JP2003197822A - 配線基板、多層配線基板およびそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板と半導体チップとの間の電気的接続や半
導体チップの搭載位置が正確となり、かつ効率的に製造
することが可能な配線基板を提供する。 【解決手段】 熱可塑性樹脂を含有する絶縁性の樹脂フ
ィルム１１上に、配線回路１２ａおよび１２ｂのための
パターン溝１２ｃおよび１２ｄと、ＩＣベアチップ１３
搭載用のキャビティ１３ｂが熱成形された後、パターン
溝１２ｃおよび１２ｄに導電性ペーストが充填されて、
配線回路１２ａおよび１２ｂが形成される。ＩＣベアチ
ップ１３は下部にスタッドバンプ１３ａを具備し、この
ＩＣベアチップ１３がキャビティ１３ｂ内に熱圧着され
る。このとき、スタッドバンプ１３ａは、キャビティ１
３ｂの底部の樹脂フィルム１１を貫通して、裏側に形成
された対応する配線回路１２ａに接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁樹脂基材上に
電子部品および配線回路が設けられた配線基板、このよ
うな絶縁樹脂基材が複数積層されてなる多層配線基板、
およびこれらの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣチップを基板上にベア実装する場
合、従来では、熱硬化型の例えばエポキシ系樹脂等の基
板を用い、この基板上にＣｕ配線を形成した後、熱硬化
性接着剤等を用いてＩＣチップを固着することによって
行うのが一般的であった。

【０００３】また、近年、実装基板の小型化に対する要
求が高まり、ＩＣチップ等の実装基板を積層して用いる
ことが多くなっている。熱硬化型樹脂の実装基板の積層
は、配線部の形成やＩＣチップの搭載等のパッケージ組
立の後、例えば各パッケージ間にＡＬＩＶＨやＢ²ｉｔ
等、Ｂステージ状態のエポキシプリプレグ等をボンディ
ング層として使用する等により行われる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、ＩＣチップを
配線が施された基板上に実装する際、正確な位置に実装
するために、ＣＣＤ（Charge-Coupled Devices）カメラ
等によるパターン間アラインメント機構を実装機に設け
る必要があり、設備コストが上昇する上に、実装時の作
業効率が悪化することが問題となる。

【０００５】また、ＩＣチップを搭載した基板を積層す
る場合には、基板に対してＩＣチップが突出するため、
この突出分を埋めるためのボンディング層が必要とな
り、積層基板の厚さが大きくなってしまう。そこで、Ｉ
Ｃチップを基板内に埋め込む方法が、例えば特開平０７
−１０６５０９公報等に開示されている。このような方
法では、基板にＩＣチップの厚みに対応したキャビティ
部を設け、このキャビティ部にＩＣチップを搭載してい
るが、キャビティ部の形成等のために製造工程が複雑に
なり、製造効率が低下してしまう。

【０００６】さらに、基板材料として熱硬化性樹脂を用
いた場合には、上記のようにＩＣチップを固着するため
に接着剤が使用されるため、材料コストが高く、この接
着剤の注入工程が必要なために生産効率が悪い。また、
基板の積層の際にも、ボンディング層を設ける等による
固着が必要なため、同様に材料コストや生産効率の点に
問題がある。また、例えば基板材料と接着剤の熱膨張係
数差が大きく異なる場合は、環境温度に対する接着強度
等の信頼性が劣る原因にもなり得る。

【０００７】このような問題点を解決するために、熱可
塑性樹脂を基板材料として成型することが注目されてい
る。熱可塑性樹脂では、熱成形性により配線パターン等
の成型が容易であり、また熱融着性を有することから、
基板とＩＣチップ、および基板同士の積層が接着剤を使
用せずに可能となる。

【０００８】しかし、熱可塑性樹脂を使用した基板の場
合、ＩＣチップを直接搭載した際に、ＩＣチップのバン
プ部や基板上の接続パターン部以外の部分における絶縁
が完全でなく、この部分が導通してＩＣチップが機能し
ない場合があった。

【０００９】本発明は、このような課題に鑑みてなされ
たものであり、基板と半導体チップとの間の電気的接続
や半導体チップの搭載位置が正確となり、かつ効率的に
製造することが可能な配線基板を提供することを目的と
する。

【００１０】また、本発明の他の目的は、基板と電子部
品との間の電気的接続や電子部品の搭載位置が正確で、
かつ厚さが抑制されながら、効率的に製造することが可
能な多層配線基板を提供することである。

【００１１】さらに、本発明の他の目的は、基板と半導
体チップとの間の電気的接続や半導体チップの搭載位置
が正確となり、かつ効率的に製造することが可能な配線
基板の製造方法を提供することである。

【００１２】また、本発明の他の目的は、基板と電子部
品との間の電気的接続や電子部品の搭載位置が正確で、
かつ厚さが抑制されながら、効率的に製造することが可
能な多層配線基板の製造方法を提供することである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、絶縁樹脂基材上に電子部品および配線回
路が設けられた配線基板において、前記絶縁樹脂基材
は、熱可塑性樹脂を含有し、一方の面に、前記電子部品
の外形と略同一の大きさの凹部が形成され、前記凹部の
裏面対応部に、少なくとも前記電子部品との配線用の前
記配線回路が形成されており、前記電子部品は、突起し
た電極端子を有し、前記電極端子が前記凹部を貫通し
て、前記電子部品との配線用の前記配線回路と接続し、
かつ前記絶縁樹脂基材の外周面から突出しないように前
記凹部の内部に搭載される、ことを特徴とする配線基板
が提供される。

【００１４】このような配線基板では、熱可塑性樹脂を
含有する絶縁樹脂基材を使用したことにより、電子部品
を凹部の内部に例えば熱圧着により搭載することが可能
となる。また、凹部の形成により、電子部品の搭載時の
位置合わせが容易になる。さらに、凹部の裏面に電子部
品の配線用の配線回路が形成され、電子部品から突起し
た電極端子が、絶縁樹脂基材を貫通して裏面の配線回路
に接続する構造により、電子部品と電極端子とは電極端
子のみによって電気的に接続される。

【００１５】また、本発明では、電子部品や配線回路が
設けられた複数の絶縁樹脂基材が積層されてなる多層配
線基板において、前記複数の絶縁樹脂基材は熱可塑性樹
脂を含有する材料によってなり、前記複数の絶縁樹脂基
材のうちの少なくとも１つは、一方の面に、前記電子部
品の外形と略同一の大きさの凹部が形成され、前記凹部
の裏面対応部に、少なくとも前記電子部品との配線用の
前記配線回路が形成されており、突起した電極端子を有
する前記電子部品が、前記電極端子が前記凹部を貫通し
て前記電子部品との配線用の前記配線回路と接続し、か
つ前記絶縁樹脂基材の外周面から突出しないように前記
凹部の内部に搭載された前記絶縁樹脂基材である、こと
を特徴とする多層配線基板が提供される。

【００１６】このような多層配線基板では、熱可塑性樹
脂を含有する絶縁樹脂基材を使用したことにより、電子
部品を凹部の内部に例えば熱圧着により搭載可能である
とともに、絶縁樹脂基材同士を例えば熱融着により積層
することが可能となる。また、凹部の形成により、電子
部品の搭載時の位置合わせが容易になる。さらに、凹部
の裏面に電子部品の配線用の配線回路が形成され、電子
部品から突起した電極端子が、絶縁樹脂基材を貫通して
裏面の配線回路に接続する構造としたことで、電子部品
と配線回路とは電極端子のみによって電気的に接続され
る。

【００１７】さらに、本発明では、絶縁樹脂基材上に電
子部品および配線回路が設けられた配線基板の製造方法
において、熱可塑性樹脂を含有する前記絶縁樹脂基材に
対し、一方の面に、前記電子部品の外形と略同一の大き
さの凹部を形成し、また前記凹部の裏面対応部に、少な
くとも前記電子部品との配線用の前記配線回路を形成
し、突起した電極端子を有する前記電子部品を、前記電
極端子の配設面を前記絶縁樹脂基材側として、前記絶縁
樹脂基材の外周面から突出しないように前記凹部に熱圧
着するとともに、前記電極端子を前記凹部に貫通させ
て、前記電子部品との配線用の前記配線回路と前記電極
端子とを接続させる、ことを特徴とする配線基板の製造
方法が提供される。

【００１８】このような配線基板の製造方法では、熱可
塑性樹脂を含有する絶縁樹脂基材を使用したことによ
り、電子部品は凹部の内部に熱圧着により固着される。
また、凹部の形成により、電子部品の搭載時の位置合わ
せが容易になる。さらに、凹部の裏面に電子部品の配線
用の配線回路を形成し、電子部品から突起した電極端子
を、絶縁樹脂基材を貫通させて裏面の配線回路に接続さ
せることで、電子部品と配線回路とは電極端子のみによ
って電気的に接続される構造となる。

【００１９】また、本発明では、電子部品や配線回路が
設けられた複数の絶縁樹脂基材が積層されてなる多層配
線基板の製造方法において、前記複数の絶縁樹脂基材は
熱可塑性樹脂を含有する材料によってなり、前記複数の
絶縁樹脂基材のうちの少なくとも１つは、一方の面に、
前記電子部品の外形と略同一の大きさの凹部を形成し、
また前記凹部の裏面対応部に、少なくとも前記電子部品
との配線用の前記配線回路を形成し、突起した電極端子
を有する前記電子部品を、前記電極端子の配設面を前記
絶縁樹脂基材側として、前記絶縁樹脂基材の外周面から
突出しないように前記凹部に熱圧着し、前記電極端子を
前記凹部に貫通させて、前記電子部品との配線用の前記
配線回路と前記電極端子とを接続させることによって形
成され、前記電子部品が接続された前記絶縁樹脂基材
と、その他の前記絶縁樹脂基材とを相互に位置合わせし
て積層し、熱融着により一体化する、ことを特徴とする
多層配線基板の製造方法が提供される。

【００２０】このような多層配線基板の製造方法では、
熱可塑性樹脂を含有する絶縁樹脂基材を使用したことに
より、電子部品は凹部の内部に熱圧着により搭載される
とともに、絶縁樹脂基材同士は熱融着により積層され
る。また、凹部の形成により、電子部品の搭載時の位置
合わせが容易になる。さらに、凹部の裏面に電子部品の
配線用の配線回路を形成し、電子部品から突起した電極
端子を、絶縁樹脂基材を貫通させて裏面の配線回路に接
続させることで、電子部品と配線回路とは電極端子のみ
によって電気的に接続される構造となる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は、本発明の配線基板の第１
の実施形態例を示す断面図である。

【００２２】図１に示す配線基板１は、樹脂フィルム１
１上に、配線回路１２ａおよび１２ｂとＩＣベアチップ
１３とが搭載された構成をなす。樹脂フィルム１１は、
熱可塑性樹脂を含有する材料により、例えば５０〜２０
０μｍの厚さのフィルム状に形成された絶縁性の基材で
ある。この材料としては、例えば、ＰＥＥＫ（ポリエー
テルエーテルケトン）、ＰＥＫ（ポリエーテルケト
ン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＰＳ（ポリフ
ェニレンサルファイド）等の比較的高耐熱な熱可塑性樹
脂材料が単体で使用される。あるいは、ＦＲ４、ＦＲ５
といったガラスエポキシ材等の熱硬化性樹脂の中に、上
記の熱可塑性樹脂材料を混合したもの等でもよい。ま
た、後述するように、ガラス転移温度以上で融点より低
い温度領域に熱融着温度域を有する材料が望ましい。さ
らに、配線回路１２ａおよび１２ｂの形成用のパターン
溝１２ｃおよび１２ｄ等が形成される前の、単なるフィ
ルム状態において非晶性の処理が施された材料が、より
望ましい。

【００２３】配線回路１２ａおよび１２ｂは、樹脂フィ
ルム１１上に形成されたパターン溝１２ｃおよび１２ｄ
に、導電性ペーストが充填されることによって形成され
る。このうち、配線回路１２ａはＩＣベアチップ１３と
の電気的な接続を行うためのものであり、また、配線回
路１２ｂは例えば、他のＩＣチップ等の電子部品との配
線や、積層した他の配線基板と配線するためのものであ
る。導電性ペーストとしては、例えば、Ａｇ粒子やＣｕ
粒子等の高導電性フィラーを含有した熱可塑性バインダ
タイプが望ましい。

【００２４】ＩＣベアチップ１３は、下面の図示しない
電極パッドに、配線回路１２ａとの配線のためのスタッ
ドバンプ１３ａを具備している。このＩＣベアチップ１
３は、樹脂フィルム１１上に上記のパターン溝１２ｃお
よび１２ｄと同様に形成されたキャビティ１３ｂに、外
形が樹脂フィルム１１の外周面から突出しないように収
容され、固着されている。また、スタッドバンプ１３ａ
は、ＩＣベアチップ１３の収容部の内面を貫通して、裏
側に形成された配線回路１２ａに接続している。

【００２５】このように、キャビティ１３ｂの形成によ
り、ＩＣベアチップ１３の搭載時における位置合わせが
容易になる。また、ＩＣベアチップ１３と対応する配線
回路１２ａとの間に樹脂フィルム１１が介在し、スタッ
ドバンプ１３ａがこの樹脂フィルム１１を貫通して配線
回路１２ａと接続する構造により、スタッドバンプ１３
ａと配線回路１２ａとが確実に導通されるとともに、Ｉ
Ｃベアチップ１３の樹脂フィルム１１への接触面と配線
回路１２ａおよび１２ｂとの間の絶縁が、容易に確保さ
れる。

【００２６】ところで、この配線基板１では、樹脂フィ
ルム１１が熱可塑性樹脂を含有する絶縁性の樹脂材料で
形成されている。従って、熱可塑性樹脂のハイサイクル
な熱成形性を利用することで、配線回路１２ａおよび１
２ｂのパターン溝１２ｃおよび１２ｄや、ＩＣベアチッ
プ１３の収納用のキャビティ１３ｂを、容易に形成する
ことが可能となる。

【００２７】また、これとともに、ＩＣベアチップ１３
を樹脂フィルム１１に対して熱圧着により固着すること
が可能となる。さらに、この配線基板１を、同じ材料の
樹脂フィルムによってなる他の配線基板と積層する場合
には、樹脂フィルムと他の配線基板の樹脂フィルムとを
熱融着により接合することが可能となる。このように、
配線基板１では、熱可塑性樹脂の熱融着性を利用するこ
とで、ＩＣベアチップ１３の搭載時や樹脂フィルム１１
の積層時に、接着剤を使用する必要がなくなる。また、
接着剤で固着する場合と比較して、固着部の環境温度に
対する信頼性が高められる。

【００２８】次に、上記の第１の実施形態例の構造に加
えて、積層した基板間をビア接続するための接続電極を
具備する場合の実施形態を例示する。図２は、本発明の
配線基板１の第２の実施形態例を示す断面図である。

【００２９】図２に示す配線基板２では、図１の第１の
実施形態例と同様に、樹脂フィルム２１上に、配線回路
２２ａおよび２２ｂとＩＣベアチップ２３とが設けられ
ていることに加え、ビア接続用の接続電極２４がさらに
設けられている。配線回路２２ａおよび２２ｂはともに
導電性ペーストにより形成され、また、ＩＣベアチップ
２３は、スタッドバンプ２３ａを具備して、ＩＣベアチ
ップ２３を収納するキャビティ２３ｂを貫通して、裏側
に設けられた配線回路２２ａに対して接続している。

【００３０】接続電極２４は、樹脂フィルム２１を貫通
するビア穴２４ａが形成された後、このビア穴２４ａに
導電性ペーストが充填されることによって形成される。
ビア穴２４ａは、例えば、配線回路２２ａおよび２２ｂ
のパターン溝２２ｃおよび２２ｄの形成時に、熱成形に
より同時に形成される。または、パターン溝２２ｃおよ
び２２ｄ、およびＩＣベアチップ２３のキャビティ２３
ｂの形成後に、ドリルやレーザ等を用いて形成される。

【００３１】この配線基板２と、同材料の樹脂フィルム
によってなる他の配線基板とを積層する場合には、加熱
した状態で相互に押圧することによって、樹脂フィルム
同士を熱融着により一体化させることが可能である。ま
た、導電性ペーストで形成された接続電極２４が、他の
配線基板上に設けられた配線回路、あるいはビア接続用
の接続電極に熱融着して、電気的に接続される。

【００３２】このような配線基板２では、上記の第１の
実施形態例と同様に、キャビティ２３ｂの形成により、
ＩＣベアチップ２３の搭載時における位置合わせが容易
になる。また、スタッドバンプ２３ａが樹脂フィルム２
１を貫通して配線回路２２ａと接続する構造により、ス
タッドバンプ２３ａと配線回路２２ａとが確実に導通さ
れるとともに、ＩＣベアチップ２３の樹脂フィルム２１
への接触面と配線回路２２ａおよび２２ｂとの間の絶縁
が、容易に確保される。

【００３３】さらに、熱可塑性樹脂を含有する樹脂フィ
ルム２１を使用したことにより、配線回路２２ａおよび
２２ｂのパターン溝２２ｃおよび２２ｄや、ＩＣベアチ
ップ２３のキャビティ２３ｂに加えて、接続電極２４の
ためのビア穴２４ａも熱成形によって容易に形成するこ
とが可能となる。また、ＩＣベアチップ２３と樹脂フィ
ルム２１との固着や、積層時の樹脂フィルム同士の固着
のために、接着剤を使用する必要がなくなる。

【００３４】次に、図３は、上記の配線基板２の製造工
程を説明するための図である。なお、図３では、配線基
板２の断面構造を示している。まず、熱可塑性樹脂を含
有する絶縁性の樹脂材料によってなる樹脂フィルム２１
が、例えば厚さ５０〜２００μｍの平坦なフィルム状に
形成される。この樹脂フィルム２１は、上述したよう
に、比較的高耐熱な単体の熱可塑性樹脂材料を使用する
か、あるいはガラスエポキシ材等の熱硬化性樹脂の中
に、上記の熱可塑性樹脂材料を混合したもの等が使用さ
れる。また、高耐熱、高剛性で、等方性を有する材料が
好ましく、さらに、加熱成形時の樹脂収縮を抑制するた
めの補強フィラーを含有する材料がより好ましい。

【００３５】次に、この樹脂フィルム２１に対して、配
線回路２２ａおよび２２ｂの各パターン溝２２ｃおよび
２２ｄや、ＩＣベアチップ２３の搭載用のキャビティ２
３ｂ、接続電極２４のためのビア穴２４ａを、熱成形に
よって形成する。

【００３６】図３（Ａ）に示すように、この熱成形のた
めに、パターン溝２２ｃおよび２２ｄやキャビティ２３
ｂ、およびビア穴２４ａの形状を模した転写治具２５ａ
および２５ｂが用いられる。転写治具２５ａおよび２５
ｂは、耐熱ガラス、金属、セラミック、あるいは高強
度、高耐熱樹脂等によってなり、例えばフォトリソ法を
用いてマスクパターンが転写された後、ケミカルエッチ
ングあるいはサンドブラスト等によって、上記のパター
ン溝２２ｃおよび２２ｄやキャビティ２３ｂ、およびビ
ア穴２４ａの反転形状が、凸形状に形成される。あるい
は、これらの凸形状はレーザ加工機を用いたダイレクト
描画による直接加工で形成されてもよい。

【００３７】ここでは、樹脂フィルム２１の厚さが１０
０μｍで、転写治具２５ａおよび２５ｂが、耐熱ガラス
にブラスト加工によって上記凸形状が形成されたもので
あるとすると、転写治具２５ａおよび２５ｂの厚さは３
〜５ｍｍが望ましい。

【００３８】このような転写治具２５ａおよび２５ｂ
を、凸形状の形成面が対向するように配置し、この間に
平坦な樹脂フィルム２１を配置する。そして、加熱しな
がら、転写治具２５ａおよび２５ｂで樹脂フィルム２１
を挟み込み、凸形状を樹脂フィルム２１上に熱転写す
る。このときの温度は、樹脂フィルム２１の弾性率が低
下するように、樹脂フィルム２１が有するガラス転移温
度以上で融点未満であることが望ましい。また、転写治
具２５ａおよび２５ｂに加わる圧力が、１０〜６０ｋｇ
／ｃｍ²であることが望ましく、耐熱ガラスの保護のた
めには、２０〜３０ｋｇ／ｃｍ²であることがさらに望
ましい。

【００３９】このような熱成形後、樹脂フィルム２１を
冷却して、転写治具２５ａおよび２５ｂを取り外すこと
により、図３（Ｂ）に示すように、パターン溝２２ｃお
よび２２ｄやキャビティ２３ｂ、およびビア穴２４ａが
樹脂フィルム２１上に形成される。なお、転写治具２５
ａおよび２５ｂと樹脂フィルム２１との熱膨張係数の差
のために、冷却時に樹脂フィルム２１が収縮することか
ら、転写治具２５ａおよび２５ｂの取り外しは、温度が
ガラス転移温度を下回った時点で行うことにより、転写
治具２５ａおよび２５ｂの取り外し時の破損を防止する
ことができる。

【００４０】また、この熱膨張係数差に起因する樹脂フ
ィルム２１上の形成体の寸法変化を考慮して、転写治具
２５ａおよび２５ｂの形成時に、あらかじめ寸法補正を
施しておくことが望ましい。この補正量としては、例え
ばマスクパターンの寸法を０．２〜０．５％だけ大きく
しておけばよい。

【００４１】以上のように、樹脂フィルム２１として熱
可塑性樹脂を含有する材料を使用したことにより、配線
回路２２ａおよび２２ｂや、ＩＣベアチップ２３、接続
電極２４を設けるためのパターン溝２２ｃおよび２２
ｄ、キャビティ２３ｂおよびビア穴２４ａを、転写治具
２５ａおよび２５ｂを使用した熱転写によって１度に形
成することが可能となる。

【００４２】なお、以上の樹脂フィルム２１への熱転写
の工程では、ビア穴２４ａも転写治具２５ａおよび２５
ｂによって形成したが、これに限らず、パターン溝２２
ｃおよび２２ｄとキャビティ２３ｂの熱転写後、従来の
穴あけ手法であるレーザやドリルを使用して形成しても
よい。

【００４３】次に、図３（Ｃ）に示すように、樹脂フィ
ルム２１に転写されたパターン溝２２ｃおよび２２ｄと
ビア穴２４ａに、導電性ペースト２２ｅを例えばスキー
ジ２６を用いて充填し、熱処理する。このとき、ＩＣベ
アチップ２３搭載用のキャビティ２３ｂには導電性ペー
スト２２ｅを充填しない。そして、必要に応じて表面研
磨し、表面に付着した余分な導電性ペースト２２ｅを除
去する。これによって、樹脂フィルム２１に配線回路２
２ａおよび２２ｂと接続電極２４とが形成される。な
お、導電性ペースト２２ｅは、熱可塑性樹脂を含有する
バインダ材に、Ａｇ粒子あるいはＣｕ粒子等の高導電性
フィラーを含有する材料が好ましい。

【００４４】次に、図３（Ｄ）に示すように、キャビテ
ィ２３ｂ内にＩＣベアチップ２３を搭載する。ＩＣベア
チップ２３の下面の電極パッドには、配線回路２２ａに
接続させるための例えばＡｕによってなるスタッドバン
プ２３ａが設けられている。このスタッドバンプ２３ａ
は、ＩＣベアチップ２３に底部から突起して設けられて
おり、先端部の形状が鋭角であることが望ましい。

【００４５】このＩＣベアチップ２３の搭載の際は、樹
脂フィルム２１を上下反転させてキャビティ２３ｂの形
成部を上に向け、スタッドバンプ２３ａを樹脂フィルム
２１側に向けてＩＣベアチップ２３をキャビティ２３ｂ
内に載置するか、あるいは軽くはめ込んだ後、加熱して
キャビティ２３ｂ内に押圧する。このとき例えば、熱板
を用いた図示しないプレス装置を使用して、キャビティ
２３ｂ上に仮置きされたＩＣベアチップ２３を押圧す
る。

【００４６】これにより、スタッドバンプ２３ａがキャ
ビティ２３ｂの底部の樹脂フィルム２１を貫通し、裏面
に形成された配線回路２２ａに接続される。また、これ
とともにＩＣベアチップ２３が樹脂フィルム２１に熱圧
着により固着される。このとき、樹脂フィルム２１の弾
性率が低下してＩＣベアチップ２３との融着性が現れる
ように、樹脂フィルム２１が有するガラス転移温度以上
で融点未満の温度下で熱圧着が行われることが望まし
い。

【００４７】ところで、ＩＣベアチップ２３の搭載工程
の際は、通常、ＩＣベアチップ２３の上面が樹脂フィル
ム２１の外周面から突出しないようにキャビティ２３ｂ
内に搭載される。このような搭載方法により、後述する
ように、同様な方法で電子部品や配線回路がユニット化
された他の配線基板と積層することが可能となる。ま
た、ＩＣベアチップ２３のキャビティ２３ｂへの熱圧着
の際には、キャビティ２３ｂの底部の樹脂フィルム２１
が熱変形して、ＩＣベアチップ２３が樹脂フィルム２１
内に押し込まれるように行われてもよい。

【００４８】従って、これらの条件と、さらにスタッド
バンプ２３ａが配線回路２２ａに十分接触することとを
考慮して、樹脂フィルム２１上に形成するキャビティ２
３ｂの深さと、配線回路２２ａのためのパターン溝２２
ｃの深さとを決定する必要がある。本実施形態例では、
５０μｍ厚のＩＣベアチップ２３、および１００μｍ厚
の樹脂フィルム２１に対して、キャビティ２３ｂの深さ
を４０μｍ、配線回路２２ａのためのパターン溝２２ｃ
の深さを４０μｍ、スタッドバンプ２３ａの突起部の長
さを２０〜３０μｍとして、ＩＣベアチップ２３と配線
回路２２ａおよび２２ｂとの間に介在する樹脂フィルム
２１に１０μｍの厚さを確保し、スタッドバンプ２３ａ
と配線回路２２ａとの接続に１０〜２０μｍの深さを確
保している。

【００４９】以上のようなＩＣベアチップ２３の搭載工
程により、ＩＣベアチップ２３と樹脂フィルム２１と
は、接着剤を使用せずに固着する。また、樹脂フィルム
２１上にあらかじめキャビティ２３ｂが形成されている
ことにより、自己整合的にＩＣベアチップ２３を正確な
位置に搭載することができ、従来使用していた高価なア
ラインメント機構が不要となる。さらに、このように製
造工程の簡略化が可能でありながら、スタッドバンプ２
３ａが樹脂フィルム２１を貫通して裏面の配線回路２２
ａに接続する構造によって、ＩＣベアチップ２３の樹脂
フィルム２１への接触面と配線回路２２ａおよび２２ｂ
とが、確実に絶縁される。従って、高品質な配線基板２
を、低コストおよび少ない工数で効率よく製造すること
が可能となる。

【００５０】なお、図１で示した第１の実施形態例の配
線基板１を製造する場合には、上記の製造工程の中で、
ビア穴２４ａの形成を行わないこと以外は共通であり、
ここでは説明を省略する。

【００５１】ところで、上記の第１および第２の実施形
態例では、樹脂フィルム上に１つのＩＣベアチップを搭
載した例を挙げたが、次に、複数のＩＣベアチップが搭
載される場合について説明する。図４は、本発明の配線
基板の第３の実施形態例と、その製造工程を説明するた
めの断面図である。

【００５２】図４に示す配線基板３は、熱可塑性樹脂を
含有する絶縁性の樹脂フィルム３１上に、２つのＩＣベ
アチップ３３ａおよび３３ｂが搭載されている。ＩＣベ
アチップ３３ａおよび３３ｂの下面には、配線用のスタ
ッドバンプ３３ｃおよび３３ｄがそれぞれ設けられてい
る。また、樹脂フィルム３１には、この他に、ＩＣベア
チップ３３ａおよび３３ｂのそれぞれとの接続用の配線
回路３２ａおよび３２ｂと、ビア接続用の接続電極３４
と、ＩＣベアチップ３３ａおよび３３ｂの搭載用のキャ
ビティ３３ｅおよび３３ｆが設けられている。

【００５３】このような配線基板３の製造の際は、上記
の第２の実施形態の場合と同様に、平坦なフィルム状に
形成された樹脂フィルム３１に対し、転写治具を使用し
て、配線回路３２ａおよび３２ｂのパターン溝（図示せ
ず）と、キャビティ３３ｅおよび３３ｆと、接続電極３
４のためのビア穴（図示せず）とを熱転写によって形成
する。次に、パターン溝およびビア穴に導電性ペースト
を充填して、配線回路３２ａおよび３２ｂと接続電極３
４とを形成する。

【００５４】次に、図４（Ａ）に示すように、キャビテ
ィ３３ｅおよび３３ｆ上にＩＣベアチップ３３ａおよび
３３ｂを載置するか、あるいは軽くはめ込む。次に、熱
板３７ａおよび３７ｂによって樹脂フィルム３１を挟み
込み、ＩＣベアチップ３３ａおよび３３ｂの双方を、キ
ャビティ３３ｅおよび３３ｆの中に同時に熱圧着する。
このとき、図４（Ｂ）に示すように、スタッドバンプ３
３ｃおよび３３ｄは、それぞれキャビティ３３ｅおよび
３３ｆの底部の樹脂フィルム３１を貫通して、配線回路
３２ａおよび３２ｂに接続する。

【００５５】以上のように、複数のＩＣベアチップ３３
ａおよび３３ｂが１つの樹脂フィルム３１上に搭載され
る場合には、各ＩＣベアチップ３３ａおよび３３ｂを同
時に樹脂フィルム３１に熱圧着することが可能であり、
製造工程を減少させることができるとともに、樹脂フィ
ルム３１に対して与えられる熱履歴の数を抑制すること
が可能となる。

【００５６】次に、以上の方法によって形成された配線
基板が積層された多層配線基板の製造工程について説明
する。図５は、本発明の多層配線基板の第１の実施形態
例の製造工程を説明するための断面図である。

【００５７】図５では、５つの配線基板４、５、６、７
および８を積層する場合の製造工程の一部について、断
面図で示している。配線基板４〜８は、それぞれ熱可塑
性樹脂を含有する絶縁性の樹脂フィルム４１、５１、６
１、７１および８１を基材としており、このうち、配線
基板５には２つのＩＣベアチップ５３ａおよび５３ｂが
搭載され、配線基板７にも２つのＩＣベアチップ７３ａ
および７３ｂが搭載されている。また、残りの配線基板
４、６および８にはＩＣベアチップが搭載されておら
ず、接続回路やビア接続用の接続電極、あるいはこれら
の双方がそれぞれ形成されている。

【００５８】ＩＣベアチップ５３ａ、５３ｂ、７３ａお
よび７３ｂには、それぞれ２つずつのスタッドバンプ５
３ｃ、５３ｄ、７３ｃおよび７３ｄが設けられている。
また、樹脂フィルム５１および７１には、ＩＣベアチッ
プ５３ａ、５３ｂ、７３ａおよび７３ｂを搭載するため
のキャビティ５３ｅ、５３ｆ、７３ｅおよび７３ｆが形
成されている。

【００５９】各配線基板４〜８では、上記の第１〜第３
の実施形態例と同様に、平坦なフィルム状に形成された
樹脂フィルム４１、５１、６１、７１および８１上に、
熱転写によって配線回路のパターン溝やベア穴、および
キャビティ５３ｅ、５３ｆ、７３ｅおよび７３ｆが形成
され、パターン溝およびビア穴への導電性ペーストの充
填により、配線回路および接続電極が形成される。な
お、ビア穴はレーザあるいはドリルによって、熱転写の
後の工程において形成されてもよい。

【００６０】次に、図５に示すように、樹脂フィルム５
１および７１に形成されたキャビティ５３ｅ、５３ｆ、
７３ｅおよび７３ｆの上に、それぞれＩＣベアチップ５
３ａ、５３ｂ、７３ａおよび７３ｂが仮置きされる。そ
して、熱板４７ａ上に、樹脂フィルム８１、７１、６
１、５１および４１の順に重ねて載置され、最上部から
熱板４７ｂによって押圧される。このとき、各樹脂フィ
ルム４１、５１、６１、７１および８１の弾性率が低下
して融着性が現れるように、各樹脂フィルム４１、５
１、６１、７１および８１が有するガラス転移温度以上
で融点未満の温度とされることが望ましい。

【００６１】これによって、樹脂フィルム４１、５１、
６１、７１および８１は、隣接する同士で熱融着されて
一体化するとともに、隣接する接続電極や配線回路同士
が、導電性ペーストの熱融着性により固着し、電気的に
接続される。さらに、これと同時に、ＩＣベアチップ５
３ａ、５３ｂ、７３ａおよび７３ｂがそれぞれキャビテ
ィ５３ｅ、５３ｆ、７３ｅおよび７３ｆの内部に熱圧着
され、スタッドバンプ５３ｃ、５３ｄ、７３ｃおよび７
３ｄが対応する配線回路に接続される。

【００６２】図６は、以上の製造工程によって形成され
た多層配線基板１００を示す断面図である。図６に示す
ように、各配線基板４〜８は、樹脂フィルム４１、５
１、６１、７１および８１の熱融着性により固着し、ま
た、導電性ペーストの熱融着性によって各配線基板４〜
８の間のビア接続がなされている。さらに、スタッドバ
ンプ５３ｃおよび５３ｄは、キャビティ５３ｅおよび５
３ｆの底部の樹脂フィルム５１を貫通して裏面の配線回
路に接続し、また、スタッドバンプ７３ｃおよび７３ｄ
は、キャビティ７３ｅおよび７３ｆの底部の樹脂フィル
ム７１を貫通して、裏面の配線回路に接続している。こ
れによって、必要な部分のみの確実な電気的接続がなさ
れている。

【００６３】以上の多層配線基板１００の製造方法で
は、ＩＣベアチップ５３ａ、５３ｂ、７３ａおよび７３
ｂの樹脂フィルム５１および７１への熱圧着と、各配線
基板４〜８の積層、固着とが同時に行われるとともに、
ＩＣベアチップ５３ａ、５３ｂ、７３ａおよび７３ｂと
対応する配線回路との間で確実に電気的接続が得られる
ため、少ない工数で高品質な多層配線基板１００を製造
することが可能となる。

【００６４】また、樹脂フィルム５１および７１上に、
あらかじめキャビティ５３ｅ、５３ｆ、７３ｅおよび７
３ｆが形成されていることにより、高価なアラインメン
ト機構を使用せずに、ＩＣベアチップ５３ａ、５３ｂ、
７３ａおよび７３ｂを容易に正確な位置に搭載すること
ができる。

【００６５】さらに、樹脂フィルム４１、５１、６１、
７１および８１の固着に、これらと熱膨張係数の異なる
接着剤を使用せず、熱融着により一体化するので、材料
コストが抑制されるとともに、環境温度に対する接着強
度の信頼性が高まる。

【００６６】なお、ＩＣベアチップ５３ａ、５３ｂ、７
３ａおよび７３ｂの樹脂フィルム５１および７１への搭
載は、各配線基板４〜８の積層工程に先立って行われて
もよい。この場合、例えば配線基板５について、ＩＣベ
アチップ５３ａおよび５３ｂを樹脂フィルム５１へ熱圧
着した後に電気検査を行い、スタッドバンプ５３ｃおよ
び５３ｄと対応する配線回路とが正確に接続されている
もののみ、積層工程に送るようにしてもよい。また、配
線基板７についても同様に、ＩＣベアチップ７３ａおよ
び７３ｂの熱圧着後に電気検査を行った上で、積層工程
に送るようにしてもよい。

【００６７】また、上記の多層配線基板１００の製造工
程では、各樹脂フィルム４１、５１、６１、７１および
８１へのパターン溝やキャビティ、ビア穴の熱成形時
と、積層時の２回に渡って加熱が行われる。従って、熱
履歴による樹脂フィルム４１、５１、６１、７１および
８１の融着性低下を防止するためには、熱成形時は、樹
脂フィルム４１、５１、６１、７１および８１の弾性力
が低下し始める、材料樹脂のガラス転移温度をわずかに
上回る温度下で行い、最終工程の積層時は、より融点に
近い温度下で行うことが望ましい。

【００６８】しかしながら、積層された各樹脂フィルム
４１、５１、６１、７１および８１の有する接着強度
は、耐熱性が高いことが望ましい。このためには、パタ
ーン溝等の熱成形前の平坦な樹脂フィルムの状態で非晶
性を有し、かつ分解温度未満の温度で結晶化するような
材料を使用することがより望ましい。このような材料を
使用した場合、ガラス転移温度をわずかに上回る温度下
で、パターン溝等の熱成形を行い、最終工程の積層を分
解温度未満のさらなる高温下で行う。これによって、積
層して各樹脂フィルム４１、５１、６１、７１および８
１が一体化される際に結晶化が進むため、完成した多層
配線基板１００の耐熱性がより高められる。

【００６９】次に、図７は、本発明の多層配線基板の第
２の実施形態例と、その製造工程について示す断面図で
ある。図７に示す実施形態例では、２つの配線基板９お
よび１０が積層された多層配線基板２００を示してい
る。この実施形態例では、樹脂フィルム９１および１０
１の厚さに対して、搭載される２つのＩＣベアチップ１
０３ａおよび１０３ｂの厚さが比較的厚くなっている。
この場合、樹脂フィルム１０１側のキャビティ１０３ｅ
および１０３ｆとともに、樹脂フィルム９１側にもキャ
ビティ９３ａおよび９３ｂを形成しておく。

【００７０】これによって、熱板９７ａおよび９７ｂに
よる押圧で、ＩＣベアチップ１０３ａおよび１０３ｂ
が、樹脂フィルム１０１側のキャビティ１０３ｅおよび
１０３ｆとともに、樹脂フィルム９１側のキャビティ９
３ａおよび９３ｂにもはめ込まれて熱圧着され、樹脂フ
ィルム９１および１０１が確実に接触して熱融着され
る。図７（Ｂ）に示すように、完成した多層配線基板２
００では、ＩＣベアチップ１０３ａおよび１０３ｂが、
樹脂フィルム９１および１０１の内部に完全に収容され
る。これとともに、スタッドバンプ１０３ｃおよび１０
３ｄが、配線回路１０２ａおよび１０２ｂに確実に接続
し、かつ、ＩＣベアチップ１０３ａおよび１０３ｂと、
対応する配線回路１０２ａおよび１０２ｂとの間に、樹
脂フィルム１０１による絶縁のための適度な厚さが確保
される。

【００７１】以上の各実施形態例では、樹脂フィルムに
対してＩＣベアチップを搭載した例について示したが、
これ以外にも、例えばパッケージ化された通常のＩＣチ
ップやコンデンサ、抵抗等の各種電子部品を搭載する場
合にも、スタッドバンプのような配線バンプを使用する
ことにより、同様に樹脂フィルム内に収容し、かつ配線
回路との確実な電気的接続を行うことが可能である。

【００７２】また、複数のＩＣベアチップ等の電子部品
が搭載されたモジュール基板を、さらに樹脂フィルム内
に収納することも可能である。以下、このような場合の
本発明の適用例について説明する。図８は、本発明の多
層配線基板の第３の実施形態例を示す断面図である。

【００７３】図８に示す多層配線基板３００では、配線
回路３０２ａおよび３０２ｂ等が形成された熱可塑性樹
脂を含有する樹脂フィルム３０１上に、キャビティ３０
３が設けられた構成を有する。そして、このキャビティ
３０３には、３つのＩＣベアチップ３１３ａ、３１３ｂ
および３１３ｃが搭載されたモジュール基板３１０が搭
載される。

【００７４】この場合、モジュール基板３１０はあらか
じめ別に形成され、熱成形によって樹脂フィルム３０１
上に設けられたキャビティ３０３に、このモジュール基
板３１０が載置された後、図示しない熱板によって上下
から押圧されることにより、モジュール基板３１０がキ
ャビティ３０３内に熱圧着される。この際、モジュール
基板３１０の具備するスタッドバンプ３１３ｄおよび３
１３ｅが、キャビティ３０３の底部の樹脂フィルム３０
１を貫通して、対応する配線回路３０２ａおよび３０２
ｂに接続する。これにより、必要な部分のみが確実に導
通されるとともに、高価なアラインメント機構を使用せ
ずに、モジュール基板３１０を容易に搭載することが可
能となる。

【００７５】次に、同様に複数の電子部品が搭載された
モジュール基板が収納された多層配線基板の構成例につ
いて説明する。図９は、本発明の多層配線基板の第４の
実施形態例を示す断面図である。

【００７６】図９に示す多層配線基板４００では、４層
の配線基板４１０、４２０、４３０および４４０の内部
に、モジュール基板４５０とＩＣベアチップ４６０とが
搭載された構成をなしている。各配線基板４１０、４２
０、４３０および４４０は、熱可塑性樹脂を含有する絶
縁性の樹脂フィルム４１１、４２１、４３１および４４
１を基材としてなり、モジュール基板４５０は樹脂フィ
ルム４２１および４３１の間に跨って収納されている。
このモジュール基板４５０の内部には、ＩＣベアチップ
４５３ａ、４５３ｂおよび４５３ｃが搭載されている。
また、ＩＣベアチップ４６０は、樹脂フィルム４４１の
内部に収納されている。

【００７７】このような多層配線基板４００では、例え
ば、図示しない一方の熱板上に樹脂フィルム４４１、Ｉ
Ｃベアチップ４６０、樹脂フィルム４３１、モジュール
基板４５０、樹脂フィルム４２１および４１１、図示し
ない他方の熱板の順で配置し、両熱板で挟み込む。これ
により、各樹脂フィルム４１１、４２１、４３１および
４４１の熱融着と、モジュール基板４５０と樹脂フィル
ム４２１および４３１との熱圧着、および、ＩＣベアチ
ップ４６０と樹脂フィルム４４１との熱圧着を同時に行
うことが可能である。本発明は、このように複数の電子
部品が搭載されたモジュール基板４５０や、ＩＣベアチ
ップ４６０等の電子部品が樹脂フィルム内に搭載される
多層配線基板４００に対しても適用可能である。

【００７８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の配線基板
では、熱可塑性樹脂を含有する絶縁樹脂基材の使用によ
り、接着剤を使用せずに熱圧着により電子部品を固着す
ることが可能となるとともに、凹部の形成により、電子
部品の搭載時の位置合わせが容易になる。また、電子部
品から突起した電極端子が、絶縁樹脂基材を貫通して裏
面の配線回路に接続する構造により、電極端子による接
続部以外での、電子部品と配線回路との絶縁が容易に確
実に行われる。従って、高品質な配線基板を低コストで
効率的に作製することができる。

【００７９】また、本発明の多層配線基板では、熱可塑
性樹脂を含有する絶縁樹脂基材の使用により、接着剤を
使用せずに、電子部品の固着および絶縁樹脂基材の積層
をそれぞれ熱圧着および熱融着により行うことが可能と
なる。また、凹部の形成により、電子部品の搭載時の位
置合わせが容易になる。さらに、電子部品から突起した
電極端子が、絶縁樹脂基材を貫通して裏面の配線回路に
接続する構造により、電極端子による接続部以外での、
電子部品と配線回路との絶縁が容易に確実に行われる。
従って、高品質で薄型の多層配線基板を低コストで効率
的に作製することができる。

【００８０】さらに、本発明の配線基板の製造方法で
は、熱可塑性樹脂を含有する絶縁樹脂基材の使用によ
り、接着剤を使用せずに熱圧着により電子部品を固着す
ることが可能となるとともに、凹部の形成により、電子
部品の搭載時の位置合わせが容易になる。また、電子部
品から突起した電極端子を、絶縁樹脂基材を貫通させて
裏面の配線回路に接続させることにより、電極端子によ
る接続部以外での、電子部品と配線回路との絶縁が容易
に確実に行われる。従って、高品質な配線基板を低コス
トで効率的に作製することができる。

【００８１】また、本発明の多層配線基板の製造方法で
は、熱可塑性樹脂を含有する絶縁樹脂基材の使用によ
り、接着剤を使用せずに、電子部品の固着および絶縁樹
脂基材の積層をそれぞれ熱圧着および熱融着により行う
ことが可能となる。また、凹部の形成により、電子部品
の搭載時の位置合わせが容易になる。さらに、電子部品
から突起した電極端子を、絶縁樹脂基材を貫通させて裏
面の配線回路に接続させることにより、電極端子による
接続部以外での、電子部品と配線回路との絶縁が容易に
確実に行われる。従って、高品質で薄型の多層配線基板
を低コストで効率的に作製することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の配線基板の第１の実施形態例を示す断
面図である。

【図２】本発明の配線基板の第２の実施形態例を示す断
面図である。

【図３】本発明の配線基板の第３の実施形態例について
の製造工程を説明するための断面図である。

【図４】本発明の配線基板の第３の実施形態例と、その
製造工程を説明するための断面図である。

【図５】本発明の多層配線基板の第１の実施形態例の製
造工程を説明するための断面図である。

【図６】本発明の多層配線基板の第１の実施形態例を示
す断面図である。

【図７】本発明の多層配線基板の第２の実施形態例と、
その製造工程例を示す断面図である。

【図８】本発明の多層配線基板の第３の実施形態例を示
す断面図である。

【図９】本発明の多層配線基板の第４の実施形態例を示
す断面図である。

【符号の説明】

１……配線基板、１１……樹脂フィルム、１２ａ、１２
ｂ……配線回路、１２ｃ、１２ｄ……パターン溝、１３
……ＩＣベアチップ、１３ａ……スタッドバンプ、１３
ｂ……キャビティ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｈ０５Ｋ 3/32 Ｃ 3/00 3/46 Ｇ 3/10 Ｑ 3/32 Ｔ 3/46 Ｗ Ｈ０１Ｌ 25/14 Ｚ Ｆターム(参考） 5E319 AA03 AA10 AB05 AC02 AC11 CC12 CD51 GG09 5E336 AA04 AA08 AA13 BB01 BB02 BB03 BB05 BB16 BC26 BC31 BC34 CC32 CC44 CC55 EE05 GG09 5E338 AA01 AA03 AA05 AA16 BB03 BB19 BB63 BB75 CC01 CD01 EE22 5E343 AA01 AA16 BB03 BB15 BB21 BB61 BB72 DD01 ER49 GG08 GG20 5E346 AA02 AA12 AA15 AA38 BB01 CC02 CC08 CC31 DD02 DD34 EE02 EE06 EE07 FF45 GG01 GG19 GG28 GG31 GG40 HH11 HH22 HH33

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁樹脂基材上に電子部品および配線回
   路が設けられた配線基板において、 前記絶縁樹脂基材は、熱可塑性樹脂を含有し、一方の面
   に、前記電子部品の外形と略同一の大きさの凹部が形成
   され、前記凹部の裏面対応部に、少なくとも前記電子部
   品との配線用の前記配線回路が形成されており、 前記電子部品は、突起した電極端子を有し、前記電極端
   子が前記凹部を貫通して、前記電子部品との配線用の前
   記配線回路と接続し、かつ前記絶縁樹脂基材の外周面か
   ら突出しないように前記凹部の内部に搭載される、 ことを特徴とする配線基板。
2. 【請求項２】 前記電子部品は、熱圧着により前記絶縁
   樹脂基材に固着されることを特徴とする請求項１記載の
   配線基板。
3. 【請求項３】 前記電子部品は、半導体ベアチップであ
   ることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
4. 【請求項４】 前記絶縁樹脂基材は、前記熱可塑性樹脂
   のみによって形成されることを特徴とする請求項１記載
   の配線基板。
5. 【請求項５】 前記絶縁樹脂基材は、熱硬化性樹脂と前
   記熱可塑性樹脂の混合樹脂によって形成されることを特
   徴とする請求項１記載の配線基板。
6. 【請求項６】 前記配線回路は、導電性ペーストによっ
   て形成されることを特徴とする請求項１記載の配線基
   板。
7. 【請求項７】 電子部品や配線回路が設けられた複数の
   絶縁樹脂基材が積層されてなる多層配線基板において、 前記複数の絶縁樹脂基材は熱可塑性樹脂を含有する材料
   によってなり、 前記複数の絶縁樹脂基材のうちの少なくとも１つは、 一方の面に、前記電子部品の外形と略同一の大きさの凹
   部が形成され、前記凹部の裏面対応部に、少なくとも前
   記電子部品との配線用の前記配線回路が形成されてお
   り、突起した電極端子を有する前記電子部品が、前記電
   極端子が前記凹部を貫通して前記電子部品との配線用の
   前記配線回路と接続し、かつ前記絶縁樹脂基材の外周面
   から突出しないように前記凹部の内部に搭載された前記
   絶縁樹脂基材である、 ことを特徴とする多層配線基板。
8. 【請求項８】 前記複数の絶縁樹脂基材は、積層時にお
   いて熱融着により一体化されることを特徴とする請求項
   ７記載の多層配線基板。
9. 【請求項９】 絶縁樹脂基材上に電子部品および配線回
   路が設けられた配線基板の製造方法において、 熱可塑性樹脂を含有する前記絶縁樹脂基材に対し、一方
   の面に、前記電子部品の外形と略同一の大きさの凹部を
   形成し、また前記凹部の裏面対応部に、少なくとも前記
   電子部品との配線用の前記配線回路を形成し、 突起した電極端子を有する前記電子部品を、前記電極端
   子の配設面を前記絶縁樹脂基材側として、前記絶縁樹脂
   基材の外周面から突出しないように前記凹部に熱圧着す
   るとともに、前記電極端子を前記凹部に貫通させて、前
   記電子部品との配線用の前記配線回路と前記電極端子と
   を接続させる、 ことを特徴とする配線基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記電子部品の前記凹部に対する熱圧
    着は、前記絶縁樹脂基材が結晶性樹脂の場合は、前記絶
    縁樹脂基材の有するガラス転移温度以上融点未満の温度
    下において行われ、非晶性樹脂の場合は、ガラス転移温
    度以上分解温度未満の温度下において行われることを特
    徴とする請求項９記載の配線基板の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記電子部品の略外形を模した凸形状
    を有する第１の転写治具と、前記配線回路のパターンを
    模した凸形状を有する第２の転写治具とによって、フィ
    ルム状に形成された前記絶縁樹脂基材を挟み込むととも
    に加熱することにより、前記凹部と、前記配線回路のパ
    ターンに対応するパターン溝とが前記絶縁樹脂基材上に
    形成され、 前記パターン溝に導電性ペーストを充填することにより
    前記配線回路が形成される、 ことを特徴とする請求項９記載の配線基板の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記絶縁樹脂基材に対する前記凹部お
    よび前記パターン溝の形成は、前記絶縁樹脂基材が結晶
    性樹脂の場合は、前記絶縁樹脂基材の有するガラス転移
    温度以上融点未満の温度下において行われ、非晶性樹脂
    の場合は、ガラス転移温度以上分解温度未満で行われる
    ことを特徴とする請求項１１記載の配線基板の製造方
    法。
13. 【請求項１３】 前記電子部品は、半導体ベアチップで
    あることを特徴とする請求項９記載の配線基板の製造方
    法。
14. 【請求項１４】 前記絶縁樹脂基材は、前記熱可塑性樹
    脂のみによって形成されることを特徴とする請求項９記
    載の配線基板の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記絶縁樹脂基材は、熱硬化性樹脂と
    前記熱可塑性樹脂の混合樹脂によって形成されることを
    特徴とする請求項９記載の配線基板の製造方法。
16. 【請求項１６】 電子部品や配線回路が設けられた複数
    の絶縁樹脂基材が積層されてなる多層配線基板の製造方
    法において、 前記複数の絶縁樹脂基材は熱可塑性樹脂を含有する材料
    によってなり、 前記複数の絶縁樹脂基材のうちの少なくとも１つは、 一方の面に、前記電子部品の外形と略同一の大きさの凹
    部を形成し、また前記凹部の裏面対応部に、少なくとも
    前記電子部品との配線用の前記配線回路を形成し、突起
    した電極端子を有する前記電子部品を、前記電極端子の
    配設面を前記絶縁樹脂基材側として、前記絶縁樹脂基材
    の外周面から突出しないように前記凹部に熱圧着し、前
    記電極端子を前記凹部に貫通させて、前記電子部品との
    配線用の前記配線回路と前記電極端子とを接続させるこ
    とによって形成され、 前記電子部品が接続された前記絶縁樹脂基材と、その他
    の前記絶縁樹脂基材とを相互に位置合わせして積層し、
    熱融着により一体化する、 ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
17. 【請求項１７】 前記電子部品の前記凹部に対する熱圧
    着、および、前記絶縁樹脂基材同士の熱融着は、前記各
    絶縁樹脂基材が結晶性樹脂の場合は、前記各絶縁樹脂基
    材の有するガラス転移温度以上融点未満の温度下におい
    て行われ、非晶性樹脂の場合は、ガラス転移温度以上分
    解温度未満の温度下で行われることを特徴とする請求項
    １６記載の多層配線基板の製造方法。
18. 【請求項１８】 前記電子部品が搭載される前記絶縁樹
    脂基材は、前記配線回路の形成および前記電子部品の熱
    圧着の後、前記配線回路と前記電子部品との導通を確認
    する電気検査を行ってから、他の前記絶縁樹脂基材と積
    層されることを特徴とする請求項１６記載の多層配線基
    板。
19. 【請求項１９】 電子部品や配線回路が設けられた複数
    の絶縁樹脂基材が積層されてなる多層配線基板の製造方
    法において、 前記複数の絶縁樹脂基材は熱可塑性樹脂を含有する材料
    によってなり、 前記複数の絶縁樹脂基材のうちの少なくとも１つについ
    ては、 一方の面に、前記電子部品の外形と略同一の大きさの凹
    部を形成し、また前記凹部の裏面対応部に、少なくとも
    前記電子部品との配線用の前記配線回路を形成し、 突起した電極端子を有する前記電子部品を、前記電極端
    子の配設面が前記絶縁樹脂基材側となるように前記凹部
    に配置し、 前記凹部の形成された前記絶縁樹脂基材と、その他の前
    記絶縁樹脂基材とを相互に位置合わせして押圧し、熱融
    着により一体化するとともに、前記絶縁樹脂基材の外周
    面から突出しないように前記電子部品を前記凹部に熱圧
    着し、かつ、前記電極端子を前記凹部に貫通させて、前
    記電子部品との配線用の前記配線回路と前記電極端子と
    を接続させる、 ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。