DE10214151A1 - Halbleiterbauelement mit erhöhter Durchbruchspannung im Randbereich - Google Patents

Halbleiterbauelement mit erhöhter Durchbruchspannung im Randbereich

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem in einem Halbleiterkörper ausgebildeten mehrere gleichartige Transistorzellen (Z1, Z2, Z3) aufweisenden Zellenfeld und wenigstens einer am Rand des Zellenfeldes ausgebildeten Randzelle (RZ), wobei jede der Transistorzellen eine in einem Graben ausgebildete Steuerelektrode (42) und die Randzelle eine in einem Graben ausgebildete Feldplatte (52) aufweist, wobei der Abstand des Grabens (50) der Randzelle (RZ) zu dem Graben (40) der unmittelbar benachbarten Transistorzelle (Z1) geringer ist als der Abstand eines Grabens einer Transistorzelle (Z2) zu dem Graben einer unmittelbar benachbarten Transistorzelle (Z3) in dem Zellenfeld ist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement gemäß den Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruchs 1.
  • Derartige Bauelemente werden auch als Graben-Transistoren oder Trench-Transistoren bezeichnet.
  • Grundlegende Aspekte zu Trench-Transistoren sind in der US 4,941,026 beschrieben. Die WO 00/51167 beschreibt einen Trench-Transistor mit integrierter Schottky-Diode, die zwischen zwei Gräben ausgebildet ist, deren Abstand geringer als der Abstand zweier Gräben der Transistorzellen ist.
  • Ein Trench-Transistor mit Randzelle ist in der US 5,763,915 beschrieben. Das bekannte Bauelement umfasst ein Zellenfeld mit einer Vielzahl von Transistorzellen, die jeweils eine Source-Zone, eine Body-Zone, und eine in einem vertikalen Graben angeordnete Gate-Elektrode aufweisen. Eine durch das Substrat des Halbleiterkörpers gebildete Drain-Zone ist den Transistorzellen gemeinsam. Das Zellenfeld wird in horizontaler Richtung durch eine Randzelle begrenzt, die ebenfalls eine in einem Graben angeordnete Elektrode aufweist.
  • Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Halbleiterbauelement mit einer Vielzahl von gleichartig aufgebauten, in einem Zellenfeld angeordneten Transistorzellen und einer Randzelle zur Verfügung zu stellen, wobei die Durchbruchspannung im Bereich der Randzelle höher als im Bereich des Zellenfeldes ist.
  • Dieses Ziel wird durch ein Halbleiterbauelement gemäß den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
  • Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement umfasst ein Zellenfeld mit mehreren gleichartig aufgebauten Transistorzellen und wenigstens eine am Rand des Zellenfeldes ausgebildete Randzelle, die in einem Halbleiterkörper ausgebildet sind. Jede Transistorzelle umfasst eine erste Anschlusszone eines ersten Leistungstyps im Bereich einer Vorderseite des Halbleiterkörpers, eine zweite Anschlusszone eines ersten Leitungstyps im Bereich einer Rückseite des Halbleiterkörpers, eine Kanalzone eines zweiten Leitungstyps, die zwischen der ersten Anschlusszone und der zweiten Anschlusszone angeordnet ist, und eine Steuerelektrode, die in einem Graben, der sich in vertikaler Richtung in den Halbleiterkörper hinein erstreckt, benachbart zu der Kanalzone angeordnet ist und die mittels einer Isolationsschicht gegenüber dem Halbleiterkörper isoliert ist. Die Gräben der einzelnen Zellen sind in horizontaler Richtung des Halbleiterkörpers beabstandet zueinander angeordnet. Die Randzelle umfasst eine Feldplatte, die in einem Graben, der sich in vertikaler Richtung in den Halbleiterkörper hinein erstreckt, angeordnet ist und die mittels einer Isolationsschicht gegenüber dem Halbleiterkörper isoliert ist. Zur Erhöhung der Durchbruchspannung im Randbereich ist vorgesehen, dass der Abstand des Grabens der Randzone zu dem Graben der unmittelbar benachbarten Transistorelle geringer ist als der Abstand eines Grabens einer Transistorzelle zu dem Graben einer unmittelbar benachbarten Transistorzelle in dem Zellenfeld.
  • Die erste Anschlusszone wird bei MOS-Transistoren als Drain- Zone, die zweite Anschlusszone als Source-Zone, die Kanalzone als Body-Zone und die Steuerelektrode als Gate-Elektrode bezeichnet.
  • Das erfindungsgemäße Konzept, den Abstand zwischen dem Graben der Randzelle und dem Graben der unmittelbar benachbarten Transistorzelle kleiner als den üblichen Grabenabstand im Zellenfeld, dem sogenannten Pitch oder Pitch-Abstand, zu gestalten ist besonders geeignet im Zusammenhang mit Transistorzellen, bei denen sich die Steuerelektroden in vertikaler Richtung unterhalb der Kanalzone verjüngen und die die Dicke der Isolationsschicht dort entsprechend zunimmt. Die Steuerelektrode dient dabei im Bereich der Kanalzone/Body-Zone als Elektrode zur Ausbildung eines leitenden Kanals bei Anlegen eines Ansteuerpotentials und im unteren Bereich als Feldplatte zur Abschirmung des zwischen zwei Gräben angeordneten Halbleiterbereichs gegen hohe Feldstärken, woraus eine erhöhte Durchbruchsspannung im Vergleich zu Trench-Transistoren ohne derartige Feldplatten resultiert.
  • Vorzugsweise weisen die Transistorzellen jeweils einen Anschluss auf, der jeweils zwischen zwei Gräben angeordnet ist und der sich durch die erste Anschlusszone bis in die Kanalzone erstreckt. Ein Anschluss zwischen dem Graben der Randzelle und der unmittelbar benachbarten Transistorzelle ist bei einer Ausführungsform symmetrisch zwischen den Gräben der Randzelle und dieser Transistorzelle ausgebildet und bei einer weiteren Ausführungsform näher an dem Graben der Randzelle als an dem Graben der Transistorzelle angeordnet.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, in dem Zellenfeld einen Bereich zur Herstellung integrierter Bauelemente, die ihre Anschlüsse im Bereich der Vorderseite des Halbleiterkörpers haben, vorzusehen, wobei die Durchbruchsspannung in diesem Bereich nicht geringer sein darf als die Durchbruchspannung der Transistorzellen. Hierzu ist der Abstand wenigstens zweier Gräben in dem Zellenfeld an einer der jeweils zugehörigen Zelle abgewandten Seite geringer als der Abstand der Gräben zweier unmittelbar benachbarter Transistorzellen in dem Zellenfeld, um zwischen diesen enger benachbarten Gräben einen "geschützten Bereich" für die Integration von Niedervoltbauelementen zu bilden.
  • Gegenstand des Anspruchs 9 ist ein Halbleiterbauelement mit einer Anzahl Transistorzellen in einem Zellenfeld und einem solchen im Zellenfeld ausgebildeten Bereich zwischen zwei enger beabstandeten Gräben, in dem ein Halbleiterbauelement integriert ist, dessen Anschlüsse im Bereich der Vorderseite des Halbleiterkörpers liegen. Dieses weitere Halbleiterbauelement ist insbesondere ein Bipolartransistor, ein MOS- Transistor oder eine Diode. Zur Bildung dieses Bauelementes können in dem Bereich zwischen den Gräben auch Mehrfachwannen vorgesehen werden, wobei wenigstens eine dotierte Wanne in einer anderen dotierten Wanne angeordnet ist.
  • Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend in Ausführungsbeispielen anhand von Figuren näher erläutert. In den Figuren zeigt:
  • Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements in Seitenansicht im Querschnitt,
  • Fig. 2 eine Querschnittsdarstellung des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements in einer in Fig. 1 eingezeichneten Schnittebene A-A,
  • Fig. 3 Darstellung eines Randbereiches des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements bei einer ersten Ausführungsform,
  • Fig. 4 Darstellung eines Randbereiches des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements bei einer zweiten Ausführungsform,
  • Fig. 5 Querschnitt durch ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement gemäß einer weiteren Ausführungsform mit zwei enger beabstandeten Gräben im Querschnitt.
  • In den Figuren bezeichnen, sofern nicht anders angegeben gleiche Bezugszeichen gleiche Teile mit gleicher Bedeutung.
  • Fig. 1 zeigt ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement in Seitenansicht im Querschnitt. Eine Ansicht von oben auf eine in Fig. 1 eingezeichnete Schnittebene A-A ist in Fig. 2 dargestellt.
  • Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement umfasst ein Zellenfeld mit einer Vielzahl gleichartiger aufgebauter Transistorzellen und wenigstens einer am Rand des Zellenfeldes angeordneten Randzelle RZ. Von den Transistorzellen sind in Fig. 1 lediglich drei, nämlich die Transistorzellen Z1, Z2, Z3 mit Bezugszeichen versehen.
  • Das Halbleiterbauelement umfasst in dem dargestellten Ausführungsbeispiel eine erste Anschlusszone mit einer stark dotierten Zone 11 und einer schwächer dotierten Zone 12. Im Bereich einer Vorderseite des Halbleiterkörpers sind stark dotierte Zonen 30 des ersten Leitungstyps vorhanden, unterhalb denen eine Zone 20 eines zweiten, zu dem ersten Leitungstyp komplementären Leitungstyps angeordnet ist.
  • Die stärker dotierte Zone 11 dient als gemeinsame Drain-Zone für alle Transistorzellen Z1, Z2, Z3. Die im Bereich der Vorderseite angeordneten stark dotierten Zonen 30 des ersten Leitungstyps bilden die Source-Zonen, die unterhalb der Source-Zonen 30 angeordneten Zonen 20 des zweiten Leitungstyps bilden die Body-Zone der Transistorzellen und die schwächer dotierte Zone 12 dient als Drift-Zone der Transistorzellen.
  • Die stark dotierte Zone 12 kann als Halbleitersubstrat ausgebildet sein, auf welches eine Epitaxieschicht aufgebracht ist, in der die Drift-Zone 12, die Body-Zonen 20 und die Source-Zonen 30 ausgebildet sind. Ebenso kann der Halbleiterkörper 100 als schwächer dotiertes Substrat ausgebildet sein, in den mittels geeigneter Verfahren, beispielsweise Ionenimplantation, die stark dotierte Drain-Zone 11, die Body- Zonen 20 und die Source-Zonen 30 eingebracht werden.
  • Die Drain-Zone 11, die Source-Zone 30 und die Drift-Zone 12 sind bei einem n-leitenden MOS-Transistor n-dotiert und bei einem p-leitenden MOS-Transistor p-dotiert. Die Body-Zone 20 ist jeweils komplementär dotiert.
  • Jede Transistorzelle Z1, Z2, Z3 weist eine Gate-Elektrode 42 auf, die in einem Graben 40 angeordnet ist, der sich in vertikaler Richtung ausgehend von der Vorderseite in den Halbleiterkörper 100 hineinerstreckt. Die Gate-Elektrode ist mittels einer Isolationsschicht 72 gegenüber dem Halbleiterkörper 100, das heißt gegenüber der Source-Zone 30, der Body- Zone 20 und der Drift-Zone 12, isoliert, und in dem Ausführungsbeispiel derart ausgebildet, dass sie sich im Bereich unterhalb der Body-Zone 20 verjüngt, beziehungsweise, dass sich in diesem Bereich die Dicke der Isolationsschicht 44 erhöht. Die Gate-Elektrode 42 dient in diesem Bereich unterhalb der Body-Zone 20 als Feldplatte zum Abschirmen der Body-Zone 20 gegenüber hohen elektrischen Feldstärken. Im Bereich der Body-Zone 20 dient die Gate-Elektrode zur Ausbildung eines elektrisch leitenden Kanals zwischen der Source-Zone 30 und der Drift-Zone 12 bei Anlegen eines Ansteuerpotentials.
  • Die Erfindung ist jedoch nicht auf die Verwendung nur einer Elektrode in dem Graben beschränkt. So können in nicht näher dargestellter, jedoch hinlänglich bekannter Weise auch mehrere an ein gemeinsames oder an nicht gemeinsame Potential angeschlossene Elektroden neben der Gate-Elektrode in dem Graben vorhanden sein.
  • In dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel dient eine Gate-Elektrode 42 als Gate-Elektrode für jeweils zwei Transistorzellen, die sich in horizontaler Richtung nach links und rechts ausgehend von dem Graben 40 erstrecken. In Fig. 1 ist beispielsweise den Transistorzellen Z1, Z2, eine in einem Graben angeordnete Gate-Elektrode gemeinsam. Des Weiteren ist jeweils zwei Transistorzellen eine Body-Zone 20, nämlich die zwischen zwei Gräben 40 angeordnete Body-Zone 20gemeinsam. So ist in dem Beispiel gemäß Fig. 1 den Transistorzellen Z2 und Z3 eine zwischen deren Gate-Elektroden 42 angeordnete Body-Zone 20 gemeinsam. (Es sei darauf hingewiesen, dass in der Literatur gelegentlich ein Gebilde, das einer Zelle im Sinn dieser Anmeldung entspricht, auch als Halbzelle bezeichnet wird.)
  • Die Gräben 40 mit den Gate-Elektroden 42 zweier unmittelbar benachbarter Zellen Z2, Z3 besitzen im Bereich des Zellenfeldes einen Abstand (Pitch) d2. Unmittelbar benachbart sind im Sinn dieser Beschreibung solche Transistorzellen, die eine gemeinsame Body-Zone aufweisen.
  • Das Zellenfeld mit den Transistorzellen Z1, Z2, Z3 ist durch eine Randzelle RZ begrenzt, wobei diese Randzelle eine Feldplatte 52 aufweist, die in einem sich in vertikaler Richtung in den Halbleiterkörper 100 hinein erstreckenden Graben 50 angeordnet ist, wobei diese Feldplatte 52 gegenüber dem Halbleiterkörper 100 mittels einer Isolationsschicht 54 isoliert ist. Die Dicke dieser Isolationsschicht 54 entspricht in etwa der Dicke der Isolationsschicht um den Feldplattenabschnitt der Gate-Elektroden 42 im unteren Bereich der Gräben 40. Allerdings kann die Feldplatte 52 im oberen Bereich auf der dem Zellenfeld zugewandten Seite breiter als in den übrigen Bereichen ausgebildet sein, wie dies in Fig. 1 gestrichelt dargestellt ist. Dieser breitere Bereich 55 kann sich nach unten bis in die Drift-Zone 12 erstrecken.
  • Der Abstand zwischen dem Graben 50 der Randzelle RZ und dem Graben 40, der unmittelbar benachbarten Transistorzelle Z1 ist geringer als der übliche Abstand d2 zwischen unmittelbar benachbarten Transistorzellen Z2, Z3 in dem Zellenfeld. Hierdurch wird erreicht, dass die Durchbruchspannung des Bauelements im Bereich der Randzelle RZ höher ist als im Bereich des Zellenfeldes. Die Durchbruchspannung bezeichnet die zwischen dem Drain-Anschluss D und dem Source-Anschluss S angelegte Spannung, bei welcher bei nicht angesteuerter Gate- Elektrode 42 aufgrund eines lawinenartigen Durchbruchs ein Stromfluss zustande kommt. Die gegenüber dem Zellenfeld erhöhte Durchbruchspannung im Randbereich bewirkt, dass es bei Anlegen einer Sperrspannung zuerst im Zellenfeld zu einem Spannungsdurchbruch kommt, wodurch der hieraus resultierende Durchbruchstrom über die im Vergleich zur Randzelle RZ größere Fläche des Zellenfeldes verteilt ist.
  • Wie insbesondere Fig. 2 zu entnehmen ist, umschließt der Graben 50 mit der Feldplatte 52 das Zellenfeld ringförmig, wobei die Feldplatte 52 in dem Beispiel mit den Gate- Elektroden 42 kurzgeschlossen ist.
  • Zur Kontaktierung der Source-Zone 30 und zum Kurzschließen der Source-Zone 30 und der Body-Zone 20 sind Anschlüsse 60 vorgesehen, die sich ausgehend von der Vorderseite des Halbleiterkörpers 100 durch die Source-Zone 30 bis in die Body- Zone 20 erstrecken. Diese Anschlüsse bestehen beispielsweise aus einem Metall oder auch aus Polysilizium.
  • Aus Gründen der Übersichtlichkeit sind die Source-Anschlüsse S, die Gate-Anschlüsse G und der Drain-Anschluss D lediglich schematisch dargestellt. Auf die Darstellung von Verdrahtungsebenen oberhalb des Halbleiterkörpers ist verzichtet. Die Gate-Elektroden 42 sind dabei alle an ein gemeinsames Gate-Potential angeschlossen, die Source-Zonen sind über die Anschlüsse 60 an ein gemeinsames Source-Potential angeschlossen. Die Feldplatte 52 der Randzelle RZ ist vorzugsweise an Gate-Potential bzw. den gemeinsamen Gate-Anschluss angeschlossen.
  • Ein Anschluss 62, der unmittelbar benachbart zu der Randzelle RZ angeordneten Transistorzelle Z1 ist bei einer Ausführungsform der Erfindung symmetrisch zwischen dem Graben 50 der Randzelle RZ und dem Graben 40 der Transistorzelle Z1 angeordnet, wie dies in Fig. 3 dargestellt ist, wobei Fig. 3 einen vergrößerten Ausschnitt des Halbleiterbauelements im Randbereich zeigt.
  • Bei einer weiteren in Fig. 4 dargestellten Ausführungsform ist vorgesehen, dass dieser Anschluss 62 zwischen dem Graben 50 der Randzelle RZ und der unmittelbar benachbarten Transistorzelle Z1 näher an der Randzelle bzw. deren Graben 50 angeordnet ist. Dies dient der Prozesssicherheit bei der Herstellung des Grabens, in dem der Anschluss 62 angeordnet ist. Bei der Herstellung eines niederohmigen Kontaktes zwischen dem Anschluss, der beispielsweise aus einem Metall oder einem Polysilizium besteht, findet vor dem Abscheiden des Kontaktmaterials üblicherweise eine sogenannten Kontaktimplantation statt, bei der die Seitenwände des Grabens hoch dotiert werden, wobei der Dotierungstyp im Bereich der Source-Zone dem der Source-Zone und im Bereich der Body-Zone dem der Body- Zone entspricht. Mit steigendem Abstand dieses Anschlussgrabens von der Gate-Elektrode 42 steigt die Sicherheit, dass keine Dotierstoffe in den Bereich gelangen, in dem sich bei leitend angesteuerter Gate-Elektrode 42 ein leitender Kanal ausbildet. Diese Dotierstoffe würden den Kanal negativ beeinflussen.
  • Fig. 5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements, bei dem auch ein Abstand d3 zweier Gräben im Zellenfeld geringer ist, als der Abstand d2 der Gräben zwischen zwei unmittelbar benachbarten Transistorzellen Z2, Z3. Die beiden benachbart angeordneten Gräben 401, 402 mit den darin angeordneten Steuerelektroden 42 sind jeweils Bestandteil einer Transistorzelle, nämlich der Transistorzellen Z3, Z4 in Fig. 5. In dem den Transistorzellen Z3, Z4 jeweils abgewandten Bereich zwischen den Gräben 401, 402 ist im Bereich der Vorderseite des Halbleiterkörpers 100 ein integriertes Bauelement gebildet, dessen Anschlüsse sich im Bereich der Vorderseite des Halbleiterkörpers 100 befinden. Beispielhaft ist dieses Halbleiterbauelement in Fig. 5 als lateraler MOS-Transistor ausgebildet, der eine Drain-Zone 60, eine horizontal beabstandet zu der Drain-Zone 60 angeordnete Source-Zone 62 und eine oberhalb der Vorderseite 100 des Halbleiterkörpers angeordnete Gate-Elektrode 64 aufweist. Die Drain-Zone 60 und die Source-Zone 62 sind in einer komplementär dotierten Zone 66 eingebettet, die beispielsweise entsprechend der Body-Zonen 20 der Transistorzellen Z2, Z3, Z4 ausgebildet ist. Soll ein lateraler MOS-Transistor eines komplementären Leitungstyps realisiert werden, so kann auf die dotierte Zone 66 verzichtet werden und die Drain-Zone 60 und die Source-Zone 62 sind entsprechend komplementär zu dotieren.
  • Selbstverständlich sind beliebige weitere laterale Bauelemente, wie Bipolartransistoren, Dioden, CMOS-Bauelemente und dergleichen in der Zone zwischen den beiden Gräben realisierbar.
  • Die Gate-Elektroden 42 mit den Feldplatten in den enger beabstandeten Gräben 401, 402 schützen das zwischen diesen Gräben im Bereich der Vorderseite des Halbleiterkörpers 100 angeordnete Halbleiterbauelement vor hohen Feldstärken und stellen sicher, dass die Durchbruchspannung in diesem Bereich nicht geringer ist als im Bereich der Transistorzellen Z1, Z2, Z3, Z4. In den dargestellten Ausführungsbeispiel ist zwischen der Drift-Zone 12 und der komplementär hierzu dotierten Zone 66 ein pn-Übergang gebildet, der bei einem n-leitenden MOS-Transistor in Drain-Source-Richtung in Sperrrichtung gepolt ist, so dass während des normalen Betriebs des Halbleiterbauelements keine Ladungsträger in die Zone 66 injiziert werden, die die Funktionsweise des lateralen MOS-Transistors stören. Die in geringerem Abstand d3 angeordneten Gräben mit den Steuerelektroden 42 sorgen dafür, dass dieser pn-Übergang nicht bei geringeren Durchbruchspannungen durchbricht als die Transistorzellen Z1, Z2, Z3, Z4.
  • Bei dem Halbleiterbauelement gemäß Fig. 5 sind selbstverständlich beliebige weitere Randkonstruktionen einsetzbar. Bezugszeichenliste 11 Drain-Zone
    12 Driftzone
    20 Body-Zone
    30 Source-Zone
    40, 50 Graben
    42 Gate-Elektrode
    44, 54 Isolationsschicht
    52 Feldplatte
    60, 62 Source-/Body-Anschluss
    64 Gate-Elektrode
    D Drain-Anschluss
    D2 Drain-Anschluss
    G Gate-Anschluss
    G2 Gate-Anschluss
    RZ Randzelle
    S Source-Anschluss
    S2 Source-Anschluss
    Z1, Z2, Z3, Z4 Transistorzellen

Claims (10)

1. Halbleiterbauelement mit einem in einem Halbleiterkörper ausgebildeten mehrere gleichartige Transistorzellen (Z1, Z2, Z3) aufweisenden Zellenfeld und wenigstens einer am Rand des Zellenfeldes ausgebildeten Randzelle (RZ), wobei jede der Transistorzellen aufweist:
eine erste Anschlusszone (10) eines ersten Leitungstyps im Bereich einer Rückseite des Halbleiterkörpers,
eine zweite Anschlusszone (30) eines ersten Leistungstyps im Bereich einer Vorderseite des Halbleiterkörpers,
eine Kanalzone (20) eines zweiten Leitungstyps, die zwischen der ersten Anschlusszone (10) und der zweiten Anschlusszone (30) angeordnet ist,
wenigstens eine Steuerelektrode (42), die in einem Graben (40), der sich in vertikaler Richtung in den Halbleiterkörper (100) hinein erstreckt, angeordnet ist und die mittels einer Isolationsschicht (44) gegenüber dem Halbleiterkörper (100) isoliert ist, wobei die Gräben der einzelnen Zellen (Z1, Z2, Z3) in horizontaler Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet zueinander angeordnet sind,
und wobei die Randzelle (RZ) aufweist:
eine Feldplatte (52), die in einem Graben (50), der sich in vertikaler Richtung in den Halbleiterkörper (100) hinein erstreckt, angeordnet ist und die mittels einer Isolationsschicht (54) gegenüber dem Halbleiterkörper (100) isoliert ist,
dadurch gekennzeichnet,
dass der Abstand des Grabens (50) der Randzelle (RZ) zu dem Graben (40) der unmittelbar benachbarten Transistorelle (Z1) geringer ist als der Abstand eines Grabens einer Transistorzelle (Z1; Z2) zu dem Graben einer unmittelbar benachbarten Transistorzelle (Z2; Z3) in dem Zellenfeld.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem die Transistorzellen (Z1, Z2, Z3) einen Anschluss (60) aufweisen, der jeweils zwischen zwei Gräben (40) angeordnet ist und der sich durch die zweite Anschlusszone (30) bis in die Kanalzone (20) erstreckt.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, bei dem ein Anschluss (60) zwischen dem Graben (50, 40) der Randzelle (RZ) und der unmittelbar benachbarten Transistorzelle (Z1) symmetrisch zwischen den Gräben (50, 40) der Randzelle (RZ) und dieser Transistorzelle (Z1) ausgebildet ist.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, bei dem ein Anschluss (60) zwischen dem Graben (50, 40) der Randzelle (RZ) und der unmittelbar benachbarten Transistorzelle (Z1) näher an dem Graben (50) der Randzelle (RZ) als an dem Graben (40) der Transistorzelle (Z1) angeordnet ist.
5. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem sich die Steuerelektroden (44) der Transistorzellen (Z1, Z2, Z3) in vertikaler Richtung unterhalb der Kanalzone (20) verjüngen und die Dicke der Isolationsschicht (44) in diesem Bereich zunimmt.
6. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der Abstand wenigstens zweier Gräben in dem Zellenfeld an einer der jeweils zugehörigen Zelle (Z3, Z4) abgewandten Seite geringer ist als der Abstand der Gräben zweier unmittelbar benachbarter Transistorzellen in dem Zellenfeld.
7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 6, bei dem zwischen den beiden Gräben mit geringerem Abstand ein Bauelement integriert ist, dessen Anschlüsse (G2, S2, D2) im Bereich der Vorderseite des Halbleiterkörpers (100) angeordnet sind.
8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 7, bei dem das Bauelement ein horizontaler Bipolartransistor oder ein horizontaler MOS-Transistor ist.
9. Halbleiterbauelement mit einem in einem Halbleiterkörper (100) ausgebildeten mehrere gleichartig aufgebaute Transistorzellen (Z1, Z2, Z3, Z4) aufweisenden Zellenfeld wobei jede der Transistorzellen aufweist:
eine erste Anschlusszone (10) eines ersten Leitungstyps im Bereich einer Rückseite des Halbleiterkörpers,
eine zweite Anschlusszone (30) eines ersten Leistungstyps im Bereich einer Vorderseite des Halbleiterkörpers,
eine Kanalzone (20) eines zweiten Leitungstyps, die zwischen der ersten Anschlusszone (10) und der zweiten Anschlusszone (30) angeordnet ist,
eine Steuerelektrode (42), die in einem Graben (40), der sich in vertikaler Richtung in den Halbleiterkörper (100) hinein erstreckt, angeordnet ist und die mittels einer Isolationsschicht (44) gegenüber dem Halbleiterkörper (100) isoliert ist, wobei die Gräben der einzelnen Zellen (Z1, Z2, Z3) in horizontaler Richtung des Halbleiterkörpers (100) beabstandet zueinander angeordnet sind,
dadurch gekennzeichnet, dass
der Abstand (d3) wenigstens zweier Gräben in dem Zellenfeld an einer der jeweils zugehörigen Zelle (Z3, Z4) abgewandten Seite geringer ist als der Abstand der Gräben zweier unmittelbar benachbarter Transistorzellen (Z1, Z2, Z3) in dem Zellenfeld, wobei zwischen den beiden Gräben mit geringerem Abstand ein Bauelement integriert ist, dessen Anschlüsse (G2, S2, D2) im Bereich der Vorderseite des Halbleiterkörpers (100) angeordnet sind.
10. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem sich die Elektroden (44) der Transistorzellen (Z1, Z2, Z3, Z4) in vertikaler Richtung unterhalb der Kanalzone (20) verjüngen und die Dicke der Isolationsschicht (42) in diesem Bereich zunimmt.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10341793A1 (de) * 2003-09-10 2005-04-21 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102004021391A1 (de) * 2004-04-30 2005-11-24 Infineon Technologies Ag Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE102004021393A1 (de) * 2004-04-30 2005-12-01 Infineon Technologies Ag Feldeffekt-Leistungstransistor
DE102004026233A1 (de) * 2004-05-28 2005-12-22 Infineon Technologies Ag Trenchtransistor
DE102005014743A1 (de) * 2005-03-31 2006-10-05 Infineon Technologies Austria Ag MOS-Feldplattentrench-Transistoreinrichtung
DE102006007096A1 (de) * 2006-02-15 2007-08-30 Infineon Technologies Austria Ag MOSFET mit Kompensationsstruktur und Randabschluss
DE102006020870A1 (de) * 2006-05-04 2007-11-08 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit erhöhter Avalanchedurchbruch-Festigkeit
DE102007033839A1 (de) * 2007-07-18 2009-01-22 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102004024887B4 (de) * 2004-05-19 2012-01-26 Infineon Technologies Ag Transistor mit Zellenfeld, Temperatursensor und Isolationsstruktur
DE102008064698B4 (de) * 2007-12-26 2015-12-24 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiterbauelement mit einer Sensorzelle
DE102004052153B4 (de) * 2004-10-26 2016-02-04 Infineon Technologies Ag Vertikales Leistungshalbleiterbauelement mit Gateanschluss auf der Rückseite und Verfahren zu dessen Herstellung

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6573558B2 (en) * 2001-09-07 2003-06-03 Power Integrations, Inc. High-voltage vertical transistor with a multi-layered extended drain structure
US7221011B2 (en) * 2001-09-07 2007-05-22 Power Integrations, Inc. High-voltage vertical transistor with a multi-gradient drain doping profile
US7786533B2 (en) * 2001-09-07 2010-08-31 Power Integrations, Inc. High-voltage vertical transistor with edge termination structure
US6635544B2 (en) 2001-09-07 2003-10-21 Power Intergrations, Inc. Method of fabricating a high-voltage transistor with a multi-layered extended drain structure
US7576388B1 (en) 2002-10-03 2009-08-18 Fairchild Semiconductor Corporation Trench-gate LDMOS structures
US7652326B2 (en) 2003-05-20 2010-01-26 Fairchild Semiconductor Corporation Power semiconductor devices and methods of manufacture
US7973381B2 (en) * 2003-09-08 2011-07-05 International Rectifier Corporation Thick field oxide termination for trench schottky device
US7368777B2 (en) 2003-12-30 2008-05-06 Fairchild Semiconductor Corporation Accumulation device with charge balance structure and method of forming the same
GB0405325D0 (en) * 2004-03-10 2004-04-21 Koninkl Philips Electronics Nv Trench-gate transistors and their manufacture
US7352036B2 (en) 2004-08-03 2008-04-01 Fairchild Semiconductor Corporation Semiconductor power device having a top-side drain using a sinker trench
US20060163650A1 (en) * 2005-01-27 2006-07-27 Ling Ma Power semiconductor device with endless gate trenches
JP2008536316A (ja) * 2005-04-06 2008-09-04 フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレーション トレンチゲート電界効果トランジスタおよびその形成方法
KR101296922B1 (ko) 2005-06-10 2013-08-14 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 전하 균형 전계 효과 트랜지스터
US7524726B2 (en) * 2005-08-17 2009-04-28 International Rectifier Corporation Method for fabricating a semiconductor device
US7943990B2 (en) * 2005-08-17 2011-05-17 International Rectifier Corporation Power semiconductor device with interconnected gate trenches
US7319256B1 (en) 2006-06-19 2008-01-15 Fairchild Semiconductor Corporation Shielded gate trench FET with the shield and gate electrodes being connected together
US7557406B2 (en) * 2007-02-16 2009-07-07 Power Integrations, Inc. Segmented pillar layout for a high-voltage vertical transistor
US8653583B2 (en) 2007-02-16 2014-02-18 Power Integrations, Inc. Sensing FET integrated with a high-voltage transistor
US7859037B2 (en) 2007-02-16 2010-12-28 Power Integrations, Inc. Checkerboarded high-voltage vertical transistor layout
US7595523B2 (en) 2007-02-16 2009-09-29 Power Integrations, Inc. Gate pullback at ends of high-voltage vertical transistor structure
DE102007037858B4 (de) 2007-08-10 2012-04-19 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit verbessertem dynamischen Verhalten
US7772668B2 (en) * 2007-12-26 2010-08-10 Fairchild Semiconductor Corporation Shielded gate trench FET with multiple channels
US7807576B2 (en) * 2008-06-20 2010-10-05 Fairchild Semiconductor Corporation Structure and method for forming a thick bottom dielectric (TBD) for trench-gate devices
US8164931B2 (en) * 2008-08-19 2012-04-24 Infineon Technologies Austria Ag Rectifier circuit with a voltage sensor
US7859051B2 (en) * 2008-08-19 2010-12-28 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor device with a reduced band gap and process
US8004051B2 (en) * 2009-02-06 2011-08-23 Texas Instruments Incorporated Lateral trench MOSFET having a field plate
US20100264486A1 (en) * 2009-04-20 2010-10-21 Texas Instruments Incorporated Field plate trench mosfet transistor with graded dielectric liner thickness
US8432000B2 (en) 2010-06-18 2013-04-30 Fairchild Semiconductor Corporation Trench MOS barrier schottky rectifier with a planar surface using CMP techniques
US8252648B2 (en) * 2010-06-29 2012-08-28 Alpha & Omega Semiconductor, Inc. Power MOSFET device with self-aligned integrated Schottky and its manufacturing method
US8319282B2 (en) 2010-07-09 2012-11-27 Infineon Technologies Austria Ag High-voltage bipolar transistor with trench field plate
JP2012039077A (ja) * 2010-07-15 2012-02-23 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその製造方法
US8598654B2 (en) 2011-03-16 2013-12-03 Fairchild Semiconductor Corporation MOSFET device with thick trench bottom oxide
CN102184959B (zh) * 2011-04-25 2016-03-02 上海华虹宏力半导体制造有限公司 功率mos管及其制造方法
US8546875B1 (en) * 2012-03-14 2013-10-01 Infineon Technologies Austria Ag Vertical transistor having edge termination structure
US8946002B2 (en) * 2012-07-24 2015-02-03 Semiconductor Components Industries, Llc Method of forming a semiconductor device having a patterned gate dielectric and structure therefor
US9978862B2 (en) 2013-04-30 2018-05-22 Infineon Technologies Austria Ag Power transistor with at least partially integrated driver stage
US9799643B2 (en) 2013-05-23 2017-10-24 Infineon Technologies Austria Ag Gate voltage control for III-nitride transistors
US9123801B2 (en) 2013-09-16 2015-09-01 Infineon Technologies Ag Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing a semiconductor device
US9461164B2 (en) 2013-09-16 2016-10-04 Infineon Technologies Ag Semiconductor device and method of manufacturing the same
US10325988B2 (en) 2013-12-13 2019-06-18 Power Integrations, Inc. Vertical transistor device structure with cylindrically-shaped field plates
US9543396B2 (en) 2013-12-13 2017-01-10 Power Integrations, Inc. Vertical transistor device structure with cylindrically-shaped regions
DE102014112338A1 (de) 2014-08-28 2016-03-03 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
US9818828B2 (en) 2016-03-09 2017-11-14 Polar Semiconductor, Llc Termination trench structures for high-voltage split-gate MOS devices
CN114068526A (zh) * 2020-07-31 2022-02-18 苏州东微半导体股份有限公司 半导体功率器件
CN117393615B (zh) * 2023-12-09 2024-02-27 中晶新源(上海)半导体有限公司 一种tmbs的半导体器件结构及其制作方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4941026A (en) * 1986-12-05 1990-07-10 General Electric Company Semiconductor devices exhibiting minimum on-resistance
US5763915A (en) * 1996-02-27 1998-06-09 Magemos Corporation DMOS transistors having trenched gate oxide
US5998833A (en) * 1998-10-26 1999-12-07 North Carolina State University Power semiconductor devices having improved high frequency switching and breakdown characteristics
US6351018B1 (en) * 1999-02-26 2002-02-26 Fairchild Semiconductor Corporation Monolithically integrated trench MOSFET and Schottky diode

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10341793A1 (de) * 2003-09-10 2005-04-21 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10341793B4 (de) 2003-09-10 2021-09-23 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102004021391A1 (de) * 2004-04-30 2005-11-24 Infineon Technologies Ag Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE102004021393A1 (de) * 2004-04-30 2005-12-01 Infineon Technologies Ag Feldeffekt-Leistungstransistor
DE102004021393B4 (de) * 2004-04-30 2006-06-14 Infineon Technologies Ag Feldeffekt-Leistungstransistor
DE102004021391B4 (de) * 2004-04-30 2008-10-02 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung
DE102004024887B4 (de) * 2004-05-19 2012-01-26 Infineon Technologies Ag Transistor mit Zellenfeld, Temperatursensor und Isolationsstruktur
DE102004026233A1 (de) * 2004-05-28 2005-12-22 Infineon Technologies Ag Trenchtransistor
DE102004026233B4 (de) * 2004-05-28 2015-02-12 Infineon Technologies Ag Trenchtransistor
DE102004052153B4 (de) * 2004-10-26 2016-02-04 Infineon Technologies Ag Vertikales Leistungshalbleiterbauelement mit Gateanschluss auf der Rückseite und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102005014743A1 (de) * 2005-03-31 2006-10-05 Infineon Technologies Austria Ag MOS-Feldplattentrench-Transistoreinrichtung
DE102005014743B4 (de) * 2005-03-31 2013-12-05 Infineon Technologies Austria Ag MOS-Feldplattentrench-Transistoreinrichtung
DE102006007096B4 (de) * 2006-02-15 2008-07-17 Infineon Technologies Austria Ag MOSFET mit Kompensationsstruktur und Randabschluss sowie Verfahren zu dessen Herstellung
DE102006007096A1 (de) * 2006-02-15 2007-08-30 Infineon Technologies Austria Ag MOSFET mit Kompensationsstruktur und Randabschluss
DE102006020870B4 (de) * 2006-05-04 2010-12-02 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit erhöhter Avalanchedurchbruch-Festigkeit
DE102006020870A1 (de) * 2006-05-04 2007-11-08 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit erhöhter Avalanchedurchbruch-Festigkeit
DE102007033839A1 (de) * 2007-07-18 2009-01-22 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben
US8541839B2 (en) 2007-07-18 2013-09-24 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor component and method for producing it
DE102007033839B4 (de) * 2007-07-18 2015-04-09 Infineon Technologies Austria Ag Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben
US9287354B2 (en) 2007-07-18 2016-03-15 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor component and method for producing it
DE102008064698B4 (de) * 2007-12-26 2015-12-24 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiterbauelement mit einer Sensorzelle

Also Published As

Publication number Publication date
DE10214151B4 (de) 2007-04-05
US6806533B2 (en) 2004-10-19
US20030209757A1 (en) 2003-11-13

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