DE102011007842A1

DE102011007842A1 - Mehrschichtige Leiterplatte

Info

Publication number: DE102011007842A1
Application number: DE102011007842A
Authority: DE
Inventors: Kazuo Tada; Yoshitarou Yazaki; Gentarou Masuda; Yasuhiro Tanaka; Eijirou Miyagawa
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2010-04-28
Filing date: 2011-04-21
Publication date: 2012-01-12
Also published as: JP2011249745A; CN102238814A; US20110266033A1

Abstract

Eine mehrschichtige Leiterplatte enthält eine thermoplastische Harzfilmschicht (10), eine Musterschicht (20, 30), die auf die thermoplastische Harzfilmschicht geschichtet ist, und ein Leitermuster (211b, 311b, 114, 115). Die thermoplastische Harzfilmschicht besteht aus mehreren thermoplastischen Harzfilmen (110, 120, 130), die aufeinander geschichtet sind, und weist zwei Haftschichten (12, 13) und eine Zwischenschicht (11), die zwischen den beiden Haftschichten angeordnet ist, auf. Jede Haftschicht weist einen Zwischenschichtverbinder (12b, 13b) auf, der in einer Dickenrichtung durch die Haftschicht verläuft. Das Leitermuster ist auf mindestens einer aus der Musterschicht und der Zwischenschicht an einer Position gegenüber von dem Zwischenschichtverbinder angeordnet.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine mehrschichtige Leiterplatte.
Die JP-A-2006-203114 beschreibt eine mehrschichtige Leiterplatte, die durch Pressen eines geschichteten Elementes bei Wärme hergestellt wird. Das geschichtete Element wird durch abwechselndes Schichten von bemusterten Schichten und thermoplastischen Harzfilmschichten aufgebaut. Die Musterschicht besteht aus einem Harzfilm, der ein Leitermuster aufweist. Die thermoplastische Harzfilmschicht besteht aus einem thermoplastischen Harzfilm, der durch Ausübung von Wärme aufgeweicht wird.
Die mehrschichtige Leiterplatte weist beispielsweise eine erste Musterschicht, eine thermoplastische Harzfilmschicht, die auf die erste Musterschicht geschichtet ist, und eine zweite Musterschicht, die auf die thermoplastische Harzfilmschicht geschichtet ist, auf. die erste Musterschicht besteht aus einem wärmehärtenden Harzfilm, und eine untere Fläche des wärmehärtenden Harzfilmes weist ein Leitermuster auf. Die zweite Musterschicht weist einen Harzfilm auf, und eine obere Fläche des Harzfilmes weist ein Leitermuster auf. Jede der Musterschichten und die thermoplastische Harzfilmschicht weisen einen Zwischenschichtverbinder aus einem leitenden Material auf. Der Zwischenschichtverbinder wird durch Füllen einer leitenden Paste in ein Durchgangsloch und durch Härten der eingefüllten Paste hergestellt.
Eine mehrschichtige Leiterplatte wird beispielsweise durch Schichten einer Leiterschicht auf eine thermoplastische Harzfilmschicht hergestellt, nachdem die thermoplastische Harzfilmschicht durch Schichten mehrerer thermoplastischer Harzfilme, die einen Zwischenschichtverbinder aufweisen, aufgebaut wurde.
Die Zuverlässigkeit der Zwischenschichtverbindung zwischen den Filmen kann sich jedoch in diesem Fall verschlechtern.
Wenn die thermoplastische Harzfilmschicht auf eine Fläche der Musterschicht, die das Leitermuster nicht aufweist, geschichtet wird, wird der Zwischenschichtverbinder der thermoplastischen Harzfilmschicht direkt mit dem Zwischenschichtverbinder der Musterschicht ohne dem Leitermuster verbunden.
Wenn keine ausreichende Kompressionskraft auf den Zwischenschichtverbinder der thermoplastischen Harzfilmschicht ausgeübt wird, während ein Wärmeausübungs- bzw. Aufheiz- und Pressprozess durchgeführt wird, wird sich die Zuverlässigkeit der Zwischenschichtverbinder in der thermoplastischen Harzfilmschicht verschlechtern.
Im Hinblick auf die obigen und weitere Probleme ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine mehrschichtige Leiterplatte zu schaffen.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält eine mehrschichtige Leiterplatte eine thermoplastische Harzfilmschicht, eine Musterschicht und ein Leitermuster. Die thermoplastische Harzfilmschicht weist mehrere thermoplastische Harzfilme auf, die aufeinander geschichtet sind. Die thermoplastische Harzfilmschicht wird aufgeweicht, wenn Wärme mit einer vorbestimmten Temperatur aufgebracht wird. Die Musterschicht wird auf die thermoplastische Harzfilmschicht geschichtet und weist einen Harzfilm mit niedrigem Fließvermögen auf. Das Fließvermögen des Harzfilmes ist niedriger als dasjenige des thermoplastischen Harzfilmes bei der vorbestimmten Temperatur. Das Leitermuster weist eine vorbestimmte Dicke auf. Die thermoplastische Harzfilmschicht weist zwei Haftfilme bzw. Klebefilme und eine Zwischenschicht auf, die zwischen den beiden Haftfilmen angeordnet ist. Die Zwischenschicht weist einen ersten Zwischenschichtverbinder auf, der in einer Dickenrichtung durch die Zwischenschicht verläuft. Jeder der Haftfilme weist einen zweiten Zwischenschichtverbinder auf, der in der Dickenrichtung durch den Haftfilm verläuft. Der zweite Zwischenschichtverbinder ist mit dem ersten Zwischenschichtverbinder elektrisch verbunden. Das Leitermuster ist zwischen der Leiterschicht und der Zwischenschicht der thermoplastischen Harzfilmschicht angeordnet und liegt in der Dickenrichtung dem zweiten Zwischenschichtverbinder gegenüber.
Dementsprechend kann die Zuverlässigkeit der Zwischenschichtverbindung in der mehrschichtigen Leiterplatte verbessert werden.
Die obige und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden anhand der folgenden detaillierten Beschreibung mit Bezug auf die zugehörigen Zeichnungen deutlich. Es zeigen:
1 eine schematische Querschnittsansicht, die eine mehrschichtige Leiterplatte gemäß einer ersten Ausführungsform darstellt;
2A–2C Ansichten, die einen Prozess zum Ausbilden eines jeweiligen Filmes einer thermoplastischen Harzfilmschicht der mehrschichtigen Leiterplatte darstellen;
3A–3G Ansichten, die einen Prozess zum Ausbilden eines jeweiligen Filmes einer ersten Musterschicht der mehrschichtigen Leiterplatte darstellen;
4A–4C Ansichten, die einen Prozess zum Ausbilden eines jeweiligen Filmes einer zweiten Musterschicht der mehrschichtigen Leiterplatte darstellen;
5 eine Ansicht, die einen Prozess zum Herstellen der mehrschichtigen Leiterplatte darstellt;
6 eine schematische Querschnittsansicht, die eine mehrschichtige Leiterplatte gemäß einer zweiten Ausführungsform darstellt;
7A–7C Ansichten, die einen Prozess zum Ausbilden eines jeweiligen Filmes einer thermoplastischen Harzfilmschicht der mehrschichtigen Leiterplatte der zweiten Ausführungsform darstellen;
8 eine Ansicht, die einen Prozess zum Herstellen der mehrschichtigen Leiterplatte der zweiten Ausführungsform darstellt;
9 eine schematische Querschnittsansicht, die eine mehrschichtige Leiterplatte gemäß einer dritte Ausführungsform darstellt;
10A–10C Ansichten, die einen Prozess zum Ausbilden eines jeweiligen Filmes einer thermoplastischen Harzfilmschicht der mehrschichtigen Leiterplatte der dritten Ausführungsform darstellen;
11 eine Ansicht, die einen Prozess zum Herstellen der mehrschichtigen Leiterplatte der dritten Ausführungsform darstellt;
12 eine schematische Querschnittsansicht, die eine mehrschichtige Leiterplatte gemäß einer vierten Ausführungsform darstellt;
13A–13C Ansichten, die einen Prozess zum Ausbilden eines jeweiligen Filmes einer thermoplastischen Harzfilmschicht der mehrschichtigen Leiterplatte der vierten Ausführungsform darstellen;
14 eine Ansicht, die einen Prozess zum Herstellen der mehrschichtigen Leiterplatte der vierten Ausführungsform darstellt; und
15A eine schematische Querschnittsansicht, die eine Zwischenschicht einer thermoplastischen Harzfilmschicht einer mehrschichtigen Leiterplatte gemäß einer fünften Ausführungsform darstellt, und 15B eine schematische Querschnittsansicht, die eine erste Musterschicht der mehrschichtigen Leiterplatte der fünften Ausführungsform darstellt.
(Erste Ausführungsform)
Im Folgenden wird eine erste Ausführungsform mit Bezug auf die 1–5 beschrieben.
Wie es in 1 gezeigt ist, enthält eine mehrschichtige Leiterplatte 1 eine elektronische Komponente 2 wie beispielsweise einen Chip, der aus einem Halbleiter besteht. Die mehrschichtige Leiterplatte 1 wird durch Pressen mehrerer Harzfilme unter Ausübung von Wärme hergestellt.
Die mehrschichtige Leiterplatte 1 besteht hauptsächlich aus einer thermoplastischen Harzfilmschicht 10, einer ersten Musterschicht 20, einer zweiten Musterschicht 30 und einer Wärmesenke 3.
Die thermoplastische Harzfilmschicht 10 besteht aus mehreren thermoplastischen Harzfilmen, die als ein Isolierbasismaterial aufeinander geschichtet sind. Die thermoplastische Harzfilmschicht 10 enthält beispielsweise gemäß der vorliegenden Ausführungsform drei thermoplastische Harzfilme.
Insbesondere enthält die thermoplastische Harzfilmschicht 10 eine erste Haftschicht 12, eine zweite Haftschicht 13 und eine Zwischenschicht 11, die zwischen den Haftschichten 12, 13 angeordnet ist. Die Haftschicht 12 besteht aus einem Haftfilm 120 gemäß 2A, und die Haftschicht 13 besteht aus einem Haftfilm 130 gemäß 2C. Die Zwischenschicht 11 besteht aus einem Zwischenschichtfilm 110 gemäß 2B.
Die Zwischenschicht 11 ist eine Schicht zur Unterbringung der elektronischen Komponente 2. Die Zwischenschicht 11 weist einen ersten Verbinder 11a aus einem leitenden Material auf. Der Verbinder 11a durchdringt die Zwischenschicht 11 in einer Dickenrichtung.
Die Haftschicht 12, 13 weist einen Komponentenverbinder 12a, 13a aus einem leitenden Material auf. Der Verbinder 12a, 13a durchdringt die Schicht 12, 13 in einer Dickenrichtung und ist mit der elektronischen Komponente 2, die in der Zwischenschicht 11 angeordnet ist, elektrisch verbunden. Der Verbinder 12a der ersten Haftschicht 12 ist mit einem Elektrodenanschluss (nicht gezeigt) der Komponente 2 elektrisch verbunden.
Die Haftschicht 12, 13 weist einen zweiten Verbinder 12b, 13b aus einem leitenden Material auf. Der Verbinder 12b, 13b durchdringt die Schicht 12, 13 in der Dickenrichtung und ist mit dem ersten Verbinder 11a der Zwischenschicht 11 elektrisch verbunden.
Die erste Haftschicht 12 ist beispielsweise auf der oberen Seite der 1 angeordnet, und die zweite Haftschicht 13 ist auf der unteren Seite der 1 angeordnet.
Die erste Musterschicht 20 ist auf der oberen Seite der thermoplastischen Harzfilmschicht 10 der 1 angeordnet und weist Musterfilme 21 und Haftfilme 22, die abwechselnd aufeinander geschichtet sind, auf. Wie es in 3A gezeigt ist, weist eine untere Fläche des Musterfilms 21 ein Leitermuster 211 aus einer Kupferfolie auf. Die erste Musterschicht 20 wird beispielsweise durch abwechselndes Schichten von vier der Musterfilme 21 und drei der Haftfilme 22 aufgebaut. Die Anzahl der Filme 21, 22 kann in Abhängigkeit von dem Verwendungszweck geeignet geändert werden.
Wie es in 1 gezeigt ist, weist der Film 21, 22 der ersten Musterschicht 20 einen dritten Verbinder 21a, 22a aus einem leitenden Material auf. Der Verbinder 21a, 22a durchdringt den Film 21, 22 in der Dickenrichtung und verbindet die Leitermuster 211 elektrisch miteinander.
Außerdem weist, wie es in den 3A, 3C, 3E und 3G gezeigt ist, eine untere Fläche des Films 21 der ersten Musterschicht 20, die der thermoplastischen Harzfilmschicht 10 gegenüberliegt, das Leitermuster 211 auf.
Die zweite Musterschicht 30 ist auf der unteren Seite der thermoplastischen Harzfilmschicht 10 der 1 angeordnet und weist Musterfilme 31 und Haftfilme 32, die abwechselnd aufeinander geschichtet sind, auf. Wie es in den 4A und 4C gezeigt ist, weist eine obere Fläche des Musterfilmes 31 ein Leitermuster 311 aus einer Kupferfolie auf. Die zweite Musterschicht 30 wird beispielsweise durch abwechselndes Schichten von zwei der Musterfilme 31 und einem Haftfilm 32 aufgebaut. Die Anzahl der Filme 31, 32 kann geeignet in Abhängigkeit von dem Verwendungszweck geändert werden.
Wie es in 1 gezeigt ist, weist der Film 31, 32 der zweiten Musterschicht 30 einen vierten Verbinder 31a, 32a aus einem leitenden Material auf. Der Verbinder 31a, 32a durchdringt den Film 31, 32 in der Dickenrichtung und verbindet die Leitermuster 311 elektrisch miteinander.
Außerdem weist, wie es in den 4A und 4C gezeigt ist, eine obere Fläche des Films 31 der zweiten Musterschicht 30, die der thermoplastischen Harzfilmschicht 10 gegenüberliegt, das Leitermuster 311 auf.
Die Wärmesenke 3 entspricht einem Wärmeemissionsabschnitt zum Abstrahlen von Wärme nach außen, wenn Wärme von der elektronischen Komponente 2, die einem Heizelement entspricht, abgegeben wird. Die Wärmesenke 3 ist auf einer Fläche der ersten Leiterschicht 20 gegenüber der thermoplastischen Harzfilmschicht 10 angeordnet.
Im Folgenden wird ein Herstellungsprozess der mehrschichtigen Leiterplatte beschrieben. Der Herstellungsprozess enthält einen Prozess zum Vorbereiten bzw. Herstellen des Zwischenschichtfilmes 110 der 2B entsprechend der Zwischenschicht 11 der thermoplastischen Harzfilmschicht 10.
Ein thermoplastischer Harzfilm, der eine Dicke, die näherungsweise gleich derjenigen der elektronischen Komponente 2 ist, aufweist, wird als ein Isolierbasismaterial vorbereitet. Der thermoplastische Harzfilm wird unter Ausübung von Wärme bei einer vorbestimmten Temperatur aufgeweicht, und das Fließvermögen des thermoplastischen Harzfilmes ist vergleichsweise niedrig, während dieser unter Ausübung von Wärme unter Druck gesetzt wird.
Ein Komponentenunterbringungsloch 111 wird in dem thermoplastischen Harzfilm beispielsweise mittels Laserstrahlbearbeitung oder Pressbearbeitung ausgebildet. Die Größe des Loches 111 ist äquivalent zu derjenigen der elektronischen Komponente 2. Die elektronische Komponente 2 wird in dem Unterbringungsloch 111 derart untergebracht, dass der Elektrodenanschluss der elektronischen Komponente 2 auf der oberen Seite angeordnet ist.
Außerdem wird beispielsweise ein Durchgangsloch 112 in dem thermoplastischen Harzfilm mittels Laserstrahlbearbeitung definiert. Das Durchgangsloch 112 verläuft in der Dickenrichtung. Eine elektrisch leitende Paste 113 wird in das Durchgangsloch 112 beispielsweise unter Verwendung eines Siebdruckverfahrens eingefüllt. Somit ist der Zwischenschichtfilm 110 hergestellt.
Die Paste 113 besteht aus Metallteilchen, die beispielsweise Zinn und Silber enthalten, und einem Lösungsmittel zum Einstellen der Viskosität. Die Metallteilchen werden in ein leitendes Material, das dem ersten Zwischenschichtverbinder 11a entspricht, gesintert, und das Lösungsmittel verflüchtigt sich in einem Aufheiz- und Pressprozess.
Das Durchgangsloch 112 weist eine kegelige bzw. konische Gestalt auf. Alternativ kann das Durchgangsloch 112 beispielsweise eine zylindrische Gestalt aufweisen.
Im Folgenden wird ein Prozess zum Ausbilden eines Haftfilms 120 der 2A erläutert.
Ein thermoplastischer Harzfilm wird als ein Isolierbasismaterial vorbereitet bzw. hergestellt. Der thermoplastische Harzfilm wird unter Ausübung von Wärme bei einer vorbestimmten Temperatur aufgeweicht, und das Fließvermögen des thermoplastischen Harzfilmes ist während der Ausübung von Druck unter Wärme relativ hoch. Der thermoplastische Harzfilm besteht beispielsweise aus Polyetheretherketon-Harz und Polyetherimid-Harz. Durchgangslöcher 121, 123, die in der Dickenrichtung verlaufen, werden in dem thermoplastischen Harzfilm mittels Laserstrahlbearbeitung definiert.
Eine elektrisch leitende Paste 122, 124 wird jeweils in das Durchgangsloch 121, 123 unter Verwendung beispielsweise eines Siebdruckverfahrens eingefüllt. Somit ist der Haftfilm 120 hergestellt. Die Paste 122, 124 kann aus demselben Material wie die Paste 113 des Zwischenschichtfilms 110 bestehen.
Wenn der Haftfilm 120 auf den Zwischenschichtfilm 110 geschichtet wird, überdeckt sich eine Position des Durchgangsloches 121 mit einer Position des Elektrodenanschlusses der elektronischen Komponente 2 in der Dickenrichtung, und eine Position des Durchgangsloches 123 überdeckt sich mit einer Position des Durchgangsloches 112 in der Dickenrichtung.
Der Durchmesser des Durchgangsloches 121 ist kleiner als derjenige des Durchgangsloches 123, da ein Versatz des Elektrodenanschlusses der elektronischen Komponente 2 kleiner ist.
Wie es in den 2A und 2C gezeigt ist, wird eine Dicke des Haftfilmes 120 auf kleiner als diejenige des Haftfilmes 130 festgelegt. Daher kann das Durchgangsloch 121, das den kleineren Durchmesser aufweist, mit der Paste 122 genau gefüllt werden.
Im Folgenden wird ein Prozess zum Ausbilden des Haftfilmes 130 der 2C erläutert.
Ein thermoplastischer Harzfilm wird als ein Isolierbasismaterial vorbereitet bzw. hergestellt. Die Dicke des Filmes für den Haftfilm 130 ist größer als diejenige für den Haftfilm 120, wobei der Haftfilm 130 aus demselben Material wie der Haftfilm 120 besteht.
Durchgangslöcher 131, 133, die in der Dickenrichtung verlaufen, werden in dem thermoplastischen Harzfilm mittels Laserstrahlbearbeitung ausgebildet. Eine elektrisch leitende Paste 132, 134 wird jeweils in das Durchgangsloch 131, 133 unter Verwendung beispielsweise eines Siebdruckverfahrens eingefüllt. Somit kann der Haftfilm 130 hergestellt werden.
Wenn der Haftfilm 130 auf den Zwischenschichtfilm 110 geschichtet wird, überdeckt sich eine Position des Durchgangsloches 131 mit einer Position des Elektrodenanschlusses der elektronischen Komponente 2 in der Dickenrichtung, und eine Position des Durchgangsloches 133 überdeckt sich mit einer Position des Durchgangsloches 112 in der Dickenrichtung. Die Paste 132, 134 kann aus demselben Material wie die Paste 113 des Zwischenschichtfilmes 110 bestehen.
Im Folgenden wird ein Prozess zum Ausbilden des Musterfilmes 21 der 3A, 3C, 3E und 3G beschrieben.
Ein Isolierbasismaterial des Filmes 21 besteht aus einem Harzfilm mit niedrigem Fließvermögen. Das Fließvermögen des Harzfilmes 21 ist in einem Aufheiz- und Pressprozess niedriger als dasjenige des Filmes 120, 130, 110. Der Film mit niedrigem Fließvermögen besteht beispielsweise aus einem wärmehärtenden Harz. Alternativ besteht der Harzfilm mit niedrigem Fließvermögen aus einem Harz, das einen höheren Schmelzpunkt als beispielsweise der Film 110, 120, 130 aufweist. Alternativ besteht der Harzfilm mit niedrigem Fließvermögen aus einem thermoplastischen Harz, das mehr anorganisches Füllmaterial als der Film 110, 120, 130 aufweist. In der vorliegenden Ausführungsform besteht der Harzfilm mit niedrigem Fließvermögen aus einem Polyimid-Harz, das beispielsweise ein Wärmehärtvermögen aufweist.
Eine Kupferfolie wird auf eine untere Fläche des Harzfilmes geschichtet, und das vorbestimmte Leitermuster 211 wird durch Ätzen der Kupferfolie ausgebildet. Außerdem wird ein Durchgangsloch 212 unter Verwendung einer Laserstrahlbearbeitung ausgebildet, und eine elektrisch leitende Paste 213 wird in das Durchgangsloch 212 unter Verwendung beispielsweise eines Siebdruckverfahrens eingefüllt. Somit kann der Musterfilm 21 hergestellt werden.
Im Folgenden wird ein Prozess zum Ausbilden des Haftfilmes 22 der 3B, 3D und 3F beschrieben.
Ein Isolierbasismaterial des Filmes 22 ist ein thermoplastischer Harzfilm ähnlich wie der Haftfilm 120, 130. Ein Durchgangsloch 221, das in der Dickenrichtung verläuft, wird in dem thermoplastischen Harzfilm mittels Laserstrahlbearbeitung ausgebildet. Eine elektrisch leitende Paste 222 wird in das Durchgangsloch 221 unter Verwendung beispielsweise eines Siebdruckverfahrens eingefüllt. Somit kann der Haftfilm 22 hergestellt werden.
Im Folgenden wird ein Prozess zum Ausbilden des Musterfilmes 31 der 4A und 4C erläutert.
Ein Isolierbasismaterial des Filmes 31 ist ein Harzfilm ähnlich wie der Film 21. Eine Kupferfolie wird auf eine obere Fläche des Harzfilmes geschichtet, und das vorbestimmte Leitermuster 311 wird durch Ätzen der Kupferfolie ausgebildet. Ein Durchgangsloch 312 wird in dem Film 31 der 4A durch eine Laserstrahlbearbeitung ausgebildet, und eine elektrisch leitende Paste 313 wird in das Durchgangsloch 312 beispielsweise unter Verwendung eines Siebdruckverfahrens eingefüllt. Somit kann der Musterfilm 31 hergestellt werden.
Im Folgenden wird ein Prozess zum Ausbilden des Haftfilmes 32 der 4B erläutert.
Ein Isolierbasismaterial des Filmes 32 ist ein Harzfilm ähnlich wie der Film 22. Ein Durchgangsloch 321 wird in dem Harzfilm mittels Laserstrahlbearbeitung ausgebildet, und eine elektrisch leitende Paste 322 wird in das Durchgangsloch 321 unter Verwendung beispielsweise eines Siebdruckverfahrens eingefüllt. Somit kann der Haftfilm 32 hergestellt werden.
Die Filme 110, 120, 130, 21, 22, 31, und 32 werden in einem Schichtprozess in ein geschichtetes Element der 5 geschichtet.
Zu diesem Zeitpunkt wird ein Kontakt des Leitermusters 211a, 211b des Filmes 21, der als unterstes in der ersten Musterschicht 20 angeordnet ist, zu jeweils der Paste 122, 124 des Filmes 120 hergestellt. Außerdem wird ein Kontakt des Leitermusters 311a, 311b des Filmes 31, der als oberstes in der zweiten Musterschicht 30 angeordnet ist, zu jeweils der Paste 132, 134 des Filmes 130 hergestellt.
Das geschichtete Element der 5 wird in einer Pressmaschine (nicht gezeigt) angeordnet. Die Pressmaschine erwärmt das geschichtete Element und presst es mit einer vorbestimmten Temperatur, einem vorbestimmten Druck in einer vorbestimmten Zeit. Dieser Aufheiz- und Pressprozess wird bei einem Druck von 3–5 MPa (vorzugsweise etwa 4 MPa), einer Temperatur von 320°C und einer Dauer von beispielsweise 3 Stunden durchgeführt.
Die Wärmesenke 3 wird nach Beendigung des Aufheiz- und Pressprozesses an der oberen Fläche der ersten Musterschicht 20 montiert, wie es in 5 gezeigt ist. Somit kann die mehrschichtige Leiterplatte der 1 hergestellt werden.
In dem Aufheiz- und Pressprozess werden die Musterfilme 21 der ersten Musterschicht 20 durch den Haftfilm 22 aneinander gebondet, und die Musterfilme 31 der zweiten Musterschicht 30 werden durch den Haftfilm 32 aneinander gebondet. Auf ähnliche Weise werden der Musterfilm 21, der als unterstes in der ersten Musterschicht 20 angeordnet ist, und die obere Fläche des Zwischenschichtfilmes 110 durch den Haftfilm 120 aneinander gebondet. Der Musterfilm 31, der als oberstes in der zweiten Musterschicht 30 angeordnet ist, und die untere Fläche des Zwischenschichtfilmes 110 werden durch den Haftfilm 130 aneinander gebondet.
Weiterhin wird die Paste 213, 222 der ersten Musterschicht 20 gesintert, um den dritten Verbinder 21a, 22a, auszubilden. Die Paste 313, 322 der zweiten Musterschicht 30 wird gesintert, um den vierten Verbinder 31a, 32a auszubilden.
Die Paste 113, 122, 124, 132, 134 des Filmes 110, 120, 130 wird gesintert, um den Verbinder 11a, 12a, 12b, 13a, 13b auszubilden.
Außerdem wird in dem Aufheiz- und Pressprozess Harz, das in dem Film 120, 130 enthalten ist, fließbar. Daher wird das fließbare Harz in einen Hohlraum, der zwischen der elektronischen Komponente 2 und dem Unterbringungsloch 111 definiert ist, eingefüllt, sodass die elektronische Komponente 2 versiegelt wird. Der Hohlraum wird durch eine Toleranz zwischen der elektronischen Komponente 2 und dem Unterbringungsloch 111 erzeugt.
Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird das Leitermuster 211b gegenüber von dem Verbinder 12b auf der Fläche des Musterfilmes 21 ausgebildet, und das Leitermuster 311b gegenüber von dem Verbinder 13b wird auf der Fläche des Musterfilms 31 ausgebildet.
Daher wird in dem Aufheiz- und Pressprozess die Paste 124, 134 des Haftfilmes 120, 130 durch die Dicke des Leitermusters 211b, 311b komprimiert. Das heißt, die Kompressionskraft, die auf den zweiten Verbinder 12b, 13b ausgeübt wird, wird in dem Aufheiz- und Pressprozess erhöht.
Somit kann verhindert werden, dass Fehlstellen (Löcher bzw. Hohlräume) in dem zweiten Verbinder 12b, 13b erzeugt werden, sodass die Zuverlässigkeit der Zwischenschichtverbindung in der thermoplastischen Harzfilmschicht 10 verbessert werden kann.
(Zweite Ausführungsform)
Im Folgenden wird eine zweite Ausführungsform mit Bezug auf die 6–8 beschrieben.
In einem Fall, in dem der Verbinder 11a, 12b, 13b durch die Paste 113, 124, 134 aufgebaut wird, kann sich, wenn die Dicke der Haftschicht 12 kleiner als diejenige der Haftschicht 13 ist, die Zuverlässigkeit der Zwischenschichtverbindung in dem Verbinder 13b im Vergleich zu derjenigen des Verbinders 12b verringern.
Gewöhnlicherweise wird, wenn ein Verhältnis einer Dicke einer Schicht, die das Durchgangsloch aufweisen soll, zu einem Durchmesser des Durchgangsloches einen Wert innerhalb eines vorbestimmten Bereiches aufweist, eine Paste geeignet in das Durchgangsloch eingefüllt. Der Durchmesser des Durchgangsloches wird größer gemacht, wenn sich die Dicke der Schicht vergrößert. Daher wird die Menge der Paste, die in das Durchgangsloch eingefüllt wird, größer, wenn sich die Dicke der Schicht vergrößert.
Das Lösungsmittel, das in der Paste enthalten ist, verflüchtigt sich, während die Metallteilchen gesintert werden. Daher kann eine Fehlstelle leicht in einem Zwischenschichtverbinder, der viel Paste aufweist, erzeugt werden, sodass sich die Zuverlässigkeit der Zwischenschichtverbindung in dem Zwischenschichtverbinder, der viel Paste aufweist, im Vergleich zu einem Zwischenschichtverbinder, der wenig Paste aufweist, verringern kann.
Daher muss die Kompressionskraft, die in dem Aufheiz- und Pressprozess auf den Verbinder 13b ausgeübt wird, größer als diejenige sein, die auf den Verbinder 12b ausgeübt wird.
Insbesondere wenn die Zwischenschicht 11 ausgelegt ist, die elektronische Komponente 2 ähnlich wie in der ersten Ausführungsform aufzunehmen, kann außerdem die Zuverlässigkeit der Zwischenschichtverbindung in dem Verbinder 13b der dicken Schicht 13 im Vergleich zu derjenigen des Verbinders 12b der dünnen Schicht 12 verringert werden.
Wie es in der ersten Ausführungsform beschrieben wurde, fließt in dem Aufheiz- und Pressprozess Harz der Haftschicht 12, 13 in den Leerraum zwischen dem Unterbringungsloch 111 des Zwischenschichtfilmes 110 und der elektronischen Komponente 2, sodass die Komponente 2 innerhalb der thermoplastischen Harzfilmschicht 10 versiegelt wird.
Zu diesem Zeitpunkt wird die Dicke der Haftschicht 12, 13 kleiner, da Harz in den Leerraum zwischen der Zwischenschicht 11 und der Komponente 2 fließt. Außerdem kann der zweite Zwischenschichtverbinder 12b, 13b eine vorstehende Gestalt aufweisen, sodass die Zuverlässigkeit der Zwischenschichtverbindung in der thermoplastischen Harzfilmschicht 10 verbessert werden kann.
Das Verhältnis der Harzmenge, die in den Leerraum zwischen der Zwischenschicht 11 und der elektronischen Komponente 2 fließt, ist jedoch in der dicken Schicht 13 kleiner als in der dünnen Schicht 12. Daher wird die Dicke der Haftschicht 13 weniger sogar dann beeinflusst, wenn Harz in den Leerraum zwischen der Zwischenschicht 11 und der elektronischen Komponente 2 fließt.
Wenn daher die elektronische Komponente 2 in der Zwischenschicht 11 angeordnet ist, weist der Verbinder 13b der dicken Schicht 13 leichter eine Fehlstelle als der Verbinder 12b der dünnen Schicht 12 auf, sodass die Zuverlässigkeit des Verbinders 13b verschlechtert wird.
Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird, wie es in 6 gezeigt ist, ein Leitermuster 114 auf einer Fläche der Zwischenschicht 11 gegenüber von dem zweiten Verbinder 13b der dicken Schicht 13 angeordnet.
Im Folgenden wird ein Herstellungsprozess eines Zwischenschichtfilmes 110 der 7B entsprechend der Zwischenschicht 11 der thermoplastischen Harzfilmschicht 10 beschrieben. Ein thermoplastischer Harzfilm wird als ein Isolierbasismaterial vorbereitet bzw. hergestellt. Die elektronische Komponente 2 wird in dem Unterbringungsloch 111 untergebracht, und die Paste 113 wird in das Durchgangsloch 112 gefüllt.
Außerdem wird eine Kupferfolie auf eine untere Fläche des Basisfilms geschichtet, und die Kupferfolie wird geätzt. Somit wird das Leitermuster 114 an der Position gegenüber von dem Verbinder 13b definiert, sodass der Film 110 hergestellt werden kann. Der Basisfilm weist eine vorbestimmte Dicke von näherungsweise gleich derjenigen der elektronischen Komponente 2 auf. Das Leitermuster 114 entspricht einem Basisteil in dem Durchgangsloch 112.
Die Filme 110, 120, 130, 21, 22, 31 und 32 werden in einem Schichtprozess in ein geschichtetes Element der 8 geschichtet.
Zu diesem Zeitpunkt wird ein Kontakt des Leitermusters 114, das auf der unteren Seite in der Zwischenschicht 11 angeordnet ist, zu der Paste 134 der Haftschicht 13 hergestellt. Das geschichtete Element der 8 wird in einer Pressmaschine (nicht gezeigt) angeordnet, und der Aufheiz- und Pressprozess wird durchgeführt.
Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird das Leitermuster 114 zu der Leiterplatte der ersten Ausführungsform hinzugefügt. Das Leitermuster 114 gegenüber von dem Verbinder 13b wird auf der Fläche des Zwischenschichtfilmes 110 ausgebildet.
Daher wird in dem Aufheiz- und Pressprozess die Paste 134 des Haftfilmes 130 im Vergleich zu der ersten Ausführungsform ausreichend durch die Dicke des Leitermusters 114 komprimiert. Das heißt, die Kompressionskraft, die auf den Zwischenschichtverbinder 13b ausgeübt wird, wird in dem Aufheiz- und Pressprozess erhöht.
Außerdem wird die Paste 113 des Durchgangsloches 112 ebenfalls durch das Leitermuster 114 komprimiert.
Dadurch kann die Kompressionskraft, die auf den Verbinder 13b der dicken Schicht 13 ausgeübt wird, erhöht werden. Außerdem kann die Kompressionskraft, die auf den Verbinder 11a der Zwischenschicht 11 ausgeübt wird, erhöht werden, da das Leitermuster 114 auf der Zwischenschicht 11 angeordnet ist.
Somit kann verhindert werden, dass Fehlstellen bzw. Löcher in dem Verbinder 13b, 11a erzeugt werden, sodass die Zuverlässigkeit der Zwischenschichtverbindung in der thermoplastischen Harzfilmschicht 10 verbessert werden kann.
(Dritte Ausführungsform)
Im Folgenden wird eine dritte Ausführungsform mit Bezug auf die 9–11 beschrieben.
Wie es in 9 gezeigt ist, wird ein Leitermuster 114 auf einer Fläche der Zwischenschicht 11 gegenüber von dem Verbinder 13b der Haftschicht 13 angeordnet, und ein Leitermuster 115 wird auf einer Fläche der Zwischenschicht 11 gegenüber von dem zweiten Verbinder 12b der Haftschicht 12 angeordnet.
Im Folgenden wird ein Herstellungsprozess des Zwischenschichtfilmes 110 der 10B entsprechend der Zwischenschicht der thermoplastischen Harzfilmschicht 10 beschrieben. Ein thermoplastischer Harzfilm wird als ein Isolierbasismaterial vorbereitet bzw. hergestellt. Die elektronische Komponente 2 wird in dem Unterbringungsloch 111 untergebracht, und die Paste 113 wird in das Durchgangsloch 112 gefüllt.
Außerdem wird eine Kupferfolie jeweils auf die obere Fläche und die untere Fläche des Zwischenschichtfilmes 110 geschichtet, und diese Kupferfolie wird geätzt. Somit wird das Leitermuster 114 an der Position gegenüber von dem Verbinder 13b definiert, und das Leitermuster 115 wird an der Position gegenüber von dem Verbinder 12b definiert. Das Leitermuster 114 entspricht einem Basisteil des Durchgangsloches 112, und das Leitermuster 115 entspricht einem Deckelteil des Durchgangsloches 112.
Die Filme 110, 120, 130, 21, 22, 31 und 32 werden in einem Schichtprozess in ein geschichtetes Element der 11 geschichtet.
Zu diesem Zeitpunkt wird ein Kontakt des Leitermusters 114, das auf der unteren Seite in der Zwischenschicht 11 angeordnet ist, zu der Paste 134 der Haftschicht 13 hergestellt. Außerdem wird ein Kontakt des Leitermusters 115, das auf der oberen Seite der Zwischenschicht 11 angeordnet ist, zu der Paste 124 der Haftschicht 12 hergestellt. Das geschichtete Element der 11 wird in einer Pressmaschine (nicht gezeigt) angeordnet, und der Aufheiz- und Pressprozess wird durchgeführt.
Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird das Leitermuster 115 der mehrschichtigen Leiterplatte zu der zweiten Ausführungsform hinzugefügt. Das Leitermuster 115 gegenüber von dem Verbinder 12b wird auf der Fläche des Zwischenschichtfilmes 110 ausgebildet.
Daher wird in dem Aufheiz- und Pressprozess die Paste 124 des Haftfilmes 120 im Vergleich zu der zweiten Ausführungsform ausreichend durch die Dicke des Leitermusters 115 komprimiert. Das heißt, die Kompressionskraft, die auf den Zwischenschichtverbinder 12b ausgeübt wird, wird in dem Aufheiz- und Pressprozess erhöht.
Somit kann verhindert werden, dass Fehlstellen bzw. Löcher in dem Verbinder 12b, 13b, 11a erzeugt werden, sodass die Zuverlässigkeit der Zwischenschichtverbindung in der thermoplastischen Harzfilmschicht 10 verbessert werden kann.
(Vierte Ausführungsform)
Im Folgenden wird eine vierte Ausführungsform mit Bezug auf die 12–14 beschrieben.
Wie es in 12 gezeigt ist, verbindet der Verbinder 12a den Elektrodenanschluss der elektronischen Komponente 2 mit dem Leitermuster 211a und ist durch einen Stud-Bump (Zapfenhöcker) 2a, der an dem Elektrodenanschluss der elektronischen Komponente 2 fixiert ist, aufgebaut. Das Leitermuster 211a, das auf der untersten Fläche der ersten Musterschicht 20 definiert ist, entspricht einer Anschlussfläche zum Aufnehmen des Stud-Bumps 2a. Der Bump 2a durchdringt die Paste 122.
Außerdem ist die Dicke des Leitermusters 114 gegenüber von der zweiten Haftschicht 13 größer als diejenige des Leitermusters 115 gegenüber von der ersten Haftschicht 12.
Im Folgenden wird ein Herstellungsprozess des Zwischenschichtfilmes 110 der 13B entsprechend der Zwischenschicht 11 der thermoplastischen Harzfilmschicht 10 beschrieben. Ein thermoplastischer Harzfilm wird als ein Isolierbasismaterial vorbereitet bzw. hergestellt. Die elektronische Komponente 2 wird in dem Unterbringungsloch 111 untergebracht, nachdem der Stud-Bump 2a auf der oberen Fläche des Elektrodenanschlusses der Komponente 2 fixiert wurde. Der Stud-Bump 2a besteht beispielsweise aus einem Draht aus Gold (Au).
Das Durchgangsloch 112 wird beispielsweise in dem Basisfilm mittels Laserstrahlbearbeitung definiert. Das Durchgangsloch 112 verläuft in der Dickenrichtung. Die elektrisch leitende Paste 113 wird in das Durchgangsloch 112 mittels beispielsweise eines Siebdruckverfahrens eingefüllt.
Außerdem wird eine Kupferfolie auf die obere Fläche des Basisfilmes geschichtet, und es wird eine Kupferfolie auf die untere Fläche des Basisfilmes geschichtet. Die Dicke der Kupferfolie, die an die untere Fläche gebondet ist, ist größer als diejenige der Kupferfolie, die an die obere Fläche gebondet ist. Die Kupferfolien werden geätzt, sodass das Leitermuster 114 an der Position gegenüber von dem Verbinder 13b definiert wird, und sodass das Leitermuster 115 an der Position gegenüber von dem Verbinder 12b definiert wird.
Die Filme 110, 120, 130, 21, 22, 31 und 32 werden in einem Schichtprozess in ein geschichtetes Element der 14 geschichtet.
Zu diesem Zeitpunkt verläuft der Stud-Bump 2a durch die Haftschicht 12. Eine Kante des Bumps 2a wird mit dem Leitermuster 211a, das auf dem untersten Teil der ersten Musterschicht 20 angeordnet ist, verbunden.
Außerdem wird ein Kontakt des Leitermusters 114, das auf der unteren Seite in der Zwischenschicht 11 angeordnet ist, zu der Paste 134 der Haftschicht 13 hergestellt. Weiterhin wird ein Kontakt des Leitermusters 115, das auf der oberen Seite in der Zwischenschicht 11 angeordnet ist, zu der Paste 124 der Haftschicht 12 hergestellt.
Das geschichtete Element der 14 wird in einer Pressmaschine (nicht gezeigt) angeordnet, und der Aufheiz- und Pressprozess wird durchgeführt.
Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird die Dicke des Leitermusters 114 im Vergleich zu der dritten Ausführungsform größer als diejenige des Leitermusters 115 gemacht.
In diesem Fall wird die Menge an Harz, das in einen Leerraum, der zwischen dem Leitermuster 114 und der elektronischen Komponente 2 definiert ist, fließt, erhöht.
Daher wird eine Kompressionskraft, die auf den Zwischenschichtverbinder 13b, 11a ausgeübt wird, in dem Aufheiz- und Pressprozess erhöht.
Somit kann verhindert werden, dass Fehlstellen bzw. Löcher in dem Verbinder 12b, 13b, 11a erzeugt werden, sodass die Zuverlässigkeit der Zwischenschichtverbindung in der thermoplastischen Harzfilmschicht 10 verbessert werden kann.
Außerdem ist der Verbinder 12a aus dem Stud-Bump 2a aufgebaut.
Daher ist es im Vergleich zu den ersten bis dritten Ausführungsformen nicht notwendig, die Dicke der ersten Haftschicht 12 zu verringern, bei denen der Verbinder 12a durch die leitende Paste aufgebaut wird.
Somit kann die Verbindungszuverlässigkeit des Verbinders 12a hoch gehalten werden, und die Kompressionskraft, die auf die elektronische Komponente 2 ausgeübt wird, kann in dem Aufheiz- und Pressprozess verringert werden.
(Fünfte Ausführungsform)
In einer fünften Ausführungsform werden Filme zwischen zwei Leitermustern angeordnet, und der Elastizitätskoeffizient und die Dicke der Filme werden geändert, um die Zuverlässigkeit der Zwischenverbindung zu verbessern.
Wie es in 15A gezeigt ist, ist die Zwischenschicht 11 ausgelegt, die elektronische Komponente 2 unterzubringen, und die Leitermuster 114, 115 sind auf beiden Seiten der Zwischenschicht 11 ähnlich wie in der dritten Ausführungsform angeordnet.
Die Zwischenschicht 11 besteht in der fünften Ausführungsform aus drei Filmen 110a, 110b, 110c, während die Zwischenschicht 11 in der dritten Ausführungsform aus dem einzigen Film 110 besteht.
Insbesondere ist der innere Film 110a zwischen den äußeren Filmen 110b, 110c angeordnet.
Jeder Film 110a, 110b, 110c weist ein Durchgangsloch entsprechend dem Durchgangsloch 112 auf. Jedes Durchgangsloch weist beispielsweise eine Kegelgestalt auf.
Der Elastizitätskoeffizient des inneren Filmes 110a ist bei der Aufheiz- und Presstemperatur kleiner als derjenige des äußeren Films 110b, 110c. Der Elastizitätskoeffizient E' des inneren Films 110a ist beispielsweise größer als 1,0e+05 Pa und kleiner als 1,0e+09 Pa (1,0e+05 Pa < E' < 1,0e+09 Pa) bei 320°C. Der Elastizitätskoeffizient E' des äußeren Filmes 110b, 110c ist größer als 1,0e+09 Pa (E' > 1,0e+09 Pa) bei 320°C.
Der innere Film 110a weist eine Dicke von 20–500 μm auf. Der äußere Film 110b, 110c weist eine Dicke von 12,5–50 μm auf.
Der innere Film 110a kann aus einem thermoplastischen Harzfilm bestehen, und der äußere Film 110b, 110c kann aus einem wärmehärtenden Harzfilm bestehen.
Wie es in 15B gezeigt ist, wird die erste Musterschicht 20 durch abwechselndes Schichten der Musterfilme 21 und des Haftfilms 22 aufgebaut, und die obere Fläche des Musterfilmes 21 weist das Leitermuster 211 ähnlich wie in der ersten bis vierten Ausführungsform auf.
Der Elastizitätskoeffizient des Filmes 22 ist bei einer Aufheiz- und Presstemperatur kleiner als derjenige des Filmes 21. Der Elastizitätskoeffizient E' des Haftfilmes 22 ist beispielsweise größer als 1,0e+05 Pa und kleiner als 1,0e+08 Pa (1,0e+05 Pa < E' < 1,0e+08 Pa) bei 320°C. Der Elastizitätskoeffizient E' des Musterfilms 21 ist größer als 1,0e+09 Pa (E' > 1,0e+09 Pa) bei 320°C.
Der Haftfilm 22 weist eine Dicke von 20–300 μm auf. Der Musterfilm 21 weist eine Dicke von 12,5–50 μm auf.
Der Haftfilm 22 kann aus einem thermoplastischen Harzfilm bestehen, und der Musterfilm 21 kann aus einem wärmehärtenden Harzfilm bestehen.
Da der Elastizitätskoeffizient des inneren Filmes 110a kleiner als derjenige des äußeren Filmes 110b, 110c ist, wird, wie es durch eine Doppel-Strich-Strich-Linie der 15A gezeigt ist, die Paste 113 in dem Aufheiz- und Pressprozess durch den inneren Film 110a einwärts gepresst. Dadurch wird die Paste 113 in Richtung des Leitermusters 114, 115 gepresst. Daher wird die Paste 113 mit dem Leitermuster 114, 115 mit hoher Zuverlässigkeit sogar dann verbunden, wenn sich die Paste 113 zusammenzieht, wenn die Metallteilchen gesintert werden.
Da der Elastizitätskoeffizient des Haftfilmes 22 kleiner als derjenige des Musterfilmes 21 ist, wie es in der Doppel-Strich-Strich-Linie der 15B gezeigt ist, wird die Paste 222 in dem Aufheiz- und Pressprozess durch den Haftfilm 22 einwärts gepresst.
Dadurch wird die Paste 222 in Richtung des Leitermusters 221 gepresst. Daher wird die Paste 213, 222 mit dem Leitermuster 211 mit hoher Zuverlässigkeit sogar dann verbunden, wenn sich die Paste 213, 222 zusammenzieht, wenn die Metallteilchen gesintert werden.
Mit anderen Worten, wenn ein erster Film und ein zweiter Film zwischen zwei Leitermustern angeordnet werden, wird der Elastizitätskoeffizient des ersten Filmes kleiner als derjenige des zweiten Filmes gemacht. Eine Paste in einem Durchgangsloch wird durch den ersten Film in Richtung des Leitermusters gepresst. Daher kann die Paste mit dem Leitermuster mit hoher Zuverlässigkeit sogar dann verbunden werden, wenn sich die Paste zusammenzieht, wenn die Metallteilchen gesintert werden. Somit kann die Zuverlässigkeit der Zwischenschichtverbindung verbessert werden.
Wenn drei Filme zwischen den beiden Leitermustern angeordnet werden, wie es in 15A gezeigt ist, kann der Elastizitätskoeffizient des inneren Filmes 110a kleiner als derjenige des äußeren Filmes 110b, 110c gemacht werden.
Wenn außerdem die Filme derart festgelegt werden, dass sie die obige vorbestimmte Dicke aufweisen, kann die Paste effektiv gepresst werden. Daher kann die Zuverlässigkeit der Zwischenschichtverbindung weiter verbessert werden.
Die Zuverlässigkeit der Zwischenschichtverbindung kann ebenfalls für die zweite Musterschicht 30 verbessert werden, wobei 15B ein Beispiel der ersten Musterschicht 20 zeigt.
(Weitere Ausführungsform)
Das Leitermuster ist nicht darauf beschränkt, dass es auf der Musterschicht 20, 30 ausgebildet wird. Das Leitermuster kann auf mindestens einer aus einer Fläche der Musterschicht 20, 30 und einer Fläche der Zwischenschicht 11 an einer Position gegenüber von dem zweiten Zwischenschichtverbinder 12b, 13b ausgebildet werden.
Das Leitermuster 211, 311 kann auf beiden Seiten des Musterfilmes 21, 31 ausgebildet werden.
Das Leitermuster kann aus einem leitenden Metall anstatt aus der Kupferfolie bestehen.
Die Zwischenschicht 11 ist nicht darauf beschränkt, die elektronische Komponente 2 unterzubringen. Die Zwischenschicht 11 kann eine andere Komponente unterbringen.
Die Wärmesenke 3 kann von der mehrschichtigen Leiterplatte 1 weggelassen werden.
Der Bereich der Ansprüche wird durch die zugehörigen Ansprüche definiert.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2006-203114 A [0002]

Claims

Mehrschichtige Leiterplatte, die aufweist: eine thermoplastische Harzfilmschicht (10), die mehrere thermoplastische Harzfilme (110, 120, 130), die übereinander geschichtet sind, aufweist, wobei der thermoplastische Harzfilm bei einer vorbestimmten Temperatur aufgeweicht wird; eine Musterschicht (20, 30), die auf die thermoplastische Harzfilmschicht (10) geschichtet ist, wobei die Musterschicht einen Harzfilm (21, 31) mit niedrigem Fließvermögen aufweist, wobei das Fließvermögen des Harzfilmes mit niedrigem Fließvermögen bei der vorbestimmten Temperatur niedriger als dasjenige des thermoplastischen Harzfilmes ist; und ein erstes Leitermuster (211b, 311b, 114, 115), das eine vorbestimmte Dicke aufweist, wobei die thermoplastische Harzfilmschicht (10) eine erste Haftschicht (12), eine zweite Haftschicht (13) und eine Zwischenschicht (11), die zwischen der ersten und der zweiten Haftschicht angeordnet ist, aufweist, die Zwischenschicht (11) einen ersten Zwischenschichtverbinder (11a), der in einer Dickenrichtung durch die Zwischenschicht verläuft, aufweist, jede Haftschicht (12, 13) einen zweiten Zwischenschichtverbinder (12b, 13b) aufweist, der in der Dickenrichtung durch die Haftschicht verläuft, wobei der zweite Zwischenschichtverbinder (12b, 13b) mit dem ersten Zwischenschichtverbinder (11a) elektrisch verbunden ist, und das erste Leitermuster (211b, 311b, 114, 115) an mindestens einer aus einer Fläche der Musterschicht (20, 30) und einer Fläche der Zwischenschicht (11) an einer Position gegenüber dem von zweiten Zwischenschichtverbinder (12b, 13b) angeordnet ist.
Mehrschichtige Leiterplatte nach Anspruch 1, wobei der erste Zwischenschichtverbinder (11a) und der zweite Zwischenschichtverbinder (12b, 13b) aus einem leitenden Material bestehen, wobei das leitende Material durch Einfüllen einer leitenden Paste (113, 124, 134) in ein Durchgangsloch (112, 123, 133) definiert wird, wobei die leitende Paste Metallteilchen, die aneinander gesintert sind, enthält, die erste Haftschicht (13) eine größere Dicke als die zweite Haftschicht (12) aufweist, und das erste Leitermuster (114) auf der Zwischenschicht (11) angeordnet ist und dem zweiten Zwischenschichtverbinder (13b) der ersten Haftschicht (13) gegenüberliegt.
Mehrschichtige Leiterplatte nach Anspruch 2, die außerdem aufweist: ein zweites Leitermuster (311b), das auf der Musterschicht (30) angeordnet ist, wobei das zweite Leitermuster (311b) dem zweiten Zwischenschichtverbinder (13b) der ersten Haftschicht (13) gegenüberliegt.
Mehrschichtige Leiterplatte nach Anspruch 2 oder 3, die außerdem aufweist: ein drittes Leitermuster (115), das auf der Musterschicht (30) angeordnet ist, wobei das dritte Leitermuster (115) dem zweiten Zwischenschichtverbinder (12b) der zweiten Haftschicht (12) gegenüberliegt.
Mehrschichtige Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 4, die außerdem aufweist: eine elektronische Komponente (2), die in der Zwischenschicht (11) angeordnet ist, wobei die zweite Haftschicht (12) einen Elektrodenverbinder (12a) aufweist, der mit einem Elektrodenanschluss der elektronischen Komponente (2) elektrisch verbunden ist.
Mehrschichtige Leiterplatte nach Anspruch 1, die außerdem aufweist: eine elektronische Komponente (2), die in der Zwischenschicht (11) angeordnet ist, wobei der erste Zwischenschichtverbinder (11a) und der zweite Zwischenschichtverbinder (12b, 13b) aus einem leitenden Material bestehen, wobei das leitende Material durch Einfüllen einer leitenden Paste (113, 124, 134) in ein Durchgangsloch (112, 123, 133) definiert wird, wobei die leitende Paste Metallteilchen, die aneinander gesintert sind, enthält, die erste Haftschicht (13) eine größere Dicke als die zweite Haftschicht (12) aufweist, die zweite Haftschicht (12) einen Elektrodenverbinder (12a) aufweist, der mit einem Elektrodenanschluss der elektronischen Komponente (2) elektrisch verbunden ist, und das erste Leitermuster (114) auf der Zwischenschicht (11) angeordnet ist und dem zweiten Zwischenschichtverbinder (13b) der ersten Haftschicht (13) gegenüberliegt.
Mehrschichtige Leiterplatte nach Anspruch 6, die außerdem aufweist: ein zweites Leitermuster (311b), das auf der Musterschicht (30) angeordnet ist, wobei das zweite Leitermuster (311b) dem zweiten Zwischenschichtverbinder (13b) der ersten Haftschicht (13) gegenüberliegt.
Mehrschichtige Leiterplatte nach Anspruch 6 oder 7, die außerdem aufweist: ein drittes Leitermuster (115), das auf der Zwischenschicht (11) angeordnet ist, wobei das dritte Leitermuster (115) dem zweiten Zwischenschichtverbinder (12b) der zweiten Haftschicht (12) gegenüberliegt.
Mehrschichtige Leiterplatte nach Anspruch 8, wobei das erste Leitermuster (114) eine größere Dicke als das dritte Leitermuster (115) aufweist.
Mehrschichtige Leiterplatte nach einem der Ansprüche 5 bis 9, wobei die Musterschicht (20) eine Anschlussfläche (211a) gegenüber von dem Elektrodenverbinder (12a) aufweist, die Anschlussfläche (211a) mit dem Elektrodenverbinder (12a) elektrisch verbunden ist, der Elektrodenverbinder (12a) mit dem Elektrodenanschluss der elektronischen Komponente (2) verbunden ist, und der Elektrodenverbinder (12a) aus einem Stud-Bump (2a) besteht.
Mehrschichtige Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei der Harzfilm mit niedrigem Fließvermögen aus einem wärmehärtenden Harzfilm besteht.
Mehrschichtige Leiterplatte nach Anspruch 1, die außerdem aufweist. eine elektronische Komponente (2), die in der Zwischenschicht (11) angeordnet ist, wobei die Zwischenschicht (11) das Leitermuster (114) gegenüber von dem zweiten Zwischenschichtverbinder (13b) der ersten Haftschicht (13) und das Leitermuster (115) gegenüber von dem zweiten Zwischenschichtverbinder (12b) der zweiten Haftschicht (12) aufweist, der erste Zwischenschichtverbinder (11a) aus einem leitenden Material besteht, wobei das leitende Material durch Einfüllen einer leitenden Paste (113) in ein Durchgangsloch (112) definiert wird, wobei die leitende Paste Metallteilchen, die aneinander gesintert sind, enthält, die Zwischenschicht (11) einen inneren Film (110a) und zwei äußere Filme (110b, 110c), die abwechselnd geschichtet sind, aufweist, und der innere Film (110a) bei einer Aufheiz- und Presstemperatur einen kleineren Elastizitätskoeffizienten als der äußere Film (110b, 110c) aufweist.
Mehrschichtige Leiterplatte nach Anspruch 12, wobei der Elastizitätskoeffizient des inneren Filmes (110a) größer als 1,0e+05 Pa und kleiner als 1,0e+09 Pa bei 320°C ist, und der Elastizitätskoeffizient des äußeren Filmes (110b, 110c) größer als 1,0e+09 Pa bei 320°C ist.
Mehrschichtige Leiterplatte nach Anspruch 12 oder 13, wobei der innere Film (110a) eine Dicke von 20–500 μm aufweist, und der äußere Film (110b, 110c) eine Dicke von 12,5–50 μm aufweist.
Mehrschichtige Leiterplatte nach Anspruch 1, wobei die Musterschicht (20) mehrere Musterfilme (21) und einen Haftfilm (22), der zwischen den Musterfilmen angeordnet ist, aufweist, wobei eine Fläche des Musterfilmes ein anderes Leitermuster (211) aus einer Kupferfolie aufweist, der Musterfilm aus dem Harzfilm mit niedrigem Fließvermögen besteht, der Musterfilm und der Haftfilm einen dritten Zwischenschichtverbinder (21a, 22a) aufweisen, der die Leitermuster (211) miteinander verbindet, wobei der dritte Zwischenschichtverbinder in der Dickenrichtung durch den Film verläuft, der dritte Zwischenschichtverbinder aus einem leitenden Material besteht, wobei das leitende Material durch Einfüllen einer leitenden Paste (213, 222) in ein Durchgangsloch (212, 221) definiert wird, wobei die leitende Paste Metallteilchen, die aneinander gesintert sind, enthält, und der Haftfilm (22) bei einer Aufheiz- und Presstemperatur einen kleineren Elastizitätskoeffizienten als der Musterfilm (21) aufweist.
Mehrschichtige Leiterplatte nach Anspruch 15, wobei der Elastizitätskoeffizient des Haftfilmes (22) größer als 1,0e+05 Pa und kleiner als 1,0e+08 Pa bei 320°C ist, und der Elastizitätskoeffizient des Musterfilmes (21) größer als 1,0e+09 Pa bei 320°C ist.
Mehrschichtige Leiterplatte nach Anspruch 15 oder 16, wobei der Haftfilm (22) eine Dicke von 20–300 μm aufweist, und der Musterfilm (21) eine Dicke von 12,5–50 μm aufweist.