lichtquelle weiterhin eine Schicht (IM) aus schlecht leitendem Material vorsieht, mit welcher ein Teil der Montagebasis (B, 28) versehen ist. - Lichtquelle nach
Anspruch 1 , wobei die Schicht (LU, 12) aus lumineszierendem Material mehrere Teilschichten aus lumineszierendem Material aufweist. - Lichtquelle nach
Anspruch 17 , wobei eine erste Teilschicht eine andere Zusammensetzung als eine zweite Teilschicht aufweist. - Lichtquelle nach
Anspruch 1 , welche weiterhin ein reflektierendes Element aufweist, welches unter der Licht emittierenden Anordnung (D) angeordnet ist. - Lichtquelle nach
Anspruch 19 , wobei das reflektierende Element eine Form aufweist, welche planar, konvex oder konkav ist. - Lichtquelle nach
Anspruch 1 , wobei die Licht emittierende Anordnung (D) in dem UV bis blauen Teil des elektromagnetischen Spektrums Licht emittiert. - Lichtquelle nach
Anspruch 1 , wobei die Struktur (LU, 12) aus lumineszierendem Material mehrere Leuchtstoffarten aufweist. - Lichtquelle nach
Anspruch 1 , wobei die Struktur (LU, 12) aus lumineszierendem Material Oberseiten und Seitenflächen der Licht emittierenden Anordnung (D) bedeckt, wobei eine Unterseite der Licht emittierenden Anordnung (D) nicht bedeckt ist.
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US6600175B1 (en) | 1996-03-26 | 2003-07-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Solid state white light emitter and display using same |
US6747406B1 (en) * | 2000-08-07 | 2004-06-08 | General Electric Company | LED cross-linkable phospor coating |
TW511303B (en) * | 2001-08-21 | 2002-11-21 | Wen-Jr He | A light mixing layer and method |
CN100423296C (zh) | 2001-09-03 | 2008-10-01 | 松下电器产业株式会社 | 半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法 |
US20080029145A1 (en) * | 2002-03-08 | 2008-02-07 | Chien-Min Sung | Diamond-like carbon thermoelectric conversion devices and methods for the use and manufacture thereof |
US6891330B2 (en) * | 2002-03-29 | 2005-05-10 | General Electric Company | Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission |
US6798137B2 (en) * | 2002-04-04 | 2004-09-28 | Intel Corporation | Apparatus and method for warpage compensation of a display panel substrate assembly |
US20080009689A1 (en) * | 2002-04-09 | 2008-01-10 | Benaron David A | Difference-weighted somatic spectroscopy |
US6711426B2 (en) * | 2002-04-09 | 2004-03-23 | Spectros Corporation | Spectroscopy illuminator with improved delivery efficiency for high optical density and reduced thermal load |
TWI226357B (en) * | 2002-05-06 | 2005-01-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wavelength-converting reaction-resin, its production method, light-radiating optical component and light-radiating semiconductor-body |
US6841802B2 (en) | 2002-06-26 | 2005-01-11 | Oriol, Inc. | Thin film light emitting diode |
DE10228937A1 (de) * | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Elektrolumineszierende Vorrichtung mit verbesserter Lichtauskopplung |
US7928455B2 (en) * | 2002-07-15 | 2011-04-19 | Epistar Corporation | Semiconductor light-emitting device and method for forming the same |
TWI241728B (en) | 2004-09-01 | 2005-10-11 | Epistar Corp | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
US20050181212A1 (en) * | 2004-02-17 | 2005-08-18 | General Electric Company | Composite articles having diffusion barriers and devices incorporating the same |
US7015640B2 (en) * | 2002-09-11 | 2006-03-21 | General Electric Company | Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same |
US7449246B2 (en) * | 2004-06-30 | 2008-11-11 | General Electric Company | Barrier coatings |
US20060208634A1 (en) * | 2002-09-11 | 2006-09-21 | General Electric Company | Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same |
US7170151B2 (en) * | 2003-01-16 | 2007-01-30 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Accurate alignment of an LED assembly |
EP1597777B1 (de) | 2003-02-26 | 2013-04-24 | Cree, Inc. | WEISSLICHTQUELLE MIT LEUCHTDIODE UND LEUCHTSTOFFE und Herstellungsverfahren dafür |
US7038370B2 (en) * | 2003-03-17 | 2006-05-02 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Phosphor converted light emitting device |
US7005679B2 (en) | 2003-05-01 | 2006-02-28 | Cree, Inc. | Multiple component solid state white light |
US7108386B2 (en) | 2003-05-12 | 2006-09-19 | Illumitech Inc. | High-brightness LED-phosphor coupling |
US9142740B2 (en) * | 2003-07-04 | 2015-09-22 | Epistar Corporation | Optoelectronic element and manufacturing method thereof |
US8999736B2 (en) | 2003-07-04 | 2015-04-07 | Epistar Corporation | Optoelectronic system |
WO2005022654A2 (en) | 2003-08-28 | 2005-03-10 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device |
EP1663706A4 (de) * | 2003-09-08 | 2008-11-05 | Odelo Gmbh | Led-lichtquelle |
JP2005093712A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
US7915085B2 (en) | 2003-09-18 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method |
KR100999712B1 (ko) | 2003-11-10 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
WO2005051044A1 (en) * | 2003-11-18 | 2005-06-02 | 3M Innovative Properties Company | Electroluminescent devices and methods of making electroluminescent devices including a color conversion element |
CN1317775C (zh) * | 2003-12-10 | 2007-05-23 | 玄基光电半导体股份有限公司 | 发光二极管封装结构及其封装方法 |
JP4496774B2 (ja) * | 2003-12-22 | 2010-07-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7755095B2 (en) * | 2003-12-24 | 2010-07-13 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device, lighting module, lighting apparatus, display element, and manufacturing method for semiconductor light emitting device |
DE202005002110U1 (de) | 2004-02-19 | 2005-05-04 | Hong-Yuan Technology Co., Ltd., Yonghe | Lichtemittierende Vorrichtung |
CN100392879C (zh) * | 2004-02-23 | 2008-06-04 | 弘元科技有限公司 | 发光装置及其制造方法和制造系统 |
CN101270864A (zh) * | 2004-02-23 | 2008-09-24 | 弘元科技有限公司 | 发光装置的制造方法 |
US7326583B2 (en) | 2004-03-31 | 2008-02-05 | Cree, Inc. | Methods for packaging of a semiconductor light emitting device |
US7279346B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-10-09 | Cree, Inc. | Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another |
US7517728B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-04-14 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element |
US7815854B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-10-19 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Electroluminescent illumination source for optical detection systems |
US7796266B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-09-14 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Optical detection system using electromagnetic radiation to detect presence or quantity of analyte |
DE102004021231B4 (de) * | 2004-04-30 | 2012-12-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Abscheiden eines Lumineszenzkonversionsmaterials |
US7315119B2 (en) * | 2004-05-07 | 2008-01-01 | Avago Technologies Ip (Singapore) Pte Ltd | Light-emitting device having a phosphor particle layer with specific thickness |
JP5366399B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2013-12-11 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 光電子半導体構成素子及び該構成素子のためのケーシング基体 |
US7361938B2 (en) * | 2004-06-03 | 2008-04-22 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Luminescent ceramic for a light emitting device |
US8034419B2 (en) * | 2004-06-30 | 2011-10-11 | General Electric Company | Method for making a graded barrier coating |
US20090110892A1 (en) * | 2004-06-30 | 2009-04-30 | General Electric Company | System and method for making a graded barrier coating |
US20060006366A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Vladimir Abramov | Wave length shifting compositions for white emitting diode systems |
JP4599111B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-12-15 | スタンレー電気株式会社 | 灯具光源用ledランプ |
US7138756B2 (en) | 2004-08-02 | 2006-11-21 | Dowa Mining Co., Ltd. | Phosphor for electron beam excitation and color display device using the same |
JP4933739B2 (ja) * | 2004-08-02 | 2012-05-16 | Dowaホールディングス株式会社 | 電子線励起用の蛍光体および蛍光体膜、並びにそれらを用いたカラー表示装置 |
JP4524470B2 (ja) | 2004-08-20 | 2010-08-18 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源 |
JP2006086469A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置及び半導体発光装置の製造方法 |
US7217583B2 (en) | 2004-09-21 | 2007-05-15 | Cree, Inc. | Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension |
US7372198B2 (en) * | 2004-09-23 | 2008-05-13 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor |
DE102004060358A1 (de) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip |
US7675079B1 (en) * | 2004-10-28 | 2010-03-09 | Kley Victor B | Diamond coating of silicon-carbide LEDs |
US7473933B2 (en) * | 2004-10-29 | 2009-01-06 | Ledengin, Inc. (Cayman) | High power LED package with universal bonding pads and interconnect arrangement |
US8816369B2 (en) | 2004-10-29 | 2014-08-26 | Led Engin, Inc. | LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices |
US8324641B2 (en) * | 2007-06-29 | 2012-12-04 | Ledengin, Inc. | Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device |
US7670872B2 (en) * | 2004-10-29 | 2010-03-02 | LED Engin, Inc. (Cayman) | Method of manufacturing ceramic LED packages |
US8134292B2 (en) * | 2004-10-29 | 2012-03-13 | Ledengin, Inc. | Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material |
US9929326B2 (en) | 2004-10-29 | 2018-03-27 | Ledengin, Inc. | LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser |
US7772609B2 (en) * | 2004-10-29 | 2010-08-10 | Ledengin, Inc. (Cayman) | LED package with structure and materials for high heat dissipation |
EP1659641B1 (de) * | 2004-11-23 | 2012-01-11 | Centro Ricerche Plast-Optica S.p.A. | Leuchtdiode und deren Herstellung |
US7514859B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-04-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Ultraviolet emitter display apparatus |
US8569948B2 (en) | 2004-12-28 | 2013-10-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Electroluminescent devices and methods of making electroluminescent devices including an optical spacer |
TWI239671B (en) * | 2004-12-30 | 2005-09-11 | Ind Tech Res Inst | LED applied with omnidirectional reflector |
US7646033B2 (en) | 2005-01-11 | 2010-01-12 | Semileds Corporation | Systems and methods for producing white-light light emitting diodes |
US8680534B2 (en) * | 2005-01-11 | 2014-03-25 | Semileds Corporation | Vertical light emitting diodes (LED) having metal substrate and spin coated phosphor layer for producing white light |
US20110284866A1 (en) * | 2005-01-11 | 2011-11-24 | Tran Chuong A | Light-emitting diode (led) structure having a wavelength-converting layer and method of producing |
US7195944B2 (en) | 2005-01-11 | 2007-03-27 | Semileds Corporation | Systems and methods for producing white-light emitting diodes |
US8012774B2 (en) * | 2005-01-11 | 2011-09-06 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Coating process for a light-emitting diode (LED) |
TWI352437B (en) | 2007-08-27 | 2011-11-11 | Epistar Corp | Optoelectronic semiconductor device |
US7525248B1 (en) * | 2005-01-26 | 2009-04-28 | Ac Led Lighting, L.L.C. | Light emitting diode lamp |
JP4923408B2 (ja) * | 2005-01-26 | 2012-04-25 | パナソニック株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US7939842B2 (en) * | 2005-01-27 | 2011-05-10 | Cree, Inc. | Light emitting device packages, light emitting diode (LED) packages and related methods |
US7405433B2 (en) * | 2005-02-22 | 2008-07-29 | Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd | Semiconductor light emitting device |
KR100665121B1 (ko) * | 2005-02-28 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 파장변환형 발광 다이오드 패키지 제조방법 |
US8748923B2 (en) * | 2005-03-14 | 2014-06-10 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Wavelength-converted semiconductor light emitting device |
US7341878B2 (en) * | 2005-03-14 | 2008-03-11 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Wavelength-converted semiconductor light emitting device |
JP2006282447A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 透光性材料およびその製造方法 |
US20060221022A1 (en) * | 2005-04-01 | 2006-10-05 | Roger Hajjar | Laser vector scanner systems with display screens having optical fluorescent materials |
US7791561B2 (en) | 2005-04-01 | 2010-09-07 | Prysm, Inc. | Display systems having screens with optical fluorescent materials |
US7474286B2 (en) | 2005-04-01 | 2009-01-06 | Spudnik, Inc. | Laser displays using UV-excitable phosphors emitting visible colored light |
US7733310B2 (en) | 2005-04-01 | 2010-06-08 | Prysm, Inc. | Display screens having optical fluorescent materials |
DE102005019376A1 (de) * | 2005-04-26 | 2006-11-02 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Lumineszenzkonversions-LED |
US8000005B2 (en) | 2006-03-31 | 2011-08-16 | Prysm, Inc. | Multilayered fluorescent screens for scanning beam display systems |
US8089425B2 (en) | 2006-03-03 | 2012-01-03 | Prysm, Inc. | Optical designs for scanning beam display systems using fluorescent screens |
US7994702B2 (en) | 2005-04-27 | 2011-08-09 | Prysm, Inc. | Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors |
US7105863B1 (en) | 2005-06-03 | 2006-09-12 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light source with improved life |
KR100646634B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2006-11-23 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 |
US8563339B2 (en) | 2005-08-25 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | System for and method for closed loop electrophoretic deposition of phosphor materials on semiconductor devices |
US7847302B2 (en) * | 2005-08-26 | 2010-12-07 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature |
KR100621154B1 (ko) * | 2005-08-26 | 2006-09-07 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 제조방법 |
US7514721B2 (en) * | 2005-11-29 | 2009-04-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Luminescent ceramic element for a light emitting device |
CN101460779A (zh) | 2005-12-21 | 2009-06-17 | 科锐Led照明技术公司 | 照明装置 |
JP2009527071A (ja) | 2005-12-22 | 2009-07-23 | クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド | 照明装置 |
US7659544B2 (en) * | 2005-12-23 | 2010-02-09 | Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. | Light emitting device with at least two alternately driven light emitting diodes |
US7772604B2 (en) | 2006-01-05 | 2010-08-10 | Illumitex | Separate optical device for directing light from an LED |
US8451195B2 (en) | 2006-02-15 | 2013-05-28 | Prysm, Inc. | Servo-assisted scanning beam display systems using fluorescent screens |
US7884816B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-02-08 | Prysm, Inc. | Correcting pyramidal error of polygon scanner in scanning beam display systems |
US8124957B2 (en) | 2006-02-22 | 2012-02-28 | Cree, Inc. | Low resistance tunnel junctions in wide band gap materials and method of making same |
US7737451B2 (en) * | 2006-02-23 | 2010-06-15 | Cree, Inc. | High efficiency LED with tunnel junction layer |
KR100746749B1 (ko) | 2006-03-15 | 2007-08-09 | (주)케이디티 | 광 여기 시트 |
US20070228331A1 (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-04 | Haitko Deborah A | Q silicone-containing composition, optoelectronic encapsulant thereof and device thereof |
US8969908B2 (en) | 2006-04-04 | 2015-03-03 | Cree, Inc. | Uniform emission LED package |
EP3422425B1 (de) | 2006-04-24 | 2022-02-23 | CreeLED, Inc. | Seitlich emittierende oberflächenmontierte weisse led |
KR101303377B1 (ko) | 2006-05-02 | 2013-09-03 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 색-안정적 인광체 변환 led |
CN101460880B (zh) | 2006-05-05 | 2012-05-23 | Prysm公司 | 用于显示系统和装置的磷光体组合物和其它荧光材料 |
JP4961827B2 (ja) * | 2006-05-11 | 2012-06-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US8062925B2 (en) * | 2006-05-16 | 2011-11-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Process for preparing a semiconductor light-emitting device for mounting |
US7846391B2 (en) | 2006-05-22 | 2010-12-07 | Lumencor, Inc. | Bioanalytical instrumentation using a light source subsystem |
JP2007324417A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Sharp Corp | 半導体発光装置とその製造方法 |
DE102006026481A1 (de) * | 2006-06-07 | 2007-12-13 | Siemens Ag | Verfahren zum Anordnen einer Pulverschicht auf einem Substrat sowie Schichtaufbau mit mindestens einer Pulverschicht auf einem Substrat |
US8947619B2 (en) | 2006-07-06 | 2015-02-03 | Intematix Corporation | Photoluminescence color display comprising quantum dots material and a wavelength selective filter that allows passage of excitation radiation and prevents passage of light generated by photoluminescence materials |
US7943952B2 (en) | 2006-07-31 | 2011-05-17 | Cree, Inc. | Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method |
JP4907253B2 (ja) * | 2006-08-03 | 2012-03-28 | シャープ株式会社 | 注入装置、製造装置、および半導体発光装置の製造方法 |
US20080029720A1 (en) | 2006-08-03 | 2008-02-07 | Intematix Corporation | LED lighting arrangement including light emitting phosphor |
JP5197368B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2013-05-15 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
KR20090064474A (ko) | 2006-10-02 | 2009-06-18 | 일루미텍스, 인크. | Led 시스템 및 방법 |
US20080151143A1 (en) * | 2006-10-19 | 2008-06-26 | Intematix Corporation | Light emitting diode based backlighting for color liquid crystal displays |
US7808013B2 (en) * | 2006-10-31 | 2010-10-05 | Cree, Inc. | Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies |
US10295147B2 (en) | 2006-11-09 | 2019-05-21 | Cree, Inc. | LED array and method for fabricating same |
US8013506B2 (en) | 2006-12-12 | 2011-09-06 | Prysm, Inc. | Organic compounds for adjusting phosphor chromaticity |
JP2008166782A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-17 | Seoul Semiconductor Co Ltd | 発光素子 |
US8836212B2 (en) | 2007-01-11 | 2014-09-16 | Qd Vision, Inc. | Light emissive printed article printed with quantum dot ink |
US8232564B2 (en) | 2007-01-22 | 2012-07-31 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes |
US9159888B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-10-13 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
US9024349B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
US8021904B2 (en) * | 2007-02-01 | 2011-09-20 | Cree, Inc. | Ohmic contacts to nitrogen polarity GaN |
US20080192458A1 (en) | 2007-02-12 | 2008-08-14 | Intematix Corporation | Light emitting diode lighting system |
US7972030B2 (en) * | 2007-03-05 | 2011-07-05 | Intematix Corporation | Light emitting diode (LED) based lighting systems |
KR100818518B1 (ko) * | 2007-03-14 | 2008-03-31 | 삼성전기주식회사 | Led 패키지 |
CN101682709B (zh) | 2007-03-20 | 2013-11-06 | Prysm公司 | 将广告或其它应用数据传送到显示系统并进行显示 |
JP2008260930A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-30 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置、および画像表示装置 |
US8169454B1 (en) | 2007-04-06 | 2012-05-01 | Prysm, Inc. | Patterning a surface using pre-objective and post-objective raster scanning systems |
US7697183B2 (en) | 2007-04-06 | 2010-04-13 | Prysm, Inc. | Post-objective scanning beam systems |
US8203260B2 (en) | 2007-04-13 | 2012-06-19 | Intematix Corporation | Color temperature tunable white light source |
EP1988583B1 (de) * | 2007-04-30 | 2016-10-12 | Tridonic Jennersdorf GmbH | Leuchtdiode-Modul mit Farbumwandlungsschicht für eine gleichmäßige Farbverteilung |
US7781779B2 (en) * | 2007-05-08 | 2010-08-24 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting devices including wavelength converting material |
CN101688979B (zh) | 2007-05-17 | 2011-02-09 | Prysm公司 | 用于扫描光束显示系统的具有发光带的多层屏幕 |
US7940003B2 (en) * | 2007-06-13 | 2011-05-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device and method of fabricating a light emitting device |
US7878657B2 (en) | 2007-06-27 | 2011-02-01 | Prysm, Inc. | Servo feedback control based on invisible scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens |
US8556430B2 (en) | 2007-06-27 | 2013-10-15 | Prysm, Inc. | Servo feedback control based on designated scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens |
WO2009003176A1 (en) | 2007-06-27 | 2008-12-31 | The Regents Of The University Of California | Optical designs for high-efficacy white-light emitting diodes |
US7709811B2 (en) | 2007-07-03 | 2010-05-04 | Conner Arlie R | Light emitting diode illumination system |
US10505083B2 (en) | 2007-07-11 | 2019-12-10 | Cree, Inc. | Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same |
WO2009014707A2 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same |
US8098375B2 (en) | 2007-08-06 | 2012-01-17 | Lumencor, Inc. | Light emitting diode illumination system |
US11114594B2 (en) * | 2007-08-24 | 2021-09-07 | Creeled, Inc. | Light emitting device packages using light scattering particles of different size |
US8128249B2 (en) | 2007-08-28 | 2012-03-06 | Qd Vision, Inc. | Apparatus for selectively backlighting a material |
TWI396298B (zh) | 2007-08-29 | 2013-05-11 | Everlight Electronics Co Ltd | 發光半導體元件塗佈螢光粉的方法及其應用 |
DE102007042642A1 (de) * | 2007-09-07 | 2009-03-12 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
US8783887B2 (en) | 2007-10-01 | 2014-07-22 | Intematix Corporation | Color tunable light emitting device |
US7915627B2 (en) | 2007-10-17 | 2011-03-29 | Intematix Corporation | Light emitting device with phosphor wavelength conversion |
US8946987B2 (en) | 2007-11-07 | 2015-02-03 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting device and fabricating method thereof |
TWI401820B (zh) * | 2007-11-07 | 2013-07-11 | Ind Tech Res Inst | 發光元件及其製作方法 |
US8368100B2 (en) | 2007-11-14 | 2013-02-05 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same |
US8536584B2 (en) * | 2007-11-14 | 2013-09-17 | Cree, Inc. | High voltage wire bond free LEDS |
US9634191B2 (en) | 2007-11-14 | 2017-04-25 | Cree, Inc. | Wire bond free wafer level LED |
US7846751B2 (en) * | 2007-11-19 | 2010-12-07 | Wang Nang Wang | LED chip thermal management and fabrication methods |
US8167674B2 (en) | 2007-12-14 | 2012-05-01 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
US9431589B2 (en) | 2007-12-14 | 2016-08-30 | Cree, Inc. | Textured encapsulant surface in LED packages |
US8878219B2 (en) | 2008-01-11 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
US20090309114A1 (en) | 2008-01-16 | 2009-12-17 | Luminus Devices, Inc. | Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same |
JP2011512037A (ja) | 2008-02-08 | 2011-04-14 | イルミテックス, インコーポレイテッド | エミッタ層成形のためのシステムおよび方法 |
US8740400B2 (en) | 2008-03-07 | 2014-06-03 | Intematix Corporation | White light illumination system with narrow band green phosphor and multiple-wavelength excitation |
US8567973B2 (en) * | 2008-03-07 | 2013-10-29 | Intematix Corporation | Multiple-chip excitation systems for white light emitting diodes (LEDs) |
US8637883B2 (en) | 2008-03-19 | 2014-01-28 | Cree, Inc. | Low index spacer layer in LED devices |
US8916890B2 (en) * | 2008-03-19 | 2014-12-23 | Cree, Inc. | Light emitting diodes with light filters |
KR100973238B1 (ko) | 2008-03-26 | 2010-07-30 | 서울반도체 주식회사 | 형광체 코팅방법 및 장치 그리고 형광체 코팅층을 포함하는led |
US9207385B2 (en) | 2008-05-06 | 2015-12-08 | Qd Vision, Inc. | Lighting systems and devices including same |
KR100982989B1 (ko) * | 2008-05-19 | 2010-09-17 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
US8240875B2 (en) | 2008-06-25 | 2012-08-14 | Cree, Inc. | Solid state linear array modules for general illumination |
US7869112B2 (en) * | 2008-07-25 | 2011-01-11 | Prysm, Inc. | Beam scanning based on two-dimensional polygon scanner for display and other applications |
US8384115B2 (en) * | 2008-08-01 | 2013-02-26 | Cree, Inc. | Bond pad design for enhancing light extraction from LED chips |
US20100080929A1 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-01 | General Electric Company | System and method for applying a conformal barrier coating |
US8033885B2 (en) * | 2008-09-30 | 2011-10-11 | General Electric Company | System and method for applying a conformal barrier coating with pretreating |
US8075165B2 (en) | 2008-10-14 | 2011-12-13 | Ledengin, Inc. | Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device |
US8822954B2 (en) * | 2008-10-23 | 2014-09-02 | Intematix Corporation | Phosphor based authentication system |
US20100117106A1 (en) * | 2008-11-07 | 2010-05-13 | Ledengin, Inc. | Led with light-conversion layer |
TW201034256A (en) | 2008-12-11 | 2010-09-16 | Illumitex Inc | Systems and methods for packaging light-emitting diode devices |
JP4724222B2 (ja) | 2008-12-12 | 2011-07-13 | 株式会社東芝 | 発光装置の製造方法 |
DE102008063853B4 (de) * | 2008-12-19 | 2012-08-30 | H.C. Starck Gmbh | Kondensatoranode |
US8507300B2 (en) * | 2008-12-24 | 2013-08-13 | Ledengin, Inc. | Light-emitting diode with light-conversion layer |
US8390193B2 (en) * | 2008-12-31 | 2013-03-05 | Intematix Corporation | Light emitting device with phosphor wavelength conversion |
TWI449221B (zh) * | 2009-01-16 | 2014-08-11 | Everlight Electronics Co Ltd | 發光二極體封裝結構及其製造方法 |
US20100181582A1 (en) * | 2009-01-22 | 2010-07-22 | Intematix Corporation | Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof |
US8242462B2 (en) | 2009-01-23 | 2012-08-14 | Lumencor, Inc. | Lighting design of high quality biomedical devices |
RU2539331C2 (ru) | 2009-01-28 | 2015-01-20 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Осветительная система с отнесенным на расстояние слоем люминофора и/или рассеивающим слоем |
US8138509B2 (en) * | 2009-02-27 | 2012-03-20 | Visera Technologies Company, Limited | Light emitting device having luminescent layer with opening to exposed bond pad on light emitting die for wire bonding pad to substrate |
US9093293B2 (en) | 2009-04-06 | 2015-07-28 | Cree, Inc. | High voltage low current surface emitting light emitting diode |
US8476668B2 (en) * | 2009-04-06 | 2013-07-02 | Cree, Inc. | High voltage low current surface emitting LED |
US7985000B2 (en) * | 2009-04-08 | 2011-07-26 | Ledengin, Inc. | Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers |
US8598793B2 (en) | 2011-05-12 | 2013-12-03 | Ledengin, Inc. | Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin |
US8384097B2 (en) | 2009-04-08 | 2013-02-26 | Ledengin, Inc. | Package for multiple light emitting diodes |
US8741715B2 (en) * | 2009-04-29 | 2014-06-03 | Cree, Inc. | Gate electrodes for millimeter-wave operation and methods of fabrication |
US8575646B1 (en) * | 2009-06-11 | 2013-11-05 | Applied Lighting Solutions, LLC | Creating an LED package with optical elements by using controlled wetting |
US8651692B2 (en) | 2009-06-18 | 2014-02-18 | Intematix Corporation | LED based lamp and light emitting signage |
US8384114B2 (en) | 2009-06-27 | 2013-02-26 | Cooledge Lighting Inc. | High efficiency LEDs and LED lamps |
FR2949165B1 (fr) * | 2009-08-11 | 2011-10-07 | Oberthur Technologies | Carte a microcircuit comprenant une diode electroluminescente |
US8449128B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-05-28 | Illumitex, Inc. | System and method for a lens and phosphor layer |
US8585253B2 (en) | 2009-08-20 | 2013-11-19 | Illumitex, Inc. | System and method for color mixing lens array |
US9293667B2 (en) | 2010-08-19 | 2016-03-22 | Soraa, Inc. | System and method for selected pump LEDs with multiple phosphors |
KR20120094477A (ko) | 2009-09-25 | 2012-08-24 | 크리, 인코포레이티드 | 낮은 눈부심 및 높은 광도 균일성을 갖는 조명 장치 |
US9472783B2 (en) * | 2009-10-12 | 2016-10-18 | General Electric Company | Barrier coating with reduced process time |
US8779685B2 (en) | 2009-11-19 | 2014-07-15 | Intematix Corporation | High CRI white light emitting devices and drive circuitry |
US8466611B2 (en) | 2009-12-14 | 2013-06-18 | Cree, Inc. | Lighting device with shaped remote phosphor |
US8303141B2 (en) * | 2009-12-17 | 2012-11-06 | Ledengin, Inc. | Total internal reflection lens with integrated lamp cover |
US20110149548A1 (en) * | 2009-12-22 | 2011-06-23 | Intematix Corporation | Light emitting diode based linear lamps |
US8653539B2 (en) | 2010-01-04 | 2014-02-18 | Cooledge Lighting, Inc. | Failure mitigation in arrays of light-emitting devices |
US9480133B2 (en) | 2010-01-04 | 2016-10-25 | Cooledge Lighting Inc. | Light-emitting element repair in array-based lighting devices |
US8273589B2 (en) * | 2010-03-19 | 2012-09-25 | Micron Technology, Inc. | Light emitting diodes and methods for manufacturing light emitting diodes |
US9345095B2 (en) | 2010-04-08 | 2016-05-17 | Ledengin, Inc. | Tunable multi-LED emitter module |
US8858022B2 (en) | 2011-05-05 | 2014-10-14 | Ledengin, Inc. | Spot TIR lens system for small high-power emitter |
EP2375462A1 (de) * | 2010-04-08 | 2011-10-12 | Samsung LED Co., Ltd. | LED-Gehäuse und Verfahren zu dessen Herstellung |
US9080729B2 (en) | 2010-04-08 | 2015-07-14 | Ledengin, Inc. | Multiple-LED emitter for A-19 lamps |
US8803201B2 (en) * | 2011-01-31 | 2014-08-12 | Cree, Inc. | Solid state lighting component package with reflective layer |
EP2378576A2 (de) * | 2010-04-15 | 2011-10-19 | Samsung LED Co., Ltd. | Gehäuse für Leuchtdiode, Beleuchtungsvorrichtung damit, und Verfahren zur Herstellung dieses Gehäuses |
GB2479921A (en) * | 2010-04-30 | 2011-11-02 | Led Semiconductor Co Ltd | Encapsulation structure for light emitting diode |
US8807799B2 (en) | 2010-06-11 | 2014-08-19 | Intematix Corporation | LED-based lamps |
US8888318B2 (en) | 2010-06-11 | 2014-11-18 | Intematix Corporation | LED spotlight |
CN102959708B (zh) | 2010-06-29 | 2016-05-04 | 柯立芝照明有限公司 | 具有易弯曲基板的电子装置 |
US8624491B2 (en) * | 2010-07-22 | 2014-01-07 | Kyocera Corporation | Light emitting device |
CN101924079B (zh) * | 2010-07-22 | 2012-10-31 | 西安能讯微电子有限公司 | 一种半导体芯片封装结构 |
US10546846B2 (en) | 2010-07-23 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Light transmission control for masking appearance of solid state light sources |
US8946998B2 (en) | 2010-08-09 | 2015-02-03 | Intematix Corporation | LED-based light emitting systems and devices with color compensation |
US9070851B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-06-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same |
CN102044624B (zh) * | 2010-09-30 | 2012-03-21 | 比亚迪股份有限公司 | 一种可发复合光的led器件、发光元件及制造方法 |
US8610340B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-17 | Intematix Corporation | Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion |
US8957585B2 (en) | 2010-10-05 | 2015-02-17 | Intermatix Corporation | Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion |
US8604678B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-10 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with a diffusing layer |
US8614539B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-24 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with scattering particles |
US8610341B2 (en) | 2010-10-05 | 2013-12-17 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component |
US9546765B2 (en) | 2010-10-05 | 2017-01-17 | Intematix Corporation | Diffuser component having scattering particles |
US8455882B2 (en) | 2010-10-15 | 2013-06-04 | Cree, Inc. | High efficiency LEDs |
US20120106126A1 (en) * | 2010-11-01 | 2012-05-03 | Seiko Epson Corporation | Wavelength conversion element, light source device, and projector |
US8415183B2 (en) * | 2010-11-22 | 2013-04-09 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Wafer level conformal coating for LED devices |
US20120153311A1 (en) * | 2010-12-17 | 2012-06-21 | Intematix Corporation | Low-cost solid-state based light emitting devices with photoluminescent wavelength conversion and their method of manufacture |
US8389957B2 (en) | 2011-01-14 | 2013-03-05 | Lumencor, Inc. | System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system |
US8466436B2 (en) | 2011-01-14 | 2013-06-18 | Lumencor, Inc. | System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system |
US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
US8349628B2 (en) * | 2011-03-22 | 2013-01-08 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Methods of fabricating light emitting diode devices |
US9004705B2 (en) | 2011-04-13 | 2015-04-14 | Intematix Corporation | LED-based light sources for light emitting devices and lighting arrangements with photoluminescence wavelength conversion |
US8513900B2 (en) | 2011-05-12 | 2013-08-20 | Ledengin, Inc. | Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin |
DE102011111980A1 (de) | 2011-08-29 | 2013-02-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode und Leuchtdiode |
US8912021B2 (en) | 2011-09-12 | 2014-12-16 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | System and method for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers |
US8841146B2 (en) | 2011-09-12 | 2014-09-23 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Method and system for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers having controlled color characteristics |
US8410508B1 (en) | 2011-09-12 | 2013-04-02 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) package having wavelength conversion member and wafer level fabrication method |
US8492746B2 (en) | 2011-09-12 | 2013-07-23 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Light emitting diode (LED) dice having wavelength conversion layers |
US8992051B2 (en) | 2011-10-06 | 2015-03-31 | Intematix Corporation | Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance |
US20130088848A1 (en) | 2011-10-06 | 2013-04-11 | Intematix Corporation | Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance |
US9365766B2 (en) | 2011-10-13 | 2016-06-14 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component having photo-luminescence material embedded into a hermetic material for remote wavelength conversion |
US9115868B2 (en) | 2011-10-13 | 2015-08-25 | Intematix Corporation | Wavelength conversion component with improved protective characteristics for remote wavelength conversion |
KR101969334B1 (ko) * | 2011-11-16 | 2019-04-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 발광 장치 |
CN103165765A (zh) * | 2011-12-17 | 2013-06-19 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管制造方法 |
US8967811B2 (en) | 2012-01-20 | 2015-03-03 | Lumencor, Inc. | Solid state continuous white light source |
US11032884B2 (en) | 2012-03-02 | 2021-06-08 | Ledengin, Inc. | Method for making tunable multi-led emitter module |
US9897284B2 (en) | 2012-03-28 | 2018-02-20 | Ledengin, Inc. | LED-based MR16 replacement lamp |
EP3240052A1 (de) | 2012-04-26 | 2017-11-01 | Intematix Corporation | Verfahren und vorrichtung zur implementierung einer farbkonsistenz in einer ferngesteuerten wellenlängeumwandlung |
DE102012208932A1 (de) * | 2012-05-29 | 2013-12-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines Bauelementes und Vorrichtung zum Herstellen eines Bauelementes |
US9231178B2 (en) | 2012-06-07 | 2016-01-05 | Cooledge Lighting, Inc. | Wafer-level flip chip device packages and related methods |
US9217561B2 (en) | 2012-06-15 | 2015-12-22 | Lumencor, Inc. | Solid state light source for photocuring |
DE102012105691B4 (de) * | 2012-06-28 | 2018-10-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Abscheidung einer elektrophoretisch abgeschiedenen partikulären Schicht, strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und optisches Element |
JP6325536B2 (ja) * | 2012-07-05 | 2018-05-16 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 透明スペーサによってledから離隔された蛍光体 |
US8994056B2 (en) | 2012-07-13 | 2015-03-31 | Intematix Corporation | LED-based large area display |
DE102012107290A1 (de) * | 2012-08-08 | 2014-02-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil, Konversionsmittelplättchen und Verfahren zur Herstellung eines Konversionsmittelplättchens |
JP6149487B2 (ja) * | 2012-11-09 | 2017-06-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法および発光装置 |
US20140185269A1 (en) | 2012-12-28 | 2014-07-03 | Intermatix Corporation | Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components |
US9217543B2 (en) | 2013-01-28 | 2015-12-22 | Intematix Corporation | Solid-state lamps with omnidirectional emission patterns |
WO2014151263A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Intematix Corporation | Photoluminescence wavelength conversion components |
US9234801B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-01-12 | Ledengin, Inc. | Manufacturing method for LED emitter with high color consistency |
DE102013103079A1 (de) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
WO2014182104A1 (ko) | 2013-05-09 | 2014-11-13 | 서울반도체 주식회사 | 광원 모듈 및 이를 구비한 백라이트 유닛 |
CN104241262B (zh) | 2013-06-14 | 2020-11-06 | 惠州科锐半导体照明有限公司 | 发光装置以及显示装置 |
DE102013107531A1 (de) * | 2013-07-16 | 2015-01-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip |
JP6156213B2 (ja) * | 2013-09-17 | 2017-07-05 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP6209949B2 (ja) * | 2013-11-13 | 2017-10-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
DE102014100542A1 (de) * | 2014-01-20 | 2015-07-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer lateral strukturierten Schicht und optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer solchen Schicht |
CN103855278B (zh) * | 2014-01-26 | 2017-01-04 | 上海瑞丰光电子有限公司 | 一种led封装结构及照明设备 |
US9406654B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-08-02 | Ledengin, Inc. | Package for high-power LED devices |
US9318670B2 (en) | 2014-05-21 | 2016-04-19 | Intematix Corporation | Materials for photoluminescence wavelength converted solid-state light emitting devices and arrangements |
CN104091875A (zh) * | 2014-07-04 | 2014-10-08 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种led封装结构 |
US20160064630A1 (en) * | 2014-08-26 | 2016-03-03 | Texas Instruments Incorporated | Flip chip led package |
JP6563495B2 (ja) | 2014-11-26 | 2019-08-21 | エルイーディエンジン・インコーポレーテッド | 穏やかな調光及び色調整可能なランプ用のコンパクトなledエミッタ |
USD826871S1 (en) | 2014-12-11 | 2018-08-28 | Cree, Inc. | Light emitting diode device |
US20160190406A1 (en) | 2014-12-24 | 2016-06-30 | Epistar Corporation | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
US9530943B2 (en) | 2015-02-27 | 2016-12-27 | Ledengin, Inc. | LED emitter packages with high CRI |
KR101945850B1 (ko) | 2015-03-23 | 2019-02-08 | 인터매틱스 코포레이션 | 광발광 컬러 디스플레이 |
JP6131986B2 (ja) * | 2015-06-01 | 2017-05-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
CN105528969B (zh) * | 2016-03-03 | 2019-03-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN205944139U (zh) | 2016-03-30 | 2017-02-08 | 首尔伟傲世有限公司 | 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块 |
US10219345B2 (en) | 2016-11-10 | 2019-02-26 | Ledengin, Inc. | Tunable LED emitter with continuous spectrum |
JP6699634B2 (ja) | 2017-07-28 | 2020-05-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2019049579A (ja) * | 2017-09-07 | 2019-03-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置およびヘッドマウントディスプレイ |
US10575374B2 (en) | 2018-03-09 | 2020-02-25 | Ledengin, Inc. | Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips |
JP7054020B2 (ja) * | 2020-04-28 | 2022-04-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0243411A1 (de) | 1985-10-29 | 1987-11-04 | William R Hopper | Tastungsempfindliche anzeigeleuchte. |
WO1998007202A1 (en) * | 1996-08-08 | 1998-02-19 | International Business Machines Corporation | Gallium nitride based cathodes for organic electroluminescent devices and displays |
US5813752A (en) | 1997-05-27 | 1998-09-29 | Philips Electronics North America Corporation | UV/blue LED-phosphor device with short wave pass, long wave pass band pass and peroit filters |
US5813753A (en) | 1997-05-27 | 1998-09-29 | Philips Electronics North America Corporation | UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light |
US5959316A (en) | 1998-09-01 | 1999-09-28 | Hewlett-Packard Company | Multiple encapsulation of phosphor-LED devices |
US5998925A (en) | 1996-07-29 | 1999-12-07 | Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Light emitting device having a nitride compound semiconductor and a phosphor containing a garnet fluorescent material |
WO2000033390A1 (en) | 1998-11-30 | 2000-06-08 | General Electric Company | Light emitting device with phosphor composition |
US20010000622A1 (en) | 1996-06-26 | 2001-05-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co., Ohg | Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element |
EP1198016A2 (de) | 2000-10-13 | 2002-04-17 | LumiLeds Lighting U.S., LLC | Schablonieren von Leuchtstoffschichten auf lichtemittierenden Dioden |
US20020070449A1 (en) | 2000-12-12 | 2002-06-13 | Lumileds Lighting, U.S., Lls | Light-emitting device and production thereof |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6010120B2 (ja) | 1982-09-14 | 1985-03-15 | ソニー株式会社 | 粉体の非水溶液系電着法 |
DE69214780T2 (de) | 1991-12-11 | 1997-05-15 | Agfa Gevaert Nv | Methode zur Herstellung eines radiographischen Schirmes |
JP2795194B2 (ja) | 1994-09-22 | 1998-09-10 | 株式会社デンソー | エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
WO1997048138A2 (en) | 1996-06-11 | 1997-12-18 | Philips Electronics N.V. | Visible light emitting devices including uv-light emitting diode and uv-excitable, visible light emitting phosphor, and method of producing such devices |
DE19638667C2 (de) | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
US5952681A (en) | 1997-11-24 | 1999-09-14 | Chen; Hsing | Light emitting diode emitting red, green and blue light |
US6366018B1 (en) | 1998-10-21 | 2002-04-02 | Sarnoff Corporation | Apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes |
US6373188B1 (en) | 1998-12-22 | 2002-04-16 | Honeywell International Inc. | Efficient solid-state light emitting device with excited phosphors for producing a visible light output |
US6203681B1 (en) | 1999-05-07 | 2001-03-20 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating display screens using electrophoretic deposition |
JP3609661B2 (ja) * | 1999-08-19 | 2005-01-12 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
-
2001
- 2001-06-11 US US09/879,547 patent/US6642652B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-06-10 TW TW091112726A patent/TW552724B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-06-10 DE DE10225778.7A patent/DE10225778B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-11 JP JP2002170094A patent/JP2003110153A/ja active Pending
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0243411A1 (de) | 1985-10-29 | 1987-11-04 | William R Hopper | Tastungsempfindliche anzeigeleuchte. |
DE3685749T2 (de) | 1985-10-29 | 1993-01-21 | William R Hopper | Tastungsempfindliche anzeigeleuchte. |
US20010000622A1 (en) | 1996-06-26 | 2001-05-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co., Ohg | Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element |
US20010002049A1 (en) | 1996-06-26 | 2001-05-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co., Ohg | Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element |
US5998925A (en) | 1996-07-29 | 1999-12-07 | Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Light emitting device having a nitride compound semiconductor and a phosphor containing a garnet fluorescent material |
WO1998007202A1 (en) * | 1996-08-08 | 1998-02-19 | International Business Machines Corporation | Gallium nitride based cathodes for organic electroluminescent devices and displays |
US5813752A (en) | 1997-05-27 | 1998-09-29 | Philips Electronics North America Corporation | UV/blue LED-phosphor device with short wave pass, long wave pass band pass and peroit filters |
US5813753A (en) | 1997-05-27 | 1998-09-29 | Philips Electronics North America Corporation | UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light |
US5959316A (en) | 1998-09-01 | 1999-09-28 | Hewlett-Packard Company | Multiple encapsulation of phosphor-LED devices |
WO2000033390A1 (en) | 1998-11-30 | 2000-06-08 | General Electric Company | Light emitting device with phosphor composition |
EP1198016A2 (de) | 2000-10-13 | 2002-04-17 | LumiLeds Lighting U.S., LLC | Schablonieren von Leuchtstoffschichten auf lichtemittierenden Dioden |
US20020070449A1 (en) | 2000-12-12 | 2002-06-13 | Lumileds Lighting, U.S., Lls | Light-emitting device and production thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003110153A (ja) | 2003-04-11 |
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