JP2023003013A - 電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】柔軟性をもった電子機器を提供するする。【解決手段】本実施形態の電子機器は、基材と、前記基材の上に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に配置された第１下部電極及び第２下部電極と、前記第１絶縁層の上に配置された第２絶縁層であって、前記第１下部電極に重畳する第１開口部と、前記第２下部電極に重畳する第２開口部と、を有する第２絶縁層と、前記第１開口部に配置され、前記第１下部電極を覆う第１有機層と、前記第２開口部に配置され、前記第２下部電極を覆う第２有機層と、前記第１有機層を覆う第１上部電極と、前記第２有機層を覆う第２上部電極と、前記第１上部電極及び前記第２上部電極をそれぞれ覆う封止膜と、を備え、前記第１上部電極と前記第２上部電極との間において、前記封止膜を貫通するスリットが形成されている。【選択図】図４

Description

本発明の実施形態は、電子機器に関する。

近年、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されている。このような表示素子は、第１電極と第２電極との間に有機層を備えている。一例では、有機層は真空蒸着法によって形成され、第２電極はスパッタ法によって形成される。
例えば、マスク蒸着の場合、各画素に対応した開口を有するファインマスクが適用される。しかしながら、ファインマスクの加工精度、開口形状の変形等に起因して、蒸着によって形成される薄膜の形成精度が低下するおそれがある。
そこで、画素分割構造体を用いて有機層及び第２電極を分割する技術が知られている。

特開２０００－１９５６７７号公報

本発明の目的は、柔軟性をもった電子機器を提供することにある。

一実施形態に係る電子機器は、
基材と、前記基材の上に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に配置された第１下部電極及び第２下部電極と、前記第１絶縁層の上に配置された第２絶縁層であって、前記第１下部電極に重畳する第１開口部と、前記第２下部電極に重畳する第２開口部と、を有する第２絶縁層と、前記第１開口部に配置され、前記第１下部電極を覆う第１有機層と、前記第２開口部に配置され、前記第２下部電極を覆う第２有機層と、前記第１有機層を覆う第１上部電極と、前記第２有機層を覆う第２上部電極と、前記第１上部電極及び前記第２上部電極をそれぞれ覆う封止膜と、を備え、前記第１上部電極と前記第２上部電極との間において、前記封止膜を貫通するスリットが形成されている。

図１は、本実施形態に係る電子機器１００の一構成例を示す図である。 図２は、図１に示した画素ＰＸの一例を示す平面図である。 図３は、表示素子２０の構成の一例を示す図である。 図４は、図２に示したＡ－Ｂ線に沿った電子機器１００の一構成例を示す断面図である。 図５は、図２に示したＡ－Ｂ線に沿った電子機器１００の他の構成例を示す断面図である。 図６は、スリットＳＴの一構成例を示す平面図である。 図７は、スリットＳＴの他の構成例を示す平面図である。 図８は、スリットＳＴの他の構成例を示す平面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、及び、Ｚ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向をＸ方向または第１方向と称し、Ｙ軸に沿った方向をＹ方向または第２方向と称し、Ｚ軸に沿った方向をＺ方向または第３方向と称する。Ｘ軸及びＹ軸によって規定される面をＸ－Ｙ平面と称する。Ｘ－Ｙ平面を見ることを平面視という。

本実施形態に係る電子機器１００は、一例では、表示素子を備える表示装置である。表示素子は、例えば有機発光層を備える有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。なお、表示素子は、照明装置の発光素子として適用することができ、電子機器１００は、発光素子を備える照明装置であってもよい。
また、本実施形態に係る電子機器１００は、センサ素子を備えるセンサ装置であってもよい。センサ素子は、例えば有機光電変換層を備えた有機フォトダイオード（ＯＰＤ）である。

図１は、本実施形態に係る電子機器１００の一構成例を示す図である。電子機器１００は、絶縁性の基材１０の上に、画像を表示する表示部ＤＡを備えている。基材１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

表示部ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３を備えている。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２、及び、青色の副画素ＳＰ３を備えている。なお、画素ＰＸは、上記の３色の副画素の他に、白色などの他の色の副画素を加えた４個以上の副画素を備えていてもよい。

画素ＰＸに含まれる１つの副画素ＳＰの一構成例について簡単に説明する。
すなわち、副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動制御される表示素子２０と、を備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４と、を備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチ素子である。

画素スイッチ２について、ゲート電極は走査線ＧＬに接続され、ソース電極は信号線ＳＬに接続され、ドレイン電極はキャパシタ４を構成する一方の電極及び駆動トランジスタ３のゲート電極に接続されている。駆動トランジスタ３について、ソース電極はキャパシタ４を構成する他方の電極及び電源線ＰＬに接続され、ドレイン電極は表示素子２０のアノードに接続されている。表示素子２０のカソードは、表示部ＤＡ内または表示部ＤＡの外側において給電線ＦＬに接続されている。なお、画素回路１の構成は、図示した例に限らない。

表示素子２０は、発光素子である有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は赤波長に対応した光を出射する表示素子を備え、副画素ＳＰ２は緑波長に対応した光を出射する表示素子を備え、副画素ＳＰ３は青波長に対応した光を出射する表示素子を備えている。画素ＰＸが表示色の異なる複数の副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３を備えることで、多色表示を実現できる。

但し、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の各々の表示素子２０が同一色の光を出射するように構成されてもよい。これにより、単色表示を実現できる。

また、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の各々の表示素子２０が白色の光を出射するように構成された場合、表示素子２０に対向するカラーフィルタが配置されてもよい。例えば、副画素ＳＰ１は表示素子２０に対向する赤カラーフィルタを備え、副画素ＳＰ２は表示素子２０に対向する緑カラーフィルタを備え、副画素ＳＰ３は表示素子２０に対向する青カラーフィルタを備える。これにより、多色表示を実現できる。

あるいは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の各々の表示素子２０が紫外光を出射するように構成された場合、表示素子２０に対向する光変換層が配置されることで、多色表示を実現できる。

図２は、図１に示した画素ＰＸの一例を示す平面図である。
１個の画素ＰＸを構成する副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３は、それぞれ第２方向Ｙに延びた略長方形状に形成され、第１方向Ｘに並んでいる。各副画素の外形は、表示素子２０における発光領域ＥＡの外形に相当するが、簡略化して示したものであり、必ずしも実際の形状を反映したものとは限らない。ここでは、発光領域ＥＡが、第１方向Ｘに延びた短辺と、第２方向Ｙに延びた長辺とを有する長方形状に形成されている場合を想定している。

後に詳述する絶縁層１２は、平面視において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにそれぞれ延びた格子状に形成され、副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の各々、あるいは、各副画素の表示素子２０を囲んでいる。このような絶縁層１２は、リブ、隔壁、バンクなどと称される場合がある。絶縁層１２は、開口部ＯＰ１及びＯＰ２を含む複数の開口部ＯＰを有している。発光領域ＥＡは、絶縁層１２の開口部ＯＰに形成される。複数の開口部ＯＰは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列されている。

後に詳述する隔壁３０は、平面視において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにそれぞれ延びた格子状に形成され、絶縁層１２の上に配置されている。副画素ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３の各々は、隔壁３０によって囲まれている。

なお、隔壁３０の形状は、図２に示した例に限らず、ストライプ状などの他の形状であってもよい。また、副画素ＳＰあるいは開口部ＯＰのレイアウトも、図２に示した例に限らない。

図３は、表示素子２０の構成の一例を示す図である。
表示素子２０は、下部電極（第１電極）Ｅ１と、有機層ＯＲと、上部電極（第２電極）Ｅ２と、を備えている。有機層ＯＲは下部電極Ｅ１の上に配置され、上部電極Ｅ２は有機層ＯＲの上に配置されている。有機層ＯＲは、キャリア調整層ＣＡ１と、発光層ＥＬと、キャリア調整層ＣＡ２と、を有している。キャリア調整層ＣＡ１は下部電極Ｅ１と発光層ＥＬとの間に位置し、キャリア調整層ＣＡ２は発光層ＥＬと上部電極Ｅ２との間に位置している。キャリア調整層ＣＡ１及びＣＡ２は、複数の機能層を含んでいる。
ここでは、下部電極Ｅ１がアノードに相当し、上部電極Ｅ２がカソードに相当する場合を例に説明する。

キャリア調整層ＣＡ１は、機能層として、ホール注入層Ｆ１１、ホール輸送層Ｆ１２、電子ブロック層Ｆ１３などを含んでいる。ホール注入層Ｆ１１は下部電極Ｅ１の上に配置され、ホール輸送層Ｆ１２はホール注入層Ｆ１１の上に配置され、電子ブロック層Ｆ１３はホール輸送層Ｆ１２の上に配置され、発光層ＥＬは電子ブロック層Ｆ１３の上に配置されている。

キャリア調整層ＣＡ２は、機能層として、ホールブロック層Ｆ２１、電子輸送層Ｆ２２、電子注入層Ｆ２３などを含んでいる。ホールブロック層Ｆ２１は発光層ＥＬの上に配置され、電子輸送層Ｆ２２はホールブロック層Ｆ２１の上に配置され、電子注入層Ｆ２３は電子輸送層Ｆ２２の上に配置され、上部電極Ｅ２は電子注入層Ｆ２３の上に配置されている。

なお、キャリア調整層ＣＡ１及びＣＡ２は、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、キャリア調整層ＣＡ１及びＣＡ２において、上記した機能層の少なくとも１つが省略されてもよい。

図４は、図２に示したＡ－Ｂ線に沿った電子機器１００の一構成例を示す断面図である。
電子機器１００は、基材１０と、絶縁層（第１絶縁層）１１と、絶縁層（第２絶縁層）１２と、表示素子２０と、隔壁３０と、封止膜５０と、を備えている。
柔軟性を有する電子機器１００を提供する観点では、基材１０は、樹脂フィルムである。絶縁層１１は、基材１０の上に配置され、表示素子２０の下地層に相当する。なお、図１に示した画素回路１は、基材１０の上に配置され、絶縁層１１によって覆われている。絶縁層１２は、絶縁層１１の上に配置されている。

ここで、第１方向Ｘに隣接する２つの表示素子に着目する。便宜上、図の左側に位置する表示素子を表示素子２１と表記し、図の右側に位置する表示素子を表示素子２２と表記する。

表示素子２１は、下部電極（第１下部電極）Ｅ１１と、有機層（第１有機層）ＯＲ１と、上部電極（第１上部電極）Ｅ２１と、を備えている。
表示素子２２は、下部電極（第２下部電極）Ｅ１２と、有機層（第２有機層）ＯＲ２と、上部電極（第２上部電極）Ｅ２２と、を備えている。

下部電極Ｅ１１及びＥ１２は、絶縁層１１の上に配置され、第１方向Ｘにおいて間隔を置いて並んでいる。下部電極Ｅ１１及びＥ１２は、それぞれ副画素毎あるいは表示素子毎に配置された電極であり、図１に示した駆動トランジスタ３と電気的に接続されている。このような下部電極Ｅ１１及びＥ１２は、画素電極、アノードなどと称される場合がある。

下部電極Ｅ１１及びＥ１２は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成された透明電極である。なお、下部電極Ｅ１１及びＥ１２は、銀、アルミニウムなどの金属材料によって形成された金属電極であってもよい。また、下部電極Ｅ１１及びＥ１２は、透明電極及び金属電極の積層体であってもよい。例えば、下部電極Ｅ１１及びＥ１２は、透明電極、金属電極、及び、透明電極の順に積層された積層体として構成されてもよいし、４層以上の積層体として構成されてもよい。

絶縁層１２は、下部電極Ｅ１１と下部電極Ｅ１２との間に配置されている。また、絶縁層１２は、開口部ＯＰ１と、開口部ＯＰ２と、を有している。絶縁層１２は、副画素あるいは表示素子２１及び２２を区画するように形成されている。絶縁層１２は、例えば、シリコン窒化物などで形成された無機絶縁層である。

開口部ＯＰ１は、下部電極Ｅ１１に重畳する領域に形成され、絶縁層１２を下部電極Ｅ１１まで貫通した貫通孔である。下部電極Ｅ１１の周縁部は絶縁層１２によって覆われ、下部電極Ｅ１１の中央部は開口部ＯＰ１において絶縁層１２から露出している。
開口部ＯＰ２は、下部電極Ｅ１２に重畳する領域に形成され、絶縁層１２を下部電極Ｅ１２まで貫通した貫通孔である。下部電極Ｅ１２の周縁部は絶縁層１２によって覆われ、下部電極Ｅ１２の中央部は開口部ＯＰ２において絶縁層１２から露出している。

有機層ＯＲ１は、開口部ＯＰ１に配置され、下部電極Ｅ１１を覆っている。有機層ＯＲ２は、開口部ＯＰ２に配置され、下部電極Ｅ１２を覆っている。図４に示す例では、有機層ＯＲ１の一部、及び、有機層ＯＲ２の一部は、上面Ｕ１にも配置されている。このような有機層ＯＲ１及びＯＲ２は、下部電極Ｅ１１及びＥ１２と同様に、副画素毎あるいは表示素子毎に配置されている。絶縁層１２の上において、有機層ＯＲ２は、有機層ＯＲ１から離間している。

有機層ＯＲ１及びＯＲ２の各々は、発光層を含んでいる。但し、有機層ＯＲ１の発光層は、有機層ＯＲ２の発光層と同一材料によって形成されてもよいし（有機層ＯＲ１及び有機層ＯＲ２の発光色が同一）、有機層ＯＲ２の発光層とは異なる材料によって形成されてもよい（有機層ＯＲ１及び有機層ＯＲ２の発光色が異なる）。

上部電極Ｅ２１は、有機層ＯＲ１の上に配置され、有機層ＯＲ１の周縁部を含む有機層ＯＲ１の全体を覆っている。また、上部電極Ｅ２１は、有機層ＯＲ１の外側で上面Ｕ１に接している。有機層ＯＲ１のうち、絶縁層１２を介することなく、下部電極Ｅ１１と上部電極Ｅ２１との間に位置する部分は、表示素子２１の発光領域を形成することができる。有機層ＯＲ１のうち、絶縁層１２と上部電極Ｅ２１との間に位置する部分は、ほとんど発光しない。

上部電極Ｅ２２は、有機層ＯＲ２の上に配置され、有機層ＯＲ２の周縁部を含む有機層ＯＲ２の全体を覆っている。また、上部電極Ｅ２２は、有機層ＯＲ２の外側で上面Ｕ１に接している。上部電極Ｅ２２は、上部電極Ｅ２１から離間している。有機層ＯＲ２のうち、絶縁層１２を介することなく、下部電極Ｅ１２と上部電極Ｅ２２との間に位置する部分は、表示素子２２の発光領域を形成することができる。有機層ＯＲ２のうち、絶縁層１２と上部電極Ｅ２２との間に位置する部分は、ほとんど発光しない。

これらの上部電極Ｅ２１及びＥ２２は、副画素毎あるいは表示素子毎に配置された電極であるが、後に説明するように、隔壁３０を介して互いに電気的に接続されている。このような上部電極Ｅ２１及びＥ２２は、共通電極、対向電極、カソードなどと称される場合がある。

上部電極Ｅ２１及びＥ２２は、例えば、マグネシウム、銀などの金属材料によって形成された半透過性の金属電極である。なお、上部電極Ｅ２１及びＥ２２は、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料によって形成された透明電極であってもよい。また、上部電極Ｅ２１及びＥ２２は、透明電極及び金属電極の積層体であってもよい。

隔壁３０は、表示素子２１と表示素子２２との間に位置し、絶縁層１２の上に配置されている。隔壁３０は、上面Ｕ１において、有機層ＯＲ１と有機層ＯＲ２との間に位置し、有機層ＯＲ１及びＯＲ２から離間している。また、隔壁３０は、上部電極Ｅ２１と上部電極Ｅ２１との間に位置し、上部電極Ｅ２１及びＥ２２に接している。

このような隔壁３０は、第１層３１と、第１層３１の上に配置された第２層３２と、を備えている。

第１層３１は、例えば金属材料によって形成された導電層である。第１層３１は、絶縁層１２の上に位置し、上面Ｕ１に接している。第１層３１は、開口部ＯＰ１（あるいは表示素子２１）に面する側面（第１側面）Ｓ１１と、開口部ＯＰ２（あるいは表示素子２２）に面する側面（第２側面）Ｓ１２と、側面Ｓ１１と側面Ｓ１２との間の上面Ｕ１１と、を有している。上部電極Ｅ２１は側面Ｓ１１に接し、上部電極Ｅ２２は側面Ｓ１２に接している。これにより、隔壁３０を挟んで隣接する上部電極Ｅ２１及びＥ２２が互いに電気的に接続される。つまり、第１層３１は、図１に示した給電線ＦＬとして機能する。なお、第１層３１とは別に、表示部ＤＡに給電線ＦＬが設けられ、この給電線ＦＬと各表示素子の上部電極とが電気的に接続されていてもよい。

第２層３２は、第１層３１とは異なる材料によって形成され、例えば絶縁材料によって形成されている。一例では、第２層３２は、絶縁層１２と同一材料であるシリコン窒化物などで形成された無機絶縁層である。第２層３２は、上面Ｕ１１に接している。また、第２層３２は、側面Ｓ１１から図の左側の開口部ＯＰ１に向かって張り出し、さらには、側面Ｓ１２から図の右側の開口部ＯＰ２に向かって張り出している。

隔壁３０の上には、堆積物として、有機層ＯＲ１と同様の材料によって形成された層４１と、上部電極Ｅ２１と同様の材料によって形成された層４２とが積層されている。層４１は、有機層ＯＲ１及びＯＲ２から離間している。層４２は、上部電極Ｅ２１及びＥ２２から離間している。

このような隔壁３０が形成されることにより、ファインマスクを適用することなく有機層ＯＲ１及びＯＲ２、及び、上部電極Ｅ２１及びＥ２２が形成される。

すなわち、有機層ＯＲ１及びＯＲ２は、隔壁３０をマスクとして、例えば真空蒸着法により形成される。このとき、蒸着源からの蒸気は、隔壁３０が存在しない領域を通り、下部電極Ｅ１１及びＥ１２の上に到達する。隔壁３０の影になる領域には、蒸着源からの蒸気は到達しない。
同様に、上部電極Ｅ２１及びＥ２２は、隔壁３０をマスクとして、例えばスパッタリング法により形成される。このとき、蒸着源からの蒸気は、隔壁３０が存在しない領域を通り、有機層ＯＲ１及びＯＲ２の上に到達する。

これにより、ファインマスクを適用する場合と比較して、製造コストを削減することができ、しかも、ファインマスクの位置合せ等の工程が不要となり、容易に所望の形状の有機層ＯＲ１及びＯＲ２、及び、上部電極Ｅ２１及びＥ２２を形成することができる。また、表示素子２１及び２２において、所定の領域に発光領域を形成することができ、加えて、絶縁層１２に重なる領域での不所望な発光が抑制される。

表示素子２１及び２２を水分等から保護するための封止膜５０は、上部電極Ｅ２１及びＥ２２をそれぞれ覆っている。このような封止膜５０には、上部電極Ｅ２１と上部電極Ｅ２２との間において、封止膜５０を貫通するスリットＳＴが形成されている。図４に示す例では、スリットＳＴは、隔壁３０の第２層３２も貫通し、第１層３１の上面Ｕ１１を露出している。

封止膜５０について、より具体的に説明する。
封止膜５０は、無機絶縁膜（第１無機絶縁膜）５１と、有機絶縁膜５２と、無機絶縁膜（第２無機絶縁膜）５３と、を備えている。有機絶縁膜５２は、無機絶縁膜５１の上に配置され、無機絶縁膜５３によって覆われている。

無機絶縁膜５１は、スリットＳＴによって分断され、上部電極Ｅ２１及びＥ２２をそれぞれ個別に覆っている。つまり、図の左側においては、無機絶縁膜５１は、上部電極Ｅ２１及び第１層３１の側面Ｓ１１に接し、第２層３２、層４１及び４２の上に重なっている。また、図の右側においては、無機絶縁膜５１は、上部電極Ｅ２２及び第１層３１の側面Ｓ１２に接し、第２層３２、層４１及び４２の上に重なっている。このような無機絶縁膜５１は、例えば、シリコン窒化物などの透明な絶縁材料によって形成されている。

有機絶縁膜５２も、スリットＳＴによって分断され、上部電極Ｅ２１を覆う無機絶縁膜５１の上、及び、上部電極Ｅ２２を覆う無機絶縁膜５１の上にそれぞれ配置されている。つまり、図の左側においては、有機絶縁膜５２は、上部電極Ｅ２１に重畳し、無機絶縁膜５１に接している。また、図の右側においては、有機絶縁膜５２は、上部電極Ｅ２２に重畳し、無機絶縁膜５１に接している。このような有機絶縁膜５２は、例えば、アクリル樹脂などの透明な樹脂材料によって形成されている。

無機絶縁膜５３も、スリットＳＴによって分断され、上部電極Ｅ２１に重畳する有機絶縁膜５２、及び、上部電極Ｅ２２に重畳する有機絶縁膜５２をそれぞれ覆っている。つまり、図の左側においては、無機絶縁膜５３は、上部電極Ｅ２１に重畳し、有機絶縁膜５２に接し、隔壁３０の上で無機絶縁膜５１に接している。また、図の右側においては、無機絶縁膜５３は、上部電極Ｅ２２に重畳し、有機絶縁膜５２に接し、隔壁３０の上で無機絶縁膜５１に接している。このような無機絶縁膜５３は、例えば、無機絶縁膜５１と同一材料によって形成され、シリコン窒化物などの透明な絶縁材料によって形成されている。

以上説明したように、封止膜５０を貫通するスリットＳＴを形成し、封止膜５０を表示素子毎に分断することにより、柔軟性をもった電子機器１００を提供することができる。また、封止膜５０にスリットＳＴが形成されていない場合と比較して、電子機器１００が変形したときの封止膜５０のダメージを軽減することができ、所定の封止性能を維持することができる。

図５は、図２に示したＡ－Ｂ線に沿った電子機器１００の他の構成例を示す断面図である。
図５に示す構成例は、図４に示した構成例と比較して、スリットＳＴが、さらに、第１層３１及び絶縁層１２を貫通している点で相違している。つまり、絶縁層１２及び隔壁３０は、スリットＳＴによって分断されている。図示した例では、スリットＳＴにおいて、絶縁層１１が露出している。

このような構成例によれば、導電層である第１層３１及び無機絶縁層である絶縁層１２がスリットＳＴによって分断されることで、図４に示した構成例よりもさらに大きな柔軟性をもった電子機器１００を提供することができる。

図６は、スリットＳＴの一構成例を示す平面図である。
スリットＳＴは、絶縁層１２に沿って第１方向Ｘに延出した第１部分ＳＴＸと、絶縁層１２に沿って第２方向Ｙに延出した第２部分ＳＴＹとを有し、格子状に形成されている。

図７は、スリットＳＴの他の構成例を示す平面図である。
スリットＳＴは、絶縁層１２に沿って第１方向Ｘに延出し、ストライプ状に形成されている。

図８は、スリットＳＴの他の構成例を示す平面図である。
スリットＳＴは、絶縁層１２に沿って第２方向Ｙに延出し、ストライプ状に形成されている。

図６乃至図８に示した各構成例において、スリットＳＴは、少なくとも封止膜５０を貫通している。また、スリットＳＴは、図４に示したように、第２層３２を貫通していてもよいし、図５に示したように、絶縁層１２、第１層３１、及び、第２層３２を貫通していてもよい。また、スリットＳＴの形状は、連続した直線状に限らず、点線状であってもよい。

上記した本実施形態によれば、柔軟性をもった電子機器を提供することができる。

以上、本発明の実施形態として説明した電子機器を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての電子機器も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１００…電子機器
１０…基材 １１…絶縁層（第１絶縁層） １２…絶縁層（第２絶縁層）
ＯＰ１、ＯＰ２…開口部
２０（２１、２２）…表示素子 Ｅ１（Ｅ１１、Ｅ１２）…下部電極 Ｅ２（Ｅ２１、Ｅ２２）…上部電極 ＯＲ（ＯＲ１、ＯＲ２）…有機層
３０…隔壁 ３１…第１層 ３２…第２層
５０…封止膜 ５１…無機絶縁膜 ５２…有機絶縁膜 ５３…無機絶縁膜
ＳＴ…スリット

Claims (9)

1. 基材と、
   前記基材の上に配置された第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層の上に配置された第１下部電極及び第２下部電極と、
   前記第１絶縁層の上に配置された第２絶縁層であって、前記第１下部電極に重畳する第１開口部と、前記第２下部電極に重畳する第２開口部と、を有する第２絶縁層と、
   前記第１開口部に配置され、前記第１下部電極を覆う第１有機層と、
   前記第２開口部に配置され、前記第２下部電極を覆う第２有機層と、
   前記第１有機層を覆う第１上部電極と、
   前記第２有機層を覆う第２上部電極と、
   前記第１上部電極及び前記第２上部電極をそれぞれ覆う封止膜と、を備え、
   前記第１上部電極と前記第２上部電極との間において、前記封止膜を貫通するスリットが形成されている、電子機器。
2. 前記封止膜は、
   前記第１上部電極及び前記第２上部電極をそれぞれ覆い、前記スリットによって分断された第１無機絶縁膜と、
   前記第１上部電極を覆う前記第１無機絶縁膜の上、及び、前記第２上部電極を覆う前記第１無機絶縁膜の上にそれぞれ配置された有機絶縁膜と、
   前記第１上部電極に重畳する前記有機絶縁膜、及び、前記第２上部電極に重畳する前記有機絶縁膜をそれぞれ覆う第２無機絶縁膜と、を備えている、請求項１に記載の電子機器。
3. 前記第１無機絶縁膜及び前記第２無機絶縁膜は、同一材料によって形成されている、請求項２に記載の電子機器。
4. さらに、前記第２絶縁層の上に配置された隔壁を備え、
   前記隔壁は、
   金属材料によって形成され、前記第１上部電極に接する第１側面及び前記第２上部電極に接する第２側面を有する第１層と、
   前記第１層の上に配置され、前記第１側面から前記第１開口部に向かって張り出すとともに前記第２側面から前記第２開口部に向かって張り出した第２層と、を備え、
   前記スリットは、前記第２層を貫通している、請求項２に記載の電子機器。
5. 前記第２層は、前記第２絶縁層と同一材料によって形成された無機絶縁層である、請求項４に記載の電子機器。
6. 前記第１無機絶縁膜及び前記第２無機絶縁膜は、前記隔壁の上で互いに接している、請求項４に記載の電子機器。
7. 前記スリットは、さらに、前記第１層及び前記第２絶縁層を貫通している、請求項４に記載の電子機器。
8. 前記スリットは、ストライプ状、または、格子状に形成されている、請求項１に記載の電子機器。
9. 前記基材は、樹脂フィルムである、請求項１に記載の電子機器。

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