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QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNG
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Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität, die auf der am 2. Juni 2021 angemeldeten japanischen Patentanmeldung Nr.
2021-092928 basiert, und deren gesamter Inhalt wird hier zitiert.
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Gebiet
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Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung betreffen ein elektronisches Gerät und Verfahren zu dessenHerstellung.
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Hintergrund
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In den letzten Jahren werden Anzeigevorrichtungen, auf die eine organische Leuchtdiode (OLED) als Anzeigeelement angewendet wird, praktisch verwendet. Ein solches Anzeigeelement ist mit einer organischen Schicht zwischen einer ersten und einer zweiten Elektrode. In einem Beispiel wird die organische Schicht durch Vakuumbeschichtung gebildet, während die zweite Elektrode durch Sputtern gebildet wird.
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Bspw. bei der Maskenabscheidung wird eine Feinmaske mit Öffnungen für jedes Pixel angewendet. Aufgrund der Bearbeitungsgenauigkeit der Feinmaske und der Verformung der Öffnung kann die Genauigkeit der durch die Abscheidung gebildeten Dünnschicht jedoch verringert werden.
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Daher ist eine Technik zur Verteilung der organischen Schicht und der zweiten Elektrode unter Verwendung einer Pixel-Teilungsstruktur bekannt.
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Figurenliste
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Es zeigt:
- 1 eine Ansicht, die ein Ausbildungsbeispiel für ein elektronisches Gerät 100 gemäß einer Ausführungsform zeigt;
- 2 eine Draufsicht auf -ein Beispiel für ein in 1 gezeigtes Pixel PX;
- 3 eine Ansicht, die ein Beispiel für die Ausbildung eines Anzeigeelements 20 zeigt;
- 4 eine Schnittansicht des elektronischen Geräts 100 entlang der in 2 dargestellten Linie AB;
- 5 eine Ansicht zur Veranschaulichung des Herstellungsverfahrens des elektronischen Geräts 100;
- 6 eine Ansicht zur Veranschaulichung des Herstellungsverfahrens des elektronischen Geräts 100;
- 7 eine vergrößerte Schnittansicht, die ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Trennwand 30 zeigt;
- 8 eine vergrößerte Schnittansicht, die ein weiteres Ausführungsbeispiel der Trennwand 30 zeigt.
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Ausführliche Beschreibung
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Gemäß einer Ausführungsform ist ein elektronisches Gerät versehen mit:
- einem Substrat, einer ersten Isolierschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist, einer unteren Elektrode, die auf der ersten Isolierschicht angeordnet ist, einer zweiten Isolierschicht, die auf der ersten Isolierschicht angeordnet ist, und eine Öffnung aufweist, die die untere Elektrode überlagert, einer organischen Schicht, die in der Öffnung die untere Elektrode bedeckt, einer oberen Elektrode, die die organische Schicht bedeckt, und einer Trennwand, die auf der zweiten Isolierschicht angeordnet ist, wobei die Trennwand mit einer ersten Schicht, die aus einem metallischen Material besteht und eine erste Seitenfläche aufweist, die mit der oberen Elektrode in Kontakt steht, einer zweiten Schicht, die auf der ersten Schicht angeordnet ist und von der ersten Seitenfläche zu der Öffnung vorsteht, und einer Schutzschicht, die aus einem Material besteht, das von der organischen Schicht unterschiedlich ist, und zumindest die obere Fläche der zweiten Schicht bedeckt, versehen ist.
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Gemäß einer Ausführungsform betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Geräts ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Geräts, wobei eine untere Elektrode auf einer ersten Isolierschicht gebildet wird, eine zweite Isolierschicht, die die erste Isolierschicht und die untere Elektrode bedeckt, gebildet wird, eine Trennwand auf der zweiten Isolierschicht gebildet wird, und eine Öffnung, die die untere Elektrode freilegt, in der zweiten Isolierschicht gebildet wird, wobei die Trennwand mit einer ersten Schicht, die aus einem metallischen Material besteht und eine erste Seitenfläche aufweist, einer zweiten Schicht, die auf der ersten Schicht angeordnet ist und von der ersten Seitenfläche zu der Öffnung vorsteht, und einer Schutzschicht, die zumindest die obere Fläche der zweiten Schicht bedeckt, versehen ist, wobei die Öffnung durch Trockenätzen der zweiten Isolierschicht unter Verwendung der Trennwand als Maske gebildet wird.
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Im Folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert.
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Bei der Offenbarung handelt es sich lediglich um ein Beispiel, und der Gegenstand, der hinsichtlich der geeigneten Änderung unter Beibehaltung des wesentlichen Inhalts der Erfindung dem Fachmann ohne weiteres naheliegt, wird selbstverständlich vom Umfang der vorliegenden Erfindung enthalten. Um die Erläuterung zusätzlich zu verdeutlichen, können die Zeichnungen ferner die Breite, Dicke, Form usw. der einzelnen Teile im Vergleich zur tatsächlichen Form schematisch zeigen, jedoch ist dies lediglich ein Beispiel und schränkt die Interpretation der vorliegenden Erfindung nicht ein.
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In der vorliegenden Beschreibung und den jeweiligen Zeichnungen sind die Bestandteile, die die gleichen oder ähnlichen Funktionen wie mit Bezug auf die bereits erwähnten Zeichnungen entfalten, mit den gleichen Bezugszeichen versehen und überlappende ausführliche Erläuterungen können den Umständen entsprechend weggelassen werden.
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Um das Verständnis zu erleichtern, sind die X-Achse, Y-Achse und Z-Achse, die orthogonal zueinander stehen, nach Bedarf in den Zeichnungen dargestellt. Die Richtung entlang der X-Achse wird als X-Richtung oder erste Richtung bezeichnet, die Richtung entlang der Y-Achse als Y-Richtung oder zweite Richtung und die Richtung entlang der Z-Achse als Z-Richtung oder dritte Richtung. Die Ebene, die durch die X- und Y-Achse definiert wird, wird als X-Y-Ebene bezeichnet. Die Betrachtung der X-Y-Ebene wird Draufsicht genannt.
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Das elektronische Gerät 100 dieser Ausführungsform ist in einem Beispiel eine Anzeigevorrichtung mit Anzeigeelementen. Das Anzeigeelement ist z.B. eine organische Leuchtdiode (OLED) mit einer organischen lichtemittierenden Schicht. Das Anzeigeelement kann als lichtemittierendes Element einer Beleuchtungseinrichtung angewendet werden, und das elektronische Gerät 100 kann eine Beleuchtungseinrichtung sein, die mit lichtemittierenden Elementen versehen ist.
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Das elektronische Gerät 100 kann ferner eine Sensorik sein, die mit Sensorelementen versehen ist. Das Sensorelement ist bspw. eine organische Photodiode (OPD) mit einer organischen photoelektrischen Umwandlungsschicht.
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1 zeigt eine Ansicht, die ein Ausbildungsbeispiel für das elektronische Gerät 100 gemäß dieser Ausführungsform zeigt. Das elektronische Gerät 100 ist mit einem Anzeigeabschnitt DA zur Anzeige von Bildern auf einem isolierenden Substrat 10 versehen. Das Substrat 10 ist ein isolierendes Substrat, kann ein Glassubstrat oder ein flexibler Harzfilm sein.
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Der Anzeigeabschnitt DA ist mit mehreren Pixeln PX versehen, die in einer ersten Richtung X und einer zweiten Richtung Y matrixförmig aufgereiht sind. Das Pixel PX ist mit mehreren Subpixeln SP1, SP2, SP3 versehen. In einem Beispiel ist das Pixel PX mit einem roten Subpixel SP1, einem grünen Subpixel SP2 und einem blauen Subpixel SP3 versehen. Es ist auch möglich, dass das Pixel PX mit vier oder mehr Subpixeln versehen ist, in denen zusätzlich zu den Subpixeln der obigen drei Farben auch Subpixel anderer Farben wie z.B. Weiß hinzugefügt werden. Die Farbkombination der Subpixel im Pixel PX kann sich von der Kombination aus Rot, Grün und Blau auch unterscheiden.
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Ein Beispiel für die Ausbildung eines Subpixels SP in einem Pixel PX wird im Folgenden kurz erläutert.
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Das Subpixel SP ist mit einer Pixelschaltung 1 und einem Anzeigeelement 20 versehen, das von der Pixelschaltung 1 angesteuert wird. Die Pixelschaltung 1 ist mit einem Pixelschalter 2, einem Ansteuertransistor 3 und einem Kondensator 4 versehen. Der Pixelschalter 2 und der Ansteuertransistor 3 sind Schaltelemente, die z.B. aus Dünnschichttransistoren bestehen.
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Im Pixelschalter 2 ist die Gate-Elektrode mit einer Abtastleitung GL, die Source-Elektrode mit einer Signalleitung SL und die Drain-Elektrode mit einer Elektrode, die den Kondensator 4 ausbildet, und der Gate-Elektrode des Ansteuertransistors 3 verbunden. Im Ansteuertransistor 3 ist die Source-Elektrode mit der anderen Elektrode, die den Kondensator 4 ausbildet, und einer Netzspannungsleitung PL verbunden, und die Drain-Elektrode ist mit der Anode des Anzeigeelements 20 verbunden. Die Kathode des Anzeigeelements 20 ist mit einer Versorgungsleitung FL innerhalb oder außerhalb des Anzeigeabschnitts DA verbunden. Die Ausbildung der Pixelschaltung 1 ist nicht auf das in den Zeichnungen gezeigte Beispiel beschränkt.
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Das Anzeigeelement 20 ist eine organische Leuchtdiode (OLED) als lichtemittierendes Element. Bspw. ist das Subpixel SP1 mit einem Anzeigeelement versehen, das Licht entsprechend einer roten Wellenlänge ausstrahlt, das Subpixel SP2 ist mit einem Anzeigeelement versehen, das Licht entsprechend einer grünen Wellenlänge ausstrahlt, und das Subpixel SP3 ist mit einem Anzeigeelement versehen, das Licht entsprechend einer blauen Wellenlänge ausstrahlt. Indem das Pixel PX mit mehreren Subpixeln SP1, SP2, SP3 mit unterschiedlichen Anzeigefarben versehen ist, kann eine mehrfarbige Anzeige realisiert werden.
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Allerdings können die Subpixel SP1, SP2, SP3 auch derart ausgebildet werden, dass die jeweiligen Anzeigeelemente 20 Licht derselben Farbe ausstrahlen. Hierdurch kann eine monochromatische Anzeige realisiert werden.
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Außerdem, wenn die Subpixel SP1, SP2, SP3 auch derart ausgebildet werden, dass die jeweiligen Anzeigeelemente 20 weißes Licht ausstrahlen, kann ein Farbfilter, der dem Anzeigeelement 20 gegenüberliegt, angeordnet sein. Bspw. ist das Subpixel SP1 mit einem roten Farbfilter versehen, der dem Anzeigeelement 20 gegenüberliegt, das Subpixel SP2 mit einem grünen Farbfilter, der dem Anzeigeelement 20 gegenüberliegt, und das Subpixel SP3 mit einem blauen Farbfilter, der dem Anzeigeelement 20 gegenüberliegt. Hierdurch kann eine mehrfarbige Anzeige realisiert werden.
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Alternativ, wenn die Subpixel SP1, SP2, SP3 derart ausgebildet werden, dass die jeweiligen Anzeigeelemente 20 ultraviolettes Licht ausstrahlen, kann eine mehrfarbige Anzeige realisiert werden, indem photoelektrische Umwandlungsschichten, die den Anzeigeelementen 20 gegenüberliegen, angeordnet sind.
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2 ist eine Draufsicht auf ein Beispiel für ein in 1 gezeigtes Pixel PX.
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Die Subpixel SP1, SP2, SP3, die ein einzelnes Pixel PX ausbilden, sind jeweils in einer im Wesentlichen rechteckigen Form gebildet, die sich in der zweiten Richtung Y erstreckt, und sind in der ersten Richtung X aufgereiht. Die Außenkontur jedes Subpixels entspricht der Außenkontur eines lichtemittierenden Bereichs EA im Anzeigeelement 20, ist jedoch vereinfacht dargestellt und spiegelt nicht unbedingt die tatsächliche Form wider. Hierbei ist angenommen, dass der lichtemittierende Bereich EA in einer rechteckigen Form mit einer kurzen Seite, die sich in der ersten Richtung X erstreckt, und einer langen Seite, die sich in der zweiten Richtung Y jeweils erstreckt, gebildet ist.
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Eine später näher beschriebene Isolierschicht 12 ist in der Draufsicht in Form eines Gitters gebildet, das sich in der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y jeweils erstreckt, und umgibt jedes der Subpixel SP1, SP2, SP3 oder das Anzeigeelement 20 jedes Subpixels. Diese Isolierschicht 12 kann als Rippe, Trennwand, Bank usw. bezeichnet werden. Der lichtemittierende Bereich EA ist in einer Öffnung OP1 in der Isolierschicht 12 gebildet. Die mehreren Öffnungen OP1 sind in der ersten Richtung X und der zweiten Richtung- Y matrixförmig angeordnet.
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Die später näher beschriebene Trennwand 30 ist in der Draufsicht in Form eines Gitters gebildet, das sich in der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y jeweils erstreckt, und auf der Isolierschicht 12 angeordnet. Jedes der Subpixel SP1, SP2, SP3 ist von der Trennwand 30 umgeben.
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Die Form der Trennwand 30 ist nicht auf das in 2 gezeigte Beispiel beschränkt, und kann auch andere Formen wie z.B. Streifen annehmen. Das Layout des Subpixels SP oder der Öffnung OP1 ist ebenfalls nicht auf das in 2 gezeigte Beispiel beschränkt.
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3 ist eine Ansicht, die ein Beispiel für die Ausbildung eines Anzeigeelements 20 zeigt.
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Das Anzeigeelement 20 ist mit einer unteren Elektrode (erster Elektrode) E1, einer organischen Schicht OR und einer oberen Elektrode (zweiter Elektrode) E2 versehen. Die organische Schicht OR ist auf der unteren Elektrode E1 angeordnet und die obere Elektrode E2 ist auf der organischen Schicht OR angeordnet. Die organische Schicht OR weist eine Trägereinstellschicht CA1, eine lichtemittierende Schicht EL und eine Trägereinstellschicht CA2 auf. Die Trägereinstellschicht CA1 ist zwischen der unteren Elektrode E1 und der lichtemittierenden Schicht EL positioniert, während die Trägereinstellschicht CA2 zwischen der lichtemittierenden Schicht EL und der oberen Elektrode E2 positioniert ist. Die Trägereinstellschichten CA1 und CA2 enthalten mehrere Funktionsschichten.
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Hierbei wird der Fall, dass die untere Elektrode E1 der Anode und die obere Elektrode E2 der Kathode entspricht, als Beispiel erläutert.
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Die Trägereinstellschicht CA1 enthält als Funktionsschichten eine Lochinjektionsschicht F11, eine Lochtransportschicht F12 und eine Elektronenblockierschicht F13 usw. Die Lochinjektionsschicht F11 ist auf der unteren Elektrode E1, die Lochtransportschicht F12 ist auf der Lochinjektionsschicht F11, die Elektronenblockierschicht F13 ist auf der Lochtransportschicht F12 und die lichtemittierende Schicht EL ist auf der Elektronenblockierschicht F13 angeordnet.
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Die Trägereinstellschicht CA2 enthält als Funktionsschichten eine Lochblockierschicht F21, eine Elektronentransportschicht F22 und die Elektroneninjektionsschicht F23 usw. Die Lochblockierschicht F21 ist auf der lichtemittierenden Schicht EL, die Elektronentransportschicht F22 ist auf der Lochblockierschicht F21, die Elektroneninjektionsschicht F23 ist auf der Elektronentransportschicht F22, und die obere Elektrode E2 ist auf der Elektroneninjektionsschicht F23 angeordnet.
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Zusätzlich zu den oben beschriebenen Funktionsschichten können die Trägereinstellschichten CA1 und CA2 nach Bedarf weitere Funktionsschichten enthalten, wie z.B. eine Trägererzeugungsschicht, oder in den Trägereinstellschichten CA1 und CA2 kann mindestens eine der oben genannten Funktionsschichten weggelassen werden.
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4 ist eine Schnittansicht des elektronischen Geräts 100 entlang der in 2 dargestellten Linie AB.
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Als Beispiel wird hier unter den in 2 angegebenen drei in der ersten Richtung X aufgereihten Anzeigeelementen das Anzeigeelement 20 betrachtet, das in der Mitte positioniert ist.
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Das elektronische Gerät 100 ist mit dem Substrat 10, der Isolierschicht (erster Isolierschicht) 11, der Isolierschicht (zweiter Isolierschicht) 12, dem Anzeigeelement 20 und der Trennwand 30 versehen. Die Isolierschicht 11 ist auf dem Substrat 10 angeordnet und entspricht der Grundschicht des Anzeigeelements 20.
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Die in 1 gezeigte Pixelschaltung 1 ist auf dem Substrat 10 angeordnet und von der Isolierschicht 11 bedeckt. Die Isolierschicht 12 ist auf der Isolierschicht 11 angeordnet.
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In dem Anzeigeelement 20 sind die unteren Elektrode E1 auf der Isolierschicht 11 angeordnet. Mehrere untere Elektroden E1 sind Elektroden, die in Abständen in der ersten Richtung X aufgereiht und für jedes Subpixel oder jedes Anzeigeelement angeordnet sind. Diese unteren Elektroden E1 sind elektrisch mit dem Ansteuertransistor 3 verbunden, der in der in 1 dargestellten Pixelschaltung 1 enthalten ist, und können als Pixelelektroden, Anoden usw. bezeichnet werden.
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Die untere Elektrode E1 ist eine transparente Elektrode, die aus einem transparenten leitfähigen Material besteht, wie z.B. Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO). Die untere Elektrode E1 kann auch eine Metallelektrode sein, die aus einem metallischen Material wie Silber oder Aluminium besteht. Die untere Elektrode E1 kann auch ein Stapel aus einer transparenten Elektrode und einer Metallelektrode sein. Die untere Elektrode E1 kann z.B. als ein Stapel aus einer transparenten Elektrode, einer Metallelektrode und einer transparenten Elektrode, die in dieser Stufenfolge gestapelt sind, oder als Stapel aus vier oder mehr Schichten ausgebildet werden.
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Die Isolierschicht 12 ist zwischen benachbarten unteren Elektroden E1 angeordnet. Die Isolierschicht 12 weist eine Öffnung OP1 und eine obere Fläche U1 auf. Die Isolierschicht 12 ist eine anorganische Isolierschicht, z.B. aus Siliziumnitrid. Die Öffnung OP1 ist ein Durchgangsloch, das in einem Bereich gebildet wird, der die untere Elektrode E1.überlagert, und die Isolierschicht 12 bis zur unteren Elektrode E1 durchdringt. Der Umfang der unteren Elektrode E1 ist von der Isolierschicht 12 bedeckt, während der zentrale Teil der unteren Elektrode E1 von der Isolierschicht 12 in der Öffnung OP1 freiliegt.
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Die organische Schicht OR ist in der Öffnung OP1 angeordnet und bedeckt die untere Elektrode E1. In dem in 4 dargestellten Beispiel ist die organische Schicht OR auch auf einem Teil der oberen Fläche U1 angeordnet. So wie bei der unteren Elektrode E1 sind diese organischen Schichten OR für jedes Subpixel oder für jedes Anzeigeelement angeordnet.
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Die obere Elektrode E2 ist auf die organische Schicht OR gestapelt und bedeckt die gesamte organische Schicht OR einschließlich des Umfangs der organischen Schicht OR. Die obere Elektrode E2 steht mit der oberen Fläche U1 außerhalb der organischen Schicht OR in Kontakt. Von der organischen Schicht OR kann ein Teil, der ohne Vermittlung der Isolierschicht 12 zwischen der unteren Elektrode E1 und der oberen Elektrode E2 positioniert ist, kann den lichtemittierenden Bereich des Anzeigeelements 20 bilden.
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Die obere Elektrode E2 ist eine Elektrode, die für jedes Subpixel oder Anzeigeelement angeordnet ist, jedoch sind die mehreren oberen Elektroden E2, wie später erläutert, über die Trennwand 30 elektrisch miteinander verbunden. Diese oberen Elektroden E2 können als gemeinsame Elektroden, Gegenelektroden, Kathoden usw. bezeichnet werden.
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Die obere Elektrode E2 ist eine halbtransparente Metallelektrode, die z.B. aus einem metallischen Material wie Magnesium oder Silber besteht. Die obere Elektrode E2 kann auch eine transparente Elektrode sein, die aus einem transparenten leitfähigen Material wie ITO oder IZO besteht. Die obere Elektrode E2 kann ferner auch ein Stapel aus einer transparenten Elektrode und einer Metallelektrode sein.
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Die Trennwand 30 ist zwischen den benachbarten Anzeigeelementen 20 positioniert und ist auf der Isolierschicht 12 angeordnet. Die Trennwand 30 ist von der organischen Schicht OR beabstandet und steht in Kontakt mit der oberen Elektrode E2. Von den beiden in 4 gezeigten Trennwänden 30 wird die linke Trennwand 30 in Betracht gezogen und näher erläutert. Die Trennwand 30 auf der rechten Seite in der Zeichnung weist die gleiche Struktur wie die Trennwand 30 auf der linken Seite auf.
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Die Trennwand 30 weist eine erste Schicht 31, eine zweite Schicht 32, die auf der ersten Schicht 31 angeordnet ist, und eine Schutzschicht PR auf, die zumindest einen Teil der zweiten Schicht 32 bedeckt.
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Die erste Schicht 31 ist eine leitfähige Schicht, die bspw. aus einem metallischen. Material besteht. Die erste Schicht 31 ist auf der Isolierschicht 12 positioniert und steht mit der oberen Fläche U1 in Kontakt. Die erste Schicht 31 ist zwischen den benachbarten organischen Schichten OR und zwischen den benachbarten oberen Elektroden E2 angeordnet.
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Die erste Schicht 31 weist eine Seitenfläche (erste Seitenfläche) S11, die der linken Öffnung OP1, (oder dem Anzeigeelement 20) in der Zeichnung zugewandt ist, eine Seitenfläche S12, die der mittleren Öffnung OP1 (oder dem Anzeigeelement 20) in der Zeichnung zugewandt ist, und eine obere Fläche U11 zwischen der Seitenfläche S11 und der Seitenfläche S12 auf. Jede der Seitenflächen S11 und S12 steht mit der oberen Elektrode E2 in Kontakt. Hierdurch werden die benachbarten oberen Elektroden E2 über die Trennwand 30 elektrisch miteinander verbunden.
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Die zweite Schicht 32 besteht aus einem anderen Material als die erste Schicht 31, z.B. aus einem isolierenden Material. In einem Beispiel ist die zweite Schicht 32 eine anorganische Isolierschicht, die aus dem gleichen Material wie die Isolierschicht 12 besteht, z.B. Siliziumnitrid. Die zweite Schicht 32 steht mit der oberen Fläche U11 in Kontakt. Die zweite Schicht 32 steht ferner von der Seitenfläche S11 zur linken Öffnung OP1 in der Zeichnung vor und steht weiterhin von der Seitenfläche S12 zur mittleren Öffnung OP1 in der Zeichnung vor.
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Die zweite Schicht 32 weist eine Seitenfläche (zweite Seitenfläche) S21, die der linken Öffnung OP1 in der Zeichnung zugewandt ist, eine Seitenfläche S22, die der mittleren Öffnung OP1 in der Zeichnung zugewandt ist, und eine obere Fläche U21 zwischen der Seitenfläche S21 und der Seitenfläche S22 auf. Die zweite Schicht 32 weist ferner eine Bodenfläche B21 zwischen der Seitenfläche S21 und der Seitenfläche S22 auf. Die Breite der Bodenfläche B21 entlang der ersten Richtung X ist größer als die Breite der oberen Fläche U21 entlang der ersten Richtung X.
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Die Schutzschicht PR ist derart angeordnet, dass diese die obere Fläche U21 der zweiten Schicht 32 bedeckt. Im dargestellten Beispiel liegen die Seitenflächen S21 und S22 von der Schutzschicht PR frei. Diese Schutzschicht PR besteht aus einem Material, das von dem der organischen Schicht OR unterschiedlich ist, und ist in einem Beispiel eine metallische Schicht aus einem metallischen Material wie Titan, Aluminium, Molybdän, Wolfram, Kupfer oder Silber.
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Die Öffnung OP2, die von der zweiten Schicht 32 der Trennwand 30 umgeben ist, ist im Wesentlichen genauso groß wie die Öffnung OP1 der Isolierschicht 12, jedoch kann die Öffnung OP2 ggf. kleiner sein als die Öffnung OP1.
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Auf der Trennwand 30 sind eine Schicht 41, die aus einem der organischen Schicht ORdes Anzeigeelements 20 gleichen Material besteht, und eine Schicht 42, die aus dem gleichen Material wie die obere Elektrode E2 besteht, als Ablagerung gestapelt. Die Schicht 41 steht mit der Schutzschicht PR in Kontakt. Die Schicht 41 ist von der organischen Schicht OR des Anzeigeelements 20 beabstandet. Die Schicht 42 steht mit der Schicht 41 in Kontakt. Die Schicht 42 ist von der oberen Elektrode E2 des Anzeigeelements 20 beabstandet.
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Das Anzeigeelement 20 und die Trennwand 30 sind mit einer Dichtungsfolie abgedeckt, die in der Darstellung nicht dargestellt ist.
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Als nächstes wird das Herstellungsverfahren für das oben beschriebene elektronische Gerät 100 anhand der 5 und 6 erläutert.
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Zunächst wird, wie in der oberen Stufe in 5 dargestellt, nach der Bildung der in 1 gezeigten Pixelschaltung 1 usw. auf dem Substrat 10 eine Isolierschicht 11 gebildet. Nach der Bildung eines leitfähigen Materials auf der Isolierschicht 11 wird dann die untere Elektrode E1 gebildet, indem dieses leitfähige Material in eine vorbestimmte Form strukturiert wird. Anschließend wird eine Isolierschicht 12 gebildet, die die Isolierschicht 11 und die untere Elektrode E1 bedeckt.
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Dann wird, wie in der mittleren Stufe dargestellt, die Trennwand 30 mit der ersten Schicht 31, der zweiten Schicht 32, und der Schutzschicht PR auf der Isolierschicht 12 gebildet. Im Folgenden wird ein Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung der Trennwand 30 beschrieben.
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Zunächst wird eine erste Metallschicht auf der Isolierschicht 12 gebildet, um die erste Schicht 31 zu bilden, eine Isolierschicht wird auf dieser ersten Metallschicht, um die zweite Schicht 32 zu bilden, und die zweite Metallschicht auf der Isolierschicht gebildet, um die Schutzschicht PR zu bilden.
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Die Schutzschicht PR wird dann durch Strukturierung (z.B. Nassätzen) der zweiten Metallschicht in eine vorgegebene Form gebildet.
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Danach wird die zweite Schicht 32 durch Ätzen (z.B. Trockenätzen) der Isolierschicht unter Verwendung der Schutzschicht PR als Maske gebildet. Beim Ätzen kann ein Resist zum Schutz der zweiten Schicht 32 aufgebracht werden.
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Danach wird die erste Schicht 31 durch Ätzen (z.B. Nassätzen) der ersten Metallschicht unter Verwendung. der Schutzschicht PR und der zweiten Schicht 32 als Maske gebildet. Beim Ätzen kann ein Resist zum Schutz der Schutzschicht PR und der zweiten Schicht 32 aufgebracht werden. Durch diese Prozesse wird die Trennwand 30 gebildet.
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Das Ätzen der zwei Schichten, also der zweiten Metallschicht und der Isolierschicht, kann zusammen durchgeführt werden, oder das Ätzen der zwei Schichten, also der ersten Metallschicht und der Isolierschicht, kann zusammen durchgeführt werden, oder das Ätzen der drei Schichten, also der ersten Metallschicht, der Isolierschicht und der zweiten Metallschicht, kann zusammen durchgeführt werden. Das Verfahren zur Bildung der Trennwand 30 ist ferner nicht auf das hier beschriebene Verfahren beschränkt.
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Danach wird, wie in der unteren Stufe gezeigt, eine Öffnung OP1 in der Isolierschicht 12 gebildet, um die untere Elektrode E1 freizulegen. Hierbei wird die Öffnung OP1 durch Trockenätzen der Isolierschicht 12 unter Verwendung der Trennwand 30 als Maske gebildet.
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Auf diese Weise liegt die untere Elektrode E1 nach der Bildung der Trennwand 30 von der Isolierschicht 12 frei, so dass die untere Elektrode E1 nicht dem Ätzmittel bei der Bildung der Trennwand 30 ausgesetzt wird. Wenn z.B. die Trennwand 30 nach der Bildung der Öffnung OP1 gebildet wird, kann die untere Elektrode E1, die von der Öffnung OP1 freiliegt, durch das Ätzmittel zur Bildung der ersten Schicht 31 der Trennwand 30 oder das Ätzmittel zur Bildung der Schutzschicht PR beschädigt werden. Daher wird, wie oben beschrieben, die Öffnung OP1, die die untere Elektrode E1 freilegt, nach der Bildung der Trennwand 30 gebildet, wodurch Schäden an der unteren Elektrode E1 verringert werden können.
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Auch beim Trockenätzen der Isolierschicht 12 unter Verwendung der Trennwand 30 als Maske wird die zweite Schicht 32 der Trennwand 30, die eine Isolierschicht von gleicher Art wie die Isolierschicht 12 ist, von der Schutzschicht PR geschützt. Daher wird im Prozess des Trockenätzens der Isolierschicht 12 die freigelegte Isolierschicht 12 entfernt, während die von der Schutzschicht PR geschützte zweite Schicht 32 geschützt und die Öffnung OP1 in einer gewünschten Form gebildet werden kann. Folglich wird eine Verringerung der Zuverlässigkeit unterdrückt.
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Anschließend wird, wie in der oberen Stufe in 6 gezeigt, die organische Schicht OR auf der unteren Elektrode E1 unter Verwendung der Trennwand 30 als Maske, z.B. durch Vakuumbeschichtung gebildet. Hierbei erreicht Dampf aus der Verdampfungsquelle durch einen Bereich, in dem die Trennwand 30 nicht vorhanden ist, den oberen Bereich der unteren Elektrode E1 und der Isolierschicht 12. Der Dampf aus der Verdampfungsquelle erreicht nicht einen Bereich im Schatten der zweiten Schicht 32 der Trennwand 30. Auf dem oberen Bereich der Schutzschicht PR wird eine Schicht 41 aus dem gleichen Material wie die organische Schicht OR abgelagert.
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Danach wird, wie in der unteren Stufe gezeigt, die obere Elektrode E2 auf der organischen Schicht OR unter Verwendung der Trennwand 30 als Maske, z.B. durch Sputtern gebildet. Hierbei erreicht Dampf aus der Verdampfungsquelle durch einen Bereich, in dem die Trennwand 30 nicht vorhanden.ist, den oberen Bereich der organischen Schicht OR und der Isolierschicht 12, sowie auch die Seitenflächen S11 und S12 der ersten Schicht 31. Auf der Schicht 41 wird eine Schicht 42 aus dem gleichen Material wie die obere Elektrode E2 abgelagert.
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Wie oben erläutert, werden die organische Schicht OR und die obere Elektrode E2 des Anzeigeelements 20 ohne Anwenden einer Feinmaske gebildet. Daher können die Herstellungskosten im Vergleich zu dem Fall, in dem eine Feinmaske verwendet wird, gesenkt werden, und darüber hinaus erübrigen sich die Prozesse wie die Positionierung einer Feinmaske und die organische Schicht OR und die obere Elektrode E2 können ohne weiteres in einer gewünschten Form gebildet werden. Außerdem kann in dem Anzeigeelement 20 ein lichtemittierender Bereich in einem vorbestimmten Bereich gebildet werden, und überdies wird unerwünschte Lichtemission in einem Bereich, der die Isolierschicht 12 überlappt, unterdrückt.
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Als nächstes werden weitere Ausbildungsbeispiele der Trennwand 30 erläutert.
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7 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Trennwand 30 zeigt.
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Das in 7 gezeigte Ausbildungsbeispiel unterscheidet sich im Vergleich zum in 4 gezeigten Ausbildungsbeispiel darin, dass die Schutzschicht PR die obere Fläche U21 der zweiten Schicht 32 sowie die Seitenflächen S21 und S22 bedeckt.
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Ein Beispiel für ein Verfahren zur Bildung der Trennwand 30 mit einer solchen Form erläutert.
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Zunächst wird eine erste Metallschicht auf der Isolierschicht 12 gebildet, um die erste Schicht 31 zu bilden, und eine Isolierschicht wird auf der ersten Metallschicht gebildet, um die zweite Schicht 32 zu bilden.
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Die Isolierschicht wird dann in eine vorgegebene Form strukturiert (z.B. Trockenätzen), um die zweite Schicht 32 mit der oberen Fläche U21 und der Seitenflächen S21 und S22 zu bilden.
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Danach wird nach der Bildung der zweiten Metallschicht auf der zweiten Schicht 32 durch Strukturieren (z.B. Nassätzen) der zweiten Metallschicht in eine vorbestimmte Form die Schutzschicht PR gebildet, die die obere Fläche U21 und die Seitenflächen S21 und S22 bedeckt.
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Danach wird die erste Schicht 31 durch Ätzen (z.B. Nassätzen) der ersten Metallschicht unter Verwendung der Schutzschicht PR und der zweiten Schicht 32 als Maske gebildet.
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Nach der Bildung der Trennwand 30 in dieser Form, wie in der unteren Stufe von 5 dargestellt, wird die Öffnung OP1, die die untere Elektrode E1 freilegt, in der Isolierschicht 12 gebildet. Hierbei wird die Öffnung OP1 durch Trockenätzen der Isolierschicht 12 unter Verwendung der Trennwand 30 als Maske gebildet.
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Beim Trockenätzen der Isolierschicht 12 unter Verwendung der Trennwand 30 als Maske werden die obere Fläche U21, die Seitenflächen S21 und S22 der zweiten Schicht 32 der Trennwand 30, die eine Isolierschicht von gleicher Art wie die Isolierschicht 12 ist, von der Schutzschicht PR geschützt. Daher kann im Prozess des Tröckenätzens der Isolierschicht 12 die Form der zweiten Schicht 32 beibehalten werden und im nachfolgenden Prozess zur Bildung der organischen Schicht OR und der oberen Elektrode E2 kann die zweite Schicht 32 als Maske zur Bildung der organischen Schicht OR und der oberen Elektrode E2 in einer gewünschten Form dienen.
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8 ist eine vergrößerte Schnittansicht, die ein weiteres Ausführungsbeispiel der Trennwand 30 zeigt.
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Das in 8 gezeigte Ausbilduhgsbeispiel unterscheidet sich im Vergleich zum in 4 gezeigten Ausbildungsbeispiel darin, dass die Trennwand 30 mit einer Mittelschicht ML, die zwischen der ersten Schicht 31 und der zweiten Schicht 32 positioniert ist, versehen ist.
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Die Mittelschicht ML besteht aus einem Material, das von dem der zweiten Schicht 32 unterschiedlich ist, z.B. aus dem gleichen metallischen Material wie die Schutzschicht PR. Die Mittelschicht ML steht mit der oberen Fläche U11 in Kontakt. Die Mittelschicht ML steht ferner von der Seitenfläche S11 nach links in der Zeichnung vor und steht weiterhin von der Seitenfläche S12 nach rechts in der Zeichnung vor.
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Die zweite Schicht 32 ist auf der Mittelschicht ML angeordnet und steht mit der Mittelschicht ML in Kontakt. Die Seitenflächen S21 und S22 der zweiten Schicht 32, sowie die obere Fläche U21 sind mit der Schutzschicht PR bedeckt. Die Schutzschicht PR steht ferner mit der Mittelschicht ML in Kontakt. D.h., die gesamte zweite Schicht 32 ist von der Schutzschicht PR und der Mittelschicht ML bedeckt.
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Wie in der unteren Stufe von 5 gezeigt, wird daher beim Trockenätzen der Isolierschicht 12 unter Verwendung der Trennwand 30 als Maske die gesamte zweite Schicht 32, die eine Isolierschicht von gleicher Art wie die Isolierschicht 12 ist, durch die Schutzschicht PR und die Mittelschicht ML geschützt. Daher kann im Prozess des Trockenätzens der Isolierschicht 12 die Form der zweiten Schicht 32 beibehalten werden und im nachfolgenden Prozess zur Bildung der organischen Schicht OR und der oberen Elektrode E2 kann die zweite Schicht 32 als Maske zur Bildung der organischen Schicht OR und der oberen Elektrode E2 in einer gewünschten Form dienen.
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Gemäß den obigen Ausführungsformen ist es möglich, ein elektronisches Gerät und dessen Herstellungsverfahren bereitzustellen, bei dem eine Verringerung der Zuverlässigkeit unterdrückt wird.
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Alle elektronischen Geräte, die ausgehend vom als Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung oben erläuterten elektronischen Gerät vom Fachmann den Umständen entsprechend in Konstruktion geändert und ausgeführt werden können, gehören zum Umfang der vorliegenden Erfindung, solange sie den Kern der vorliegenden Erfindung umfassen.
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Im Rahmen des Gedankens der vorliegenden Erfindung kann der Fachmann verschiedene Abwandlungsbeispiele, herleiten und auch diese Abwandlungsbeispiele werden als zum Umfang der vorliegenden Erfindung gehörend verstanden. Die Gegenstände, bei denen der Fachmann zu den oben genannten Ausführungsformen z.B. Bestandteile hinzufügt, streicht oder deren Konstruktion ändert, oder den Prozess hinzufügt, weglasst oder Bedingungen ändert, sind ebenfalls vom Umfang der vorliegenden Erfindung umfasst, solange der Kern der Erfindung erhalten bleibt.
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Es versteht sich auch, dass andere Effekte, die durch die in den oben genannten Ausführungsformen erläuterten Aspekten herbeigeführt werden, selbstverständlich durch die vorliegende Erfindung herbeigeführt werden, wenn diese aus den Angaben der vorliegenden Beschreibung ersichtlich sind oder von dem Fachmann den Umständen entsprechend hergeleitet werden können.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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