DE102019216065A1 - Halbleiterherstellungseinrichtung und Halbleiterherstellungsverfahren - Google Patents

Halbleiterherstellungseinrichtung und Halbleiterherstellungsverfahren Download PDF

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Abstract

Eine Halbleiterherstellungseinrichtung umfasst eine Aufspannplattform (2b), einen Plattform-Drehmechanismus (2), eine Düse (6) für eine chemische Flüssigkeit, einen Scanmechanismus (7) für eine Düse für eine chemische Flüssigkeit, eine Gasdüse (2c) zur unteren Oberfläche, die dafür konfiguriert ist, Gas einer unteren Oberfläche eines Wafers (1) zuzuführen, einen Gastemperatur-Controller (11a), der dafür konfiguriert ist, eine Temperatur des Gases zu steuern, das der Gasdüse (2c) zur unteren Oberfläche zugeführt wird, ein Gas-Umgehungsrohr (11b), das dafür konfiguriert ist, zu ermöglichen, dass das Gas der Gasdüse (2c) zur unteren Oberfläche zugeführt wird, ohne zu veranlassen, dass das Gas durch den Gastemperatur-Controller (11a) gelangt, und erste und zweite Auf-Zu-Ventile (11c, 11d), die dafür konfiguriert sind, zu öffnen und zu schließen, um zu ermöglichen, dass eines des Gases, dessen Temperatur durch den Gastemperatur-Controller (11a) gesteuert wurde, und des Gases, das durch das Gas-Umgehungsrohr (11b) gelangt, der Gasdüse (2c) zur unteren Oberfläche zugeführt wird. Eine Betätigung der ersten und zweiten Auf-Zu-Ventile (11c, 11d) ermöglicht, dass eine Temperatur des durch die Gasdüse (2c) zur unteren Oberfläche gelangenden Gases geändert wird.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Nassbearbeitungstechnik, die angewendet wird, indem eine chemische Flüssigkeit zu einem Halbleiterwafer ausgestoßen wird.
  • Beschreibung des allgemeinen Stands der Technik
  • In einem Halbleiterherstellungsprozess wird, nachdem mittels Lithografie unter Verwendung eines Resists ein Muster eines organischen Materials ausgebildet ist, eine Ätzung auf einem Oxidfilm oder einem Metallmaterial mittels Trockenätzung unter Verwendung mehrerer Arten eines Gases durchgeführt, das über eine Anwendung einer Hochfrequenz-Leistungsabgabe erregt wird.
  • Um das Resist zu entfernen, wird danach eine chemische Flüssigkeit verwendet, um das Resist aufzulösen. Als ein Verfahren zum Entfernen eines Resists unter Verwendung einer chemischen Flüssigkeit ist beispielsweise die in der offengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. 2005-217226 beschriebene Technik offenbart.
  • In einer herkömmlichen allgemeinen Halbleiterherstellungseinrichtung wird ein Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit durchgeführt, indem eine chemische Flüssigkeit mit einem vorbestimmten Volumenstrom ausgestoßen wird, während ein Halbleiterwafer mit einer vorbestimmten Drehzahl gedreht wird, und veranlasst wird, dass eine Düse für eine chemische Flüssigkeit eine Scanbewegung mit einer vorbestimmten Geschwindigkeit ausführt, um so zu bewirken, dass sich die chemische Flüssigkeit überall über eine ganze Oberfläche des Halbleiterwafers gleichmäßig ausbreitet. Im Folgenden wird auf den „Halbleiterwafer“ einfach als „Wafer“ verwiesen.
  • In einem reaktionsgesteuerten Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit wie etwa einer Entfernung eines Resists mit einem Schwefelsäure/Wasserstoffperoxid-Gemisch wird, um eine Bearbeitungszeit zu verkürzen, in vielen Fällen beispielsweise eine Temperatur einer chemischen Flüssigkeit erhöht, um eine Reaktivität zu erhöhen.
  • Wie oben beschrieben wurde, wird jedoch, da die chemische Flüssigkeit mit dem vorbestimmten Volumenstrom ausgestoßen wird, während der Wafer mit der vorbestimmten Drehzahl weiter dreht und die Düse für eine chemische Flüssigkeit eine Scanbewegung mit der vorbestimmten Geschwindigkeit weiter ausführt, eine Atmosphäre auf der oberen Oberfläche des Wafers gebildet bzw. freigesetzt, während Wärme von der chemischen Flüssigkeit auf der oberen Oberfläche des Wafers aufgenommen wird. Ferner wird ein Gas mit Umgebungstemperatur, das von unterhalb einer unteren Oberfläche einer Aufspannplattform zugeführt, während Wärme von der chemischen Flüssigkeit auf der oberen Oberfläche des Wafers durch den Wafer, der eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist, aufgenommen wird. Die Temperatur der chemischen Flüssigkeit auf der oberen Oberfläche des Wafers, insbesondere am Umfang des Wafers, fällt scharf ab.
  • Um solch einen Abfall der Temperatur der chemischen Flüssigkeit zu unterdrücken, ist es effektiv, den Ausstoß-Volumenstrom der chemischen Flüssigkeit zu erhöhen und die Scangeschwindigkeit der Düse für eine chemische Flüssigkeit zu erhöhen, um den Scanbereich zu erweitern. Wenn es jedoch eine physikalische Grenze für einen Bereich einer Betriebsbedingung gibt, ist der Effekt ebenfalls beschränkt, und als Folge ist auch eine Gleichmäßigkeit in der Ebene im Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit eingeschränkt. Ferner erhöht die Erhöhung des Volumenstroms der chemischen Flüssigkeit das Tempo einer Verflüchtigung und Zersetzung von in der chemischen Flüssigkeit enthaltenen Komponenten der chemischen Flüssigkeit, so dass eine zusätzlich zuzuführende Vorratslösung erhöht werden muss und dementsprechend der Verbrauch erhöht wird.
  • Ferner reicht es in einem zufuhrgesteuerten Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit wie etwa einer Ätzung eines Si-Wafers mit Fluor-Stickstoff-Säure nicht aus, die chemische Flüssigkeit auf der oberen Oberfläche des Wafers gleichmäßig über die gesamte Oberfläche des Wafers auszubreiten, und es ist notwendig, sicherzustellen, dass die chemische Flüssigkeit über der gesamten oberen Oberfläche des Wafers gleichmäßig aktiviert wird. Dies erfordert, dass Betriebsbedingungen wie etwa die Drehzahl des Wafers, der Ausstoß-Volumenstrom der chemischen Flüssigkeit, die Scangeschwindigkeit der Düse für eine chemische Flüssigkeit und der Scanbereich der Düse für eine chemische Flüssigkeit optimiert werden. Wenn es jedoch physikalische Beschränkungen für die Bereiche der Betriebsbedingungen gibt, wird auch die Optimierung ungenügend. Insbesondere im Fall eines Prozesses mit einer chemischen Flüssigkeit wie etwa einer Ätzung eines Si-Wafers mit Fluor-Stickstoff-Säure, bei der Reaktionswärme erzeugt wird, versagt eine Maßnahme, wie etwa in der Zone um den zentralen Teilbereich des Wafers herum eine Reaktion hervorzurufen, die für eine Reaktion geeignet ist, die beim zentralen Teilbereich des Wafers stattfinden kann und gemäß der Intensität einer Aktivität beschleunigt oder verlangsamt wird, und als Folge ist auch die Gleichmäßigkeit in der Ebene im Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit beschränkt.
  • In der in der offengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. 2005-217226 beschriebenen Technik wird ferner der Wafer an einem Montagetisch fixiert und direkt geheizt, und aufgrund einer schlechten Haftung zwischen dem Wafer und dem Montagetisch tritt eine Temperaturschwankung auf, was verhindert, dass der Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit mit der über dem gesamten Wafer einheitlichen Temperatur durchgeführt wird, und es dementsprechend schwierig macht, die Gleichmäßigkeit in der Ebene im Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit zu erzielen.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Technik vorzusehen, die ermöglicht, dass eine ausreichende Gleichmäßigkeit in der Ebene in einem Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit selbst innerhalb eines Bereichs einer Betriebsbedingung, in dem aufgrund beispielsweise einer Vergrößerung des Durchmessers eines Wafers eine physikalische Grenze gravierend wird, sichergestellt wird.
  • Eine Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst eine Aufspannplattform, einen Plattform-Drehmechanismus, eine Düse für eine chemische Flüssigkeit, einen Scanmechanismus für eine Düse für eine chemische Flüssigkeit, eine Gasdüse, einen Gastemperatur-Controller, ein Gas-Umgehungsrohr und ein Auf-Zu-Ventil. Die Aufspannplattform hält einen Wafer unter Verwendung eines Endteilbereichs der Aufspannplattform. Der Plattform-Drehmechanismus dreht die Aufspannplattform. Die Düse für eine chemische Flüssigkeit stößt eine chemische Flüssigkeit zu einer Bearbeitungsoberfläche des Wafers aus. Der Scanmechanismus für eine Düse für eine chemische Flüssigkeit veranlasst, dass die Düse für eine chemische Flüssigkeit eine Scanbewegung auf der Bearbeitungsoberfläche des Wafers ausführt. Die Gasdüse führt Gas einer gegenüberliegenden Oberfläche zu, die der Bearbeitungsoberfläche des Wafers entgegengesetzt ist. Der Gastemperatur-Controller steuert eine Temperatur des der Gasdüse zuzuführenden Gases. Das Gas-Umgehungsrohr ermöglicht, dass das Gas der Gasdüse zugeführt wird, ohne zu veranlassen, dass das Gas durch den Gastemperatur-Controller gelangt. Das Auf-Zu-Ventil öffnet und schließt, um zu ermöglichen, dass eines des Gases, dessen Temperatur durch den Gastemperatur-Controller gesteuert wurde, und des Gases, das durch das Gas-Umgehungsrohr gelangt, der Gasdüse zugeführt wird. Eine Betätigung des Auf-Zu-Ventils ermöglicht, dass eine Temperatur des durch die Gasdüse gelangenden Gases geändert wird.
  • Da der Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit mit einer über dem gesamten Wafer einheitlichen Temperatur durchgeführt werden kann, kann eine Gleichmäßigkeit in der Ebene im Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit zufriedenstellend sichergestellt werden.
  • Diese und andere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung ersichtlicher werden, wenn sie in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen vorgenommen wird.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Querschnittsansicht, die einen Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit in einer Bearbeitungskammer einer Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß einer ersten bevorzugten Ausführungsform zeigt;
    • 2 ist ein schematisches Diagramm, das eine Steuerungsfunktion der Bearbeitungskammer der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform zeigt;
    • 3 ist eine Querschnittsansicht, die einen Wasser-Waschprozess in der Bearbeitungskammer der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform zeigt;
    • 4 ist eine Querschnittsansicht, die einen Trocknungsprozess in der Bearbeitungskammer der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform zeigt;
    • 5 ist ein Flussdiagramm, das Prozesse zeigt, die in der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform durchgeführt werden sollen;
    • 6 ist eine Querschnittsansicht, die einen Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit in einer Bearbeitungskammer einer Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform zeigt;
    • 7 ist ein Diagramm, das eine beschleunigte Reaktion zeigt, die bei einem zentralen Teilbereich eines Wafers stattfindet, wenn eine Aktivität im Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit, in welchem Reaktionswärme erzeugt wird, hoch ist;
    • 8 ist ein Diagramm, das eine verlangsamte Reaktion zeigt, die bei dem zentralen Teilbereich des Wafers stattfindet, wenn eine Aktivität im Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit, in welchem Reaktionswärme erzeugt wird, niedrig ist;
    • 9 ist eine Querschnittsansicht, die einen Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit in einer Bearbeitungskammer einer Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß einer zugrunde liegenden Technologie zeigt;
    • 10 ist ein schematisches Diagramm, das eine Steuerungsfunktion der Bearbeitungskammer der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zugrunde liegenden Technologie zeigt; und
    • 11 ist ein Flussdiagramm, das in der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zugrunde liegenden Technologie durchzuführende Prozesse zeigt.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • <Zugrunde liegende Technologie>
  • Bevor die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben werden, wird eine Beschreibung einer Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß einer zugrunde liegenden Technologie gegeben. 9 ist eine Querschnittsansicht, die einen Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit in einer Bearbeitungskammer der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zugrunde liegenden Technologie zeigt.
  • Wie in 9 gezeigt ist, umfasst die Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zugrunde liegenden Technologie einen Plattform-Drehmechanismus 2, einen eine Aufspannvorrichtung öffnenden und schließenden Mechanismus 3, eine Platte 4, einen Schalen-Hubmechanismus 5, eine Düse 6 für eine chemische Flüssigkeit, einen Scanmechanismus 7 für eine Düse für eine chemische Flüssigkeit, eine Wasserdüse 8, einen Umwälz-Ausstoßmechanismus 9 mit Temperatursteuerung einer chemischen Flüssigkeit und einen ersten Gas-Flüssigkeit-Separator 10a.
  • Der Plattform-Drehmechanismus 2 umfasst einen Plattform-Drehmotor 2a, eine Aufspannplattform 2b und eine Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche, deren Ausstoßöffnung in Ausrichtung mit einem zentralen Teilbereich eines Wafers 1 positioniert ist. Die Aufspannplattform 2b hält den Wafer 1 unter Verwendung eines Endteilbereichs der Aufspannplattform 2b. Der Plattform-Drehmotor 2a dreht die Aufspannplattform 2b. Die Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche führt einer einer Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzten Oberfläche Gas zu.
  • Der eine Aufspannvorrichtung öffnende und schließende Mechanismus 3 umfasst eine Aufspannstiftbasis 3a, einen Aufspannstift 3b und einen Abstützstift 3c. Der Schalen-Hubmechanismus 5 umfasst eine erste Schale 5a, eine zweite Schale 5b, eine Abdeckung 5c und eine Schalenbasis 5d.
  • Die Düse 6 für eine chemische Flüssigkeit stößt eine chemische Flüssigkeit 14a zur Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 aus. Der Scanmechanismus 7 für eine Düse für eine chemische Flüssigkeit umfasst einen Scanmotor 7a, eine Scanwelle 7b und einen Scanarm 7c und veranlasst, dass die Düse 6 für eine chemische Flüssigkeit eine Scanbewegung auf der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 ausführt. Der Umwälz-Ausstoßmechanismus 9 mit Temperatursteuerung einer chemischen Flüssigkeit umfasst einen Umwälztank 9a für eine chemische Flüssigkeit, einen ersten Vorratslösungstank 9b, einen zweiten Vorratslösungstank 9c, eine Umwälzpumpe 9d für eine chemische Flüssigkeit und einen Temperatur-Controller 9e für eine chemische Flüssigkeit.
  • Die Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 ist hier eine obere Oberfläche des Wafers 1. Die der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzte Oberfläche ist eine gegenüberliegende Oberfläche, die der Bearbeitungsoberfläche des Wafers 1 entgegengesetzt ist, und konkreter eine untere Oberfläche des Wafers 1.
  • 10 ist ein schematisches Diagramm, das eine Steuerungsfunktion der Bearbeitungskammer der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zugrunde liegenden Technologie zeigt. Wie in 10 gezeigt ist, umfasst ein Betriebs-PC 103 eine Mensch-Maschine-Schnittstelle (MM-IF) 103a wie etwa eine Anzeige mit Berührungsfeld und einen Personal Computer (PC) 103b.
  • Ein Steuerungs-PLC 104 enthält einen programmierbaren Logik-Controller (PLC) 104a, ein Plattform-Drehmodul 104b, das den Plattform-Drehmechanismus 2 steuert, ein eine Aufspannvorrichtung öffnendes und schließendes Modul 104c, das den eine Aufspannvorrichtung öffnenden und schließenden Mechanismus 3 steuert, ein Schalen-Hubmodul 104d, das den Schalen-Hubmechanismus 5 steuert, ein Düsen-Scanmodul 104e, das den Scanmechanismus 7 für eine Düse für eine chemische Flüssigkeit steuert, ein Umwälz-Ausstoßmodul 104f mit Temperatursteuerung einer chemischen Flüssigkeit, das den Umwälz-Ausstoßmechanismus 9 mit Temperatursteuerung einer chemischen Flüssigkeit steuert, ein Wasser-Ausstoßmodul 104g, das einen Ausstoß von Wasser 15 steuert, und ein Modul 104h für einen Gasausstoß zur unteren Oberfläche, das einen Ausstoß eines Gases 16 mit Umgebungstemperatur zur unteren Oberfläche steuert.
  • Ein Bediener setzt einen (nicht dargestellten) Träger, der den Wafer 1 enthält, in eine (nicht dargestellte) Ladeöffnung, wählt auf der MM-IF 103a eine im PC 103b vorher eingetragene Rezeptur aus und gibt einen Prozessstart ein. Der PC 103b leitet einen in der Rezeptur spezifizierten Prozessparameter zum PLC 104a weiter, um eine Reihe von Steuerungsoperationen des PLC 104a zu starten. Der PLC 104a steuert einen (nicht dargestellten) Transferroboter, die Bearbeitungskammer und dergleichen, veranlasst, dass der Transferroboter Wafer-Ladeschlitze im Träger abbildet und den Wafer 1 zwischen dem Träger und der Bearbeitungskammer transferiert, und führt eine Reihe von Prozessen auf dem Wafer 1 in der Bearbeitungskammer durch.
  • Als Nächstes wird eine Beschreibung einer Vorbereitung einer chemischen Flüssigkeit 14 in dem Umwälz-Ausstoßmechanismus 9 mit Temperatursteuerung einer chemischen Flüssigkeit gegeben. In diesem Beispiel wird eine gewünschte chemische Flüssigkeit 14 aus zwei Vorratslösungen vorbereitet. Eine bestimmte Menge der ersten Vorratslösung 12 wird aus dem ersten Vorratslösungstank 9b dem Umwälztank 9a für eine chemische Flüssigkeit zugeführt, eine bestimmte Menge einer zweiten Vorratslösung 13 wird aus dem zweiten Vorratslösungstank 9c dem Umwälztank 9a für eine chemische Flüssigkeit zugeführt, und die Umwälzpumpe 9d für eine chemische Flüssigkeit wird in Gang gesetzt bzw. betätigt, um die chemische Flüssigkeit 14 zirkulieren zu lassen bzw. umzuwälzen, und der Temperatur-Controller 9e für eine chemische Flüssigkeit steuert eine Temperatur der chemischen Flüssigkeit 14 auf eine vorbestimmte Temperatur, während die chemische Flüssigkeit 14 weiter umgewälzt wird. Wenn der Umwälz-Volumenstrom und die Temperatur der chemischen Flüssigkeit 14 in vorbestimmte Bereiche fallen, ist die Vorbereitung der chemischen Flüssigkeit 14 abgeschlossen. Man beachte, dass eine Operation zum zusätzlichen Zuführen der ersten Vorratslösung 12 und der zweiten Vorratslösung 13, um eine durch eine Verflüchtigung, Zersetzung und Reaktion hervorgerufene Abnahme von Flüssigkeitskomponenten und eine Abnahme des Flüssigkeitsvolumens aufgrund der Verwendung der chemischen Flüssigkeit 14 zu kompensieren, im Allgemeinen durchgeführt wird.
  • Als Nächstes wird eine Beschreibung eines Betriebs der Bearbeitungskammer gegeben. Ein Drehen der Aufspannstiftbasis 3a des eine Aufspannvorrichtung öffnenden und schließenden Mechanismus 3, um den Aufspannstift 3b zu öffnen und zu schließen, ermöglicht, dass der Wafer 1 auf die Aufspannplattform 2b des Plattform-Drehmechanismus 2 geladen wird. Veranlasst man, dass der Plattform-Drehmotor 2a die Aufspannplattform 2b dreht, ermöglicht dies, dass der durch die Aufspannstifte 3b gehaltene Wafer 1 dreht. Die Düse 6 für eine chemische Flüssigkeit ist an dem Scanmechanismus 7 für eine Düse für eine chemische Flüssigkeit angebracht, und der Scanmotor 7a oszilliert, um über die Scanwelle 7b und den Scanarm 7c zu ermöglichen, dass die Düse 6 für eine chemische Flüssigkeit eine Scanbewegung auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 ausführt. Der Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit wird ausgeführt, indem die chemische Flüssigkeit 14 mit einem vorbestimmten Volumenstrom ausgestoßen wird, während der Wafer 1 mit einer vorbestimmten Drehzahl gedreht wird, und veranlasst wird, dass die Düse 6 für eine chemische Flüssigkeit eine Scanbewegung mit einer vorbestimmten Geschwindigkeit ausführt, um so zu veranlassen, dass sich die chemische Flüssigkeit 14a auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 über die gesamte obere Oberfläche des Wafers 1 gleichmäßig ausbreitet.
  • Die Drehung des Wafers 1 bewirkt, dass die chemische Flüssigkeit 14a auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 vom Endteilbereich des Wafers 1 abströmt. Wird die erste Schale 5a des Schalen-Hubmechanismus 5, die so angeordnet ist, dass sie einen Umfang der Aufspannplattform 2b umgibt, angehoben, wird die chemische Flüssigkeit 14a eine rückgewonnene chemische Flüssigkeit 14b und kehrt über den ersten Gas-Flüssigkeit-Separator 10a zum Umwälztank 3a für eine chemische Flüssigkeit zurück.
  • Wenn der Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit abgeschlossen ist, wird der Ausstoß der chemischen Flüssigkeit 14 gestoppt, wird der Scanmechanismus 7 für eine Düse für eine chemische Flüssigkeit zu einer Bereitschaftsposition zurückgeführt, wird die zweite Schale 5b angehoben und wird ein Wasser-Waschprozess gestartet. Der Wasser-Waschprozess wird durchgeführt, indem das Wasser 15 aus der Wasserdüse 8 mit einem vorbestimmten Volumenstrom zum zentralen Teilbereich des Wafers 1 ausgestoßen wird, während der Wafer 1 mit einer vorbestimmten Drehzahl gedreht wird, um zu bewirken, dass sich das Wasser 15 gleichmäßig über die gesamte obere Oberfläche des Wafers 1 ausbreitet.
  • Wenn der Wasser-Waschprozess abgeschlossen ist, wird der Ausstoß des Wassers 15 gestoppt, und ein Trocknungsprozess wird gestartet. Der Trocknungsprozess wird durchgeführt, indem der Wafer 1 mit einer vorbestimmten Drehzahl gedreht wird, um den Wafer 1 trocken zu schleudern.
  • Vom Beginn des Prozesses mit einer chemischen Flüssigkeit bis zum Ende des Trocknungsprozesses wird, um zu verhindern, dass die chemische Flüssigkeit 14a und Wasser 15 auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 entlang dem Endteilbereich des Wafers 1 aufgrund einer Oberflächenspannung zur unteren Oberfläche strömen, ein Gas 16 mit Umgebungstemperatur aus der Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche fortlaufend zugeführt, die in Ausrichtung mit einem zentralen Teilbereich der Aufspannplattform 2b positioniert ist. Das Gas 16a mit Umgebungstemperatur auf der unteren Oberfläche des Wafers 1 lässt man durch die Schale zusammen mit einer Atmosphäre auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 ausströmen und wird dann ein Gas 16b mit Umgebungstemperatur, das durch den ersten Gas-Flüssigkeit-Separator 10a freigesetzt wird.
  • 11 ist ein Flussdiagramm, das in der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zugrunde liegenden Technologie durchzuführende Prozesse zeigt.
  • Der PLC 104a veranlasst in Schritt S201, dass eine Roboterhand des Transferroboters aus dem Träger den im Träger gelagerten Wafer 1 entnimmt, und dreht die Aufspannstiftbasis 3a, um den Aufspannstift 3b in Schritt S202 zu öffnen.
  • Der PLC 104a positioniert die Roboterhand bei einer Abgabeposition über der Aufspannplattform 2b in Schritt S203 und veranlasst in Schritt S204, dass die Roboterhand den Wafer 1 an die Aufspannplattform 2b abgibt.
  • Der PLC 104a dreht die Aufspannstiftbasis 3a, um in Schritt S205 den Aufspannstift 3b zu schließen, und bewegt in Schritt S206 die Roboterhand aus der Bearbeitungskammer.
  • Der PLC 104a hebt in Schritt S207 die erste Schale 5a an und führt in Schritt S208a den Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit durch, indem die chemische Flüssigkeit 14 mit dem vorbeschriebenen Volumenstrom ausgestoßen wird, während der Wafer 1 mit der vorbestimmten Drehzahl gedreht wird, und veranlasst wird, dass die Düse 6 für eine chemische Flüssigkeit eine Scanbewegung mit der vorbestimmten Geschwindigkeit ausführt, um zu bewirken, dass sich die chemische Flüssigkeit 14a auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 über die gesamte obere Oberfläche des Wafers 1 wie oben beschrieben gleichmäßig ausbreitet. Während der Ausführung des Prozesses mit einer chemischen Flüssigkeit wird, um zu verhindern, dass die chemische Flüssigkeit 14a auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 entlang dem Endteilbereich des Wafers 1 aufgrund einer Oberflächenspannung zur unteren Oberfläche strömt, das Gas 16 mit Umgebungstemperatur fortlaufend aus der Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche zugeführt, die in Ausrichtung mit dem zentralen Teilbereich der Aufspannplattform 2b positioniert ist.
  • Der PLC 104a hebt in Schritt S209 die zweite Schale 5b an und führt in Schritt S210a den Wasser-Waschprozess durch, indem das Wasser 15 aus der Wasserdüse 8 mit dem vorbestimmten Volumenstrom zum zentralen Teilbereich des Wafers 1 ausgestoßen wird, während der Wafer 1 mit der vorbestimmten Drehzahl gedreht wird, um zu veranlassen, dass sich das Wasser 15 überall über die obere Oberfläche des Wafers 1 wie oben beschrieben gleichmäßig ausbreitet. Während der Ausführung des Wasser-Waschprozesses wird, um zu verhindern, dass das Wasser 15 auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 entlang dem Endteilbereich des Wafers 1 aufgrund einer Oberflächenspannung zur unteren Oberfläche strömt, das Gas 16 mit Umgebungstemperatur fortlaufend aus der Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche zugeführt, die in Ausrichtung mit dem zentralen Teilbereich der Aufspannplattform 2b positioniert ist.
  • In Schritt S211a dreht der PLC 104a den Wafer 1 mit der vorbestimmten Drehzahl, um den Wafer 1 trocken zu schleudern. Während der Ausführung des Trocknungsschleuderprozesses wird, um zu verhindern, dass das Wasser 15 auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 entlang dem Endteilbereich des Wafers 1 aufgrund einer Oberflächenspannung zur unteren Oberfläche strömt und Tröpfchen, die von der zweiten Schale 5b spritzen, sich zur unteren Oberfläche bewegen, das Gas 16 mit Umgebungstemperatur fortlaufend aus der Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche zugeführt, die in Ausrichtung mit dem zentralen Teilbereich der Aufspannplattform 2b positioniert ist.
  • Der PLC 104a senkt in Schritt S212 die erste Schale 5a und die zweite Schale 5b ab, positioniert in Schritt S213 die Roboterhand an der Abgabeposition und dreht die Aufspannstiftbasis 3a, um den Aufspannstift 3b in Schritt S214 zu öffnen.
  • Der PLC 104a veranlasst in Schritt S215 die Roboterhand, den Wafer 1 von der Aufspannplattform 2b aufzunehmen, veranlasst in Schritt S216 die Roboterhand, den Wafer 1 in dem Träger zu verstauen und dreht die Aufspannstiftbasis 3a, um in Schritt S217 den Aufspannstift 3b zu schließen.
  • Man beachte, dass, obwohl die Schritte der Vereinfachung halber annähernd sequenziell beschrieben wurden, selbstverständlich unterteilte Operationsschritte in der Praxis parallel ausgeführt werden und verschiedene Eingaben und Ausgaben bezüglich der Operationen ausgeführt werden.
  • Beispielsweise wird in einem reaktionsgesteuerten Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit wie etwa einer Entfernung eines Resists mit einem Schwefelsäure/Wasserstoffperoxid-Gemisch, um eine Bearbeitungszeit zu verkürzen, in vielen Fällen eine Temperatur einer chemischen Flüssigkeit erhöht, um eine Reaktivität zu erhöhen. Da die Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zugrunde liegenden Technologie jedoch wie oben konfiguriert ist, wird, selbst wenn der Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit durchgeführt wird, indem die chemische Flüssigkeit 14 mit dem vorbestimmten Volumenstrom ausgestoßen wird, während der Wafer 1 mit der vorbestimmten Drehzahl gedreht wird, und veranlasst wird, dass die Düse 6 für eine chemische Flüssigkeit eine Scanbewegung mit der vorbestimmten Geschwindigkeit durchführt, um zu bewirken, dass sich die chemische Flüssigkeit 14a auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 über die gesamte obere Oberfläche Wafers 1 gleichmäßig ausbreitet, die Atmosphäre auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 durch die erste Schale 5a freigesetzt, während Wärme von der chemischen Flüssigkeit 14a auf der oberen Oberfläche 1 des Wafers 1 aufgenommen wird. Darüber hinaus wird das Gas 16 mit Umgebungstemperatur, das von der Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche, die in Ausrichtung mit dem zentralen Teilbereich der Aufspannplattform 2b positioniert ist, durch die erste Schale 5a freigesetzt, während Wärme von der chemischen Flüssigkeit 14a auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 durch den Wafer 1, der eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist, aufgenommen wird, was zu einem scharfen Abfall der Temperatur der chemischen Flüssigkeit 14a auf der oberen Oberfläche des Wafers 1, insbesondere am Umfang des Wafers 1, führt.
  • Um solch einen Abfall der Temperatur der chemischen Flüssigkeit 14a zu unterdrücken, ist es effektiv, den Ausstoß-Volumenstrom der chemischen Flüssigkeit 14 zu erhöhen und die Scangeschwindigkeit der Düse 6 für eine chemische Flüssigkeit zu erhöhen, um den Scanbereich zu erweitern. Wenn es jedoch eine physikalische Beschränkung für einen Bereich einer Betriebsbedingung gibt, ist auch der Effekt beschränkt, und als Folge ist auch eine Gleichmäßigkeit in der Ebene im Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit eingeschränkt. Ferner erhöht die Erhöhung des Volumenstroms der chemischen Flüssigkeit 14 das Tempo einer Verflüchtigung und Zersetzung von in der chemischen Flüssigkeit 14 enthaltenen Komponenten der chemischen Flüssigkeit, so dass die Vorratslösung, die zusätzlich zugeführt werden muss, erhöht werden muss und dementsprechend deren Verbrauch erhöht wird.
  • Ferner reicht es in einem zufuhrgesteuerten Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit wie etwa einer Ätzung eines Si-Wafers mit Fluor-Stickstoff-Säure nicht aus, die chemische Flüssigkeit 14a auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 gleichmäßig über die gesamte obere Oberfläche des Wafers 1 auszubreiten, und es ist notwendig, sicherzustellen, dass die chemische Flüssigkeit 14a über der gesamten oberen Oberfläche des Wafers 1 gleichmäßig aktiviert ist. Dies erfordert, dass die Betriebsbedingungen wie etwa die Drehzahl des Wafers 1, der Ausstoß-Volumenstrom der chemischen Flüssigkeit 14, die Scangeschwindigkeit der Düse 6 für eine chemische Flüssigkeit und der Scanbereich der Düse 6 für eine chemische Flüssigkeit optimiert werden. Wenn es jedoch physikalische Beschränkungen für die Bereiche der Betriebsbedingungen gibt, wird auch die Optimierung unzureichend, und insbesondere in einem Fall eines Prozesses mit einer chemischen Flüssigkeit wie etwa einer Ätzung eines Si-Wafers mit Fluor-Stickstoff-Säure, in welchem Reaktionswärme erzeugt wird, versagt die Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zugrunde liegenden Technologie, die wie oben beschrieben konfiguriert ist, dabei, Maßnahmen zu ergreifen, wie etwa in einer Zone um den zentralen Teilbereich des Wafers 1 herum eine Reaktion hervorzurufen, die für eine Reaktion geeignet ist, die beim zentralen Teilbereich des Wafers 1 stattfinden kann und gemäß der Intensität einer Aktivität beschleunigt oder verlangsamt wird, und als Folge ist die Gleichmäßigkeit in der Ebene im Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit eingeschränkt. Die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, die im Folgenden beschrieben werden sollen, lösen derartige Probleme.
  • <Erste bevorzugte Ausführungsform>
  • Unter Bezugnahme auf die Zeichnungen wird eine Beschreibung einer ersten bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gegeben. Man beachte, dass in der ersten bevorzugten Ausführungsform die gleichen Komponenten, wie jene, die in der zugrunde liegenden Technologie beschrieben wurden, mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet sind und deren Beschreibungen weggelassen werden. 1 ist eine Querschnittsansicht, die einen Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit in einer Bearbeitungskammer einer Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform zeigt.
  • Wie in 1 gezeigt ist, umfasst die Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform zusätzlich zu den Komponenten der in 9 gezeigten Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zugrunde liegenden Technologie ferner einen Mechanismus 11 für einen Gasausstoß mit Temperatursteuerung zur unteren Oberfläche. Die Konfiguration der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform ist mit Ausnahme des Mechanismus 11 für einen Gasausstoß mit Temperatursteuerung zur unteren Oberfläche im Wesentlichen die Gleiche wie die Konfiguration gemäß der zugrunde liegenden Technologie, und somit wird hier eine Beschreibung des Mechanismus 11 für einen Gasausstoß mit Temperatursteuerung zur unteren Oberfläche gegeben.
  • Der Mechanismus 11 für einen Gasausstoß mit Temperatursteuerung zur unteren Oberfläche umfasst einen Gastemperatur-Controller 11a, ein Gas-Umgehungsrohr 11b, ein erstes Auf-Zu-Ventil 11c und ein zweites Auf-Zu-Ventil 11d.
  • Der Gastemperatur-Controller 11a steuert eine Temperatur eines Gases 16 mit Umgebungstemperatur, um ein temperaturgesteuertes Gas 17 einer Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche zuzuführen. Das Gas-Umgehungsrohr 11b ist ein Rohr, das ermöglicht, dass das Gas 16 mit Umgebungstemperatur der Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche zugeführt wird, ohne zu veranlassen, dass das Gas 16 mit Umgebungstemperatur durch den Gastemperatur-Controller 11a gelangt.
  • Das erste Auf-Zu-Ventil 11c und das zweite Auf-Zu-Ventil 11d sind Auf-Zu-Ventile, die öffnen und schließen, um zu ermöglichen, dass eines des temperaturgesteuerten Gases 17, dessen Temperatur durch den Gastemperatur-Controller 11a gesteuert wurde, und des Gases 16 mit Umgebungstemperatur, das durch das Gas-Umgehungsrohr 11b gelangt, der Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche zugeführt wird.
  • Das erste Auf-Zu-Ventil 11c ist einem Einlass des Gastemperatur-Controllers 11a benachbart angeordnet, und das zweite Auf-Zu-Ventil 11d ist in der Mitte des Gas-Umgehungsrohrs 11b angeordnet. Ein Öffnen des ersten Auf-Zu-Ventils 11c und Schließen des zweiten Auf-Zu-Ventils 11d bewirkt, dass das Gas 16 mit Umgebungstemperatur durch den Gastemperatur-Controller 11 a temperaturgesteuert wird und dann das temperaturgesteuerte Gas 17 wird, und das temperaturgesteuerte Gas 17 wird der Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche zugeführt. In diesem Fall gelangt das Gas 16 mit Umgebungstemperatur nicht durch das Gas-Umgehungsrohr 11b.
  • Auf der anderen Seite bewirken ein Schließen des ersten Auf-Zu-Ventils 11c und Öffnen des zweiten Auf-Zu-Ventils 11d, dass das Gas 16 mit Umgebungstemperatur über das Gas-Umgehungsrohr 11b der Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche zugeführt wird. In diesem Fall gelangt das Gas 16 mit Umgebungstemperatur nicht durch den Gastemperatur-Controller 11a. Wie oben beschrieben wurde, kann das durch die Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche gelangende Gas durch die Betätigung des ersten Auf-Zu-Ventils 11c und des zweiten Auf-Zu-Ventils 11d zwischen dem temperaturgesteuerten Gas 17 und dem Gas 16 mit Umgebungstemperatur umgeschaltet werden, und selbstverständlich kann eine eingestellte Temperatur des temperaturgesteuerten Gases 17 gemäß einer Rezeptur geändert werden, wodurch ermöglicht wird, die Temperatur nach Wunsch zu ändern. Solch eine Operation ist ein Temperatursteuerungsprozess zum Ändern der Temperatur des zuzuführenden Gases.
  • 2 ist ein schematisches Diagramm, das eine Steuerungsfunktion der Bearbeitungskammer zeigt. Wie in 2 gezeigt ist, enthält der Betriebs-PC 101 eine Mensch-Maschine-Schnittstelle (MM-IF) 101a wie etwa eine Anzeige mit Berührungsfeld und einen Personal Computer (PC) 101b. Ein Steuerungs-PLC 102 umfasst einen programmierbaren Logik-Controller (PLC) 102a, ein Plattform-Drehmodul 102b, das einen Plattform-Drehmechanismus 2 steuert, ein eine Aufspannvorrichtung öffnendes und schließendes Modul 102c, das einen eine Aufspannvorrichtung öffnenden und schließenden Mechanismus 3 steuert, ein Schalen-Hubmodul 102d, das einen Schalen-Hubmechanismus 5 steuert, ein Düsen-Scanmodul 102e, das einen Scanmechanismus 7 für eine Düse für eine chemische Flüssigkeit steuert, ein Umwälz-Ausstoßmodul 102f mit Temperatursteuerung einer chemischen Flüssigkeit, das einen Umwälz-Ausstoßmechanismus 9 mit Temperatursteuerung einer chemischen Flüssigkeit steuert, ein Wasser-Ausstoßmodul 102g, das einen Ausstoß von Wasser 15 steuert, und ein Ausstoßmodul 102h für einen Gasausstoß mit Temperatursteuerung zur unteren Oberfläche, das den Mechanismus 11 für einen Gasausstoß mit Temperatursteuerung zur unteren Oberfläche steuert.
  • Ein Bediener setzt einen (nicht dargestellten) Träger, der einen Wafer 1 enthält, in eine (nicht dargestellte) Ladeöffnung, wählt auf der MM-IF 101a eine im PC 101b vorher eingetragene Rezeptur aus und gibt einen Prozessstart ein. Der PC 101b leitet einen in der Rezeptur spezifizierten Prozessparameter zum PLC 102a weiter, um eine Reihe von Steuerungsoperationen des PLC 102a zu starten. Der PLC 102a steuert einen (nicht dargestellten) Transferroboter, die Bearbeitungskammer und dergleichen, veranlasst, dass der Transferroboter Wafer-Ladeschlitze im Träger abbildet und den Wafer 1 zwischen dem Träger und der Bearbeitungskammer transferiert, und führt eine Reihe von Prozessen auf dem Wafer 1 in der Bearbeitungskammer durch.
  • Als Nächstes wird eine Beschreibung einer Vorbereitung einer chemischen Flüssigkeit 14 in dem Umwälz-Ausstoßmechanismus 9 mit Temperatursteuerung einer chemischen Flüssigkeit gegeben. In diesem Beispiel wird eine gewünschte chemische Flüssigkeit 14 aus zwei Vorratslösungen vorbereitet. Eine bestimmte Menge einer ersten Vorratslösung 12 wird aus einem ersten Vorratslösungstank 9b einem Umwälztank 9a für eine chemische Flüssigkeit zugeführt, und eine bestimmte Menge einer zweiten Vorratslösung 13 wird aus einem zweiten Vorratslösungstank 9c einem Umwälztank 9a für eine chemische Flüssigkeit zugeführt. Eine Umwälzpumpe 9d für eine chemische Flüssigkeit wird betätigt, um die chemische Flüssigkeit 14 umzuwälzen, und ein Temperatur-Controller 9e für eine chemische Flüssigkeit steuert eine Temperatur der chemischen Flüssigkeit 14 auf eine vorbestimmte Temperatur, während die chemische Flüssigkeit 14 weiter umgewälzt wird. Wenn ein Umwälz-Volumenstrom und die Temperatur der chemischen Flüssigkeit 14 in vorbestimmte Bereiche fallen, ist die Vorbereitung der chemischen Flüssigkeit 14 abgeschlossen. Man beachte, dass eine Operation zum zusätzlichen Zuführen der ersten Vorratslösung 12 und der zweiten Vorratslösung 13, um eine durch eine Verflüchtigung, Zersetzung und Reaktion verursachte Abnahme der Flüssigkeitskomponenten und eine Abnahme des Flüssigkeitsvolumens aufgrund der Verwendung der chemischen Flüssigkeit 14 im Allgemeinen durchgeführt wird.
  • Als Nächstes wird eine Beschreibung eines Betriebs der Bearbeitungskammer gegeben. Ein Drehen einer Aufspannstiftbasis 3a des eine Aufspannvorrichtung öffnenden und schließenden Mechanismus 3, um einen Aufspannstift 3b zu öffnen und zu schließen, ermöglicht, dass der Wafer 1 auf eine Aufspannplattform 2b des Plattform-Drehmechanismus 2 geladen wird. Veranlasst man, dass ein Plattform-Drehmotor 2a die Aufspannplattform 2b dreht, ermöglicht dies, dass der durch die Aufspannstifte 3b gehaltene Wafer 1 dreht. Eine Düse 6 für eine chemische Flüssigkeit ist am Scanmechanismus 7 für eine Düse für eine chemische Flüssigkeit angebracht, und ein Scanmotor 7a oszilliert, um über eine Scanwelle 7b und einen Scanarm 7c zu ermöglichen, dass die Düse 6 für eine chemische Flüssigkeit eine Scanbewegung auf einer oberen Oberfläche des Wafers 1 ausführt. Der Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit wird durchgeführt, indem die chemische Flüssigkeit 14 mit einem vorbestimmten Volumenstrom ausgestoßen wird, während der Wafer 1 mit einer vorbestimmten Drehzahl gedreht wird, und veranlasst wird, dass die Düse 6 für eine chemische Flüssigkeit eine Scanbewegung mit einer vorbestimmten Geschwindigkeit ausführt, um so zu bewirken, dass sich eine chemische Flüssigkeit 14a auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 über die gesamte obere Oberfläche des Wafers 1 gleichmäßig ausbreitet.
  • Obgleich die Drehung des Wafers 1 bewirkt, dass die chemische Flüssigkeit 14a auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 von einem Endteilbereich des Wafers 1 abströmt, wird, wenn eine erste Schale 5a des Schalen-Hubmechanismus 5, die so angeordnet ist, dass sie einen Umfang der Aufspannplattform 2b umgibt, angehoben wird, die chemische Flüssigkeit 14a eine rückgewonnene chemische Flüssigkeit 14b und kehrt über einen ersten Gas-Flüssigkeit-Separator 10a zum Umwälztank 9a für eine chemische Flüssigkeit zurück.
  • Während der Ausführung des Prozesses mit einer chemischen Flüssigkeit wird, um zu verhindern, dass die chemische Flüssigkeit 14a auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 entlang dem Endteilbereich des Wafers 1 aufgrund einer Oberflächenspannung zu einer unteren Oberfläche strömt, und um ferner eine Temperaturänderung in einer Zone um einen zentralen Teilbereich des Wafers 1 herum zu unterdrücken, das temperaturgesteuerte Gas 17, dessen Temperatur durch den Gastemperatur-Controller 11a auf eine vorbestimmte Temperatur gesteuert wurde, die für die Temperatur der chemischen Flüssigkeit zweckmäßig ist, von der Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche zugeführt, die in Ausrichtung mit dem zentralen Teilbereich der Aufspannplattform 2b positioniert ist. Dies macht es möglich, eine ausreichende Gleichmäßigkeit in der Ebene im Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit sicherzustellen. Das temperaturgesteuerte Gas 17a auf der unteren Oberfläche des Wafers 1 lässt man durch die erste Schale 5a zusammen mit einer Atmosphäre auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 ausströmen und wird dann das temperaturgesteuerte Gas 17b, um durch den ersten Gas-Flüssigkeit-Separator 10a freigesetzt zu werden.
  • Wenn der Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit abgeschlossen ist, wird der Ausstoß der chemischen Flüssigkeit 14 gestoppt, wird der Scanmechanismus 7 für eine Düse für eine chemische Flüssigkeit zu einer Bereitschaftsposition zurückgeführt, wird eine zweite Schale 5b angehoben, und ein Wasser-Waschprozess wird gestartet.
  • 3 ist eine Querschnittsansicht, die den Wasser-Waschprozess in der Bearbeitungskammer zeigt. Der Wasser-Waschprozess wird durchgeführt, indem das Wasser 15 aus einer Wasserdüse 8 mit einem vorbestimmten Volumenstrom zum zentralen Teilbereich des Wafers 1 ausgestoßen wird, während der Wafer 1 mit einer vorbestimmten Drehzahl gedreht wird, um zu veranlassen, dass sich das Wasser 15 über der gesamten oberen Oberfläche des Wafers 1 gleichmäßig ausbreitet.
  • Während der Ausführung des Wasser-Waschprozesses wird, um zu verhindern, dass Wasser 15a auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 entlang dem Endteilbereich des Wafers 1 aufgrund einer Oberflächenspannung zur unteren Oberfläche strömt, das Gas 16 mit Umgebungstemperatur, das durch das Gas-Umgehungsrohr 11b gelangt, von der Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche zugeführt, die in Ausrichtung mit dem zentralen Teilbereich der Aufspannplattform 2b positioniert ist; aber das temperaturgesteuerte Gas 17 kann nach Bedarf auch im Wasser-Waschprozess zugeführt werden. Das Gas 16a mit Umgebungstemperatur auf der unteren Oberfläche des Wafers 1 lässt man durch die zweite Schale 5b zusammen mit der Atmosphäre auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 ausströmen und wird dann ein Gas 16b mit Umgebungstemperatur, um durch einen zweiten Gas-Flüssigkeit-Separator 10b freigesetzt zu werden. Zu dieser Zeit wird Wasser 15b aus dem zweiten Gas-Flüssigkeit-Separator 10b abgeleitet. Wenn der Wasser-Waschprozess abgeschlossen ist, wird der Ausstoß des Wassers 15 gestoppt, und ein Trocknungsprozess wird gestartet.
  • 4 ist eine Querschnittsansicht, die den Trocknungsprozess in der Bearbeitungskammer zeigt. Wie in 4 gezeigt ist, bewirkt ein Drehen des Wafers 1 mit einer vorbestimmten Drehzahl, dass der Wafer 1 trocken geschleudert wird.
  • Während der Ausführung des Trocknungsprozesses wird, um zu verhindern, dass das Wasser 15a (siehe 3) auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 entlang dem Endteilbereich des Wafers 1 aufgrund einer Oberflächenspannung zur unteren Oberfläche strömt und von der zweiten Schale 5b spritzende Tröpfchen sich zur unteren Oberfläche bewegen, und um die Trocknung des Wafers 1 weiter zu beschleunigen, das temperaturgesteuerte Gas 17, dessen Temperatur durch den Gastemperatur-Controller 11a auf eine für die Trocknung geeignete vorbestimmte Temperatur gesteuert wurde, von der Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche zugeführt, die in Ausrichtung mit dem zentralen Teilbereich der Aufspannplattform 2b positioniert ist. Die Zufuhr des temperaturgesteuerten Gases 17 erwärmt den Wafer 1. Das temperaturgesteuerte Gas 17a auf der unteren Oberfläche des Wafers 1 lässt man durch die zweite Schale 5b zusammen mit der Atmosphäre auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 ausströmen und wird dann das temperaturgesteuerte Gas 17b, um über den zweiten Gas-Flüssigkeit-Separator 10b freigesetzt zu werden. Beispielsweise ermöglicht die Zufuhr des temperaturgesteuerten Gases 17, dessen Temperatur höher als die Umgebungstemperatur ist, dass eine Trocknungszeit verkürzt wird.
  • 5 ist ein Flussdiagramm, das in der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform durchzuführende Prozesse zeigt.
  • Der PLC 102a veranlasst in Schritt S201, dass ein Roboterarm des Transferroboters aus dem Träger den im Träger gelagerten Wafer 1 entnimmt, und dreht die Aufspannstiftbasis 3a, um in Schritt S202 den Aufspannstift 3b zu öffnen.
  • Der PLC 102a positioniert in Schritt S203 die Roboterhand bei einer Abgabeposition über der Aufspannplattform 2b und veranlasst in Schritt S204, dass die Roboterhand den Wafer 1 an die Aufspannplattform 2b abgibt.
  • Der PLC 102a dreht die Aufspannstiftbasis 3a, um in Schritt S205 den Aufspannstift 3b zu schließen, bewegt in Schritt S206 die Roboterhand aus der Bearbeitungskammer und hebt in Schritt S207 die erste Schale 5a an.
  • In Schritt S208 führt der PLC 102a den Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit aus, indem die chemische Flüssigkeit 14 mit dem vorbestimmten Volumenstrom ausgestoßen wird, während der Wafer 1 mit der vorbestimmten Drehzahl gedreht wird, und veranlasst wird, dass die Düse 6 für eine chemische Flüssigkeit eine Scanbewegung mit der vorbestimmten Geschwindigkeit ausführt, um so zu veranlassen, dass sich die chemische Flüssigkeit 14a auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 über der gesamten oberen Oberfläche des Wafers 1 wie oben beschrieben gleichmäßig ausbreitet. Während der Ausführung des Prozesses mit einer chemischen Flüssigkeit wird, um zu verhindern, dass die chemische Flüssigkeit 14a auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 entlang dem Endteilbereich des Wafers 1 aufgrund einer Oberflächenspannung zur unteren Oberfläche strömt, und um ferner eine Temperaturänderung in der Zone um den zentralen Teilbereich des Wafers 1 herum zu unterdrücken, das temperaturgesteuerte Gas 17, dessen Temperatur durch den Gastemperatur-Controller 11a auf die vorbestimmte Temperatur gesteuert wurde, die für die Temperatur der chemischen Flüssigkeit geeignet ist, von der Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche zugeführt, die in Ausrichtung mit dem zentralen Teilbereich der Aufspannplattform 2b positioniert ist.
  • In Schritt S209 hebt der PLC 102a die zweite Schale 5b an und führt in Schritt S210 den Wasser-Waschprozess durch, indem das Wasser 15 aus der Wasserdüse 8 mit dem vorbestimmten Volumenstrom zum zentralen Teilbereich des Wafers 1 ausgestoßen wird, während der Wafer 1 mit der vorbestimmten Drehzahl gedreht wird, um zu veranlassen, dass sich das Wasser 15 über die gesamte obere Oberfläche des Wafers 1 wie oben beschrieben gleichmäßig ausbreitet. Während der Ausführung des Wasser-Waschprozesses wird, um zu verhindern, dass das Wasser 15a auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 entlang dem Endteilbereich des Wafers 1 aufgrund einer Oberflächenspannung zur unteren Oberfläche strömt, das Gas 16 mit Umgebungstemperatur, das durch das Gas-Umgehungsrohr 11b gelangt, von der Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche zugeführt, die in Ausrichtung mit dem zentralen Teilbereich des Aufspanntisches 2b positioniert ist; das temperaturgesteuerte Gas 17 kann aber nach Bedarf auch im Wasser-Waschprozess zugeführt werden.
  • Der PLC 102a dreht in Schritt S211 den Wafer 1 mit der vorbestimmten Drehzahl, um den Wafer 1 trocken zu schleudern. Während der Durchführung des Trocknungsprozesses wird, um zu verhindern, dass das Wasser 15a auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 entlang dem Endteilbereich des Wafers 1 aufgrund einer Oberflächenspannung zur unteren Oberfläche strömt und von der zweiten Schale 5b spritzende Tröpfchen sich zur unteren Oberfläche bewegen, und um die Trocknung des Wafers 1 weiter zu beschleunigen, das temperaturgesteuerte Gas 17, dessen Temperatur durch den Gastemperatur-Controller 11a auf die für die Trocknung geeignete vorbestimmte Temperatur gesteuert wurde, von der Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche zugeführt, die in Ausrichtung mit dem zentralen Teilbereich der Aufspannvorrichtung 2b positioniert ist.
  • Der PLC 102a senkt in Schritt S212 die erste Schale 5a und die zweite Schale 5b ab und positioniert in Schritt S213 den Roboterarm an der Abgabeposition.
  • Der PLC 102a dreht die Aufspannstiftbasis 3a, um in Schritt S214 den Aufspannstift 3b zu öffnen, und veranlasst in Schritt S215, dass die Roboterhand den Wafer 1 von der Aufspannplattform 2b aufnimmt.
  • In Schritt S216 veranlasst der PLC 102a, dass die Roboterhand den Wafer 1 im Träger verstaut, und dreht die Aufspannstiftbasis 3a, um in Schritt S217 den Aufspannstift 3b zu schließen.
  • Man beachte, dass, obgleich die Schritte der Vereinfachung halber annähernd sequenziell beschrieben wurden, selbstverständlich unterteilte Operationsschritte in der Praxis parallel ausgeführt werden und verschiedene Eingaben und Ausgaben in Bezug auf die Operationen ausgeführt werden.
  • <Effekt>
  • Wie oben beschrieben wurde, kann in der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der ersten bevorzugten Ausführungsform das durch die Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche gelangende Gas durch die Betätigung des ersten Auf-Zu-Ventils 11c und des zweiten Auf-Zu-Ventils 11d zwischen dem temperaturgesteuerten Gas 17 und dem Gas 16 mit Umgebungstemperatur umgeschaltet werden, und selbstverständlich kann eine eingestellte Temperatur des temperaturgesteuerten Gases 17 gemäß einer Rezeptur geändert werden, wodurch ermöglicht wird, die Temperatur nach Wunsch zu ändern. Beispielsweise wird in einem reaktionsgesteuerten Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit wie etwa einer Entfernung eines Resists mit einem Schwefelsäure/Wasserstoffperoxid-Gemisch, um eine Bearbeitungszeit zu verkürzen, in vielen Fällen die Temperatur der chemischen Flüssigkeit erhöht, um eine Reaktivität zu erhöhen; es ist aber möglich, die Temperatur entsprechend der Temperatur der chemischen Flüssigkeit und einheitlich einzurichten, und dementsprechend ist es möglich, den Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit mit der über dem gesamten Wafer 1 einheitlichen Temperatur durchzuführen, was wiederum ermöglicht, eine ausreichende Gleichmäßigkeit in der Ebene im Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit sicherzustellen.
  • Ferner wird in einem reaktionsgesteuerten Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit wie etwa einer Ätzung mittels einer vorbestimmten Menge eines Oxidfilms mit Fluorwasserstoffsäure das Gas 16 mit Umgebungstemperatur, das nicht temperaturgesteuert ist, im Allgemeinen zugeführt; aber statt des Gases 16 mit Umgebungstemperatur, das nicht temperaturgesteuert ist, wird das temperaturgesteuerte Gas 17, dessen Temperatur auf eine Temperatur entsprechend der auf die Umgebungstemperatur gesteuerten Temperatur der chemischen Flüssigkeit gesteuert wurde, zugeführt, so dass es möglich ist, die Temperatur über dem gesamten Wafer 1 einschließlich des zentralen Teilbereichs des Wafers 1 einheitlich einzurichten, ohne durch eine Änderung in der Umgebung wie etwa der Raumtemperatur beeinflusst zu werden, und dementsprechend ist es möglich, den Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit mit der über dem gesamten Wafer 1 einheitlichen Temperatur durchzuführen, was wiederum ermöglicht, eine ausreichende Gleichmäßigkeit in einer Ebene im Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit sicherzustellen.
  • <Zweite bevorzugte Ausführungsform>
  • Als Nächstes wird eine Beschreibung einer Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß einer zweiten bevorzugten Ausführungsform gegeben. 6 zeigt eine Querschnittsansicht, die einen Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit in einer Bearbeitungskammer der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform zeigt. Man beachte, dass in der zweiten bevorzugten Ausführungsform die gleichen Komponenten wie jene, die in der ersten bevorzugten Ausführungsform beschrieben wurden, mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet sind und deren Beschreibungen weggelassen werden.
  • Wie in 6 gezeigt ist, enthält die Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform anstelle der Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche eine Gasdüse 2d zur unteren Oberfläche. Eine Ausstoßöffnung der Gasdüse 2d zur unteren Oberfläche ist so positioniert, dass sie einen zentralen Teilbereich eines Wafers 1 umgibt.
  • Die Gasdüse 2d zur unteren Oberfläche ist im Aufbau von der in der ersten bevorzugten Ausführungsform beschriebenen Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche verschieden, deren Ausstoßöffnung in Ausrichtung mit dem zentralen Teilbereich des Wafers 1 positioniert ist, und die Ausstoßöffnung ist so positioniert, dass sie den zentralen Teilbereich des Wafers 1 umgibt, so dass es möglich ist, in einer Zone um den zentralen Teilbereich des Wafers 1 herum eine Reaktion zu erzeugen, die für eine Reaktion geeignet ist, die beim zentralen Teilbereich des Wafers 1 stattfinden kann, und die gemäß der Intensität einer Aktivität beschleunigt oder verlangsamt wird.
  • 7 ist ein Diagramm, das eine beschleunigte Reaktion zeigt, die beim zentralen Teilbereich des Wafers 1 stattfindet, wenn eine Aktivität in einem Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit hoch ist, in welchem eine Reaktionswärme erzeugt wird. 8 ist ein Diagramm, das eine beschleunigte Reaktion zeigt, die beim zentralen Teilbereich des Wafers 1 stattfindet, wenn eine Aktivität im Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit niedrig ist, in welchem Reaktionswärme erzeugt wird. Man beachte, dass in 7 und 8 eine Ordinatenachse einen Ätzbetrag repräsentiert und eine Abszissenachse eine Position in einer radialen Richtung mit dem als 100 definierten zentralen Teilbereich des Wafers 1 repräsentiert.
  • Wie in 7 gezeigt ist, wird, um in der Zone um den zentralen Teilbereich des Wafers 1 herum eine Reaktion entsprechend der beschleunigten Reaktion, die beim zentralen Teilbereich des Wafers 1 stattfindet, zu erzeugen, ein temperaturgesteuertes Gas 17, dessen Temperatur durch den Gastemperatur-Controller 11a auf eine höhere vorbestimmte Temperatur als eine Temperatur der chemischen Flüssigkeit gesteuert wurde, von der Gasdüse 2d zur unteren Oberfläche zugeführt, deren Ausstoßöffnung so positioniert ist, dass sie den zentralen Teilbereich des Wafers 1 umgibt. Während das temperaturgesteuerte Gas 17a auf einer unteren Oberfläche des Wafers 1 eine Temperatur in der Zone um den zentralen Teilbereich des Wafers 1 herum erhöht, wird eine Rate einer Ätzung unter Verwendung einer chemischen Flüssigkeit 14a auf einer oberen Oberfläche des Wafers 1 hoch, und dementsprechend nimmt der Ätzbetrag wie durch die Pfeile angegeben zu.
  • Wie in 8 gezeigt ist, wird ferner, um in der Zone um den zentralen Teilbereich des Wafers 1 herum, eine Reaktion entsprechend der verlangsamten Reaktion, die beim zentralen Teilbereich des Wafers 1 stattfindet, zu erzeugen, das temperaturgesteuerte Gas 17, dessen Temperatur durch den Gastemperatur-Controller 11a auf eine niedrigere vorbestimmte Temperatur als die Temperatur einer chemischen Flüssigkeit gesteuert wurde, von der Gasdüse 2d zur unteren Oberfläche zugeführt, deren Ausstoßöffnung so positioniert ist, dass sie den zentralen Teilbereich des Wafers 1 umgibt. Während das temperaturgesteuerte Gas 17a auf der unteren Oberfläche des Wafers 1 die Temperatur in der Zone um den zentralen Teilbereich des Wafers 1 herum verringert, wird die Rate einer Ätzung unter Verwendung der chemischen Flüssigkeit 14a auf der oberen Oberfläche des Wafers 1 niedrig; dementsprechend nimmt der Ätzbetrag wie durch die Pfeile angegeben ab.
  • <Effekt>
  • Wie oben beschrieben wurde, ist in der Halbleiterherstellungseinrichtung gemäß der zweiten bevorzugten Ausführungsform die Ausstoßöffnung der Gasdüse 2d zur unteren Oberfläche so positioniert, dass sie den zentralen Teilbereich des Wafers 1 umgibt. Dies ermöglicht, dass die Temperatur in der Zone um den zentralen Teilbereich des Wafers 1 herum in einem zufuhrgesteuerten Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit oder dergleichen gleichmäßig ist, und ermöglicht dementsprechend, eine ausreichende Gleichmäßigkeit in einer Ebene sicherzustellen.
  • Ferner weisen die Halbleiterherstellungseinrichtungen gemäß den ersten und zweiten bevorzugten Ausführungsformen einen Effekt auf, dass eine ausreichende Gleichmäßigkeit in einer Ebene in dem Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit auch innerhalb der Bereiche der Betriebsbedingungen ermöglicht wird, wo ihre jeweiligen physikalischen Grenzen aufgrund beispielsweise einer Zunahme des Durchmessers des Wafers 1 schwerwiegend werden, und ermöglicht wird, dass die Bearbeitungszeit verkürzt wird, um eine Produktausbeute weiter zu erhöhen.
  • <Andere Modifikationen>
  • Man beachte, dass das Gas 16 mit Umgebungstemperatur von der Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche während der Ausführung des Wafer-Waschprozesses in der ersten bevorzugten Ausführungsform zugeführt wird; um aber den Wafer-Waschprozess mit warmem Wasser durchzuführen, um einen Substitutionseffekt des Waschvorgangs mit Wasser zu erhöhen, ist es selbstverständlich zweckmäßig, das temperaturgesteuerte Gas 17 zuzuführen, dessen Temperatur auf eine einer Temperatur des warmen Wassers entsprechende vorbestimmte Temperatur gesteuert wurde.
  • Ferner muss die Temperatur des temperaturgesteuerten Gases 17, das von der Gasdüse 2c zur unteren Oberfläche während der Ausführung des Prozesses mit einer chemischen Flüssigkeit und während der Ausführung des Trocknungsprozesses zugeführt wird, nicht konstant sein; es ist gut denkbar, dass eine Konfiguration verwendet wird, in der die Temperatur eines Gases nach Bedarf entsprechend einer Phase des Prozesses geändert wird, wie etwa eine Änderung der Temperatur während der Durchführung des Prozesses, und selbstverständlich liegt solch eine Konfiguration innerhalb des Umfangs der bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung.
  • Ferner wurde als ein Beispiel der chemischen Flüssigkeit eine Substanz angegeben, die eine Mischung von zwei Arten von Vorratslösungen ist; aber selbstverständlich ist die vorliegende Erfindung nicht auf solch eine Substanz beschränkt, und, solange eine Temperatur einen Effekt auf den Prozess hat, kann jede beliebige Substanz wie etwa eine Mischung mehrerer Arten von Vorratslösungen, eine anorganische Substanz oder eine organische Substanz in den bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung verwendet werden.
  • Man beachte, dass die vorliegende Erfindung durch jede beliebige Kombination der bevorzugten Ausführungsformen innerhalb des Umfangs der vorliegenden Erfindung verwirklicht werden kann, und jede der bevorzugten Ausführungsformen kann wie jeweils geeignet modifiziert oder weggelassen werden.
  • Obgleich die Erfindung im Detail dargestellt und beschrieben wurde, ist die vorhergehende Beschreibung in allen Aspekten veranschaulichend und nicht beschränkend. Es versteht sich daher, dass zahlreiche Modifikationen und Variationen konzipiert werden können, ohne vom Umfang der Erfindung abzuweichen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2005217226 [0003, 0009]

Claims (8)

  1. Halbleiterherstellungseinrichtung, umfassend: eine Aufspannplattform (2b), die dafür konfiguriert ist, einen Halbleiterwafer (1) unter Verwendung eines Endteilbereichs der Aufspannplattform (2b) zu halten; einen Plattform-Drehmechanismus (2), der dafür konfiguriert ist, die Aufspannplattform (2b) zu drehen; eine Düse (6) für eine chemische Flüssigkeit, die dafür konfiguriert ist, eine chemische Flüssigkeit zu einer Bearbeitungsoberfläche des Halbleiterwafers (1) auszustoßen; einen Scanmechanismus (7) für eine Düse für eine chemische Flüssigkeit, der dafür konfiguriert ist, zu veranlassen, dass die Düse (6) für eine chemische Flüssigkeit eine Scanbewegung auf der Bearbeitungsoberfläche des Halbleiterwafers (1) ausführt; eine Gasdüse (2c, 2d), die dafür konfiguriert ist, Gas einer gegenüberliegenden Oberfläche zuzuführen, die der Bearbeitungsoberfläche des Halbleiterwafers (1) entgegengesetzt ist; einen Gastemperatur-Controller (11a), der dafür konfiguriert ist, eine Temperatur des Gases zu steuern, das der Gasdüse (2c, 2d) zugeführt werden soll; ein Gas-Umgehungsrohr (11b), das dafür konfiguriert ist, zu ermöglichen, dass das Gas der Gasdüse (2c, 2d) zugeführt wird, ohne zu veranlassen, dass das Gas durch den Gastemperatur-Controller (11a) gelangt; und ein An-Aus-Ventil (11c, 11d), das dafür konfiguriert ist, zu öffnen und zu schließen, um zu ermöglichen, dass eines des Gases, dessen Temperatur durch den Gastemperatur-Controller (11a) gesteuert wurde, und des Gases, das durch das Gas-Umgehungsrohr (11b) gelangt, der Gasdüse (2c, 2d) zugeführt wird, wobei eine Betätigung des Auf-Zu-Ventils (11c, 11d) ermöglicht, dass eine Temperatur des durch die Gasdüse (2c, 2d) gelangenden Gases geändert wird.
  2. Halbleiterherstellungseinrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Ausstoßöffnung der Gasdüse (2c) in Ausrichtung mit einem zentralen Teilbereich des Halbleiterwafers (1) positioniert ist.
  3. Halbleiterherstellungseinrichtung nach Anspruch 1, wobei die Ausstoßöffnung der Gasdüse (2d) so positioniert ist, dass sie einen zentralen Teilbereich des Halbleiterwafers (1) umgibt.
  4. Halbleiterherstellungsverfahren, umfassend: ein Durchführen eines Prozesses mit einer chemischen Flüssigkeit, um zu veranlassen, dass sich eine chemische Flüssigkeit über eine gesamte Bearbeitungsoberfläche eines Halbleiterwafers (1) ausbreitet; und ein Durchführen eines Prozesses zur Temperatursteuerung, um eine Temperatur eines zuzuführenden Gases zu ändern, wobei in dem Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit das Gas, dessen Temperatur im Prozess zur Temperatursteuerung geändert wurde, einer gegenüberliegenden Oberfläche, die der Bearbeitungsoberfläche des Halbleiterwafers (1) entgegengesetzt ist, zugeführt wird, um den Halbleiterwafer (1) zu heizen oder zu kühlen.
  5. Halbleiterherstellungsverfahren nach Anspruch 4, ferner umfassend ein Durchführen eines Wasser-Waschprozesses, um die Bearbeitungsoberfläche des Halbleiterwafers (1) nach dem Prozess mit einer chemischen Flüssigkeit zu waschen, wobei im Wasser-Waschprozess das Gas, dessen Temperatur in dem Prozess zur Temperatursteuerung geändert wurde, der gegenüberliegenden Oberfläche, die der Bearbeitungsoberfläche des Halbleiterwafers (1) entgegengesetzt ist, zugeführt wird, um den Halbleiterwafer (1) zu heizen oder zu kühlen.
  6. Halbleiterherstellungsverfahren, umfassend: ein Durchführen eines Trocknungsprozesses, um eine Bearbeitungsoberfläche eines Halbleiterwafers (1) zu trocknen; ein Durchführen eines Prozesses zur Temperatursteuerung, um eine Temperatur eines zuzuführenden Gases zu ändern, wobei im Trocknungsprozess das Gas, dessen Temperatur im Prozess zur Temperatursteuerung geändert wurde, einer gegenüberliegenden Oberfläche, die der Bearbeitungsoberfläche des Halbleiterwafers (1) entgegengesetzt ist, zugeführt wird, um den Halbleiterwafer (1) zu heizen.
  7. Halbleiterherstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, wobei das Gas, dessen Temperatur geändert wurde, einem zentralen Teilbereich der gegenüberliegenden Oberfläche, die der Bearbeitungsoberfläche des Halbleiterwafers (1) entgegengesetzt ist, zugeführt wird, um den Halbleiterwafer (1) zu heizen oder zu kühlen.
  8. Halbleiterherstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, wobei das Gas, dessen Temperatur geändert wurde, einer Zone um einen zentralen Teilbereich der gegenüberliegenden Oberfläche, die der Bearbeitungsoberfläche des Halbleiterwafers (1) entgegengesetzt ist, zugeführt wird, um den Halbleiterwafer (1) mit Ausnahme des zentralen Teilbereichs des Halbleiterwafers (1) zu heizen oder zu kühlen.
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