DE102020130849A1 - Kühlkörper-aussparung und isolieren durch siliciumdurchverbindungen zum absenken von thermischem übersprechen - Google Patents

Kühlkörper-aussparung und isolieren durch siliciumdurchverbindungen zum absenken von thermischem übersprechen Download PDF

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Zhimin Wan
Chia-Pin Chiu
Chandra Mohan JHA
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Intel Corp
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Abstract

Hierein offenbarte Ausführungsformen enthalten elektronische Bauelemente. In einer Ausführungsform umfasst das elektronische Bauelement einen Interposer, ein an dem Interposer angebrachtes erstes Plättchen und ein an dem Interposer angebrachtes zweites Plättchen. In einer Ausführungsform umfasst das elektronische Bauelement ferner einen an das erste Plättchen und das zweite Plättchen thermisch gekoppelten Kühlkörper. In einer Ausführungsform weist der Kühlkörper eine erste Oberfläche, die weg von dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen weist, und eine zweite Oberfläche, die hin zu dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen weist, auf. In einer Ausführungsform umfasst der Kühlkörper eine thermische Trennung zwischen dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung betreffen Halbleitervorrichtungen und insbesondere elektronische Bauelemente mit einer thermischen Trennung in dem Kühlkörper und/oder in einem Interposer, um ein erstes Plättchen von einem zweiten Plättchen thermisch zu isolieren.
  • HINTERGRUND
  • Thermische Verwaltung von mikroelektronischen Bauelementen entwickelt sich bei zunehmender Leistung der Bauelemente und Anzahl von Plättchen in den Bauelementen zu einer zunehmend schwierigen technischen Überlegung. Zum Beispiel können Client- und Server-Mikroelektronikbauelemente ein erstes Plättchen und ein Modul für Speicher hoher Bandbreite (HBM), das eine Vielzahl von Plättchen umfasst, enthalten. Das erste Plättchen kann ein CPU-Plättchen oder ein GPU-Plättchen sein. Das CPU-Plättchen und das GPU-Plättchen arbeiten typischerweise mit einer viel höheren Leistung als das HBM-Modul. Zum Beispiel können ein CPU-Plättchen und ein GPU-Plättchen bei ungefähr 300 W oder höher arbeiten und das HBM-Modul kann bei ungefähr 15 W arbeiten.
  • Des Weiteren weisen das CPU-Plättchen und das GPU-Plättchen häufig eine höhere Kontaktstellentemperatur (Tj) als die Tj des HBM-Moduls auf. Zum Beispiel kann die Tj des CPU-Plättchens und des GPU-Plättchens ungefähr 105 °C betragen und die Tj des HBM-Moduls kann ungefähr 95 °C betragen. Dementsprechend ist thermisches Übersprechen von dem CPU-Plättchen oder dem GPU-Plättchen zu dem HBM-Modul besonders problematisch. Das heißt, dass durch das CPU-Plättchen oder das GPU-Plättchen erzeugte übermäßige Wärme darin resultieren kann, dass das HBM-Modul seine Kontaktstellentemperatur überschreitet, was in Drosselung, Schaden oder sogar Ausfall des HBM-Moduls resultieren kann.
  • Mehrere Lösungen wurden vorgeschlagen, um das thermische Übersprechen abzuschwächen. Eine derartige Lösung besteht darin, Flüssigkeitskühlung zu verwenden. Flüssigkeitskühlung ist jedoch eine Lösung mit hohen Kosten und kann außerdem zusätzliche Ausfallmechanismen bereitstellen (z. B. Lecken der Kühlflüssigkeit). Lösungen mit Flüssigkeitskühlung vergrößern außerdem den Formfaktor des Mikroelektronikbauelements und sind in bestimmten Anwendungen, in denen der Formfaktor ein beschränkender Faktor ist, nicht wünschenswert.
  • Figurenliste
    • 1A zeigt eine Querschnittsdarstellung eines elektronischen Bauelements mit einem ersten Plättchen und einem zweiten Plättchen auf einem Interposer, die die Fortpflanzung thermischer Energie von dem ersten Plättchen zu dem zweiten Plättchen darstellt, gemäß einer Ausführungsform.
    • 1B zeigt eine Querschnittsdarstellung eines elektronischen Bauelements mit einem ersten Plättchen und einem zweiten Plättchen, die durch einen eingebetteten Interposer verbunden sind, die die Fortpflanzung thermischer Energie von dem ersten Plättchen zu dem zweiten Plättchen darstellt, gemäß einer Ausführungsform.
    • 2A zeigt eine Querschnittsdarstellung eines elektronischen Bauelements mit einem ersten Plättchen und einem zweiten Plättchen auf einem Interposer mit einem Kühlkörper mit einer thermischen Trennung zwischen dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen gemäß einer Ausführungsform.
    • 2B zeigt eine Querschnittsdarstellung eines Kühlkörpers mit einer thermischen Trennung, die ein Paar von Gräben umfasst, gemäß einer Ausführungsform.
    • 2C zeigt eine Querschnittsdarstellung eines Kühlkörpers mit einer thermischen Trennung, die Gräben in einer oberen Oberfläche und einer unteren Oberfläche des Kühlkörpers umfasst, gemäß einer Ausführungsform.
    • 2D zeigt eine Querschnittsdarstellung eines Kühlkörpers mit einer thermischen Trennung, die durch die gesamte Dicke des Kühlkörpers verläuft, gemäß einer Ausführungsform.
    • 2E ist eine Draufsichtdarstellung eines Kühlkörpers, die eine thermische Trennung veranschaulicht, die ein Graben ist, gemäß einer Ausführungsform.
    • 2F zeigt eine Draufsichtdarstellung eines Kühlkörpers, die eine thermische Trennung veranschaulicht, die eine Vielzahl von Löchern ist, gemäß einer Ausführungsform.
    • 3A zeigt eine Querschnittsdarstellung eines elektronischen Bauelements mit einem ersten Plättchen und einem zweiten Plättchen auf einem Interposer, wobei der Interposer eine thermische Trennung zwischen dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen umfasst, gemäß einer Ausführungsform.
    • 3B zeigt eine Querschnittsdarstellung eines Interposers mit einer thermischen Trennung, die ein Paar von Gräben umfasst, gemäß einer Ausführungsform.
    • 3C zeigt eine Querschnittsdarstellung eines Interposers mit einer thermischen Trennung, die einen mit einem thermisch isolierenden Material gefüllten Graben umfasst, gemäß einer Ausführungsform.
    • 3D zeigt eine Querschnittsdarstellung eines Interposers mit einer thermischen Trennung, die einen Graben mit einem Deckel umfasst, gemäß einer Ausführungsform.
    • 3E zeigt eine Querschnittsdarstellung eines Interposers mit einer thermischen Trennung, die eine Vielzahl von Gräben in die obere Oberfläche und untere Oberfläche des Interposers hinein umfasst, gemäß einer Ausführungsform.
    • 3F ist eine Draufsichtdarstellung der oberen Oberfläche des Interposers in 3E gemäß einer Ausführungsform.
    • 3G zeigt eine Draufsichtdarstellung der unteren Oberfläche des Interposers in 3E gemäß einer Ausführungsform.
    • 3H zeigt eine Querschnittsdarstellung eines Interposers mit einer thermischen Trennung, die einen Graben durch eine gesamte Dicke des Interposers umfasst, gemäß einer Ausführungsform.
    • 4 zeigt eine Querschnittsdarstellung eines elektronischen Bauelements mit einem ersten Plättchen und einem zweiten Plättchen auf einem Interposer, wobei ein Kühlkörper und der Interposer thermische Trennungen zwischen dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen umfassen, gemäß einer Ausführungsform.
    • 5A zeigt eine Querschnittsdarstellung eines elektronischen Bauelements mit einem ersten Plättchen und einem zweiten Plättchen auf einem eingebetteten Interposer, wobei der Kühlkörper eine thermische Trennung umfasst, gemäß einer Ausführungsform.
    • 5B zeigt eine Querschnittsdarstellung eines elektronischen Bauelements mit einem ersten Plättchen und einem zweiten Plättchen auf einem eingebetteten Interposer, wobei der eingebettete Interposer eine thermische Trennung umfasst, gemäß einer Ausführungsform.
    • 5C zeigt eine Querschnittsdarstellung eines elektronischen Bauelements mit einem ersten Plättchen und einem zweiten Plättchen auf einem eingebetteten Interposer, wobei der eingebettete Interposer und ein Kühlkörper eine thermische Trennung umfassen, gemäß einer Ausführungsform.
    • 6A zeigt eine Querschnittsdarstellung eines elektronischen Systems mit einer thermischen Trennung in einem Kühlkörper und einem Interposer gemäß einer Ausführungsform.
    • 6B zeigt eine Querschnittsdarstellung eines elektronischen Systems mit einer thermischen Trennung in einem Kühlkörper und einem eingebetteten Interposer gemäß einer Ausführungsform.
    • 7 zeigt eine schematische Darstellung einer gemäß einer Ausführungsform gebauten Berechnungsvorrichtung.
  • AUSFÜHRUNGSFORMEN DER VORLIEGENDEN OFFENBARUNG
  • Hierin werden elektronische Bauelemente mit thermischer Trennung in dem Kühlkörper und/oder in einem Interposer beschrieben, um ein erstes Plättchen von einem zweiten Plättchen thermisch zu isolieren, gemäß verschiedenen Ausführungsformen. In der nachstehenden Beschreibung werden verschiedene Aspekte der veranschaulichenden Implementierungen unter Verwendung von Begriffen beschrieben, die gewöhnlich von Fachleuten im Fachgebiet verwendet werden, um das Wesen ihrer Arbeit an andere Fachleute im Fachgebiet zu befördern. Es wird den Fachleuten im Fachgebiet jedoch offensichtlich sein, dass die vorliegende Erfindung mit nur einigen der beschriebenen Aspekte praktiziert werden kann. Zum Zweck der Erläuterung werden spezifische Zahlen, Materialien und Konfigurationen angeführt, um ein gründliches Verständnis der veranschaulichenden Implementierungen bereitzustellen. Es wird einem Fachmann im Fachgebiet jedoch offensichtlich sein, dass die vorliegende Erfindung ohne diese spezifischen Einzelheiten praktiziert werden kann. In anderen Fällen werden gut bekannte Merkmale weggelassen oder vereinfacht, um die veranschaulichenden Implementierungen nicht unklar zu machen.
  • Verschiedene Operationen werden als mehrere diskrete Operationen nacheinander in einer Weise beschrieben werden, die zum Verständnis der vorliegenden Erfindung am hilfreichsten ist, die Reihenfolge der Beschreibung sollte jedoch nicht so aufgefasst werden, dass sie impliziert, dass diese Operationen notwendigerweise von der Reihenfolge abhängig sind. Insbesondere müssen diese Operationen nicht in der Reihenfolge der Präsentation durchgeführt werden.
  • Wie vorstehend erwähnt, ist das Reduzieren von thermischem Übersprechen zwischen Plättchen in einem elektronischen Bauelement kritisch für die einwandfreie Operation der verschiedenen Plättchen oder Plättchenmodule in fortgeschrittenen elektronischen Bauelementen. Beispiele von derartigem thermischen Übersprechen in verschiedenen Architekturen werden mit Bezug auf die 1A und 1B dargestellt.
  • Jetzt Bezug nehmend auf Figure 1A, wird eine Querschnittsdarstellung eines elektronischen Bauelements 100 dargestellt. Das elektronische Bauelement 100 kann ein Bauelementsubstrat 105, einen Interposer 115, ein erstes Plättchen 131, ein zweites Plättchen 132 und einen Kühlkörper 125 umfassen. Der Interposer 115 kann durch Zwischenverbindungen 111 an das Bauelementsubstrat angebracht sein. Die Zwischenverbindungen 111 können durch Durchverbindungen 117 durch den Interposer an die gegenüberliegende Seite des Interposers 115 elektrisch gekoppelt sein. Das erste Plättchen 131 und das zweite Plättchen 132 können durch Durchverbindungen 121 an den Interposer 115 gekoppelt sein. Das erste Plättchen 131 kann durch Spuren (nicht dargestellt) auf dem Interposer 115 an das zweite Plättchen 132 kommunikativ gekoppelt sein. Das erste Plättchen 131 und das zweite Plättchen 132 können durch ein thermisches Grenzflächenmaterial (TIM) 136 an den Kühlkörper 125 thermisch gekoppelt sein.
  • Das erste Plättchen 131 kann eine CPU oder eine GPU sein. Das zweite Plättchen 132 kann ein Plättchenmodul sein, das eine Vielzahl von diskreten Plättchen 133 in einem vertikalen Stapel umfasst. Die Plättchen 133 können in einem Epoxid 135 oder dergleichen eingebettet sein. Zum Beispiel kann das zweite Plättchen 132 ein Modul für einen Speicher hoher Bandbreite (HBM) sein. Wie vorstehend angeführt, kann das erste Plättchen 131 bei einer höheren Leistung als das zweite Plättchen 132 betrieben werden. Dementsprechend kann sich Wärme hin zu dem zweiten Plättchen 132 ausbreiten. Wie durch die Linie 151 dargestellt, breitet sich thermische Energie von der Rückseitenoberfläche des ersten Plättchens 131 in den Kühlkörper 125 und dann hin zu dem zweiten Plättchen 132 aus. Gleichermaßen zeigt die Linie 152, dass sich thermische Energie von der aktiven Oberfläche des ersten Plättchens 131 in den Interposer 115 und hin zu dem zweiten Plättchen 132 ausbreitet. Die Ausbreitung von thermischer Energie von dem ersten Plättchen 131 zu dem zweiten Plättchen 132 kann darin resultieren, dass die Kontaktstellentemperatur (Tj) des zweiten Plättchens 132 überschritten wird.
  • 1B zeigt eine Querschnittsdarstellung eines elektronischen Bauelements 100 mit einer verschiedenen Architektur. Wie dargestellt, ist der Interposer 115 in das Bauelementsubstrat 105 eingebettet. Derartige Architekturen werden manchmal als eine Architektur mit eingebetteter Mehr-Plättchen-Zwischenverbindungsbrücke (EMIB) bezeichnet und der Interposer 115 kann manchmal als eine Brücke bezeichnet werden. Trotz der unterschiedlichen Architektur leidet das elektronische Bauelement 100 in 1B trotzdem unter thermischem Übersprechen, wie durch die Linien 151 und 152 angegeben.
  • Dementsprechend stellen hierin offenbarte Ausführungsformen thermische Trennungen in verschiedenen Komponenten bereit, um das thermische Übersprechen zu vermindern. Insbesondere sind die thermischen Trennungen zwischen dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen positioniert. Dies gestattet, dass die Wärmelast jedes Plättchens abgesondert wird, und verhindert, dass ein oder beide Plättchen die Kontaktstellentemperatur Tj überschreiten.
  • In einer Ausführungsform wird eine thermische Trennung in dem Kühlkörper bereitgestellt. In einer anderen Ausführungsform wird eine thermische Trennung in dem Interposer bereitgestellt. In noch einer anderen Ausführungsform wird eine thermische Trennung in dem Kühlkörper und in dem Interposer bereitgestellt. Hierin offenbarte Ausführungsformen enthalten thermische Trennungen, die einen oder mehrere Gräben in die verschiedenen Komponenten hinein umfassen. In einigen Ausführungsformen bleiben die Gräben ungefüllt. In anderen Ausführungsformen werden die Gräben mit einem thermisch isolierenden Material wie SiO2 gefüllt.
  • Jetzt Bezug nehmend auf 2A, wird eine Querschnittsdarstellung eines elektronischen Bauelements 200 dargestellt, gemäß einer Ausführungsform. In einer Ausführungsform umfasst das elektronische Bauelement 200 ein Bauelementsubstrat 205, einen Interposer 215, ein erstes Plättchen 231, ein zweites Plättchen 232 und einen Kühlkörper 225.
  • In einer Ausführungsform kann das Bauelementsubstrat 205 jedes geeignete Bauelementsubstratmaterial sein. Zum Beispiel kann das Bauelementsubstrat 205 laminierte Schichten von organischem Material umfassen. In einigen Ausführungsformen ist das Bauelementsubstrat 205 ein Substrat mit Kern. In anderen Ausführungsformen ist das Bauelementsubstrat 205 ein Bauelementsubstrat ohne Kern. In einer Ausführungsform können leitende Merkmale (nicht dargestellt) in das Bauelementsubstrat eingebettet sein. Zum Beispiel können Spuren, Anschlussflächen, Durchverbindungen usw. elektrische Verbindungen von einer oberen Oberfläche des Bauelementsubstrats 205 zu einer unteren Oberfläche des Bauelementsubstrats 205 bereitstellen.
  • In einer Ausführungsform kann der Interposer 215 jedes geeignete Interposermaterial sein. Zum Beispiel kann der Interposer 215 Silicium, Keramik, Glass oder dergleichen umfassen. In einer Ausführungsform kann der Interposer 215 Durchverbindungen 217 durch den Interposer umfassen. Die Durchverbindungen 217 umfassen leitendes Material (z. B. Kupfer), das eine elektrische Verbindung zwischen einer oberen Oberfläche und einer unteren Oberfläche des Interposers 215 bereitstellt. Der Interposer 215 kann durch Zwischenverbindungen 211 an das Bauelementsubstrat 205 angebracht sein. Die Zwischenverbindungen 211 können Löthügel, Führungssäulen oder jede andere geeignete Zwischenverbindungsarchitektur sein.
  • In einer Ausführungsform können leitende Spuren (nicht dargestellt) über einer oberen Oberfläche des Interposers 215 angeordnet sein. In einigen Ausführungsformen können die leitenden Spuren in einem Abschnitt des Interposers 215 eingebettet sein. Die leitenden Spuren können mit einer oder mehreren Zwischenverbindungen 221 verbunden sein, die mit dem ersten Plättchen 231 und dem zweiten Plättchen 232 anschalten. Die leitenden Spuren können das erste Plättchen 231 an das zweite Plättchen 232 kommunikativ koppeln.
  • In einer Ausführungsform ist das erste Plättchen 231 ein CPU-Plättchen oder ein GPU-Plättchen. Während ein einzelnes erstes Plättchen 231 dargestellt wird, ist anzuerkennen, dass das erste Plättchen 231 auch ein Plättchenmodul enthalten kann. Das heißt, das erste Plättchen 231 kann mehrere Chiplets umfassen, die gestapelt oder auf andere Weise miteinander verbunden sind, um ein erstes Plättchenmodul zu bilden. Während das erste Plättchen 231 hierin als ein CPU-Plättchen oder ein GPU-Plättchen erläutert wird, ist anzuerkennen, dass das erste Plättchen 231 jeden Typ von Halbleiterplättchen repräsentieren kann.
  • In einer Ausführungsform kann das zweite Plättchen 232 ein anderer Typ von Plättchen sein als das erste Plättchen 231. Zum Beispiel kann, wenn das erste Plättchen 231 ein CPU-Plättchen oder ein GPU-Plättchen ist, das zweite Plättchen 232 ein Speicherplättchen sein. In einer besonderen Ausführungsform ist das zweite Plättchen 232 ein Plättchenmodul. Das heißt, das zweite Plättchen 232 kann eine Vielzahl von gestapelten Plättchen 233 umfassen. Die gestapelten Plättchen 233 können in einem Epoxid 235 oder dergleichen eingebettet sein. In einer Ausführungsform ist das zweite Plättchen 232 ein HBM-Modul.
  • In einer Ausführungsform können das erste Plättchen 231 und das zweite Plättchen 232 beide an einen einzelnen Kühlkörper 225 thermisch gekoppelt sein. Zum Beispiel kann ein TIM 236 zwischen dem Kühlkörper 225 und den rückseitigen Oberflächen des ersten Plättchens 231 und des zweiten Plättchens 232 angeordnet sein. Da das erste Plättchen 231 und das zweite Plättchen 232 an denselben Kühlkörper 225 gekoppelt sind, kann thermisches Übersprechen möglicherweise Probleme bei der Zuverlässigkeit verursachen, wie vorstehend beschrieben.
  • Dementsprechend können Ausführungsformen eine thermische Trennung zwischen dem ersten Plättchen 231 und dem zweiten Plättchen 232 enthalten. Die thermische Trennung reduziert den Transfer thermischer Energie von einer ersten Seite des Kühlkörpers 225 (d. h. über dem ersten Plättchen 231) zu einer zweiten Seite des Kühlkörpers 225 (d. h. über dem zweiten Plättchen 232). In 2A wird die thermische Trennung als ein Graben 241 dargestellt. In einer Ausführungsform erstreckt sich der Graben 241 in eine erste Oberfläche 228 des Kühlkörpers 225 hinein. In einigen Ausführungsformen erstreckt sich der Graben 241 unter Umständen nicht vollständig durch eine Dicke des Kühlkörpers 225 zu einer zweiten Oberfläche 227.
  • Der Graben 241 befindet sich zwischen dem ersten Plättchen 231 und dem zweiten Plättchen 232. Wie hierin verwendet, bezieht sich Bezugnahme darauf, dass sich die thermische Trennung „zwischen“ dem ersten Plättchen 231 und dem zweiten Plättchen 232 befindet, darauf, dass die Position der thermischen Trennung (z. B. der Graben 241) zwischen dem ersten Plättchen 231 und dem zweiten Plättchen 232 in der X-Y-Ebene befindet. Es ist anzuerkennen, dass die thermische Trennung über einem oder beiden des ersten Plättchens 231 und des zweiten Plättchens 232 in der Z-Richtung sein kann.
  • In der dargestellten Ausführungsform ist der Graben 241 im Wesentlichen abstandsgleich zu einer Kante des ersten Plättchens 231 und einer Kante des zweiten Plättchens 232 positioniert. In anderen Ausführungsformen kann sich der Graben 241 näher zu einem des ersten Plättchens 231 und des zweiten Plättchens 232 befinden. Zum Beispiel kann der Graben 241 näher zu einer Kante des zweiten Plättchens 232 als zu einer Kante des ersten Plättchens 231 positioniert sein.
  • In einer Ausführungsform kann der Kühlkörper 225 jedes thermisch leitende Material sein. Zum Beispiel kann der Kühlkörper 225 Kupfer, Aluminium, rostfreien Stahl, Nickel oder dergleichen umfassen. In einer Ausführungsform kann der Kühlkörper 225 ein Kernmaterial umfassen, das plattiert ist (z. B. ein Kupferkern mit Nickelplattierung). Der Kühlkörper 225 wird als eine im Wesentlichen planare Struktur dargestellt. Das heißt, die erste Oberfläche 228 wird als im Wesentlichen planar zu einer zweiten Oberfläche 227 dargestellt. Es ist jedoch anzuerkennen, dass der Kühlkörper 225 jede Form annehmen kann. In einigen Ausführungsformen kann der Kühlkörper 225 ein Teil eines integrierten Wärmeverteilers (IHS) sein. Zum Beispiel können sich ein oder mehrere Träger (nicht dargestellt) herunter von der zweiten Oberfläche 227 des Bauelementsubstrats 205 oder dem Interposer 215 erstrecken. In einigen Ausführungsformen kann der Kühlkörper 225 ein Teil eines Deckels des elektronischen Bauelements 200 sein. In einer Ausführungsform kann das elektronische Bauelement 200 ein elektronisches Bauelement 200 mit einem freiliegenden Plättchen sein (d. h. das elektronische Bauelement 200 verfügt unter Umständen nicht über einen Deckel). In derartigen Ausführungsformen kann der Kühlkörper 225 gegen die Plättchen 231 und 232 geklammert oder auf andere Weise befestigt sein (z. B. durch einen Rahmen, der durch ein Befestigungsglied an das Bauelementsubstrat geklammert ist).
  • In der in 2A dargestellten Ausführungsform wird die thermische Trennung als ein einzelner Graben 241 dargestellt. Es ist jedoch anzuerkennen, dass die thermische Trennung viele verschiedene Konfigurationen umfassen kann. Beispiele von derartigen thermischen Trennungen werden in Bezug auf die 2B-2F detaillierter bereitgestellt.
  • Jetzt Bezug nehmend auf 2B, wird eine Querschnittsdarstellung eines Kühlkörpers 225 dargestellt, gemäß einer Ausführungsform. Der Kühlkörper 225 in 2B kann in Verbindung mit einem elektronischen Bauelement 200 ähnlich dem, das in Bezug auf 2A dargestellt und beschrieben wird, verwendet werden.
  • In einer Ausführungsform kann der Kühlkörper 225 in 2B ähnlich dem Kühlkörper 225 in 2A sein, mit der Ausnahme, dass eine Vielzahl von Gräben 241 in die erste Oberfläche 228 hinein angeordnet ist. Zum Beispiel sind ein erster Graben 241A und ein zweiter Graben 241B in die erste Oberfläche 228 hinein angeordnet. In einer Ausführungsform können der erste Graben 241A und der zweite Graben 241B im Wesentlichen gleichförmig zueinander sein. In anderen Ausführungsformen kann der erste Graben 241A eine andere Geometrie als der zweite Graben 241B aufweisen. Die Einbeziehung einer Vielzahl von Gräben 241A und 241B kann die Wirksamkeit der thermischen Trennung durch Hinzufügen einer Barriere niedriger thermischer Leitfähigkeit (d. h. die Luft in dem zweiten Graben 241B ), an der vorbei sich die thermische Energie ausbreiten muss, erhöhen.
  • Jetzt Bezug nehmend auf 2C, wird eine Querschnittsdarstellung eines Kühlkörpers 225 dargestellt, gemäß einer Ausführungsform. Der Kühlkörper 225 in 2C kann in Verbindung mit einem elektronischen Bauelement 200 ähnlich dem in Bezug auf 2A dargestellten und beschriebenen verwendet werden.
  • In einer Ausführungsform kann der Kühlkörper 225 in 2C ähnlich dem Kühlkörper 225 in 2B sein, mit der Ausnahme, dass die Vielzahl von Gräben 241 ferner einen dritten Graben 241C umfasst. In einer Ausführungsform ist der dritte Graben 241C in die zweite Oberfläche 227 des Kühlkörpers 225 hinein angeordnet. Dabei befindet sich eine thermische Barriere über eine gesamte Dicke des Kühlkörpers 225 zwischen der ersten Oberfläche 228 und der zweiten Oberfläche 227. In einer Ausführungsform ist der dritte Graben 241C zwischen dem ersten Graben 241A und dem zweiten Graben 241B positioniert. Es ist jedoch anzuerkennen, dass der dritte Graben 241C an jeder Position entlang dem Kühlkörper 225 positioniert sein kann. In noch einer anderen Ausführungsform kann der zweite Graben 241B weggelassen werden. Das heißt, in einigen Ausführungsformen kann ein einzelner erster Graben 241A in die erste Oberfläche 228 hinein angeordnet sein und kann ein einzelner dritter Graben 241C in die zweite Oberfläche 227 hinein angeordnet sein.
  • Jetzt Bezug nehmend auf 2D, wird eine Querschnittsdarstellung eines Kühlkörper 225 dargestellt, gemäß einer Ausführungsform. Der Kühlkörper 225 in 2D kann in Verbindung mit einem elektronischen Bauelement 200 ähnlich dem in Bezug auf 2A dargestellten und beschriebenen verwendet werden.
  • In einer Ausführungsform kann der Kühlkörper 225 in 2D ähnlich dem Kühlkörper 225 in 2A sein, mit der Ausnahme, dass der Graben 241 sich durch eine gesamte Dicke des Kühlkörpers 225 zwischen der ersten Oberfläche 228 und der zweiten Oberfläche 227 erstreckt. In einer derartigen Ausführungsform kann die thermische Trennung verbessert werden, da der Weg hoher thermischer Leitfähigkeit unter dem Graben 241 in 2A weggelassen wird.
  • In 2D scheint die Querschnittsdarstellung zu zeigen, dass der Kühlkörper 225 aus zwei diskreten Komponenten (d. h. einer linksseitigen und einer rechtsseitigen) gebildet ist. Es ist jedoch anzuerkennen, dass der Kühlkörper 225 trotzdem als ein einzelner monolithischer Teil gebildet sein kann, wie in den Draufsichten in den 2E und 2F dargestellt.
  • Jetzt Bezug nehmend auf 2E, wird eine Draufsichtdarstellung des Kühlkörpers 225 in 2D dargestellt, gemäß einer Ausführungsform. Der Graben 241 kann ein im Wesentlichen linearer Graben zwischen dem ersten Plättchen 231 und dem zweiten Plättchen 232 sein. Die Plättchen 231 und 232 werden mit gestrichelten Linien dargestellt, um anzugeben, dass sie unter dem Kühlkörper 225 positioniert sind. Wie dargestellt, kann die linke Seite des Kühlkörpers 225 (über dem ersten Plättchen 231) durch Brücken 288 an die rechte Seite des Kühlkörpers 225 (über dem zweiten Plättchen 232) angebracht sein. Aufgrund des relativ kleinen Querschnitts der Brücken 288 wird die Ausbreitung von thermischer Energie über die Brücken 288 reduziert.
  • Jetzt Bezug nehmend auf 2F, wird eine Draufsichtdarstellung des Kühlkörpers 225 in 2D dargestellt, gemäß einer zusätzlichen Ausführungsform. Wie dargestellt, kann eine Vielzahl von Gräben 241 (z. B. Löcher) in den Kühlkörper 225 hinein zwischen dem ersten Plättchen 231 und dem zweiten Plättchen 232 angeordnet sein. Sechs diskrete Gräben 241 werden in 2F dargestellt, aber es ist anzuerkennen, dass jede beliebige Anzahl von Gräben 241 verwendet werden kann. Verringern der Beabstandung zwischen den Gräben 241 erhöht die Wirksamkeit der thermischen Trennung.
  • Jetzt Bezug nehmend auf 3A, wird eine Querschnittsdarstellung eines elektronischen Bauelements 300 dargestellt, gemäß einer zusätzlichen Ausführungsform. In einer Ausführungsform kann das elektronische Bauelement 300 ein Bauelementsubstrat 305, einen Interposer 315, ein erstes Plättchen 331, ein zweites Plättchen 332 und einen Kühlkörper 325 umfassen. Die Verwendung eines Interposers 315 unter dem ersten Plättchen 331 und dem zweiten Plättchen 332 kann vorteilhaft sein, um verbesserte Wärmeverteilung bereitzustellen. Zum Beispiel leiden HBM-Module typischerweise unter einem Heißpunkt an der unteren Oberfläche, da der HBM-Stapel einen hohen thermischen Widerstand aufweist. Das heißt, die thermische Energie kann sich nicht einfach nach oben durch das HBM-Modul zu dem Kühlkörper 325 verteilen. Der Interposer 315 stellt verbesserte Wärmeverteilung aufgrund des niedrigeren thermischen Widerstands (im Vergleich mit organischen Schichten des Bauelementsubstrats 305) bereit. Die Verringerung des thermischen Widerstands führt jedoch auch zu einer Erhöhung des thermischen Übersprechens zwischen dem ersten Plättchen 331 und dem zweiten Plättchen 332.
  • Dementsprechend enthalten Ausführungsformen eine thermische Trennung, die in dem Interposer 315 zwischen dem ersten Plättchen 331 und dem zweiten Plättchen 332 angeordnet ist. Wie dargestellt, umfasst die thermische Trennung einen Graben 351. In einer Ausführungsform ist der Graben 351 in eine zweite Oberfläche 316 des Interposers 315 hinein angeordnet. Dies ist vorteilhaft, da die erste Oberfläche 318 unter Umständen für elektrische Routenführung zwischen dem ersten Plättchen 331 und dem zweiten Plättchen 332 verwendet wird. Da an der ersten Oberfläche 318 des Interposers 315 keine Grabenöffnung vorhanden ist, muss die elektrische Routenführung keine Lücken in dem Interposer 315 navigieren und verläuft über der Brücke 352 über dem Graben 351.
  • Abgesehen von Verlagern der thermischen Trennung von dem Kühlkörper 325 zu dem Interposer 315, kann das elektronische Bauelement 300 im Wesentlichen ähnlich dem elektronischen Bauelement 200 in 2A sein. Zum Beispiel kann der Interposer 315 Durchverbindungen 317 durch den Interposer aufweisen, die das Bauelementsubstrat 305 durch die Zwischenverbindungen 311 verbinden. Zwischenverbindungen 321 können die erste Oberfläche 318 des Interposers 315 mit dem ersten Plättchen 331 und dem zweiten Plättchen 332 verbinden. In einigen Ausführungsformen kann das zweite Plättchen 332 ein Plättchenmodul (z. B. ein HBM-Modul) sein, das eine Vielzahl von Plättchen 333 enthält, die in einem Epoxid 335 oder dergleichen eingebettet sind. Das erste Plättchen 331 und das zweiten Plättchen 332 können durch ein TIM 336 an den Kühlkörper 325 thermisch gekoppelt sein.
  • In der in 3A dargestellten Ausführungsform wird die thermische Trennung so dargestellt, dass sie ein einzelner Graben 351 ist. Es ist jedoch anzuerkennen, dass die thermische Trennung viele verschiedene Konfigurationen umfassen kann. Beispiele derartiger thermischer Trennungen werden detaillierter in Bezug auf die 3B-3H bereitgestellt.
  • Jetzt Bezug nehmend auf 3B, wird eine Querschnittsdarstellung eines Interposers 315 dargestellt, gemäß einer Ausführungsform. Der Interposer 315 in 3B kann in Verbindung mit einem elektronischen Bauelement 300 ähnlich dem in Bezug auf 3A dargestellten und beschriebenen verwendet werden.
  • In einer Ausführungsform kann der Interposer 315 in 3B ähnlich dem Interposer 315 in 3A sein, mit der Ausnahme, dass eine Vielzahl von Gräben 351 in die zweite Oberfläche 316 hinein angeordnet ist. Zum Beispiel sind ein erster Graben 351A und ein zweiter Graben 351B in die zweite Oberfläche 316 hinein angeordnet. In einer Ausführungsform können der erste Graben 351A und der zweite Graben 351B im Wesentlichen gleichförmig zueinander sein. In anderen Ausführungsformen kann der erste Graben 351A eine andere Geometrie als der zweite Graben 351B aufweisen. Die Einbeziehung einer Vielzahl von Gräben 351A und 351B kann die Wirksamkeit der thermischen Trennung durch Hinzufügen einer zusätzlichen Barriere niedriger thermischer Leitfähigkeit (d. h. die Luft in dem zweiten Graben 351B ) erhöhen, an der vorbei sich thermische Energie ausbreiten muss.
  • Jetzt Bezug nehmend auf 3C, wird eine Querschnittsdarstellung eines Interposers 315 dargestellt, gemäß einer Ausführungsform. Der Interposer 315 in 3C kann in Verbindung mit einem elektronischen Bauelement 300 ähnlich dem in Bezug auf 3A dargestellten und beschriebenen verwendet werden.
  • Der Interposer 315 in 3C kann im Wesentlichen ähnlich dem Interposer 315 in 3A sein, mit der Ausnahme, dass der Graben 351 mit einem Füllmaterial 354 gefüllt ist. In einer Ausführungsform kann das Füllmaterial 354 jedes geeignete Material niedriger thermischer Leitfähigkeit sein. Zum Beispiel kann das Füllmaterial 354 SiO2, ein Polymer, ein Epoxid oder dergleichen umfassen. In der dargestellten Ausführungsform füllt das Füllmaterial 354 den Graben 351 vollständig. Es ist jedoch anzuerkennen, dass das Füllmaterial 354 in einigen Ausführungsformen den Graben 351 unter Umständen nicht vollständig füllt.
  • Jetzt Bezug nehmend auf 3D, wird eine Querschnittsdarstellung eines Interposers 315 dargestellt, gemäß einer Ausführungsform. Der Interposer 315 in 3D kann in Verbindung mit einem elektronischen Bauelement 300 ähnlich dem in Bezug auf 3A dargestellten und beschriebenen verwendet werden.
  • Der Interposer 315 in 3D kann im Wesentlichen ähnlich dem Interposer 315 in 3C sein, mit der Ausnahme, dass das Füllmaterial den Graben 351 nur teilweise füllt. Zum Beispiel bildet das Füllmaterial einen Deckel 357 über den Graben 351. Dies definiert einen Lufthohlraum 358 in dem Graben.
  • Jetzt Bezug nehmend auf 3E, wird eine Querschnittsdarstellung eines Interposers 315 dargestellt, gemäß einer Ausführungsform. Der Interposer 315 in 3E kann in Verbindung mit einem elektronischen Bauelement 300 ähnlich dem in Bezug auf 3A dargestellten und beschriebenen verwendet werden.
  • Der Interposer 315 in 3E kann im Wesentlichen ähnlich dem Interposer 315 in 3B sein, mit der Ausnahme, dass die Vielzahl von Gräben 351 ferner einen dritten Graben 351C umfasst und die Gräben 351 mit Füllmaterial 354 gefüllt sind.
  • In einer Ausführungsform ist der dritte Graben 351C in die erste Oberfläche 318 des Interposers 315 hinein angeordnet. Dabei befindet sich eine thermische Barriere über eine gesamte Dicke des Interposers 315 zwischen der ersten Oberfläche 318 und der zweiten Oberfläche 316. In einer Ausführungsform ist der dritte Graben 351C zwischen dem ersten Graben 351A und dem zweiten Graben 351B positioniert. Es ist jedoch anzuerkennen, dass der dritte Graben 351C an jeder Position entlang dem Interposer 315 angeordnet sein kann. In noch einer anderen Ausführungsform kann der zweiten Graben 351B weggelassen werden. Das heißt, in einigen Ausführungsformen kann ein einzelner erster Graben 351A in die zweite Oberfläche 316 hinein angeordnet sein und kann ein einzelner dritter Graben 351C in die erste Oberfläche 318 hinein angeordnet sein. In einer Ausführungsform können einer oder mehrere der Gräben 351 nicht mit einem Füllmaterial 354 gefüllt sein.
  • Um Routenführung auf der ersten Oberfläche 318 zu gestatten, kann es sein, dass die dritten Gräben 351C keine kontinuierliche Linie sind. Zum Beispiel wird eine Draufsichtdarstellung der ersten Oberfläche 318 einer möglichen Anordnung in 3F dargestellt. Wie dargestellt, ist eine Vielzahl von dritten Gräben 351C in die erste Oberfläche 318 hinein angeordnet. Die dritten Gräben 351C können in einigen Ausführungsformen als Löcher bezeichnet werden. Wie dargestellt, gestattet die Beabstandung zwischen den Löchern, dass leitende Spuren 337 über die thermische Barriere verlaufen, um ein erstes Plättchen 331 mit einem zweiten Plättchen 332 zu verbinden. Das erste Plättchen 331 und das zweite Plättchen 332 werden mit gestrichelten Linien dargestellt, um anzugeben, dass sie über der ersten Oberfläche 318 sind.
  • Jetzt Bezug nehmend auf 3G, wird eine Draufsichtdarstellung der zweiten Oberfläche 316 des Interposers 315 in 3E dargestellt, gemäß einer Ausführungsform. Wie dargestellt, können der erste Graben 351A und der zweite Graben 351B lineare Gräben sein. Dies beruht darauf, dass keine Routenführung über die zweite Oberfläche 316 des Interposers 315 erforderlich ist.
  • Jetzt Bezug nehmend auf 3H, wird eine Querschnittsdarstellung eines Interposers 315 dargestellt, gemäß einer Ausführungsform. Der Interposer 315 in 3H kann in Verbindung mit einem elektronischen Bauelement 300 ähnlich dem in Bezug auf 3A dargestellten und beschriebenen verwendet werden.
  • Der Interposer 315 in 3H kann im Wesentlichen ähnlich dem Interposer 315 in 3C sein, mit der Ausnahme, dass der Graben sich durch eine gesamte Dicke des Interposers 315 von der ersten Oberfläche 318 zu der zweiten Oberfläche 316 erstreckt. Der Graben 351 kann mit einem Füllmaterial 354 gefüllt sein oder der Graben 351 ist unter Umständen nicht gefüllt. In einer Ausführungsform kann der Graben 351 durch die erste Oberfläche 318 unter Verwendung eines Layouts ähnlich dem Layout in 3F hergestellt sein, um die Routenführung von leitenden Spuren 337 zwischen dem ersten Plättchen 331 und dem zweiten Plättchen 332 unterzubringen. Das heißt, der Graben 351 kann in einigen Ausführungsformen als ein Loch bezeichnet werden.
  • In einer Ausführungsform kann der Graben 351 im Wesentlichen dieselben Abmessungen wie die Durchverbindungen 317 durch den Interposer aufweisen. Zum Beispiel kann eine erste Dicke T1 der Durchverbindungen 317 im Wesentlichen ähnlich einer zweiten Dicke T2 des Grabens 351 sein. Wie hierein verwendet, kann sich eine Abmessung, die „im Wesentlichen ähnlich“ einer anderen Abmessung ist, auf zwei Abmessungen, die innerhalb von 10 % voneinander liegen, beziehen. Versehen des Grabens 351 mit im Wesentlichen ähnlichen Abmessungen wie die Durchverbindungen 317 gestattet die Verwendung eines einzelnen Prozesses zum Bilden beider Strukturen. Der Unterschied zwischen den beiden besteht darin, dass die Durchverbindungen 317 mit einem leitenden Material gefüllt werden und der Graben 351 mit einem thermisch isolierenden Material gefüllt oder überhaupt nicht gefüllt wird.
  • Jetzt Bezug nehmend auf 4, wird eine Querschnittsdarstellung eines elektronischen Bauelements 400 dargestellt, gemäß einer Ausführungsform. Das elektronische Bauelement 400 in 4 kann im Wesentlichen ähnlich dem elektronischen Bauelement 300 in 3A sein, mit der Ausnahme, dass eine thermische Trennung ebenfalls in dem Kühlkörper 425 bereitgestellt wird. Das heißt, Ausführungsformen können ein elektronisches Bauelement 400 mit einer thermischen Trennung in sowohl einem Interposer 415 als auch einem Kühlkörper 425 enthalten. In 4 ist die thermische Trennung in dem Interposer 415 ein Graben 451, und in dem Kühlkörper 425 ist die thermische Trennung ein Graben 441.
  • In einer Ausführungsform kann der Interposer 415 eine beliebige Architektur der thermischen Trennung enthalten, wie diejenigen, die vorstehend beschrieben werden. Zum Beispiel kann der Interposer 415 eine Struktur im Wesentlichen ähnlich den vorstehend in Bezug auf die Interposer 315 in den 3A-3H beschriebenen aufweisen. In einer Ausführungsform kann der Kühlkörper 425 eine beliebige Architektur der thermischen Trennung enthalten, wie die vorstehend beschriebenen. Zum Beispiel kann der Kühlkörper 425 eine Struktur im Wesentlichen ähnlich denjenigen, die vorstehend in Bezug auf die Kühlkörper 225 in den 2A-2F beschrieben wurden, aufweisen.
  • Abgesehen von Bereitstellen einer thermischen Trennung in dem Kühlkörper 425 und dem Interposer 415, kann das elektronische Bauelement 400 im Wesentlichen ähnlich dem elektronischen Bauelement 300 in 3A sein. Zum Beispiel kann der Interposer 415 Durchverbindungen 417 durch den Interposer aufweisen, die durch Zwischenverbindungen 411 mit dem Bauelementsubstrat 405 verbinden. Zwischenverbindungen 421 können den Interposer 415 mit dem ersten Plättchen 431 und dem zweiten Plättchen 432 verbinden. In einigen Ausführungsformen kann das zweite Plättchen 432 ein Plättchenmodul (z. B. ein HBM-Modul) sein, wie die vorstehend beschriebenen. Das erste Plättchen 431 und das zweite Plättchen 432 können durch ein TIM 436 an den Kühlkörper 425 thermisch gekoppelt sein.
  • Jetzt Bezug nehmend auf 5A, wird eine Querschnittsdarstellung eines elektronischen Bauelements 500 dargestellt, gemäß einer Ausführungsform. In einer Ausführungsform kann das elektronische Bauelement 500 ein Bauelementsubstrat 505, einen Interposer 515, der in dem Bauelementsubstrat 505 eingebettet ist, ein erstes Plättchen 531, ein zweites Plättchen 532 und einen Kühlkörper 525 umfassen. In einer Ausführungsform kann der Interposer 515 manchmal als eine Brücke oder ein Brückenplättchen bezeichnet werden. Leitende Spuren (nicht dargestellt) auf dem Interposer 515 koppeln das erste Plättchen 531 kommunikativ an das zweite Plättchen 532. In einer Ausführungsform können das erste Plättchen 531 und das zweite Plättchen 532 über dem Interposer 515 und über einer Oberfläche des Bauelementsubstrats 505 sein. Das Bauelementsubstrat 505 kann Routenführung (nicht dargestellt) enthalten, um die Zwischenverbindungen 521 mit den Zwischenverbindungen 504 zu verbinden.
  • In einer Ausführungsform können das erste Plättchen 531 und das zweite Plättchen 532 im Wesentlichen ähnlich dem ersten Plättchen 231 und dem zweiten Plättchen 232 in 2A sein. Zum Beispiel kann das zweite Plättchen 532 ein Plättchenmodul (z. B. ein HBM-Modul) sein. In einer Ausführungsform können das erste Plättchen 531 und das zweite Plättchenmodul 532 durch ein TIM 536 an den Kühlkörper 525 thermisch gekoppelt sein.
  • In einer Ausführungsform kann der Kühlkörper 525 eine thermische Trennung umfassen. Zum Beispiel ist ein Graben 541 in den Kühlkörper 525 hinein zwischen dem ersten Plättchen 531 und dem zweiten Plättchen 532 angeordnet. Der Kühlkörper 525 kann im Wesentlichen ähnlich einem der vorstehend in den 2A-2F beschriebenen Kühlkörper 225 sein.
  • Jetzt Bezug nehmend auf 5B, wird eine Querschnittsdarstellung eines elektronischen Bauelements 500 dargestellt, gemäß einer zusätzlichen Ausführungsform. Das elektronische Bauelement 500 in 5B ist im Wesentlichen ähnlich dem elektronischen Bauelement 500 in 5A, mit der Ausnahme, dass die thermische Trennung von dem Kühlkörper 525 zu dem Interposer 515 verlagert wurde. In der dargestellten Ausführungsform umfasst die thermische Trennung in dem Interposer 515 einen Graben 551 und ein Füllmaterial 554 in dem Graben. Es ist jedoch anzuerkennen, dass die thermische Trennung in dem Interposer 515 eine beliebige Architektur ähnlich den vorstehend in den 3A-3H beschriebenen haben kann.
  • Jetzt Bezug nehmend auf 5C, wird eine Querschnittsdarstellung eines elektronischen Bauelements 500 dargestellt, gemäß einer zusätzlichen Ausführungsform. Das elektronische Bauelement 500 in 5C ist im Wesentlichen ähnlich dem elektronischen Bauelement 500 in 5A, mit der Hinzufügung einer thermischen Trennung in dem Interposer 515. In einer Ausführungsform kann der Interposer 515 eine beliebige Architektur der thermischen Trennung enthalten, wie die vorstehend beschriebenen. Zum Beispiel kann der Interposer 515 eine Struktur im Wesentlichen ähnlich der vorstehend in Bezug auf die Interposer 315 in den 3A-3H beschriebenen aufweisen. In einer Ausführungsform kann der Kühlkörper 525 eine beliebige Architektur der thermischen Trennung enthalten, wie die vorstehend beschriebenen. Zum Beispiel kann der Kühlkörper 525 eine Struktur im Wesentlichen ähnlich den vorstehend in Bezug auf die Kühlkörper 225 in den 2A-2F beschriebenen aufweisen.
  • Jetzt Bezug nehmend auf 6A, wird eine Querschnittsdarstellung eines elektronischen Systems 690 dargestellt, gemäß einer Ausführungsform. In einer Ausführungsform umfasst das elektronische System eine Platte 691 und ein durch Zwischenverbindungen 604 an die Platte 691 angebrachtes elektronisches Bauelement 600. In einer Ausführungsform können die Zwischenverbindungen 604 Löthügel, Buchsen, Drahtbondverbindungen oder eine beliebige andere Zwischenverbindungsarchitektur sein.
  • In einer Ausführungsform kann das elektronische Bauelement 600 ein Bauelementsubstrat 605, einen Interposer 615, ein erstes Plättchen 631, ein zweites Plättchen 632 und einen Kühlkörper 625 umfassen. Der Interposer 615 kann Durchverbindungen 617 durch den Interposer umfassen und durch die Zwischenverbindungen 611 mit dem Bauelementsubstrat verbunden sein. In einer Ausführungsform verbinden die Zwischenverbindungen 621 das erste Plättchen 631 und das zweite Plättchen 632 mit dem Interposer 615. In einer Ausführungsform kann der Kühlkörper 625 über dem ersten Plättchen 631 und dem zweiten Plättchen 632 sein. In einer Ausführungsform kann der Kühlkörper 625 Teil eines IHS sein. Das heißt, in einigen Ausführungsformen können sich Träger 629 von dem Kühlkörper 625 herunter erstrecken.
  • In einer Ausführungsform können einer oder beide des Interposers 615 und des Kühlkörpers 625 eine thermische Trennung zwischen dem ersten Plättchen 631 und dem zweiten Plättchen 632 umfassen. In der dargestellten Ausführungsform umfasst die thermische Trennung in dem Interposer 615 einen Graben 651 und umfasst die thermische Trennung in dem Kühlkörper 625 einen Graben 641. Es ist jedoch anzuerkennen, dass thermische Trennungen gemäß vorstehend beschriebenen Ausführungsformen in dem Kühlkörper 625 und/oder dem Interposer 615 verwendet werden können.
  • In der dargestellten Ausführungsform ist das elektronische Bauelement 600 ähnlich dem elektronischen Bauelement 400 in 4. Es ist jedoch anzuerkennen, dass das elektronische Bauelement 600 eine Architektur ähnlich zu beliebigen der vorstehend in Bezug auf die 2A-2F oder 3A-3H beschriebenen elektronischen Bauelemente umfassen kann.
  • Jetzt Bezug nehmend auf 6B, wird eine Querschnittsdarstellung eines elektronischen Systems 690 dargestellt, gemäß einer zusätzlichen Ausführungsform. In einer Ausführungsform kann das elektronische System 690 in 6B ähnlich dem elektronischen System 690 in 6A sein, mit der Ausnahme, dass der Interposer 615 in dem Bauelementsubstrat 605 eingebettet ist. Das heißt, das elektronische Bauelement 600 kann ähnlich beliebigen der vorstehend in Bezug auf die 5A-5C beschriebenen elektronischen Bauelemente 500 sein. Zum Beispiel umfasst die dargestellte thermische Trennung in dem Interposer 615 einen Graben 651, der mit einem Füllmaterial 654 gefüllt ist.
  • 7 zeigt eine Berechnungsvorrichtung 700 gemäß einer Implementierung der Erfindung. Die Berechnungsvorrichtung 700 nimmt eine Platte 702 auf. Die Platte 702 kann eine Anzahl von Komponenten enthalten, einschließlich eines Prozessors 704 und mindestens eines Kommunikationschips 706, aber nicht darauf beschränkt. Der Prozessor 704 ist physikalisch und elektrisch an die Platte 702 gekoppelt. In einigen Implementierungen ist der mindestens eine Kommunikationschip 706 ebenfalls physikalisch und elektrisch an die Platte 702 gekoppelt. In weiteren Implementierungen ist der Kommunikationschip 706 Teil des Prozessors 704.
  • Die anderen Komponenten enthalten flüchtigen Speicher (z. B. DRAM), nichtflüchtigen Speicher (z. B. ROM), Flash-Speicher, einen Grafikprozessor, einen Digitalsignalprozessor, einen Kryptoprozessor, einen Chipsatz, eine Antenne, eine Anzeige, eine Berührungsbildschirmanzeige, eine Berührungsbildschirmsteuerung, eine Batterie, einen Audiocodec, einen Videocodec, einen Leistungsverstärker, eine Vorrichtung eines globalen Positionierungssystems (GPS), einen Kompass, einen Beschleunigungsmesser, ein Gyroskop, einen Lautsprecher, eine Kamera und eine Massenspeichervorrichtung (wie ein Festplattenlaufwerk, eine Kompaktplatte (CD), eine digitale vielseitige Platte (DVD) und so weiter), sind aber nicht darauf beschränkt.
  • Der Kommunikationschip 706 ermöglicht drahtlose Kommunikation zur Übertragung von Daten an die und von der Berechnungsvorrichtung 700. Der Begriff „drahtlos“ und seine Ableitungen können verwendet werden, Schaltungen, Vorrichtungen, Systeme, Verfahren, Techniken, Kommunikationskanäle usw. zu beschreiben, die Daten durch die Verwendung von modulierter elektromagnetischer Strahlung durch ein nichtfeststoffliches Medium zu kommunizieren. Der Begriff impliziert nicht, dass die assoziierten Vorrichtungen keine Drähte enthalten, obwohl sie in einigen Fällen möglicherweise keine enthalten. Der Kommunikationschip 706 kann beliebige einer Anzahl von drahtlosen Standards oder Protokollen implementieren, einschließlich von Wi-Fi (Familie IEEE 802.11), WiMAX ((Familie IEEE 802.16), IEEE 802.20, Langzeitevolution (LTE), Ev-DO, HSPA+, HSDPA+, HSUPA+, EDGE, GSM, GPRS, CDMA, TDMA, DECT, Bluetooth, Ableitungen davon sowie beliebige andere drahtlose Protokolle, die als 3G, 4G, 5G und darüber hinaus bezeichnet werden, aber nicht darauf beschränkt. Die Berechnungsvorrichtung 700 kann eine Vielzahl von Kommunikationschips 706 enthalten. Zum Beispiel kann ein erster Kommunikationschip 706 für drahtlose Kommunikationen eines kürzeren Bereichs wie Wi-Fi und Bluetooth dediziert sein und kann ein zweiter Kommunikationschip 706 für drahtlose Kommunikationen eines längeren Bereichs wie GPS, EDGE, GPRS, CDMA, WiMAX, LTE, Ev-DO und andere dediziert sein.
  • Der Prozessor 704 der Berechnungsvorrichtung 700 enthält ein innerhalb des Prozessors 704 verbautes Plättchen einer integrierten Schaltung. In einigen Implementierungen der Erfindung kann das Plättchen der integrierten Schaltung des Prozessors 704 Teil eines elektronischen Bauelements ein, das einen Interposer und/oder einen Kühlkörper umfasst, der eine thermische Trennung umfasst, gemäß hierin beschriebenen Ausführungsformen. Der Begriff „Prozessor“ kann auf eine beliebige Vorrichtung oder einen Abschnitt einer Vorrichtung verweisen, die/der elektronische Daten aus Registern und/oder Speichern verarbeitet, um diese elektronischen Daten in andere elektronische Daten umzuwandeln, die in Registern und/oder Speichern gespeichert werden können.
  • Der Kommunikationschip 706 enthält außerdem ein in dem Kommunikationschip 706 verbautes Plättchen einer integrierten Schaltung. Gemäß einer anderen Implementierung der Erfindung kann das Plättchen der integrierten Schaltung des Kommunikationschips 706 Teil eines elektronischen Bauelements sein, das einen Interposer und/oder einen Kühlkörper umfasst, der eine thermische Trennung umfasst, wobei der Träger an ein Bauelementsubstrat thermisch gekoppelt ist, gemäß hierin beschriebenen Ausführungsformen.
  • Die vorstehende Beschreibung von dargestellten Implementierungen der Erfindung einschließlich der Beschreibung in der Zusammenfassung soll nicht umfassend sein oder die Erfindung auf die offenbarten präzisen Formen beschränken. Während spezifische Implementierungen und Beispiele der Erfindung hierin zu Zwecken der Veranschaulichung beschrieben werden, sind verschiedene äquivalente Abwandlungen innerhalb des Schutzumfangs der Erfindung möglich, wie Fachleute im relevanten Fachgebiet anerkennen werden.
  • Diese Abwandlungen werden an der Erfindung angesichts der vorstehenden ausführlichen Beschreibung vorgenommen. Die in den nachstehenden Patentansprüchen verwendeten Begriffe sollten nicht so verstanden werden, dass sie die Erfindung auf die in der Patentschrift und den Patentansprüchen offenbarten spezifischen Implementierungen beschränken. Vielmehr ist der Schutzumfang der Erfindung ausschließlich durch die nachstehenden Patentansprüche zu bestimmen, die gemäß gängigen Lehrmeinungen der Interpretation von Patentansprüchen zu verstehen sind.
  • Beispiel 1: ein elektronisches Bauelement, umfassend: einen Interposer; ein erstes Plättchen, angebracht an dem Interposer; ein zweites Plättchen, angebracht an dem Interposer; und einen Kühlkörper, thermisch gekoppelt an das erste Plättchen und das zweite Plättchen, wobei der Kühlkörper eine erste Oberfläche, die weg von dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen weist, und eine zweite Oberfläche, die hin zu dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen weist, aufweist, und wobei der Kühlkörper umfasst: eine thermische Trennung zwischen dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen.
  • Beispiel 2: das elektronische Bauelement von Beispiel 1, wobei die thermische Trennung einen Graben in den Kühlkörper hinein umfasst.
  • Beispiel 3: das elektronische Bauelement von Beispiel 2, wobei der Graben in die erste Oberfläche hinein angeordnet ist.
  • Beispiel 4: das elektronische Bauelement von Beispiel 2, wobei der Graben in die zweite Oberfläche hinein angeordnet ist.
  • Beispiel 5: das elektronische Bauelement von Beispiel 2, wobei der Graben durch eine gesamte Dicke des Kühlkörpers verläuft.
  • Beispiel 6: das elektronische Bauelement der Beispiele 1-4, wobei die thermische Trennung eine Vielzahl von Gräben umfasst, wobei die Vielzahl von Gräben einen ersten Graben und einen zweiten Graben umfasst.
  • Beispiel 7: das elektronische Bauelement von Beispiel 6, wobei der erste Graben und der zweite Graben beide in die erste Oberfläche des Kühlkörpers hinein angeordnet sind oder wobei der erste Graben und der zweite Graben beide in die zweite Oberfläche hinein angeordnet sind.
  • Beispiel 8: das elektronische Bauelement von Beispiel 6, wobei der erste Graben in die erste Oberfläche hinein angeordnet ist und der zweite Graben in die zweite Oberfläche hinein angeordnet ist.
  • Beispiel 9: das elektronische Bauelement der Beispiele 1-8, wobei die thermische Trennung eine Vielzahl von Löchern umfasst, angeordnet in den Kühlkörper hinein.
  • Beispiel 10: das elektronische Bauelement der Beispiele 1-9, wobei der Interposer in einem Bauelementsubstrat eingebettet ist.
  • Beispiel 11: ein elektronisches Bauelement, umfassend: einen Interposer mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche; ein erstes Plättchen, angebracht an die erste Oberfläche des Interposers; und ein zweites Plättchen, angebracht an die erste Oberfläche des Interposers, wobei das erste Plättchen durch eine Spur auf dem Interposer an das zweite Plättchen kommunikativ gekoppelt ist, und wobei der Interposer eine thermische Trennung zwischen dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen umfasst.
  • Beispiel 12: das elektronische Bauelement von Beispiel 11, wobei die thermische Trennung umfasst: einen Graben in den Interposer hinein.
  • Beispiel 13: das elektronische Bauelement von Beispiel 12, wobei der Graben in die erste Oberfläche hinein oder in die zweite Oberfläche hinein angeordnet ist.
  • Beispiel 14: das elektronische Bauelement von Beispiel 12, wobei der Graben durch eine gesamte Dicke des Interposers verläuft.
  • Beispiel 15: das elektronische Bauelement von Beispiel 12, wobei der Graben mindestens teilweise mit einem Füllmaterial gefüllt ist, wobei das Füllmaterial ein thermisch isolierendes Material ist.
  • Beispiel 16: das elektronische Bauelement der Beispiele 11-15, wobei die thermische Trennung eine Vielzahl von Gräben umfasst, wobei die Vielzahl von Gräben einen ersten Graben und einen zweiten Graben umfasst.
  • Beispiel 17: das elektronische Bauelement der Beispiele 11-16, wobei die thermische Trennung eine Vielzahl von Löchern in den Interposer hinein umfasst und wobei die Spur zwischen einem Paar von Löchern der Vielzahl von Löchern verläuft.
  • Beispiel 18: das elektronische Bauelement der Beispiele 11-17, wobei der Interposer in einem Bauelementsubstrat eingebettet ist.
  • Beispiel 19: ein elektronisches Bauelement, umfassend: ein erstes Plättchen; ein zweites Plättchen, lateral angrenzend an dem ersten Plättchen; einen Interposer, wobei das erste Plättchen und das zweite Plättchen über dem Interposer sind; und einen Kühlkörper über dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen, wobei der Interposer oder der Kühlkörper oder der Interposer und der Kühlkörper umfassen: einen Graben, wobei sich der Graben zwischen einer ersten Kante des ersten Plättchens und einer zweiten Kante des zweiten Plättchens befindet.
  • Beispiel 20: das elektronische Bauelement von Beispiel 19, wobei das erste Plättchen ein Prozessorplättchen ist und wobei das zweite Plättchen ein Modul für einen Speicher hoher Bandbreite (HBM) ist.
  • Beispiel 21: das elektronische Bauelement von Beispiel 19 oder Beispiel 20, wobei der Interposer in einem Bauelementsubstrat eingebettet ist und wobei das erste Plättchen und das zweite Plättchen beide über dem Bauelementsubstrat sind.
  • Beispiel 22: das elektronische Bauelement von Beispiel 19 oder Beispiel 20, wobei der Interposer an einem Bauelementsubstrat angebracht ist, wobei der Interposer zwischen dem ersten Plättchen und einer Oberfläche des Bauelementsubstrats ist.
  • Beispiel 23: ein elektronisches System, umfassend: eine Platte; ein an die Platte angebrachtes Bauelementsubstrat; einen an dem Bauelementsubstrat angebrachten Interposer; ein erstes Plättchen über dem Interposer; ein zweites Plättchen über dem Interposer; und einen Kühlkörper über dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen, wobei der Interposer oder der Kühlkörper oder der Interposer und der Kühlkörper umfassen: einen Graben, wobei der Graben sich zwischen einer ersten Kante des ersten Plättchens und einer zweiten Kante des zweiten Plättchens befindet.
  • Beispiel 24: das elektronische System von Beispiel 23, wobei der Kühlkörper ein integrierter Wärmeverteiler ist.
  • Beispiel 25: das elektronische System von Beispiel 23 oder Beispiel 24, wobei der Interposer in dem Bauelementsubstrat eingebettet ist.

Claims (25)

  1. Elektronisches Bauelement, umfassend: einen Interposer; ein erstes Plättchen, angebracht an dem Interposer; ein zweites Plättchen, angebracht an dem Interposer; und einen Kühlkörper, thermisch gekoppelt an das erste Plättchen und das zweite Plättchen, wobei der Kühlkörper eine erste Oberfläche, die weg von dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen weist, und eine zweite Oberfläche, die hin zu dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen weist, aufweist, und wobei der Kühlkörper umfasst: eine thermische Trennung zwischen dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen.
  2. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1, wobei die thermische Trennung einen Graben in den Kühlkörper hinein umfasst.
  3. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 2, wobei der Graben in die erste Oberfläche hinein angeordnet ist.
  4. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 2, wobei der Graben in die zweite Oberfläche hinein angeordnet ist.
  5. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 2, wobei der Graben durch eine gesamte Dicke des Kühlkörpers verläuft.
  6. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1, 2, 3 oder 4, wobei die thermische Trennung eine Vielzahl von Gräben umfasst, wobei die Vielzahl von Gräben einen ersten Graben und einen zweiten Graben umfasst.
  7. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 6, wobei der erste Graben und der zweite Graben beide in die erste Oberfläche des Kühlkörpers hinein angeordnet sind oder wobei der erste Graben und der zweite Graben beide in die zweite Oberfläche hinein angeordnet sind.
  8. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 6, wobei der erste Graben in die erste Oberfläche hinein angeordnet ist und der zweite Graben in die zweite Oberfläche hinein angeordnet ist.
  9. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 oder 8, wobei die thermische Trennung eine Vielzahl von Löchern umfasst, angeordnet in den Kühlkörper hinein.
  10. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 oder 9, wobei der Interposer in einem Bauelementsubstrat eingebettet ist.
  11. Elektronisches Bauelement, umfassend: einen Interposer mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche; ein erstes Plättchen, angebracht an die erste Oberfläche des Interposers; und ein zweites Plättchen, angebracht an die erste Oberfläche des Interposers, wobei das erste Plättchen durch eine Spur auf dem Interposer an das zweite Plättchen kommunikativ gekoppelt ist, und wobei der Interposer eine thermische Trennung zwischen dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen umfasst.
  12. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 11, wobei die thermische Trennung umfasst: einen Graben in den Interposer hinein.
  13. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 12, wobei der Graben in die erste Oberfläche hinein oder in die zweite Oberfläche hinein angeordnet ist.
  14. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 12, wobei der Graben durch eine gesamte Dicke des Interposers verläuft.
  15. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 12, wobei der Graben mindestens teilweise mit einem Füllmaterial gefüllt ist, wobei das Füllmaterial ein thermisch isolierendes Material ist.
  16. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 11, 12, 13, 14 oder 15, wobei die thermische Trennung eine Vielzahl von Gräben umfasst, wobei die Vielzahl von Gräben einen ersten Graben und einen zweiten Graben umfasst.
  17. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 11, 12, 13, 14, 15 oder 16, wobei die thermische Trennung eine Vielzahl von Löchern in den Interposer hinein umfasst und wobei die Spur zwischen einem Paar von Löchern der Vielzahl von Löchern verläuft.
  18. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 11, 12, 13, 14, 15, 16 oder 17, wobei der Interposer in einem Bauelementsubstrat eingebettet ist.
  19. Elektronisches Bauelement, umfassend: ein erstes Plättchen; ein zweites Plättchen, lateral angrenzend an dem ersten Plättchen; einen Interposer, wobei das erste Plättchen und das zweite Plättchen über dem Interposer sind; und einen Kühlkörper über dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen, wobei der Interposer oder der Kühlkörper oder der Interposer und der Kühlkörper umfassen: einen Graben, wobei sich der Graben zwischen einer ersten Kante des ersten Plättchens und einer zweiten Kante des zweiten Plättchens befindet.
  20. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 19, wobei das erste Plättchen ein Prozessorplättchen ist und wobei das zweite Plättchen ein Modul für einen Speicher hoher Bandbreite (HBM) ist.
  21. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 19 oder 20, wobei der Interposer in einem Bauelementsubstrat eingebettet ist und wobei das erste Plättchen und das zweite Plättchen beide über dem Bauelementsubstrat sind.
  22. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 19 oder 20, wobei der Interposer an einem Bauelementsubstrat angebracht ist, wobei der Interposer zwischen dem ersten Plättchen und einer Oberfläche des Bauelementsubstrats ist.
  23. Elektronisches System, umfassend: eine Platte; ein an die Platte angebrachtes Bauelementsubstrat; einen an dem Bauelementsubstrat angebrachten Interposer; ein erstes Plättchen über dem Interposer; ein zweites Plättchen über dem Interposer; und einen Kühlkörper über dem ersten Plättchen und dem zweiten Plättchen, wobei der Interposer oder der Kühlkörper oder der Interposer und der Kühlkörper umfassen: einen Graben, wobei der Graben sich zwischen einer ersten Kante des ersten Plättchens und einer zweiten Kante des zweiten Plättchens befindet.
  24. Elektronisches System nach Anspruch 23, wobei der Kühlkörper ein integrierter Wärmeverteiler ist.
  25. Elektronisches System nach Anspruch 23 oder 24, wobei der Interposer in dem Bauelementsubstrat eingebettet ist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220384407A1 (en) * 2021-05-26 2022-12-01 Broadcom International Pte. Ltd. Copper-bonded memory stacks with copper-bonded interconnection memory systems

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11854935B2 (en) * 2020-02-19 2023-12-26 Intel Corporation Enhanced base die heat path using through-silicon vias
US11211364B1 (en) * 2020-06-24 2021-12-28 Micron Technology, Inc. Semiconductor device assemblies and systems with improved thermal performance and methods for making the same
TWI736488B (zh) * 2020-12-11 2021-08-11 欣興電子股份有限公司 晶片封裝結構及其製造方法
US11456231B2 (en) * 2021-01-18 2022-09-27 Fortinet, Inc. Heatsink arrangement for integrated circuit assembly and method for assembling thereof
US11909189B1 (en) * 2022-06-14 2024-02-20 Jakub Kodim Flexible wiring conduit

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6114761A (en) * 1998-01-20 2000-09-05 Lsi Logic Corporation Thermally-enhanced flip chip IC package with extruded heatspreader
US6519154B1 (en) * 2001-08-17 2003-02-11 Intel Corporation Thermal bus design to cool a microelectronic die
US20060170094A1 (en) * 2005-02-02 2006-08-03 Intel Corporation Semiconductor package integral heat spreader
US10964624B2 (en) * 2017-01-26 2021-03-30 Intel Corporation Techniques for fluid cooling of integrated circuits in packages
US11456232B2 (en) * 2018-08-10 2022-09-27 Intel Corporation Thermal assemblies for multi-chip packages
US20200350229A1 (en) * 2019-04-30 2020-11-05 Intel Corporation Integrated heat spreader with enhanced vapor chamber for multichip packages

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220384407A1 (en) * 2021-05-26 2022-12-01 Broadcom International Pte. Ltd. Copper-bonded memory stacks with copper-bonded interconnection memory systems
US11721685B2 (en) * 2021-05-26 2023-08-08 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Copper-bonded memory stacks with copper-bonded interconnection memory systems
US20230343771A1 (en) * 2021-05-26 2023-10-26 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Copper-bonded memory stacks with copper-bonded interconnection memory systems

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