DE102019216954A1

DE102019216954A1 - Leiterplatten-Herstellungsverfahren

Info

Publication number: DE102019216954A1
Application number: DE102019216954.6A
Authority: DE
Inventors: Katsuhiko Suzuki
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2018-11-05
Filing date: 2019-11-04
Publication date: 2020-05-07
Also published as: US11153975B2; CN111148344A; KR20200051484A; TW202037243A; JP2020077670A; US20200146158A1; SG10201910031VA

Abstract

Ein Leiterplatten-Herstellungsverfahren weist auf: einen Schichtlaminat-Bildungsschritt zum Imprägnieren eines Glasgewebes mit einem Kunstharz, um eine Vielzahl von Schichten zu bilden, und anschließend Stapeln der Schichten, um ein Schichtlaminat mit einer ersten Fläche und einer zweiten Fläche zu bilden, einen Kernelement-Bildungsschritt zum Stapeln einer Trennplatte auf der ersten Fläche des Schichtlaminats, Stapeln einer Elektrodenplatte auf der zweiten Fläche des Schichtlaminats, anschließend Verwenden einer Druckplatte, um die Trennplatte, das Schichtlaminat und die Elektrodenplatte in ihrem gestapelten Zustand zu pressen, wodurch sie zusammen vereinigt werden, um ein Kernelement zu bilden, und einen Schleifschritt zum Schleifen der Trennplatte des Kernelements in einem Zustand, in dem die Elektrodenplatte des Kernelements auf einem Aufnahmetisch gehalten wird, wodurch eine Dicke des Kernelements gleichförmig gemacht wird.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Leiterplatten-Herstellungsverfahren.
Beschreibung des verwandten Stands der Technik
Konventionell werden Packungsbauelementchips oder dergleichen auf ein kupferkaschiertes Laminat, die Leiterplatte genannt wird, gebondet. Das kupferkaschierte Laminat wird gebildet, indem ein Glasgewebe mit Harz imprägniert wird, um eine Schicht zu bilden, anschließend Kupferfolien auf beiden Seiten der Schicht gestapelt werden und anschließend Druck und Wärme auf die Schicht mit den Kupferfolien ausgeübt werden (siehe beispielsweise JP 2001-196743A und JP 2013-80823A ). Ferner kann das kupferkaschierte Laminat eine Vielzahl von Glasgeweben aufweisen, die mit Harz imprägniert sind und zu einer Schicht gestapelt sind.
DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
Das in den oben genannten Publikationen beschriebene kupferkaschierte Laminat weist auf beiden Seiten Variationen hinsichtlich der Dicke und große Unebenheiten auf. Dementsprechend kann dieses kupferkaschierte Laminat nicht auf einen solchen Fall angewendet werden, bei dem der Abstand zwischen den Elektroden an jedem Packungsbauelementchip sehr gering ist. Das heißt, auf der Oberseite des kupferkaschierten Laminats wird eine Verdrahtungsschicht aus Metall gebildet, um Elektroden zu bilden, die dazu eingerichtet sind, an die Elektroden der Packungsbauelementchips verbunden zu werden. Die Unebenheiten auf der Oberseite des kupferkaschierten Laminats führen jedoch zu Variationen in der Höhe in der Verdrahtungsschicht. Demnach besteht die Möglichkeit einer schlechten Verbindung zwischen den Elektroden der Leiterplatte und den Elektroden der Packungsbauelementchips.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Leiterplatten-Herstellungsverfahren vorzusehen, das eine schlechte Verbindung zwischen den Elektroden der Leiterplatte und den Elektroden der Packungsbauelementchips als die an der Leiterplatte zu montierenden Komponenten unterdrücken kann.
In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Leiterplatten-Herstellungsverfahren zur Herstellung einer Leiterplatte bereitgestellt, an der eine Vielzahl von Packungsbauelementchips mit Elektroden montiert werden können, wobei die Leiterplatte Elektroden aufweist, die dazu eingerichtet sind, mit den Elektroden der Packungsbauelementchips verbunden zu werden, wobei das Leiterplatten-Herstellungsverfahren aufweist: einen Schichtlaminat-Bildungsschritt zum Imprägnieren eines Glasgewebes mit einem Kunstharz, um eine Vielzahl von Schichten zu bilden, und anschließend Stapeln der Schichten, um ein Schichtlaminat mit einer ersten Fläche und einer zweiten Fläche zu bilden; einen Kernelement-Bildungsschritt zum Stapeln einer Trennplatte auf der ersten Fläche des Schichtlaminats, Stapeln einer Elektrodenplatte auf der zweiten Fläche des Schichtlaminats, anschließend Verwenden einer Druckplatte, um die Trennplatte, das Schichtlaminat und die Elektrodenplatte in ihrem gestapelten Zustand zu pressen, wodurch die Trennplatte, das Schichtlaminat und die Elektrodenplatte zu einem Kernelement vereinigt werden; einen Vorderseiten-Schleifschritt zum Schleifen der Trennplatte des Kernelements als die Vorderseite des Kernelements in einem Zustand, in dem die Elektrodenplatte des Kernelements als die Rückseite des Kernelements auf einem Aufnahmetisch gehalten wird, wodurch eine Dicke des Kernelements gleichförmig gemacht wird und zumindest ein Teil der Trennplatte entfernt wird, um dadurch eine ebene Fläche auf der Vorderseite des Kernelements zu bilden; und einen Schritt zum Bilden einer ersten Verdrahtungsschicht zum Bilden einer Verdrahtungsschicht an der in dem Vorderseiten-Schleifschritt gebildeten ebenen Fläche, wobei die Verdrahtungsschicht dazu eingerichtet ist, mit den Packungsbauelementchips verbunden zu werden.
Vorzugsweise weist das Leiterplatten-Herstellungsverfahren ferner auf: einen Schritt zum Bilden einer zweiten Verdrahtungsschicht zum Bilden einer weiteren Verdrahtungsschicht an der Elektrodenplatte des Kernelements nach der Durchführung des Schritts zum Bilden einer ersten Verdrahtungsschicht
Vorzugsweise wird der Vorderseiten-Schleifschritt unter Verwendung von Schleifelementen, Schneidwerkzeug, Polierband oder Schneidklinge durchgeführt.
Vorzugsweise ist die Trennplatte aus einer Kupferplatte oder einem Harzfilm gebildet. Vorzugsweise weist das Leiterplatten-Herstellungsverfahren ferner auf: einen Rückseiten-Schleifschritt zum Schleifen der Elektrodenplatte des Kernelements als die Rückseite des Kernelements nach der Durchführung des Vorderseiten-Schleifschritts, wodurch die Rückseite des Kernelements abgeflacht wird.
Das Leiterplatten-Herstellungsverfahren dieser Erfindung hat den Effekt, dass es möglich ist, eine schlechte Verbindung zwischen den Elektroden der Leiterplatte und den Elektroden der Packungsbauelementchips als die an der Leiterplatte zu montierenden Komponenten zu unterdrücken.
Die oben genannten und anderen Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung sowie die Art und Weise ihrer Realisierung werden deutlicher werden durch, und die Erfindung selbst wird am besten verstanden durch, ein Studium der folgenden Beschreibung und der beigefügten Ansprüche unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, die einige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung zeigen.
Figurenliste

1 ist eine Schnittansicht, die einen Teil einer Leiterplatte darstellt, die nach einem Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß einer ersten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt werden soll;
2 ist ein Flussdiagramm, das den Ablauf des Leiterplatten-Herstellungsverfahrens gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform darstellt;
3 ist eine schematische Ansicht, die den Schichtlaminat-Bildungsschritt bei dem in 2 dargestellten Leiterplatten-Herstellungsverfahren darstellt;
4 ist eine schematische Schnittansicht, die einen Zustand darstellt, in dem eine Trennplatte und eine Elektrodenplatte auf beiden Seiten des Schichtlaminats gestapelt sind, in einem Kernelement-Bildungsschritt bei dem in 2 dargestellten Leiterplatten-Herstellungsverfahren;
5 ist eine schematische Schnittansicht, die einen Zustand darstellt, in dem die Trennplatte, das Schichtlaminat und die Elektrodenplatte im Kernelement-Bildungsschritt zusammengepresst werden;
6 ist eine schematische Schnittansicht eines Kernelements, das in dem Kernelement-Bildungsschritt gebildet wurde;
7 ist eine schematische seitliche Teilschnittansicht, die eine Anfangsphase eines Vorderseiten-Schleifschritts bei dem in 2 dargestellten Leiterplatten-Herstellungsverfahren darstellt;
8 ist eine Ansicht ähnlich zu 7, die eine Endphase des Vorderseiten-Schleifschritts darstellt;
9 ist eine schematische Schnittansicht des Kernelements im Zustand nach dem Vorderseiten-Schleifsch ritt;
10 ist eine schematische Teilschnittansicht, die einen Rückseiten-Schleifschritt in dem in 2 dargestellten Leiterplatten-Herstellungsverfahren darstellt;
11 ist eine schematische Schnittansicht des Kernelements im Zustand nach dem Rückseiten-Schleifschritt;
12 ist eine schematische Schnittansicht der Leiterplatte, die durch Durchführen eines Schritts zum Bilden einer ersten Verdrahtungsschicht in dem in 2 dargestellten Leiterplatten-Herstellungsverfahren erhalten wurde;
13 ist ein Flussdiagramm, das den Ablauf eines Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
14 ist eine schematische Schnittansicht einer Leiterplatte, die durch Durchführen eines Schritts zum Bilden einer zweiten Verdrahtungsschicht in dem in 13 dargestellten Leiterplatten-Herstellungsverfahren erhalten wurde;
15 ist eine schematische Schnittansicht des Kernelements nach dem Vorderseiten-Schleifschritt in einer ersten Modifikation;
16 ist eine schematische seitliche Teilschnittansicht, die den Vorderseiten-Schleifschritt in einer zweiten Modifikation darstellt;
17 ist eine schematische seitliche Teilschnittansicht, die den Vorderseiten-Schleifschritt in einer zweiten Modifikation darstellt; und
18 ist eine schematische seitliche Teilschnittansicht, die den Vorderseiten-Schleifschritt in einer vierten Modifikation darstellt.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Einige bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nun unter Bezugnahme auf die Zeichnungen ausführlich beschrieben. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die bevorzugten Ausführungsformen beschränkt. Ferner können die in den bevorzugten Ausführungsformen verwendeten Komponenten diejenigen aufweisen, die leicht vom Fachmann angenommen werden können, oder die im Wesentlichen die gleichen Elemente wie die im Stand der Technik bekannten sind. Ferner können die unten beschriebenen Konfigurationen in geeigneter Weise kombiniert werden. Ferner können die Konfigurationen auf verschiedene Weise weggelassen, ersetzt oder geändert werden, ohne vom Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
[Erste bevorzugte Ausführungsform]
Ein Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß einer ersten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. 1 ist eine Schnittansicht, die einen Teil einer Leiterplatte 1 darstellt, die nach dem Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform hergestellt werden soll.
Die in 1 dargestellte Leiterplatte 1 ist eine Leiterplatte, an der eine Vielzahl von Packungsbauelementchips 100 über Elektroden montiert und verbunden werden können. Genauer gesagt hat die Leiterplatte 1 eine Verdrahtungsschicht 2 auf der Vorderseite und die Verdrahtungsschicht 2 hat eine Vielzahl von Elektroden 21. Jeder Packungsbauelementchip 100 hat eine Vielzahl von Elektroden (nicht abgebildet), die dazu eingerichtet sind, mit den Elektroden 21 der Verdrahtungsschicht 2 der Leiterplatte 1 verbunden zu werden. Wie in 1 dargestellt, umfasst die Leiterplatte 1 ein isolierendes Schichtlaminat 3 mit einer ersten Fläche 31 und einer zweiten Fläche 32, eine leitende Verdrahtungsschicht 2, die auf der ersten Fläche 31 des Schichtlaminats 3 gebildet ist, und eine Elektrodenplatte 4, die auf der zweiten Fläche 32 des Schichtlaminats 3 gebildet ist. Die Verdrahtungsschicht 2 ist aus einem leitfähigen Metall wie beispielsweise einer Kupferlegierung gebildet.
Die Verdrahtungsschicht 2 wird durch Bonden einer Kupferfolie oder dergleichen auf die erste Fläche 31 des Schichtlaminates 3 und anschließend teilweises Entfernen der Kupferfolie an geeigneten Stellen gebildet. Die Elektrodenplatte 4 wird durch Bonden einer Kupferplatte oder dergleichen auf die zweite Fläche 32 des Schichtlaminats 3 gebildet. Im Gegensatz zur Verdrahtungsschicht 2 hat die Elektrodenplatte 4 keine Löcher.
Ferner ist auf der Verdrahtungsschicht 2 eine Isolierschicht 5 gebildet. Die Isolierschicht 5 ist aus isolierendem Kunstharz oder dergleichen gebildet. Die Isolierschicht 5 wird durch Bilden eines Harzfilm auf der Verdrahtungsschicht 2 und anschließend teilweises Entfernen des Harzfilm an geeigneten Stellen gebildet. In 1 sind die Elektroden 21 der Verdrahtungsschicht 2 durch Leerstellen dargestellt.
Das Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform wird nun beschrieben. 2 ist ein Flussdiagramm, das den Ablauf des Leiterplatten-Herstellungsverfahrens gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform darstellt. Das Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform ist Verfahren zur Herstellung der in 1 dargestellten Leiterplatte 1. Wie in 2 dargestellt, umfasst das Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform einen Schichtlaminat-Bildungsschritt ST1, einen Kernelement-Bildungsschritt ST2, einen Vorderseiten-Schleifschritt ST3, einen Rückseiten-Schleifschritt ST4 und einen Schritt zum Bilden einer ersten Verdrahtungsschicht ST5.
(Schichtlaminat-Bildungsschritt)
3 ist eine schematische Ansicht, die den Schichtlaminat-Bildungsschritt ST1 in dem in 2 dargestellten Leiterplatten-Herstellungsverfahren darstellt. Der Schichtlaminat-Bildungsschritt ST1 ist ein Schritt zum Bilden eines Schichtlaminats 3, indem ein Glasgewebe 33 mit einem Lack 34 als Kunstharz imprägniert wird, um eine Schicht (bzw. Lage) 35 zu bilden, anschließendem Schneiden der Schicht 35 in eine Vielzahl von Schichten (bzw. Lagen), und anschließendem Stapeln dieser Schichten. Das heißt, das Schichtlaminat 3 ist aus den mehreren übereinander gestapelten Schichten 35 gebildet, wobei jede Schicht 35 durch Imprägnieren des Glasgewebes 33 mit dem Lack 34 gebildet ist.
Das Glasgewebe 33 wird durch Weben von Glasfasern gebildet. Im Schichtlaminat-Bildungsschritt ST1 ist das Glasgewebe 33 in Form einer Rolle vorgesehen. Das Glasgewebe 33 wird von der Rolle abgezogen und in einen Imprägnierbehälter 200 mit dem Lack 34 geführt, während es über eine Vielzahl von Walzen geführt wird. Im Imprägnierbehälter 200 wird das Glasgewebe 33 mit dem Lack 34 imprägniert. Der Lack 34 ist ein Kunstharz wie Epoxidharz, Phenolharz und Polyetheretherketon (PEEK)-Harz im Zustand vor der Aushärtung.
Wie in 3 dargestellt, wird das Glasgewebe 33 durch den im Imprägnierbehälter 200 enthaltenen Lack 34 geführt, so dass das Glasgewebe 33 mit dem Lack 34 imprägniert wird, wodurch die Schicht 35 bildet wird. Danach wird die Schicht 35 durch eine Heizeinheit 201 geführt, so dass die Schicht 35 von der Heizeinheit 201 erwärmt und getrocknet wird, wodurch der in der Schicht 35 enthaltene Lack 34 ausgehärtet wird. Danach wird die Schicht 35 von einer Schneideeinheit 202 in eine Vielzahl von Schichten mit jeweils einer vorbestimmten Größe geschnitten. Danach werden die oben erhaltenen mehreren Schichten 35 gestapelt, so dass sie das Schichtlaminat 3 bilden. Danach geht das Verfahren zum Kernelement-Bildungsschritt ST2 über.
(Kernelement-Bildungsschritt)
4 ist eine schematische Schnittansicht, die einen Zustand darstellt, in dem eine Trennplatte 6 und eine Elektrodenplatte 4 auf beiden Seiten des Schichtlaminats 3 gestapelt sind, in dem in 2 dargestellten Kernelement-Bildungsschritt ST2. 5 ist eine schematische Schnittansicht, die einen Zustand darstellt, in dem die Trennplatte 6, das Schichtlaminat 3 und die Elektrodenplatte 4 im Kernelement-Bildungsschritt zusammengepresst werden. 6 ist eine schematische Schnittansicht eines Kernelements 7, das in dem in 2 dargestellten Kernelement-Bildungsschritt ST2 gebildet wurde. In den Zeichnungen sind die Unebenheiten auf der ersten Fläche 31 und der zweiten Fläche 32 des Schichtlaminates 3 und auf den gegenüberliegenden Flächen des Kernelements 7 übertrieben dargestellt.
Wie in 4 und 5 dargestellt, ist der Kernelement-Bildungsschritt ST2 ein Schritt zum Bilden des Kernelements 7 (siehe 6), bei dem zuerst die Trennplatte 6 auf der ersten Fläche 31 des Schichtlaminats 3 gestapelt wird, die Elektrodenplatte 4 auf der zweiten Fläche 32 des Schichtlaminats 3 gestapelt wird und anschließend eine Pressmaschine 205 mit einem Paar Druckplatten 203 und 204 verwendet wird, um die Trennplatte 6, das Schichtlaminat 3 und die Elektrodenplatte 4 in ihrem gestapelten Zustand zu pressen. Das heißt, das Kernelement 7 ist aus dem Schichtlaminat 3, der Trennplatte 6 und der Elektrodenplatte 4, die miteinander verbunden sind, gebildet. Genauer gesagt, wie in 4 dargestellt, ist die Trennplatte 6 auf der ersten Fläche 31 des Schichtlaminats 3 und die Elektrodenplatte 4 auf der zweiten Fläche 32 des Schichtlaminats 3 gestapelt.
Sowohl die Trennplatte 6 als auch die Elektrodenplatte 4 haben in der Draufsicht die gleiche Form und Größe wie das Schichtlaminats 3. Die Trennplatte 6 kann aus einer Kupferplatte aus Kupferlegierung zur Verhinderung des Anhaftens an die Druckplatte 204, einem Harzfilm zum Bilden einer Umverteilungsschicht, wie beispielsweise Ajinomoto Buildup Film (im folgenden „ABF“ genannt), hergestellt von Ajinomoto Fine-Techno Co., Inc., oder einer Kupferplatte aus Kupferlegierung zum Bilden der Elektroden 21 der Verdrahtungsschicht 2, gebildet sein. Der ABF ist aus einem trockenen, filmartigen Isoliermaterial, das ein Harzmaterial aufweist, gebildet und dieser Film wird als Zwischenschichtisolator für die Verdrahtungsschicht 2 verwendet. In dieser bevorzugten Ausführungsform ist die Trennplatte 6 aus einer Kupferplatte gebildet, um ein Anhaften an der Druckplatte 204 zu verhindern.
In ähnlicher Weise kann die Elektrodenplatte 4 aus einer Kupferplatte aus Kupferlegierung zur Verhinderung des Anhaftens an die Druckplatte 203, einem Harzfilm wie ABF oder einer Kupferplatte aus Kupferlegierung zum Bilden von Elektroden gebildet sein. In dieser bevorzugten Ausführungsform ist die Elektrodenplatte 4 aus einer Kupferplatte zum Bilden von Elektroden gebildet. Es kann jedoch ein Harzfilm wie ABF als Elektrodenplatte 4 verwendet werden.
Wie in 5 dargestellt, liegen in der Pressmaschine 205 die untere Druckplatte 203 und die obere Druckplatte 204 einander gegenüber. Die Elektrodenplatte 4 wird auf der unteren Druckplatte 203 platziert, und die obere Druckplatte 204 wird in Richtung der Trennplatte 6 abgesenkt, um dadurch die Trennplatte 6, das Schichtlaminat 3 und die Elektrodenplatte 4 in ihrem gestapelten Zustand zu drücken, während das Schichtlaminats 3 erwärmt wird. Das heißt, mindestens eine der Druckplatten 203 und 204 der Pressmaschine 205 weist eine Heizeinheit, wie beispielsweise ein Heizelement, auf, um das Schichtlaminat 3 beim Aufbringen von Druck zu erwärmen.
Somit wird im Kernelement-Bildungsschritt ST2 das Schichtlaminat 3 gepresst und erwärmt, so dass die Trennplatte 6 und die Elektrodenplatte 4, die auf beiden Seiten des Schichtlaminats 3 gestapelt sind, am Schichtlaminat 3 befestigt werden. Das heißt, die Trennplatte 6, das Schichtlaminat 3 und die Elektrodenplatte 4 sind miteinander verbunden, so dass sie das Kernelement 7 bilden. Danach geht das Verfahren zum Vorderseiten-Schleifschritt ST3 über.
(Vorderseiten-Schleifschritt)
7 ist eine schematische seitliche Teilschnittansicht, die den in 2 dargestellten Vorderseiten-Schleifschritt ST3 in seiner Anfangsphase darstellt. 8 ist eine Ansicht ähnlich zu 7, die eine Endphase des Vorderseiten-Schleifschritts darstellt. 9 ist eine schematische Schnittansicht des Kernelements im Zustand nach dem Vorderseiten-Schleifschritt.
Der Vorderseiten-Schleifschritt ST3 ist ein Schritt zum Schleifen der Vorderseite des Kernelements 7, d.h. der Trennplatte 6 des Kernelements 7, unter Verwendung einer Schleifvorrichtung 210 mit Schleifelementen 213 in dem Zustand, in dem die Elektrodenplatte 4 des Kernelements 7 auf einer Haltefläche 212 eines Aufnahmetisches 211 in der Schleifvorrichtung 210 gehalten wird, wodurch die Dicke des Kernelements 7 gleichförmig gemacht wird und zumindest ein Teil der Trennplatte 6 entfernt wird, so dass eine ebene Fläche 8 gebildet wird. Genauer gesagt wird der Vorderseiten-Schleifschritt ST3 unter Verwendung der Schleifvorrichtung 210 einschließlich des Aufnahmetisches 211 mit der Haltefläche 212 zum Halten des Kernelements 7 unter Ansaugung durchgeführt.
Der Aufnahmetisch 211 ist um seine vertikale Achse drehbar. Die Schleifvorrichtung 210 umfasst ferner eine Spindel 214, die dazu eingerichtet ist, sich um ihre vertikale Achse gedreht zu werden, und eine Schleifscheibe 215, die am unteren Ende der Spindel 214 befestigt ist. Eine Vielzahl von Schleifelementen 213 ist an der Unterseite der Schleifscheibe 215 so befestigt, dass sie entlang ihres Außenumfangs angeordnet sind. Bei der Durchführung des Vorderseiten-Schleifschritts ST3 wird das Kernelement 7 zunächst auf der Haltefläche 212 des Aufnahmetisches 211 unter Ansaugung in dem Zustand gehalten, in dem die Elektrodenplatte 4 mit der Haltefläche 212 in Kontakt steht, d.h. die Trennplatte 6 ist nach oben freigelegt, wie in 7 dargestellt. Danach wird die Spindel 214 gedreht, so dass dadurch die Schleifscheibe 215 gedreht wird. Ferner wird der Aufnahmetisch 211 ebenfalls gedreht, so dass dadurch das Kernelement 7 gedreht wird. Danach wird die Schleifscheibe 215 mit einer vorbestimmten Vorschubgeschwindigkeit abgesenkt, so dass die Schleifelemente 213 mit der Trennplatte 6 des auf dem Aufnahmetisch 211 gehaltenen Kernelements 7 in Kontakt gebracht werden. Gleichzeitig wird den Schleifelementen 213 ein Schleifwasser zugeführt. Dementsprechend wird die Trennplatte 6 des Kernelements 7 von den Schleifelementen 213 geschliffen. In dieser bevorzugten Ausführung, wie in 8 und 9 dargestellt, wird die Trennplatte 6 durch dieses Schleifen vollständig entfernt, so dass dadurch die erste Fläche 31 des Schichtlaminats 3 in die ebene Fläche 8 umgewandelt wird. Das heißt, die Vorderseite des Kernelements 7 wird geschliffen, bis die Trennplatte 6 vollständig entfernt und die erste Fläche 31 des Schichtlaminats 3 abgeflacht wird, so dass sie die ebene Fläche 8 wird. Danach geht das Verfahren zum Rückseiten-Schleifschritt ST4 über.
(Rückseiten-Schleifschritt)
10 ist eine schematische Teilschnittansicht, die den in 2 dargestellten Rückseiten-Schleifschritt ST4 in seinem Anfangsstadium darstellt. 11 ist eine schematische Schnittansicht des Kernelements 7 im Zustand nach dem Rückseiten-Schleifschritt ST4.
Der Rückseiten-Schleifschritt ST4 ist ein Schritt zum Schleifen der Rückseite des Kernelements 7, d.h. der Oberseite 41 der Elektrodenplatte 4 des Kernelements 7, nachdem der Vorderseiten-Schleifschritt ST3 ausgeführt wurde, wodurch die Rückseite des Kernelements 7 abgeflacht wird. Bei der Durchführung des Rückseiten-Schleifschritts ST4 wird das Kernelement 7 zunächst auf der Haltefläche 212 des Aufnahmetisches 211 in der Schleifvorrichtung 210 unter Ansaugung in dem Zustand gehalten, in dem die ebene Fläche 8 des Kernelementes 7 mit der Haltefläche 212 in Kontakt ist, d.h. die Elektrodenplatte 4 ist nach oben freigelegt, wie in 10 dargestellt.
Danach wird die Spindel 214 gedreht, so dass dadurch die Schleifscheibe 215 gedreht wird. Ferner wird der Aufnahmetisch 211 ebenfalls gedreht, so dass dadurch das Kernelement 7 gedreht wird. Danach wird die Schleifscheibe 215 mit einer vorbestimmten Vorschubgeschwindigkeit abgesenkt, so dass die Schleifelemente 213 mit der Elektrodenplatte 4 des auf dem Aufnahmetisch 211 gehaltenen Kernelements 7 in Kontakt gebracht werden. Gleichzeitig wird den Schleifelementen 213 ein Schleifwasser zugeführt. Dementsprechend wird die Oberseite 41 der Elektrodenplatte 4 des Kernelements 7 durch die Schleifelemente 213 geschliffen. In dieser bevorzugten Ausführung, wie in 11 dargestellt, wird die Elektrodenplatte 4 durch dieses Schleifen teilweise entfernt, so dass dadurch die gesamte Oberseite 41 der Elektrodenplatte 4 abgeflacht wird. Das heißt, die Rückseite des Kernelements 7 wird geschliffen, bis die Elektrodenplatte 4 teilweise entfernt und die gesamte Oberseite 41 (freiliegende Fläche) der Elektrodenplatte 4 abgeflacht ist. Danach geht das Verfahren zu dem Schritt zum Bilden einer ersten Verdrahtungsschicht ST5 über. In dieser bevorzugten Ausführungsform ist die Elektrodenplatte 4 aus einem Harzfilm wie ABF oder einer Kupferplatte zum Bilden von Elektroden gebildet, und die Elektrodenplatte 4 wird teilweise entfernt, so dass die Oberseite 41 der Elektrodenplatte 4 im Rückseiten-Schleifschritt ST4 abgeflacht wird. Als eine Modifikation kann die Elektrodenplatte 4 aus einer Kupferplatte zum Verhindern von Anhaften an der Druckplatte gebildet sein. In diesem Fall kann die Elektrodenplatte 4 vollständig entfernt werden, so dass die zweite Fläche 32 des Schichtlaminats 3 im Rückseiten-Schleifschritt ST4 abgeflacht wird.
(Schritt zum Bilden einer ersten Verdrahtungsschicht)
12 ist eine schematische Schnittansicht der Leiterplatte, die durch Durchführen des in dem in 2 dargestellten Schritts zum Bilden einer ersten Verdrahtungsschicht STS. Der Schritt zum Bilden einer ersten Verdrahtungsschicht ST5 ist ein Schritt zum Bilden einer Verdrahtungsschicht 2 mit Elektroden 21 auf der im Vorderseiten-Schleifschritt ST3 gebildeten ebenen Fläche 8, wobei die Elektroden 21 dazu eingerichtet sind, mit den Packungsbauelementchips 100 verbunden zu werden (siehe 1).
Bei der Durchführung des Schritts zum Bilden einer ersten Verdrahtungsschicht ST5 wird zunächst eine Kupferfolie auf die ebene Fläche 8 gebondet. Danach wird auf der Kupferfolie mit einer im Stand der Technik bekannten Fotolithografietechnik eine Maske gebildet. Danach wird diese Maske geätzt und anschließend entfernt, wodurch die Verdrahtungsschicht 2 mit den in einem vorbestimmten Muster angeordneten Elektroden 21 gebildet wird. Danach wird ein Harzfilm wie beispielsweise ABF an der Verdrahtungsschicht 2 gebildet und anschließend an geeigneten Stellen teilweise entfernt, so dass dadurch eine Isolierschicht 5 auf der Verdrahtungsschicht 2 gebildet wird. Wie oben beschrieben, wird in dieser bevorzugten Ausführungsform die Verdrahtungsschicht 2 gebildet, indem zuerst eine Kupferfolie auf die ebene Fläche 8 gebondet wird, anschließend eine bekannte Fotolithografietechnik zum Bilden einer Maske durchgeführt wird und anschließend diese Maske geätzt wird. Als Modifikation kann die Verdrahtungsschicht 2 gebildet werden, indem zuerst die ebene Fläche 8 mit Metall beschichtet wird, anschließend ein Harzfilm wie beispielsweise ABF an der Metallplattierung gebildet wird, anschließend der Harzfilm Licht ausgesetzt wird, anschließend der Harzfilm mit Metall beschichtet wird, und anschließend die Metallplattierung poliert wird. Als weitere Modifikation kann ein Siebdruck oder dergleichen durchgeführt werden, um die Verdrahtungsschicht 2 an der ebenen Fläche 8 zu bilden.
Bei dem Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der ersten oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform wird die Trennplatte 6 auf der ersten Fläche 31 des Schichtlaminats 3 im Kernelement-Bildungsschritt ST2 gestapelt. Dementsprechend ist es möglich, das Problem zu unterdrücken, dass das Glasgewebe 33 im Schichtlaminat 3 aufgrund des Lacks 34 im Kernelement-Bildungsschritt ST2 an der Druckplatte 204 haftet. Ferner wird in dem Vorderseiten-Schleifschritt ST3 die Trennplatte 6 des Kernelements 7 geschliffen, so dass die erste Fläche 31 in die ebene Fläche 8 umgewandelt wird. Dementsprechend kann die Verdrahtungsschicht 2 an der ebenen Fläche 8 ohne Unebenheiten gebildet werden. Demnach ist es entsprechend der ersten bevorzugten Ausführungsform möglich, eine schlechte Verbindung zwischen den Elektroden der Leiterplatte 1 und den Elektroden der Packungsbauelementchips 100 als die auf der Vorderseite der Leiterplatte 1 zu montierenden Komponenten zu unterdrücken.
Ferner wird bei dem Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform die Oberseite 41 der Elektrodenplatte 4 im Rückseiten-Schleifschritt ST4 geschliffen, so dass sie abgeflacht wird. Dementsprechend ist es auch bei der Bildung einer weiteren Verdrahtungsschicht auf der Rückseite des Kernelements 7 möglich, eine schlechte Verbindung zwischen den Elektroden der auf der Rückseite der Leiterplatte 1 gebildeten Verdrahtungsschicht und den Elektroden aller anderen auf der Rückseite der Leiterplatte 1 zu montierenden Komponenten zu unterdrücken. Ferner wird bei dem Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform der Vorderseiten-Schleifschritt ST3 unter Verwendung der Schleifelemente 213 durchgeführt, so dass die erste Fläche 31 des Schichtlaminats 3 abgeflacht werden kann.
[Zweite bevorzugte Ausführungsform]
Ein Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. 13 ist ein Flussdiagramm, das den Ablauf eines Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform darstellt. 14 ist eine schematische Schnittansicht einer Leiterplatte, die durch Durchführen eines Schritts zum Bilden einer zweiten Verdrahtungsschicht in dem in 13 dargestellten Leiterplatten-Herstellungsverfahren erhalten wurde. In den 13 und 14 sind die gleichen Teile wie in der ersten bevorzugten Ausführungsform durch die gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und die Beschreibung dieser Teile wird weggelassen.
Das Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform ist das gleiche wie das gemäß der ersten bevorzugten Ausführung, mit der Ausnahme, dass ein Schritt zum Bilden einer zweiten Verdrahtungsschicht ST6 nach der Durchführung des Schritts zum Bilden einer ersten Verdrahtungsschicht ST5 durchgeführt wird. Der Schritt zum Bilden einer zweiten Verdrahtungsschicht ST6 ist ein Schritt zum Bilden einer weiteren Verdrahtungsschicht 2 an der Elektrodenplatte 4 des Kernelements 7. Das heißt, nach Durchführung des Schritts zum Bilden einer ersten Verdrahtungsschicht ST5 wird die Verdrahtungsschicht 2 an der Oberseite 41 der Elektrodenplatte 4, wie sie durch den Rückseiten-Schleifschritt ST4 erhalten wurde, in ähnlicher Weise wie bei der ersten bevorzugten Ausführungsform gebildet. Dementsprechend kann eine Leiterplatte 1-2 mit den Verdrahtungsschichten 2 auf beiden Seiten hergestellt werden, wie in 14 dargestellt. In der zweiten bevorzugten Ausführungsform ist die Elektrodenplatte 4 aus einer Kupferplatte zum Bilden der Elektroden 21 gebildet.
Bei dem Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform wird die Trennplatte 6 auf der ersten Fläche 31 des Schichtlaminats 3 im Kernelement-Bildungsschritt ST2 gestapelt. Dementsprechend ist es möglich, das Problem zu unterdrücken, dass das Glasgewebe 33 im Schichtlaminat 3 im Kernelement-Bildungsschritt ST2 an der Druckplatte 204 haftet. Ferner wird in dem Vorderseiten-Schleifschritt ST3 die Trennplatte 6 des Kernelements 7 geschliffen, so dass die erste Fläche 31 in die ebene Fläche 8 umgewandelt wird. Dementsprechend kann die Verdrahtungsschicht 2 an der ebenen Fläche 8 ohne Unebenheiten gebildet werden. Ferner wird bei dem Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform die Oberseite 41 der Elektrodenplatte 4 im Rückseiten-Schleifschritt ST4 geschliffen, so dass sie abgeflacht wird. Dementsprechend kann die Verdrahtungsschicht 2 auch an der ebenen zweiten Fläche 32 des Schichtlaminats 3 auf der Rückseite der Leiterplatte 1-2 gebildet werden. Demnach ist es möglich, eine schlechte Verbindung zwischen den Elektroden der Leiterplatte 1-2 und den Elektroden der Packungsbauelementchips 100 als die auf der Vorderseite der Leiterplatte 1-2 zu montierenden Komponenten zu unterdrücken. Es ist ferner möglich, eine schlechte Verbindung zwischen den Elektroden der Leiterplatte 1-2 und den Elektroden aller anderen auf der Rückseite der Leiterplatte 1-2 zu montierenden Komponenten zu unterdrücken
[Erste Modifikation]
Ein Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß einer ersten Modifikation der oben genannten bevorzugten Ausführungsformen wird nun unter Bezugnahme auf 15 beschrieben. 15 ist eine schematische Schnittansicht des Kernelements 7 nach dem Vorderseiten-Schleifschritt ST3 in dem Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der ersten Modifikation. In 15 werden die gleichen Teile wie in den oben genannten bevorzugten Ausführungsformen durch die gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und die Beschreibung dieser Teile wird weggelassen.
Das Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der ersten Modifikation ist das gleiche wie das gemäß den obigen bevorzugten Ausführungsformen, außer dass der Vorderseiten-Schleifschritt ST3 anders ist. In der ersten Modifikation ist die Trennplatte 6 aus einem Harzfilm wie ABF oder einer Kupferplatte zum Bilden von Elektroden bildet.
In dem Vorderseiten-Schleifschritt ST3 in dem Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der ersten Modifikation wird die Trennplatte 6 durch Schleifen teilweise entfernt, so dass dadurch die Oberseite der Trennplatte 6 eine ebene Fläche 8 umgewandelt wird, wie in 15 dargestellt. Das heißt, im Gegensatz zu dem in 9 dargestellten Kernelement 7, enthält das in 15 dargestellte Kernelement 7 einen Teil der Trennplatte 6. Danach geht das Verfahren zum Rückseiten-Schleifschritt ST4 über.
In dem Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der ersten Modifikation wird die Trennplatte 6 auf die erste Fläche 31 des Schichtlaminats 3 gestapelt und dann teilweise geschliffen, so dass die ebene Fläche 8 gebildet wird. Dementsprechend ist es gemäß der ersten Modifikation, ähnlich wie bei den oben genannten bevorzugten Ausführungsformen, möglich, eine schlechte Verbindung zwischen den Elektroden der Leiterplatte 1 oder 1-2 und den Elektroden der Packungsbauelementchips 100 als die auf der Vorderseite der Leiterplatte 1 oder 1-2 zu montierenden Komponenten zu unterdrücken.
[Zweite Modifikation]
Ein Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß einer zweiten Modifikation der oben genannten bevorzugten Ausführungsformen wird nun unter Bezugnahme auf 16 beschrieben. 16 ist eine schematische seitliche Teilschnittansicht, die den Vorderseiten-Schleifschritt ST3 in dem Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der zweiten Modifikation darstellt. In 16 werden die gleichen Teile wie in den oben genannten bevorzugten Ausführungsformen durch die gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und die Beschreibung dieser Teile wird weggelassen.
Das Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der zweiten Modifikation ist das gleiche wie das gemäß den oben genannten bevorzugten Ausführungsformen, außer dass der Vorderseiten-Schleifschritt ST3 oder der Rückseiten-Schleifschritt ST4 unterschiedlich ist. In dem Vorderseiten-Schleifschritt ST3 wird gemäß der zweiten Modifikation ein Schneidwerkzeug 221 verwendet, um das Kernelement 7 zu schleifen, wodurch die ebene Fläche 8 gebildet wird, wie in 16 dargestellt.
Genauer gesagt wird der Vorderseiten-Schleifschritt ST3 gemäß der zweiten Modifikation unter Verwendung einer Ein-Punkt-Schleifvorrichtung 220 einschließlich eines Aufnahmetisches 222 mit einer Haltefläche 223 zum Halten des Kernelements 7 unter Ansaugung durchgeführt. Die Haltefläche 223 ist aus einem Metallbolzenaufnahme oder dergleichen gebildet.
Der Aufnahmetisch 222 ist dazu eingerichtet, um horizontal bewegt zu werden. Die Ein-Punkt-Schleifvorrichtung 220 umfasst ferner eine Spindel 224, die dazu eingerichtet ist, sich um ihre vertikale Achse gedreht zu werden, und eine Schleifscheibe 225, die am unteren Ende der Spindel 224 befestigt ist. Ein Schneidwerkzeug 221 ist an der Unterseite der Schleifscheibe 225 an einer Position in der Nähe des Außenumfangs davon befestigt. Bei der Durchführung des Vorderseiten-Schleifschritts ST3 wird das Kernelement 7 zunächst auf der Haltefläche 223 des Aufnahmetisches 222 unter Ansaugung in dem Zustand gehalten, in dem die Elektrodenplatte 4 mit der Haltefläche 223 in Kontakt ist, d.h. die Trennplatte 6 ist nach oben freigelegt, wie in 16 dargestellt. Danach wird die Spindel 224 gedreht, so dass dadurch die Schleifscheibe 225 gedreht wird. Ferner wird der Aufnahmetisch 222 horizontal bewegt. Gleichzeitig wird die Schleifscheibe 225 abgesenkt, so dass das Schneidwerkzeug 221 in Kontakt mit der Trennplatte 6 des auf dem Aufnahmetisch 222 gehaltenen Kernelements 7 gebracht wird. Dementsprechend wird die Trennplatte 6 des Kernelements 7 durch das Schneidwerkzeug 221 geschliffen.
Bei dem Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der zweiten Modifikation wird die Trennplatte 6 auf die erste Fläche 31 des Laminats 3 gestapelt und dann vollständig geschliffen, so dass die ebene Fläche 8 gebildet wird.
Dementsprechend ist es gemäß der zweiten Modifikation, ähnlich wie bei den oben genannten bevorzugten Ausführungsformen, möglich, eine schlechte Verbindung zwischen den Elektroden der Leiterplatte 1 oder 1-2 und den Elektroden der Packungsbauelementchips 100 als die auf der Vorderseite der Leiterplatte 1 oder 1-2 zu montierenden Komponenten zu unterdrücken.
[Dritte Modifikation]
Ein Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß einer dritten Modifikation der oben genannten bevorzugten Ausführungsformen wird nun unter Bezugnahme auf 17 beschrieben. 17 ist eine schematische seitliche Teilschnittansicht, die den Vorderseiten-Schleifschritt ST3 in dem Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der dritten Modifikation darstellt. In 17 werden die gleichen Teile wie in den oben genannten bevorzugten Ausführungsformen durch die gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und die Beschreibung dieser Teile wird weggelassen.
Das Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der dritten Modifikation ist das gleiche wie das gemäß den oben genannten bevorzugten Ausführungsformen, außer dass der Vorderseiten-Schleifschritt ST3 oder der Rückseiten-Schleifschritt ST4 unterschiedlich ist. In dem Vorderseiten-Schleifschritt ST3 gemäß der dritten Modifikation wird eine Bandpoliermaschine 230 zum Schleifen des Kernelements 7 verwendet, wodurch die ebene Fläche 8 gebildet wird, wie in 17 dargestellt. Die Bandpoliermaschine 230 enthält eine Antriebswelle 231, die dazu eingerichtet ist, von einer Antriebsquelle wie einem Motor gedreht zu werden, eine zur Antriebswelle 231 parallele Abtriebswelle 232 und ein endloses Polierband 233, das zwischen der Antriebswelle 231 und der Abtriebswelle 232 gewickelt ist. Die Bandpoliermaschine 230 enthält ferner einen Aufnahmetisch 234 mit einer Haltefläche 235 zum Halten des Kernelements 7 unter Ansaugung. Der Aufnahmetisch 234 ist horizontal bewegbar.
Bei der Durchführung des Vorderseiten-Schleifschritts ST3 wird das Kernelement 7 zunächst auf der Haltefläche 235 des Aufnahmetisches 234 unter Ansaugung in dem Zustand gehalten, in dem die Elektrodenplatte 4 mit der Haltefläche 235 in Kontakt steht, d.h. die Trennplatte 6 ist nach oben freigelegt, wie in 17 dargestellt. Danach wird der Aufnahmetisch 234 horizontal bewegt. Gleichzeitig wird die Antriebswelle 231 betätigt, um das endlose Polierband 233 zwischen der Antriebswelle 231 und der Abtriebswelle 232 laufen zu lassen (Endloslauf oder Rundlauf). Das so laufende endlose Polierband 233 wird abgesenkt, so dass es gegen die Trennplatte 6 des auf dem Aufnahmetisch 234 gehaltenen Kernelements 7 anliegt, wie in 17 dargestellt. Dementsprechend wird die Trennplatte 6 des Kernelements 7 durch das Polierband 233 geschliffen.
Bei dem Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der dritten Modifikation wird die Trennplatte 6 auf die erste Fläche 31 des Schichtlaminats 3 gestapelt und dann vollständig geschliffen, so dass die ebene Fläche 8 gebildet wird. Dementsprechend ist es gemäß der dritten Modifikation, ähnlich wie bei den oben genannten bevorzugten Ausführungsformen, möglich, eine schlechte Verbindung zwischen den Elektroden der Leiterplatte 1 oder 1-2 und den Elektroden der Packungsbauelementchips 100 als die auf der Vorderseite der Leiterplatte 1 oder 1-2 zu montierenden Komponenten zu unterdrücken.
[Vierte Modifikation]
Ein Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß einer vierten Modifikation der oben genannten bevorzugten Ausführungsformen wird nun unter Bezugnahme auf 18 beschrieben. 18 ist eine schematische seitliche Teilschnittansicht, die den Vorderseiten-Schleifschritt ST3 in dem Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der vierten Modifikation darstellt. In 18 werden die gleichen Teile wie in den oben genannten bevorzugten Ausführungsformen durch die gleichen Bezugszeichen bezeichnet, und die Beschreibung dieser Teile wird weggelassen.
Das Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der vierten Modifikation ist das gleiche wie die der oben genannten bevorzugten Ausführungsformen, außer dass der Vorderseiten-Schleifschritt ST3 anders ist. In dem Vorderseiten-Schleifschritt ST3 wird gemäß der vierten Modifikation eine Schneidvorrichtung 240 zum Schleifen des Kernelements 7 verwendet, wodurch die ebene Fläche 8 gebildet wird, wie in 18 dargestellt. Die Schneidvorrichtung 240 umfasst eine Spindel 241, die dazu eingerichtet ist, um ihre horizontale Achse gedreht zu werden, und eine an der Spindel 241 befestigte Schneidklinge 242. Die Schneidvorrichtung 240 enthält ferner einen Aufnahmetisch 243 mit einer Haltefläche 244 zum Halten des Kernelements 7 unter Ansaugung. Der Aufnahmetisch 243 ist um seine vertikale Achse drehbar und horizontal verschiebbar. Die Achse der Spindel 241, d.h. die Achse der Schneidklinge 242 ist parallel zu der Haltefläche 244 des Aufnahmetisches 243.
Bei der Durchführung des Vorderseiten-Schleifschritts ST3 wird das Kernelement 7 zunächst auf der Haltefläche 244 des Aufnahmetisches 243 unter Ansaugung in dem Zustand gehalten, in dem die Elektrodenplatte 4 mit der Haltefläche 244 in Kontakt steht, d.h. die Trennplatte 6 ist nach oben freigelegt, wie in 18 dargestellt. Danach wird der Aufnahmetisch 243 gedreht und horizontal relativ zu der Schneidklinge 242 bewegt. Gleichzeitig wird die Spindel 241 gedreht, so dass dadurch die Schneidklinge 242 gedreht wird. Danach wird die Schneidklinge 242 abgesenkt, so dass mit der Trennplatte 6 in Kontakt zu kommt, wie in 18 dargestellt. Dementsprechend wird die Trennplatte 6 des Kernelements 7 durch die Schneidklinge 242 geschliffen.
Bei dem Leiterplatten-Herstellungsverfahren gemäß der vierten Modifikation wird die Trennplatte 6 auf die erste Fläche 31 des Schichtlaminats 3 gestapelt und dann vollständig geschliffen, so dass die ebene Fläche 8 gebildet wird. Dementsprechend ist es gemäß der vierten Modifikation, ähnlich wie bei den oben genannten bevorzugten Ausführungsformen, möglich, eine schlechte Verbindung zwischen den Elektroden der Leiterplatte 1 oder 1-2 und den Elektroden der Packungsbauelementchips 100 als die auf der Vorderseite der Leiterplatte 1 oder 1-2 zu montierenden Komponenten zu unterdrücken.
Die vorliegende Erfindung beschränkt sich nicht auf die Einzelheiten der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen. Der Umfang der Erfindung ist durch die beigefügten Ansprüche definiert, und alle Änderungen und Modifikationen, die in den Äquivalenzbereich der Ansprüche fallen, sind daher von der Erfindung erfasst.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2001196743 A [0002]
JP 2013080823 A [0002]

Claims

Leiterplatten-Herstellungsverfahren zur Herstellung einer Leiterplatte, an der eine Vielzahl von Packungsbauelementchips mit Elektroden montiert werden können, wobei die Leiterplatte Elektroden aufweist, die dazu eingerichtet sind, mit den Elektroden der Packungsbauelementchips verbunden zu werden, wobei das Leiterplatten-Herstellungsverfahren aufweist: einen Schichtlaminat-Bildungsschritt zum Imprägnieren eines Glasgewebes mit einem Kunstharz, um eine Vielzahl von Schichten zu bilden, und anschließend Stapeln der Schichten, um ein Schichtlaminat mit einer ersten Fläche und einer zweiten Fläche zu bilden; einen Kernelement-Bildungsschritt zum Stapeln einer Trennplatte auf der ersten Fläche des Schichtlaminats, Stapeln einer Elektrodenplatte auf der zweiten Fläche des Schichtlaminats, anschließend Verwenden einer Druckplatte, um die Trennplatte, das Schichtlaminat und die Elektrodenplatte in ihrem gestapelten Zustand zu pressen, wodurch die Trennplatte, das Schichtlaminat und die Elektrodenplatte zu einem Kernelement vereinigt werden; einen Vorderseiten-Schleifschritt zum Schleifen der Trennplatte des Kernelements als die Vorderseite des Kernelements in einem Zustand, in dem die Elektrodenplatte des Kernelements als die Rückseite des Kernelements auf einem Aufnahmetisch gehalten wird, wodurch eine Dicke des Kernelements gleichförmig gemacht wird und zumindest ein Teil der Trennplatte entfernt wird, um dadurch eine ebene Fläche auf der Vorderseite des Kernelements zu bilden; und einen Schritt zum Bilden einer ersten Verdrahtungsschicht zum Bilden einer Verdrahtungsschicht an der in dem Vorderseiten-Schleifschritt gebildeten ebenen Fläche, wobei die Verdrahtungsschicht dazu eingerichtet ist, mit den Packungsbauelementchips verbunden zu werden.
Leiterplatten-Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, ferner aufweisend: einen Schritt zum Bilden einer zweiten Verdrahtungsschicht zum Bilden einer weiteren Verdrahtungsschicht an der Elektrodenplatte des Kernelements nach der Durchführung des Schritts zum Bilden einer ersten Verdrahtungsschicht.
Leiterplatten-Herstellungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Vorderseiten-Schleifschritt unter Verwendung von Schleifelementen, Schneidwerkzeug, Polierband oder Schneidklinge durchgeführt wird.
Leiterplatten-Herstellungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Trennplatte aus einer Kupferplatte oder einem Harzfilm gebildet ist.
Leiterplatten-Herstellungsverfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, ferner aufweisend: einen Rückseiten-Schleifschritt zum Schleifen der Elektrodenplatte des Kernelements als die Rückseite des Kernelements nach der Durchführung des Vorderseiten-Schleifschritts, wodurch die Rückseite des Kernelements abgeflacht wird.