KR20060025651A - 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 - Google Patents

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KR20060025651A
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Abstract

본 발명에서는, 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 상에 데이터 배선과 게이트 배선이 교차하여 정의되는 서브픽셀 별로 구비된 어레이 소자와; 상기 제 1 기판과 소정간격을 가지며 대향되게 배치된 제 2 기판과; 상기 제 2 기판 하부 전면에 도전성 물질로서 구성된 제 1 전극과; 상기 제 1 전극 하부에 상기 서브픽셀에 각각 대응하며 형성된 절연층과; 상기 제 1 전극 하부에 상기 절연층이 형성된 영역 외의 서브픽셀 영역에 대응하여 순차 반복되며 구성된 적, 녹, 청색의 유기전계발광층과; 상기 유기전계발광층과 상기 절연층 상부에 각 서브픽셀별로 독립적으로 구성된 제 2 전극과; 상기 제 2 기판 내에 구성된 절연층과 중첩하며, 제 1 접촉면적을 가지며 상기 어레이 소자 및 제 2 전극과 동시에 접촉하며 형성된 전기적 연결패턴을 포함하는 유기전계발광 소자를 제공함으로써 상기 전기적 연결패턴에 의해 진공압력이 집중됨으로써 발생하는 유기전계발광층의 변형을 방지하여 유기전계발광 다이오드의 수명을 연장시키며, 표시품질 또한 향상시킬 수 있다.
DOD, 전기적 연결패턴, 발광층열화, OLED

Description

유기전계발광 소자 및 그의 제조방법{Organic electro-luminescent device and method for fabricating the same}
도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 기본 픽셀 구조를 나타낸 도면.
도 2는 종래의 하부발광방식 유기전계발광 소자에 대한 개략적인 단면도.
도 3은 상기 도 2의 유기전계발광 소자의 한 서브픽셀 영역에 대한 확대 단면도.
도 4는 어레이 소자와 유기전계발광 다이오드가 각각 서로 다른 기판에 구성된 상부발광방식의 유기전계발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도.
도 5는 도 4의 A영역 확대도.
도 6a는 본 발명에 따른 상부발광방식의 유기전계발광 소자에 대한 개략적인 단면도.
도 6b는 본 발명에 따른 상부발광방식의 유기전계발광 소자의 하나의 서브화소영역 내에 형성된 유기전계발광 다이오드의 단면을 도시한 도면.
도 7은 전기적 연결패턴과 접촉하는 부분의 유기전계발광 다이오드의 일부 단면을 도시한 도면.
도 8은 본 발명에 따른 유기전계발광 소자 제조 공정의 일실시예에 따른 공정 순서를 도시한 공정 순서도.
도 9는 본 발명에 따른 유기전기발광 소자의 제 1 기판 상에 형성되는 어레이 소자의 일례를 도시한 단면도.
도 10은 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 하나의 화소영역의 단면일부를 격벽을 포함하여 도시한 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
211, 231 : 투명 기판 210 : 제 1 기판
212 : 연결전극 패턴 214 : 전기적 연결패턴
220 : 어레이 소자 230 : 제 2 기판
232 : 제 1 전극 234a, 234b, 234c : 적, 녹, 청색 유기전계발광층
235 : 절연층 236 : 제 2 전극
240 : 씰패턴
DrT : 구동 박막트랜지스터 E : 유기전계발광 다이오드
I : 제 1, 2 기판 간 이격공간
P : 픽셀 SbP : 서브픽셀
본 발명은 유기전계발광 소자(Organic Electroluminescent Device)에 관한 것으로, 특히 상부발광방식 액티브 매트릭스형(Active Matrix type) 유기전계발광 소자에 관한 것이다.
새로운 평판 디스플레이(FPD ; Flat Panel Display)중 하나인 유기전계발광 소자는 자체발광형이기 때문에 액정표시장치에 비해 시야각, 콘트라스트 등이 우수하며 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하며, 직류저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부충격에 강하고 사용온도범위도 넓으며 특히 제조비용 측면에서도 저렴한 장점을 가지고 있으므로 소형 크기의 평판디스플레이 소자로서 활용되고 있다.
이하, 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 기본적인 구조 및 동작특성에 대해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 기본 픽셀 구조를 나타낸 도면이다.
도시한 바와 같이, 제 1 방향으로 게이트 배선이 형성되어 있고, 이 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 형성되며, 서로 일정간격 이격된 데이터 배선 및 전력공급배선(powersupply line, CLS)이 형성되어 있어, 하나의 서브픽셀 영역(SP)을 정의한다.
상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차지점에는 어드레싱 엘리먼트(addressing element)인 스위칭 박막트랜지스터(switching TFT, SwT)가 형성되어 있고, 이 스위칭 박막트랜지스터(SwT) 및 전력 공급배선과 연결되어 스토리지 캐패시터(CST)가 형성되어 있으며, 이 스토리지 커패시터(CST) 및 전력 공급배선과 연결되어, 전류원 엘리먼트(current source element)인 구동 박막트랜지스터(DrT)가 형성되어 있고, 이 구동 박막트랜지스터(DrT)와 연결되어 유기전계발광 다이오드(Electroluminescent Diode, E)가 구성되어 있다.
이때, 상기 유기전계발광 다이오드(E)는 유기발광물질에 순방향으로 전류를 공급하면, 정공 제공층인 양극(anode electrode)과 전자 제공층인 음극(cathode electrode)간의 P(positive)-N(negative) 접합(Junction)부분을 통해 전자와 정공이 이동하면서 서로 재결합하여, 상기 전자와 정공이 떨어져 있을 때보다 작은 에너지를 가지게 되므로, 이때 발생하는 에너지 차로 인해 빛을 방출하는 원리를 이용하는 것이다.
이러한 유기전계발광 소자는 유기전계발광 다이오드에서 발광된 빛의 진행방향에 따라 상부 발광방식(top emission type)과 하부 발광방식(bottom emission type)으로 나뉜다.
이하, 도 2는 종래의 하부발광방식 유기전계발광 소자에 대한 개략적인 단면도로서, 적, 녹, 청 서브픽셀로 구성되는 하나의 픽셀 영역을 중심으로 도시하였다.
도시한 바와 같이, 제 1, 2 기판(10, 30)이 서로 대향되게 배치되어 있고, 제 1, 2 기판(10, 30)의 테두리부는 씰패턴(seal pattern, 40)에 의해 봉지되어 있 다. 이때, 상기 제 1 기판(10)의 투명 기판(11) 상부에는 서브픽셀(SbP)별로 구동 박막트랜지스터(DrT)가 형성되어 있고, 상기 구동 박막트랜지스터(DrT)와 연결되어 유기전계발광 다이오드를 구성하는 구성요소 중 하나인 제 1 전극(12)이 형성되어 있고, 상기 구동 박막트랜지스터(DrT)와 연결된 제 1 전극(12) 상부에는 각 서브픽셀(SbP)별로 독립적인 적, 녹, 청색을 띠는 발광물질을 포함하는 유기전계발광층(14)이 형성되어 있고, 유기전계발광층(14) 상부에는 제 2 전극(16)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제 1, 2 전극(12, 16)은 유기전계발광층(14)에 전계를 인가해주는 역할을 한다.
그리고, 전술한 씰패턴(40)에 의해서 제 2 전극(16)과 제 2 기판(30) 사이는 일정간격 이격되어 있으며, 도면으로 제시하지는 않았지만, 제 2 기판(30)의 내부면에는 외부로부터 유입될 수 있는 수분을 차단하는 흡습제 및 흡습제와 제 2 기판(30)간의 접착을 위한 반투성 테이프가 포함된다.
상기 유기전계발광층(14)을 포함하는 유기전계발광 다이오드에 대해 조금 상세히 설명하면, 일예로서, 하부발광방식 구조에서 상기 제 1 전극(12)을 양극으로, 제 2 전극(16)을 음극으로 구성할 경우 제 1 전극(12)은 투명도전성 물질에서 선택되고, 제 2 전극(16)은 일함수가 낮은 금속물질에서 선택되며, 이런 조건 하에서 상기 유기전계발광층(14)은 제 1 전극(12)과 접하는 층에서부터 정공주입층(14a ; hole injection layer), 정공수송층(14b ; hole transporting layer), 발광층(14c ; emission layer), 전자수송층(14d ; electron transporting layer) 순서대로 적층된 구조를 이룬다. 이때, 상기 발광층(14c)은 서브픽셀(Sub)별로 적, 녹, 청 컬 러를 구현하는 발광물질이 차례대로 배치된 구조를 가진다.
도 3은 상기 도 2 하부발광방식 유기전계발광 소자의 하나의 서브픽셀 영역에 대한 확대 단면도이다.
도시한 바와 같이, 투명 기판(11) 상에는 반도체층(62), 게이트 절연막(63), 게이트 전극(68), 소스 및 드레인 전극(80, 82)이 차례대로 형성되어 박막트랜지스터 영역(TrA)을 이루고 있으며, 상기 소스 및 드레인 전극(80, 82)에는 전원공급 배선(미도시)에서 형성된 파워 전극(72) 및 유기전계발광 다이오드(E)가 각각 연결되어 있다. 그리고, 상기 파워 전극(72)과 대응하는 하부에는 절연체가 개재된 상태로 상기 반도체층(62)과 동일물질로 이루어진 커패시터 전극(64)이 위치하여, 상기 파워 전극(72)과 커패시터 전극(64)이 대응하는 영역은 스토리지 커패시터 영역(StgA)을 이루며, 상기 유기전계발광 다이오드(E) 이외의 박막트랜지스터 영역(TrA) 및 스토리지 커패시터 영역(CstA)에 형성된 소자들은 어레이 소자(A)를 형성하고 있다. 또한, 상기 유기전계발광 다이오드(E)는 유기전계발광층(14)이 개재된 상태로 서로 대향된 제 1 전극(12) 및 제 2 전극(16)으로 구성되고 있으며, 상기 유기전계발광 다이오드(E)는 자체발광된 빛을 외부로 방출시키는 발광 영역(EmA)에 위치하고 있다.
전술한 바와 같은 유기전계발광 소자는 어레이 소자(A)와 유기전계발광 다이오드(E)가 동일 기판 상에 적층된 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하고 있다.
하지만, 전술한 어레이 소자(A)와 유기전계발광 다이오드(E)가 동일 기판(11) 상에 적층된 구조의 유기전계발광 소자는 그 제조에 있어서, 어레이 소자(A) 및 유기전계발광 다이오드(E)가 형성된 기판(11)과 별도의 인캡슐레이션용 기판(31)의 합착을 통해 소자를 제작하게 되는데 이 경우, 어레이 소자(A)의 수율과 유기전계발광 다이오드(E)의 수율의 곱이 유기전계발광 소자의 수율을 결정하기 때문에, 기존의 유기전계발광 소자 구조에서는 후반 공정에 해당되는 유기전계발광 다이오드 공정에 의해 전체 공정 수율이 크게 제한되는 문제점이 있다.
또한, 하부발광방식은 인캡슐레이션에 의한 안정성 및 공정이 자유도가 높은 반면 개구율의 제한이 있어 고해상도 제품에 적용하기 어려운 문제점이 있다.
따라서 이러한 문제점을 해결하고자 상부발광방식을 적용하면서도 어레이 소자 및 유기전계발광 다이오드를 서로 다른 기판에 형성하고, 상기 두 기판을 전기적으로 도통되도록 합착하여 구성한 유기전계발광 소자가 제안되었다.
도 4는 어레이 소자와 유기전계발광 다이오드가 각각 서로 다른 기판에 구성된 상부발광방식의 유기전계발광 소자를 개략적으로 도시한 단면도이며, 도 5는 도 4의 A영역 확대도이다.
도시한 바와 같이, 제 1, 2 기판(110, 130)이 서로 대향되게 배치되어 있고, 제 1, 2 기판(110, 130)의 테두리부는 씰패턴(140)에 의해 봉지되어 있다. 상기 제 1 기판(110)의 상부에는 각 서브픽셀(SbP)별로 어레이 소자(120)가 형성되어 있고, 제 2 기판(130)의 하부에는 상기 제 1 기판(110)의 각 서브픽셀(SbP)에 대응하여 유기전계발광 다이오드(E)가 형성되어 있다. 이때, 상기 유기전계발광 다이오드(E)는 공통전극으로 이용되는 제 1 전극(132)과 상기 제 1 전극(132) 하부에 유기전계발광층(134)과, 상기 유기전계발광층(134) 하부에 서브픽셀(SbP) 별로 독립적으로 형성된 제 2 전극(136)으로 형성되고 있다. 이때, 상기 제 1 기판(110) 상에 각 서브픽셀(SbP)별로 형성된 어레이 소자(120)는 구동 박막트랜지스터(DrT)와 상기 구동 박막트랜지스터(DrT)와 연결되는 연결전극(112)으로 구성되고 있다.
또한, 상기 제 2 기판(130)에 형성된 상기 제 2 전극(136)과 상기 제 1 기판(110)에 형성된 연결전극(112) 사이 구간에는 전술한 씰패턴(140)과 평행한 방향으로 제 2 전극(136)과 어레이 소자(120)를 전기적으로 도통시키는 전기적 연결패턴(114)이 형성되어 있다.
전술한 바와 같은 유기전계발광 다이오드(E)와 어레이 소자(120)를 각각 서로 다른 기판에 형성한 상부발광방식의 유기전계발광 소자에 있어 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(130)을 합착하는 공정은 대략 10-2Torr 내지 10-3Torr의 진공의 분위기에서 진행하고 있다. 이때, 상기 전기적 연결패턴(114)은 전술한 바와 같은 진공의 분위기에서 제 1 기판(110) 상부의 연결전극(112)과 제 2 기판(130) 하부의 제 2 전극(136)을 지지하게 되는데, 이때 상기 전기적 연결패턴(114)의 접촉면적은 대략 10㎛2 내지 20㎛2 이 되고 있다. 이 경우 전술한 크기의 접촉면적을 갖는 전기적 연결패턴(114)과 접촉하는 국부적인 영역에 내부 진공 압력이 집중되게 되며 이는 제 2 기판(130) 하부에 형성된 제 2 전극(136)을 거쳐 상기 제 2 전극(136) 하부에 형성된 유기전계발광층(134)에도 압력이 전달되게 된다.
한편, 상기 제 2 기판(130)에서 유기전계 다이오드(E)를 형성하는 요소 중 하나인 제 2 전극(136)은 일반적으로 열 증착(thermal evaporation)에 의해 형성되 며 이렇게 형성된 유기전계발광 다이오드(E)의 제 2 전극(136)은 그 표면상태가 매우 거칠게 형성되고, 막의 밀도(density) 또한 낮게 형성됨으로써 상기 제 2 전극(136)의 표면과 접촉하는 전기적 연결패턴(114)에 의해 더욱 정확히는 상기 전기적 연결패턴(114)에 의한 압력에 의해 변형이 이루어지거나 또는 파손되는 문제가 발생한다.
또한, 이러한 압력에 의한 유기전계발광 다이오드(E)의 제 2 전극(136)의 변형은 상부의 유기전계발광층(134)에 그대로 전달되어 유기전계발광층(134)의 변형을 유발하게 되며, 이러한 유기전계발광층(134)의 물리적인 변형은 막표면에 스트레스(stress)를 유발하게 되고 내부 분자구조의 변형도 유발시키게 되며 결과적으로 유기전계발광층(134)의 특성 저하 및 열화를 유발하게 되는 문제가 있다.
상기 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 제 1 기판과 제 2 기판의 전기적 연결패턴에 의해 지지되는 부분에 유기전계발광층을 형성하지 않는 구조의 상부발광방식의 유기전계발광 소자를 제공함으로써 유기전계발광 다이오드의 열화를 방지하고 수명을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기전계발광 소자는 제 1 기판과; 상기 제 1 기판 상에 데이터 배선과 게이트 배선이 교차하여 정의되는 서브픽 셀 별로 구비된 어레이 소자와; 상기 제 1 기판과 소정간격을 가지며 대향되게 배치된 제 2 기판과; 상기 제 2 기판 하부 전면에 도전성 물질로서 구성된 제 1 전극과; 상기 제 1 전극 하부에 상기 서브픽셀에 각각 대응하여 형성된 절연층과; 상기 제 1 전극 하부에 상기 절연층이 형성된 영역 외의 서브픽셀 영역에 대응하여 순차 반복되며 구성된 적, 녹, 청색의 유기전계발광층과; 상기 유기전계발광층과 상기 절연층 상부에 각 서브픽셀별로 독립적으로 구성된 제 2 전극과; 상기 제 2 기판 내에 구성된 절연층과 중첩하며, 제 1 접촉면적을 가지며 상기 어레이 소자 및 제 2 전극과 동시에 접촉하며 형성된 전기적 연결패턴을 포함한다.
이때, 상기 제 1 기판에는 상기 어레이 소자와 연결되는 연결전극을 더욱 포함한다.
또한, 상기 어레이 소자는 하나 이상의 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 포함하며, 이때, 상기 연결전극은 어레이 소자의 구성 요소 중 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하며 연결되거나, 또는 상기 연결전극은 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극이 연장 형성된 패턴인 것이 특징이다.
또한, 상기 절연층은 제 1 너비를 가지며 각 서브픽셀을 둘러싸며 매트릭스 형태로 형성된 것이 특징이며, 상기 제 1 너비를 가지며 각 서브픽셀을 둘러싸며 형성된 절연층 위로 상기 제 1 너비보다 좁은 제 2 너비를 가지며 상기 절연층과 동일한 형태로 상기 각 서브픽셀의 내측으로 제 3 너비의 상기 절연층을 노출시키며 형성된 격벽을 더욱 포함하며, 이때, 상기 제 2 전극은 상기 제 3 너비의 절연층 영역까지 형성된 것이 특징이다.
이때, 상기 제 3 너비는 상기 전기적 연결패턴의 제 1 접촉면적의 너비보다 더 큰 것이 특징이다.
또한, 상기 절연층은 상기 제 1 접촉면적을 갖는 전기적 연결패턴보다 더 넓은 제 1 면적을 가짐으로써 상기 제 1 면적과 상기 제 1 접촉면적을 갖는 전기적 연결패턴의 접촉면이 중첩되도록 형성된 것이 특징이다.
또한, 상기 제 1 접촉면적은 10㎛2 내지 20㎛2 인 것이 바람직하다.
또한, 상기 전기적 연결패턴은 연성이 있는 도전성 물질로 형성되거나 또는
상기 전기적 연결패턴은 그 표면이 도전성 물질로 도금된 유기물질로 형성된 것이 특징이다.
또한, 상기 제 1 전극은 일함수 값이 제 2 전극보다 크며, 투명한 도전성 물질 중에서 선택되는 물질로 형성되는 것이 바람직하며, 상기 제 2 전극은 상기 제 1 전극보다 작은 일함수 값을 가지며, 불투명한 금속물질로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 유기전계발광층은 적, 녹, 청색을 띠는 발광물질이 순차대로 반복 배열된 발광층과; 상기 발광층 상부 또는 하부로 전자, 정공 중 어느 하나를 수송 또는 주입하는 유기물질층을 더욱 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 제 1, 2 기판 중 어느 하나의 기판 테두리에는 씰패턴이 더욱 구비된 것이 특징이다.
본 발명에 의한 유기전계발광소자의 제조 방법은 제 1, 2 기판이 서로 대향 하여 배치되며 적, 녹, 청색 서브픽셀이 순차 반복적으로 정의되는 유기전계발광소자의 제조에 있어서, 상기 제 1 기판 상에 데이터 배선과 게이트 배선과 상기 두 배선이 교차함으로써 정의되는 다수의 서브픽셀과, 상기 서브픽셀 내 각각에 구동 박막 트랜지스터와 스위칭 박막 트랜지스터를 포함하는 어레이 소자를 형성하는 단계와; 상기 제 2 기판 전면에 투광성이 우수한 도전성 물질로 이루어진 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극 하부에 상기 각각의 서브픽셀에 대응하여 절연층을 형성하는 단계와; 상기 각 서브픽셀의 상기 절연층이 형성된 영역을 제외한 영역에 순차 반복적인 적, 녹, 청색의 유기전계발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기전계발광층과 절연층 하부에 각 서브픽셀별로 분리된 형태의 제 2 전극을 형성하는 단계와; 상기 구동 박막트랜지스터의 일전극과 연결되는 다수의 전기적 연결패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 1, 2 기판을 상기 전기적 연결패턴이 상기 절연층과 중첩되도록 대향시키고 합착하는 단계를 포함한다.
이때, 상기 구동 박막트랜지스터와 연결되는 연결전극을 형성하는 단계를 더욱 포함하며, 상기 일전극은 구동박막트랜지스터의 드레인 전극 또는 연결전극인 것이 특징이다.
또한, 상기 절연층은 각 서브픽셀을 제 1 너비를 가지며 둘러싸는 구조의 매트릭스 패턴 형태로 형성되는 것이 특징이며, 이때, 상기 제 1 너비를 가지며 각 서브픽셀을 둘러싸며 형성된 절연층 위로 상기 제 1 너비보다 좁은 제 2 너비를 가지며 상기 절연층과 동일한 형태로 상기 각 서브픽셀의 내측으로 제 3 너비의 상기 절연층을 노출시키며 형성된 격벽을 형성하는 단계를 더욱 포함하며, 이때 상기 제 2 전극은 상기 제 3 너비의 절연층 영역까지 형성된 것이 특징이다.
또한, 상기 적, 녹, 청색의 유기전계발광층은 쉐도우 마스크를 이용한 증착법에 의해 상기 절연층과 중첩되지 않도록 형성되는 것이 특징이다.
또한, 상기 제 2 전극은 서브픽셀 내에서 상부의 유기전계발광층의 면적보다 넓은 면적을 가지며 형성되는 것이 특징이다.
또한, 상기 제 1, 2 기판 중 어느 하나의 기판 테두리에 씰패턴을 형성하는 단계를 더욱 포함한다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 6a와 6b는 본 발명에 따른 상부발광방식의 유기전계발광 소자에 대한 개략적인 단면도 및 하나의 서브화소영역 내의 유기전계발광 다이오드의 단면을 도시한 도면이며, 도 7은 전기적 연결패턴과 접촉하는 부분(B영역)의 유기전계발광 다이오드의 일부 단면을 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 제 1, 2 기판(210, 230)이 서로 대향되게 배치되어 있고, 제 1, 2 기판(210, 230)의 테두리부는 씰패턴(240)에 의해 봉지되어 있다.
또한, 상기 제 1 기판(210)의 투명 기판(211) 상부에는 도면에는 도시하지 않았지만, 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)에 의해 상기 두 배선(미도시)이 교차하여 정의되는 다수의 서브화소(SbP)가 구성되어 있으며, 상기 각 서브화소(SbP)별로 하나 이상의 박막트랜지스터 더욱 정확히는 스위칭 소자로서의 역할을 하는 스위칭 박막트랜지스터(미도시)와 유기전계발광 다이오드를 컨트롤하는 구동용 박막트랜지스터(DrT)와 상기 구동용 박막트랜지스터(DrT)의 일전극과 연결된 연결전극(212)으로 구성되는 어레이 소자(220)가 형성되어 있는 것이 특징이다.
좀 더 상세히 설명하며, 상기 어레이 소자(220)는 하나 이상의 스위칭 박막트랜지스터(미도시)와 하나 이상의 구동 박막트랜지스터(DrT)와 상기 구동 박막트랜지스터(DrT)와 연결되는 연결전극(212)으로 구성되는데, 상기 연결전극(212)은 구동용 박막트랜지스터(DrT)를 이루는 구성요소 중 하나인 전극패턴 더욱 정확히는 드레인 전극(미도시)이 연장되어 이루어지거나 또는, 별도의 금속물질을 상기 드레인 전극(미도시)과 접촉하도록 패턴화함으로써 형성될 수도 있다.
다음, 상기 제 2 기판(230)의 투명 기판(231) 하부에는 상기 제 1 기판(210)상의 각 서브화소(SbP)마다 순차 반복 대응하며 적, 녹, 청색 유기 전계 발광층(234a, 234b, 234c)을 포함하는 유기전계발광 다이오드(E)가 형성되어 있다. 이때, 상기 유기전계발광 다이오드(E)는 투명기판(231) 전면에 형성된 것을 특징으로 하는 제 1 전극(232)과, 상기 제 1 전극(232) 하부에 위치하며 상기 제 1 기판(230)상의 각 서브화소(SbP)에 대응하여 각각 형성된 적, 녹, 청색의 유기전계발광층(234a, 234b, 234c)과, 상기 유기전계발광층(234a, 234b, 234c) 하부에 위치하며, 상기 유기전계발광층(234a, 234b, 234c)보다 넓은 영역을 갖는 것을 특징으로 하며 각 서브화소(SbP)에 대응하여 각각 독립적으로 형성된 제 2 전극(236)으로 이루어지고 있다. 이때 상기 기판 전면에 형성된 제 1 전극은 공통전극으로 이용될 수 있다.
다음, 제 2 기판 상에 형성된 유기전계발광 다이오드에 대해 도 6b를 참조하여 좀 더 상세히 설명한다.
각 서브픽셀(SbP)별로 구성된 유기전계발광 다이오드(E)를 구성하는 요소 중 유기전계발광층(미도시, 234b, 미도시)은 서브픽셀(SbP)별로 적, 녹, 청색을 띠는 발광물질이 배열된 발광층(미도시, 234b, 미도시)과, 상기 발광층(미도시, 234b, 미도시)의 상부 및 하부에 각각 위치하는 제 1 유기물질층(255)및 제 2 유기물질층(256)으로 구성되고 있다. 이때, 상기 제 1 유기물질층(255) 및 제 2 유기물질층(256)을 이루는 유기전계발광 물질은 양극 및 음극의 배치구조에 따라 정해지는 것으로, 일예로, 제 1 전극(232)을 음극, 제 2 전극(236)을 양극으로 형성하는 경우에는 제 1 유기물질층(255)은 전자주입층, 전자수송층으로, 제 2 유기물질층(256)은 정공주입층, 정공수송층으로 형성되거나 또는 상기 제 1, 2 전극(232, 236)을 차례로 양극 및 음극으로 형성하는 경우 제 1 유기물질층(255)은 정공주입층과 정공수송층으로, 제 2 유기물질층(256)은 전사주입층과 전자수송층으로 형성되는 것이 특징이다.
한편, 상기 제 2 기판(230)에 구성된 제 2 전극(236)과 상기 제 1 기판(210)에 구성된 연결전극(212) 사이 구간에는 기둥 모양의 제 2 전극(236)과 구동 박막트랜지스터(DrT)를 연결시키는 전기적 연결패턴(214)이 형성되어 있다. 이때, 상기 전기적 연결패턴(214)은 도전성 물질 중 바람직하기로는 연성을 갖고, 비저항값이 낮은 금속물질로 형성되거나 또는 유기물질의 표면에 도전성 금속박막이 형성되어 도전성을 갖도록 형성된 것이 바람직하다.
다음, 전술한 전기적 연결패턴에 대응하는 제 2 기판 내의 영역 구조에 대해 설명한다.
상기 제 1 기판(230) 상의 어레이 소자(220)와 더욱 정확히는 어레이 소자(220)를 구성하는 요소 중 구동 박막트랜지스터(DrT)의 드레인 전극(미도시)과 연결된 연결전극(212)과 상기 제 2 기판(230)의 각 서브화소(SbP)별로 각각 구성된 제 2 전극(236)과 동시에 양 끝단의 소정면적이 접촉하여 전기적으로 도통시키는 역할을 하는 전기적 연결패턴(214)에 대응하는 제 2 기판(230) 내의 영역에는 상기 유기전계발광 다이오드(E)의 구성 요소 중 유기전계발광층(234a, 234b, 234c)이 형성되지 않고, 상기 유기전계발광층(234a, 234b, 234c)을 대신하여 절연층(235)이 제 1 전극(232)과 제 2 전극(236) 사이에 형성되어 있는 것이 특징이다.
따라서, 전기적 연결패턴(214)과 접촉하는 제 2 기판(230) 영역에는 유기전계발광층(234a, 234b, 234c)이 형성되지 않고, 이를 대신하여 절연층(235)이 형성됨으로써 전기적 연결패턴(214)에 의한 접촉압력이 가해진다 하여도 이는 상기 절연층(235)에만 국한되므로 상기 절연층(235) 사이에 형성된 유기전계발광층(234a, 234b, 234c)에는 영향을 주지 않게 된다(도 7 참조). 따라서 본 발명에 따른 유기전계발광 소자는 유기전계발광층(234a, 234b, 234c)의 변형을 방지하고, 이에 의해 상기 유기전계발광층(234a, 234b, 234c)의 열화를 방지함으로써 유기전계발광 다이오드(E)의 수명을 연장시킬 수 있는 효과를 갖는다.
전술한 바와 같은 구조를 갖는 유기전계발광 소자는 상부발광 방식인 것이 바람직하며, 상부발광방식인 경우 유기전계발광 다이오드(E)를 구성하는 제 1 전극(232) 및 제 2 전극(236)에 대해 간단히 설명한다.
본 발명의 실시예는 유기전계발광층(234a, 234b, 234c)에서 발광된 빛을 제 2 기판(230) 쪽으로 발광시키는 상부발광방식이므로 상기 제 1 전극(232)은 투광성이 우수한 도전성 물질중에서 선택되는 것이 바람직하며, 일예로 상기 제 1 전극(232)을 양극으로 구성하는 경우 일함수 값이 높은 도전성물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 형성하거나 또는 수십Å 정도의 두께로서 금속물질을 형성함으로써 투광성을 갖도록 형성할 수 도 있다.
그리고, 상기 제 2 전극(236)은 음극으로 구성하는 경우 유기전계발광층(234a, 234b, 234c)에서 발광되는 빛의 반사에 의해 보상간섭이 발생되는 것을 방지하기 위해 불투명 금속물질 중 일함수가 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al)을 포함하는 알루미늄합금 중에서 선택되는 것이 바람직하다.
한편, 상기 제 1, 2 기판(210, 230)간의 이격공간(I)은 상기 제 1, 2기판(210, 230)의 합착공정이 10-2Torr 내지 10-3Torr의 진공의 분위기에서 진행됨으로써 진공을 형성하고 있는 것이 특징이며, 또한 도면으로 제시하지 않았지만, 상기 어레이 소자(220)는 게이트 배선(미도시)과, 상기 게이트 배선(미도시)과 교차하며, 서로 일정간격 이격되는 데이터 배선(미도시) 및 전력 공급선(미도시)과, 상기 게이트 배선(미도시)과 데이트 배선(미도시)이 교차하는 지점에 위치하는 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 그리고 스토리지 커패시터(미도시)를 더욱 포함할 수 도 있다.
전술한 바와 같은 구조를 갖는 유기전계발광 소자는 종래에는 유기전계발광층이 제 2 전극 하부 전면에 형성됨으로써 진공의 분위기와 전기적 연결패턴에 의 해 상기 전기적 연결패턴과 접촉하는 부분에 발생하는 진공압력 집중에 의한 제 2 전극의 변형과 상기 제 2 전극 변형에 의한 그 하부층에 위치한 유기전계발광층이 변형되거나 또한 스트레스로 인해 그 수명을 단축하며 표시품질에도 악영향을 주었으나 상기 전기적 연결패턴과 중첩되는 부분에 대응하여 유기전계발광층 대신 절연층을 형성함으로써 유기전계발광층의 변형 및 집중되는 스트레스를 방지함으로써 수명 및 표시품질을 향상시킬 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 유기전계발광 소자는 어레이 기판과 유기전계발광 다이오드 기판이 개별적으로 구성되고, 상부발광방식 구조를 가지고 있으므로 생산 효율이 향상되며, 또한 상기 두 기판 내의 유기전계발광 다이오드와 이를 컨트롤하기 위해 전기적으로 연결하가 위한 전기적 연결패턴이 접촉하는 부분에 유기발광층이 형성되지 않는 구조를 갖기 때문에 유기발광층의 변형에 의한 열화를 방지함으로써 수명이 향상되는 효과를 갖는다.
다음, 전술한 구조를 갖는 본 발명에 따른 유기전계발광 소자의 제조방법에 대해 도 8의 공정 순서도 및 도 9와 도 10을 참고하여 간단히 설명한다.
도 8은 본 발명에 따른 유기전계발광 소자 제조 공정의 일실시예에 따른 공정순서를 도시한 공정 순서도이며, 도 9는 본 발명에 따른 유기전기발광 소자의 제 1 기판 상에 형성되는 어레이 소자의 일례를 도시한 단면도이며, 도 10은 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 하나의 화소영역의 단면일부를 격벽을 포함하여 도시한 단면도이다.
ST1은, 제 1 기판 상에 어레이 소자를 형성하는 단계로서, 구동 박막트랜지 스터의 단면을 도시한 도 9를 참조하면, 이 단계에서는 투명 기판(211) 상에 버퍼층(270)을 형성하는 단계와, 상기 버퍼층(270) 상부에 반도체층(272) 및 캐패시터 전극(미도시)을 형성하는 단계와, 상기 반도체층(272) 상부에 게이트 전극(276), 소스 및 드레인 전극(280, 282)을 형성함으로써 구동 박막트랜지스터(DrT) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시)를 형성하는 단계와, 도면에는 도시하지 않았으나, 동시에 상기 구동 박막트랜지스터(DrT)의 일전극과 연결되는 파워 전극(미도시)을 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 전술한 바와 같이 본 발명의 하나의 실시예로서 제조된 어레이 소자 내의 구동 또는 스위칭 박막트랜지스터(DrT, 미도시)는 통상적으로 폴리실리콘을 반도체층으로 하는 것을 특징으로 하는 탑 게이트(top gate) 구조로 형성되는 것을 보이고 있지만, 비정질 실리콘 또는 폴리실리콘을 반도체층으로 하여 게이트 전극이 기판 상에 형성되고, 그 위로 반도체층이 형성되는 구조의 보텀 게이트(bottom gate) 구조로 스위칭 또는 구동 박막트랜지스터를 형성할 수도 있다.
이렇게 ST1단계를 진행함으로써 어레이 소자를 구비한 제 1 기판을 제조 완성하게 된다.
다음, ST2단계는 도 10을 참조하면, 제 2 기판(230) 상에 제 1 전극(232)을 형성하는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 제 1 전극(232)은 상기 ST1에서 형성된 어레이 소자가 다른 기판(231) 상에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서는, 유기전계발광 다이오드(E)용 제 1 전극(232)을 형성함에 있어서, 투명 기판(231) 상에 형성하기 때문에, 재료선택 폭을 넓힐 수 있고 공정을 진행하기가 훨씬 용이해진다. 이때, 상기 제 1 전극(232)을 구성하는 물질은 투광성을 가지는 도전성 물질 중 일함수가 높은 물질 중에서 선택되는 것이 바람직하다.
다음, ST3단계는, 상기 제 1 전극(232) 상의 상기 ST1단계를 통해 형성된 전기적 연결패턴(214)과 합착 시 접촉하게 되는 부분에 상기 전기적 연결패턴(214)의 접촉면적과 같거나 또는 합착 마진을 고려하여 상기 전기적 연결패턴(214)보다 더 큰 면적을 갖도록 절연층(235)을 형성하는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 절연층(235)은 상기 절연층(235) 상부로 격벽(239)을 형성하는 경우 서브픽셀 주위로 소정의 너비를 가지며 형성되거나 또는 격벽(239)이 서브픽셀의 상하 또는 좌우측으로 형성 될 경우 상기 격벽(239)이 형성 된 서브픽셀의 상하 또는 좌우 테두리부에만 상기 격벽의 너비보다 더 넓은 너비를 가지며 형성되거나, 또는 전기적 연결패턴(214)에 대응하는 부분에만 선택적으로 상기 전기적 연결패턴(214)의 접촉면적보다 넓은 면적을 가지며 상기 전기적 연결패턴(214)의 접촉부분에 중첩되도록 형성되는 것이 특징이다.
이때, 상기 절연층(235)은 제 1 전극(232)이 형성된 기판(211)에 무기절연물질을 쉐도우 마스크(미도시)를 이용하여 원하는 위치에 증착함으로써 제 1 기판(210) 상에 형성된 전기적 연결패턴(214)에 대응하는 영역을 포함하여 격벽(239)이 형성될 영역에 형성되는 것이 특징이다.
또한, ST3단계에는 상기 절연층(235) 위로 상기 절연층의 너비보다 좁은 너비를 가지며 각 서브픽셀을 둘러싸는 매트릭스 형태의 격벽(239) 또는 상기 서브픽 셀의 상하 또는 좌우측에만 형성되는 라인타입의 격벽(239)을 형성하는 단계가 더욱 포함된다.
다음, ST4단계는 상기 절연층이 부분적으로 형성된 제 1 전극 위로 유기전계발광층을 형성하는 단계이다.
상기 유기전계발광층(234a, 234b, 234c)은 적, 녹, 청색 컬러를 띠는 발광물질로 이루어진 발광층을 잉크 젯 방식 또는 노즐 코팅 방식 또는 쉐도우 마스크를 이용한 증착방식으로 각 서브픽셀(SbP)별로 각각 대응되도록 형성하거나 라인타입으로 적, 녹, 청색이 순차 반복되도록 형성한다. 이때, 상기 유기전계발광층(234a, 234b, 234c)은 절연층(235)이 형성된 서브픽셀(SbP)영역에는 형성되지 않도록 형성하는 것이 본 발명의 가장 특징적인 면이다. 또한, 각 서브픽셀(SbP)별로 각각 형성된 상기 적, 녹, 청색의 유기전계발광층(234a, 234b, 234c) 각각의 상부 및 하부에는 전자 또는 정공을 주입 및 수송하는 저분자 또는 고분자 물질층(미도시)을 상기 유기전계발광층(234a, 234b, 234c)을 형성한 방법과 동일한 방법을 적용하여 더욱 형성할 수 있다.
다음, ST5단계는 상기 유기전계발광층 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계이다.
ST3, 4 단계를 통해 절연층과(235) 유기전계발광층(234a, 234b, 234c)이 형성된 기판(231) 상에 쉐도우 마스크를 이용하여 상기 하부의 유기전계발광층과 절연층을 덮으며 각 서브픽셀별로 독립된 제 2 전극을 형성하거나 또는 도 10과 같이 매트릭스 형태로 격벽(239)이 형성되어 있는 경우, 상기 제 2 전극(236)을 형성 할 금속물질을 단순히 전면에 증착함으로써 상기 격벽(239)에 의해 각 서브픽셀(SbP)별로 분리되는 제 2 전극(236)을 형성할 수 있다. 일례로 상기 제 2 전극을 형성하는 물질은 일함수가 낮은 불투명한 금속물질 중에서 선택되는 것이 바람직하다.
다음, ST6 단계는 제 1, 2 기판(210, 230) 간의 전기적 연결을 위한 전기적 연결패턴(미도시)을 형성하는 단계이다. 제 1 기판(210) 상의 어레이 소자(212)의 일전극 또는 상기 일전극과 연결된 연결전극(212) 상부에 전기적 연결패턴(214)을 형성하거나 또는 제 2 기판(230)의 절연층(235)과 중첩되는 제 2 전극(236) 하부에 전기적 연결패턴(214)을 형성한다.
하지만, 상기 전기적 연결패턴(214)을 상기 제 2 기판(230) 상에 형성할 경우 먼저 형성된 유기전계발광층에 손상을 줄 수 있는 가능성이 있으므로 제 1 기판(210) 상에 형성하는 것이 더욱 바람직하다.
제 1 기판 상에 전기적 연결패턴을 형성하는 방법에 대해 간단히 설명한다. 상기 전기적 연결패턴(214)은 어레이 소자(220) 중 구동 박막트랜지스터(DrT)의 일전극 더욱 정확히는 드레인 전극(미도시)과 접촉 연결되어 형성되는 연결전극(212)과 소정 면적이 접촉하며 제 1, 2 기판(210, 230) 간의 갭(gap)을 일정하게 유지하기 위해 일정한 소정의 높이를 가지며 형성되는 것이 바람직하므로 소정의 두께로 금속물질을 기판(211) 전면에 증착하고, 그 위로 감광성물질의 도포, 마스크를 이용한 노광, 노광된 감광성물질의 현상, 식각 등의 일련의 공정을 포함하는 마스크 공정을 진행하여 패터닝함으로써 형성할 수 있다. 이때, 상기 전기적 연결패턴 (214)은 그 접촉 면적이 10㎛2 내지 20㎛2 정도가 되도록 형성하는 것이 바람직하다. 상기 접촉면적보다 더 큰 면적을 가지게 되면 개구율에 좋지 않은 영향을 미치게 되기 때문이다.
다음, ST7단계는 상기 제 1, 2 기판을 전기적 연결패턴을 이용하여 전기적으로 연결시키며 합착하는 단계이다.
우선, 제 1 기판(210) 또는 제 2 기판(230) 중 어느 하나의 기판 테두리부에 씰패턴(미도시)을 형성한다. 이후, 10-2Torr 내지 10-3Torr의 진공도를 유지하는 분위기에서 상기 제 1 기판(210)과 제 2 기판(230)을 대향시킨 후, 제 1 기판(210) 상의 어레이 소자 중 구동 박막트랜지스터의 일전극 또는 상기 구동 박막트랜지스터(DrT)의 일전극과 연결된 연결전극(212)과 접촉하며 형성된 전기적 연결패턴(214)을 상기 제 2 기판(230) 상에 형성된 유기전계발광 다이오드(E)의 제 2 전극(236)과 접촉하며 동시에 상기 제 2 전극(236) 하부에 형성된 절연층(235)과 중첩하도록 위치시키고, 상기 제 1 기판(210) 또는 제 2 기판(230)의 테두리부에 형성된 씰패턴(미도시)을 이용하여 상기 두 기판(210, 230)을 합착 고정시킴으로써 유기전계발광 소자를 완성한다.
또한, 상기 ST7단계에서는 외부 수분이 유기전계발광층으로 유입되는 것을 방지하기 위해 흡습제를 더욱 구성하는 단계를 더욱 포함한다.
본 발명은 상기 실시예들로 한정되지 않고, 본 발명의 취지에 어긋나지 않는 한도 내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
전술한 바와 같은 본 발명에 따른 유기전계발광 소자는 유기전계발광 다이오드와 어레이 소자를 각각 다른 기판에 구성함으로써 어레이 소자 제조 단계와 유기전계발광 다이오드 제조 단계 중 어느 공정에서 불량이 발생하더라도 불량이 발생한 기판을 제거하고 양품의 두 기판을 합착하므로 제품불량률을 낮춤으로써 생산수율을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 유기전계발광 다이오드가 형성되는 제 2 기판에 있어 제 1 기판의 어레이 소자와 접촉하여 전기적으로 연결된 전기적 연결패턴과 접촉하는 부분에는 유기전계발광층 대신 절연층을 형성함으로써 상기 전기적 연결패턴에 의해 진공압력이 집중됨으로써 발생하는 유기전계발광층의 변형을 방지함으로써 유기전계발광 다이오드의 수명을 연장시키며, 표시품질 또한 향상시키는 효과가 있다.
또한, 상부발광방식이기 때문에 박막트랜지스터 설계가 용이해지고 고개구율/고해상도 구현이 가능한 장점을 갖는다.

Claims (26)

  1. 제 1 기판과;
    상기 제 1 기판 상에 데이터 배선과 게이트 배선이 교차하여 정의되는 서브픽셀 별로 구비된 어레이 소자와;
    상기 제 1 기판과 소정간격을 가지며 대향되게 배치된 제 2 기판과;
    상기 제 2 기판 하부 전면에 도전성 물질로서 구성된 제 1 전극과;
    상기 제 1 전극 하부에 상기 서브픽셀에 각각 대응하여 형성된 절연층과;
    상기 제 1 전극 하부에 상기 절연층이 형성된 영역 외의 서브픽셀 영역에 대응하여 순차 반복되며 구성된 적, 녹, 청색의 유기전계발광층과;
    상기 유기전계발광층과 상기 절연층 상부에 각 서브픽셀별로 독립적으로 구성된 제 2 전극과;
    상기 제 2 기판 내에 구성된 절연층과 중첩하며, 제 1 접촉면적을 가지며 상기 어레이 소자 및 제 2 전극과 동시에 접촉하며 형성된 전기적 연결패턴
    을 포함하는 유기전계발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 기판에는 상기 어레이 소자와 연결되는 연결전극을 더욱 포함하는 유기전계발광 소자.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 어레이 소자는 하나 이상의 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 포함하는 유기전계발광 소자.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 연결전극은 어레이 소자의 구성 요소 중 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접촉하며 연결된 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 연결전극은 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극이 연장 형성된 패턴인 유기전계발광 소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연층은 제 1 너비를 가지며 각 서브픽셀을 둘러싸며 매트릭스 형태로 형성된 것이 특징인 유기전계발광 소자.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 너비를 가지며 각 서브픽셀을 둘러싸며 형성된 절연층 위로 상기 제 1 너비보다 좁은 제 2 너비를 가지며 상기 절연층과 동일한 형태로 상기 각 서브픽셀의 내측으로 제 3 너비의 상기 절연층을 노출시키며 형성된 격벽을 더욱 포함하는 유기전계발광 소자.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 상기 제 3 너비의 절연층 영역까지 형성된 것이 특징인 유기전계발광 소자.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 3 너비는 상기 전기적 연결패턴의 제 1 접촉면적의 너비보다 더 큰 것이 특징인 유기전계발광 소자.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 제 1 접촉면적을 갖는 전기적 연결패턴보다 더 넓은 제 1 면적을 가짐으로써 상기 제 1 면적과 상기 제 1 접촉면적을 갖는 전기적 연결패턴의 접촉면이 중첩되도록 형성된 것이 특징인 유기전계발광 소자.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 접촉면적은 10㎛2 내지 20㎛2 인 유기전계발광 소자.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 전기적 연결패턴은 연성이 있는 도전성 물질로 형성된 유기전계발광 소자.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 전기적 연결패턴은 그 표면이 도전성 물질로 도금된 유기물질로 형성된 유기전계발광 소자.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 일함수 값이 제 2 전극보다 크며, 투명한 도전성 물질 중에서 선택되는 물질로 형성되는 유기전계발광 소자.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 상기 제 1 전극보다 작은 일함수 값을 가지며, 불투명한 금속물질로 형성되는 유기전계발광 소자.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기전계발광층은 적, 녹, 청색을 띠는 발광물질이 순차대로 반복 배열된 발광층과;
    상기 발광층 상부 또는 하부로 전자, 정공 중 어느 하나를 수송 또는 주입하는 유기물질층
    을 포함하여 구성되는 유기전계발광 소자.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1, 2 기판 중 어느 하나의 기판 테두리에는 씰패턴이 더욱 구비된 유기전계발광 소자.
  18. 제 1, 2 기판이 서로 대향하여 배치되며 적, 녹, 청색 서브픽셀이 순차 반복적으로 정의되는 유기전계발광소자의 제조에 있어서,
    상기 제 1 기판 상에 데이터 배선과 게이트 배선과 상기 두 배선이 교차함으로써 정의되는 다수의 서브픽셀과, 상기 서브픽셀 내 각각에 구동 박막 트랜지스터와 스위칭 박막 트랜지스터를 포함하는 어레이 소자를 형성하는 단계와;
    상기 제 2 기판 전면에 투광성이 우수한 도전성 물질로 이루어진 제 1 전극을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 전극 하부에 상기 각각의 서브픽셀에 대응하여 절연층을 형성하는 단계와;
    상기 각 서브픽셀의 상기 절연층이 형성된 영역을 제외한 영역에 순차 반복적인 적, 녹, 청색의 유기전계발광층을 형성하는 단계와;
    상기 유기전계발광층과 절연층 하부에 각 서브픽셀별로 분리된 형태의 제 2 전극을 형성하는 단계와;
    상기 구동 박막트랜지스터의 일전극과 연결되는 다수의 전기적 연결패턴을 형성하는 단계와;
    상기 제 1, 2 기판을 상기 전기적 연결패턴이 상기 절연층과 중첩되도록 대향시키고 합착하는 단계
    를 포함하는 유기전계발광 소자의 제조방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 구동 박막트랜지스터와 연결되는 연결전극을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 유기전계발광 소자의 제조방법.
  20. 제 18 항 또는 제 19 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
    상기 일전극은 구동박막트랜지스터의 드레인 전극 또는 연결전극인 유기전계발광 소자의 제조방법.
  21. 제 18 항에 있어서,
    상기 절연층은 각 서브픽셀을 제 1 너비를 가지며 둘러싸는 구조의 매트릭스 패턴 형태로 형성되는 것이 특징인 유기전계발광 소자의 제조방법.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 제 1 너비를 가지며 각 서브픽셀을 둘러싸며 형성된 절연층 위로 상기 제 1 너비보다 좁은 제 2 너비를 가지며 상기 절연층과 동일한 형태로 상기 각 서브픽셀의 내측으로 제 3 너비의 상기 절연층을 노출시키며 형성된 격벽을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 유기전계발광 소자의 제조방법.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 상기 제 3 너비의 절연층 영역까지 형성된 것이 특징인 유기전계발광 소자의 제조방법.
  24. 제 18 항에 있어서,
    상기 적, 녹, 청색의 유기전계발광층은 쉐도우 마스크를 이용한 증착법에 의해 상기 절연층과 중첩되지 않도록 형성되는 것이 특징인 유기전계발광 소자의 제조방법.
  25. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 서브픽셀 내에서 상부의 유기전계발광층의 면적보다 넓은 면적을 가지며 형성되는 것이 특징인 유기전계발광 소자의 제조방법.
  26. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 1, 2 기판 중 어느 하나의 기판 테두리에 씰패턴을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 유기전계발광 소자의 제조 방법.
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