DE102019216753A1 - Verfahren zur Herstellung von Kernmaterial und Verfahren zur Herstellung von kupferkaschiertem Laminat - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Kernmaterial und Verfahren zur Herstellung von kupferkaschiertem Laminat Download PDF

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Abstract

Ein Verfahren zur Herstellung von planarisiertem Kernmaterial weist auf: einen Kernmaterial-Bildungsschritt zum Bilden eines Kernmaterials, das eine erste Fläche und eine der ersten Fläche gegenüberliegende zweite Fläche aufweist, durch Imprägnieren von Glasgewebe mit einem Kunstharz und Trocknen des Glasgewebes; und einen Kernmaterial-Planarisierungsschritt zum Planarisieren der ersten Fläche oder der zweiten Fläche des Kernmaterials durch Schleifbearbeitung oder Polierbearbeitung. Vorzugsweise ist eine Vielzahl von Stücken des Glasgewebes in dem Kernmaterial laminiert.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines planarisierten Kernmaterials, das bei der Herstellung eines kupferkaschierten Laminats verwendet wird, und ein Verfahren zur Herstellung des kupferkaschierten Laminats unter Verwendung des planarisierten Kernmaterials.
  • Beschreibung des verwandten Stands der Technik
  • Ein Bauelementchip, der in elektronischen Geräten wie einem Mobiltelefon, einem Personalcomputer oder ähnlichem verwendet wird, wird auf eine Leiterplatte gebondet und schließlich in das elektronische Gerät eingebaut. Ein kupferkaschiertes Laminat wird häufig für die Leiterplatte verwendet. Das kupferkaschierte Laminat wird beispielsweise durch das folgende Verfahren hergestellt. Zunächst wird Glasgewebe vorbereitet, das Glasgewebe wird mit einem Kunstharz (Lack) imprägniert und das Glasgewebe getrocknet. Als nächstes wird das Glasgewebe in eine vorbestimmte Größe geschnitten. Jedes in der vorbestimmten Größe geschnittene und gebildete Stück wird zu einem Kernmaterial, das als Prepreg bezeichnet wird. Dann wird ein kupferkaschiertes Laminat gebildet, wenn Kupferfolie auf beide Flächen des Kernmaterials (Prepreg) gelegt wird und das Kernmaterial mit der Kupferfolie auf dessen beiden Flächen unter Erwärmung von beiden Flächen aus gepresst wird. Übrigens kann ein kupferkaschiertes Laminat durch Laminieren einer Vielzahl von Stücken des Kernmaterials (Prepreg) und anschließendes Auflegen von Kupferfolie auf beiden Flächen gebildet werden. Dann kann eine Leiterplatte, die als Bauelementchip-Montageplatte dient, gebildet werden, wenn auf einer oder beiden Flächen des gebildeten kupferkaschierten Laminats eine Verdrahtungsschicht auf der Basis der Kupferfolie gebildet wird (siehe Japanische Patentoffenlegungs-Nr. S56-118853 und Japanische Patentoffenlegungs-Nr. S59-39546 ).
  • Eine als Flip-Chip-Bonden bezeichnete Montagetechnologie wurde vor kurzem in die Praxis umgesetzt, um den Platz eines für die Montage benötigten Bereichs zu sparen, wenn der Bauelementchip auf der Leiterplatte montiert wird. Beim Flip-Chip-Bonden ist eine Vielzahl von metallischen Vorsprüngen, die als Bumps bezeichnet werden, mit einer Höhe von etwa 10 bis 100 µm auf der Oberseite eines Bauelements ausgebildet, und diese Bumps werden den auf der Leiterplatte gebildeten Elektroden zugewandt und direkt mit den Elektroden gebondet. Das heißt, die Bumps fungieren als Anschlüsse des Bauelementchips.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Das Glasgewebe, das als Material für das Kernmaterial dient, wird durch das Weben von Glasfasern gebildet. Die Unebenheiten, die sich aus der Form der Glasfaser und der Verwebung der Glasfaser ergeben, sind auf der Oberseite und Unterseite des Kernmaterials vorhanden, das durch das oben beschriebene Verfahren gebildet wird. Eine unebene (bzw. ungleichmäßige) Form ist daher auch auf der Oberseite und Unterseite des kupferkaschierten Laminats vorhanden, das durch das oben beschriebene Verfahren hergestellt wurde. Wenn die unebene Form auf einer Montagefläche zum Zeitpunkt des Bondens des Bauelementchips auf die aus dem kupferkaschierten Laminat gebildete Leiterplatte vorhanden ist, werden die Anschlüsse des Bauelementchips möglicherweise nicht richtig gebondet. Ein solches Problem wird als „Bondfehler“ bezeichnet.
  • Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines planarisierten Kernmaterials, das bei der Herstellung eines kupferkaschierten Laminats verwendet werden kann, das einen Bondfehler eines Bauelementchips unterdrücken kann und des kupferkaschierten Laminats unter Verwendung des planarisierten Kernmaterials vorzusehen.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von planarisiertem Kernmaterial vorgesehen, das aufweist: einen Kernmaterial-Bildungsschritt zum Bilden eines Kernmaterials, das eine erste Fläche und eine der ersten Fläche gegenüberliegende zweite Fläche aufweist, durch Imprägnieren von Glasgewebe mit einem Kunstharz und Trocknen des Glasgewebes; und einen Kernmaterial-Planarisierungsschritt zum Planarisieren der ersten Fläche oder der zweiten Fläche des Kernmaterials durch Schleifbearbeitung oder Polierbearbeitung. Vorzugsweise ist eine Vielzahl von Stücken des Glasgewebes in dem Kernmaterial laminiert.
  • Ferner ist gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von kupferkaschiertem Laminat vorgesehen, das aufweist: einen Kernmaterial-Vorbereitungsschritt zum Vorbereiten eines Kernmaterials, das eine erste Fläche und eine der ersten Fläche gegenüberliegende zweite Fläche aufweist, und durch Imprägnieren von Glasgewebe mit einem Kunstharz und Trocknen des Glasgewebes gebildet ist; einen Kernmaterial-Planarisierungsschritt zum Planarisieren der ersten Fläche oder der zweiten Fläche des Kernmaterials durch Schleifbearbeitung oder Polierbearbeitung; und einen Schritt zum Bilden von kupferkaschiertem Laminat durch Anordnen von Kupferfolie auf der ersten Fläche und/oder der zweiten Fläche des Kernmaterials und Pressen des Kernmaterials und der Kupferfolie, während das Kernmaterial und die Kupferfolie erhitzt werden. Vorzugsweise ist eine Vielzahl von Stücken des Glasgewebes in dem Kernmaterial laminiert.
  • Ferner ist gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von kupferkaschiertem Laminat vorgesehen, das aufweist: einen Kernmaterial-Vorbereitungsschritt zum Vorbereiten eines Kernmaterials, das eine erste Fläche und eine der ersten Fläche gegenüberliegende zweite Fläche aufweist, und durch Imprägnieren von Glasgewebe mit einem Kunstharz und Trocknen des Glasgewebes gebildet ist; einen Kernmaterial-Planarisierungsschritt zum Planarisieren der ersten Fläche und/oder der zweiten Fläche des Kernmaterials durch Polierbearbeitung; und einen Schritt zum Bilden von kupferkaschiertem Laminat durch Anordnen von Kupferfolie auf der ersten Fläche und/oder der zweiten Fläche des Kernmaterials und Pressen des Kernmaterials und der Kupferfolie, während das Kernmaterial und die Kupferfolie erhitzt werden, wobei in dem Kernmaterial-Planarisierungsschritt eine zylindrische Polierwalze vorbereitet wird, und die Polierbearbeitung durchgeführt wird, indem die Polierwalze in Kontakt mit dem Kernmaterial gehalten wird, während die Polierwalze gedreht wird. Vorzugsweise ist eine Vielzahl von Stücken des Glasgewebes in dem Kernmaterial laminiert.
  • In einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Kernmaterial mit einer ersten Fläche und einer zweiten Fläche durch Imprägnieren von Glasgewebe mit einem Kunstharz und Trocknen des Glasgewebes gebildet, und die erste Fläche oder die zweite Fläche des gebildeten Kernmaterials wird durch Schleifen planarisiert. Danach kann ein kupferkaschiertes Laminat gebildet werden, wenn Kupferfolie auf der ersten Fläche und/oder der zweiten Fläche des Kernmaterials angeordnet wird und das Kernmaterial und die Kupferfolie unter Erwärmung gegeneinandergepresst werden Mindestens eine Fläche des Kernmaterials wird planarisiert, und Abweichungen in der partiellen Dicke des Kernmaterials werden verringert. Dadurch werden unebene Formen der Oberseite und Unterseite des gebildeten kupferkaschierten Laminats im Vergleich zu einem Fall, bei dem das Kernmaterial nicht planarisiert wird, verringert. Es ist daher möglich, das Auftreten eines Bondfehlers zu einem Zeitpunkt zu unterdrücken, an dem ein Bauelementchip an das kupferkaschierte Laminat gebondet wird.
  • Daher sieht die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines planarisierten Kernmaterials, das bei der Herstellung eines kupferkaschierten Laminats verwendet werden kann, das einen Bondfehler eines Bauelementchips unterdrücken kann und des kupferkaschierten Laminats unter Verwendung des planarisierten Kernmaterials vor.
  • Die oben genannten und anderen Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung sowie die Art und Weise ihrer Realisierung werden deutlicher werden durch, und die Erfindung selbst wird am besten verstanden durch, ein Studium der folgenden Beschreibung und der beigefügten Ansprüche unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen.
  • Figurenliste
    • 1 ist ein Diagramm, das die Bildung eines Kernmaterials schematisch darstellt;
    • 2 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Schleifvorrichtung schematisch darstellt;
    • 3 ist eine Schnittdarstellung, die einen Schritt zum Planarisieren einer Fläche des Kernmaterials schematisch darstellt;
    • 4A ist eine Seitenansicht, die das Kernmaterial und die Kupferfolie schematisch darstellt;
    • 4B ist eine Seitenansicht, die einen Schritt zum Bilden von kupferkaschiertem Laminat schematisch darstellt;
    • 4C ist eine perspektivische Ansicht, die ein kupferkaschiertes Laminat schematisch darstellt;
    • 5A ist eine perspektivische Ansicht, die eine Poliervorrichtung mit einer Polierwalze schematisch darstellt; und
    • 5B ist eine Seitenansicht, die die Poliervorrichtung mit der Polierwalze schematisch darstellt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Die Bildung eines Kernmaterials (Prepreg), das durch ein Herstellungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform planarisiert wird, wird zunächst unter Bezugnahme auf 1 beschrieben. 1 ist ein Diagramm, das die Bildung eines Kernmaterials schematisch darstellt.
  • Ein Kernmaterial 5 wird beispielsweise unter Verwendung einer in 1 dargestellten Kernmaterial-Herstellungsvorrichtung 2 hergestellt. Die Kernmaterial-Herstellungsvorrichtung 2 enthält eine Imprägnierungswanne 4, in der ein flüssiges Kunstharz (Lack) gelagert wird, eine Heizvorrichtung 6 und eine Schneidvorrichtung 8. Das Kernmaterial 5 ist aus Glasgewebe gebildet, das durch Weben von Glasfasern gebildet wird. Eine Glasgeweberolle 1 mit rollenförmig gewickeltem Glasgewebe wird in der Kernmaterial-Herstellungsvorrichtung 2 platziert, und ein bandförmiges Glasgewebe 3 wird von der Glasgeweberolle 1 abgezogen. Dann wird das Glasgewebe 3 in ein Kunstharz 4a der Imprägnierungswanne 4 geführt, um das Glasgewebe 3 mit dem Kunstharz 4a zu imprägnieren. Übrigens ist das Kunstharz 4a ein Harz in einem Zustand vor der Aushärtung, wobei das Harz z.B. ein Epoxidharz, ein Phenolharz, ein Polyetheretherketon (PEEK)-Harz oder dergleichen ist. Anschließend wird das mit dem Kunstharz 4a imprägnierte Glasgewebe 3 durch die Heizvorrichtung 6 geführt. Die Heizvorrichtung 6 erhitzt und trocknet das Glasgewebe 3 und härtet das mit dem Glasgewebe 3 imprägnierte Kunstharz 4a aus. Die Schneidvorrichtung 8 schneidet danach das Glasgewebe 3 in eine vorbestimmte Größe. Dann wird das Kernmaterial 5 gebildet. Übrigens kann das Kernmaterial 5 durch Laminieren mehrerer Stücke von Glasgewebe 3 gebildet sein. 1 zeigt einen Fall, in dem das Kernmaterial 5 aus einem einlagigen Glasgewebe 3 gebildet ist, und einen Fall, in dem das Kernmaterial 5 durch Laminieren mehrerer Stücke Glasgewebe 3 gebildet ist.
  • Das gebildete Kernmaterial 5 hat eine erste Fläche und eine der ersten Fläche gegenüberliegende zweite Fläche. Eine Kupferfolie wird auf der ersten Fläche und/oder der zweiten Fläche des gebildeten Kernmaterials 5 angeordnet, und ein kupferkaschiertes Laminat kann gebildet werden, wenn das Kernmaterial 5 und die Kupferfolie unter Erwärmung gegeneinandergepresst werden. Hier ist das Glasgewebe 3 durch Weben von Glasfasern gebildet. Die Unebenheiten, die sich aus der Form der Glasfaser und der Verwebung der Glasfaser ergeben, sind auf der ersten Fläche und der zweiten Fläche des Kernmaterials 5 vorhanden, die durch das oben beschriebene Verfahren gebildet wurden. Eine unebene Form ist daher auch auf der Oberseite und Unterseite des kupferkaschierten Laminats vorhanden, das nach dem oben beschriebenen Verfahren hergestellt wurde. Dementsprechend planarisiert ein Verfahren zur Herstellung von Kernmaterial gemäß der vorliegenden Ausführungsform die erste Fläche oder die zweite Fläche des Kernmaterials 5, bevor die Kupferfolie an dem Kernmaterial 5 angeordnet wird und das Kernmaterial 5 und die Kupferfolie während dem Erwärmen des Kernmaterials 5 und der Kupferfolie gepresst wird. Die Größe der unebenen Form auf dem planarisierten Kernmaterial 5 wird im Vergleich zu dem Kernmaterial 5 vor dem Planarisieren verringert. In diesem Fall wird auch die Größe der unebenen Form des anschließend gebildeten kupferkaschierten Laminats verringert.
  • Als Nächstes wird jeder Schritt des Verfahrens zur Herstellung des planarisierten Kernmaterials gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben. Bei dem Verfahren zur Herstellung des planarisierten Kernmaterials wird ein Vorbereitungsschritt durchgeführt, bei dem das Kernmaterial 5, das durch Imprägnieren des Glasgewebes mit einem Kunstharz und Trocknen des Glasgewebes gebildet ist, vorbereitet wird. Der Vorbereitungsschritt bereitet das nach dem oben beschriebenen Verfahren hergestellte Kernmaterial 5 vor.
  • Als nächstes wird bei dem Herstellungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform ein Kernmaterial-Planarisierungsschritt durchgeführt, bei dem das Kernmaterial 5 durch Schleifbearbeitung planarisiert wird. Der Kernmaterial-Planarisierungsschritt wird beispielsweise mit einer in 2 dargestellten Schleifvorrichtung durchgeführt. 2 ist eine perspektivische Ansicht, die die Schleifvorrichtung schematisch darstellt. Die Schleifvorrichtung 10, die im Kernmaterial-Planarisierungsschritt verwendet wird, hat eine Basis 12, die jede Konfiguration unterstützt. Eine Öffnung 12a ist in einer Oberseite der Basis 12 vorgesehen. In der Öffnung 12a ist ein X-Achsen-Bewegungstisch 14 vorgesehen, auf dessen Oberseite ein Aufnahmetisch 16 montiert ist, wobei der Aufnahmetisch 16 das Kernmaterial 5 ansaugt und hält. Der X-Achsen-Bewegungstisch 14 ist durch einen nicht abgebildeten X-Achsenrichtungs-Bewegungsmechanismus in X-Achsenrichtung bewegbar. Die Oberseite des Aufnahmetisches 16 dient als Haltefläche 16a, die das Kernmaterial 5 hält. Der Aufnahmetisch 16 enthält innen einen Saugkanal, dessen eines Ende mit der Haltefläche 16a des Aufnahmetisches 16 kommuniziert und dessen anderes Ende mit einer nicht abgebildeten Saugquelle verbunden ist. Beim Betätigen der Saugquelle wirkt ein Unterdruck auf das auf der Haltefläche 16a montierte Kernmaterial 5, so dass das Kernmaterial 5 angesaugt und auf dem Aufnahmetisch 16 gehalten wird. Ferner ist der Aufnahmetisch 16 um eine Achse in einer Richtung senkrecht zur Haltefläche 16a drehbar.
  • Eine Schleifeinheit 18, die das Kernmaterial 5 schleift, ist oberhalb des Aufnahmetisches 16 angeordnet. Ein Stützabschnitt 12b ist auf einem hinteren Endteil der Basis 12 der Schleifvorrichtung 10 errichtet. Der Stützabschnitt 12b lagert die Schleifeinheit 18. Die Schleifeinheit 18 ist in vertikaler Richtung durch einen Z-Achsen-Bewegungsmechanismus 20 bewegbar, der auf einer Vorderseite des Stützabschnitts 12b angeordnet ist. Der Z-Achsen-Bewegungsmechanismus 20 enthält: ein Paar Z-Achsen-Führungsschienen 22, die sich in Z-Achsenrichtung auf der Vorderseite des Stützabschnitts 12b erstrecken; und eine Z-Achsen-Bewegungsplatte 24, die gleitend an jeder der Z-Achsen-Führungsschienen 22 befestigt ist. Ein Mutternabschnitt (nicht abgebildet) ist auf der Unterseite (Rückseite) der Z-Achsen-Bewegungsplatte 24 vorgesehen. Eine Z-Achsen-Kugelgewindespindel 26 parallel zu den Z-Achsen-Führungsschienen 22 ist in den Mutternabschnitt eingeschraubt. Ein Z-Achsen-Schrittmotor 28 ist mit einem Endabschnitt der Z-Achsen-Kugelgewindespindel 26 gekoppelt. Wenn die Z-Achsen-Kugelgewindespindel 26 durch den Ein Z-Achsen-Schrittmotor 28 gedreht wird, bewegt sich die Z-Achsen-Bewegungsplatte 24 in Z-Achsenrichtung entlang den Z-Achsen-Führungsschienen 22.
  • Die Schleifeinheit 18 ist an einem unteren Abschnitt an der Oberseite der Z-Achsen-Bewegungsplatte 24 befestigt. Die Schleifeinheit 18 kann in Z-Achsenrichtung bewegt werden, wenn die Z-Achsen-Bewegungsplatte 24 in Z-Achsenrichtung bewegt wird. Die Schleifeinheit 18 weist auf: eine Spindel 32, die von einem Motor gedreht wird, der mit einer Basis-Endseite der Spindel 32 gekoppelt ist; und eine Schleifscheibe 36, die an einer Halterung 34 befestigt ist, die an einer distalen Endseite der Spindel 32 angeordnet ist. Der Motor ist in einem Spindelgehäuse 30 untergebracht. Wenn der Motor betätigt wird, dreht sich die Schleifscheibe 36 entsprechend der Drehung der Spindel 32. An der Unterseite der Schleifscheibe 36 ist ein Schleifstein 38 angebracht. Das Kernmaterial 5 wird geschliffen, wenn die Schleifscheibe 36 durch Drehen der Spindel 32 gedreht wird, die Schleifeinheit 18 in Z-Achsenrichtung abgesenkt wird und ein unteres Ende des Schleifsteins 38 mit dem Kernmaterial 5 in Kontakt gebracht wird. Eine geschliffene Fläche des Kernmaterials 5 wird planarisiert, wenn die Schleifeinheit 18 auf eine vorbestimmte Höhenposition abgesenkt wird. Der Schleifstein 38 wird durch Dispergieren von Schleifkörnern in einem Bindemittel gebildet. Das Verfahren zur Herstellung von Kernmaterial gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung verwendet vorzugsweise den einen Schleifstein 38, dessen Körnung (#) etwa 320 bis 600 beträgt. Es besteht die Befürchtung, bei der Schleifbearbeitung eine Belastung oder ähnliches zu verursachen, wenn ein Schleifstein mit einer zu kleinen Körnung verwendet wird.
  • Bei dem Kernmaterial-Planarisierungsschritt wird zunächst das Kernmaterial 5 auf der Haltefläche 16a des Aufnahmetisches 16 platziert, und der Aufnahmetisch 16 wird durch Betätigen der Saugquelle (nicht abgebildet) des Aufnahmetisches 16 zum Ansaugen und Halten des Kernmaterials 5 gebracht. Als nächstes wird der X-Achsen-Bewegungstisch 14 in eine Position unterhalb der Schleifeinheit 18 bewegt. Dann wird die Schleifscheibe 36 abgesenkt, während der Aufnahmetisch 16 und die Schleifscheibe 36 gedreht werden. 3 ist eine Schnittdarstellung, die schematisch einen Schritt zum Planarisieren der ersten Fläche des Kernmaterials darstellt. Wie in 3 dargestellt, wird die erste Fläche geschliffen, wenn der auf der Schleifscheibe 36 angebrachte Schleifstein 38 mit der ersten Fläche des Kernmaterials 5 in Kontakt ist. Die erste Fläche wird somit planarisiert.
  • Übrigens kann bei dem Kernmaterial-Planarisierungsschritt die zweite Fläche anstelle der ersten Fläche des Kernmaterials 5 geschliffen werden. Wenn die erste oder die zweite Fläche des Kernmaterials durch die Schleifbearbeitung planarisiert wird, erhält man das Kernmaterial 5, das planarisiert ist und dessen unebene Form daher verringert wird. Wenn das planarisierte Kernmaterial 5 zur Bildung eines kupferkaschierten Laminats verwendet wird, kann ein flaches kupferkaschiertes Laminat gebildet werden. Ein Montagefehler tritt nicht leicht auf, wenn eine Leiterplatte aus dem flachen kupferkaschierten Laminat gebildet und ein Bauelementchip auf die Leiterplatte gebondet wird. Das Kernmaterial 5 ist beispielsweise mit einer Dicke von ca. 400 bis 800 µm ausgebildet, und die erste oder die zweite Fläche wird durch die Schleifbearbeitung um ca. 20 bis 40 µm geschliffen. Das heißt, von jeder Fläche des Kernmaterials 5 wird durch die Schleifbearbeitung eine Dicke von ca. 5% bezogen auf die Dicke des Kernmaterials 5 abgetragen.
  • Als nächstes wird ein Verfahren zur Bildung eines kupferkaschierten Laminats mit einer flachen Oberseite und einer flachen Unterseite beschrieben. Bei einem Verfahren zur Herstellung des kupferkaschierten Laminats wird zunächst ein Vorbereitungsschritt für das planarisierte Kernmaterial durchgeführt, bei dem das planarisierte Kernmaterial, das durch das oben beschriebene Verfahren zur Herstellung von planarisiertem Kernmaterial hergestellt wurde, vorbereitet wird. Als nächstes wird ein Schritt zum Bilden von kupferkaschiertem Laminat durchgeführt. Bei dem Schritt zum Bilden von kupferkaschiertem Laminat wird zunächst Kupferfolie auf der ersten Fläche und/oder der zweiten Fläche des planarisierten Kernmaterials 5 angeordnet. Die folgende Beschreibung erfolgt am Beispiel eines Falles, bei dem die Kupferfolie sowohl auf der ersten als auch auf der zweiten Fläche angeordnet ist. 4A ist eine Seitenansicht, die das planarisierte Kernmaterial und die Kupferfolie schematisch darstellt. Die Kupferfolie 7, die auf beiden Flächen des Kernmaterials 5 angeordnet ist, ist in einer planaren Form ähnlich der des Kernmaterials 5 ausgebildet.
  • Als nächstes wird das Kernmaterial 5, das auf beiden Flächen mit der Kupferfolie 7 versehen ist, unter Erwärmung von beiden Flächen aus gepresst. Eine in 4B dargestellte Heiz- und Pressvorrichtung 40 wird beispielsweise zum Erwärmen und Pressen des Kernmaterials 5 verwendet. Hier ist 4B eine Seitenansicht, die schematisch den Schritt zum Bilden von kupferkaschiertem Laminat darstellt. Die Heiz- und Pressvorrichtung 40 enthält zum Beispiel ein Paar obere und untere Pressplatten 40a und hat die Funktion, das Paar Pressplatten 40a in Annäherungsrichtung zu bewegen. Eine Heizvorrichtung wie beispielsweise ein Heizgerät oder ähnliches ist in einer oder beiden der beiden Pressplatten 40a angeordnet. Wenn das Kernmaterial 5 unter Erwärmung von beiden Flächen aus gepresst werden soll, wird das Kernmaterial 5 mit der auf beiden Flächen angeordneten Kupferfolie 7 in eine Position zwischen dem Paar Pressplatten 40a gebracht, und das Paar Pressplatten 40a wird in Annäherungsrichtung bewegt, während die Heizvorrichtung betrieben wird. Dann wird das Kernmaterial 5 unter Erwärmung gepresst, so dass die Kupferfolie 7 auf dem Kernmaterial 5 befestigt wird. Somit wird ein kupferkaschiertes Laminat gebildet.
  • Das gebildete kupferkaschierte Laminat ist in 4C dargestellt. 4C ist eine perspektivische Ansicht, die das kupferkaschierte Laminat schematisch darstellt. Wenn der Schritt zum Bilden von kupferkaschiertem Laminat durchgeführt wird, wird ein kupferkaschiertes Laminat 9 gebildet, bei dem die Kupferfolie 7 an beiden Flächen des planarisierten Kernmaterials 5 befestigt ist. Übrigens kann beim Kernmaterial-Planarisierungsschritt die Größe der unebenen Formen beider Flächen durch Schleifen sowohl der ersten als auch der zweiten Fläche des Kernmaterials 5 verringert werden. Wenn das Kernmaterial jedoch durch Schleifen beider Flächen planarisiert wird, nimmt der Herstellungsschritt des Kernmaterials (kupferkaschiertes Laminat) mehr Zeit in Anspruch als in einem Fall, in dem die Schleifbearbeitung nur auf einer Fläche erfolgt.
  • In einem Fall, in dem das Auftreten eines Bondfehlers ausreichend unterdrückt werden kann, indem nur eine Fläche des Kernmaterials 5 geschliffen wird und somit die Größe der unebenen Form verringert wird, kann die für den Kernmaterial-Herstellungsschritt benötigte Zeit verkürzt werden, indem die Schleifbearbeitung auf einer Fläche durchgeführt wird. Das Verfahren zur Herstellung von Kernmaterial und das Verfahren zur Herstellung von kupferkaschiertem Laminat gemäß der vorliegenden Ausführungsform sind jedoch nicht auf den Fall des Schleifens nur einer Fläche des Kernmaterials 5 beschränkt. Während der Fall beschrieben wurde, in dem das Kernmaterial durch die Schleifvorrichtung im Kernmaterial-Planarisierungsschritt geschliffen wird, kann das Kernmaterial 5 im Kernmaterial-Planarisierungsschritt durch ein anderes Verfahren planarisiert werden. Zum Beispiel kann das Kernmaterial 5 durch eine Polierbearbeitung anstelle der Schleifbearbeitung planarisiert werden. Nachfolgend wird ein Fall beschrieben, bei dem die erste Fläche oder die zweite Fläche des Kernmaterials 5 im Kernmaterial-Planarisierungsschritt durch die Polierbearbeitung planarisiert wird.
  • Es wird eine Poliervorrichtung beschrieben, die bei dem Kernmaterial-Planarisierungsschritt verwendet wird. 5A ist eine perspektivische Ansicht, die schematisch die Konfiguration eines Teils einer Poliervorrichtung 42 darstellt. 5B ist eine Seitenansicht, die schematisch die Konfiguration eines Teils der Poliervorrichtung 42 zeigt. Die in 5A und 5B dargestellte Poliervorrichtung 42 ist eine Walzenpoliervorrichtung. Die bei dem Kernmaterial-Planarisierungsschritt verwendete Poliervorrichtung ist jedoch nicht auf die Walzenpoliervorrichtung beschränkt, sondern kann eine Poliervorrichtung mit einem Polierkissen mit einer flachen Polieroberfläche sein. Die Poliervorrichtung 42 enthält zum Beispiel eine zylindrische Polierwalze 44 und einer über der Polierwalze 44 angeordnete Stützwalze 46. Ein Poliertuch ist zum Beispiel auf einer Seitenfläche 44a der Polierwalze 44 angeordnet. Das Poliertuch liegt an dem Kernmaterial 5 an und poliert das Kernmaterial 5. Zusätzlich enthält die Poliervorrichtung 42 eine Vielzahl von Förderwalzen 48, die das Kernmaterial 5 fördern. Das Kernmaterial 5 wird transportiert, indem es zwischen einem Paar vertikal angeordneter Förderwalzen 48 eingeschichtet ist.
  • 5A und 5B zeigen einen Satz der Polierwalze 44 und der Stützwalze 46. Ferner zeigt 5A einen Satz oberer und unterer Förderwalzen 48, die ein Paar bilden. Zusätzlich sind in 5B drei Sätze von oberen und unteren Förderwalzen 48 dargestellt, die Paare bilden. Der Radius der Stützwalze 46 ist im Wesentlichen gleich dem Radius der Förderwalzen 48 und kleiner als der Radius der Polierrolle 44. Die Polierwalze 44, die Stützwalze 46 und die Förderwalzen 48 haben eine Breite, die größer als eine Seite des Kernmaterials 5 ist. Eine nicht abgebildete Rotationsantriebsquelle ist mit jeder Walze verbunden.
  • Jede Walze wird gedreht, wenn das Kernmaterial 5 in der Poliervorrichtung 42 poliert wird. Dabei sind die Drehrichtung der auf einer Oberseite angeordneten Walzen und die Drehrichtung der auf einer Unterseite angeordneten Walzen entgegengesetzt zueinander. Zu diesem Zeitpunkt wird eine Bewegungsbahn des Kernmaterials 5 in der Poliervorrichtung 42 zwischen den auf der Oberseite und den auf der Unterseite angeordneten Walzen gebildet. Beim Polieren des Kernmaterials 5 werden die Drehzahl der Stützwalze 46 und die Drehzahl jeder Förderwalze 48 zueinander gleich eingestellt, wohingegen die Drehzahl der Polierwalze 44 zum Zwecke des Polierens des Kernmaterials 5 höher als die der Stützwalze 46 und jeder Förderwalze 48 eingestellt wird. Dann wird das Kernmaterial 5 in die Bewegungsbahn eingeführt, und das Kernmaterial 5 wird durch Polierbearbeitung planarisiert, indem die Polierwalze 44 in Kontakt mit der ersten Fläche oder der zweiten Fläche des Kernmaterials 5 gehalten wird, während die Polierwalze 44 gedreht wird.
  • Übrigens, wie in 5A und 5B dargestellt, wird in dem Fall, in dem die Polierwalze 44 auf der Unterseite angeordnet ist, die Unterseite des Kernmaterials 5 poliert. Andererseits kann in der Poliervorrichtung 42 die Polierwalze 44 auf der Oberseite und die Stützwalze 46 auf der Unterseite angeordnet sein. In diesem Fall wird die Oberseite des in die Poliervorrichtung 42 eingeführten Kernmaterials 5 poliert. Die Poliervorrichtung 42 enthält ferner eine Zufuhrdüse für Polierflüssigkeit (nicht abgebildet) in der Nähe der Polierwalze 44. Während des Polierens des Kernmaterials 5 wird der Polierwalze 44 und dem Kernmaterial 5 von der Zufuhrdüse für Polierflüssigkeit eine Polierflüssigkeit zugeführt. Dann wird der beim Polieren des Kernmaterials 5 anfallende Polierstaub in die Polierflüssigkeit aufgenommen und entfernt.
  • Wie oben beschrieben, wird bei dem Verfahren zur Herstellung von Kernmaterial in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform das planarisierte Kernmaterial 5 hergestellt. Ferner wird bei dem Verfahren zur Herstellung von kupferkaschiertem Laminat gemäß der vorliegenden Ausführung das kupferkaschierte Laminat 9 unter Verwendung des planarisierten Kernmaterials 5 hergestellt. Daher ist das gebildete kupferkaschierte Laminat 9 auch flach. Wenn das kupferkaschierte Laminat 9 planarisiert ist, wird das Auftreten eines Bondfehlers unterdrückt, wenn ein Bauelementchip an das kupferkaschierte Laminat 9 gebondet wird.
  • Es ist zu beachten, dass sich die vorliegende Erfindung nicht auf die Beschreibung der vorstehenden Ausführungsform beschränkt, sondern auf verschiedene Weise modifiziert und ausgeführt werden kann. Zum Beispiel wurde in der obigen Ausführungsform ein Fall beschrieben, in dem die Poliervorrichtung 42 mit einer Polierwalze 44 die erste Fläche oder die zweite Fläche des Kernmaterials 5 im Kernmaterial-Planarisierungsschritt poliert. Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel können im Kernmaterial-Planarisierungsschritt beide Flächen des Kernmaterials 5 durch Polieren unter Verwendung einer Walzenpoliervorrichtung mit zwei Polierwalzen planarisiert werden, d.h. einer auf der Oberseite der Bewegungsbahn des Kernmaterials 5 angeordneten Polierwalze und einer auf der Unterseite der Bewegungsbahn angeordneten Polierwalze. In diesem Fall wird beim Kernmaterial-Planarisierungsschritt eine Walzenpoliervorrichtung mit zwei Polierwalzen verwendet, d.h. eine erste Polierwalze poliert die erste Fläche des Kernmaterials 5 und eine zweite Polierwalze poliert die zweite Fläche des Kernmaterials 5. In diesem Fall können die erste Fläche und die zweite Fläche des Kernmaterials 5 in einem Vorgang poliert werden. Obwohl beide Flächen des Kernmaterials 5 durch Polierbearbeitung planarisiert werden, verlängert sich dadurch die für die Bearbeitung benötigte Zeit im Vergleich zu dem Fall, in dem eine Fläche des Kernmaterials 5 poliert wird, nicht.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert, und alle Änderungen und Modifikationen, die in den Äquivalenzbereich des Umfangs der Ansprüche fallen, sind daher von der Erfindung umfasst.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP S56118853 [0002]
    • JP S5939546 [0002]

Claims (6)

  1. Verfahren zur Herstellung von planarisiertem Kernmaterial, aufweisend: einen Kernmaterial-Bildungsschritt zum Bilden eines Kernmaterials, das eine erste Fläche und eine der ersten Fläche gegenüberliegende zweite Fläche aufweist, durch Imprägnieren von Glasgewebe mit einem Kunstharz und Trocknen des Glasgewebes; und einen Kernmaterial-Planarisierungsschritt zum Planarisieren der ersten Fläche oder der zweiten Fläche des Kernmaterials durch Schleifbearbeitung oder Polierbearbeitung.
  2. Verfahren zur Herstellung von planarisiertem Kernmaterial nach Anspruch 1, bei dem eine Vielzahl von Stücken des Glasgewebes in dem Kernmaterial laminiert ist.
  3. Verfahren zur Herstellung von kupferkaschiertem Laminat, aufweisend: einen Kernmaterial-Vorbereitungsschritt zum Vorbereiten eines Kernmaterials, das eine erste Fläche und eine der ersten Fläche gegenüberliegende zweite Fläche aufweist, und durch Imprägnieren von Glasgewebe mit einem Kunstharz und Trocknen des Glasgewebes gebildet ist; einen Kernmaterial-Planarisierungsschritt zum Planarisieren der ersten Fläche oder der zweiten Fläche des Kernmaterials durch Schleifbearbeitung oder Polierbearbeitung; und einen Schritt zum Bilden von kupferkaschiertem Laminat durch Anordnen von Kupferfolie auf der ersten Fläche und/oder der zweiten Fläche des Kernmaterials und Pressen des Kernmaterials und der Kupferfolie, während das Kernmaterial und die Kupferfolie erhitzt werden.
  4. Verfahren zur Herstellung von kupferkaschiertem Laminat nach Anspruch 3, bei dem eine Vielzahl von Stücken des Glasgewebes in dem Kernmaterial laminiert ist.
  5. Verfahren zur Herstellung von kupferkaschiertem Laminat, aufweisend: einen Kernmaterial-Vorbereitungsschritt zum Vorbereiten eines Kernmaterials, das eine erste Fläche und eine der ersten Fläche gegenüberliegende zweite Fläche aufweist, und durch Imprägnieren von Glasgewebe mit einem Kunstharz und Trocknen des Glasgewebes gebildet ist; einen Kernmaterial-Planarisierungsschritt zum Planarisieren der ersten Fläche und/oder der zweiten Fläche des Kernmaterials durch Polierbearbeitung; und einen Schritt zum Bilden von kupferkaschiertem Laminat durch Anordnen von Kupferfolie auf der ersten Fläche und/oder der zweiten Fläche des Kernmaterials und Pressen des Kernmaterials und der Kupferfolie, während das Kernmaterial und die Kupferfolie erhitzt werden, wobei in dem Kernmaterial-Planarisierungsschritt eine zylindrische Polierwalze vorbereitet wird, und die Polierbearbeitung durchgeführt wird, indem die Polierwalze in Kontakt mit dem Kernmaterial gehalten wird, während die Polierwalze gedreht wird.
  6. Verfahren zur Herstellung von kupferkaschiertem Laminat nach Anspruch 5, bei dem eine Vielzahl von Stücken des Glasgewebes in dem Kernmaterial laminiert ist.
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