DE102023202989A1

DE102023202989A1 - Anzeigevorrichtung und verfahren zur herstellung einer anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE102023202989A1
Application number: DE102023202989.8A
Authority: DE
Inventors: Kaichi Fukuda
Original assignee: Japan Display Inc
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2022-04-05
Filing date: 2023-03-31
Publication date: 2023-10-05
Also published as: US20230354674A1; JP2023153632A; CN116896911A

Abstract

Eine Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform umfasst eine untere Elektrode, eine Rippe, die eine Pixelöffnung aufweist, die die untere Elektrode überlagert, eine Trennwand, die auf der Rippe angeordnet ist, eine obere Elektrode, die der unteren Elektrode gegenüberliegt, und eine organische Schicht, die zwischen der unteren Elektrode und der oberen Elektrode gelegen ist und entsprechend einer Potenzialdifferenz der unteren Elektrode und der oberen Elektrode leuchtet. Die Trennwand weist einen isolierenden ersten Teil, einen auf dem ersten Teil angeordneten leitfähigen zweiten Teil, der mit der oberen Elektrode in Kontakt steht, und einen auf dem zweiten Teil angeordneten dritten Teil auf. Ein unteres Ende des zweiten Teils springt weiter als der erste Teil in einer Breitenrichtung der Trennwand vor, und der dritte Teil springt weiter als ein oberes Ende des zweiten Teils in der Breitenrichtung vor.

Description

Querverweis auf verwandte Anmeldung
Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der am 5. April 2022 eingereichten japanischen Patentanmeldung Nr. 2022-063016 , deren vollständiger Inhalt hiermit in den vorliegenden Gegenstand mit einbezogen wird.
Gebiet
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung betrifft eine Anzeigevorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung.
Hintergrund
Seit einigen Jahren werden Anzeigevorrichtungen zur praktischen Anwendung gebracht, die als Anzeigeelemente organische Leuchtdioden (OLED) verwenden. Diese Anzeigeelemente umfassen eine untere Elektrode, eine organische Schicht, die die untere Elektrode bedeckt, und eine obere Elektrode, die die organische Schicht bedeckt.
Bei der Herstellung einer solchen Anzeigevorrichtung wird eine Technik benötigt, um eine Reduzierung der Zuverlässigkeit zu unterbinden.
Kurzbeschreibung der Figuren

1 ist eine Ansicht eines Ausgestaltungsbeispiels einer Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform.
2 ist eine Ansicht, die ein Beispiel für ein Layout von Subpixeln gemäß der ersten Ausführungsform zeigt.
3 ist eine schematische Schnittansicht der Anzeigevorrichtung an der Linie III-III aus 2.
4 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Trennwand gemäß der ersten Ausführungsform zeigt.
5 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Rippe, die Trennwand, eine organische Schicht und eine obere Elektrode gemäß der ersten Ausführungsform zeigt.
6A ist eine Ansicht, die Schritte zum Bilden der Trennwand gemäß der ersten Ausführungsform zeigt.
6B ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 6A zeigt.
6C ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 6B zeigt.
6D ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 6C zeigt.
7A ist eine Ansicht, die Schritte zum Bilden eines Anzeigeelements gemäß der ersten Ausführungsform zeigt.
7B ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 7A zeigt.
7C ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 7B zeigt.
8 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Trennwand gemäß einer zweiten Ausführungsform zeigt.
9A ist eine Ansicht, die Schritte zum Bilden der Trennwand gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt.
9B ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 9A zeigt.
9C ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 9B zeigt.
9D ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 9C zeigt.
9E ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 9D zeigt.
10 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Trennwand gemäß einer dritten Ausführungsform zeigt.
11A ist eine Ansicht, die Schritte zum Bilden der Trennwand gemäß der dritten Ausführungsform zeigt.
11B ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 11A zeigt.
11C ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 11B zeigt.
11D ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 11C zeigt.
12 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Trennwand gemäß einer vierten Ausführungsform zeigt.
13A ist eine Ansicht, die Schritte zum Bilden der Trennwand gemäß der vierten Ausführungsform zeigt.
13B ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 13A zeigt.
13C ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 13B zeigt.
13D ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 13C zeigt.
13E ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 13D zeigt.
14 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Trennwand gemäß einer fünften Ausführungsform zeigt.
15A ist eine Ansicht, die Schritte zum Bilden der Trennwand gemäß der fünften Ausführungsform zeigt.
15B ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 15A zeigt.
15C ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 15B zeigt.
15D ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 15C zeigt.
16 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Trennwand gemäß einer sechsten Ausführungsform zeigt.
17A ist eine Ansicht, die Schritte zum Bilden der Trennwand gemäß der sechsten Ausführungsform zeigt.
17B ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 17A zeigt.
17C ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 17B zeigt.
17D ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 17C zeigt.
17E ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 17D zeigt.
18 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Trennwand gemäß einer siebten Ausführungsform zeigt.
19A ist eine Ansicht, die Schritte zum Bilden der Trennwand gemäß der siebten Ausführungsform zeigt.
19B ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 19A zeigt.
19C ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 19B zeigt.
19D ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 19C zeigt.
20 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Trennwand gemäß einer achten Ausführungsform zeigt.
21A ist eine Ansicht, die Schritte zum Bilden der Trennwand gemäß der achten Ausführungsform zeigt.
21B ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 21A zeigt.
21C ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 21B zeigt.
21D ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 21C zeigt.
21E ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 21D zeigt.
22 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Trennwand gemäß einer neunten Ausführungsform zeigt.
23A ist eine Ansicht, die Schritte zum Bilden der Trennwand gemäß der neunten Ausführungsform zeigt.
23B ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 23A zeigt.
23C ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 23B zeigt.
23D ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 23C zeigt.
23E ist eine Ansicht, die Schritte im Anschluss an 23D zeigt.

Detaillierte Beschreibung
Zusammengefasst umfasst eine Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform eine untere Elektrode, eine Rippe, die eine Pixelöffnung aufweist, die die untere Elektrode überlagert, eine Trennwand, die auf der Rippe angeordnet ist, eine obere Elektrode, die der unteren Elektrode gegenüberliegt, und eine organische Schicht, die zwischen der unteren Elektrode und der oberen Elektrode gelegen ist und entsprechend einer Potenzialdifferenz der unteren Elektrode und der oberen Elektrode leuchtet. Die Trennwand weist einen isolierenden ersten Teil, einen auf dem ersten Teil angeordneten leitfähigen zweiten Teil, der mit der oberen Elektrode in Kontakt steht, und einen auf dem zweiten Teil angeordneten dritten Teil auf. Ein unteres Ende des zweiten Teils springt weiter als der erste Teil in einer Breitenrichtung der Trennwand vor, und der dritte Teil springt weiter als ein oberes Ende des zweiten Teils in der Breitenrichtung vor.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Ausführungsform umfasst ein Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung Bilden einer unteren Elektrode, Bilden einer Rippe, die wenigstens einen Abschnitt der unteren Elektrode bedeckt, Bilden einer Trennwand, die einen isolierenden ersten Teil, einen auf dem ersten Teil angeordneten leitfähigen zweiten Teil und einen auf dem zweiten Teil angeordneten dritten Teil aufweist, wobei ein unteres Ende des zweiten Teils weiter als der erste Teil in einer Breitenrichtung vorspringt und der dritte Teil weiter als ein oberes Ende des zweiten Teils in der Breitenrichtung vorspringt, Bilden einer organischen Schicht, die durch eine an der Rippe bereitgestellte Pixelöffnung die untere Elektrode bedeckt, und Bilden einer oberen Elektrode,die die organische Schicht bedeckt und mit dem zweiten Teil in Kontakt steht.
Gemäß dieser Ausgestaltung ist es möglich, die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung zu erhöhen.
Im Folgenden werden unter Bezugnahme auf die Figuren einige Ausführungsformen beschrieben.
Die Offenbarung ist lediglich beispielhaft, und nach Bedarf vorgenommene Änderungen durch den Fachmann unter Wahrung des Wesens der Erfindung, zu denen dieser ohne Weiteres gelangt, sind selbstverständlich ebenfalls im Umfang der Erfindung eingeschlossen. Die Figuren dienen zur Verdeutlichung der Beschreibung, und ihre einzelnen Bestandteile stellen. Breite, Dicke, Form und dergleichen im Vergleich zu einer tatsächlichen Ausführung auf schematische Weise dar, weshalb sie lediglich beispielhaft sind und die Auslegung der vorliegenden Erfindung nicht einschränken sollen. In der vorliegenden Beschreibung und den Figuren sind bereits anhand einer anderen Figur erwähnte Elemente, die eine identische oder gleichartige Funktion erfüllen, mit gleichen Bezugszeichen versehen, auf deren erneute ausführliche Beschreibung entsprechend verzichtet werden kann.
In den Figuren sind bei Bedarf zum leichteren Verständnis eine X-Achse, Y-Achse und Z-Achse angegeben, die zueinander orthogonal sind. Die Richtung entlang der X-Achse wird als erste Richtung X bezeichnet, die Richtung entlang der Y-Achse wird als zweite Richtung Y bezeichnet und die Richtung entlang der Z-Achse wird als dritte Richtung Z bezeichnet. Das Betrachten der einzelnen Elemente parallel zur dritten Richtung Z bedeutet das Betrachten in Draufsicht.
Eine Anzeigevorrichtung gemäß den verschiedenen Ausführungsformen ist eine organische Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung, die als Anzeigeelemente organische Leuchtdioden (OLED) umfasst, und kann in Fernsehgeräten, PCs, bordeigenen Fahrzeuggeräten, Tablet-Endgeräten, Smartphones Mobiltelefonen und dergleichen installiert werden.
[Erste Ausführungsform]
1 ist eine Ansicht eines Ausgestaltungsbeispiels einer Anzeigevorrichtung DSP einer ersten Ausführungsform. Die Anzeigevorrichtung DSP weist auf einem isolierenden Träger 10 einen Anzeigebereich DA, in dem Bilder angezeigt werden, und einen Nichtanzeigebereich SA um den Anzeigebereich DA herum auf. Bei dem Träger 10 kann es sich um Glas oder um eine biegsame Kunststofffolie handeln.
In der vorliegenden Ausführungsform ist der Träger 10 in Draufsicht rechteckig. Allerdings ist die Form des Trägers 10 in Draufsicht nicht auf eine Rechteckform beschränkt und kann auch eine andere Form wie ein Quadrat, ein Kreis oder ein Oval
Der Anzeigebereich DA umfasst in der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y matrixartig aufgereihte Pixel PX. Die Pixel PX beinhalten mehrere Subpixel SP. In einem Beispiel beinhalten die Pixel PX rote erste Subpixel SP1, grüne zweite Subpixel SP2 und blaue dritte Subpixel SP3. Die Pixel PX können zusammen mit den Subpixeln SP1, SP2, SP3 oder anstelle von beliebigen der Subpixel SP1, SP2, SP3 auch Subpixel SP einer anderen Farbe wie Weiß oder dergleichen beinhalten.
Die Subpixel SP umfassen eine Pixelschaltung 1 und ein durch die Pixelschaltung 1 angesteuertes Anzeigeelement DE. Die Pixelschaltung 1 umfasst einen Pixelschalter 2, einen Ansteuerungstransistor 3 und einen Kondensator 4. Der Pixelschalter 2 und der Ansteuerungstransistor 3 sind Schaltelemente, die beispielsweise durch Dünnschichttransistoren ausgebildet sind.
Eine Gate-Elektrode des Pixelschalters 2 ist mit einer Abtastleitung GL verbunden. Eine von einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode des Pixelschalters 2 ist mit einer Signalleitung SL verbunden und die andere ist mit einer Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors 3 und dem Kondensator 4 verbunden. Bei dem Ansteuerungstransistor 3 ist die eine von einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode mit einer Stromversorgungsleitung PL und dem Kondensator 4 verbunden, und die andere ist mit dem Anzeigeelement DE verbunden. Bei dem Anzeigeelement DE handelt es sich um eine als Leuchtelement dienende organische Leuchtdiode (OLED).
Die Ausgestaltung der Pixelschaltung 1 ist nicht auf das gezeigte Beispiel beschränkt. Beispielsweise kann die Pixelschaltung 1 eine größere Anzahl von Dünnfilmtransistoren und Kondensatoren umfassen.
2 ist eine Ansicht, die ein Beispiel für ein Layout der Subpixel SP1, SP2, SP3 zeigt. Im Beispiel aus 2 sind das erste Subpixel SP1 und das dritte Subpixel SP3 in der ersten Richtung X aufgereiht. Das zweite Subpixel SP2 und das dritte Subpixel SP3 sind ebenfalls in der ersten Richtung X aufgereiht. Auch sind das erste Subpixel SP1 und das zweite Subpixel SP2 in der zweiten Richtung Y aufgereiht.
Bei einem derartigen Layout der Subpixel SP1, SP2, SP3 sind im Anzeigebereich DA eine Reihe, in der die Subpixel SP1, SP2 in der zweiten Richtung Y wechselweise angeordnet sind, und eine Reihe gebildet, in der mehrere dritte Subpixel SP3 wiederholt in der zweiten Richtung Y angeordnet sind. Diese Reihen sind in der ersten Richtung X wechselweise aufgereiht.
Das Layout der Subpixel SP1, SP2, SP3 ist nicht auf das Beispiel in 2 beschränkt. Als ein weiteres Beispiel können die Subpixel SP1, SP2, SP3 in den einzelnen Pixeln PX der Reihe nach in der ersten Richtung X aufgereiht sein.
Im Anzeigebereich DA sind eine Rippe 5 und eine Trennwand 6 angeordnet. Die Rippe 5 weist am ersten Subpixel SP1 eine erste Pixelöffnung AP1, am zweiten Subpixel SP2 eine zweite Pixelöffnung AP2 und am dritten Subpixel SP3 eine dritte Pixelöffnung AP3 auf. Im Beispiel aus 2 ist die zweite Pixelöffnung AP2 größer als die erste Pixelöffnung AP1, und die dritte Pixelöffnung AP3 ist größer als die zweite Pixelöffnung AP2.
Die Trennwand 6 ist an einer Grenze zwischen benachbarten Subpixeln SP angeordnet und überlagert die Rippe 5 in Draufsicht. Die Trennwand 6 weist mehrere sich in der ersten Richtung X erstreckende erste Trennwände 6x und mehrere sich in der zweiten Richtung Y erstreckende, zweite Trennwände 6y auf. Die mehreren ersten Trennwände 6x sind jeweils zwischen in der zweiten Richtung Y benachbarten Pixelöffnungen AP1, AP2 und zwischen zwei in der zweiten Richtung Y benachbarten dritten Pixelöffnungen AP3 angeordnet. Die zweiten Trennwände 6y sind jeweils zwischen in der ersten Richtung X benachbarten Pixelöffnungen AP1, AP3 und zwischen in der ersten Richtung X benachbarten Pixelöffnungen AP2, AP3 angeordnet.
Im Beispiel aus 2 sind die ersten Trennwände 6x und die zweiten.Trennwände 6y miteinander verbunden. Auf diese Weise ist die Trennwand 6 insgesamt eine Gitterform, welche die Pixelöffnungen AP1, AP2, AP3 umgibt. Es ist auch möglich, dass die Trennwand 6 ebenso wie die Rippe 5 an den Subpixeln SP1, SP2, SP3 Öffnungen aufweist.
Das erste Subpixel SP1 umfasst eine erste untere Elektrode LE1, eine erste obere Elektrode UE1 und eine erste organische Schicht OR1, die jeweils die erste Pixelöffnung AP1 überlagern. Das zweite Subpixel SP2 umfasst eine zweite untere Elektrode LE2, eine zweite obere Elektrode UE2 und eine zweite organische Schicht OR2, die jeweils die zweite Pixelöffnung AP2 überlagern. Das dritte Subpixel SP3 umfasst eine dritte untere Elektrode LE3, eine dritte obere Elektrode UE3 und eine dritte organische Schicht OR3, die jeweils die dritte Pixelöffnung AP3 überlagern.
Die erste untere Elektrode LE1, die erste obere Elektrode UE1 und die erste organische Schicht OR1 bilden das erste Anzeigeelement DE1 des ersten Subpixels SP1 aus. Die zweite untere Elektrode LE2, die zweite obere Elektrode UE2 und die zweite organische Schicht OR2 bilden das zweite Anzeigeelement DE2 des zweiten Subpixels SP2 aus. Die dritte untere Elektrode LE3, die dritte obere Elektrode UE3 und die dritte organische Schicht OR3 bilden das dritte Anzeigeelement DE3 des dritten Subpixels SP3 aus. Die Anzeigeelemente DE1, DE2, DE3 können eine nachstehend beschriebene Deckschicht beinhalten.
Beispielsweise strahlt das erste Anzeigeelement DE1 Licht im roten Wellenlängenbereich ab, das zweite Anzeigeelement DE2 strahlt Licht im grünen Wellenlängenbereich ab und das dritte Anzeigeelement DE3 strahlt Licht im blauen Wellenlängenbereich ab.
Die erste untere Elektrode LE1 ist durch ein erstes Kontaktloch CH1 mit der Pixelschaltung 1 des ersten Subpixels SP1 (siehe 1) verbunden. Die zweite untere Elektrode LE2 ist durch ein zweites Kontaktloch CH2 mit der Pixelschaltung 1 des zweiten Subpixels SP2 verbunden. Die dritte untere Elektrode LE3 ist durch ein drittes Kontaktloch CH3 mit der Pixelschaltung 1 des dritten Subpixels SP3 verbunden.
In dem Beispiel aus 2 überlagern die Kontaktlöcher CH1, CH2 insgesamt die ersten Trennwände 6x zwischen in der zweiten Richtung Y benachbarten Pixelöffnungen AP1, AP2. Das dritte Kontaktloch CH3 überlagert insgesamt die ersten Trennwände 6x zwischen zwei in der zweiten Richtung Y benachbarten dritten Pixelöffnungen AP3. Als weiteres Beispiel kann wenigstens ein Abschnitt der Kontaktlöcher CH1, CH2, CH3 die ersten Trennwände 6x nicht überlagern.
3 ist eine schematische Schnittansicht der Anzeigevorrichtung DSP an der Linie III-III aus 2. Auf dem Träger 10 ist eine Schaltungsschicht 11 angeordnet. Die Schaltungsschicht 11 beinhaltet verschiedene Schaltungen und Leiterbahnen wie etwa die Pixelschaltung 1 aus 1, die Abtastleitung GL, die Signalleitung SL und die Stromversorgungsleitung PL.
Die Schaltungsschicht 11 ist mit einer organischen Isolationsschicht 12 bedeckt. Die organische Isolationsschicht 12 dient als eine Abflachungsschicht, die durch die Schaltungsschicht 11 erzeugte Unebenheiten abflacht. Obwohl in dem Schnitt von 3 nicht dargestellt, sind die Kontaktlöcher CH1, CH2, CH3 allesamt an der organischen Isolationsschicht 12 bereitgestellt.
Die unteren Elektroden LE1, LE2 LE3 sind auf der organischen Isolationsschicht 12 angeordnet. Die Rippe 5 ist auf der organischen Isolationsschicht 12 und den unteren Elektroden LE1, LE2, LE3 angeordnet. Endabschnitte der unteren Elektroden LE1, LE2, LE3 sind durch die Rippe 5 bedeckt.
Die Trennwand 6 beinhaltet einen auf der Rippe 5 angeordneten ersten Teil 61, einen auf dem ersten Teil 61 angeordneten zweiten Teil 62 und einen auf dem zweiten Teil 62 angeordneten dritten Teil 63.
Die erste organische Schicht OR1 bedeckt durch die erste Pixelöffnung AP1 die erste untere Elektrode LE1. Die erste obere Elektrode UE1 bedeckt die erste organische Schicht OR1 und liegt der ersten unteren Elektrode LE1 gegenüber. Die zweite organische Schicht OR2 bedeckt durch die zweite Pixelöffnung AP2 die zweite untere Elektrode LE2. Die zweite obere Elektrode UE2 bedeckt die zweite organische Schicht OR2 und liegt der zweiten unteren Elektrode LE2 gegenüber. Die dritte organische Schicht OR3 bedeckt durch die dritte Pixelöffnung AP3 die dritte untere Elektrode LE3. Die dritte obere Elektrode UE3 bedeckt die dritte organische Schicht OR3 und liegt der dritten unteren Elektrode LE3 gegenüber.
Im Beispiel aus 3 ist eine erste Deckschicht CP1 auf der ersten oberen Elektrode UE1 angeordnet, eine zweite Deckschicht CP2 auf der zweiten oberen Elektrode UE2 angeordnet und eine dritte Deckschicht CP3 auf der dritten oberen Elektrode UE3 angeordnet. Die Deckschichten CP1, CP2, CP3 passen jeweils die optischen Eigenschaften des durch die organischen Schichten OR1, OR2, OR3 erzeugten Lichts an.
Ein Abschnitt der ersten organischen Schicht OR1, der ersten oberen Elektrode UE1 und der ersten Deckschicht CP1 ist auf dem dritten Teil 63 gelegen. Dieser Abschnitt ist von den übrigen Teilen der ersten organischen Schicht OR1, der ersten oberen Elektrode UE1 und der ersten Deckschicht CP1 entfernt. Ebenso ist ein Abschnitt der zweiten organischen Schicht OR2, der zweiten oberen Elektrode UE2 und der zweiten Deckschicht CP2 auf dem dritten Teil 63 gelegen, und dieser Abschnitt ist von den übrigen Teilen der zweiten organischen Schicht OR2, der zweiten oberen Elektrode UE2 und der zweiten Deckschicht CP2 entfernt. Auch ist ein Abschnitt der dritten organischen Schicht OR3, der dritten oberen Elektrode UE3 und der dritten Deckschicht CP3 auf dem dritten Teil 63 gelegen, und dieser Abschnitt ist von den übrigen Teilen der dritten organischen Schicht OR3, der dritten oberen Elektrode UE3 und der dritten Deckschicht CP3 entfernt.
Am ersten Subpixel SP1 ist eine erste Abdichtungsschicht SE1 angeordnet, am zweiten Subpixel SP2 ist eine zweite Abdichtungsschicht SE2 angeordnet und am dritten Subpixel SP3 ist eine dritte Abdichtungsschicht SE3 angeordnet. Die erste Abdichtungsschicht SE1 deckt die Trennwand 6 um die erste Deckschicht CP1 und das erste Subpixel SP1 kontinuierlich ab. Die zweite Abdichtungsschicht SE2 deckt die Trennwand 6 um die zweite Deckschicht CP2 und das zweite Subpixel SP2 kontinuierlich ab. Die dritte Abdichtungsschicht SE3 deckt die Trennwand 6 um die dritte Deckschicht CP3 und das dritte Subpixel SP3 kontinuierlich ab.
Die Abdichtungsschichten SE1, SE2, SE3 sind mittels einer Kunststoffschicht 13 abgedeckt. Die Kunststoffschicht 13 ist mittels einer Abdichtungsschicht 14 abgedeckt. Darüber hinaus ist. die Abdichtungsschicht 14 mittels einer Kunststoffschicht 15 abgedeckt.
Die organische Isolationsschicht 12 und die Kunststoffschichten 13, 15 sind aus einem organischen Material gebildet. Die Abdichtungsschichten 14, SE1, SE2, SE3 sind beispielsweise aus einem anorganischen Material wie Siliziumnitrid (SiN), Siliziumoxid (SiO), Siliziumoxynitrid (SiON) oder dergleichen gebildet.
Die unteren Elektroden LE1, LE2, LE3 weisen beispielsweise eine aus Silber (Ag) gebildete Zwischenschicht und ein Paar leitfähige Oxidationsschichten auf, die jeweils die obere Fläche und die untere Fläche der Zwischenschicht bedecken. Die leitfähigen Oxidationsschichten können jeweils aus einem transparenten elektrisch leitfähigen Oxid wie beispielsweise ITO (Indiumzinnoxid), IZO (Indiumzinkoxid), IGZO (Indiumgalliumzinkoxid) oder dergleichen gebildet sein. Die oberen Elektroden UE1, UE2, UE3 sind aus einem Metallmaterial wie beispielsweise einer Legierung aus Magnesium und Silber (MgAg) gebildet. Die unteren Elektroden LE1, LE2, LE3 entsprechen einer Anode und die oberen Elektroden UE1, UE2, UE3 entsprechen eine Kathode.
Obwohl an späterer Stelle ausführlich beschrieben, weisen die organische Schichten OR1, OR2, OR3 eine Struktur auf, in der eine Lochinjektionsschicht, eine Lochleitungsschicht, eine Elektronenblockierschicht, eine Leuchtschicht, eine Lochblockierschicht, eine Elektronenleitungsschicht und eine Elektroneninjektionsschicht und dergleichen übereinander geschichtet sind.
Die Deckschichten CP1, CP2, CP3 können beispielsweise als mehrschichtige Körper mit mehreren transparenten Dünnschichten gebildet sein. Der mehrschichtige Körper kann als die mehreren Dünnschichten aus einem anorganischen Material gebildete Dünnschichten und aus einem organischen Material gebildete Dünnschichten beinhalten. Diese mehreren Dünnschichten weisen unterschiedliche Brechungszahlen auf. Das Material der den mehrschichtigen Körper ausbildenden Dünnschichten ist von dem Material der oberen Elektroden UE1, UE2, UE3 verschieden und ist von dem Material der Abdichtungsschichten SE1, SE2, SE3 verschieden. Die Deckschichten CP1, CP2, CP3 können auch wegfallen.
An die Trennwand 6 wird eine gemeinsame Spannung angelegt. Die gemeinsame Spannung wird jeweils an die oberen Elektroden UE1, UE2, UE3 angelegt, die mit der Seitenfläche des zweiten Teils 62 in Kontakt stehen. An die unteren Elektroden LE1, LE2, LE3 wird über die jeweilige Pixelschaltung 1 der Subpixel SP1, SP2, SP3 eine Pixelspannung angelegt.
Wenn sich eine Potenzialdifferenz zwischen der ersten unteren Elektrode LE1 und der ersten oberen Elektrode UE1 ergibt, strahlt die Leuchtschicht der ersten organischen Schicht OR1 Licht im roten Wellenlängenbereich ab. Wenn sich eine Potenzialdifferenz zwischen der zweiten unteren Elektrode LE2 und der zweiten oberen Elektrode UE2 ergibt, strahlt die Leuchtschicht der zweiten organischen Schicht OR2 Licht im grünen Wellenlängenbereich ab. Wenn sich eine Potenzialdifferenz zwischen der dritten unteren Elektrode LE3 und der dritten oberen Elektrode UE3 ergibt, strahlt die Leuchtschicht der dritten organischen Schicht OR3 Licht im blauen Wellenlängenbereich ab.
4 ist eine schematische Schnittansicht, die die Trennwand 6 gemäß der vorliegenden Ausführungsform zeigt. In dieser Ansicht sind die Trennwand 6 und Rippe 5 gezeigt, während die anderen Elemente weggelassen wurden. Eine Breitenrichtung WD in der Ansicht ist eine Richtung orthogonal zu der Erstreckungsrichtung der Trennwand 6 und der Z-Richtung. Beispielsweise entspricht die Breitenrichtung WD der ersten Trennwand 6x aus 2 der zweite Richtung Y und die Breitenrichtung WD der zweiten Trennwand 6y der ersten Richtung X. Die erste Trennwand 6x und die zweite Trennwand 6y weisen jeweils die in 4 gezeigte Profilstruktur auf.
Der erste Teil 61 weist in Breitenrichtung WD ein Paar Endabschnitte 61a auf. Der zweite Teil 62 weist ein unteres Ende 62a (untere Fläche), das mit dem ersten Teil 61 in Kontakt steht, ein oberes Ende 62b (obere Fläche), das mit dem dritten Teil 63 in Kontakt steht, und ein Paar Seitenflächen 62c in Breitenrichtung WD auf. Der dritte Teil 63 weist in Breitenrichtung WD ein Paar Endabschnitte 63a auf.
In dem Beispiel aus 4 weist der zweite Teil 62 eine Form auf, die vom unteren Ende 62a zum oberen Ende 62b hin schmaler wird, wodurch die Seitenflächen 62c in Bezug auf die dritte Richtung Z geneigt sind. Als ein anderes Beispiel können die Seitenflächen 62c auch im Wesentlichen parallel zu der dritten Richtung Z sein.
Die Breite des unteren Endes 62a ist größer als die Breite des ersten Teils 61. Dadurch springt das untere Ende 62a auf beiden Seiten in Breitenrichtung WD weiter als der erste Teil 61 vor. Die Breite des oberen Endes 6.2b ist kleiner als die Breite des dritten Teils 63. Dadurch springt der dritte Teil 63 in Breitenrichtung WD auf beiden Seiten weiter als das obere Ende 62b vor.
In der vorliegenden Ausführungsform wird also durch das untere Ende 62a ein Paar erste Überhangstrukturen OH1 gebildet und durch den dritten Teil 63 ein Paar zweite Überhangstrukturen OH2 gebildet. Im Bereich der Seitenflächen 62c ist jeweils zwischen dem unteren Ende 62a und der Rippe 5 ein Spalt GP gebildet.
5 ist eine schematische Schnittansicht, die die Rippe 5, die Trennwand 6, die erste organische Schicht OR1 und die erste obere Elektrode UE1 zeigt. Obwohl in 5 weggelassen, ist auf dem dritten Teil 63 ein Abschnitt der ersten organischen Schicht OR1 und der ersten oberen Elektrode UE1 angeordnet (siehe 3).
Im Beispiel aus 5 weist die erste organische Schicht OR1 eine Lochinjektionsschicht HIL, eine Lochleitungsschicht HTL, eine Elektronenblockierschicht EBL, eine Leuchtschicht eML, eine Lochblockierschicht HBL, eine Elektronenleitungsschicht ETL und eine Elektroneninjektionsschicht EIL auf, die der Reihe nach in der dritten Richtung Z' geschichtet sind. Von diesen Schichten ist die Lochleitungsschicht, HTL am dicksten. Die Dicke der Lochleitungsschicht HTL macht beispielsweise mindestens die Hälfte der Gesamtdicke der ersten organischen Schicht OR1 aus.
Die Lochinjektionsschicht HIL bedeckt die Rippe 5 und bedeckt durch die in 2 und 3 gezeigte erste Pixelöffnung AP1 die erste untere Elektrode LE1. Die Dicke der Lochinjektionsschicht HIL, der Lochleitungsschicht HTL, der Elektronenblockierschicht EBL, der Leuchtschicht EML, der Lochblockierschicht HBL, der Elektronenleitungsschicht ETL und der Elektroneninjektionsschicht EIL im Bereich der Trennwand 6 nimmt zu den Seitenflächen 62c hin ab.
Die Lochinjektionsschicht HIL steht nicht mit der Trennwand 6 in Kontakt. Konkret ist die Lochinjektionsschicht HIL von dem ersten Teil 61, dem unteren Ende 62a des zweiten Teils 62 und den Seitenflächen 62c entfernt. Im Bereich des unteren Endes 62a haftet eine Dünnschicht aus dem gleichen Material wie die Lochinjektionsschicht HIL an den Seitenflächen 62c an, wobei diese Dünnschicht von der Lochinjektionsschicht HIL entfernt sein kann.
Im Beispiel aus 5 ragt ein Abschnitt der Lochinjektionsschicht HIL und der Lochleitungsschicht HTL in den Spalt GP. Ein Eingang des Spalts GP (unmittelbar unterhalb des durch das untere Ende 62a und die Seitenflächen 62c ausgebildeten Eckabschnitts) ist durch diejenigen Schichten der Schichten der ersten organischen Schicht OR1, die auf der Lochinjektionsschicht HIL angeordnet sind (Lochleitungsschicht HTL und dergleichen), verschlossen. Die erste obere Elektrode UE1 deckt einen Abschnitt der ersten organischen Schicht OR1 und der Seitenflächen 62c kontinuierlich ab.
Der erste Teil 61 weist Isolationsfähigkeit auf. Der zweite Teil 62 und der dritte Teil 63 weisen Leitfähigkeit auf. Der dritte Teil 63 kann jedoch auch Isolationsfähigkeit aufweisen. Der erste Teil 61 und die Rippe 5, für die in einem nachstehend beschriebenen Herstellungsschritt Ätzselektivität erzielt werden sollen, sind aus einer anderen Art von isolierendem anorganischen Material gebildet. In der vorliegenden Ausführungsform ist der erste Teil 61 aus Siliziumnitrid gebildet, der zweite Teil 62 aus Aluminium (Al) gebildet und der dritte Teil 63 aus Titan (Ti) gebildet. Die Rippe 5 ist aus Siliziumoxid oder Siliziumoxynitrid gebildet.
Die Dicke T1 des ersten Teils 61 ist ausreichend kleiner als die Dicke T2 des zweiten Teils 62 (T1<T2). Die Dicke T3 des dritten Teils 63 ist größer als die Dicke T1 und kleiner als die Dicke T2 (T1<T3<T2). Als ein Beispiel beträgt die Dicke T1 20 nm, die Dicke T2 500 nm und die Dicke T3 100 nm. Die Dicke T1 entspricht der Höhe des Abstands GP.
Die Dicke T1 ist größer als die Dicke T4 der Lochinjektionsschicht HIL (T4<T1). Die Dicke T4 ist mit Ausnahme des im Bereich der Trennwand 6 dünner werdenden Teils die Dicke der Lochinjektionsschicht HIL. Die Dicke T4 lässt sich auch als die Dicke des Teils der Lochinjektionsschicht HIL bezeichnen, der die erste untere Elektrode LE1 abdeckt.
Im Beispiel aus 5 ist eine Länge D1, um die das untere Ende 62a des zweiten Teils 62 vom Endabschnitt 61a des ersten Teils 61 vorspringt, kleiner als eine Länge D2, um die der dritte Teil 63 vom obere Ende 62b des zweiten Teils 62 vorspringt (D1<D2). Es liegt jedoch keine Beschränkung auf dieses Beispiel vor, und die Länge D1 kann auch gleich oder größer als die Länge D2 sein. Vorzugsweise beträgt die Länge D1 mindestens das Zweifache der Dicke T1 (2×T1<D1) .
Die organischen Schichten OR2, OR3 und die oberen Elektroden UE2, UE3 weisen die gleiche Struktur wie die erste organische Schicht OR1 und erste obere Elektrode UE1 aus 5 auf. Die Dicke der einzelnen Schichten in den organischen Schichten OR1, OR2, OR3 kann auch unterschiedlich sein.
Als Nächstes wird ein Verfahren zum Herstellen der Anzeigevorrichtung DSP beschrieben.
6A bis 6D sind schematische Schnittansichten, die von dem Verfahren zum Herstellen der Anzeigevorrichtung DSP die Schritte zum Bilden der Trennwand 6 zeigen. Zunächst werden über dem Träger 10 der Reihe nach die Schaltungsschicht 11, die organische Isolationsschicht 12, die unteren Elektroden LE1, LE2, LE3 und die Rippe 5 gebildet.
Wie in 6A gezeigt, werden dann der Reihe nach eine erste Schicht 61s, die die Grundlage des ersten Teils 61 bildet, eine zweite Schicht 62s, die die Grundlage des zweiten Teils 62 bildet, und eine dritte Schicht 63s, die die Grundlage des dritten Teils 63 bildet, auf der Rippe 5 gebildet. Die erste Schicht 61s, die zweite Schicht 62s und die dritte Schicht 63s werden wenigstens im gesamten Anzeigebereich DA gebildet. Auf der dritten Schicht 63s wird außerdem ein Resist R1 gebildet. Der Resist R1 wird bei Betrachtung in Draufsicht zu der Form der Trennwand 6 strukturiert.
Der Resist R1 wird als Nächstes anisotropem Trockenätzen unter Verwendung beispielsweise eines Chlorätzgases als Maske unterzogen, und wie in 6B gezeigt, wird derjenige Teil der dritten Schicht 63s, der aus dem Resist R1 freiliegt, entfernt. Auf diese Weise wird der dritte Teil 63 mit der in 4 gezeigten Form gebildet. Beim Trockenätzen wird auch die Dicke des Teils der zweiten Schicht 62s reduziert, der aus dem Resist R1 freiliegt.
Als Nächstes erfolgt isotropes Nassätzen, und wie in 6C gezeigt, wird derjenige Teil der zweiten Schicht 62s, der aus dem Resist R1 freiliegt, vollständig entfernt. Beim Nassätzen erodiert auch die Seitenfläche der zweiten Schicht 62s, wodurch die Breite der zweiten Schicht 62s reduziert wird. Auf diese Weise werden der zweite Teil 62 und die zweite Überhangstruktur OH2 mit der in 4 gezeigten Form gebildet.
Anschließend wird unter Verwendung eines Fluorätzgases isotropes Trockenätzen durchgeführt, und wie in 6D gezeigt, wird derjenige Teil der ersten Schicht 61s, der aus dem zweiten Teil 62 freiliegt, entfernt. Beim Trockenätzen wird die Breite der ersten Schicht 61s unterhalb des zweiten. Teils 62 reduziert, und so werden der erste Teil 61 und die erste Überhangstruktur OH1 mit der in 4 gezeigten Form gebildet. Wenn die Rippe 5 wie oben erörtert aus Siliziumoxid oder Siliziumoxynitrid gebildet ist, kann die Beschädigung der Rippe 5 aufgrund des Trockenätzens unterbunden werden.
Das Bearbeitungsverfahren der ersten Schicht 61s ist nicht auf isotropes Trockenätzen mit Fluorätzgas beschränkt. Die Bearbeitung der ersten Schicht 61s kann auch durch ein anderes Verfahren wie Nassätzen oder dergleichen unter Verwendung einer Fluorwasserstoffsäure (HF) enthaltenden Ätzflüssigkeit durchgeführt werden.
Beispielsweise können die Pixelöffnungen AP1, AP2, AP3 der Rippe 5 nach dem Bilden der ersten Schicht 61s und vor dem Bilden der zweiten Schicht 62s durch Trockenätzen gebildet werden. Bei diesem Trockenätzen können die erste Schicht 61s und die Rippe 5 gleichzeitig erodieren. Als weitere Beispiel können die Pixelöffnungen AP1, AP2, AP3 nach der Trennwand 6 gebildet werden.
Nach dem Bilden des ersten Teils 61, des zweiten Teils 62 und des dritten Teils 63 wird die Trennwand 6 durch Entfernen des Resists R1 fertiggestellt. Als Nächstes werden die Schritte zum Bilden der Anzeigeelemente DE1, DE2, DE3 an den Subpixeln SP1, SP2, SP3 ausgeführt.
7A bis 7C sind schematische Schnittansichten, die von dem Verfahren zum Herstellen der Anzeigevorrichtung DSP die Schritte zum Bilden der Anzeigeelemente DE1, DE2, DE3 zeigen. Dabei ist als ein Beispiel denkbar, dass zunächst das dritte Anzeigeelement DE3, dann das zweite Anzeigeelement DE2 und zum Schluss das erste Anzeigeelement DE1 gebildet wird. Allerdings ist die Reihenfolge des Bildens der Anzeigeelemente DE1, DE2, DE3 nicht auf dieses Beispiel beschränkt.
Wie in 7A gezeigt, werden zunächst durch Aufdampfen der Reihe nach die dritte organische Schicht QR3, die dritte obere Elektrode UE3, die dritte Deckschicht CP3 und die dritte Abdichtungsschicht SE3 auf dem gesamten Träger gebildet. Durch die zweite Überhangstruktur OH2 der Trennwand 6 werden dabei die dritte organische Schicht OR3, die dritte obere Elektrode UE3 und die dritte Deckschicht CP3, die an den einzelnen Subpixeln SP1, SP2, SP3 gebildet sind, durchtrennt. Die dritte Abdichtungsschicht SE3 deckt die dritte Deckschicht CP3 und die Trennwand 6 kontinuierlich ab.
Im Schritt des Bildens der dritten organischen Schicht OR3 ist ein Schritt enthalten, in dem der Reihe nach durch Aufdampfen die Lochinjektionsschicht HIL, die Lochleitungsschicht HTL, die Elektronenblockierschicht EBL, die Leuchtschicht EML, die Lochblockierschicht HBL, die Elektronenleitungsschicht ETL und die Elektroneninjektionsschicht EIL gebildet werden. Von diesen Schichten, welche die dritte organische Schicht OR3 ausbilden, wird durch die Lochleitungsschicht HTL und dergleichen, die nach der Lochinjektionsschicht HIL gebildet werden, der Eingang des in 5 gezeigten Spalts GP verschlossen.
Wie in 7B gezeigt, wird als Nächstes ein Resist R2 auf der dritten Abdichtungsschicht SE3 gebildet. Der Resist R2 wird so strukturiert, dass er das dritte Subpixel SP3 überlagert. Der Resist R2 ist auch unmittelbar über demjenigen Teil der dritten organischen Schicht OR3, der dritten oberen Elektrode UE3 und der dritten Deckschicht CP3 auf der das dritte Subpixel SP3 umgebenden Trennwand 6 gelegen, der zum dritten Subpixel SP3 hin tendiert.
Durch Ätzen unter Verwendung des Resists R2 als Maske, wie in 7C gezeigt, wird der Teil der dritten organische Schicht OR3, der dritten oberen Elektrode UE3, der dritten Deckschicht CP3 und der dritten Abdichtungsschicht SE3 entfernt, der aus dem Resist R2 freiliegt. Dadurch wird am dritten Subpixel SP3 das dritte Anzeigeelement DE3gebildet, das die dritte untere Elektrode LE3, die dritte organische Schicht OR3, die dritte obere Elektrode UE3 und die dritte Deckschicht CP3 beinhaltet, wodurch ein Träger in einem Zustand erlangt werden kann, an dem keine Anzeigeelemente an den Subpixeln SP1, SP2 gebildet sind.
Anschließend wird der Resist R2 entfernt, und es werden der Reihe nach die Schritte zum Bilden des zweiten Anzeigeelements DE2 am zweiten Subpixel SP2 und die Schritte zum Bilden des ersten Anzeigeelements DE1 am ersten Subpixel SP1 ausgeführt. Diese Schritte sind die gleichen wie die Schritte zum Bilden des dritten Anzeigeelements DE3.
Nach dem Bilden der Anzeigeelemente DE1, DE2, DE3 werden die Schritte zum Bilden der Kunststoffschicht 13, der Abdichtungsschicht 14 und der Kunststoffschicht 15 ausgeführt. Damit ist die Anzeigevorrichtung DSP mit der in 3 gezeigten Struktur fertiggestellt.
Indem in der obenstehenden Ausführungsform, wie in 4 gezeigt, die Trennwand 6 mit dem ersten Teil 61, dem zweiten Teil 62 und dem dritten Teil 63 an der Grenze der Subpixel SP1, SP2, SP3 bereitgestellt ist, können verschiedene vorteilhafte Wirkungen erzielt werden, die die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung DSP erhöhen.
Beispielsweise wird durch die zweite Überhangstruktur OH2, an der der dritte Teil 63 weiter als das obere Ende 62b des zweiten Teils 62 vorspringt, der Umfangsrandabschnitt der organischen Schichten, OR1, OR2, OR3, der oberen Elektroden UE1, UE2, UE3 und der Deckschichten CP1, CP2, CP3 durchtrennt. Wenn die Anzeigeelemente DE1, DE2, DE3 durch das in 7A bis 7C gezeigte Verfahren gebildet werden, können auf diese Weise mittels der Abdichtungsschichten SE1, SE2, SE3 die Anzeigeelemente DE1, DE2, DE3 gut abgedichtet werden. Infolgedessen wird das Eindringen und Ausbreiten von Feuchtigkeit in die Anzeigeelemente DE1, DE2, DE3 unterbunden.
Würde die Lochinjektionsschicht HIL der organischen Schichten OR1, OR2, OR3 mit dem leitfähigen zweiten Teil 62 in Kontakt stehen, würde ein Leckstrom ohne Passieren der Leuchtschicht EML über die Lochinjektionsschicht HIL von den unteren Elektroden LE1, LE2, LE3 zum zweiten Teil 62 fließen, wodurch Anzeigefehler auftreten könnten. In der vorliegenden Ausführungsform dagegen weist die Trennwand 6 die erste Überhangstruktur OH1 auf, an der das untere Ende 62a des zweiten Teils 62 weiter als der erste Teil 61 vorspringt. Da also der untere Abschnitt der Trennwand 6, der leicht an der Lochinjektionsschicht HIL anhaften kann, in Breitenrichtung WD zurückgesetzt ist, kommt es beim Aufdampfen der Lochinjektionsschicht HIL nicht ohne Weiteres zu einem Anhaften der Lochinjektionsschicht HIL an der Trennwand 6. Selbst wenn das Material der Lochinjektionsschichts HIL mit der Seitenfläche 62c des zweiten Teils 62 in Kontakt gelangt, ist es durch die erste Überhangstruktur OH1 von den Anzeigeelementen DE1, DE2, DE3 abgetrennt.
Somit wird der Kontakt der Lochinjektionsschicht HIL mit der Trennwand 6 verhindert, wodurch Anzeigemängel aufgrund von Leckstrom unterbunden werden können.
Wenn die Dicke T1 des ersten Teils 61 wie oben beschrieben größer als die Dicke T4 der Lochinjektionsschicht HIL ist, so kann ein Kontakt zwischen der Lochinjektionsschicht HIL und dem zweiten Teil 62 noch zuverlässiger unterbunden werden.
Wenn der erste Teil 61 wie in der vorliegenden Ausführungsform Isolationsfähigkeit aufweist, so kommt es selbst für den Fall, dass die Lochinjektionsschicht HIL in den Spalt GP eintritt und mit dem ersten Teil 61 in Kontakt gelangt, nicht zu einem Stromfluss zwischen dem zweiten Teil 62 und der Lochinjektionsschicht HIL.
Wenn, wie in 5 gezeigt, der Eingang des Spalts GP durch die Lochleitungsschicht HTL und dergleichen verschlossen ist, kann ein Durchtrennen der oberen Elektroden UE1, UE2, UE3 durch die erste Überhangstruktur OH1 unterbunden werden. Dadurch wird eine gute Stromversorgung der oberen Elektroden UE1, UE2, UE3 von der Trennwand 6 ermöglicht.
Selbst wenn die Trennwand 6 die erste Überhangstruktur OH1 nicht aufweisen sollte, kann ein Kontakt zwischen der Lochinjektionsschicht HIL und dem zweiten Teil 62 unterbunden werden, indem die Dicke T2 des zweiten Teils 62 und die Vorsprunglänge D2 des dritten Teils 63 geeignet angepasst werden. Allerdings ist in diesem Fall bei der Herstellung der Anzeigevorrichtung DSP eine präzise Kontrolle der Dicke T2 und der Länge D2 erforderlich.
Handelt es sich jedoch um die Ausgestaltung der Trennwand 6 gemäß der vorliegenden Ausführungsform, so kann die Funktion zum Unterbinden des Kontakts zwischen der Lochinjektionsschicht HIL und dem zweiten Teil 62 von der ersten Überhangstruktur OH1 übernommen werden. Dies steigert den Toleranzbereich für die Abmessungen der Dicke T2 und der Länge D2, wodurch Einschränkungen bezüglich Schwankungen in der Form der Trennwand 6 bei der Herstellung gelockert werden können.
Die Ausgestaltung der Trennwand 6 mit der ersten Überhangstruktur OH1 und der zweiten Überhangstruktur OH2 und die Schritte zum Bilden der Trennwand 6 sind nicht auf die Offenbarungen in der vorliegenden Ausführungsform beschränkt. In einer zweiten bis neunten Ausführungsform, die im Folgenden beschrieben werden, werden weitere Beispiel für die Ausgestaltung der Trennwand 6 und die Schritte zum Bilden der Trennwand 6 offenbart. Auf Ausgestaltungen, auf die in diesen Ausführungsformen nicht weiter eingegangen wird, können gleichartige Ausgestaltungen wie in der ersten Ausführungsform angewandt werden.
[Zweite Ausführungsform]
8 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Trennwand 6 gemäß einer zweiten Ausführungsform zeigt. Die Trennwand 6 gemäß der vorliegenden Ausführungsform weist ebenso wie in der ersten Ausführungsform den ersten Teil 61, den zweiten Teil 62 und den dritten Teil 63 auf. Allerdings beinhaltet in der vorliegenden Ausführungsform der dritte Teil 63 eine aus Titan gebildete Titanschicht 631 und eine Schicht 632 aus leitfähigem Oxid, die aus einem leitfähigen Oxid wie ITO, IZO, IGZO oder dergleichen gebildet ist. Beispielsweise ist der erste Teil 61 ebenso wie in der ersten Ausführungsform aus Siliziumnitrid gebildet, der zweite Teil 62 aus Aluminium gebildet und die Rippe 5 aus Siliziumoxid oder Siliziumoxynitrid gebildet.
Die Titanschicht 631 ist auf dem oberen Ende 62b des zweiten Teils 62 angeordnet. Die Schicht 632 aus leitfähigem Oxid ist auf der Titanschicht 631 angeordnet. Die Schicht 632 aus leitfähigem Oxid ist dünner als die Titanschicht 631 gebildet.
Als ein Beispiel beträgt die Dicke des ersten Teils 61 20 nm, die Dicke des zweiten Teils 62 500 nm, die Dicke der Titanschicht 631 100 nm und die Dicke der Schicht 632 aus leitfähigem Oxid 50 nm.
9A bis 9E sind Ansichten, die ein Beispiel für Schritte zum Bilden der Trennwand 6 gemäß der vorliegenden Ausführungsform zeigen. Wie in 9A gezeigt, werden zunächst der Reihe nach die erste Schicht 61s, die die Grundlage des ersten Teils 61 bildet, die zweite Schicht 62s, die die Grundlage des zweiten Teils 62 bildet, die dritte Schicht 63s, die die Grundlage des dritten Teils 63 bildet, und der Resist R1 auf der Rippe 5 gebildet. Die dritte Schicht 63s beinhaltet die Titanschicht 631s und die Schicht 632s aus leitfähigem Oxid.
Als Nächstes wird Nassätzen mit dem Resist R1 als Maske durchgeführt und, wie in 9B gezeigt, der der aus dem Resist R1 freiliegende Teil der Schicht 632s aus leitfähigem Oxid entfernt. Dadurch wird die in 8 gezeigte Schicht 632 aus leitfähigem Oxid gebildet.
Der Resist R1 wird außerdem anisotropem Trockenätzen unter Verwendung beispielsweise eines Chlorätzgases als Maske unterzogen, und wie in 9C gezeigt, wird derjenige Teil der Titanschicht 631s, der aus dem Resist R1 freiliegt, entfernt. Auf diese Weise wird die Titanschicht 631 mit der in 8 gezeigten Form gebildet. Beim Trockenätzen wird auch die Dicke des Teils der zweiten Schicht 62s reduziert, der aus dem Resist R1 freiliegt. Im Beispiel von 9C wird die Breite des Resists R1 durch das Trockenätzen geringfügig reduziert.
Als Nächstes erfolgt isotropes Nassätzen, und wie in 9D gezeigt, wird derjenige Teil der zweiten Schicht 62s, der aus dem Resist R1 freiliegt, vollständig entfernt. Beim Nassätzen erodiert auch die Seitenfläche der zweiten Schicht 62s, wodurch die Breite der zweiten Schicht 62s reduziert wird. Auf diese Weise werden der zweite Teil 62 und die zweite Überhangstruktur OH2 mit der in 8 gezeigten Form gebildet.
Anschließend wird unter Verwendung eines Fluorätzgases isotropes Trockenätzen durchgeführt, und wie in 9E gezeigt, wird derjenige Teil der ersten Schicht 61s, der aus dem zweiten Teil 62 freiliegt, entfernt. Beim Trockenätzen wird die Breite der ersten Schicht 61s unterhalb des zweiten Teils 62 reduziert, und so werden der erste Teil 61 und die erste Überhangstruktur OH1 mit der in 8 gezeigten Form gebildet. Die erste Schicht 61s kann auch durch ein anderes Verfahren wie Nassätzen oder dergleichen unter Verwendung einer Fluorwasserstoffsäure enthaltenden Ätzflüssigkeit bearbeitet werden. Nachdem der erste Teil 61, der zweite Teil 62 und der dritte Teil 63 auf diese Weise gebildet wurden, wird die Trennwand 6 durch Entfernen des Resists R1 fertiggestellt.
Bei der Ausgestaltung der Trennwand 6 der vorliegenden Ausführungsform kann die zweite Überhangstruktur OH2 in einer stabilen Form gebildet werden. So übernimmt die Schicht 632 aus leitfähigem Oxid die Rolle der Maske, falls beim Ätzen der Titanschicht 631s und der zweiten Schicht 62s die Breite des Resists R1 wie in 9C gezeigt reduziert werden sollte. Auf diese Weise können die Titanschicht 631 und der zweite Teil 62 mit hoher Präzision gebildet werden und infolgedessen die Form der zweiten Überhangstruktur OH2 stabilisiert werden.
[Dritte Ausführungsform]
10 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Trennwand 6 gemäß einer dritten Ausführungsform zeigt. Die Trennwand 6 gemäß der vorliegenden Ausführungsform weist ebenso wie in der ersten Ausführungsform den ersten Teil 61, den zweiten Teil 62 und den dritten Teil 63 auf. Allerdings beinhaltet in der vorliegenden Ausführungsform der zweite Teil 62 eine aus Aluminiumlegierung gebildete Aluminiumlegierungsschicht 621 und eine aus Aluminium (reinem Aluminium) gebildete Aluminiumschicht 622. Als das Material für die Aluminiumlegierungsschicht 621 kann beispielsweise eine Aluminium-Neodym-Legierung (AlNd) oder eine Aluminium-Silizium-Legierung (AlSi) verwendet werden.
Die Aluminiumlegierungsschicht 621 ist auf dem ersten Teil 61 angeordnet. Die Aluminiumschicht 622 ist auf der Aluminiumlegierungsschicht 621 angeordnet. Die Aluminiumlegierungsschicht 621 ist dünner als die Aluminiumschicht 622 gebildet.
Beispielsweise ist der erste Teil 61 ebenso wie in der ersten Ausführungsform aus Siliziumnitrid gebildet, der dritte Teil 63 aus Titan gebildet und die Rippe 5 aus Siliziumoxid oder Siliziumoxynitrid gebildet.
Als ein Beispiel beträgt die Dicke des ersten Teils 61 20 nm, die Dicke der Aluminiumlegierungsschicht 621 50 nm, die Dicke der Aluminiumschicht 622 450 nm und die Dicke des dritten Teils 63 100 nm.
11A bis 11D sind Ansichten, die ein Beispiel für Schritte zum Bilden der Trennwand 6 gemäß der vorliegenden Ausführungsform zeigen. Wie in 11A gezeigt, werden zunächst der Reihe nach die erste Schicht 61s, die die Grundlage des ersten Teils 61 bildet, die zweite Schicht 62s, die die Grundlage des zweiten Teils 62 bildet, die dritte Schicht 63s, die die Grundlage des dritten Teils 63 bildet, und der Resist R1 auf der Rippe 5 gebildet. Die zweite Schicht 62s beinhaltet die Aluminiumlegierungsschicht 621s und die Aluminiumschicht 622s.
Der Resist R1 wird als Nächstes anisotropem Trockenätzen unter Verwendung beispielsweise eines Chlorätzgases als Maske unterzogen, und wie in 11B gezeigt, wird derjenige Teil der dritten Schicht 63s, der aus dem Resist R1 freiliegt, entfernt. Auf diese Weise wird der dritte Teil 63 mit der in 10 gezeigten Form gebildet. Beim Trockenätzen wird auch der Teil der Aluminiumschicht 622s entfernt, der aus dem Resist R1 freiliegt. Die Aluminiumlegierungsschicht 621s dient beim Trockenätzen als Ätzstopper.
Als Nächstes erfolgt isotropes Nassätzen, und wie in 11C gezeigt, wird derjenige Teil der Aluminiumlegierungsschicht 621s, der aus dem Resist R1 freiliegt, entfernt. Beim Nassätzen erodieren auch die Seitenflächen der Aluminiumlegierungsschicht 621s und der Aluminiumschicht 622s, wodurch ihre Breite reduziert wird. Auf diese Weise werden der zweite Teil 62, der die Aluminiumlegierungsschicht 621 und die Aluminiumschicht 622 beinhaltet, und die zweite Überhangstruktur OH2 mit der in 10 gezeigten Form gebildet.
Anschließend wird unter Verwendung eines Fluorätzgases isotropes Trockenätzen durchgeführt, und wie in 11D gezeigt, wird derjenige Teil der ersten Schicht 61s, der aus dem zweiten Teil 62 freiliegt, entfernt. Beim Trockenätzen wird die Breite der ersten Schicht 61s unterhalb des zweiten Teils 62 reduziert, und so werden der erste Teil 61 und die erste Überhangstruktur OH1 mit der in 10 gezeigten Form gebildet. Die erste Schicht 61s kann auch durch ein anderes Verfahren wie Nassätzen oder dergleichen unter Verwendung einer Fluorwasserstoffsäure enthaltenden Ätzflüssigkeit bearbeitet werden. Nachdem der erste Teil 61, der zweite Teil 62 und der dritte Teil 63 auf diese Weise gebildet wurden, wird die Trennwand 6 durch Entfernen des Resists R1 fertiggestellt.
Da bei der Ausgestaltung der Trennwand 6 der vorliegenden Ausführungsform die Aluminiumlegierungsschicht 621s als Ätzstopper für das Trockenätzen der,dritten Schicht 63s und der Aluminiumschicht 622s dient, kann ein Erodieren der ersten Schicht 61s und der Rippe 5 unterbunden werden.
[Vierte Ausführungsform]
12 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Trennwand 6 gemäß einer vierten Ausführungsform zeigt. Bei dieser Trennwand 6 beinhaltet der dritte Teil 63 ebenso wie in der zweiten Ausführungsform die Titanschicht 631 und die Schicht 632 aus leitfähigem Oxid, und der zweite Teil 62 beinhaltet ebenso wie in der dritten Ausführungsform die Aluminiumlegierungsschicht 621 und die Aluminiumschicht 622. Beispielsweise ist der erste Teil 61 ebenso wie in der ersten Ausführungsform aus Siliziumnitrid gebildet, und die Rippe 5 ist aus Siliziumoxid oder Siliziumoxynitrid gebildet.
Als ein Beispiel beträgt die Dicke des ersten Teils 61 20 nm, die Dicke der Aluminiumlegierungsschicht 621 50 nm, die Dicke der Aluminiumschicht 622 450 nm, die Dicke der Titanschicht 631 100 nm und die Dicke der Schicht 632 aus leitfähigem Oxid 50 nm.
13A bis 13E sind Ansichten, die ein Beispiel für Schritte zum Bilden der Trennwand 6 gemäß der vorliegenden Ausführungsform zeigen. Wie in 13A gezeigt, werden zunächst der Reihe nach die erste Schicht 61s, die die Grundlage des ersten Teils 61 bildet, die zweite Schicht 62s, die die Grundlage des zweiten Teils 62 bildet, die dritte Schicht 63s, die die Grundlage des dritten Teils 63 bildet, und der Resist R1 auf der Rippe 5 gebildet. Die zweite Schicht 62s beinhaltet die Aluminiumlegierungsschicht 621s und die Aluminiumschicht 622s. Die dritte Schicht 63s beinhaltet die Titanschicht 631s und die Schicht 632s aus leitfähigem Oxid.
Als Nächstes wird Nassätzen mit dem Resist R1 als Maske durchgeführt und, wie in 13B gezeigt, der der aus dem Resist R1 freiliegende Teil der Schicht 632s aus leitfähigem Oxid entfernt. Dadurch wird die in 12 gezeigte Schicht 632 aus leitfähigem Oxid gebildet.
Der Resist R1 wird außerdem anisotropem Trockenätzen unter Verwendung beispielsweise eines Chlorätzgases als Maske unterzogen, und wie in 13C gezeigt, wird derjenige Teil der Titanschicht 631s, der aus dem Resist R1 freiliegt, entfernt. Auf diese Weise wird die Titanschicht 631 mit der in 12 gezeigten Form gebildet. Beim Trockenätzen wird auch der Teil der Aluminiumschicht 622s entfernt, der aus dem Resist R1 freiliegt. Die Aluminiumlegierungsschicht 621s dient beim Trockenätzen als Ätzstopper.
Als Nächstes erfolgt isotropes Nassätzen, und wie in 13D gezeigt, wird derjenige Teil der Aluminiumlegierungsschicht 621s, der aus dem Resist R1 freiliegt, entfernt. Beim Nassätzen erodieren auch die Seitenflächen der Aluminiumlegierungsschicht 621s und der Aluminiumschicht 622s, wodurch ihre Breite reduziert wird. Auf diese Weise werden der zweite Teil 62, der die Aluminiumlegierungsschicht 621 und die Aluminiumschicht 622 beinhaltet, und die zweite Überhangstruktur OH2 mit der in 12 gezeigten Form gebildet.
Anschließend wird unter Verwendung eines Fluorätzgases isotropes Trockenätzen durchgeführt, und wie in 13E gezeigt, wird derjenige Teil der ersten Schicht 61s, der aus dem zweiten Teil 62 freiliegt, entfernt. Beim Trockenätzen wird die Breite der ersten Schicht 61s unterhalb des zweiten Teils 62 reduziert, und so werden der erste Teil 61 und die erste Überhangstruktur OH1 mit der in 12 gezeigten Form gebildet. Die erste Schicht 61s kann auch durch ein anderes Verfahren wie Nassätzen oder dergleichen unter Verwendung einer Fluorwasserstoffsäure enthaltenden Ätzflüssigkeit bearbeitet werden. Nachdem der erste Teil 61, der zweite Teil 62 und der dritte Teil 63 auf diese Weise gebildet wurden, wird die Trennwand 6 durch Entfernen des Resists R1 fertiggestellt.
[Fünfte Ausführungsform]
14 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Trennwand 6 gemäß einer fünften Ausführungsform zeigt. Die Trennwand 6 gemäß der vorliegenden Ausführungsform weist ebenso wie in der ersten Ausführungsform den ersten Teil 61, den zweiten Teil 62 und den dritten Teil 63 auf. In dem Beispiel aus 14 sind die Seitenflächen 62c des zweiten Teils 62 jedoch im Wesentlichen parallel zur dritten Richtung Z. Beispielsweise ist der erste Teil 61 ebenso wie in der ersten Ausführungsform aus Siliziumnitrid gebildet, der zweite Teil 62 aus Aluminium gebildet, der dritte Teil 63 aus Titan gebildet und die Rippe 5 aus Siliziumoxid oder Siliziumoxynitrid gebildet.
Als ein Beispiel beträgt die Dicke des ersten Teils 61 20 nm, die Dicke des zweiten Teils 62 500 nm und die Dicke des dritten Teils 63 100nm.
15A bis 15D sind Ansichten, die ein Beispiel für Schritte zum Bilden der Trennwand 6 gemäß der vorliegenden Ausführungsform zeigen. Wie in 15A gezeigt, werden zunächst der Reihe nach die erste Schicht 61s, die die Grundlage des ersten Teils 61 bildet, die zweite Schicht 62s, die die Grundlage des zweiten Teils 62 bildet, die dritte Schicht 63s, die die Grundlage des dritten Teils 63 bildet, und der Resist R1 auf der Rippe 5 gebildet.
Der Resist R1 wird als Nächstes anisotropem Trockenätzen unter Verwendung beispielsweise eines Chlorätzgases als Maske unterzogen, und wie in 15B gezeigt, wird derjenige Teil der dritten Schicht 63s, der aus dem Resist R1 freiliegt, entfernt. Auf diese Weise wird der dritte Teil 63 mit der in 14 gezeigten Form gebildet. Beim Trockenätzen wird auch der Teil der ersten Schicht 61s und der zweiten Schicht 62s entfernt, der aus dem Resist R1 freiliegt. Die Rippe 5 dient beim Trockenätzen als Ätzstopper.
Als Nächstes erfolgt isotropes Nassätzen, und wie in 15C gezeigt, wird die Breite der zweiten Schicht 62s reduziert. Auf diese Weise werden der zweite Teil 62 und die zweite Überhangstruktur OH2 mit der in 14 gezeigten Form gebildet.
Anschließend wird unter Verwendung eines Fluorätzgases isotropes Trockenätzen durchgeführt, und wie in 15D gezeigt, wird derjenige Teil der ersten Schicht 61s, der aus dem zweiten Teil 62 freiliegt, entfernt. Beim Trockenätzen wird die Breite der ersten Schicht61s unterhalb des zweiten Teils 62 reduziert, und so werden der erste Teil 61 und die erste Überhangstruktur OH1 mit der in 14 gezeigten Form gebildet.. Die erste Schicht 61s kann auch durch ein anderes Verfahren wie Nassätzen oder dergleichen unter Verwendung einer Fluorwasserstoffsäure enthaltenden Ätzflüssigkeit bearbeitet werden. Nachdem der erste Teil 61, der zweite Teil 62 und der dritte Teil 63 auf diese Weise gebildet wurden, wird die Trennwand 6 durch Entfernen des Resists R1 fertiggestellt.
[Sechste Ausführungsform]
16 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Trennwand 6 gemäß einer sechsten Ausführungsform zeigt. Bei der Trennwand 6 der vorliegenden Ausführungsform weist der dritte Teil 63 ebenso wie in der zweiten Ausführungsform die Titanschicht 631 und die Schicht 632 aus leitfähigem Oxid auf. In dem Beispiel aus 16 sind die Seitenflächen 62c des zweiten Teils 62 im Wesentlichen parallel zur dritten Richtung Z. Beispielsweise ist der erste Teil 61 ebenso wie in der ersten Ausführungsform aus Siliziumnitrid gebildet, der zweite Teil 62 aus Aluminium gebildet und die Rippe 5 aus Siliziumoxid oder Siliziumoxynitrid gebildet.
Als ein Beispiel beträgt die Dicke des ersten Teils 61 20 nm, die Dicke des zweiten Teils 62 500 nm, die Dicke der Titanschicht 631 100 nm und die Dicke der Schicht 632 aus leitfähigem Oxid 50 nm.
17A bis 17E sind Ansichten, die ein Beispiel für Schritte zum Bilden der Trennwand 6 gemäß der vorliegenden Ausführungsform zeigen. Wie in 17A gezeigt, werden zunächst der Reihe nach die erste Schicht 61s, die die Grundlage des ersten Teils 61 bildet, die zweite Schicht 62s, die die Grundlage des zweiten Teils 62 bildet, die dritte Schicht 63s, die die Grundlage des dritten Teils 63 bildet, und der Resist R1 auf der Rippe 5 gebildet. Die dritte Schicht 63s beinhaltet, die Titanschicht 631s und die Schicht 632s aus leitfähigem Oxid.
Als Nächstes wird Nassätzen mit dem Resist R1 als Maske durchgeführt und, wie in 17B gezeigt, der aus dem Resist R1 freiliegende Teil der Schicht 632s aus leitfähigem Oxid entfernt. Dadurch wird die in 16 gezeigte Schicht 632 aus leitfähigem Oxid gebildet.
Der Resist R1 wird außerdem anisotropem Trockenätzen unter Verwendung beispielsweise eines Chlorätzgases als Maske unterzogen, und wie in 17C gezeigt, wird derjenige Teil der Titarischicht 631s, der aus dem Resist R1 freiliegt, entfernt. Auf diese Weise wird der dritte Teil 63 mit der in 16 gezeigten Form gebildet. Beim Trockenätzen wird auch der Teil der zweiten Schicht 62s und der ersten Schicht 61s entfernt, der aus dem Resist R1 freiliegt. Die Rippe 5 dient beim Trockenätzen als Ätzstopper.
Als Nächstes erfolgt isotropes Nassätzen, und wie in 17D gezeigt, wird die Breite der zweiten Schicht 62s reduziert. Auf diese Weise werden der zweite Teil 62 und die zweite Überhangstruktur OH2 mit der in 16 gezeigten Form gebildet.
Anschließend wird unter Verwendung eines Fluorätzgases isotropes Trockenätzen durchgeführt, und wie in 17E gezeigt, wird derjenige Teil der ersten Schicht 61s, der aus dem zweiten Teil 62 freiliegt, entfernt. Bei dem Trockenätzen wird die Breite der ersten Schicht 61s unterhalb des zweiten Teils 62 reduziert, und so werden der erste Teil 61 und die erste Überhangstruktur OH1 mit der in 16 gezeigten Form gebildet. Die erste Schicht 61s kann auch durch ein anderes Verfahren wie Nassätzen oder dergleichen unter Verwendung einer Fluorwasserstoffsäure enthaltenden Ätzflüssigkeit bearbeitet werden. Nachdem der erste Teil 61, der zweite Teil 62 und der dritte Teil 63 auf diese Weise gebildet wurden, wird die Trennwand 6 durch Entfernen des Resists R1 fertiggestellt.
[Siebte Ausführungsform]
18 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Trennwand 6 gemäß einer siebten Ausführungsform zeigt. Die Trennwand 6 gemäß der vorliegenden Ausführungsform weist ebenso wie in der ersten Ausführungsform den ersten Teil 61, den zweiten Teil 62 und den dritten Teil 63 auf. In der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet der zweite Teil 62 jedoch die Aluminiumschicht 622, die aus Aluminium (reinem Aluminium) gebildet ist, und die aus Titan gebildete Titanschicht 623. Beispielsweise ist der erste Teil 61 ebenso wie in der ersten Ausführungsform aus Siliziumnitrid gebildet, der dritte Teil 63 aus Titan gebildet und die Rippe 5 aus Siliziumoxid oder Siliziumoxynitrid gebildet.
Die Titanschicht 623 ist auf dem ersten Teil 61 angeordnet. Die Aluminiumschicht 622 ist auf der Titanschicht 623 angeordnet. Die Titanschicht 623 springt auf beiden Seiten in Breitenrichtung WD weiter als der erste Teil 61 und die Aluminiumschicht 622 vor. Dadurch wird die erste Überhangstruktur OH1 gebildet.
Die Titanschicht 623 ist dünner als die Aluminiumschicht 622 gebildet. Als ein Beispiel beträgt die Dicke des ersten Teils 61 20 nm, die Dicke der Titanschicht 623 100 nm, die Dicke der Aluminiumschicht 622 500 nm und die Dicke des dritten Teils 63 100 nm.
19A bis 19D sind Ansichten, die ein Beispiel für Schritte zum Bilden der Trennwand 6 gemäß der vorliegenden Ausführungsform zeigen. Wie in 19A gezeigt, werden zunächst der Reihe nach die erste Schicht 61s, die die Grundlage des ersten Teils 61 bildet, die zweite Schicht 62s, die die Grundlage des zweiten Teils 62 bildet, die dritte Schicht 63s, die die Grundlage des dritten Teils 63 bildet, und der Resist R1 auf der Rippe 5 gebildet. Die zweite Schicht 62s beinhaltet die Aluminiumschicht 622s und die Titanschicht 623s.
Der Resist R1 wird als Nächstes anisotropem Trockenätzen unter Verwendung beispielsweise eines Chlorätzgases als Maske unterzogen, und wie in 19B gezeigt, wird derjenige Teil der dritten Schicht 63s, der aus dem Resist R1 freiliegt, entfernt.Auf diese Weise wird der dritte Teil 63 mit der in 18 gezeigten Form gebildet. Beim Trockenätzen wird auch der Teil der Aluminiumschicht 622s, der Titanschicht 623s und der ersten Schicht 61s entfernt, der aus dem Resist R1 freiliegt. Die Rippe 5 dient beim Trockenätzen als Ätzstopper.
Als Nächstes erfolgt isotropes Nassätzen, und wie in 19C gezeigt, wird die Breite der Aluminiumschicht 622s reduziert. Auf diese Weise werden der zweite Teil 62 und die zweite Überhangstruktur OH2 mit der in 18 gezeigten Form gebildet.
Anschließend wird unter Verwendung eines Fluorätzgases isotropes Trockenätzen durchgeführt, und wie in 19D gezeigt, wird derjenige Teil der ersten Schicht 61s, der aus der Titanschicht 623 freiliegt, entfernt. Beim Trockenätzen wird die Breite der ersten Schicht 61s unterhalb der Titanschicht 623 reduziert, und so werden der erste Teil 61 und die erste Überhangstruktur OH1 mit der in 18 gezeigten Form gebildet. Die erste Schicht 61s kann auch durch ein anderes Verfahren wie Nassätzen oder dergleichen unter Verwendung einer Fluorwasserstoffsäure enthaltenden Ätzflüssigkeit bearbeitet werden. Nachdem der erste Teil 61, der zweite Teil 62 und der dritte Teil 63 auf diese Weise gebildet wurden, wird die Trennwand 6 durch Entfernen des Resists R1 fertiggestellt.
Auch wenn die erste Überhangstruktur OH1 wie in der vorliegenden Ausführungsform durch die Titanschicht 623 des zweiten Teils 62 gebildet wird, können die gleichen Wirkungen wie mit der ersten Ausführungsform erlangt werden.
[Achte Ausführungsform]
20 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Trennwand 6 gemäß einer achten Ausführungsform zeigt. Bei der Trennwand 6 der vorliegenden Ausführungsform beinhaltet der dritte Teil 63 ebenso wie in der zweiten Ausführungsform die Titanschicht 631 und die Schicht 632 aus leitfähigem Oxid, und der zweite Teil 62 beinhaltet ebenso wie in der siebten Ausführungsform die Aluminiumschicht 622 und die Titanschicht 623. Beispielsweise ist der erste Teil 61 aus Siliziumnitrid gebildet, und die Rippe 5 ist aus Siliziumoxid oder Siliziumoxynitrid gebildet.
Als ein Beispiel beträgt die Dicke des ersten Teils 61 20 nm, die Dicke der Titanschicht 623 100 nm, die Dicke der Aluminiumschicht 622 500 nm, die Dicke der Titanschicht 631 100 nm und die Dicke der Schicht 632 aus leitfähigem Oxid 50 nm.
21A bis 21E sind Ansichten, die ein Beispiel für Schritte zum Bilden der Trennwand 6 gemäß der vorliegenden Ausführungsform zeigen. Wie in 21A gezeigt, werden zunächst der Reihe nach die erste Schicht 61s, die die Grundlage des ersten Teils 61 bildet, die zweite Schicht 62s, die die Grundlage des zweiten Teils 62 bildet, die dritte Schicht 63s, die die Grundlage des dritten Teils 63 bildet, und der Resist R1 auf der Rippe 5 gebildet. Die zweite Schicht 62s beinhaltet die Aluminiumschicht 622s und die Titanschicht 623s. Die dritte Schicht 63s beinhaltet die Titanschicht 631s und die Schicht 632s aus leitfähigem Oxid.
Als Nächstes wird Nassätzen mit dem Resist R1 als Maske durchgeführt und, wie in 21B gezeigt, der der aus dem Resist R1 freiliegende Teil der Schicht 632s aus leitfähigem Oxid entfernt. Dadurch wird die in 20 gezeigte Schicht 632 aus leitfähigem Oxid gebildet.
Der Resist R1 wird außerdem anisotropem Trockenätzen unter Verwendung beispielsweise eines Chlorätzgases als Maske unterzogen, und wie in 21C gezeigt, wird derjenige Teil der Titanschicht 631s, der aus dem Resist R1 freiliegt, entfernt. Auf diese Weise wird die Titanschicht 631 mit der in 21 gezeigten Form gebildet. Beim Trockenätzen wird auch der Teil der Aluminiumschicht 622s, der Titanschicht 623s und der ersten Schicht 61s entfernt, der aus dem Resist R1 freiliegt. Die Rippe 5 dient beim Trockenätzen als Ätzstopper.
Als Nächstes erfolgt isotropes Nassätzen, und wie in 21D gezeigt, wird die Breite der Aluminiumschicht 622s reduziert. Auf diese Weise werden der zweite Teil 62, der die Aluminiumschicht 622 und die Titanschicht 623 beinhaltet, und die zweite Überhangstruktur OH2 mit der in 20 gezeigten Form gebildet.
Anschließend wird unter Verwendung eines Fluorätzgases isotropes Trockenätzen durchgeführt, und wie in 21E gezeigt, wird derjenige Teil der ersten Schicht 61s, der aus der Titanschicht 623 freiliegt, entfernt. Bei dem Trockenätzen wird die Breite der ersten Schicht 61s unterhalb der Titanschicht 623 reduziert, und so werden der erste Teil 61 und die erste Überhangstruktur OH1 mit der in 21 gezeigten Form gebildet. Die erste Schicht 61s kann auch durch ein anderes Verfahren wie Nassätzen oder dergleichen unter Verwendung einer Fluorwasserstoffsäure enthaltenden Ätzflüssigkeit bearbeitet werden. Nachdem der erste Teil 61, der zweite Teil 62 und der dritte Teil 63 auf diese Weise gebildet wurden, wird die Trennwand 6 durch Entfernen des Resists R1 fertiggestellt.
[Neunte. Ausführungsform]
22 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Trennwand 6 gemäß einer neunten Ausführungsform zeigt. Ebenso wie bei der in 18 gezeigten Trennwand 6 der siebten Ausführungsform beinhaltet bei der Trennwand 6 der vorliegenden Ausführungsform der zweite Teil 62 die Aluminiumschicht 622 und die Titanschicht 623. Außerdem beinhaltet der zweite Teil 62 eine Schicht 624 aus leitfähigem Oxid, die aus einem leitfähigen Oxid wie ITO, IZO oder IGZO gebildet ist. Beispielsweise ist der erste Teil 61 ebenso wie in der ersten Ausführungsform aus Siliziumnitrid gebildet, der dritte Teil 63 aus Titan gebildet und die Rippe 5 aus Siliziumoxid oder Siliziumoxynitrid gebildet.
Die Schicht 624 aus leitfähigem Oxid ist auf dem ersten Teil 61 angeordnet. Die Titanschicht 623 ist auf der Schicht 624 aus leitfähigem Oxid angeordnet. Die Aluminiumschicht 622 ist auf der Titanschicht 623 angeordnet. Die Titanschicht 623 und die Schicht 624 aus leitfähigem Oxid springen auf beiden Seiten in Breitenrichtung WD weiter als der erste Teil 61 vor und bilden die erste Überhangstruktur OH1. Im Beispiel aus 22 ist die Breite der Schicht 624 aus leitfähigem Oxid kleiner als die Breite der Titanschicht 623.
Als ein Beispiel beträgt die Dicke des ersten Teils 61 20 nm, die Dicke der Schicht 624 aus leitfähigem Oxid 50 nm, die Dicke der Titanschicht 623 100 nm, die Dicke der Aluminiumschicht 622 500 nm und die Dicke des dritten Teils 63 100 nm.
23A bis 23E sind Ansichten, die ein Beispiel für Schritte zum Bilden der Trennwand 6 gemäß der vorliegenden Ausführungsform zeigen. Wie in 23A gezeigt, werden zunächst der Reihe nach die erste Schicht 61s, die die Grundlage des ersten Teils 61 bildet, die zweite Schicht 62s, die die Grundlage des zweiten Teils 62 bildet, die dritte Schicht 63s, die die Grundlage des dritten Teils 63 bildet, und der Resist R1 auf der Rippe 5 gebildet. Die zweite Schicht 62s beinhaltet die Aluminiumschicht 622s, die Titanschicht 623s und die Schicht 624s aus leitfähigem Oxid.
Der Resist R1 wird als Nächstes anisotropem Trockenätzen unter Verwendung beispielsweise eines Chlorätzgases als Maske unterzogen, und wie in 23B gezeigt, wird derjenige Teil der dritten Schicht 63s, der aus dem Resist R1 freiliegt, entfernt. Auf diese Weise wird der dritte Teil 63 mit der in 22 gezeigten Form gebildet. Beim Trockenätzen wird auch der Teil der Aluminiumschicht 622s und der Titanschicht 623s entfernt, der aus dem Resist R1 freiliegt. Die Schicht 624s aus leitfähigem Oxid dient beim Trockenätzen als Ätzstopper.
Dann erfolgt Nassätzen, und wie in 23C gezeigt, wird der aus der Titanschicht 623 freiliegende Teil der Schicht 624s aus leitfähigem Oxid entfernt. Dadurch wird die in 22 gezeigte Schicht 624 aus leitfähigem Oxid gebildet. In dem Beispiel aus 23C wird durch das Nassätzen die Breite der Schicht 624 aus leitfähigem Oxid geringfügig stärker reduziert als die Breite der Titanschicht 623.
Anschließend erfolgt isotropes Nassätzen, und wie in 23D gezeigt, wird die Breite der Aluminiumschicht 622s reduziert. Auf diese Weise wird der zweite Teil 62, der die Aluminiumschicht 622, die Titanschicht 623 und die Schicht 624 aus leitfähigem Oxid beinhaltet, in der in 22 gezeigten Form gebildet.
Außerdem wird unter Verwendung eines Fluorätzgases isotropes Trockenätzen durchgeführt, und wie in 23E gezeigt, wird derjenige Teil der ersten Schicht 61s, der aus der Schicht 624 aus leitfähigem Oxid freiliegt, entfernt. Beim Trockenätzen wird die Breite der ersten Schicht 61s unterhalb der Schicht 624 aus leitfähigem Oxid reduziert, und so werden der erste Teil 61 und die erste Überhangstruktur OH1 mit der in 22 gezeigten Form gebildet. Die erste Schicht 61s kann auch durch ein anderes Verfahren wie Nassätzen oder dergleichen unter Verwendung einer Fluorwasserstoffsäure enthaltenden Ätzflüssigkeit bearbeitet werden. Nachdem der erste Teil 61, der zweite Teil 62 und der dritte Teil 63 auf diese Weise gebildet wurden, wird die Trennwand 6 durch Entfernen des Resists R1fertiggestellt.
Wenn der zweite Teil 62 wie in der vorliegenden Ausführungsform die Schicht 624 aus leitfähigem Oxid beinhaltet, kann die erste Überhangstruktur OH1 mittels der Schicht 624 aus leitfähigem Oxid beibehalten werden, selbst wenn die Titanschicht 623 im Verlauf der Ätzvorgänge beschädigt werden sollte.
Die Trennwand 6 kann neben den in der ersten bis neunten Ausführungsform offenbarten Verfahren auch durch verschiedene andere die erste Überhangstruktur OH1 und die zweite Überhangstruktur OH2 bilden.
Anzeigevorrichtungen und deren Herstellungsverfahren, die der Fachmann unter geeigneter Änderung auf Grundlage der als Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschriebenen Anzeigevorrichtung und ihres Herstellungsverfahrens erlangen kann, fallen ebenfalls in den Umfang der vorliegenden Erfindung, solange sie den Kern der Erfindung enthalten.
Im Rahmen des Grundgedankens der vorliegenden Erfindung kann der Fachmann zu verschiedenen Abwandlungsbeispielen gelangen, und auch diese Abwandlungsbeispiele sind als in den Umfang der vorliegenden Erfindung fallend zu verstehen. Beispielsweise kann der Fachmann bei den obenstehenden Ausführungsformen nach Bedarf Aufbauelemente hinzufügen, weglassen oder in der Auslegung ändern oder Schritte hinzufügen, weglassen oder in ihren Bedingungen verändern, und alle diese Änderungen fallen ebenfalls in den Umfang der vorliegenden Erfindung, solange sie den Kern der Erfindung enthalten.
Auch andere Wirkungen, die auf die erörterten Aspekte der obenstehenden Ausführungsformen zurückgehen, ob aufgrund der Beschreibung auf der Hand liegend oder durch Überlegungen des Fachmanns erzielt, gelten selbstverständlich als durch die vorliegende Erfindung bewirkt.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

JP 2022063016 [0001]

Claims

Anzeigevorrichtung, umfassend: eine untere Elektrode, eine Rippe, die eine Pixelöffnung aufweist, die die untere Elektrode überlagert, eine Trennwand, die auf der Rippe angeordnet ist, eine obere Elektrode, die der unteren Elektrode gegenüberliegt, und eine organische Schicht, die zwischen der unteren Elektrode und der oberen Elektrode gelegen ist und entsprechend einer Potenzialdifferenz der unteren Elektrode und der oberen Elektrode leuchtet, wobei die Trennwand einen isolierenden ersten Teil, einen auf dem ersten Teil angeordneten leitfähigen zweiten Teil, der mit der oberen Elektrode in Kontakt steht, und einen auf dem zweiten Teil angeordneten dritten Teil aufweist, und ein unteres Ende des zweiten Teils weiter als der erste Teil in einer Breitenrichtung der Trennwand vorspringt und der dritte Teil weiter als ein oberes Ende des zweiten Teils in der Breitenrichtung vorspringt.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Trennwand die Pixelöffnung umgibt.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die organische Schicht durch mehrere Schichten ausgebildet ist, die eine Lochinjektionsschicht beinhalten, die die untere Elektrode bedeckt, wobei die Lochinjektionsschicht von dem zweiten Teil entfernt ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3, wobei der erste Teil dicker als die Lochinjektionsschicht ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 4, wobei der erste Teil dünner als der zweite Teil ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3, wobei eine Vorsprunglänge des unteren Endes des zweiten Teils vom ersten Teil mindestens das Zweifache der Dicke des ersten Teils beträgt.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3, wobei ein Spalt zwischen dem unteren Ende des zweiten Teils und der Rippe durch diejenige Schicht der mehreren Schichten, die auf der Lochinjektionsschicht angeordnet ist, verschlossen ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 7, die eine Lochleitungsschicht, eine Elektronenblockierschicht, eine Leuchtschicht, eine Lochblockierschicht, eine Elektronenleitungsschicht und eine Elektroneninjektionsschicht beinhaltet, die jeweils auf der Lochinjektionsschicht angeordnet sind.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Rippe und der erste Teil aus unterschiedlichen isolierenden anorganischen Materialien gebildet sind.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 9, wobei die Rippe aus Siliziumoxid oder Siliziumoxynitrid gebildet ist und der erste Teil aus Siliziumnitrid gebildet ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 9, wobei der zweite Teil aus Aluminium gebildet ist und der dritte Teil aus Titan gebildet ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 9, wobei der zweite Teil aus Aluminium gebildet ist und der dritte Teil eine Titanschicht und eine auf der Titanschicht angeordnete Schicht aus leitfähigem Oxid beinhaltet.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 9, wobei der zweite Teil eine Titanschicht und eine auf der Titanschicht angeordnete Aluminiumschicht beinhaltet und der dritte Teil aus Titan gebildet ist.
Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung, umfassend: Bilden einer unteren Elektrode, Bilden einer Rippe, die wenigstens einen Abschnitt der unteren Elektrode bedeckt, Bilden einer Trennwand, die einen isolierenden ersten Teil, einen auf dem ersten Teil angeordneten leitfähigen zweiten Teil und einen auf dem zweiten Teil angeordneten dritten Teil aufweist, wobei ein unteres Ende des zweiten Teils weiter als der erste Teil in einer Breitenrichtung vorspringt und der dritte Teil weiter als ein oberes Ende des zweiten Teils in der Breitenrichtung vorspringt, Bilden einer organischen Schicht, die durch eine an der Rippe bereitgestellte Pixelöffnung die untere Elektrode bedeckt, und Bilden einer oberen Elektrode, die die organische Schicht bedeckt und mit dem zweiten Teil in Kontakt steht.
Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung nach Anspruch 14, wobei die organische Schicht durch Schichten mehrerer Schichten gebildet wird, die eine Lochinjektionsschicht beinhalten, und von dem zweiten Teil entfernt ist.
Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung nach Anspruch 15, wobei ein Spalt zwischen dem unteren Ende des zweiten Teils und der Rippe durch eine Schicht der mehreren Schichten, die nach der Lochinjektionsschicht gebildet wird, verschlossen wird.
Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung nach Anspruch 14, wobei das Bilden der Trennwand umfasst: Bilden einer ersten Schicht, die die Grundlage des ersten Teils bildet, Bilden einer zweiten Schicht, die die Grundlage des zweiten Teils bildet, auf der ersten Schicht, Bilden einer dritten Schicht, die die Grundlage des dritten Teils bildet, auf der zweiten Schicht, Anordnen eines Resists auf der dritten Schicht, Entfernen des Teils der ersten Schicht, der zweiten Schicht und der dritten Schicht, der aus dem Resist freiliegt, durch Ätzen, und Bilden des ersten Teils, des zweiten Teils und des dritten Teils durch Reduzieren der Breite der ersten Schicht und der zweiten Schicht.