JP2022185322A - 電子機器及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の低下を抑制する。【解決手段】本実施形態の電子機器は、基材と、前記基材の上に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に配置された下部電極と、前記第１絶縁層の上に配置され、前記下部電極に重畳する開口部を有する第２絶縁層と、前記開口部において、前記下部電極を覆う有機層と、前記有機層を覆う上部電極と、前記第２絶縁層の上に配置された隔壁と、を備え、前記隔壁は、金属材料によって形成され、前記上部電極に接する第１側面を有する第１層と、前記第１層の上に配置され、前記第１側面から前記開口部に向かって張り出した第２層と、前記有機層とは異なる材料によって形成され、前記第２層の少なくとも上面を覆う保護層と、を備える。【選択図】図４

Description

本発明の実施形態は、電子機器及びその製造方法に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。このような表示素子は、第１電極と第２電極との間に有機層を備えている。一例では、有機層は真空蒸着法によって形成され、第２電極はスパッタ法によって形成される。
例えば、マスク蒸着の場合、各画素に対応した開口を有するファインマスクが適用される。しかしながら、ファインマスクの加工精度、開口形状の変形等に起因して、蒸着によって形成される薄膜の形成精度が低下するおそれがある。
そこで、画素分割構造体を用いて有機層及び第２電極を分割する技術が知られている。

特開２０００－１９５６７７号公報

本発明の目的は、信頼性の低下が抑制される電子機器及びその製造方法を提供することにある。

一実施形態に係る電子機器は、
基材と、前記基材の上に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に配置された下部電極と、前記第１絶縁層の上に配置され、前記下部電極に重畳する開口部を有する第２絶縁層と、前記開口部において、前記下部電極を覆う有機層と、前記有機層を覆う上部電極と、前記第２絶縁層の上に配置された隔壁と、を備え、前記隔壁は、金属材料によって形成され、前記上部電極に接する第１側面を有する第１層と、前記第１層の上に配置され、前記第１側面から前記開口部に向かって張り出した第２層と、前記有機層とは異なる材料によって形成され、前記第２層の少なくとも上面を覆う保護層と、を備える。

一実施形態に係る電子機器の製造方法は、
第１絶縁層の上に下部電極を形成し、前記第１絶縁層及び前記下部電極を覆う第２絶縁層を形成し、前記第２絶縁層の上に、隔壁を形成し、前記第２絶縁層に、前記下部電極を露出する開口部を形成する電子機器の製造方法であって、前記隔壁は、金属材料によって形成され、第１側面を有する第１層と、前記第１層の上に配置され、前記第１側面から前記開口部に向かって張り出した第２層と、前記第２層の少なくとも上面を覆う保護層と、を備え、前記開口部は、前記隔壁をマスクとして、前記第２絶縁層をドライエッチングすることによって形成する。

図１は、本実施形態に係る電子機器１００の一構成例を示す図である。 図２は、図１に示した画素ＰＸの一例を示す平面図である。 図３は、表示素子２０の構成の一例を示す図である。 図４は、図２に示したＡ－Ｂ線に沿った電子機器１００の断面図である。 図５は、電子機器１００の製造方法を説明するための図である。 図６は、電子機器１００の製造方法を説明するための図である。 図７は、隔壁３０の他の構成例を拡大して示す断面図である。 図８は、隔壁３０の他の構成例を拡大して示す断面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、及び、Ｚ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向をＸ方向または第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向をＹ方向または第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向をＺ方向または第３方向と称する。Ｘ軸及びＹ軸によって規定される面をＸ－Ｙ平面と称する。Ｘ－Ｙ平面を見ることを平面視という。

本実施形態に係る電子機器１００は、一例では、表示素子を備える表示装置である。表示素子は、例えば有機発光層を備える有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。なお、表示素子は、照明装置の発光素子として適用することができ、電子機器１００は、発光素子を備える照明装置であってもよい。
また、本実施形態に係る電子機器１００は、センサ素子を備えるセンサ装置であってもよい。センサ素子は、例えば有機光電変換層を備えた有機フォトダイオード（ＯＰＤ）である。

図１は、本実施形態に係る電子機器１００の一構成例を示す図である。電子機器１００は、絶縁性の基材１０の上に、画像を表示する表示部ＤＡを備えている。基材１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

表示部ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３を備えている。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２、及び、青色の副画素ＳＰ３を備えている。なお、画素ＰＸは、上記の３色の副画素の他に、白色などの他の色の副画素を加えた４個以上の副画素を備えていてもよい。

画素ＰＸに含まれる１つの副画素ＳＰの一構成例について簡単に説明する。
すなわち、副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動制御される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチ素子である。

画素スイッチ２について、ゲート電極は走査線ＧＬに接続され、ソース電極は信号線ＳＬに接続され、ドレイン電極はキャパシタ４を構成する一方の電極及び駆動トランジスタ３のゲート電極に接続されている。駆動トランジスタ３について、ソース電極はキャパシタ４を構成する他方の電極及び電源線ＰＬに接続され、ドレイン電極は表示素子２０のアノードに接続されている。表示素子２０のカソードは、表示部ＤＡ内または表示部ＤＡの外側において給電線ＦＬに接続されている。なお、画素回路１の構成は、図示した例に限らない。

表示素子２０は、発光素子である有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は赤波長に対応した光を出射する表示素子を備え、副画素ＳＰ２は緑波長に対応した光を出射する表示素子を備え、副画素ＳＰ３は青波長に対応した光を出射する表示素子を備えている。画素ＰＸが表示色の異なる複数の副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３を備えることで、多色表示を実現できる。

但し、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の各々の表示素子２０が同一色の光を出射するように構成されてもよい。これにより、単色表示を実現できる。

また、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の各々の表示素子２０が白色の光を出射するように構成された場合、表示素子２０に対向するカラーフィルタが配置されてもよい。例えば、副画素ＳＰ１は表示素子２０に対向する赤カラーフィルタを備え、副画素ＳＰ２は表示素子２０に対向する緑カラーフィルタを備え、副画素ＳＰ３は表示素子２０に対向する青カラーフィルタを備える。これにより、多色表示を実現できる。

あるいは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の各々の表示素子２０が紫外光を出射するように構成された場合、表示素子２０に対向する光変換層が配置されることで、多色表示を実現できる。

図２は、図１に示した画素ＰＸの一例を示す平面図である。
１個の画素ＰＸを構成する副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３は、それぞれ第２方向Ｙに延びた略長方形状に形成され、第１方向Ｘに並んでいる。各副画素の外形は、表示素子２０における発光領域ＥＡの外形に相当するが、簡略化して示したものであり、必ずしも実際の形状を反映したものとは限らない。ここでは、発光領域ＥＡが、第１方向Ｘに延びた短辺と、第２方向Ｙに延びた長辺とを有する長方形状に形成されている場合を想定している。

後に詳述する絶縁層１２は、平面視において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにそれぞれ延びた格子状に形成され、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の各々、あるいは、各副画素の表示素子２０を囲んでいる。このような絶縁層１２は、リブ、隔壁、バンクなどと称される場合がある。発光領域ＥＡは、絶縁層１２の開口部ＯＰ１に形成される。複数の開口部ＯＰ１は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列されている。

後に詳述する隔壁３０は、平面視において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにそれぞれ延びた格子状に形成され、絶縁層１２の上に配置されている。副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の各々は、隔壁３０によって囲まれている。

なお、隔壁３０の形状は、図２に示した例に限らず、ストライプ状などの他の形状であってもよい。また、副画素ＳＰあるいは開口部ＯＰ１のレイアウトも、図２に示した例に限らない。

図３は、表示素子２０の構成の一例を示す図である。
表示素子２０は、下部電極（第１電極）Ｅ１と、有機層ＯＲと、上部電極（第２電極）Ｅ２と、を備えている。有機層ＯＲは下部電極Ｅ１の上に配置され、上部電極Ｅ２は有機層ＯＲの上に配置されている。有機層ＯＲは、キャリア調整層ＣＡ１と、発光層ＥＬと、キャリア調整層ＣＡ２と、を有している。キャリア調整層ＣＡ１は下部電極Ｅ１と発光層ＥＬとの間に位置し、キャリア調整層ＣＡ２は発光層ＥＬと上部電極Ｅ２との間に位置している。キャリア調整層ＣＡ１及びＣＡ２は、複数の機能層を含んでいる。
ここでは、下部電極Ｅ１がアノードに相当し、上部電極Ｅ２がカソードに相当する場合を例に説明する。

キャリア調整層ＣＡ１は、機能層として、ホール注入層Ｆ１１、ホール輸送層Ｆ１２、電子ブロック層Ｆ１３などを含んでいる。ホール注入層Ｆ１１は下部電極Ｅ１の上に配置され、ホール輸送層Ｆ１２はホール注入層Ｆ１１の上に配置され、電子ブロック層Ｆ１３はホール輸送層Ｆ１２の上に配置され、発光層ＥＬは電子ブロック層Ｆ１３の上に配置されている。

キャリア調整層ＣＡ２は、機能層として、ホールブロック層Ｆ２１、電子輸送層Ｆ２２、電子注入層Ｆ２３などを含んでいる。ホールブロック層Ｆ２１は発光層ＥＬの上に配置され、電子輸送層Ｆ２２はホールブロック層Ｆ２１の上に配置され、電子注入層Ｆ２３は電子輸送層Ｆ２２の上に配置され、上部電極Ｅ２は電子注入層Ｆ２３の上に配置されている。

なお、キャリア調整層ＣＡ１及びＣＡ２は、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、キャリア調整層ＣＡ１及びＣＡ２において、上記した機能層の少なくとも１つが省略されてもよい。

図４は、図２に示したＡ－Ｂ線に沿った電子機器１００の断面図である。
ここでは、第１方向Ｘに並んだ３つの表示素子のうち、中央に位置する表示素子２０に着目して説明する。

電子機器１００は、基材１０と、絶縁層（第１絶縁層）１１と、絶縁層（第２絶縁層）１２と、表示素子２０と、隔壁３０と、を備えている。絶縁層１１は、基材１０の上に配置され、表示素子２０の下地層に相当する。なお、図１に示した画素回路１は、基材１０の上に配置され、絶縁層１１によって覆われている。絶縁層１２は、絶縁層１１の上に配置されている。

表示素子２０において、下部電極Ｅ１は、絶縁層１１の上に配置されている。複数の下部電極Ｅ１、第１方向Ｘにおいて間隔を置いて並び、それぞれ副画素毎あるいは表示素子毎に配置された電極である。このような下部電極Ｅ１は、図１に示した画素回路１に含まれる駆動トランジスタ３と電気的に接続され、画素電極、アノードなどと称される場合がある。

下部電極Ｅ１は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成された透明電極である。なお、下部電極Ｅ１は、銀、アルミニウムなどの金属材料によって形成された金属電極であってもよい。また、下部電極Ｅ１は、透明電極及び金属電極の積層体であってもよい。例えば、下部電極Ｅ１は、透明電極、金属電極、及び、透明電極の順に積層された積層体として構成されてもよいし、４層以上の積層体として構成されてもよい。

絶縁層１２は、隣接する下部電極Ｅ１の間に配置されている。また、絶縁層１２は、開口部ＯＰ１と、上面Ｕ１と、を有している。絶縁層１２は、例えば、シリコン窒化物などで形成された無機絶縁層である。開口部ＯＰ１は、下部電極Ｅ１に重畳する領域に形成され、絶縁層１２を下部電極Ｅ１まで貫通した貫通孔である。下部電極Ｅ１の周縁部は絶縁層１２によって覆われ、下部電極Ｅ１の中央部は開口部ＯＰ１において絶縁層１２から露出している。

有機層ＯＲは、開口部ＯＰ１に配置され、下部電極Ｅ１を覆っている。図４に示す例では、有機層ＯＲは、上面Ｕ１の一部にも配置されている。このような有機層ＯＲは、下部電極Ｅ１と同様に、副画素毎あるいは表示素子毎に配置されている。

上部電極Ｅ２は、有機層ＯＲに積層され、有機層ＯＲの周縁部を含む有機層ＯＲの全体を覆っている。また、上部電極Ｅ２は、有機層ＯＲの外側で上面Ｕ１に接している。有機層ＯＲのうち、絶縁層１２を介することなく、下部電極Ｅ１と上部電極Ｅ２との間に位置する部分は、表示素子２０の発光領域を形成することができる。

上部電極Ｅ２は、副画素毎あるいは表示素子毎に配置された電極であるが、後に説明するように、複数の上部電極Ｅ２は、隔壁３０を介して互いに電気的に接続されている。このような上部電極Ｅ２は、共通電極、対向電極、カソードなどと称される場合がある。
上部電極Ｅ２は、例えば、マグネシウム、銀などの金属材料によって形成された半透過性の金属電極である。なお、上部電極Ｅ２は、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料によって形成された透明電極であってもよい。また、上部電極Ｅ２は、透明電極及び金属電極の積層体であってもよい。

隔壁３０は、隣接する表示素子２０の間に位置し、絶縁層１２の上に配置されている。隔壁３０は、有機層ＯＲから離間し、上部電極Ｅ２に接している。図４に示した２つの隔壁３０のうち、左側の隔壁３０に着目してより詳しく説明する。なお、図の右側の隔壁３０は、左側の隔壁３０と同一構造を有するものである。

隔壁３０は、第１層３１と、第１層３１の上に配置された第２層３２と、第２層３２の少なくとも一部を覆う保護層ＰＲと、を有している。

第１層３１は、例えば金属材料によって形成された導電層である。第１層３１は、絶縁層１２の上に位置し、上面Ｕ１に接している。また、第１層３１は、隣接する有機層ＯＲの間、及び、隣接する上部電極Ｅ２の間に配置されている。
第１層３１は、図の左側の開口部ＯＰ１（あるいは表示素子２０）に面する側面（第１側面）Ｓ１１と、図の中央の開口部ＯＰ１（あるいは表示素子２０）に面する側面Ｓ１２と、側面Ｓ１１と側面Ｓ１２との間の上面Ｕ１１と、を有している。側面Ｓ１１及び側面Ｓ１２の各々は、上部電極Ｅ２と接している。これにより、隔壁３０を挟んで隣接する上部電極Ｅ２が互いに電気的に接続される。

第２層３２は、第１層３１とは異なる材料によって形成され、例えば絶縁材料によって形成されている。一例では、第２層３２は、絶縁層１２と同一材料であるシリコン窒化物などで形成された無機絶縁層である。第２層３２は、上面Ｕ１１に接している。また、第２層３２は、側面Ｓ１１から図の左側の開口部ＯＰ１に向かって張り出し、さらには、側面Ｓ１２から図の中央の開口部ＯＰ１に向かって張り出している。
第２層３２は、図の左側の開口部ＯＰ１に面する側面（第２側面）Ｓ２１と、図の中央の開口部ＯＰ１に面する側面Ｓ２２と、側面Ｓ２１と側面Ｓ２２との間の上面Ｕ２１と、を有している。

保護層ＰＲは、第２層３２のうち、上面Ｕ２１を覆うように配置されている。図示した例では、側面Ｓ２１及びＳ２２は、保護層ＰＲから露出している。このような保護層ＰＲは、有機層ＯＲとは異なる材料によって形成され、一例では、チタン、アルミニウム、モリブデン、タングステン、銅、銀などの金属材料によって形成された金属層である。

隔壁３０の第２層３２で囲まれた開口部ＯＰ２は、絶縁層１２の開口部ＯＰ１とほぼ同一の大きさであるが、開口部ＯＰ２が開口部ＯＰ１より小さい場合もあり得る。

隔壁３０の上には、堆積物として、表示素子２０の有機層ＯＲと同様の材料によって形成された層４１と、上部電極Ｅ２と同様の材料によって形成された層４２とが積層されている。層４１は、保護層ＰＲに接している。また、層４１は、表示素子２０の有機層ＯＲから離間している。層４２は、層４１に接している。また、層４２は、表示素子２０の上部電極Ｅ２から離間している。

このような表示素子２０及び隔壁３０は、図示を省略する封止膜によって覆われている。

次に、上記の電子機器１００の製造方法について図５及び図６を参照しながら説明する。

まず、図５において、上段に示すように、基材１０の上に、図１に示した画素回路１などを形成した後に、絶縁層１１を形成する。その後、絶縁層１１の上に、導電材料を形成した後に、この導電材料を所定の形状にパターニングすることで、下部電極Ｅ１を形成する。その後、絶縁層１１及び下部電極Ｅ１を覆う絶縁層１２を形成する。

その後、中段に示すように、絶縁層１２の上に、第１層３１、第２層３２、及び、保護層ＰＲを備えた隔壁３０を形成する。以下、隔壁３０の形成方法の一例について説明する。
まず、絶縁層１２の上に第１層３１を形成するための第１金属層を形成し、この第１金属層の上に第２層３２を形成するための絶縁層を形成し、絶縁層の上に保護層ＰＲを形成するための第２金属層を形成する。
その後、第２金属層を所定の形状にパターニング（例えば、ウェットエッチング）することで保護層ＰＲを形成する。
その後、保護層ＰＲをマスクとして絶縁層をエッチング（例えば、ドライエッチング）することで第２層３２を形成する。なお、エッチングに際して、第２層３２を保護するレジストを設けてもよい。
その後、保護層ＰＲ及び第２層３２をマスクとして、第１金属層をエッチング（例えば、ウェットエッチング）することで第１層３１を形成する。なお、エッチングに際して、保護層ＰＲ及び第２層３２を保護するレジストを設けてもよい。このような工程を経て隔壁３０を形成する。
なお、第２金属層及び絶縁層の２層のエッチングを一括して行ってもよいし、第１金属層及び絶縁層の２層のエッチングを一括して行ってもよいし、第１金属層、絶縁層、及び、第２金属層の３層のエッチングを一括して行ってもよい。また、隔壁３０の形成方法は、ここに説明した方法に限定されるものではない。

その後、下段に示すように、絶縁層１２に、下部電極Ｅ１を露出する開口部ＯＰ１を形成する。このとき、開口部ＯＰ１は、隔壁３０をマスクとして、絶縁層１２をドライエッチングすることで形成する。

このように、下部電極Ｅ１は、隔壁３０を形成した後に絶縁層１２から露出するため、隔壁３０を形成する際のエッチング液に晒されることがない。例えば、開口部ＯＰ１を形成した後に隔壁３０を形成する場合、開口部ＯＰ１から露出した下部電極Ｅ１は、隔壁３０の第１層３１を形成するためのエッチング液や保護層ＰＲを形成するためのエッチング液によってダメージを受けるおそれがある。このため、上記のように、下部電極Ｅ１を露出する開口部ＯＰ１が隔壁３０を形成した後に形成されることで、下部電極Ｅ１へのダメージを軽減することができる。

また、隔壁３０をマスクとして、絶縁層１２をドライエッチングする際、絶縁層１２と同系の絶縁層である隔壁３０の第２層３２は、保護層ＰＲによって保護されている。このため、絶縁層１２のドライエッチング工程において、露出した絶縁層１２が除去される一方で、保護層ＰＲによって覆われた第２層３２は保護され、所望の形状の開口部ＯＰ１を形成することができる。したがって、信頼性の低下が抑制される。

続いて、図６において、上段に示すように、隔壁３０をマスクとして、例えば真空蒸着法により、下部電極Ｅ１の上に有機層ＯＲを形成する。このとき、蒸着源からの蒸気は、隔壁３０が存在しない領域を通り、下部電極Ｅ１及び絶縁層１２の上に到達する。隔壁３０の第２層３２の影になる領域には、蒸着源からの蒸気は到達しない。保護層ＰＲの上には、有機層ＯＲと同一材料の層４１が堆積する。
その後、下段に示すように、隔壁３０をマスクとして、例えばスパッタリング法により、有機層ＯＲの上に上部電極Ｅ２を形成する。このとき、蒸着源からの蒸気は、隔壁３０が存在しない領域を通り、有機層ＯＲ及び絶縁層１２の上に到達するとともに、第１層３１の側面Ｓ１１及びＳ１２にも到達する。層４１の上には、上部電極Ｅ２と同一材料の層４２が堆積する。

以上説明したように、ファインマスクを適用することなく、表示素子２０の有機層ＯＲ及び上部電極Ｅ２が形成される。このため、ファインマスクを適用する場合と比較して、製造コストを削減することができ、しかも、ファインマスクの位置合せ等の工程が不要となり、容易に所望の形状の有機層ＯＲ及び上部電極Ｅ２を形成することができる。また、表示素子２０において、所定の領域に発光領域を形成することができ、加えて、絶縁層１２に重なる領域での不所望な発光が抑制される。

次に、隔壁３０の他の構成例について説明する。

図７は、隔壁３０の他の構成例を拡大して示す断面図である。
図７に示す構成例は、図４に示した構成例と比較して、保護層ＰＲが第２層３２の上面Ｕ２１を覆うとともに、側面Ｓ２１及びＳ２２を覆っている点で相違している。

このような形状を有する隔壁３０の形成方法の一例について説明する。
まず、絶縁層１２の上に第１層３１を形成するための第１金属層を形成し、この第１金属層の上に第２層３２を形成するための絶縁層を形成する。
その後、絶縁層を所定の形状にパターニング（例えば、ドライエッチング）することで上面Ｕ２１、側面Ｓ２１及びＳ２２を有する第２層３２を形成する。

その後、第２層３２の上に第２金属層を形成した後に、第２金属層を所定の形状にパターニング（例えば、ウェットエッチング）することで、上面Ｕ２１、側面Ｓ２１及びＳ２２を覆う保護層ＰＲを形成する。
その後、保護層ＰＲ及び第２層３２をマスクとして、第１金属層をエッチング（例えば、ウェットエッチング）することで第１層３１を形成する。

このような形状の隔壁３０を形成した後に、図５の下段に示したように、絶縁層１２に、下部電極Ｅ１を露出する開口部ＯＰ１を形成する。このとき、開口部ＯＰ１は、隔壁３０をマスクとして、絶縁層１２をドライエッチングすることで形成する。

隔壁３０をマスクとして、絶縁層１２をドライエッチングする際、絶縁層１２と同系の絶縁層である隔壁３０の第２層３２の上面Ｕ２１、側面Ｓ２１及びＳ２２は、保護層ＰＲによって保護されている。このため、絶縁層１２のドライエッチング工程において、第２層３２の形状を維持することができ、その後の有機層ＯＲの形成工程及び上部電極Ｅ２の形成工程において、所望の形状の有機層ＯＲ及び上部電極Ｅ２を形成するためのマスクとしての機能を果たすことができる。

図８は、隔壁３０の他の構成例を拡大して示す断面図である。
図８に示す構成例は、図４に示した構成例と比較して、隔壁３０が第１層３１と第２層３２との間に位置する中間層ＭＬを備えた点で相違している。

中間層ＭＬは、第２層３２とは異なる材料によって形成され、例えば、保護層ＰＲと同一の金属材料によって形成されている。中間層ＭＬは、上面Ｕ１１に接している。また、中間層ＭＬは、側面Ｓ１１から図の左側に向かって張り出し、さらには、側面Ｓ１２から図の右側に向かって張り出している。

第２層３２は、中間層ＭＬの上に配置され、中間層ＭＬに接している。第２層３２の側面Ｓ２１及び側面Ｓ２２、及び、上面Ｕ２１は、保護層ＰＲによって覆われている。また、保護層ＰＲは、中間層ＭＬに接している。つまり、第２層３２の全体は、保護層ＰＲ及び中間層ＭＬによって覆われている。

このため、図５の下段に示したように、隔壁３０をマスクとして、絶縁層１２をドライエッチングする際、絶縁層１２と同系の絶縁層である第２層３２の全体が保護層ＰＲ及び中間層ＭＬによって保護される。したがって、絶縁層１２のドライエッチング工程において、第２層３２の形状を維持することができ、その後の有機層ＯＲの形成工程及び上部電極Ｅ２の形成工程において、所望の形状の有機層ＯＲ及び上部電極Ｅ２を形成するためのマスクとしての機能を果たすことができる。

上記した本実施形態によれば、信頼性の低下が抑制される電子機器及びその製造方法を提供することができる。

以上、本発明の実施形態として説明した電子機器を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての電子機器も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１００…電子機器
１０…基材 １１…絶縁層（第１絶縁層） １２…絶縁層（第２絶縁層）
ＯＰ１…開口部
２０…表示素子 Ｅ１…下部電極 Ｅ２…上部電極 ＯＲ…有機層
３０…隔壁 ３１…第１層 ３２…第２層 ＰＲ…保護層 ＭＬ…中間層

Claims (8)

1. 基材と、
   前記基材の上に配置された第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層の上に配置された下部電極と、
   前記第１絶縁層の上に配置され、前記下部電極に重畳する開口部を有する第２絶縁層と、
   前記開口部において、前記下部電極を覆う有機層と、
   前記有機層を覆う上部電極と、
   前記第２絶縁層の上に配置された隔壁と、を備え、
   前記隔壁は、
   金属材料によって形成され、前記上部電極に接する第１側面を有する第１層と、
   前記第１層の上に配置され、前記第１側面から前記開口部に向かって張り出した第２層と、
   前記有機層とは異なる材料によって形成され、前記第２層の少なくとも上面を覆う保護層と、を備える、電子機器。
2. 前記第２層は、前記第２絶縁層と同一材料によって形成された無機絶縁層である、請求項１に記載の電子機器。
3. 前記保護層は、金属材料によって形成された金属層である、請求項１に記載の電子機器。
4. 前記保護層は、前記第２層の第２側面を覆っている、請求項１に記載の電子機器。
5. 前記隔壁は、さらに、前記第１層と前記第２層との間に位置する中間層を備え、
   前記中間層は、前記第１側面から前記開口部に向かって張り出し、
   前記保護層は、前記第２層の第２側面を覆い、前記中間層に接している、請求項１に記載の電子機器。
6. 第１絶縁層の上に下部電極を形成し、
   前記第１絶縁層及び前記下部電極を覆う第２絶縁層を形成し、
   前記第２絶縁層の上に、隔壁を形成し、
   前記第２絶縁層に、前記下部電極を露出する開口部を形成する電子機器の製造方法であって、
   前記隔壁は、
   金属材料によって形成され、第１側面を有する第１層と、
   前記第１層の上に配置され、前記第１側面から前記開口部に向かって張り出した第２層と、
   前記第２層の少なくとも上面を覆う保護層と、を備え、
   前記開口部は、前記隔壁をマスクとして、前記第２絶縁層をドライエッチングすることによって形成する、電子機器の製造方法。
7. 前記開口部を形成した後に、さらに、前記開口部において、前記下部電極の上に有機層を形成する、電子機器の製造方法であって、
   前記有機層は、前記隔壁をマスクとして、真空蒸着法によって形成する、請求項６に記載の電子機器の製造方法。
8. 前記有機層を形成した後に、さらに、前記有機層の上に上部電極を形成する、電子機器の製造方法であって、
   前記上部電極は、前記隔壁をマスクとして、スパッタ法によって形成する、請求項７に記載の電子機器の製造方法。

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