DE102019216066A1 - Halbleiterherstellungseinrichtung und Halbleiterherstellungsverfahren - Google Patents

Halbleiterherstellungseinrichtung und Halbleiterherstellungsverfahren Download PDF

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Abstract

Eine Halbleiterherstellungseinrichtung umfasst eine Aufspannplattform (8), eine Reinigungsdüse (2), einen Scanmechanismus (11) für eine Reinigungsdüse, einen Plattform-Drehmechanismus (12) und eine Halteplattform (41), die eine Düse (41a) für ein Haltefluid und eine Kopfplatte (41b) umfasst, wobei die Düse (41a) für ein Haltefluid dafür konfiguriert ist, ein Haltefluid (5) zu einer gegenüberliegenden Oberfläche eines Wafers (1) auszustoßen, die einer Bearbeitungsoberfläche entgegengesetzt ist, wobei die Kopfplatte (41b) eine der gegenüberliegenden Oberfläche des Wafers (1) zugewandte Hauptoberfläche aufweist und wobei die Düse (41a) für ein Haltefluid einer Mitte statt einem Umfangsteilbereich der Kopfplatte (41b) benachbart angeordnet ist. Es wird veranlasst, dass das aus der Düse (41a) für ein Haltefluid ausgestoßene Haltefluid (5) durch eine Zone zwischen der gegenüberliegenden Oberfläche des Wafers (1) und der einen Hauptoberfläche der Kopfplatte (41b) strömt, um eine Haltekraft zu erzeugen, und die Haltekraft bewirkt, dass die gegenüberliegende Oberfläche einen Druck hält, der auf die Bearbeitungsoberfläche des Wafers (1) durch ein aus der Reinigungsdüse (2) ausgestoßenes Reinigungsfluid (3) beaufschlagt wird.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Technik zum Ausstoßen eines Fluids zu einem Halbleiterwafer, um Fremdsubstanzen zu entfernen.
  • Beschreibung des allgemeinen Standes der Technik
  • Während eines Halbleiterherstellungsprozesses können manchmal Fremdsubstanzen wie etwa feine Teilchen und Staub an einer Bearbeitungsoberfläche eines Halbleiterwafers haften. Solche Fremdsubstanzen verursachen beispielsweise eine Fehlfunktion einer Schaltung, und folglich ist es notwendig, die an der Bearbeitungsoberfläche des Halbleiterwafers haftenden Fremdsubstanzen zu entfernen. Ein Beispiel eines Verfahrens zum Entfernen von an der Bearbeitungsoberfläche des Halbleiterwafers haftenden Fremdsubstanzen umfasst eine Technik zum Ausstoßen eines Fluids zu einer Bearbeitungsoberfläche des Halbleiterwafers (siehe zum Beispiel offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. 2017-188695 ).
  • Es wird eine Beschreibung einer häufig verwendeten Technik zum Ausstoßen eines Fluids zu der Bearbeitungsoberfläche des Halbleiterwafers gegeben. Im Folgenden wird auf den „Halbleiterwafer“ einfach als „Wafer“ verwiesen. Der Vereinfachung halber wird eine Beschreibung nur eines Teilbereichs gegeben, der einen Zusammenhang zwischen einem Wafer und einem Aufspannstift repräsentiert. Der Wafer ist gegen die Schwerkraft durch einen Abstützstift abgestützt und wird durch den Aufspannstift in radialer Richtung gehalten. In diesem Zustand wird der Wafer bearbeitet, während er zusammen mit einer Aufspannplattform gedreht wird.
  • Wenn der Wafer abgedünnt ist, kann ein Druck eines Scrubbing- bzw. Reinigungsfluids, das aus einer Scrubber- bzw. Reinigungsdüse auf die Bearbeitungsoberfläche des Wafers ausgestoßen wird, bewirken, dass der Wafer leicht verformt wird, und eine der Bearbeitungsoberfläche entgegengesetzte Oberfläche mit der Aufspannplattform in Kontakt bringen, und der Kontakt kann den Wafer beschädigen. Dies steht einer ausreichenden Druckerhöhung des Reinigungsfluids, um Fremdsubstanzen zu entfernen, entgegen, und dementsprechend ergibt sich ein Problem, dass eine Fähigkeit, Fremdsubstanzen in einem zufriedenstellenden Maße zu entfernen, nicht erreicht werden kann. Hier entspricht die der Bearbeitungsoberfläche des Wafers entgegengesetzte Oberfläche einer gegenüberliegenden Oberfläche, die der Bearbeitungsoberfläche des Wafers entgegengesetzt ist.
  • Insbesondere wenn sich die Reinigungsdüse nahe einem Endteilbereich des Wafers befindet, ist es wahrscheinlich, dass der Druck des Reinigungsfluids bewirkt, dass der Wafer vom Abstützstift bricht. Dies steht einer Bewegung der Reinigungsdüse zum Endteilbereich des Wafers entgegen, und dementsprechend können auf dem Endteilbereich des Wafers verbliebene Fremdsubstanzen ein Problem in nachfolgenden Prozessen hervorrufen.
  • Gemäß der in der offengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. 2017-188695 beschriebenen Technik breitet sich ein über einen Fluidzufuhrpfad zugeführtes, unter Druck gesetztes Fluid über eine ganze Abstützoberfläche einer Abstützplattform aus, und die Abstützoberfläche der Abstützplattform nimmt eine auf ein Substrat beaufschlagte Last auf. Da jedoch die Abstützplattform einen Endteilbereich des Substrats und die Umgebung des Endteilbereichs nicht abstützt, kann die Abstützplattform die auf die Umgebung des Endteilbereichs des Substrats beaufschlagte Last nicht aufnehmen, und dementsprechend kann eine Fähigkeit, Fremdsubstanzen über den gesamten Wafer in einem zufriedenstellenden Maße zu entfernen, nicht erreicht werden.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um die oben beschriebenen Probleme zu lösen, und es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleiterherstellungseinrichtung und ein Halbleiterherstellungsverfahren vorzusehen, die eine Fähigkeit aufweisen, Fremdstoffe auch über einen ganzen abgedünnten Wafer in einem zufriedenstellenden Maße zu entfernen.
  • Eine Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst eine Aufspannplattform, eine Reinigungsdüse, einen Scanmechanismus für eine Reinigungsdüse, einen Plattform-Drehmechanismus und eine Halteplattform. Die Aufspannplattform hält einen Wafer unter Verwendung ihres Endteilbereichs. Die Reinigungsdüse stößt ein Reinigungsfluid zu einer Bearbeitungsoberfläche des Wafers aus. Der Scanmechanismus für eine Reinigungsdüse veranlasst, dass die Reinigungsdüse eine Scanbewegung auf der Bearbeitungsoberfläche des Wafers ausführt. Der Plattform-Drehmechanismus dreht die Aufspannplattform. Die Halteplattform umfasst eine Düse für ein Haltefluid und eine Kopfplatte. Die Düse für ein Haltefluid stößt ein Haltefluid zu einer gegenüberliegenden Oberfläche des Wafers, die der Bearbeitungsoberfläche entgegengesetzt ist, aus. Die Kopfplatte weist eine Hauptoberfläche auf, die der gegenüberliegenden Oberfläche des Wafers zugewandt ist, und die Düse für ein Haltefluid ist einer Mitte statt einem Umfangsteilbereich der Kopfplatte benachbart angeordnet. Das aus der Düse für ein Haltefluid ausgestoßene Haltefluid lässt man durch eine Zone zwischen der gegenüberliegenden Oberfläche des Wafers und der einen Hauptoberfläche der Kopfplatte strömen, um über die Zone eine Haltekraft zu erzeugen, und die Haltekraft bewirkt, dass die gegenüberliegende Oberfläche einen Druck hält, der durch das Reinigungsfluid beaufschlagt wird, das aus der Reinigungsdüse zur Bearbeitungsoberfläche des Wafers ausgestoßen wird.
  • Selbst bei einem abgedünnten Wafer kann eine Fähigkeit, Fremdsubstanzen über einen ganzen Wafer in einem zufriedenstellenden Maße zu entfernen, erreicht werden.
  • Diese und andere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung ersichtlicher werden, wenn sie in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen vorgenommen wird.
  • Figurenliste
    • 1A und 1B sind schematische Ansichten, die ein Reinigungsfluid und eine Druckverteilung des Reinigungsfluids einer Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß einer ersten bevorzugten Ausführungsform zeigen;
    • 2 ist eine schematische Ansicht, die einen waferhaltenden Druck und eine waferhaltende Zugkraft der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform zeigt;
    • 3 ist eine schematische Ansicht, die den waferhaltenden Druck und die waferhaltende Zugkraft innerhalb und außerhalb eines Reinigungsbereichs der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform zeigt;
    • 4 ist eine schematische Ansicht, die einen Teil einer Bearbeitungskammer der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform zeigt;
    • 5 ist ein Flussdiagramm, das einen Prozess zum Durchführen eines Reinigungsprozesses auf einem Wafer in der Bearbeitungskammer der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform zeigt;
    • 6 ist eine schematische Ansicht, die eine Plattformstruktur zeigt, die eine Aufspannplattform und eine Halteplattform umfasst, die in die Aufspannplattform der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform integriert ist;
    • 7 ist eine schematische Draufsicht des in 6 gezeigten Bereichs;
    • 8 ist eine schematische Ansicht, die die Plattformstruktur zeigt, die die Aufspannplattform und die Halteplattform umfasst, die in die Aufspannplattform der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform integriert ist;
    • 9 ist eine schematische Draufsicht des in 8 gezeigten Bereichs;
    • 10 ist eine schematische Ansicht, die einen Teil einer Bearbeitungskammer einer Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform zeigt;
    • 11 ist ein Flussdiagramm, das einen Prozess zum Durchführen eines Reinigungsprozesses auf einem Wafer in der Bearbeitungskammer der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform zeigt;
    • 12 ist eine schematische Ansicht, die eine Plattformstruktur zeigt, die eine Aufspannplattform und eine Halteplattform der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform enthält;
    • 13 ist eine schematische Draufsicht des in 12 gezeigten Bereichs;
    • 14 ist eine schematische Ansicht, die ein Beispiel einer Scanoperation einer Reinigungsdüse und einer Scanoperation einer Halteplattform der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform zeigt;
    • 15 ist eine schematische Ansicht, die ein anderes Beispiel der Scanoperation der Reinigungsdüse und der Scanoperation der Halteplattform der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform zeigt;
    • 16 ist eine schematische Ansicht, die eine Plattformstruktur einer Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß einer zugrunde liegenden Technik zeigt;
    • 17 ist eine schematische Ansicht, die einen Fall, in dem sich eine Reinigungsdüse von einem Endteilbereich eines Wafers entfernt befindet, der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zugrunde liegenden Technologie zeigt; und
    • 18 ist eine schematische Ansicht, die einen Fall, in dem sich die Reinigungsdüse in der Nähe des Endteilbereichs des Wafers befindet, der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zugrunde liegenden Technologie zeigt.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • <Zugrunde liegende Technologie>
  • Bevor die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben werden, wird eine Beschreibung einer Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß einer zugrunde liegenden Technologie gegeben. 16 ist eine schematische Ansicht, die eine Plattformstruktur der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zugrunde liegenden Technologie zeigt. 17 ist eine schematische Ansicht, die einen Fall, in dem sich eine Reinigungsdüse 2 von einem Endteilbereich 1a des Wafers entfernt befindet, der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zugrunde liegenden Technologie zeigt. 18 ist eine schematische Ansicht, die einen Fall, in dem sich die Reinigungsdüse 2 in der Nähe des Endteilbereichs des Wafers befindet, der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zugrunde liegenden Technologie zeigt. Der Vereinfachung halber wird eine Beschreibung nur eines Teilbereichs gegeben, der einen Zusammenhang zwischen einem Wafer 1 und einem Aufspannstift 51b repräsentiert.
  • Wie in 16 und 17 gezeigt ist, umfasst die Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zugrunde liegenden Technologie eine Aufspannplattform 51 und die Reinigungsdüse 2.
  • Die Aufspannplattform 51 hat eine kreisförmige Form und enthält eine Vielzahl von Aufspannstiftbasen 51a, Aufspannstiften 51b und Abstützstiften 51c, die auf einem Umfangsteilbereich der Aufspannplattform 51 angeordnet sind. Der Wafer 1 ist durch die Abstützstifte 51c gegen die Schwerkraft abgestützt und wird durch die Aufspannstifte 51b in einer radialen Richtung gehalten. In diesem Zustand wird der Wafer 1 bearbeitet, während er zusammen mit der Aufspannplattform 51 gedreht wird.
  • Wie in 17 gezeigt ist, kann, wenn der Wafer 1 abgedünnt ist, ein Druck eines aus der Reinigungsdüse 2 auf eine Bearbeitungsoberfläche ausgestoßenen Reinigungsfluids 3 bewirken, dass der Wafer 1 leicht verformt wird, und eine Oberfläche, die der Bearbeitungsoberfläche entgegengesetzt ist, mit der Aufspannplattform 51 in Kontakt bringen, und der Kontakt kann den Wafer 1 beschädigen. Dies steht einer ausreichenden Druckerhöhung des Reinigungsfluids 3, um Fremdsubstanzen zu entfernen, entgegen, und dementsprechend ergibt sich ein Problem, dass eine Fähigkeit, Fremdsubstanzen zu einem zufriedenstellenden Maße zu entfernen, nicht erreicht werden kann.
  • Insbesondere ist es, wie in 18 gezeigt ist, wenn sich die Reinigungsdüse 2 in der Nähe des Endteilbereichs 1a des Wafers befindet, wahrscheinlich, dass der Druck des Reinigungsfluids 3 bewirkt, dass der Wafer 1 vom Abstützstift 51c bricht. Dies steht einer Bewegung der Reinigungsdüse 2 zum Endteilbereich 1a des Wafers entgegen, und dementsprechend können auf dem Endteilbereich 1a des Wafers verbliebene Fremdsubstanzen in nachfolgenden Prozessen ein Problem hervorrufen. Die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, die im Folgenden beschrieben werden sollen, sind dazu gedacht, solche Probleme zu lösen.
  • <Erste bevorzugte Ausführungsform>
  • Im Folgenden wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen eine Beschreibung einer ersten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gegeben. Zuerst wird eine kurze Beschreibung von Merkmalen einer Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform unter Bezugnahme auf 1A bis 3 gegeben. 1A ist eine schematische Ansicht, die ein Reinigungsfluid 3 der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform zeigt, und 1B ist eine schematische Ansicht, die eine Druckverteilung des Reinigungsfluids 3 zeigt. 2 ist eine schematische Ansicht, die einen waferhaltenden Druck 6 und eine waferhaltende Zugkraft 7 zeigt. 3 ist eine schematische Ansicht, die einen waferhaltenden Druck 6a, 6b, 6c und eine waferhaltende Zugkraft 7a, 7b innerhalb und außerhalb eines Reinigungsbereichs zeigt.
  • Die Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform umfasst eine Halteplattform 4, und die Halteplattform 4 umfasst eine Düse 4a für ein Haltefluid, die dafür konfiguriert ist, ein Haltefluid 5 zu der Oberfläche, die der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzt ist, auszustoßen, und eine Kopfplatte 4b mit einer flachen Oberfläche, die eine Hauptoberfläche ist, die der Oberfläche zugewandt ist, die der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzt ist, und die Düse 4a für ein Haltefluid ist einer Mitte statt einem Umfangsteilbereich der Kopfplatte 4b benachbart angeordnet. Veranlasst man, dass das Haltefluid 5, das aus der Düse 4a für ein Haltefluid ausgestoßen wird, durch eine Zone zwischen der der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzten Oberfläche und der flachen Oberfläche der Kopfplatte 4b strömt, erzeugt dies eine Haltekraft über die Zone. Die Haltekraft bewirkt, dass die der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzte Oberfläche einen Druck hält, der durch das Reinigungsfluid 3 beaufschlagt wird, das aus der Reinigungsdüse 2 zur Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 ausgestoßen wird. Mit anderen Worten umfasst die Zone einen Abschnitt, der einem Bereich der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entspricht, wo ein Druck, der gleich einem vorbestimmten Grad oder höher ist, durch das aus der Reinigungsdüse 2 ausgestoßene Reinigungsfluid 3 lokal beaufschlagt wird.
  • Die Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 ist hier eine obere Oberfläche des Wafers 1. Die der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzte Oberfläche ist eine gegenüberliegende Oberfläche des Wafers 1, die der Bearbeitungsoberfläche entgegengesetzt ist, und konkreter eine untere Oberfläche des Wafers 1.
  • Die Haltekraft umfasst einen Druck des Haltefluids 5 und eine Zugkraft, die durch eine Strömungsgeschwindigkeit des Haltefluids 5 erzeugt wird, und es kann angenommen werden, dass ein Abstand zwischen der der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzten Oberfläche und der flachen Oberfläche der Kopfplatte 4b vorwiegend durch ein Gleichgewicht zwischen dem Druck und der Zugkraft bestimmt wird. Der Druck und die Zugkraft variieren je nach Abstand von der Düse 4a für ein Haltefluid, und folglich variiert auch der Abstand zwischen der der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzten Oberfläche und der flachen Oberfläche der Kopfplatte 4b in Abhängigkeit vom Abstand von der Düse 4a für ein Haltefluid.
  • Wie in 1A, 1B gezeigt ist, kann das aus der Reinigungsdüse 2 ausgestoßene Reinigungsfluid 3 eine Flüssigkeit, ein Gas oder ein Gemisch aus Flüssigkeit und Gas sein. Typischerweise ist die Flüssigkeit reines Wasser oder Wasser, das aus reinem Wasser und in reinem Wasser gelöstem Kohlendioxid besteht, und das Gas ist Stickstoff oder Luft. Als Mittel zum Mischen von Flüssigkeit und Gas ist es üblich, reines Wasser oder Wasser, das aus reinem Wasser und in reinem Wasser gelöstem Kohlendioxid besteht, und Stickstoff oder Luft unter Verwendung einer Düse für zwei Fluide zu mischen. In jedem Fall zeigt, wenn eine Ausstoßöffnung der Reinigungsdüse 2 eine kreisförmige Form aufweist, eine Druckverteilung 3a des Reinigungsfluids 3, dass der Druck umso geringer wird, je größer der Abstand von einer Mitte der kreisförmigen Form der Ausstoßöffnung ist. Daher wird ein Bereich der Beaufschlagung eines Drucks, der gleich einem vorbestimmten Grad, der den abgedünnten Wafer 1 beschädigt, oder höher ist, ebenfalls ein kreisförmiger Bereich um die Mitte der Ausstoßöffnung. Im Folgenden wird eine Beschreibung eines Beispiels gegeben, in dem eine Düse für zwei Fluide mit einer kreisförmigen Ausstoßöffnung als die Reinigungsdüse 2 genutzt wird.
  • Wie in 2 gezeigt ist, umfasst die Halteplattform 4 die Düse 4a für ein Haltefluid und die Kopfplatte 4b. Wenn es zugeführt wird, strömt das Haltefluid 5 durch die Düse 4a für ein Haltefluid und wird dann ein Haltefluid 5a, das zwischen dem Wafer 1 und der Kopfplatte 4b von der Ausstoßöffnung 4c für ein Haltefluid strömt, die an einem Verbindungsteilbereich der Düse 4a für ein Haltefluid mit der Kopfplatte 4b ausgebildet ist. Das Haltefluid 5 steht unter Druck, um das Haltefluid 5 zuzuführen, und der Druck wird ein waferhaltender Druck 6, und eine Zugkraft, die durch die Strömungsgeschwindigkeit des Haltefluids 5a erzeugt wird, das zwischen dem Wafer 1 und der Kopfplatte 4b strömt, wird die waferhaltende Zugkraft 7. Oberflächen, entlang welchen das Haltefluid 5a strömt, sind die der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzte Oberfläche und die flache Oberfläche der Kopfplatte 4b. Da die obere Oberfläche der Kopfplatte 4b die flache Oberfläche ist, wird verhindert, dass der waferhaltende Druck 6 und die waferhaltende Zugkraft 7 ungleichmäßig sind, und es wird auch verhindert, dass die Haltekraft, die den waferhaltenden Druck 6 und die waferhaltende Zugkraft 7 umfasst, ungleichmäßig ist.
  • Wie in 3 gezeigt ist, wird in einem Teilbereich des abgedünnten Wafers 1, wo der Druck des Reinigungsfluids 3 beaufschlagt wird, der Wafer 1 verformt und wird der Abstand zwischen der der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzten Oberfläche und der flachen Oberfläche der Kopfplatte 4b kleiner, wodurch ein Druckverlust erhöht und folglich verhindert wird, dass das Fluid sanft strömt. Dies verringert die Zugkraft im Reinigungsbereich, wie etwa die waferhaltende Zugkraft 7b, und erhöht einen Druck eines aufwärts gerichteten Fluids wie etwa den waferhaltenden Druck 6b auf einer stromaufwärtigen Seite der Reinigungsbereichs und den waferhaltenden Druck 6c in der Mitte des Reinigungsbereichs, wobei man sich überlegt, dass dies dahingehend wirkt, die Druckverteilung 3a des Reinigungsfluids 3 zu unterstützen. Man beachte, dass in 3 6a einen waferhaltenden Druck außerhalb des Reinigungsbereichs bezeichnet, und 7a eine waferhaltende Zugkraft außerhalb des Reinigungsbereichs bezeichnet.
  • Mit einer Zone, in der die Haltekraft zwischen der der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzten Oberfläche und der flachen Oberfläche der Kopfplatte 4b einschließlich eines Bereichs der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1, wo ein Druck, der gleich einem vorbestimmten Grad oder höher ist, durch das Reinigungsfluid 3 lokal beaufschlagt wird, erzeugt wird, schafft die Ausnutzung der oben beschriebenen Wirkung eine Plattformstruktur, die verhindert, dass die der Bearbeitungsoberfläche entgegengesetzte Oberfläche durch den Druck des Reinigungsfluids 3 mit Teilen eines Mechanismus wie etwa einer Aufspannplattform in Kontakt gebracht wird, die der der Bearbeitungsoberfläche entgegengesetzten Oberfläche zugewandt ist. Darüber hinaus wird in Anbetracht der Tatsache, dass der Abstand zwischen der der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzten Oberfläche und der flachen Oberfläche der Kopfplatte 4b vorwiegend durch das Gleichgewicht zwischen Druck und Zugkraft bestimmt ist, eine Aufspannstruktur ohne die Notwendigkeit des Abstützstifts, von dem aus ein Bruch beginnt, erreicht. Im Folgenden wird eine Beschreibung spezifischer Ausführungsformen gegeben.
  • 4 ist eine schematische Ansicht, die einen Teil einer Bearbeitungskammer der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform zeigt. Man beachte, dass der einfachen Darstellung halber ein Teilbereich, der nicht direkt mit der Technik zum Entfernen von Fremdsubstanzen zusammenhängt, aus den Zeichnungen weggelassen wird und der Vereinfachung halber eine Beschreibung nur eines Teilbereichs gegeben wird, der mit der Technik zum Entfernen von Fremdsubstanzen zusammenhängt.
  • Wie in 4 gezeigt ist, umfasst die Halbleiterherstellungseinrichtung eine Aufspannplattform 8, die Reinigungsdüse 2, einen Scanmechanismus 11 für eine Reinigungsdüse, einen Plattform-Drehmechanismus 12, eine Halteplattform 41, ein Zufuhrrohr 13 für ein Haltefluid, einen Betriebs-PC 101 und einen Steuerungs-PLC 102. Alternativ dazu enthält die Halbleiterherstellungseinrichtung anstelle der Halteplattform 41 eine Halteplattform 42. Hier wird eine Beschreibung einer Konfiguration gegeben, in der die Halbleiterherstellungseinrichtung die Halteplattform 41 enthält.
  • Die Aufspannplattform 8 weist in einer Draufsicht eine kreisförmige Form auf und hält den Wafer 1 unter Verwendung eines Endteilbereichs der Aufspannplattform 8. Konkret ist eine Vielzahl von Aufspannstiftbasen 8a in vorbestimmten Intervallen auf einem Umfangsteilbereich der Aufspannplattform 8 angeordnet, und eine Vielzahl von Aufspannstiften 8b ist auf der Vielzahl von Aufspannstiftbasen 8a aufrecht vorgesehen. Jeder der Aufspannstifte 8b ist zwischen einer äußeren Umfangsseite und einer inneren Umfangsseite beweglich. Ein Bewegen der Vielzahl von Aufspannstiften 8b zur äußeren Umfangsseite, um die Vielzahl von Aufspannstiften 8b zu öffnen, ermöglicht, dass der Wafer 1 auf die Aufspannplattform 8 geladen wird. Ferner ermöglicht ein Bewegen der Vielzahl von Aufspannstiften 8b zur inneren Umfangsseite, um die Vielzahl von Aufspannstiften 8b zu schließen, dass die Aufspannstifte 8b den Endteilbereich des Wafers 1 halten.
  • Die Reinigungsdüse 2 ist über der Aufspannplattform 8 angeordnet und stößt das Reinigungsfluid 3 zur Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 aus. Der Scanmechanismus 11 für eine Reinigungsdüse hält die Reinigungsdüse 2 fest und veranlasst, dass die Reinigungsdüse 2 eine Scanbewegung auf der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 ausführt. Der Plattform-Drehmechanismus 12 ist unter der Aufspannplattform 8 angeordnet und dreht die Aufspannplattform 8.
  • Die Halteplattform 41 umfasst eine Düse 41a für ein Haltefluid (siehe 6), die das Haltefluid 5 zu der der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzten Oberfläche ausstößt, und die Kopfplatte 41b mit der flachen Oberfläche, die der der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzten Oberfläche zugewandt ist, und die Düse 41a für ein Haltefluid ist einer Mitte statt einem Umfangsteilbereich der Kopfplatte 41b benachbart angeordnet. In der einfachsten Konfiguration weist die Kopfplatte 41b die Düse 41a für ein Haltefluid in der Mitte angeordnet auf. Die Halteplattform 41 ist in die Aufspannplattform 8 integriert, die Düse 41a für ein Haltefluid dreht nicht, und die Kopfplatte 41b dreht zusammen mit der Aufspannplattform 8.
  • Der Betriebs-PC 101 enthält eine Mensch-Maschine-Schnittstelle (MM-IF) 101a wie etwa eine Anzeige mit einem Berührungsfeld und einen Personal Computer (PC) 101b. Der Steuerungs-PLC 102 enthält einen programmierbaren Logik-Controller (PLC) 102a, ein Gaszufuhrventil 102b und ein Wasserzufuhrventil 102c für das Zufuhrrohr 13 für ein Haltefluid, ein Gaszufuhrventil 102d und ein Wasserzufuhrventil 102e für die Reinigungsdüse 2, einen Motortreiber 102f für den Plattform-Drehmechanismus 12 und einen Motortreiber 102g für den Scanmechanismus 11 für eine Reinigungsdüse.
  • Ein Bediener setzt einen (nicht gezeigten) Träger, der den Wafer 1 enthält, in eine (nicht gezeigte) Ladeöffnung, wählt auf der MM-IF 101a eine in dem PC 101b vorher eingetragene Rezeptur aus und gibt einen Prozessstart ein. Der PC 101b leitet einen in der Rezeptur spezifizierten Bearbeitungsparameter zum PLC 102a weiter, um eine Reihe von Steuerungsoperationen des PLC 102a zu starten.
  • Der PLC 102a steuert einen (nicht gezeigten) Transferroboter, die Bearbeitungskammer und dergleichen. Der PLC 102a veranlasst, dass der Transferroboter Wafer-Ladeschlitze im Träger abbildet und den Wafer 1 zwischen dem Träger und der Bearbeitungskammer transferiert, und führt einen Scrubbing- bzw. Reinigungsprozess auf dem Wafer 1 in der Bearbeitungskammer durch.
  • Der in der ersten bevorzugten Ausführungsform durchzuführende Reinigungsprozess ist ein Prozess, der bewirkt, dass die Reinigungsdüse 2 eine bogenförmige Scanbewegung oder eine lineare Scanbewegung ausführt, die die Mitte des Wafers 1 passiert, während der Wafer 1 gedreht wird, und bewirkt, dass das Reinigungsfluid 3 auf die Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 gleichmäßig auftrifft, um an der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 haftende Fremdsubstanzen zu entfernen. Dies benötigt, wie in 4 gezeigt ist, die Reinigungsdüse 2, den Scanmechanismus 11 für eine Reinigungsdüse, der veranlasst, dass die Reinigungsdüse 2 eine Scanbewegung auf der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 ausführt, die Aufspannplattform 8, die den Wafer 1 unter Verwendung des Endteilbereichs der Aufspannplattform 8 hält, und den Plattform-Drehmechanismus 12, der die Aufspannplattform 8 dreht.
  • Als Nächstes wird eine Beschreibung eines Prozesses zum Durchführen des Reinigungsprozesses auf dem Wafer 1 in der Bearbeitungskammer gegeben. 5 ist ein Flussdiagramm, das den Prozess zum Durchführen des Reinigungsprozesses auf dem Wafer 1 in der Bearbeitungskammer zeigt.
  • Der PLC 102a veranlasst in Schritt S201, dass eine Roboterhand des Transferroboters aus dem Träger den im Träger gelagerten Wafer 1 entnimmt, und dreht die Aufspannstiftbasen 8a, um in Schritt S202 die Aufspannstifte 8b zu öffnen.
  • Der PLC 102a positioniert in Schritt S203 die Roboterhand bei einer Abgabeposition über der Aufspannplattform 8 und öffnet das Gaszufuhrventil 102b, um in Schritt S204 das Haltefluid 5 auf die Halteplattform 41 (oder die Halteplattform 42) zuzuführen.
  • Der PLC 102a veranlasst in Schritt S205, dass die Roboterhand den Wafer 1 an die Halteplattform 41 (oder die Halteplattform 42) abgibt, und dreht die Aufspannstiftbasen 8a, um in Schritt S206 die Aufspannstifte 8b zu schließen. Als Ergebnis ist der Wafer 1 auf die Halteplattform 41 (oder die Halteplattform 42) geladen.
  • Der PLC 102a bewegt in Schritt S207 die Roboterhand aus der Bearbeitungskammer und hebt in Schritt S208 eine (nicht gezeigte) Schale, um während des Reinigungsprozesses erzeugte Tröpfchen zu sammeln, bis zum Umfang der Aufspannplattform 8 an.
  • Der PLC 102a veranlasst in Schritt S209, dass der Plattform-Drehmechanismus 12 den Wafer 1 zusammen mit der Aufspannplattform 8 dreht, öffnet das Gaszufuhrventil 102d und das Wasserzufuhrventil 102e, um aus der Reinigungsdüse 2 das Reinigungsfluid 3 auszustoßen, veranlasst, dass der Scanmechanismus 11 für eine Reinigungsdüse eine Scanbewegung unter Verwendung der Reinigungsdüse 2 ausführt, und führt den Reinigungsprozess auf der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 durch. Nach Bedarf wird ferner das Wasserzufuhrventil 102c geöffnet, um Wasser in das Haltefluid 5, das Gas ist, zu mischen, um die der Bearbeitungsoberfläche entgegengesetzte Oberfläche zur gleichen Zeit dem Reinigungsprozess zu unterziehen.
  • In Schritt S210 schließt der PLC 102a das Gaszufuhrventil 102d, das Wasserzufuhrventil 102e und das Wasserzufuhrventil 102c, um das Reinigungsfluid 3 und das Wasser, das in das Haltefluid 5 gemischt werden soll, zu stoppen, führt die Reinigungsdüse 2 zu einer Bereitschaftsposition zurück und schleudert den Wafer 1 trocken.
  • Der PLC 102a senkt in Schritt S211 die Schale ab, positioniert in Schritt S212 die Roboterhand an der Abgabeposition und dreht die Aufspannstiftbasen 8a, um in Schritt S213 die Aufspannstifte 8b zu öffnen.
  • Der PLC 102a veranlasst in Schritt S214, dass die Roboterhand den Wafer 1 von der Halteplattform 41 (oder der Halteplattform 42) aufnimmt, und schließt das Gaszufuhrventil 102b, um die Zufuhr des Haltefluids 5 in Schritt S215 zu stoppen.
  • Der PLC 102a veranlasst in Schritt S216, dass die Roboterhand den Wafer 1 in den Träger verstaut, und dreht die Aufspannstiftbasen 8a, um in Schritt S217 die Aufspannstifte 8b zu schließen.
  • Man beachte, dass, obwohl die Schritte der Vereinfachung halber annähernd sequentiell beschrieben wurden, selbstverständlich unterteilte Operationsschritte in der Praxis parallel ausgeführt werden und verschiedene Eingaben und Ausgaben in Bezug auf die Operationen ausgeführt werden.
  • Ferner ermöglichen in Schritt S209 eine Scanoperation 11a einer Reinigungsdüse und eine Plattform-Drehoperation 12a, dass das Reinigungsfluid 3 gleichmäßig auf die Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 auftrifft, um an der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 haftende Fremdsubstanzen zu entfernen. Obgleich eine Fähigkeit, Fremdsubstanzen zu entfernen, verringert wird, ist es ferner möglich, nach Bedarf Wasser in das Haltefluid 5, das Gas ist, zu mischen, um zu bewirken, dass feine Tröpfchen auf die der Bearbeitungsoberfläche entgegengesetzte Oberfläche auftreffen, was ermöglicht, dass die der Bearbeitungsoberfläche entgegengesetzte Oberfläche zur gleichen Zeit dem Reinigungsprozess unterzogen wird.
  • Als Nächstes wird eine Beschreibung einer Plattformstruktur, die die Aufspannplattform 8 und die in die Aufspannplattform 8 integrierte Halteplattform 41 umfasst, und einer Plattformstruktur gegeben, die die Aufspannplattform 8 und die in die Aufspannplattform 8 integrierte Halteplattform 42 enthält. 6 ist eine schematische Ansicht, die die Plattformstruktur zeigt, die die Aufspannplattform 8 und die in die Aufspannplattform 8 integrierte Halteplattform 41 umfasst.
  • Wie in 6 gezeigt ist, umfasst die Halteplattform 41 die Düse 41a für ein Haltefluid, die Kopfplatte 41b und eine Ausstoßöffnung 41c für ein Haltefluid. Die Düse 41a für ein Haltefluid und die Kopfplatte 41b sind so angeordnet, dass sie einander überlappen, und ein Teilbereich der Kopfplatte 41b, der die Düse 41a für ein Haltefluid überlappt, ist geöffnet.
  • Wie in 4 und 6 gezeigt ist, ist die Düse 41a für ein Haltefluid, die eine Komponente der Halteplattform 41 ist, von der Aufspannplattform 8 getrennt und in der Mitte der Aufspannplattform 8 positioniert. Die Düse 41a für ein Haltefluid ist mit dem Zufuhrrohr 13 für ein Haltefluid verbunden, das durch eine (nicht gezeigte) Hohlwelle eines Motors des Plattform-Drehmechanismus 12 hindurchgeht, und dreht nicht. Ferner ist die Kopfplatte 41b, die eine Komponente der Halteplattform 41 ist, an der Aufspannplattform 8 befestigt und dreht zusammen mit der Aufspannplattform 8.
  • Da die Düse 41a für ein Haltefluid nicht dreht, ist es erforderlich, dass ein Abstand zwischen der Düse 41a für ein Haltefluid und der der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzten Oberfläche größer ist als ein Abstand zwischen der Kopfplatte 41b und der der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzten Oberfläche, um zu verhindern, dass die Düse 41a für ein Haltefluid mit dem Wafer 1 in Kontakt kommt, der den Bereich der Düse 41a für ein Haltefluid abdeckt, was die Haltekraft absenkt. Das heißt, um die Haltekraft beim zentralen Teilbereich zu erhöhen, ist es wichtig, den Bereich der Kopfplatte 41b so nah wie möglich an den Bereich der Düse 41a für ein Haltefluid zu bringen.
  • 7 ist eine schematische Draufsicht des in 6 gezeigten Bereichs. In 7 sind eine Druckverteilung 3b des Reinigungsfluids innerhalb des Wafers 1 und eine Druckverteilung 3c des Reinigungsfluids am Endteilbereich 1a des Wafers dargestellt.
  • Die Kopfplatte 41b in der ersten bevorzugten Ausführungsform hat eine kreisförmige Außenform, und ein Wert, der sich aus einem Subtrahieren eines Außendurchmessers der Kopfplatte 41b von einem Außendurchmesser des Wafers 1 ergibt, ist gleich 4 mm oder kleiner, so dass sich die Kopfplatte 41b bis in die Nähe der Position erstreckt, wo die Aufspannstifte 8b den Endteilbereich 1a des Wafers auf Seiten der oberen Oberfläche der Aufspannstiftbasen 8a halten. Das heißt, wenn der Wafer 1 und die Kopfplatte 41b konzentrisch sind, liegt der Endteilbereich der Kopfplatte 41b innerhalb eines Bereichs von bis zu 2 mm einwärts des Endteilbereichs 1a des Wafers bis auf eine Kerbe und ein Orientierungs-Flat. Dies ermöglicht, dass der Wafer 1 ausreichend gehalten wird, selbst wenn die Reinigungsdüse 2 eine Scanbewegung auf einer generell ganz außen gelegenen Position (etwa 3 mm) einer effektiven Zone zur Erfassung der Vorrichtung durchführt.
  • Der waferhaltende Druck 6 wird dadurch kleiner, dass ein Verlust eines auf das Haltefluid 5 angewandten Drucks kleiner wird, wenn ein Abstand von der Ausstoßöffnung 41c für ein Haltefluid größer wird, die waferhaltende Zugkraft 7 wird dadurch geringer, dass die Strömungsgeschwindigkeit des Haltefluids 5a geringer wird, wenn der Abstand von der Ausstoßöffnung 41c für ein Haltefluid größer wird, und die den waferhaltenden Druck 6 und die waferhaltende Zugkraft 7 umfassende Haltekraft wird kleiner, wenn der Abstand von der Ausstoßöffnung 41c des Haltefluids größer wird.
  • Als tatsächliches Ergebnis in der ersten bevorzugten Ausführungsform kommt in einer Konfiguration, in der die Reinigungsdüse 2 eine Düse für zwei Fluide ist, die ein Gemisch aus Flüssigkeit und Gas ausstößt, und die Düse 41a für ein Haltefluid eine Düse ist, die Gas ausstößt, mit dem Wafer 1, der ein 6-Zoll-Wafer ist und so bearbeitet ist, dass er eine Dicke von etwa 100 µm aufweist, wenn der Volumenstrom eines aus der Reinigungsdüse 2 ausgestoßenen Gases im Bereich von 50 l/min bis 150 l/min, beide inklusive, liegt und der Volumenstrom des Haltefluids 5, das ein aus der Düse 41a für ein Haltefluid ausgestoßenes Gas ist, gleich dem halben Volumenstrom des aus der Reinigungsdüse 2 ausgestoßenen Gases oder größer ist, die der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 gegenüberliegende Oberfläche nie in Kontakt mit der Kopfplatte 41b.
  • Zieht man eine Vergrößerung des Durchmessers des Wafers 1 in Betracht, ist es denkbar, um die Haltekraft an dem Endteilbereich 1a des Wafers sicherzustellen, einfach einen auf das Haltefluid 5 angewandten Zufuhrdruck zu erhöhen, um den Volumenstrom des Haltefluids 5a zu erhöhen. Wenn jedoch die Ausströmöffnung 41c für ein Haltefluid nur an einer Position, das heißt, der Mitte der Düse 41a für ein Haltefluid wie bei der Halteplatteform 41, vorgesehen ist, wird das ausgestoßene Gas in der Mitte konzentriert, was eine Schädigung am Wafer 1, insbesondere dem abgedünnten Wafer 1, hervorrufen kann.
  • Daher ist es effektiv, um die Abnahme der Haltekraft in der Nähe der Ausstoßöffnung 41c für ein Haltefluid zu kompensieren, eine Vielzahl von Ausstoßöffnungen für das Haltefluid 5a an geeigneten Positionen verteilt vorzusehen, um den Volumenstrom des Haltefluids 5a zu erhöhen.
  • 8 ist eine schematische Ansicht, die eine Plattformstruktur zeigt, die Aufspannplattform 8 und die in die Aufspannplattform 8 integrierte Halteplattform 42 enthält.
  • Wie in 8 gezeigt ist, umfasst die Halteplattform 42 eine Düse 42a für ein Haltefluid, eine Kopfplatte 42b, eine Ausstoßöffnung 42c für ein Haltefluid, eine zentrale Ausstoßöffnung 42d der Kopfplatte und eine periphere Ausstoßöffnung 42e der Kopfplatte.
  • Die Düse 42a für ein Haltefluid und die Kopfplatte 42b sind so angeordnet, dass sie mit einem zwischen der Düse 42a für ein Haltefluid und der Kopfplatte 42b vorgesehenen Spalt einander überlappen, und das Haltefluid 5 lässt man durch den Spalt zu einer Oberfläche strömen, die einer flachen Oberfläche entgegengesetzt ist, die die andere Hauptoberfläche der Kopfplatte 42b ist, und dann durch die zentrale Ausstoßöffnung 42d der Kopfplatte und die periphere Ausstoßöffnung 42e der Kopfplatte strömen, die eine Vielzahl von Löchern sind, die in der Kopfplatte 42b von der der flachen Oberfläche entgegengesetzten Oberfläche zur flachen Oberfläche der Kopfplatte 42b vorgesehen sind.
  • Die Düse 42a für ein Haltefluid, die eine Komponente der Halteplattform 42 ist, ist von der Aufspannplattform 8 getrennt und in der Mitte der Aufspannplattform 8 positioniert. Die Düse 42a für ein Haltefluid ist mit dem Zufuhrrohr 13 für ein Haltefluid verbunden, das durch eine (nicht gezeigte) Hohlwelle eines Motors des Plattform-Drehmechanismus 12 hindurchgeht, und dreht nicht. Die Kopfplatte 42b, die eine Komponente der Halteplattform 42 ist, ist ferner an der Aufspannplattform 8 befestigt und dreht zusammen mit der Aufspannplattform 8.
  • 9 ist eine schematische Draufsicht des in 8 gezeigten Bereichs. Die Kopfplatte 42b in der ersten bevorzugten Ausführungsform hat eine kreisförmige Außenform, und ein Wert, der sich aus einem Subtrahieren eines Außendurchmessers der Kopfplatte 42b vom Außendurchmesser des Wafers 1 ergibt, ist gleich 4 mm oder geringer, so dass sich die Kopfplatte 42b in die Nähe der Positionen erstreckt, wo die Aufspannstifte 8b den Endteilbereich 1a des Wafers auf den Seiten der oberen Oberfläche der Aufspannstiftbasen 8a halten. Das heißt, wenn der Wafer 1 und die Kopfplatte 42b konzentrisch sind, liegt der Endteilbereich der Kopfplatte 42b innerhalb eines Bereichs von bis zu 2 mm einwärts des Endteilbereichs 1a des Wafers bis auf eine Kerbe und ein Orientierung-Flat, und, auch wenn die Reinigungsdüse 2 eine Scanbewegung auf einer allgemein ganz außen gelegenen Position (etwa 3 mm) der effektiven Zone für Erfassung der Vorrichtung durchführt, kann der Wafer 1 ausreichend gehalten werden.
  • Das Haltefluid 5 besteht aus einem Anteil, der dem Haltefluid 5a entspricht, das durch die zentrale Ausstoßöffnung 42d der Kopfplatte gelangt und zwischen dem Wafer 1 und der Kopfplatte 42b strömt, und einem Anteil, der durch die periphere Ausstoßöffnung 42e der Kopfplatte gelangt und sich auf dem Weg mit dem Haltefluid 5a vereinigt, was eine Zunahme des Haltefluids 5a bei jeder Vereinigung bewirkt.
  • Man beachte, dass der Anteil, der durch die periphere Ausstoßöffnung 42e der Kopfplatte gelangt und sich mit dem Haltefluid 5a auf dem Weg vereinigt, einen Volumenstrom aufweisen muss, der den Volumenstrom des Haltefluids 5a nicht signifikant beeinträchtigt, und folglich ist es vorzuziehen, dass kleine periphere Ausstoßöffnungen 42e der Kopfplatte an einer Anzahl von Positionen verteilt vorgesehen werden. Da verglichen mit der Halteplattform 41 der Volumenstrom des Haltefluids 5a auf dem Umfang mit der Halteplattform 42 wesentlich erhöht werden kann, ist es möglich, die Abnahme des Drucks des Haltefluids 5a und der Zugkraft, die durch den Volumenstrom des Haltefluids 5a erzeugt wird, zu unterdrücken, um die Abnahme der Haltekraft in der Nähe der Ausstoßöffnung 42c des Haltefluids zu kompensieren.
  • <Effekt>
  • Wie oben beschrieben wurde, wird in der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform veranlasst, dass das aus der Düse 41a, 42a für ein Haltefluid ausgestoßene Haltefluid 5 durch eine Zone zwischen der der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzten Oberfläche und der flachen Oberfläche der Kopfplatte 41b, 42b strömt, um in der Zone die Haltekraft zu erzeugen, und die Haltekraft bewirkt, dass die der Bearbeitungsoberfläche entgegengesetzte Oberfläche den durch das aus der Reinigungsdüse 2 ausgestoßene Reinigungsfluid 3 auf die Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 beaufschlagten Druck hält. Daher kann, selbst wenn der Wafer 1 abgedünnt ist, eine Fähigkeit, Fremdsubstanzen über einen ganzen Wafer in einem zufriedenstellenden Maße zu entfernen, erhalten werden.
  • Die Haltekraft umfasst den Druck des Haltefluids 5a und die durch den Volumenstrom des Haltefluids 5a erzeugte Zugkraft, so dass der Wafer 1 stabil gehalten werden kann.
  • Die Halteplattform 41, 42 ist in die Aufspannplattform 8 integriert, die Düse 41a, 42a für ein Haltefluid dreht nicht, und die Kopfplatte 41b, 42b dreht zusammen mit der Aufspannplattform 8. Somit vereinfacht ein Kombinieren der Aufspannplattform 8 und der Halteplattform 41, 42 in eine einzige Einheit die Struktur.
  • Die Kopfplatte 41b, 42b hat eine kreisförmige Außenform, und ein Wert, der sich aus einem Subtrahieren des Außendurchmessers der Kopfplatte 41b, 42b vom Außendurchmesser des Wafers 1 ergibt, ist gleich 4 mm oder geringer. Wenn die Außenform der Kopfplatte 41b, 42b den Wafer 1 nahezu vollständig bedeckt, wird daher die Scanfunktion der Halteplattform 41, 42 unnötig.
  • Die Düse 41a für ein Haltefluid und die Kopfplatte 41b sind so angeordnet, dass sie einander überlappen, und ein Teilbereich der Kopfplatte 41b, der die Düse 41a für ein Haltefluid überlappt, ist geöffnet. Daher ermöglicht ein Einrichten einer Zone, die von dem Teilbereich der Kopfplatte 41b verschieden, der die Düse 41a für ein Haltefluid überlappt, die fixiert ist, als den Bereich der Kopfplatte 41b, der dreht, die Haltekraft beim zentralen Teilbereich der Kopfplatte 41b zu erhöhen.
  • Die Düse 42a für ein Haltefluid und die Kopfplatte 42b sind so angeordnet, dass sie mit einem zwischen der Düse 42a für ein Haltefluid und der Kopfplatte 42b vorgesehenen Spalt einander überlappen, und es wird veranlasst, dass das Haltefluid 5 durch den Spalt zu einer einer flachen Oberfläche der Kopfplatte 42b entgegengesetzten Oberfläche strömt und dann durch die zentrale Ausstoßöffnung 42d der Kopfplatte und die periphere Ausstoßöffnung 42e der Kopfplatte, die in der Kopfplatte 42b vorgesehen sind, von der der flachen Oberfläche entgegengesetzten Oberfläche zu der flachen Oberfläche der Kopfplatte 42b strömt. Daher ermöglicht eine Erhöhung des Volumenstroms des Haltefluids 5a auf dem Umfang, dass der Durchmesser des Wafers 1 vergrößert wird.
  • Die Reinigungsdüse 2 ist eine Düse für zwei Fluide, die ein Gemisch aus Flüssigkeit und Gas ausstößt, die Düse 41a, 42a für ein Haltefluid ist eine Düse, die nur Gas oder ein Gemisch aus Gas und Flüssigkeit ausstoßen kann, und somit werden sowohl die Bearbeitungsoberfläche als auch die der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzte Oberfläche dem Reinigungsprozess unterzogen. Daher ist es möglich, an sowohl der Bearbeitungsoberfläche als auch der der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzten Oberfläche haftende Fremdsubstanzen effektiv zu entfernen.
  • Die Reinigungsdüse 2 ist eine Düse für zwei Fluide, die ein Gemisch aus Flüssigkeit und Gas ausstößt, die Düse 41a für ein Haltefluid ist eine Düse, die imstande ist, nur Gas oder ein Gemisch aus Gas und Flüssigkeit auszustoßen, und der Volumenstrom eines aus der Düse 41a für ein Haltefluid ausgestoßenen Gases ist gleich einem halben Volumenstrom eines aus der Reinigungsdüse 2 ausgestoßenen Gases oder größer. Daher ist es möglich, zu verhindern, dass die der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzte Oberfläche mit der Kopfplatte 41b in Kontakt kommt.
  • <Zweite bevorzugte Ausführungsform>
  • Als Nächstes wird eine Beschreibung einer Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform gegeben. 10 ist eine schematische Ansicht, die einen Teil einer Bearbeitungskammer der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform zeigt. Man beachte, dass in der zweiten bevorzugten Ausführungsform die gleichen Komponenten wie jene, die in der ersten bevorzugten Ausführungsform beschrieben wurden, mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet sind und deren Beschreibungen weggelassen werden. Man beachte, dass einer einfachen Darstellung halber ein Teilbereich, der nicht direkt mit der Technik zum Entfernen von Fremdsubstanzen zusammenhängt, aus den Zeichnungen weggelassen ist, und der Vereinfachung halber wird nur ein Teilbereich, der sich auf die Technik zum Entfernen von Fremdsubstanzen bezieht, beschrieben.
  • Wie in 10 gezeigt ist, umfasst die Halbleiterherstellungseinrichtung eine Aufspannplattform 9, eine Reinigungsdüse 2, einen Scanmechanismus 14 für eine Reinigungsdüse, einen Scanmechanismus 15 für eine Halteplattform, einen Plattform-Drehmechanismus 16, eine Halteplattform 43, einen Betriebs-PC 103 und einen Steuerungs-PLC 104.
  • Die Aufspannplattform 9 weist in einer Draufsicht eine ringförmige Form auf und hält den Wafer 1 unter Verwendung eines Endteilbereichs der Aufspannplattform 9. Konkret ist eine Vielzahl von Aufspannstiftbasen 9a in vorbestimmten Intervallen auf dem Umfangsteilbereich der Aufspannplattform 9 angeordnet, und eine Vielzahl von Aufspannstiften 9b ist auf der Vielzahl von Aufspannstiftbasen 9a vorgesehen. Jeder der Aufspannstifte 9b ist zwischen einer äußeren Umfangsseite und einer inneren Umfangsseite beweglich. Ein Bewegen der Vielzahl von Aufspannstiften 9b zur äußeren Umfangsseite, um die Vielzahl von Aufspannstiften 9b zu öffnen, ermöglicht, dass der Wafer 1 auf die Aufspannplattform 9 geladen wird. Ferner ermöglicht ein Bewegen der Vielzahl von Aufspannstiften 9b zur inneren Umfangsseite, um die Vielzahl von Aufspannstiften 9b zu schließen, dass die Vielzahl von Aufspannstiften 9b den Endteilbereich des Wafers 1 hält.
  • Der Scanmechanismus 14 für eine Reinigungsdüse hält die Reinigungsdüse 2 fest und veranlasst, dass die Reinigungsdüse 2 auf der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 eine Scanbewegung ausführt. Der Plattform-Drehmechanismus 16 ist auf der äußeren Umfangsseite der Aufspannplattform 9 angeordnet und dreht die Aufspannplattform 9.
  • Die Halteplattform 43 umfasst eine Düse 43a für ein Haltefluid (siehe 12) und die Kopfplatte 43b, die Düse 43a für ein Haltefluid stößt das Haltefluid 5 zu der der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzten Oberfläche aus, und die Kopfplatte 43b weist eine flache Oberfläche auf, die der der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzten Oberfläche zugewandt ist, und die Düse 43a für ein Haltefluid ist einer Mitte statt einem Umfangsteilbereich der Kopfplatte 43b benachbart angeordnet. In der einfachsten Konfiguration weist die Kopfplatte 43b die in der Mitte angeordnete Düse 43a für ein Haltefluid auf. Die Kopfplatte 43b hat eine kreisförmige Außenform, und die Aufspannplattform 9 ist auf der äußeren Umfangsseite der Halteplattform 43 angeordnet. Der Scanmechanismus 15 für eine Halteplattform hält die Halteplattform 43 fest und veranlasst, dass die Halteplattform 43 eine Scanbewegung ausführt.
  • Der Betriebs-PC 103 enthält eine Mensch-Maschine-Schnittstelle (MM-IF) 103a wie etwa eine Anzeige mit einem Berührungsfeld und einen Personal Computer (PC) 103b. Der Steuerungs-PLC 104 enthält einen programmierbaren Logik-Controller (PLC) 104a, ein Gaszufuhrventil 104b und ein Wasserzufuhrventil 104c für die Halteplattform 43, ein Gaszufuhrventil 104d und ein Wasserzufuhrventil 104e für die Reinigungsdüse 2, einen Motortreiber 104f für den Plattform-Drehmechanismus 16, einen Motortreiber 104g für den Scanmechanismus 14 für eine Reinigungsdüse und einen Motortreiber 104h für den Scanmechanismus 15 für eine Halteplattform.
  • Der Bediener setzt einen (nicht dargestellten) Träger, der den Wafer 1 enthält, in eine (nicht dargestellte) Ladeöffnung, wählt auf der MM-IF 103a eine in dem PC 103b vorher eingetragene Rezeptur aus und gibt einen Prozessstart ein. Der PC 103b leitet einen in der Rezeptur spezifizierten Bearbeitungsparameter zum PLC 104a weiter, um eine Reihe von Steuerungsoperationen des PLC 104a zu starten.
  • Der PLC 104a steuert einen (nicht gezeigten) Transferroboter, die Bearbeitungskammer und dergleichen, veranlasst, dass der Transferroboter Wafer-Ladeschlitze im Träger abbildet und den Wafer 1 zwischen dem Träger und der Bearbeitungskammer transferiert, und führt einen Reinigungsprozess auf dem Wafer 1 in der Bearbeitungskammer durch.
  • Der Reinigungsprozess, der in der zweiten bevorzugten Ausführungsform durchgeführt werden soll, ist ein Prozess, der veranlasst, dass die Reinigungsdüse 2 eine bogenförmige Scanbewegung oder eine lineare Scanbewegung ausführt, die die Mitte des Wafers 1 passiert, während der Wafer 1 gedreht wird, und veranlasst, dass das Reinigungsfluid 3 gleichmäßig auf die Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 auftrifft, um an der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 haftende Fremdsubstanzen zu entfernen. Dies benötigt, wie in 10 gezeigt ist, die Reinigungsdüse 2, den Scanmechanismus 14 für eine Reinigungsdüse, der veranlasst, dass die Reinigungsdüse 2 eine Scanbewegung auf der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 ausführt, die Aufspannplattform 9, die den Wafer 1 unter Verwendung des Endteilbereichs der Aufspannplattform 9 hält, und den Plattform-Drehmechanismus 16, der die Aufspannplattform 9 dreht.
  • Als Nächstes wird eine Beschreibung eines Prozesses zum Durchführen des Reinigungsprozesses auf dem Wafer 1 in der Bearbeitungskammer gegeben. 11 ist ein Flussdiagramm, das den Prozess zum Durchführen des Reinigungsprozesses auf dem Wafer 1 in der Bearbeitungskammer zeigt.
  • Der PLC 104a veranlasst in Schritt S251, dass eine Roboterhand den im Träger gelagerten Wafer 1 entnimmt, und dreht die Aufspannstiftbasen 9a, um in Schritt S252 die Aufspannstifte 9b zu öffnen.
  • In Schritt S253 positioniert der PLC 104a die Roboterhand bei einer Abgabeposition über der Aufspannplattform 9 und öffnet das Gaszufuhrventil 104b, um in Schritt S254 das Haltefluid 5 auf die Halteplattform 43 zuzuführen.
  • In Schritt S255 veranlasst der PLC 104a, dass die Roboterhand den Wafer 1 an die Halteplattform 43 und die Aufspannstifte 9b abgibt, und dreht die Aufspannstiftbasen 9a, um in Schritt S256 die Aufspannstifte 9b zu schließen. Als Ergebnis ist der Wafer 1 auf die Halteplattform 43 geladen.
  • Der PLC 104a bewegt in Schritt S257 die Roboterhand aus der Bearbeitungskammer und hebt in Schritt S258 eine (nicht gezeigte) Schale, um während des Reinigungsprozesses erzeugte Tröpfchen zu sammeln, bis zum Umfang der Aufspannplattform 9 an.
  • Der PLC 104a veranlasst in Schritt S259, dass der Plattform-Drehmechanismus 16 den Wafer 1 zusammen mit der Aufspannplattform 9 dreht, öffnet das Gaszufuhrventil 104d und das Wasserzufuhrventil 104e, um das Reinigungsfluid 3 aus der Reinigungsdüse 2 auszustoßen, veranlasst, dass der Scanmechanismus 14 für eine Reinigungsdüse eine Scanbewegung unter Verwendung der Reinigungsdüse 2 ausführt, und führt den Reinigungsprozess auf der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 durch. Zu dieser Zeit veranlasst der Scanmechanismus 15 für eine Halteplattform, dass die Halteplattform 43 eine Scanbewegung so ausführt, dass eine Zone, wo die Halteplattform 43 die Haltekraft erzeugt, einen Abschnitt enthält, der einem Bereich der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entspricht, wo ein Druck, der gleich einem vorbestimmten Grad oder höher ist, durch das aus der Reinigungsdüse 2 ausgestoßene Reinigungsfluid 3 lokal beaufschlagt wird. Ferner wird nach Bedarf das Wasserzufuhrventil 104c geöffnet, um Wasser in das Haltefluid 5, das Gas ist, zu mischen, um die Oberfläche, die der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzt ist, zur gleichen Zeit dem Reinigungsprozess zu unterziehen.
  • Der PLC 104a schließt in Schritt S260 das Gaszufuhrventil 104d, das Wasserzufuhrventil 104e und das Wasserzufuhrventil 104c, um das Reinigungsfluid 3 und das Wasser zu stoppen, das in das Haltefluid 5 gemischt werden soll, führt die Reinigungsdüse 2 zu einer Bereitschaftsposition zurück und schleudert den Wafer 1 trocken.
  • Der PLC 104a senkt in Schritt S261 die Schale ab, positioniert in Schritt S262 die Roboterhand bei der Abgabeposition und dreht die Aufspannstiftbasen 9a, um in Schritt S263 die Aufspannstifte 9b zu öffnen.
  • In Schritt S264 veranlasst der PLC 104a, dass die Roboterhand den Wafer 1 von der Halteplattform 43 und den Aufspannstiften 9b aufnimmt, und schließt das Gaszufuhrventil 104b, um in Schritt S265 das Haltefluid 5 zu stoppen.
  • In Schritt S266 veranlasst der PLC 104a dass die Roboterhand den Wafer 1 in den Träger verstaut, und dreht die Aufspannstiftbasen 9a, um in Schritt S267 die Aufspannstifte 9b zu schließen.
  • Man beachte, dass, obwohl die Schritte der Vereinfachung halber annähernd sequentiell beschrieben wurden, selbstverständlich unterteilte Operationsschritte in der Praxis parallel ausgeführt werden und verschiedene Eingaben und Ausgaben in Bezug auf die Operationen ausgeführt werden.
  • Ferner ermöglichen in Schritt S259 eine Scanoperation 14a einer Reinigungsdüse und eine Plattform-Drehoperation 16a, dass das Reinigungsfluid 3 gleichmäßig auf die Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 auftrifft, um an der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 haftende Fremdsubstanzen zu entfernen. Obgleich eine Fähigkeit, Fremdsubstanzen zu entfernen, verringert wird, ist es ferner möglich, nach Bedarf Wasser in das Haltefluid 5, das Gas ist, zu mischen, um zu bewirken, dass feine Tröpfchen auf die der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzte Oberfläche auftreffen, was ermöglicht, dass die der Bearbeitungsoberfläche entgegengesetzte Oberfläche zur gleichen Zeit dem Reinigungsprozess unterzogen wird.
  • 12 ist eine schematische Ansicht, die eine Plattformstruktur zeigt, die die Aufspannplattform 9 und die Halteplattform 43 umfasst. Wie in 12 gezeigt ist, umfasst die Halteplattform 43 die Düse 43a für ein Haltefluid, die Kopfplatte 43b und eine Ausstoßöffnung 43c für ein Haltefluid.
  • Jeder der Aufspannstifte 9b hat einen Flansch, der den Endteilbereich 1a des Wafers breit von unten abstützt und verhindert, dass der Wafer 1 verformt wird oder herabfällt, wenn er an die oder von der Roboterhand abgegeben wird. Die Düse 43a für ein Haltfluid und die Kopfplatte 43b, die Komponenten der Halteplattform 43 sind, sind in eine einzige Einheit kombiniert, und die Halteplattform 43 ist von der Aufspannplattform 9 getrennt. Das heißt, die Halteplattform 43 ist nicht in die Aufspannplattform 9 integriert.
  • 13 ist eine schematische Draufsicht des in 12 gezeigten Bereichs. Wie in 13 gezeigt ist, weist die Kopfplatte 43b in der zweiten bevorzugten Ausführungsform eine kreisförmige Außenform auf, und die flache Oberfläche der Kopfplatte 43b weist eine Zone auf, die ausreichend größer als ein Abschnitt ist, der dem Bereich der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entspricht, wo ein Druck, der gleich einem vorbestimmten Grad oder größer ist, durch das aus der Reinigungsdüse 2 ausgestoßene Reinigungsfluid 3 lokal beaufschlagt wird.
  • Der Scanmechanismus 15 für eine Halteplattform führt eine Scanoperation 15a der Halteplattform synchron mit der Scanoperation 14a der Reinigungsdüse aus, so dass eine Zone, wo die Halteplattform 43 die Haltekraft erzeugt, den Abschnitt enthält, der dem Bereich der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entspricht, wo ein Druck, der gleich einem vorbestimmten Grad oder größer ist, durch das aus der Reinigungsdüse 2 ausgestoßene Reinigungsfluid 3 lokal beaufschlagt wird. In diesem Fall muss die Ausstoßöffnung 43c für ein Haltefluid der Düse 43a für ein Haltefluid innerhalb des Bereichs des Wafers 1 liegen, um so zu verhindern, dass das Haltefluid 5a bis zur Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 hoch bläst, um das Reinigungsfluid 3 zu beeinflussen.
  • 14 ist ein schematisches Diagramm, das ein Beispiel der Scanoperation 14a der Reinigungsdüse und der Scanoperation 15a der Halteplattform zeigt. 15 ist ein schematisches Diagramm, das ein anderes Beispiel der Scanoperation 14a der Reinigungsdüse und der Scanoperation 15a der Halteplattform zeigt. In 14 und 15 bezeichnet 1b eine Position des zentralen Teilbereichs des Wafers, bezeichnet 1c eine Position des Endteilbereichs des Wafers, bezeichnet 14b einen Pfad der Scanoperation 14a der Reinigungsdüse und bezeichnen 15b und 15c Pfade der Scanoperation 15a der Halteplattform, und 20 bezeichnet eine Zeitachse.
  • Wie in 14 gezeigt ist, bewegen sich, wenn sich die Reinigungsdüse 2 von der Position 1b des zentralen Teilbereichs des Wafers in Richtung der Position 1c des Endteilbereichs des Wafers bewegt, die Reinigungsdüse 2 und die Halteplattform 43 zuerst entlang dem Pfad 14b, wobei ihre Mitten miteinander ausgerichtet sind. Jedoch ändert die Halteplattform 43 einen Pfad vom Pfad 14b zum Pfad 15b auf dem Weg zum Endteilbereich des Wafers 1 und bewegt sich nicht weiter in Richtung des Endteilbereichs des Wafers 1. Wenn sich die Reinigungsdüse 2 von der Position 1c des Endteilbereichs des Wafers in Richtung der Position 1b des zentralen Teilbereichs des Wafers bewegt, wird die umgekehrte Operation ausgeführt.
  • Wie in 15 gezeigt ist, sind die jeweiligen Mitten der Reinigungsdüse 2 und der Halteplattform 43 an der Position 1b des zentralen Teilbereichs des Wafers 1 miteinander ausgerichtet, aber während sich die Halteplattform 43 in Richtung der Position 1c des Endteilbereichs des Wafers bewegt, wird die Halteplattform 43 allmählich von der Reinigungsdüse 2 getrennt, und, selbst wenn die Reinigungsdüse 2 zur Position 1c des Endteilbereichs des Wafers kommt, bewegt sich die Halteplattform 43 halbwegs und bewegt sich nicht weiter in Richtung des Endteilbereichs des Wafers 1. Wenn sich die Halteplattform 43 von der Position 1c des Endteilbereichs des Wafers in Richtung der Position 1b des zentralen Teilbereichs des Wafers bewegt, wird die umgekehrte Operation ausgeführt.
  • Jede der in 14 und 15 gezeigten Operationen wird so ausgeführt, dass die Zone, wo die Halteplattform 43 die Haltekraft erzeugt, den Abschnitt enthält, der dem Bereich der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entspricht, wo ein Druck, der gleich einem vorbestimmten Grad oder größer ist, durch das aus der Reinigungsdüse 2 ausgestoßene Reinigungsfluid lokal beaufschlagt wird.
  • <Effekt>
  • Wie oben beschrieben wurde, umfasst die Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform ferner den Scanmechanismus 15 für eine Halteplattform, der veranlasst, dass die Halteplattform 43 eine Scanbewegung ausführt, und der Scanmechanismus 15 für eine Halteplattform veranlasst, dass die Halteplattform 43 die Scanbewegung synchron mit der Scanbewegung der Reinigungsdüse 2 ausführt, um so nicht zu bewirken, dass sich die Ausstoßöffnung 43c für ein Haltefluid der Düse 43a für ein Haltefluid außerhalb des Bereichs des Wafers 1 bewegt. Obwohl die Struktur verglichen mit der ersten bevorzugten Ausführungsform kompliziert wird, kann daher die Kopfplatte 43b verkleinert werden, und folglich kann ein Unterschied in einer Haltekraft zwischen der Mitte und dem Umfang der Kopfplatte 43b verkleinert werden.
  • Die Aufspannplattform 9 hat eine ringförmige Außenform, die Kopfplatte 43b hat eine kreisförmige Außenform, und die Aufspannplattform 9 ist auf der äußeren Umfangsseite der Halteplattform 43 geordnet, wodurch ermöglicht wird, zu veranlassen, dass die Halteplattform 43 eine Scanbewegung synchron mit der Scanbewegung der Reinigungsdüse 2 sanft ausführt.
  • In jeder der ersten und zweiten bevorzugten Ausführungsformen verhindert, da die Haltekraft auf die der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzte Oberfläche innerhalb des Bereichs der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 angewendet wird, wo ein Druck, der gleich einem vorbestimmten Grad oder größer ist, durch das aus der Reinigungsdüse 2 ausgestoßene Reinigungsfluid 3 lokal beaufschlagt wird, eine Plattformstruktur, dass die der Bearbeitungsoberfläche entgegengesetzte Oberfläche mit Teilen eines Mechanismus in Kontakt gebracht wird. Da kein Abstützstift, von dem aus ein Bruch beginnt, verwendet wird, können darüber hinaus eine Halbleiterherstellungseinrichtung und ein Halbleiterherstellungsverfahren vorgesehen werden, die eine Fähigkeit aufweisen, Fremdsubstanzen in einem zufriedenstellenden Maße auch über einen ganzen abgedünnten Wafer zu entfernen.
  • Man beachte, dass Hauptunterschiede zwischen den ersten und zweiten bevorzugten Ausführungsformen die Größe der Kopfplatte sind und, ob veranlasst wird, dass die Halteplattform eine Scanbewegung ausführt. Die erste bevorzugte Ausführungsform weist eine Struktur auf, in der eine Drehwelle beim Zentrum einer herkömmlicherweise genutzten Plattformdrehung vorgesehen ist, was die Notwendigkeit für einen Scanmechanismus für die Halteplattform eliminiert und folglich die Struktur einfach macht. Auf der anderen Seite kann in der zweiten bevorzugten Ausführungsform, obgleich die Struktur kompliziert wird, die Kopfplatte kleiner gemacht werden, so dass der Unterschied einer Haltekraft zwischen der Mitte und dem Umfang der Kopfplatte verkleinert werden kann. Falls die Haltekraft auf dem Umfang der Kopfplatte gleichmäßig ist, wird der Volumenstrom des Haltefluids umso geringer, je kleiner die Kopfplatte ist.
  • Ferner ist es denkbar, dass eine Konfiguration verwendet wird, die aus den besten Elementen sowohl der ersten als auch zweiten bevorzugten Ausführungsform gebildet wird, worin der Scanmechanismus der Halteplattform aus der zweiten bevorzugten Ausführungsform eliminiert ist, eine Vielzahl von Ausstoßöffnungen für ein Haltefluid der Halteplattform auf dem Pfad der Scanoperation der Reinigungsdüse angeordnet sind und die Kopfplatte so geformt ist, dass sie alle Zonen um die Vielzahl von Ausstoßöffnungen für ein Haltefluid und dergleichen abdeckt, was eine der bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ist.
  • Obgleich die Erfindung im Detail dargestellt und beschrieben wurde, ist die vorhergehende Beschreibung in allen Aspekten veranschaulichend und nicht beschränkend. Es versteht sich daher, dass zahlreiche Modifikationen und Variationen konzipiert werden können, ohne vom Umfang der Erfindung abzuweichen.
  • Man beachte, dass die vorliegende Erfindung durch jede beliebige Kombination der bevorzugten Ausführungsformen innerhalb des Umfangs der vorliegenden Erfindung verwirklicht werden kann und jede der bevorzugten Ausführungsformen gegebenenfalls modifiziert oder weggelassen werden kann.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2017188695 [0002, 0006]

Claims (12)

  1. Halbleiterherstellungseinrichtung, umfassend: eine Aufspannplattform (8, 9), die dafür konfiguriert ist, einen Halbleiterwafer (1) unter Verwendung eines Endteilbereichs der Aufspannplattform (8, 9) zu halten; eine Reinigungsdüse (2), die dafür konfiguriert ist, ein Reinigungsfluid zu einer Bearbeitungsoberfläche des Halbleiterwafers (1) auszustoßen; einen Scanmechanismus (11, 14) für eine Reinigungsdüse, der dafür konfiguriert ist, zu veranlassen, dass die Reinigungsdüse (2) eine Scanbewegung auf der Bearbeitungsoberfläche des Halbleiterwafers (1) ausführt; einen Plattform-Drehmechanismus (12, 16), der dafür konfiguriert ist, die Aufspannplattform (8, 9) zu drehen; und eine Halteplattform (41, 42, 43), die eine Düse (41a, 42a, 43a) für ein Haltefluid und eine Kopfplatte (41b, 42b, 43b) umfasst, wobei die Düse (41a, 42a, 43b) für ein Haltefluid dafür konfiguriert ist, ein Haltefluid zu einer gegenüberliegenden Oberfläche des Halbleiterwafers (1) auszustoßen, die der Bearbeitungsoberfläche entgegengesetzt ist. wobei die Kopfplatte (41b, 42b, 43b) eine Hauptoberfläche aufweist, die der gegenüberliegenden Oberfläche des Halbleiterwafers (1) zugewandt ist, und die Düse (41a, 42a, 43a) für ein Haltefluid einer Mitte statt einem Umfangsteilbereich der Kopfplatte (41b, 42b, 43b) benachbart angeordnet ist, wobei veranlasst wird, dass das aus der Düse (41a, 42a, 43a) für ein Haltefluid ausgestoßene Haltefluid durch eine Zone zwischen der gegenüberliegenden Oberfläche des Halbleiterwafers (1) und der einen Hauptoberfläche der Kopfplatte (41b, 42b, 43b) strömt, um über die Zone eine Haltekraft zu erzeugen, und die Haltekraft bewirkt, dass die gegenüberliegende Oberfläche einen Druck hält, der durch das Reinigungsfluid beaufschlagt wird, das aus der Reinigungsdüse (2) zur Bearbeitungsoberfläche des Halbleiterwafers (1) ausgestoßen wird.
  2. Halbleiterherstellungseinrichtung nach Anspruch 1, wobei die Haltekraft einen Druck der Haltekraft und eine Zugkraft, die durch eine Strömungsgeschwindigkeit des Haltefluids erzeugt wird, umfasst.
  3. Halbleiterherstellungseinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Halteplattform (41, 42) in die Aufspannplattform (8) integriert ist, die Düse (41a, 42a) für ein Haltefluid nicht dreht und die Kopfplatte (41b, 42b) zusammen mit der Aufspannplattform (8) dreht.
  4. Halbleiterherstellungseinrichtung nach Anspruch 3, wobei die Kopfplatte (41b, 42b) eine kreisförmige Außenform aufweist, und ein Wert, der sich aus einem Subtrahieren eines Außendurchmessers der Kopfplatte (41b, 42b) von einem Außendurchmesser des Halbleiterwafers (1) ergibt, gleich 4 mm oder kleiner ist.
  5. Halbleiterherstellungseinrichtung nach Anspruch 3, wobei die Düse (41a, 42a) für ein Haltefluid und die Kopfplatte (41b, 42b) so angeordnet sind, dass sie einander überlappen, und ein Teilbereich der Kopfplatte (41b, 42b), der die Düse (41a, 42a) für ein Haltefluid überlappt, geöffnet ist.
  6. Halbleiterherstellungseinrichtung nach Anspruch 3, wobei die Düse (41a, 42a) für ein Haltefluid und die Kopfplatte (41b, 42b) so angeordnet sind, dass sie mit einem zwischen der Düse (41a, 42a) für ein Haltefluid und der Kopfplatte (41b, 42b) vorgesehenen Spalt einander überlappen, und veranlasst wird, dass das Haltefluid durch den Spalt zu einer anderen Hauptoberfläche der Kopfplatte (41b, 42b) strömt und durch eine Vielzahl von in der Kopfplatte (41b, 42b) vorgesehenen Löchern von der anderen Hauptoberfläche der Kopfplatte (41b, 42b) zu der einen Hauptoberfläche der Kopfplatte (41b, 42b) strömt.
  7. Halbleiterherstellungseinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, ferner umfassend einen Scanmechanismus (15) für eine Halteplattform, der dafür konfiguriert ist, zu veranlassen, dass die Halteplattform (43) eine Scanbewegung ausführt, wobei der Scanmechanismus (15) für eine Halteplattform veranlasst, dass die Halteplattform (43) die Scanbewegung synchron mit der Scanbewegung der Reinigungsdüse (2) ausführt, um so nicht zu bewirken, dass sich die Ausstoßöffnung für ein Haltefluid der Düse (43a) für ein Haltefluid aus einem Bereich des Halbleiterwafers (1) bewegt.
  8. Halbleiterherstellungseinrichtung nach Anspruch 7, wobei die Aufspannplattform (9) eine ringförmige Außenform aufweist; die Kopfplatte (43b) eine kreisförmige Außenform aufweist; und die Aufspannplattform (9) außerhalb der Halteplattform (43) in einer Umfangsrichtung angeordnet ist.
  9. Halbleiterherstellungseinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Reinigungsdüse (2) eine Düse für zwei Fluide ist, die ein Gemisch aus Flüssigkeit und Gas ausstößt, die Düse (41a, 42a, 43a) für ein Haltefluid eine Düse ist, die nur ein Gas oder ein Gemisch aus Gas und Flüssigkeit ausstoßen kann, und sowohl die Bearbeitungsoberfläche als auch die gegenüberliegende Oberfläche des Halbleiterwafers (1) einem Reinigungsprozess unterzogen werden.
  10. Halbleiterherstellungseinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Reinigungsdüse (2) eine Düse für zwei Fluide ist, die ein Gemisch aus Flüssigkeit und Gas ausstößt, die Düse (41a, 42a, 43a) für ein Haltefluid eine Düse ist, die nur ein Gas oder ein Gemisch aus Gas und Flüssigkeit ausstoßen kann, und ein Volumenstrom des aus der Düse (41a, 42a, 43a) für ein Haltefluid ausgestoßenen Gases gleich einem halben Volumenstrom des aus der Reinigungsdüse (2) ausgestoßenen Gases oder größer ist.
  11. Halbleiterherstellungsverfahren unter Verwendung einer Halbleiterherstellungseinrichtung nach Anspruch 3, wobei das Verfahren umfasst: (a) Zuführen des Haltefluids auf die Halteplattform (41, 42); (b) Laden des Halbleiterwafers (1) auf die Halteplattform (41, 42); (c) Veranlassen, dass die Reinigungsdüse (2) eine Scanbewegung ausführt, während der Halbleiterwafer (1) gedreht wird, um den Halbleiterwafer (1) einem Reinigungsprozess zu unterziehen; (d) Entladen des Halbleiterwafers (1) von der Halteplattform (41, 42); und (e) Stoppen der Zufuhr des Haltefluids.
  12. Halbleiterherstellungsverfahren unter Verwendung einer Halbleiterherstellungseinrichtung nach Anspruch 7, wobei das Verfahren umfasst: (f) Zuführen des Haltefluids auf die Halteplattform (43); (g) Laden des Halbleiterwafers (1) auf die Halteplattform (43); (h) Veranlassen, dass die Reinigungsdüse (2) und die Halteplattform (43) eine Scanbewegung ausführen, während der Halbleiterwafer (1) gedreht wird, um den Halbleiterwafer (1) einem Reinigungsprozess zu unterziehen; (i) Entladen des Halbleiterwafers (1) von der Halteplattform (43); und (j) Stoppen der Zufuhr des Haltefluids.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220038223A (ko) 2020-09-18 2022-03-28 삼성전자주식회사 기판 세정 방법 및 그를 포함하는 기판 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017188695A (ja) 2017-03-16 2017-10-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置

Family Cites Families (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5169196A (en) * 1991-06-17 1992-12-08 Safabakhsh Ali R Non-contact pick-up head
ATE171306T1 (de) * 1993-02-08 1998-10-15 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Träger für scheibenförmige gegenstände
US5979475A (en) * 1994-04-28 1999-11-09 Hitachi, Ltd. Specimen holding method and fluid treatment method of specimen surface and systems therefor
US20040065540A1 (en) * 2002-06-28 2004-04-08 Novellus Systems, Inc. Liquid treatment using thin liquid layer
KR100887360B1 (ko) * 2001-01-23 2009-03-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
US6669808B2 (en) * 2001-03-22 2003-12-30 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN1276465C (zh) * 2001-05-18 2006-09-20 兰姆研究有限公司 降低制造过程中表面张力的衬底制备设备
US6770151B1 (en) * 2001-07-13 2004-08-03 Lam Research Corporation Drying a substrate using a combination of substrate processing technologies
JP3958539B2 (ja) * 2001-08-02 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US20030168174A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-11 Foree Michael Todd Gas cushion susceptor system
JP3983643B2 (ja) * 2002-10-16 2007-09-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理システム
JP2004335671A (ja) * 2003-05-07 2004-11-25 Renesas Technology Corp 枚葉式２流体洗浄装置及び半導体装置の洗浄方法
JP4312001B2 (ja) * 2003-07-28 2009-08-12 リアライズ・アドバンストテクノロジ株式会社 基板支持装置および基板取り外し方法
US7648579B2 (en) * 2004-02-13 2010-01-19 Asm America, Inc. Substrate support system for reduced autodoping and backside deposition
CN100501931C (zh) * 2004-04-23 2009-06-17 东京毅力科创株式会社 基板清洗方法、基板清洗装置
JP2006013107A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2006186117A (ja) 2004-12-28 2006-07-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持装置および基板回転式処理装置
US7767026B2 (en) * 2005-03-29 2010-08-03 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US7914626B2 (en) * 2005-11-24 2011-03-29 Tokyo Electron Limited Liquid processing method and liquid processing apparatus
JP4698407B2 (ja) * 2005-12-20 2011-06-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4730787B2 (ja) * 2006-08-29 2011-07-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP5013400B2 (ja) * 2006-09-29 2012-08-29 国立大学法人東北大学 塗布膜コーティング装置
US7607647B2 (en) * 2007-03-20 2009-10-27 Kla-Tencor Technologies Corporation Stabilizing a substrate using a vacuum preload air bearing chuck
US8057602B2 (en) * 2007-05-09 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber
CN102308381B (zh) * 2009-02-11 2014-08-13 应用材料公司 非接触性基板处理
KR101142959B1 (ko) * 2009-06-29 2012-05-08 김영태 평판 정밀 플로팅 시스템
CN102473626A (zh) * 2009-07-03 2012-05-23 国立大学法人东北大学 湿式处理装置以及湿式处理方法
US20110130009A1 (en) 2009-11-30 2011-06-02 Lam Research Ag Method and apparatus for surface treatment using a mixture of acid and oxidizing gas
US8596623B2 (en) * 2009-12-18 2013-12-03 Lam Research Ag Device and process for liquid treatment of a wafer shaped article
US9646859B2 (en) * 2010-04-30 2017-05-09 Applied Materials, Inc. Disk-brush cleaner module with fluid jet
JP5926501B2 (ja) * 2011-06-15 2016-05-25 東京応化工業株式会社 保持装置および保持方法
US8967935B2 (en) * 2011-07-06 2015-03-03 Tel Nexx, Inc. Substrate loader and unloader
US8945341B2 (en) * 2011-08-22 2015-02-03 Lam Research Ag Method and device for wet treatment of plate-like articles
JP6113960B2 (ja) * 2012-02-21 2017-04-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
JP5866227B2 (ja) * 2012-02-23 2016-02-17 株式会社荏原製作所 基板洗浄方法
CN110610894B (zh) * 2012-11-27 2023-08-04 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 使用基板支撑装置清洗基板背面的方法
CN108336011B (zh) * 2012-11-30 2022-08-02 株式会社尼康 搬入方法、搬送系统及曝光装置、和器件制造方法
JP2014167996A (ja) * 2013-02-28 2014-09-11 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
JP6215671B2 (ja) * 2013-11-26 2017-10-18 株式会社東京精密 基板の洗浄方法及び洗浄装置
US9607844B2 (en) * 2014-09-29 2017-03-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing apparatus
US9500405B2 (en) * 2014-10-28 2016-11-22 Lam Research Ag Convective wafer heating by impingement with hot gas
WO2016067562A1 (ja) * 2014-10-31 2016-05-06 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP6352827B2 (ja) 2015-02-12 2018-07-04 株式会社テックインテック 基板処理装置
US9499906B2 (en) * 2015-02-13 2016-11-22 Eastman Kodak Company Coating substrate using bernoulli atomic-layer deposition
US10283384B2 (en) * 2015-04-27 2019-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for etching etch layer and wafer etching apparatus
JP6660202B2 (ja) * 2016-02-19 2020-03-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6934732B2 (ja) * 2016-03-31 2021-09-15 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6706162B2 (ja) * 2016-06-27 2020-06-03 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
KR102512826B1 (ko) * 2016-07-06 2023-03-23 에이씨엠 리서치 (상하이), 인코포레이티드 기판 지지 장치
US20180040502A1 (en) * 2016-08-05 2018-02-08 Lam Research Ag Apparatus for processing wafer-shaped articles
JP6784546B2 (ja) * 2016-09-08 2020-11-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6689719B2 (ja) * 2016-09-23 2020-04-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US20180096879A1 (en) * 2016-10-05 2018-04-05 Lam Research Ag Spin chuck including edge ring
TWI645913B (zh) * 2016-11-10 2019-01-01 辛耘企業股份有限公司 液體製程裝置
TWI821887B (zh) * 2016-11-29 2023-11-11 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
WO2018171907A1 (en) * 2017-03-21 2018-09-27 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for holding a substrate, method for loading a substrate into a vacuum processing module, and system for vacuum processing of a substrate
US20200161146A1 (en) * 2017-04-25 2020-05-21 Veeco Instruments Inc. Semiconductor wafer processing chamber
US11107722B2 (en) * 2017-05-11 2021-08-31 Rorze Corporation Thin-plate substrate holding finger and transfer robot provided with said finger
JP6887912B2 (ja) * 2017-08-07 2021-06-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
CN109461691A (zh) * 2017-09-06 2019-03-12 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 晶圆支撑装置
JP7178177B2 (ja) * 2018-03-22 2022-11-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP7144218B2 (ja) * 2018-07-05 2022-09-29 株式会社荏原製作所 治具、及び治具を用いた設置方法
JP7370201B2 (ja) * 2019-09-20 2023-10-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017188695A (ja) 2017-03-16 2017-10-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置

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