WO2022172670A1 - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2022172670A1
WO2022172670A1 PCT/JP2022/000571 JP2022000571W WO2022172670A1 WO 2022172670 A1 WO2022172670 A1 WO 2022172670A1 JP 2022000571 W JP2022000571 W JP 2022000571W WO 2022172670 A1 WO2022172670 A1 WO 2022172670A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
contact
display device
upper electrode
hole
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/000571
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
淳 新田
雅和 軍司
慎弥 浅倉
Original Assignee
株式会社ジャパンディスプレイ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社ジャパンディスプレイ filed Critical 株式会社ジャパンディスプレイ
Priority to JP2022581258A priority Critical patent/JPWO2022172670A1/ja
Publication of WO2022172670A1 publication Critical patent/WO2022172670A1/ja
Priority to US18/366,681 priority patent/US20230380207A1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18Carrier blocking layers
    • H10K50/181Electron blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/04Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/06Electrode terminals
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/16Electron transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • H10K50/171Electron injection layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8052Cathodes
    • H10K59/80521Cathodes characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices

Definitions

  • the embodiments of the present invention relate to display devices.
  • a display element comprises an organic layer between a pixel electrode and a common electrode.
  • the organic layer includes functional layers such as a hole transport layer and an electron transport layer in addition to the light emitting layer.
  • functional layers such as a hole transport layer and an electron transport layer in addition to the light emitting layer.
  • An object of the embodiments is to provide a display device capable of enlarging an area that contributes to display.
  • the display device comprises: a base material, a switching element arranged above the base material, a first insulating layer arranged above the base material and having a first contact hole penetrating to the switching element, the first contact hole comprising: a filled conductive material, a lower electrode disposed above the first insulating layer and in contact with the conductive material, an organic layer stacked on the lower electrode, the hole injection layer above the lower electrode; an organic layer including a hole transport layer on the hole injection layer and a light emitting layer on the hole transport layer; an upper electrode stacked on the organic layer; the lower electrode; the hole injection layer; a coating layer covering each end face of the hole transport layer.
  • the display device comprises: a base material, a switching element arranged above the base material, a first insulating layer arranged above the base material and having a first contact hole penetrating to the switching element, the first contact hole comprising: a filled conductive material; a lower electrode disposed above the first insulating layer and in contact with the conductive material; an organic layer including a light-emitting layer and stacked on the lower electrode; An upper electrode and a covering layer covering an end face of the lower electrode are provided.
  • the display device comprises: a base material, a switching element arranged above the base material, a first insulating layer arranged above the base material and having a first contact hole penetrating to the switching element, the first contact hole comprising: a filled conductive material, a lower electrode disposed above the first insulating layer and in contact with the conductive material, an organic layer including a light-emitting layer, stacked on the lower electrode, and covering an end surface of the lower electrode; an upper electrode stacked on the organic layer and covering an end surface of the organic layer.
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of a display device DSP according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram showing an example of the configuration of the display element 20.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing the basic structure of the display device DSP.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a first structural example of the display device DSP.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a second structural example of the display device DSP.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a first specific example of the display element 20.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a second specific example of the display element 20.
  • FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the basic structure of the display device DSP.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a first structural example of the display device DSP.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a second structural example of the display device DSP.
  • FIG. 6
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a third specific example of the display element 20.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing a fourth specific example of the display element 20.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a fifth specific example of the display element 20.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a sixth specific example of the display element 20.
  • FIG. 12A is a cross-sectional view showing a third structural example of the display device DSP.
  • FIG. 12B is a cross-sectional view showing a fourth structural example of the display device DSP.
  • FIG. 13A is a cross-sectional view showing a fifth structural example of the display device DSP.
  • FIG. 13B is a cross-sectional view showing a sixth structural example of the display device DSP.
  • FIG. 14A is a cross-sectional view showing a seventh structural example of the display device DSP.
  • FIG. 14B is a cross-sectional view showing an eighth structural example of the display device DSP.
  • FIG. 15A is a cross-sectional view showing a ninth structural example of the display device DSP.
  • FIG. 15B is a cross-sectional view showing a tenth structural example of the display device DSP.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing a seventh specific example of the display element 20.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing an eighth specific example of the display element 20.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing a ninth specific example of the display element 20.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing a tenth specific example of the display element 20.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view showing an eleventh specific example of the display element 20.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing a twelfth specific example of the display element 20.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing a thirteenth specific example of the display element 20.
  • FIG. FIG. 23 is a sectional view showing a fourteenth specific example of the display element 20.
  • FIG. FIG. 19 is a cross-sectional view showing a ninth specific example of the display element 20.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing a tenth specific example of the display element 20.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view showing an eleventh specific example of the display element 20.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing a twel
  • FIG. 24 is a cross-sectional view showing a fifteenth specific example of the display element 20.
  • FIG. 25 is a schematic plan view of the display element 20.
  • FIG. FIG. 26 is a cross-sectional view for explaining an example of the interface BR between the conductive material CD and the lower electrode E1.
  • FIG. 27 is a cross-sectional view for explaining another example of the interface BR between the conductive material CD and the lower electrode E1.
  • FIG. 28 is a plan view showing one configuration example of the upper electrode E2.
  • FIG. 29 is a plan view showing another configuration example of the upper electrode E2.
  • FIG. 30A is a plan view showing another configuration example of the upper electrode E2.
  • FIG. 30B is a plan view showing another configuration example of the upper electrode E2.
  • FIG. 31A is a plan view showing another configuration example of the upper electrode E2.
  • FIG. 31B is a plan view showing another configuration example of the upper electrode E2.
  • FIG. 32 is a plan view showing one embodiment.
  • FIG. 33 is a cross-sectional view of the display element 20 shown in FIG. 32 along line AB.
  • X-axis, Y-axis, and Z-axis which are orthogonal to each other, are shown as necessary to facilitate understanding.
  • the direction along the X axis is called the X direction or first direction
  • the direction along the Y axis is called the Y direction or second direction
  • the direction along the Z axis is called the Z direction or third direction.
  • a plane defined by the X and Y axes is called the XY plane. Viewing the XY plane is called planar viewing.
  • the display device DSP is an organic electroluminescence display device that includes organic light emitting diodes (OLED) as display elements, and is mounted on televisions, personal computers, mobile terminals, mobile phones, and the like.
  • OLED organic light emitting diodes
  • the display element described below can be applied as a light-emitting element of a lighting device, and the display device DSP can be diverted to other electronic devices such as a lighting device.
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of a display device DSP according to this embodiment.
  • the display device DSP includes a display section DA for displaying an image on an insulating base material 10 .
  • the substrate 10 may be glass or a flexible resin film.
  • the display section DA includes a plurality of pixels PX arranged in a matrix in the first direction X and the second direction Y.
  • the pixel PX includes a plurality of sub-pixels SP1, SP2, SP3.
  • the pixel PX comprises a red sub-pixel SP1, a green sub-pixel SP2 and a blue sub-pixel SP3.
  • the pixel PX may include four or more sub-pixels including sub-pixels of other colors such as white, in addition to the sub-pixels of the three colors described above.
  • the sub-pixel SP includes a pixel circuit 1 and a display element 20 driven and controlled by the pixel circuit 1 .
  • a pixel circuit 1 includes a pixel switch 2 , a drive transistor 3 and a capacitor 4 .
  • the pixel switch 2 and the driving transistor 3 are switching elements composed of thin film transistors, for example.
  • the pixel switch 2 has a gate electrode connected to the scanning line GL, a source electrode connected to the signal line SL, and a drain electrode connected to one electrode forming the capacitor 4 and the gate electrode of the drive transistor 3 .
  • the drive transistor 3 has a source electrode connected to the other electrode forming the capacitor 4 and the power supply line PL, and a drain electrode connected to the anode of the display element 20 .
  • a cathode of the display element 20 is connected to the power supply line FL. Note that the configuration of the pixel circuit 1 is not limited to the illustrated example.
  • the display element 20 is an organic light emitting diode (OLED) that is a light emitting element.
  • OLED organic light emitting diode
  • the sub-pixel SP1 has a display element that emits light corresponding to a red wavelength
  • the sub-pixel SP2 has a display element that emits light corresponding to a green wavelength
  • the sub-pixel SP3 has a display element that emits light corresponding to a blue wavelength. It has a display element that A multicolor display can be realized by providing the pixel PX with a plurality of sub-pixels SP1, SP2, and SP3 having different display colors.
  • the display elements 20 of the sub-pixels SP1, SP2, and SP3 may be configured to emit light of the same color. Thereby, a monochromatic display can be realized.
  • a color filter may be arranged to face the display element 20 .
  • sub-pixel SP1 has a red color filter facing display element
  • sub-pixel SP2 has a green color filter facing display element
  • sub-pixel SP3 has a blue color filter facing display element 20. This makes it possible to realize multicolor display.
  • multicolor display can be realized by arranging a light conversion layer facing the display element 20. .
  • FIG. 2 is a diagram showing an example of the configuration of the display element 20.
  • the display element 20 includes a lower electrode (first electrode) E1, an organic layer OR, and an upper electrode (second electrode) E2.
  • the organic layer OR has a carrier adjustment layer (first carrier adjustment layer) CA1, a light emitting layer EL, and a carrier adjustment layer (second carrier adjustment layer) CA2.
  • the carrier adjustment layer CA1 is located between the lower electrode E1 and the light emitting layer EL
  • the carrier adjustment layer CA2 is located between the light emitting layer EL and the upper electrode E2.
  • the carrier adjustment layers CA1 and CA2 include multiple functional layers.
  • a case where the lower electrode E1 corresponds to the anode and the upper electrode E2 corresponds to the cathode will be described as an example.
  • the carrier adjustment layer CA1 includes, as functional layers, a hole injection layer F11, a hole transport layer F12, an electron block layer F13, and the like.
  • a hole injection layer F11 is disposed on the lower electrode E1
  • a hole transport layer F12 is disposed on the hole injection layer F11
  • an electron blocking layer F13 is disposed on the hole transport layer F12
  • an emitting layer EL is an electron blocking layer. It is arranged on the layer F13.
  • the carrier adjustment layer CA2 includes, as functional layers, a hole blocking layer F21, an electron transport layer F22, an electron injection layer F23, and the like.
  • a hole-blocking layer F21 is disposed on the light-emitting layer EL
  • an electron-transporting layer F22 is disposed on the hole-blocking layer F21
  • an electron-injecting layer F23 is disposed on the electron-transporting layer F22
  • an upper electrode E2 is an electron-injecting layer. It is arranged on the layer F23.
  • the carrier adjustment layers CA1 and CA2 may include other functional layers such as a carrier generation layer as necessary. At least one of the layers may be omitted.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing the basic structure of the display device DSP.
  • the pixel circuit 1 shown in FIG. 1 is arranged above the substrate 10 .
  • FIG. 3 only the driving transistor (switching element) 3 included in the pixel circuit 1 is illustrated in a simplified manner.
  • the insulating layer (first insulating layer) 11 is arranged above the base material 10 and corresponds to the underlying layer of the display element 20 .
  • the insulating layer 11 is, for example, an organic insulating layer.
  • the insulating layer 11 has a contact hole (first contact hole) CH1 penetrating to the drive transistor 3 .
  • the contact hole CH1 is filled with a conductive material CD and is in contact with the drive transistor 3 .
  • the conductive material CD is made of a material containing metal such as titanium (Ti), molybdenum (Mo), tungsten (W), magnesium (Mg), silver (Ag), and tantalum (Ta).
  • the display element 20 includes a lower electrode E1, an organic layer OR, and an upper electrode E2.
  • the lower electrodes E1 of the respective display elements 20 are arranged in the first direction X at intervals and arranged on the insulating layer 11 respectively. Each of the lower electrodes E1 is in contact with the conductive material CD and electrically connected to the drive transistor 3 .
  • the lower electrode E1 is an electrode arranged for each sub-pixel or each display element, and is sometimes called a pixel electrode, an anode, or the like.
  • the lower electrode E1 is a transparent electrode made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).
  • the lower electrode E1 may be a metal electrode made of a metal material such as silver or aluminum.
  • the lower electrode E1 may be a laminate of a transparent electrode and a metal electrode.
  • the lower electrode E1 may be configured as a laminate in which a transparent electrode, a metal electrode, and a transparent electrode are laminated in this order, or may be configured as a laminate of three or more layers.
  • a transparent electrode containing a conductive material different from the conductive material CD is in contact with the conductive material CD.
  • an electrode made of the same material as the conductive material CD may be in contact with the conductive material CD.
  • the organic layer OR includes a light-emitting layer EL, as shown in FIG.
  • the organic layers OR of each display element 20 are laminated on the lower electrode E11 and are separated from each other.
  • the organic layers OR of the display elements 20 arranged in the first direction X may include light-emitting layers EL made of different materials (the organic layers OR of the display elements 20 have different emission colors),
  • the light-emitting layer EL formed of the same material may be included (the organic layers OR in each display element 20 emit the same color).
  • the upper electrode E2 of each display element 20 is laminated on the organic layer OR and separated from each other.
  • the upper electrode E2 stacked on the organic layers OR arranged in the second direction Y may be formed integrally.
  • the upper electrode E2 is electrically connected to a feeder line inside the display section DA or outside the display section DA.
  • Such an upper electrode E2 may be called a common electrode, a counter electrode, a cathode, or the like.
  • the upper electrode E2 is, for example, a semi-transparent metal electrode made of a metal material such as magnesium or silver.
  • the upper electrode E2 may be a transparent electrode made of a transparent conductive material such as ITO or IZO. Also, the upper electrode E2 may be a laminate of a transparent electrode and a metal electrode.
  • the entire organic layer OR is located between the lower electrode E1 and the upper electrode E2, and can form the light emitting region of the display element 20.
  • the thickness of the organic layer OR along the third direction Z is such that the peak wavelength of the emission spectrum in the light emitting layer EL matches the effective optical path length between the lower electrode E1 and the upper electrode E2. is set to This realizes a microcavity structure for obtaining a resonance effect.
  • the end surface SS1 of the lower electrode E1 is exposed from the organic layer OR and the upper electrode E2.
  • the end surface SS2 of the organic layer OR is located on the lower electrode E1 and exposed from the upper electrode E2.
  • the end surface SS3 of the upper electrode E2 is located on the organic layer OR.
  • the sealing layer 30 covers each display element 20 . That is, the sealing layer 30 covers the end surface SS1 of the lower electrode E1, the end surface SS2 of the organic layer OR, the end surface SS3 of the upper electrode E2, and the upper surface U2. In addition, the sealing layer 30 is in contact with the insulating layer 11 between the adjacent display elements 20 .
  • the sealing layer 30 is, for example, a laminate of an inorganic insulating film and an organic insulating film. Such a sealing layer 30 has a function of protecting each display element 20 from moisture and the like.
  • substantially the entire organic layer OR can be formed as the light emitting region of the display element 20, compared with the configuration in which ribs are provided to cover the peripheral portion of the lower electrode E1.
  • the area that contributes to light emission (the area of the light emitting region) can be enlarged.
  • unwanted light emission in a region different from the predetermined light emission region is suppressed, and deterioration in color purity can be suppressed.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a first structural example of the display device DSP.
  • the first structural example shown in FIG. 4 differs from the basic structure shown in FIG. 3 in that the organic layer OR covers the end surface SS1 of the lower electrode E1.
  • the organic layer OR is in contact with the insulating layer 11 outside the lower electrode E1.
  • the upper electrode E2 is stacked on the organic layer OR and covers the end surface SS2 of the organic layer OR.
  • the upper electrode E2 is in contact with the insulating layer 11 outside the organic layer OR.
  • the upper electrodes E2 of the display elements 20 arranged in the first direction X are separated from each other.
  • the sealing layer 30 covers the upper electrode E2. That is, the sealing layer 30 is in contact with the end surface SS3 of the upper electrode E2. Also, the sealing layer 30 is in contact with the insulating layer 11 between adjacent display elements 20 .
  • the same effect as the basic structure described above can be obtained.
  • the organic layer OR covers the end surface SS1 of the lower electrode E1, short-circuiting between the lower electrode E1 and the upper electrode E2 can be suppressed.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a second structural example of the display device DSP.
  • the second structural example shown in FIG. 5 is different from the first structural example shown in FIG. 4 in that the upper electrodes E2 of the display elements 20 arranged in the first direction X are integrally formed. ing.
  • the upper electrode E2 covers the end surface SS2 of each organic layer OR aligned in the first direction X.
  • the upper electrode E2 is in contact with the insulating layer 11 between the organic layers OR arranged in the first direction X.
  • the sealing layer 30 is stacked on the upper electrode E2 and separated from the insulating layer 11 . In such a second structural example as well, the same effect as in the first structural example can be obtained.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a first specific example of the display element 20.
  • the hole injection layer F11 covers the entire lower electrode E1
  • the hole transport layer F12 covers the entire hole injection layer F11
  • the electron blocking layer F13 covers the entire hole transport layer F12
  • the light emitting layer EL covers the electron blocking layer F13. covering the whole.
  • the expression “to cover the whole” means to cover the upper surface and end surfaces (side surfaces) of the member.
  • the hole-blocking layer F21 covers the entire light-emitting layer EL
  • the electron-transporting layer F22 covers the entire hole-blocking layer F21
  • the electron-injecting layer F23 covers the entire electron-transporting layer F22
  • the upper electrode E2 covers the electron-injecting layer F23. covering the whole.
  • a light extraction layer (sometimes referred to as an optical adjustment layer) 40 for improving light extraction efficiency from the display element 20 covers the entire upper electrode E2.
  • the sealing layer 30 covers the entire light extraction layer 40 .
  • Each layer constituting the organic layer OR, the upper electrode E2, the light extraction layer 40, and the sealing layer 30 are in contact with the insulating layer 11 respectively.
  • the upper electrode E2 is in contact with the electron injection layer F23 located at the uppermost layer of the organic layer OR, but is in contact with the other functional layers and the light emitting layer EL constituting the organic layer OR. is not in contact with Therefore, undesirable current leakage or the like in the peripheral portion of the organic layer OR is suppressed, and deterioration in performance of the display element 20 can be suppressed.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a second specific example of the display element 20.
  • the second specific example shown in FIG. 7 differs from the first specific example shown in FIG. 6 in that the light extraction layer 40 is integrally formed over the adjacent display elements 20 . That is, the light extraction layer 40 covers the adjacent upper electrodes E2 and is in contact with the insulating layer 11 between the adjacent upper electrodes E2.
  • the sealing layer 30 is stacked on the light extraction layer 40 and separated from the insulating layer 11 .
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a third specific example of the display element 20.
  • the third specific example shown in FIG. 8 is different from the first specific example shown in FIG. 6 in that the upper electrode E2 is integrally formed over the adjacent display elements 20 . That is, the upper electrode E2 covers the adjacent electron injection layers F23 and is in contact with the insulating layer 11 between the adjacent electron injection layers F23. The sealing layer 30 and the light extraction layer 40 are separated from the insulating layer 11 .
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing a fourth specific example of the display element 20.
  • the fourth specific example shown in FIG. 9 differs from the first specific example shown in FIG. 6 in that the electron injection layer F23 is integrally formed over the adjacent display elements 20 . That is, the electron injection layer F23 covers the adjacent electron transport layer F22 and is in contact with the insulating layer 11 between the adjacent electron transport layers F22.
  • the sealing layer 30, the light extraction layer 40, and the upper electrode E2 are different in that they are separated from the insulating layer 11.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a fifth specific example of the display element 20.
  • the fifth specific example shown in FIG. 10 differs from the first specific example shown in FIG. 6 in that the electron transport layer F22 is integrally formed over the adjacent display elements 20 . That is, the electron transport layer F22 covers the adjacent hole blocking layers F21 and is in contact with the insulating layer 11 between the adjacent hole blocking layers F21.
  • the sealing layer 30 , the light extraction layer 40 , the upper electrode E2 and the electron injection layer F23 are separated from the insulating layer 11 .
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a sixth specific example of the display element 20.
  • the sixth specific example shown in FIG. 11 differs from the first specific example shown in FIG. 6 in that the hole blocking layer F21 is integrally formed over the adjacent display elements 20 . That is, the hole blocking layer F21 covers the adjacent light emitting layers EL and is in contact with the insulating layer 11 between the adjacent light emitting layers EL.
  • the sealing layer 30 , the light extraction layer 40 , the upper electrode E2, the electron injection layer F23, and the electron transport layer F22 are separated from the insulating layer 11 .
  • FIG. 12A is a cross-sectional view showing a third structural example of the display device DSP.
  • the third structural example shown in FIG. 12A differs from the basic structure shown in FIG. 3 in that a covering layer 50 covering the end surface SS1 of the lower electrode E1 is provided.
  • the coating layer 50 is an insulator, and may be made of an inorganic material or an organic material.
  • the coating layer 50 includes an electron blocking layer F13 that blocks the movement of electrons from the cathode side to the anode side, and a hole blocking layer F21 that blocks the movement of holes from the anode side to the cathode side, which will be described in detail later.
  • the covering layer 50 is individually provided for each of the lower electrodes E1 arranged in the first direction X. As shown in FIG. That is, of the two lower electrodes E1 arranged in the first direction X, the covering layer 50 provided corresponding to one lower electrode E1 is separated from the covering layer 50 provided corresponding to the other lower electrode E1. away. The insulating layer 11 is exposed between the adjacent covering layers 50 . From the viewpoint of maximizing the area of the light emitting region, it is desirable that the area of the upper surface U1 of the lower electrode E1 covered by the coating layer 50 is as small as possible.
  • the sealing layer 30 covers the upper electrodes E2 and the organic layers OR of the display elements 20 arranged in the first direction X, and also covers the covering layer 50 .
  • the sealing layer 30 is in contact with the insulating layer 11 between the covering layers 50 arranged in the first direction X. As shown in FIG. According to such a third structural example, the same effects as those of the basic structure described above can be obtained. In addition, since the covering layer 50 covers the end surface SS1 of the lower electrode E1, short-circuiting between the lower electrode E1 and the upper electrode E2 can be suppressed.
  • FIG. 12B is a cross-sectional view showing a fourth structural example of the display device DSP.
  • the fourth structural example shown in FIG. 12B is different from the third structural example shown in FIG. 12A in that the upper electrodes E2 of the display elements 20 arranged in the first direction X are integrally formed. ing.
  • the upper electrode E2 covers the organic layer OR of each display element 20 arranged in the first direction X and also covers the covering layer 50 .
  • the upper electrode E2 is in contact with the insulating layer 11 between the covering layers 50 arranged in the first direction X.
  • the sealing layer 30 is stacked on the upper electrode E2 and separated from the insulating layer 11 . In such a fourth structural example as well, the same effect as in the third structural example can be obtained.
  • FIG. 13A is a cross-sectional view showing a fifth structural example of the display device DSP.
  • the fifth structural example shown in FIG. 13A differs from the third structural example shown in FIG. 12A in that the covering layer 50 covers the end surface SS1 of the lower electrode E1 and the end surface SS2 of the organic layer OR.
  • the insulating layer 11 is exposed between the adjacent covering layers 50 .
  • the sealing layer 30 covers the upper electrodes E2 of the display elements 20 arranged in the first direction X and also covers the covering layer 50 . Also, the sealing layer 30 is in contact with the insulating layer 11 between the covering layers 50 arranged in the first direction X. As shown in FIG.
  • FIG. 13B is a cross-sectional view showing a sixth structural example of the display device DSP.
  • the sixth structural example shown in FIG. 13B is different from the fifth structural example shown in FIG. 13A in that the upper electrodes E2 of the display elements 20 arranged in the first direction X are integrally formed. ing.
  • the upper electrode E2 covers the organic layer OR of each display element 20 arranged in the first direction X and also covers the covering layer 50 .
  • the upper electrode E2 is in contact with the insulating layer 11 between the covering layers 50 arranged in the first direction X.
  • the sealing layer 30 is stacked on the upper electrode E2 and separated from the insulating layer 11 . In such a sixth structural example as well, the same effect as in the fifth structural example can be obtained.
  • FIG. 14A is a cross-sectional view showing a seventh structural example of the display device DSP.
  • the seventh structural example shown in FIG. 14A differs from the third structural example shown in FIG. 12A in that the covering layers 50 covering the end surfaces SS1 of the adjacent lower electrodes E1 are integrally formed. there is The insulating layer 11 is covered with the covering layer 50 between the adjacent lower electrodes E1.
  • the sealing layer 30 covers the upper electrodes E2 of the display elements 20 arranged in the first direction X and also covers the covering layer 50 .
  • the same effect as in the third structural example can be obtained.
  • FIG. 14B is a cross-sectional view showing an eighth structural example of the display device DSP.
  • the eighth structural example shown in FIG. 14B is different from the seventh structural example shown in FIG. 14A in that the upper electrodes E2 of the display elements 20 arranged in the first direction X are integrally formed. ing.
  • the upper electrode E2 covers the organic layer OR of each display element 20 arranged in the first direction X and also covers the covering layer 50 .
  • the upper electrode E2 and the sealing layer 30 are separated from the insulating layer 11 between the display elements 20 arranged in the first direction X.
  • the same effects as in the third structural example can be obtained.
  • FIG. 15A is a cross-sectional view showing a ninth structural example of the display device DSP.
  • the ninth structural example shown in FIG. 15A differs from the seventh structural example shown in FIG. 14A in that the covering layer 50 covers the end surface SS1 of the lower electrode E1 and the end surface SS2 of the organic layer OR.
  • the insulating layer 11 is covered with the covering layer 50 between the adjacent lower electrodes E1.
  • the sealing layer 30 covers the upper electrodes E2 of the display elements 20 arranged in the first direction X and also covers the covering layer 50 .
  • the same effect as in the third structural example can be obtained.
  • FIG. 15B is a cross-sectional view showing a tenth structural example of the display device DSP.
  • the tenth structural example shown in FIG. 15B is different from the ninth structural example shown in FIG. 15A in that the upper electrodes E2 of the display elements 20 arranged in the first direction X are integrally formed. ing.
  • the upper electrode E2 covers the organic layer OR of each display element 20 arranged in the first direction X and also covers the covering layer 50 .
  • the upper electrode E2 and the sealing layer 30 are separated from the insulating layer 11 between the display elements 20 arranged in the first direction X.
  • FIG. In such a tenth structural example as well, the same effect as in the third structural example can be obtained.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing a seventh specific example of the display element 20.
  • the end surface SS11 of the hole injection layer F11 is located on the lower electrode E1.
  • the end surface SS12 of the hole transport layer F12 is located on the hole injection layer F11.
  • the covering layer 50 covers the end surface SS1 of the lower electrode E1, the end surface SS11 of the hole injection layer F11, and the end surface SS12 of the hole transport layer F12.
  • the end surface SS13 of the electron blocking layer F13 is located on the covering layer 50.
  • the end surface SSEL of the light-emitting layer EL is located on the electron block layer F13.
  • each layer constituting the organic layer OR is formed such that the area of the upper layer is smaller than the area of the lower layer.
  • the layers forming the display element 20 are formed such that the area of each layer decreases toward the upper layer.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing an eighth specific example of the display element 20. As shown in FIG. In the eighth specific example shown in FIG. 17, compared with the seventh specific example shown in FIG. They differ in that they are covered. The end face SSEL of the light emitting layer EL is located on the covering layer 50 .
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing a ninth specific example of the display element 20. As shown in FIG. In the ninth specific example shown in FIG. 18, in comparison with the eighth specific example shown in FIG. The difference is that the SSEL is also covered. The end surface SSEL is located on the electron block layer F13.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing a tenth specific example of the display element 20. As shown in FIG. In the tenth specific example shown in FIG. 19, in comparison with the ninth specific example shown in FIG. The difference is that the end surface SS21 of the layer F21 is also covered. The end surface SS21 is located above the light emitting layer EL. Note that illustration of layers above the hole blocking layer F21 is omitted.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view showing an eleventh specific example of the display element 20. As shown in FIG. In the eleventh specific example shown in FIG. 20, as compared with the tenth specific example shown in FIG. , in that the edge surface SS22 of the electron transport layer F22 is also covered. The end surface SS22 is located on the hole blocking layer F21. Note that illustration of layers above the electron transport layer F22 is omitted.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing a twelfth specific example of the display element 20. As shown in FIG. In the twelfth specific example shown in FIG. 21, compared with the eleventh specific example shown in FIG. In addition, the end surface SS23 of the electron injection layer F23 is also covered. The end surface SS23 is located on the electron transport layer F22. Note that illustration of layers above the electron injection layer F23 is omitted.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing a thirteenth specific example of the display element 20.
  • the thirteenth specific example shown in FIG. 22 corresponds to an example in which the electron blocking layer F13 constitutes the coating layer 50 . That is, the electron blocking layer F13 covers the lower electrode E1 including the end surface SS1, the hole injection layer F11 including the end surface SS11, and the hole transport layer F12 including the end surface SS12.
  • the light emitting layer EL is located on the electron blocking layer F13.
  • the electron blocking layer F13 is in contact with the insulating layer 11 outside the lower electrode E1. Note that illustration of layers above the light-emitting layer EL is omitted.
  • FIG. 23 is a sectional view showing a fourteenth specific example of the display element 20.
  • the hole blocking layer F21 constitutes the coating layer 50 .
  • the hole blocking layer F21 includes the lower electrode E1 including the edge surface SS1, the hole injection layer F11 including the edge surface SS11, the hole transport layer F12 including the edge surface SS12, the electron blocking layer F13 including the edge surface SS13, and the light emitting layer including the edge surface SSEL. covering the layer EL.
  • the hole blocking layer F21 is in contact with the insulating layer 11 outside the lower electrode E1. Note that illustration of layers above the hole blocking layer F21 is omitted.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view showing a fifteenth specific example of the display element 20.
  • a fifteenth specific example shown in FIG. 24 corresponds to an example in which the electron blocking layer F13 and the hole blocking layer F21 form the coating layer 50.
  • the light emitting layer EL is located on the electron blocking layer F13.
  • the hole blocking layer F21 covers the electron blocking layer F13 and the light emitting layer EL including the end surface SSEL.
  • the electron blocking layer F13 is in contact with the insulating layer 11 outside the lower electrode E1.
  • the hole blocking layer F21 is in contact with the insulating layer 11 outside the electron blocking layer F13. Note that illustration of layers above the hole blocking layer F21 is omitted.
  • the position and shape of the contact hole CH1 (or the conductive material CD) for connecting the lower electrode E1 and the drive transistor 3 are not particularly limited.
  • FIG. 25 is a schematic plan view of the display element 20.
  • the contact hole CH1 is formed in a substantially circular shape, and the contact hole CH1 is filled with the conductive material CD.
  • the contact hole CH1 is formed in a substantially elliptical or elliptical shape, and the contact hole CH1 is filled with the conductive material CD.
  • the position of the contact hole CH1 may be anywhere as long as it overlaps with the lower electrode E1 in plan view.
  • the shape of the contact hole CH1 may be a polygon such as a quadrangle.
  • the ratio of the area of the contact hole CH1 to the area of the lower electrode E1 is very small in the example shown in FIG. good too.
  • FIG. 26 is a cross-sectional view for explaining an example of the interface BR between the conductive material CD and the lower electrode E1.
  • the boundary surface BR is located below the upper surface U11 of the insulating layer 11.
  • the contact hole CH1 is not filled with the conductive material CD up to the upper end indicated by the dotted line.
  • the lower electrode E1 is arranged in the contact hole CH1 and formed along the inclined surface of the insulating layer 11. As shown in FIG. Therefore, the lower electrode E1 has a concave upper surface U1.
  • the organic layer OR is arranged on the upper surface U1.
  • the upper electrode E2 is arranged on the organic layer OR. According to such a display element 20, since light is emitted in the direction indicated by the dotted arrow, the viewing angle can be widened.
  • FIG. 27 is a cross-sectional view for explaining another example of the interface BR between the conductive material CD and the lower electrode E1.
  • the boundary surface BR is located above the upper surface U11 of the insulating layer 11.
  • the conductive material CD is filled beyond the upper end indicated by the dotted line in the contact hole CH1. Therefore, the boundary surface BR is formed in an upwardly convex shape.
  • the lower electrode E1 has a convex upper surface U1.
  • the organic layer OR is arranged on the upper surface U1.
  • the upper electrode E2 is arranged on the organic layer OR. In such a display element 20 as well, since light is emitted in the direction indicated by the dotted arrow, the viewing angle can be increased.
  • FIG. 28 is a plan view showing one configuration example of the upper electrode E2.
  • the red sub-pixel SP1, the green sub-pixel SP2, and the blue sub-pixel SP3 are arranged in the first direction X in the display area DA.
  • a plurality of sub-pixels of the same color are arranged in the second direction Y. As shown in FIG.
  • the plurality of upper electrodes E2 are each formed in a band shape extending in the second direction Y and arranged in the first direction X at intervals. Each of the upper electrodes E2 is arranged in the display section DA and extends outside the display section DA. One upper electrode E2 is arranged over the same color sub-pixels arranged in the second direction Y. As shown in FIG.
  • the plurality of feed lines FL are arranged outside the display area DA, and overlap the upper electrodes E2 in plan view.
  • the upper electrode E2 is in contact with the power supply line FL through the contact hole CH2. Thereby, a predetermined voltage is applied to each of the upper electrodes E2. In other words, optimum voltages can be applied to the red sub-pixel SP1, the green sub-pixel SP2, and the blue sub-pixel SP3.
  • the upper electrode E2 is electrically connected to the feeder line FL on both sides of the display area DA, but is connected to the feeder line FL only on one side. may
  • FIG. 29 is a plan view showing another configuration example of the upper electrode E2.
  • the power supply lines FL extend to the display area DA, and the upper electrodes E2 are in contact with the power supply lines FL through the contact holes CH21 in the display area DA.
  • the upper electrode E2 extends outside the display area DA, and is in contact with the feeder line FL through the contact hole CH22.
  • the upper electrode E2 does not have to be in contact with the power supply line FL outside the display area DA.
  • FIG. 30A is a plan view showing another configuration example of the upper electrode E2.
  • the configuration example shown in FIG. 30A differs from the configuration example shown in FIG. 28 in that the upper electrode E2 is arranged over sub-pixels SP1, SP2, and SP3 of different colors.
  • the upper electrode E2 extends in the second direction Y, is arranged in the display area DA, and extends outside the display area DA.
  • the feed line FL is arranged outside the display section DA and overlaps the upper electrode E2 in a plan view.
  • the upper electrode E2 is in contact with the feeder line FL through a plurality of contact holes CH2. Thereby, a predetermined voltage is applied to the upper electrode E2.
  • the upper electrode E2 is electrically connected to the feed line FL on both sides of the display area DA, but is connected to the feed line FL only on one side. may
  • FIG. 30B is a plan view showing another configuration example of the upper electrode E2.
  • the feed lines FL extend to the display portion DA, and the upper electrodes E2 are in contact with the feed lines FL through the contact holes CH21 in the display portion DA.
  • the upper electrode E2 extends outside the display area DA, and is in contact with the feeder line FL through the contact hole CH22.
  • the upper electrode E2 does not have to be in contact with the power supply line FL outside the display area DA.
  • FIG. 31A is a plan view showing another configuration example of the upper electrode E2.
  • the area of the blue (B) sub-pixel SP3 is larger than the area of each of the red (R) sub-pixel SP1 and the green (G) sub-pixel SP2.
  • the length along the second direction Y of the sub-pixel SP3 is longer than the sub-pixels SP1 and SP2.
  • the sub-pixels SP1 and the sub-pixels SP3 are alternately arranged along the first direction X in the display area DA.
  • the sub-pixels SP2 and the sub-pixels SP3 are alternately arranged along the first direction X. As shown in FIG.
  • the sub-pixels SP1 and the sub-pixels SP2 are alternately arranged along the second direction Y.
  • the sub-pixels SP3 are arranged in the second direction Y.
  • the upper electrode E2 is arranged over sub-pixels SP1, SP2, and SP3 of different colors, as in the configuration example shown in FIG. 30A.
  • the upper electrode E2 extends in the second direction Y, is arranged in the display area DA, and extends outside the display area DA.
  • the feed line FL is arranged outside the display section DA and overlaps the upper electrode E2 in a plan view.
  • the upper electrode E2 is in contact with the feeder line FL through a plurality of contact holes CH2. Thereby, a predetermined voltage is applied to the upper electrode E2.
  • FIG. 31B is a plan view showing another configuration example of the upper electrode E2.
  • the upper electrodes E2 formed in strips are arranged at the locations where the plurality of sub-pixels of the same color are arranged in the second direction Y, and the sub-pixels of different colors are arranged.
  • An upper electrode E2 formed in an island shape is arranged at each location where the pixels are arranged in the second direction Y.
  • the blue (B) sub-pixels SP3 are arranged in the second direction Y.
  • the upper electrode E2 arranged in these sub-pixels SP3 is formed in a strip shape extending in the second direction Y, is in contact with the feeder line FL in the contact hole CH21 of the display area DA, and is in contact with the contact outside the display area DA.
  • the hole CH22 is in contact with the feeder line FL.
  • the upper electrode E2 may be in contact with the power supply line FL through either one of the contact holes CH21 and CH22.
  • the upper electrode E2 arranged in each of the red (R) sub-pixel SP1 and the green (G) sub-pixel SP2 is formed in an island shape and is in contact with the feed line FL in the contact hole CH21 of the display area DA.
  • FIG. 32 is a plan view showing one embodiment.
  • the feed line FL is arranged in the display section DA and extends outside the display section DA. In the display area DA, the feed line FL does not overlap the contact hole CH1.
  • the lower electrode E1 of each display element 20 overlaps the contact hole CH1 and also overlaps the feeder line FL.
  • the contact hole CH21 is formed in parallel with the lower electrode E1 and overlaps the feed line FL.
  • a contact hole CH22 is formed outside the display area DA so as to overlap the feeder line FL.
  • the upper electrode E2 overlaps the lower electrode E1 and the contact hole CH21 in the display area DA, and overlaps the contact hole CH22 outside the display area DA.
  • FIG. 33 is a cross-sectional view of the display element 20 shown in FIG. 32 along line AB.
  • a plurality of insulating layers I1 to I4 are arranged between the base material 10 and the insulating layer (first insulating layer) 11 .
  • the insulating layer I1 is arranged on the substrate 10, the insulating layer I2 is arranged on the insulating layer I1, the insulating layer I3 is arranged on the insulating layer I2, and the insulating layer I4 is arranged on the insulating layer I3. and the insulating layer 11 is arranged on the insulating layer I4.
  • the insulating layers I1 to I4 are inorganic insulating layers made of silicon nitride, silicon oxide, or the like, for example.
  • the semiconductor SC1 of the pixel switch 2 and the semiconductor SC2 of the driving transistor 3 are, for example, polycrystalline silicon, and are located between the insulating layer I1 and the insulating layer I2.
  • a drain electrode DE of the driving transistor 3 is located between the insulating layer I4 and the insulating layer 11 and is in contact with the semiconductor SC2.
  • the conductive material CD is in contact with the drain electrode DE through a contact hole (first contact hole) CH1 formed in the insulating layer 11 .
  • the feed line FL is arranged on the insulating layer 11 .
  • the insulating layer (second insulating layer) 12 is arranged on the insulating layer 11 and has a contact hole (second contact hole) CH21 penetrating to the feed line FL.
  • the lower electrode E1 is arranged on the insulating layer 12 and is in contact with the conductive material CD through the contact hole CH1.
  • the organic layer OR is laminated on the lower electrode E1.
  • the covering layer 50 covers the end surface SS1 of the lower electrode E1 and the end surface SS2 of the organic layer OR. Also, the covering layer 50 is in contact with the insulating layer 12 outside the lower electrode E1.
  • the upper electrode E2 covers the organic layer OR and the covering layer 50. Further, the upper electrode E2 is in contact with the feeder line FL in the contact hole CH21 outside the display element 20. As shown in FIG.
  • the area contributing to the display can be increased, and undesirable current leakage or the like at the peripheral edge of the organic layer OR can be suppressed, thereby improving the performance of the display element 20. Decrease can be suppressed.
  • a desired voltage can be applied to the upper electrode E2 of each display element 20 through the feed line FL arranged in the display area DA. That is, a uniform voltage can be applied over the entire display area DA.
  • DSP...Display device 3 Drive transistor (switching element) 10...Base material 11...Insulating layer (first insulating layer) CH1...Contact hole (first contact hole) 12... Insulating layer (second insulating layer) CH21... Contact hole (second contact hole) CD... Conducting material FL... Feeding line 20... Display element E1... Lower electrode E2... Upper electrode OR... Organic layer F11... Hole injection layer F12... Hole transport layer F13... Electron blocking layer F21... Hole blocking layer F22... Electron transport layer F23 ... Electron injection layer 30 ... Sealing layer 40 ... Light extraction layer 50 ... Coating layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

実施形態の目的は、表示に寄与する面積を拡大することが可能な表示装置を提供することにある。 一実施形態によれば、表示装置は、基材と、前記基材の上方に配置されたスイッチング素子と、前記基材の上方に配置され、前記スイッチング素子まで貫通した第1コンタクトホールを有する第1絶縁層と、前記第1コンタクトホールに充填された導通材と、前記第1絶縁層の上方に配置され、前記導通材に接する下部電極と、前記下部電極に積層された有機層であって、前記下部電極の上のホール注入層、前記ホール注入層の上のホール輸送層、及び、前記ホール輸送層の上の発光層を含む有機層と、前記有機層に積層された上部電極と、前記下部電極、前記ホール注入層、及び、前記ホール輸送層の各々の端面を覆う被覆層と、を備える。

Description

表示装置
 本発明の実施形態は、表示装置に関する。
 近年、表示素子として有機発光ダイオード(OLED)を適用した表示装置が実用化されている。表示素子は、画素電極と共通電極との間に有機層を備えている。有機層は、発光層の他に、正孔輸送層や電子輸送層などの機能層を含んでいる。このような表示素子において、表示(発光)に寄与する面積を拡大することが要望されている。
特開2000-195677号公報 特開2004-207217号公報 特開2008-135325号公報 特開2009-32673号公報 特開2010-118191号公報 国際公開第2019/026511号
 実施形態の目的は、表示に寄与する面積を拡大することが可能な表示装置を提供することにある。
 一実施形態によれば、表示装置は、
 基材と、前記基材の上方に配置されたスイッチング素子と、前記基材の上方に配置され、前記スイッチング素子まで貫通した第1コンタクトホールを有する第1絶縁層と、前記第1コンタクトホールに充填された導通材と、前記第1絶縁層の上方に配置され、前記導通材に接する下部電極と、前記下部電極に積層された有機層であって、前記下部電極の上のホール注入層、前記ホール注入層の上のホール輸送層、及び、前記ホール輸送層の上の発光層を含む有機層と、前記有機層に積層された上部電極と、前記下部電極、前記ホール注入層、及び、前記ホール輸送層の各々の端面を覆う被覆層と、を備える。
 一実施形態によれば、表示装置は、
 基材と、前記基材の上方に配置されたスイッチング素子と、前記基材の上方に配置され、前記スイッチング素子まで貫通した第1コンタクトホールを有する第1絶縁層と、前記第1コンタクトホールに充填された導通材と、前記第1絶縁層の上方に配置され、前記導通材に接する下部電極と、発光層を含み、前記下部電極に積層された有機層と、前記有機層に積層された上部電極と、前記下部電極の端面を覆う被覆層と、を備える。
 一実施形態によれば、表示装置は、
 基材と、前記基材の上方に配置されたスイッチング素子と、前記基材の上方に配置され、前記スイッチング素子まで貫通した第1コンタクトホールを有する第1絶縁層と、前記第1コンタクトホールに充填された導通材と、前記第1絶縁層の上方に配置され、前記導通材に接する下部電極と、発光層を含み、前記下部電極に積層され、前記下部電極の端面を覆う有機層と、前記有機層に積層され、前記有機層の端面を覆う上部電極と、を備える。
 一実施形態によれば、表示に寄与する面積を拡大することが可能な表示装置を提供することができる。
図1は、実施形態に係る表示装置DSPの一構成例を示す図である。 図2は、表示素子20の構成の一例を示す図である。 図3は、表示装置DSPの基本構造を示す断面図である。 図4は、表示装置DSPの第1構造例を示す断面図である。 図5は、表示装置DSPの第2構造例を示す断面図である。 図6は、表示素子20の第1具体例を示す断面図である。 図7は、表示素子20の第2具体例を示す断面図である。 図8は、表示素子20の第3具体例を示す断面図である。 図9は、表示素子20の第4具体例を示す断面図である。 図10は、表示素子20の第5具体例を示す断面図である。 図11は、表示素子20の第6具体例を示す断面図である。 図12Aは、表示装置DSPの第3構造例を示す断面図である。 図12Bは、表示装置DSPの第4構造例を示す断面図である。 図13Aは、表示装置DSPの第5構造例を示す断面図である。 図13Bは、表示装置DSPの第6構造例を示す断面図である。 図14Aは、表示装置DSPの第7構造例を示す断面図である。 図14Bは、表示装置DSPの第8構造例を示す断面図である。 図15Aは、表示装置DSPの第9構造例を示す断面図である。 図15Bは、表示装置DSPの第10構造例を示す断面図である。 図16は、表示素子20の第7具体例を示す断面図である。 図17は、表示素子20の第8具体例を示す断面図である。 図18は、表示素子20の第9具体例を示す断面図である。 図19は、表示素子20の第10具体例を示す断面図である。 図20は、表示素子20の第11具体例を示す断面図である。 図21は、表示素子20の第12具体例を示す断面図である。 図22は、表示素子20の第13具体例を示す断面図である。 図23は、表示素子20の第14具体例を示す断面図である。 図24は、表示素子20の第15具体例を示す断面図である。 図25は、表示素子20の概略平面図である。 図26は、導通材CDと下部電極E1との境界面BRの一例を説明するための断面図である。 図27は、導通材CDと下部電極E1との境界面BRの他の例を説明するための断面図である。 図28は、上部電極E2の一構成例を示す平面図である。 図29は、上部電極E2の他の構成例を示す平面図である。 図30Aは、上部電極E2の他の構成例を示す平面図である。 図30Bは、上部電極E2の他の構成例を示す平面図である。 図31Aは、上部電極E2の他の構成例を示す平面図である。 図31Bは、上部電極E2の他の構成例を示す平面図である。 図32は、一実施例を示す平面図である。 図33は、図32に示した表示素子20のA-B線に沿った断面図である。
 以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
 なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
 なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するX軸、Y軸、及び、Z軸を記載する。X軸に沿った方向をX方向または第1方向と称し、Y軸に沿った方向をY方向または第2方向と称し、Z軸に沿った方向をZ方向または第3方向と称する。X軸及びY軸によって規定される面をX-Y平面と称する。X-Y平面を見ることを平面視という。
 本実施形態に係る表示装置DSPは、表示素子として有機発光ダイオード(OLED)を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パソコン、携帯端末、携帯電話等に搭載される。なお、以下に説明する表示素子は照明装置の発光素子として適用することができ、表示装置DSPは照明装置等の他の電子機器に転用することができる。
 図1は、本実施形態に係る表示装置DSPの一構成例を示す図である。表示装置DSPは、絶縁性の基材10の上に、画像を表示する表示部DAを備えている。基材10は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。
 表示部DAは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配列された複数の画素PXを備えている。画素PXは、複数の副画素SP1、SP2、SP3を備えている。一例では、画素PXは、赤色の副画素SP1、緑色の副画素SP2、及び、青色の副画素SP3を備えている。なお、画素PXは、上記の3色の副画素の他に、白色などの他の色の副画素を加えた4個以上の副画素を備えていてもよい。
 画素PXに含まれる1つの副画素SPの一構成例について簡単に説明する。
 すなわち、副画素SPは、画素回路1と、画素回路1によって駆動制御される表示素子20と、を備えている。画素回路1は、画素スイッチ2と、駆動トランジスタ3と、キャパシタ4と、を備えている。画素スイッチ2及び駆動トランジスタ3は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。
 画素スイッチ2について、ゲート電極は走査線GLに接続され、ソース電極は信号線SLに接続され、ドレイン電極はキャパシタ4を構成する一方の電極及び駆動トランジスタ3のゲート電極に接続されている。駆動トランジスタ3について、ソース電極はキャパシタ4を構成する他方の電極及び電源線PLに接続され、ドレイン電極は表示素子20のアノードに接続されている。表示素子20のカソードは、給電線FLに接続されている。なお、画素回路1の構成は、図示した例に限らない。
 表示素子20は、発光素子である有機発光ダイオード(OLED)である。例えば、副画素SP1は赤波長に対応した光を出射する表示素子を備え、副画素SP2は緑波長に対応した光を出射する表示素子を備え、副画素SP3は青波長に対応した光を出射する表示素子を備えている。画素PXが表示色の異なる複数の副画素SP1、SP2、SP3を備えることで、多色表示を実現できる。
 但し、副画素SP1、SP2、SP3の各々の表示素子20が同一色の光を出射するように構成されてもよい。これにより、単色表示を実現できる。
 また、副画素SP1、SP2、SP3の各々の表示素子20が白色の光を出射するように構成された場合、表示素子20に対向するカラーフィルタが配置されてもよい。例えば、副画素SP1は表示素子20に対向する赤カラーフィルタを備え、副画素SP2は表示素子20に対向する緑カラーフィルタを備え、副画素SP3は表示素子20に対向する青カラーフィルタを備える。これにより、多色表示を実現できる。
 あるいは、副画素SP1、SP2、SP3の各々の表示素子20が紫外光を出射するように構成された場合、表示素子20に対向する光変換層が配置されることで、多色表示を実現できる。
 図2は、表示素子20の構成の一例を示す図である。
 表示素子20は、下部電極(第1電極)E1と、有機層ORと、上部電極(第2電極)E2と、を備えている。有機層ORは、キャリア調整層(第1キャリア調整層)CA1と、発光層ELと、キャリア調整層(第2キャリア調整層)CA2と、を有している。キャリア調整層CA1は下部電極E1と発光層ELとの間に位置し、キャリア調整層CA2は発光層ELと上部電極E2との間に位置している。キャリア調整層CA1及びCA2は、複数の機能層を含んでいる。
 ここでは、下部電極E1がアノードに相当し、上部電極E2がカソードに相当する場合を例に説明する。
 キャリア調整層CA1は、機能層として、ホール注入層F11、ホール輸送層F12、電子ブロック層F13などを含んでいる。ホール注入層F11は下部電極E1の上に配置され、ホール輸送層F12はホール注入層F11の上に配置され、電子ブロック層F13はホール輸送層F12の上に配置され、発光層ELは電子ブロック層F13の上に配置されている。
 キャリア調整層CA2は、機能層として、ホールブロック層F21、電子輸送層F22、電子注入層F23などを含んでいる。ホールブロック層F21は発光層ELの上に配置され、電子輸送層F22はホールブロック層F21の上に配置され、電子注入層F23は電子輸送層F22の上に配置され、上部電極E2は電子注入層F23の上に配置されている。
 なお、キャリア調整層CA1及びCA2は、上記した機能層の他に、必要に応じてキャリア発生層などの他の機能層を含んでいてもよいし、キャリア調整層CA1及びCA2において、上記した機能層の少なくとも1つが省略されてもよい。
  《基本構造》 
 図3は、表示装置DSPの基本構造を示す断面図である。
 図1に示した画素回路1は、基材10の上方に配置されている。図3では、画素回路1に含まれる駆動トランジスタ(スイッチング素子)3のみを簡略化して図示している。
 絶縁層(第1絶縁層)11は、基材10の上方に配置され、表示素子20の下地層に相当する。絶縁層11は、例えば、有機絶縁層である。絶縁層11は、駆動トランジスタ3まで貫通するコンタクトホール(第1コンタクトホール)CH1を有している。コンタクトホールCH1には、導通材CDが充填され、駆動トランジスタ3に接している。導通材CDは、例えば、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、マグネシウム(Mg)、銀(Ag)、タンタル(Ta)などの金属を含む材料によって形成されている。
 表示素子20は、下部電極E1、有機層OR、及び、上部電極E2を備えている。
 各表示素子20の下部電極E1は、第1方向Xに間隔を置いて並び、それぞれ絶縁層11の上に配置されている。下部電極E1の各々は、導通材CDに接しており、駆動トランジスタ3と電気的に接続されている。下部電極E1は、副画素毎あるいは表示素子毎に配置された電極であり、画素電極、アノードなどと称される場合がある。
 下部電極E1は、例えば、インジウム錫酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)などの透明導電材料によって形成された透明電極である。なお、下部電極E1は、銀、アルミニウムなどの金属材料によって形成された金属電極であってもよい。また、下部電極E1は、透明電極及び金属電極の積層体であってもよい。例えば、下部電極E1は、透明電極、金属電極、及び、透明電極の順に積層された積層体として構成されてもよいし、3層以上の積層体として構成されてもよい。この場合、下部電極E1のうち、導通材CDとは異なる導電材を含んだ透明電極が導通材CDと接することになる。ただし、下部電極E1のうち、導通材CDと同一材料の電極が導通材CDと接していてもよい。
 有機層ORは、図2に示したように、発光層ELを含んでいる。各表示素子20の有機層ORは、それぞれ下部電極E11に積層され、互いに離間している。第1方向Xに並んだ各表示素子20の有機層ORは、互いに異なる材料によって形成された発光層ELを含んでいてもよいし(各表示素子20における有機層ORの発光色が異なる)、同一材料によって形成された発光層ELを含んでいてもよい(各表示素子20における有機層ORの発光色が同一)。
 各表示素子20の上部電極E2は、それぞれ有機層ORに積層され、互いに離間している。なお、第2方向Yに並んだ有機層ORに積層される上部電極E2は、一体的に形成されていてもよい。上部電極E2は、後述するが、表示部DA内または表示部DAの外側において、給電線と電気的に接続されている。このような上部電極E2は、共通電極、対向電極、カソードなどと称される場合がある。
 上部電極E2は、例えば、マグネシウム、銀などの金属材料によって形成された半透過性の金属電極である。なお、上部電極E2は、ITOやIZOなどの透明導電材料によって形成された透明電極であってもよい。また、上部電極E2は、透明電極及び金属電極の積層体であってもよい。
 有機層ORのほぼ全体は、下部電極E1と上部電極E2との間に位置し、表示素子20の発光領域を形成することができる。一例では、有機層ORの第3方向Zに沿った厚さは、発光層ELにおける発光スペクトルのピーク波長と、下部電極E1と上部電極E2との間の実効的な光路長とが一致するように設定される。これにより、共振効果を得るためのマイクロキャビティ構造が実現される。
 図3に示す例では、下部電極E1の端面SS1は、有機層OR及び上部電極E2から露出している。有機層ORの端面SS2は、下部電極E1の上に位置し、上部電極E2から露出している。上部電極E2の端面SS3は、有機層ORの上に位置している。
 封止層30は、各表示素子20を覆っている。すなわち、封止層30は、下部電極E1の端面SS1、有機層ORの端面SS2、上部電極E2の端面SS3及び上面U2をそれぞれ覆っている。また、隣接する表示素子20の間においては、封止層30は、絶縁層11に接している。封止層30は、例えば、無機絶縁膜及び有機絶縁膜の積層体である。このような封止層30は、各表示素子20を水分等から保護する機能を有するものである。
 このような表示装置DSPによれば、下部電極E1の周縁部を覆うリブを設けた構成と比較して、有機層ORのほぼ全体を表示素子20の発光領域として形成することができ、表示あるいは発光に寄与する面積(発光領域の面積)を拡大することができる。また、所定の発光領域とは異なる領域での不所望な発光が抑制され、色純度の低下を抑制することができる。
  《第1構造例》 
 図4は、表示装置DSPの第1構造例を示す断面図である。
 図4に示す第1構造例は、図3に示した基本構造と比較して、有機層ORが下部電極E1の端面SS1を覆っている点で相違している。有機層ORは、下部電極E1よりも外側で絶縁層11に接している。上部電極E2は、有機層ORに積層され、有機層ORの端面SS2を覆っている。上部電極E2は、有機層ORよりも外側で絶縁層11に接している。第1方向Xに並んだ各表示素子20の上部電極E2は、互いに離間している。
 封止層30は、上部電極E2を覆っている。つまり、封止層30は、上部電極E2の端面SS3に接している。また、封止層30は、隣接する表示素子20の間において、絶縁層11に接している。
 このような第1構造例によれば、上記の基本構造と同様の効果が得られる。加えて、有機層ORが下部電極E1の端面SS1を覆っているため、下部電極E1と上部電極E2との短絡を抑制することができる。
  《第2構造例》 
 図5は、表示装置DSPの第2構造例を示す断面図である。
 図5に示す第2構造例は、図4に示した第1構造例と比較して、第1方向Xに並んだ各表示素子20の上部電極E2が一体的に形成された点で相違している。上部電極E2は、第1方向Xに並んだ各有機層ORの端面SS2を覆っている。上部電極E2は、第1方向Xに並んだ有機層ORの間で絶縁層11に接している。
 封止層30は、上部電極E2に積層され、絶縁層11から離間している。
 このような第2構造例においても、第1構造例と同様の効果が得られる。
 次に、第1構造例及び第2構造例の概念に基づいた表示素子20の具体例について説明する。ここでは、絶縁層11よりも下層の図示を省略する。
 図6は、表示素子20の第1具体例を示す断面図である。
 ホール注入層F11は下部電極E1の全体を覆い、ホール輸送層F12はホール注入層F11の全体を覆い、電子ブロック層F13はホール輸送層F12の全体を覆い、発光層ELは電子ブロック層F13の全体を覆っている。ここでの『全体を覆う』という表現は、部材の上面及び端面(側面)を覆うことを意味するものである。
 ホールブロック層F21は発光層ELの全体を覆い、電子輸送層F22はホールブロック層F21の全体を覆い、電子注入層F23は電子輸送層F22の全体を覆い、上部電極E2は電子注入層F23の全体を覆っている。
 表示素子20からの光取出効率を改善するための光取出層(光学調整層と称する場合もある)40は、上部電極E2の全体を覆っている。封止層30は、光取出層40の全体を覆っている。有機層ORを構成する各層、上部電極E2、光取出層40、及び、封止層30は、それぞれ絶縁層11に接している。
 このような第1具体例によれば、上部電極E2は、有機層ORのうちの最上層に位置する電子注入層F23に接するが、有機層ORを構成するその他の機能層及び発光層ELには接していない。このため、有機層ORの周縁部での不所望な電流リーク等が抑制され、表示素子20の性能低下を抑制することができる。
 図7は、表示素子20の第2具体例を示す断面図である。
 図7に示す第2具体例は、図6に示した第1具体例と比較して、隣接する表示素子20に亘って光取出層40が一体的に形成された点で相違している。つまり、光取出層40は、隣接する上部電極E2を覆うとともに、隣接する上部電極E2の間で絶縁層11に接している。封止層30は、光取出層40に積層され、絶縁層11から離間している。
 図8は、表示素子20の第3具体例を示す断面図である。
 図8に示す第3具体例は、図6に示した第1具体例と比較して、隣接する表示素子20に亘って上部電極E2が一体的に形成された点で相違している。つまり、上部電極E2は、隣接する電子注入層F23を覆うとともに、隣接する電子注入層F23の間で絶縁層11に接している。封止層30及び光取出層40は、絶縁層11から離間している。
 図9は、表示素子20の第4具体例を示す断面図である。
 図9に示す第4具体例は、図6に示した第1具体例と比較して、隣接する表示素子20に亘って電子注入層F23が一体的に形成された点で相違している。つまり、電子注入層F23は、隣接する電子輸送層F22を覆うとともに、隣接する電子輸送層F22の間で絶縁層11に接している。封止層30、光取出層40、及び、上部電極E2は、絶縁層11から離間している点で相違している。
 図10は、表示素子20の第5具体例を示す断面図である。
 図10に示す第5具体例は、図6に示した第1具体例と比較して、隣接する表示素子20に亘って電子輸送層F22が一体的に形成された点で相違している。つまり、電子輸送層F22は、隣接するホールブロック層F21を覆うとともに、隣接するホールブロック層F21の間で絶縁層11に接している。封止層30、光取出層40、上部電極E2、及び、電子注入層F23は、絶縁層11から離間している。
 図11は、表示素子20の第6具体例を示す断面図である。
 図11に示す第6具体例は、図6に示した第1具体例と比較して、隣接する表示素子20に亘ってホールブロック層F21が一体的に形成された点で相違している。つまり、ホールブロック層F21は、隣接する発光層ELを覆うとともに、隣接する発光層ELの間で絶縁層11に接している。封止層30、光取出層40、上部電極E2、電子注入層F23、及び、電子輸送層F22は、絶縁層11から離間している。
 これらの第2乃至第6具体例においても、上記の第1具体例と同様の効果が得られる。
  《第3構造例》 
 図12Aは、表示装置DSPの第3構造例を示す断面図である。
 図12Aに示す第3構造例は、図3に示した基本構造と比較して、下部電極E1の端面SS1を覆う被覆層50が設けられた点で相違している。被覆層50は、絶縁物であり、無機系材料で形成されてもよいし、有機系材料で形成されてもよい。また、被覆層50は、後に詳述するが、カソード側からアノード側への電子の移動を阻止する電子ブロック層F13、及び、アノード側からカソード側へのホールの移動を阻止するホールブロック層F21の少なくとも一方を利用して形成されてもよい。
 被覆層50は、第1方向Xに並んだ下部電極E1の各々に個別に設けられている。つまり、第1方向Xに並んだ2つの下部電極E1のうち、一方の下部電極E1に対応して設けられた被覆層50は、他方の下部電極E1に対応して設けられた被覆層50から離間している。隣り合う被覆層50の間では、絶縁層11が露出している。
 発光領域の面積をできるだけ大きくする観点では、下部電極E1の上面U1のうち、被覆層50によって覆われる面積はできるだけ小さいことが望ましい。
 封止層30は、第1方向Xに並んだ各表示素子20の上部電極E2及び有機層ORを覆うとともに、被覆層50を覆っている。また、封止層30は、第1方向Xに並んだ被覆層50の間で絶縁層11に接している。
 このような第3構造例によれば、上記の基本構造と同様の効果が得られる。加えて、被覆層50が下部電極E1の端面SS1を覆っているため、下部電極E1と上部電極E2との短絡を抑制することができる。
  《第4構造例》 
 図12Bは、表示装置DSPの第4構造例を示す断面図である。
 図12Bに示す第4構造例は、図12Aに示した第3構造例と比較して、第1方向Xに並んだ各表示素子20の上部電極E2が一体的に形成された点で相違している。上部電極E2は、第1方向Xに並んだ各表示素子20の有機層ORを覆うとともに、被覆層50を覆っている。また、上部電極E2は、第1方向Xに並んだ被覆層50の間で絶縁層11に接している。
 封止層30は、上部電極E2に積層され、絶縁層11から離間している。
 このような第4構造例においても、第3構造例と同様の効果が得られる。
  《第5構造例》 
 図13Aは、表示装置DSPの第5構造例を示す断面図である。
 図13Aに示す第5構造例は、図12Aに示した第3構造例と比較して、被覆層50が下部電極E1の端面SS1及び有機層ORの端面SS2を覆う点で相違している。隣り合う被覆層50の間では、絶縁層11が露出している。
 封止層30は、第1方向Xに並んだ各表示素子20の上部電極E2を覆うとともに、被覆層50を覆っている。また、封止層30は、第1方向Xに並んだ被覆層50の間で絶縁層11に接している。
 このような第5構造例においても、第3構造例と同様の効果が得られる。加えて、被覆層50が有機層ORを構成する各層の端面を被覆しているため、有機層ORの周縁部での不所望な電流リーク等が抑制され、表示素子20の性能低下を抑制することができる。
  《第6構造例》 
 図13Bは、表示装置DSPの第6構造例を示す断面図である。
 図13Bに示す第6構造例は、図13Aに示した第5構造例と比較して、第1方向Xに並んだ各表示素子20の上部電極E2が一体的に形成された点で相違している。上部電極E2は、第1方向Xに並んだ各表示素子20の有機層ORを覆うとともに、被覆層50を覆っている。また、上部電極E2は、第1方向Xに並んだ被覆層50の間で絶縁層11に接している。
 封止層30は、上部電極E2に積層され、絶縁層11から離間している。
 このような第6構造例においても、第5構造例と同様の効果が得られる。
  《第7構造例》 
 図14Aは、表示装置DSPの第7構造例を示す断面図である。
 図14Aに示す第7構造例は、図12Aに示した第3構造例と比較して、隣り合う下部電極E1の端面SS1をそれぞれ覆う被覆層50が一体的に形成された点で相違している。隣り合う下部電極E1の間では、絶縁層11は、被覆層50によって覆われている。
 封止層30は、第1方向Xに並んだ各表示素子20の上部電極E2を覆うとともに、被覆層50を覆っている。
 このような第7構造例においても、第3構造例と同様の効果が得られる。
  《第8構造例》 
 図14Bは、表示装置DSPの第8構造例を示す断面図である。
 図14Bに示す第8構造例は、図14Aに示した第7構造例と比較して、第1方向Xに並んだ各表示素子20の上部電極E2が一体的に形成された点で相違している。上部電極E2は、第1方向Xに並んだ各表示素子20の有機層ORを覆うとともに、被覆層50を覆っている。上部電極E2及び封止層30は、第1方向Xに並んだ各表示素子20の間で絶縁層11から離間している。
 このような第8構造例においても、第3構造例と同様の効果が得られる。
  《第9構造例》 
 図15Aは、表示装置DSPの第9構造例を示す断面図である。
 図15Aに示す第9構造例は、図14Aに示した第7構造例と比較して、被覆層50が下部電極E1の端面SS1及び有機層ORの端面SS2を覆う点で相違している。隣り合う下部電極E1の間では、絶縁層11は、被覆層50によって覆われている。
 封止層30は、第1方向Xに並んだ各表示素子20の上部電極E2を覆うとともに、被覆層50を覆っている。
 このような第9構造例においても、第3構造例と同様の効果が得られる。
  《第10構造例》 
 図15Bは、表示装置DSPの第10構造例を示す断面図である。
 図15Bに示す第10構造例は、図15Aに示した第9構造例と比較して、第1方向Xに並んだ各表示素子20の上部電極E2が一体的に形成された点で相違している。上部電極E2は、第1方向Xに並んだ各表示素子20の有機層ORを覆うとともに、被覆層50を覆っている。上部電極E2及び封止層30は、第1方向Xに並んだ各表示素子20の間で絶縁層11から離間している。
 このような第10構造例においても、第3構造例と同様の効果が得られる。
 次に、第3構造例、第4構造例、第5構造例、第6構造例、第7構造例、第8構造例、第9構造例、及び、第10構造例の概念に基づいた表示素子20の具体例について説明する。ここでは、絶縁層11よりも下層の図示を省略する。
 図16は、表示素子20の第7具体例を示す断面図である。
 ホール注入層F11の端面SS11は、下部電極E1の上に位置している。ホール輸送層F12の端面SS12は、ホール注入層F11の上に位置している。被覆層50は、下部電極E1の端面SS1、ホール注入層F11の端面SS11、及び、ホール輸送層F12の端面SS12を覆っている。
 電子ブロック層F13の端面SS13は、被覆層50の上に位置している。発光層ELの端面SSELは、電子ブロック層F13の上に位置している。なお、発光層ELよりも上層の図示は省略するが、有機層ORを構成する各層は、上層の面積が下層の面積よりも小さくなるように形成される。つまり、表示素子20を構成する各層は、上方の層ほど面積が小さくなるように形成されている。
 図17は、表示素子20の第8具体例を示す断面図である。
 図17に示す第8具体例は、図16に示した第7具体例と比較して、被覆層50が端面SS1、端面SS11、及び、端面SS12に加えて、電子ブロック層F13の端面SS13も覆っている点で相違している。発光層ELの端面SSELは、被覆層50の上に位置している。
 図18は、表示素子20の第9具体例を示す断面図である。
 図18に示す第9具体例は、図17に示した第8具体例と比較して、被覆層50が端面SS1、端面SS11、端面SS12、及び、端面SS13に加えて、発光層ELの端面SSELも覆っている点で相違している。端面SSELは、電子ブロック層F13の上に位置している。
 図19は、表示素子20の第10具体例を示す断面図である。
 図19に示す第10具体例は、図18に示した第9具体例と比較して、被覆層50が端面SS1、端面SS11、端面SS12、端面SS13、及び、端面SSELに加えて、ホールブロック層F21の端面SS21も覆っている点で相違している。端面SS21は、発光層ELの上に位置している。なお、ホールブロック層F21よりも上層の図示は省略する。
 図20は、表示素子20の第11具体例を示す断面図である。
 図20に示す第11具体例は、図19に示した第10具体例と比較して、被覆層50が端面SS1、端面SS11、端面SS12、端面SS13、端面SSEL、及び、端面SS21に加えて、電子輸送層F22の端面SS22も覆っている点で相違している。端面SS22は、ホールブロック層F21の上に位置している。なお、電子輸送層F22よりも上層の図示は省略する。
 図21は、表示素子20の第12具体例を示す断面図である。
 図21に示す第12具体例は、図20に示した第11具体例と比較して、被覆層50が端面SS1、端面SS11、端面SS12、端面SS13、端面SSEL、端面SS21、及び、端面SS22に加えて、電子注入層F23の端面SS23も覆っている点で相違している。端面SS23は、電子輸送層F22の上に位置している。なお、電子注入層F23よりも上層の図示は省略する。
 図22は、表示素子20の第13具体例を示す断面図である。
 図22に示す第13具体例は、電子ブロック層F13が被覆層50を構成する例に相当する。すなわち、電子ブロック層F13は、端面SS1を含む下部電極E1、端面SS11を含むホール注入層F11、及び、端面SS12を含むホール輸送層F12を覆っている。発光層ELは、電子ブロック層F13の上に位置している。電子ブロック層F13は、下部電極E1よりも外側で絶縁層11に接している。なお、発光層ELよりも上層の図示は省略する。
 図23は、表示素子20の第14具体例を示す断面図である。
 図23に示す第14具体例は、ホールブロック層F21が被覆層50を構成する例に相当する。すなわち、ホールブロック層F21は、端面SS1を含む下部電極E1、端面SS11を含むホール注入層F11、端面SS12を含むホール輸送層F12、端面SS13を含む電子ブロック層F13、及び、端面SSELを含む発光層ELを覆っている。ホールブロック層F21は、下部電極E1よりも外側で絶縁層11に接している。なお、ホールブロック層F21よりも上層の図示は省略する。
 図24は、表示素子20の第15具体例を示す断面図である。
 図24に示す第15具体例は、電子ブロック層F13及びホールブロック層F21が被覆層50を構成する例に相当する。すなわち、電子ブロック層F13は、端面SS1を含む下部電極E1、端面SS11を含むホール注入層F11、及び、端面SS12を含むホール輸送層F12を覆っている。発光層ELは、電子ブロック層F13の上に位置している。ホールブロック層F21は、電子ブロック層F13、及び、端面SSELを含む発光層ELを覆っている。電子ブロック層F13は、下部電極E1よりも外側で絶縁層11に接している。ホールブロック層F21は、電子ブロック層F13よりも外側で絶縁層11に接している。なお、ホールブロック層F21よりも上層の図示は省略する。
 上述した表示素子20において、下部電極E1と駆動トランジスタ3とを接続するためのコンタクトホールCH1(あるいは導通材CD)の位置、及び、形状は、特に限定されるものではない。
 図25は、表示素子20の概略平面図である。
 図の左側に示す例では、コンタクトホールCH1は略円形状に形成され、導通材CDはコンタクトホールCH1に充填されている。図の右側に示す例では、コンタクトホールCH1は略楕円形状あるいは長円形状に形成され、導通材CDはコンタクトホールCH1に充填されている。
 なお、コンタクトホールCH1の位置については、平面視において下部電極E1と重畳する位置であれば、どこであってもよい。また、コンタクトホールCH1の形状については、四角形などの多角形であってもよい。また、平面視において、下部電極E1の面積に対するコンタクトホールCH1の面積の占める割合は、図25に示す例では、微小であるが、より大きくてもよく、例えば50%以上100%未満であってもよい。
 図26は、導通材CDと下部電極E1との境界面BRの一例を説明するための断面図である。
 図26に示す例では、境界面BRは、絶縁層11の上面U11よりも下方に位置している。つまり、導通材CDは、コンタクトホールCH1のうち、点線で示した上端まで充填されていない。下部電極E1は、コンタクトホールCH1に配置され、絶縁層11の傾斜面に沿って形成されている。このため、下部電極E1は、凹状の上面U1を有している。有機層ORは、上面U1に配置されている。上部電極E2は、有機層ORの上に配置されている。
 このような表示素子20によれば、点線の矢印で示した方向に発光するため、視野角を拡大することができる。
 図27は、導通材CDと下部電極E1との境界面BRの他の例を説明するための断面図である。
 図27に示す例では、境界面BRは、絶縁層11の上面U11よりも上方に位置している。つまり、導通材CDは、コンタクトホールCH1のうち、点線で示した上端を超えて充填されている。このため、境界面BRは、上方に向かって凸状に形成されている。下部電極E1は、凸状の上面U1を有している。有機層ORは、上面U1に配置されている。上部電極E2は、有機層ORの上に配置されている。
 このような表示素子20においても、点線の矢印で示した方向に発光するため、視野角を拡大することができる。
 図28は、上部電極E2の一構成例を示す平面図である。
 表示部DAにおいて、赤色の副画素SP1、緑色の副画素SP2、及び、青色の副画素SP3は、第1方向Xに並んでいる。複数の同一色の副画素は、第2方向Yに並んでいる。
 複数の上部電極E2は、それぞれ第2方向Yに延出した帯状に形成され、間隔を置いて第1方向Xに並んでいる。上部電極E2の各々は、表示部DAに配置されるとともに、表示部DAの外側に延出している。1つの上部電極E2は、第2方向Yに並んだ同一色の副画素に亘って配置されている。
 複数の給電線FLは、表示部DAの外側に配置され、平面視において、それぞれ上部電極E2に重畳している。上部電極E2は、コンタクトホールCH2において、給電線FLに接している。これにより、上部電極E2の各々に対して、所定の電圧が印加される。つまり、赤色の副画素SP1、緑色の副画素SP2、及び、青色の副画素SP3において、それぞれ最適な電圧を印加することができる。
 なお、図28に示す構成例では、上部電極E2は、表示部DAを挟んだ両側で給電線FLと電気的に接続されているが、いずれか一方の側のみで給電線FLと接続されていてもよい。
 図29は、上部電極E2の他の構成例を示す平面図である。
 図29に示す構成例は、図28に示した構成例と比較して、給電線FLがそれぞれ表示部DAに延出し、上部電極E2が表示部DAにおけるコンタクトホールCH21において給電線FLに接している点で相違している。
 また、上部電極E2は、表示部DAの外側に延出し、コンタクトホールCH22において、給電線FLに接している。但し、上部電極E2が表示部DAで給電線FLに接している場合には、上部電極E2は表示部DAの外側で給電線FLに接していなくてもよい。
 図30Aは、上部電極E2の他の構成例を示す平面図である。
 図30Aに示す構成例は、図28に示した構成例と比較して、上部電極E2が異なる色の副画素SP1、SP2、SP3に亘って配置された点で相違している。上部電極E2は、第2方向Yに延出し、表示部DAに配置されるとともに、表示部DAの外側に延出している。
 給電線FLは、表示部DAの外側に配置され、平面視において、上部電極E2に重畳している。上部電極E2は、複数のコンタクトホールCH2において、給電線FLに接している。これにより、上部電極E2に対して、所定の電圧が印加される。
 なお、図30Aに示す構成例では、上部電極E2は、表示部DAを挟んだ両側で給電線FLと電気的に接続されているが、いずれか一方の側のみで給電線FLと接続されていてもよい。
 図30Bは、上部電極E2の他の構成例を示す平面図である。
 図30Bに示す構成例は、図30Aに示した構成例と比較して、給電線FLがそれぞれ表示部DAに延出し、上部電極E2が表示部DAにおけるコンタクトホールCH21において給電線FLに接している点で相違している。
 また、上部電極E2は、表示部DAの外側に延出し、コンタクトホールCH22において、給電線FLに接している。但し、上部電極E2が表示部DAで給電線FLに接している場合には、上部電極E2は表示部DAの外側で給電線FLに接していなくてもよい。
 図31Aは、上部電極E2の他の構成例を示す平面図である。
 図示した例では、青色(B)の副画素SP3の面積は、赤色(R)の副画素SP1及び緑色(G)の副画素SP2の各々の面積と比較して大きい。また、第2方向Yに沿った長さについて、副画素SP3は、副画素SP1及び副画素SP2よりも長い。
 表示部DAにおいて、副画素SP1及び副画素SP3は、第1方向Xに沿って交互に並んでいる。また、副画素SP2及び副画素SP3は、第1方向X沿って交互に並んでいる。副画素SP1及び副画素SP2は、第2方向Yに沿って交互に並んでいる。副画素SP3は、第2方向Yに並んでいる。
 このような副画素のレイアウトにおいて、上部電極E2は、図30Aに示した構成例と同様に、異なる色の副画素SP1、SP2、SP3に亘って配置されている。また、上部電極E2は、第2方向Yに延出し、表示部DAに配置されるとともに、表示部DAの外側に延出している。
 給電線FLは、表示部DAの外側に配置され、平面視において、上部電極E2に重畳している。上部電極E2は、複数のコンタクトホールCH2において、給電線FLに接している。これにより、上部電極E2に対して、所定の電圧が印加される。
 図31Bは、上部電極E2の他の構成例を示す平面図である。
 図31Aを参照して説明した副画素のレイアウトにおいて、複数の同一色の副画素が第2方向Yに並んでいる箇所には、帯状に形成された上部電極E2が配置され、異なる色の副画素が第2方向Yに並んでいる箇所には、島状に形成された上部電極E2がそれぞれ配置されている。
 図示した例では、青色(B)の副画素SP3は、第2方向Yに並んでいる。これらの副画素SP3に配置される上部電極E2は、第2方向Yに延出した帯状に形成され、表示部DAのコンタクトホールCH21において給電線FLに接し、また、表示部DAの外側のコンタクトホールCH22において給電線FLに接している。但し、上部電極E2は、コンタクトホールCH21及びCH22のいずれか一方で給電線FLに接していてもよい。
 赤色(R)の副画素SP1、及び、緑色(G)の副画素SP2の各々に配置される上部電極E2は、島状に形成され、表示部DAのコンタクトホールCH21において給電線FLに接している。
  《実施例》 
 図32は、一実施例を示す平面図である。
 給電線FLは、表示部DAに配置されるとともに、表示部DAの外側に延出している。表示部DAにおいては、給電線FLは、コンタクトホールCH1に重畳しない。各表示素子20の下部電極E1は、コンタクトホールCH1に重畳し、また、給電線FLにも重畳している。コンタクトホールCH21は、下部電極E1に並んで形成され、給電線FLに重畳している。表示部DAの外側では、給電線FLに重畳するコンタクトホールCH22が形成されている。上部電極E2は、表示部DAにおいて、下部電極E1及びコンタクトホールCH21に重畳し、表示部DAの外側において、コンタクトホールCH22に重畳している。
 図33は、図32に示した表示素子20のA-B線に沿った断面図である。
 基材10と絶縁層(第1絶縁層)11との間には、複数の絶縁層I1乃至I4が配置されている。絶縁層I1は基材10の上に配置され、絶縁層I2は絶縁層I1の上に配置され、絶縁層I3は絶縁層I2の上に配置され、絶縁層I4は絶縁層I3の上に配置され、絶縁層11は絶縁層I4の上に配置されている。絶縁層I1乃至I4は、例えば、シリコン窒化物、シリコン酸化物などで形成された無機絶縁層である。
 画素スイッチ2の半導体SC1、及び、駆動トランジスタ3の半導体SC2は、例えば、多結晶シリコンであり、絶縁層I1と絶縁層I2との間に位置している。駆動トランジスタ3のドレイン電極DEは、絶縁層I4と絶縁層11との間に位置し、半導体SC2に接している。導通材CDは、絶縁層11に形成されたコンタクトホール(第1コンタクトホール)CH1において、ドレイン電極DEに接している。
 給電線FLは、絶縁層11の上に配置されている。絶縁層(第2絶縁層)12は、絶縁層11の上に配置され、給電線FLまで貫通したコンタクトホール(第2コンタクトホール)CH21を有している。
 下部電極E1は、絶縁層12の上に配置され、コンタクトホールCH1において導通材CDに接している。有機層ORは、下部電極E1に積層されている。被覆層50は、下部電極E1の端面SS1及び有機層ORの端面SS2を覆っている。また、被覆層50は、下部電極E1の外側において絶縁層12に接している。
 上部電極E2は、有機層OR及び被覆層50を覆っている。また、上部電極E2は、表示素子20の外側のコンタクトホールCH21において、給電線FLに接している。
 このような実施例によれば、上記の通り、表示に寄与する面積を拡大することができ、また、有機層ORの周縁部での不所望な電流リーク等が抑制され、表示素子20の性能低下を抑制することができる。加えて、表示部DAに配置された給電線FLにより、各表示素子20の上部電極E2に所望の電圧を印加することができる。つまり、表示部DAの全域に亘って均一な電圧を印加することができる。
 以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
 本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
 また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
 DSP…表示装置 3…駆動トランジスタ(スイッチング素子) 10…基材
 11…絶縁層(第1絶縁層) CH1…コンタクトホール(第1コンタクトホール)
 12…絶縁層(第2絶縁層) CH21…コンタクトホール(第2コンタクトホール)
 CD…導通材 FL…給電線
 20…表示素子 E1…下部電極 E2…上部電極 OR…有機層
 F11…ホール注入層 F12…ホール輸送層 F13…電子ブロック層
 F21…ホールブロック層 F22…電子輸送層 F23…電子注入層
 30…封止層 40…光取出層
 50…被覆層

Claims (18)

  1.  基材と、
     前記基材の上方に配置されたスイッチング素子と、
     前記基材の上方に配置され、前記スイッチング素子まで貫通した第1コンタクトホールを有する第1絶縁層と、
     前記第1コンタクトホールに充填された導通材と、
     前記第1絶縁層の上方に配置され、前記導通材に接する下部電極と、
     前記下部電極に積層された有機層であって、前記下部電極の上のホール注入層、前記ホール注入層の上のホール輸送層、及び、前記ホール輸送層の上の発光層を含む有機層と、
     前記有機層に積層された上部電極と、
     前記下部電極、前記ホール注入層、及び、前記ホール輸送層の各々の端面を覆う被覆層と、
     を備える、表示装置。
  2.  前記有機層は、さらに、前記ホール輸送層と前記発光層との間の電子ブロック層を含み、
     前記被覆層は、前記電子ブロック層の端面を覆っている、請求項1に記載の表示装置。
  3.  前記被覆層は、前記発光層の端面を覆っている、請求項2に記載の表示装置。
  4.  前記有機層は、さらに、前記発光層の上のホールブロック層を含み、
     前記被覆層は、前記ホールブロック層の端面を覆っている、請求項3に記載の表示装置。
  5.  前記有機層は、さらに、前記ホールブロック層の上の電子輸送層を含み、
     前記被覆層は、前記電子輸送層の端面を覆っている、請求項4に記載の表示装置。
  6.  前記有機層は、さらに、前記電子輸送層の上の電子注入層を含み、
     前記被覆層は、前記電子注入層の端面を覆っている、請求項5に記載の表示装置。
  7.  前記有機層は、さらに、
     前記ホール輸送層と前記発光層との間の電子ブロック層と、
     前記発光層と前記上部電極との間のホールブロック層と、を含み、
     前記被覆層は、前記電子ブロック層及び前記ホールブロック層の少なくとも一方である、請求項1に記載の表示装置。
  8.  基材と、
     前記基材の上方に配置されたスイッチング素子と、
     前記基材の上方に配置され、前記スイッチング素子まで貫通した第1コンタクトホールを有する第1絶縁層と、
     前記第1コンタクトホールに充填された導通材と、
     前記第1絶縁層の上方に配置され、前記導通材に接する下部電極と、
     発光層を含み、前記下部電極に積層された有機層と、
     前記有機層に積層された上部電極と、
     前記下部電極の端面を覆う被覆層と、
     を備える、表示装置。
  9.  さらに、封止層を備え、
     前記封止層は、前記上部電極及び前記被覆層を覆うとともに、前記第1絶縁層に接している、請求項8に記載の表示装置。
  10.  さらに、封止層を備え、
     前記上部電極は、前記被覆層を覆うとともに、前記第1絶縁層に接し、
     前記封止層は、前記上部電極に積層されている、請求項8に記載の表示装置。
  11.  基材と、
     前記基材の上方に配置されたスイッチング素子と、
     前記基材の上方に配置され、前記スイッチング素子まで貫通した第1コンタクトホールを有する第1絶縁層と、
     前記第1コンタクトホールに充填された導通材と、
     前記第1絶縁層の上方に配置され、前記導通材に接する下部電極と、
     発光層を含み、前記下部電極に積層され、前記下部電極の端面を覆う有機層と、
     前記有機層に積層され、前記有機層の端面を覆う上部電極と、
     を備える、表示装置。
  12.  さらに、封止層を備え、
     前記封止層は、前記上部電極を覆うとともに、前記第1絶縁層に接している、請求項11に記載の表示装置。
  13.  さらに、封止層を備え、
     前記上部電極は、前記第1絶縁層に接し、
     前記封止層は、前記上部電極に積層されている、請求項11に記載の表示装置。
  14.  前記導通材と前記下部電極との境界面は、前記第1絶縁層の上面より下方に位置している、請求項1に記載の表示装置。
  15.  前記導通材と前記下部電極との境界面は、前記第1絶縁層の上面より上方に位置している、請求項1に記載の表示装置。
  16.  さらに、前記第1絶縁層の上に配置された給電線と、
     前記給電線まで貫通した第2コンタクトホールを有する第2絶縁層と、を備え、
     前記上部電極は、前記第2コンタクトホールにおいて前記給電線に接している、請求項1に記載の表示装置。
  17.  さらに、封止層を備え、
     前記封止層は、前記上部電極及び前記被覆層を覆うとともに、前記第1絶縁層に接している、請求項1に記載の表示装置。
  18.  さらに、封止層を備え、
     前記上部電極は、前記被覆層を覆うとともに、前記第1絶縁層に接し、
     前記封止層は、前記上部電極に積層されている、請求項1に記載の表示装置。
PCT/JP2022/000571 2021-02-09 2022-01-11 表示装置 WO2022172670A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022581258A JPWO2022172670A1 (ja) 2021-02-09 2022-01-11
US18/366,681 US20230380207A1 (en) 2021-02-09 2023-08-08 Display device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-018997 2021-02-09
JP2021018997 2021-02-09

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US18/366,681 Continuation US20230380207A1 (en) 2021-02-09 2023-08-08 Display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022172670A1 true WO2022172670A1 (ja) 2022-08-18

Family

ID=82837769

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2022/000571 WO2022172670A1 (ja) 2021-02-09 2022-01-11 表示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230380207A1 (ja)
JP (1) JPWO2022172670A1 (ja)
WO (1) WO2022172670A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001110566A (ja) * 1999-10-04 2001-04-20 Sanyo Electric Co Ltd El表示装置の製造方法
JP2006511916A (ja) * 2002-12-19 2006-04-06 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 有機エレクトロルミネセンス装置およびその製造方法
JP2007128041A (ja) * 2005-11-03 2007-05-24 Samsung Sdi Co Ltd 平板ディスプレイ装置
JP2009164032A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス照明装置
JP2010225293A (ja) * 2009-03-19 2010-10-07 Sharp Corp 機能性素子及び表示装置
WO2017029889A1 (ja) * 2015-08-19 2017-02-23 株式会社カネカ 有機elパネル、照明装置、並びに、有機elパネルの製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001110566A (ja) * 1999-10-04 2001-04-20 Sanyo Electric Co Ltd El表示装置の製造方法
JP2006511916A (ja) * 2002-12-19 2006-04-06 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 有機エレクトロルミネセンス装置およびその製造方法
JP2007128041A (ja) * 2005-11-03 2007-05-24 Samsung Sdi Co Ltd 平板ディスプレイ装置
JP2009164032A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス照明装置
JP2010225293A (ja) * 2009-03-19 2010-10-07 Sharp Corp 機能性素子及び表示装置
WO2017029889A1 (ja) * 2015-08-19 2017-02-23 株式会社カネカ 有機elパネル、照明装置、並びに、有機elパネルの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2022172670A1 (ja) 2022-08-18
US20230380207A1 (en) 2023-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20190072824A (ko) 전계발광 표시장치
US11910655B2 (en) Display device
US20220223669A1 (en) Display device
US20230422551A1 (en) Display device
US12052880B2 (en) Display device and method for manufacturing display device
KR102455567B1 (ko) 전계발광 표시장치
US20220238840A1 (en) Display device
WO2022172670A1 (ja) 表示装置
US20220199937A1 (en) Display device
JP2023003679A (ja) 表示装置及びその製造方法
JP7126140B2 (ja) 有機el表示装置
JP2023072974A (ja) 表示装置
WO2022168513A1 (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
WO2022176736A1 (ja) 表示装置
WO2022191112A1 (ja) 表示装置
WO2022163310A1 (ja) 表示装置
US20220140061A1 (en) Display device
US20220231263A1 (en) Display device
JP7520697B2 (ja) 表示装置
US20220238852A1 (en) Display device and method for manufacturing display device
WO2022176395A1 (ja) 表示装置
US12035571B2 (en) Display device
US12004378B2 (en) Display device
US12101968B2 (en) Display device
JP2022115548A (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22752503

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2022581258

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 22752503

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1