DE102019200047A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

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Abstract

Eine Halbleitervorrichtung umfasst eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen in der Halbleiterschicht wahlweise gebildeten Bereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps, einen Verunreinigungsrandbereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der um den Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps herum in der Halbleiterschicht gebildet ist, und eine Schottky-Elektrode, die auf der Halbleiterschicht gebildet ist und die einen Schottky-Übergangsabschnitt zwischen einem Teil eines ersten Leitfähigkeitstyps der Halbleiterschicht und der Schottky-Elektrode bildet, wobei in der Halbleitervorrichtung ein pn-Übergangsabschnitt zwischen dem Verunreinigungsrandbereich und dem Teil des ersten Leitfähigkeitstyps der Halbleiterschicht eine höhere Spannungsfestigkeit als eine Zenerspannung Veiner Zener-Diode aufweist, die aus einem pn-Übergangsabschnitt zwischen dem Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps und dem Teil des ersten Leitfähigkeitstyps der Halbleiterschicht besteht.

Description

  • {Technisches Gebiet}
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung, die einen Schottky-Übergangsabschnitt und eine Zenerdiodenstruktur aufweist.
  • {Stand der Technik}
  • Beispielsweise offenbart Patentdokument 1 ( japanische Offenlegungsschrift Nr. 2009-164238 ) eine Schottky-Diode, und die Schottky-Diode besteht aus einem Halbleitersubstrat, das eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps auf einer Frontfläche (vorderen Fläche) aufweist, einem Schutzring, der aus einer Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps besteht, die in einer vorgegebenen Tiefe von der Frontfläche der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps angeordnet ist, und einer Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die ringförmig ausgebildet ist, um die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps zu umgeben, einer Isolierschicht, die an einer Frontfläche der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist und die eine Öffnung aufweist, und einer Metallschicht, die derart angeordnet ist, dass sie mit der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps und mit der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps innerhalb der Öffnung in Kontakt kommt, und wobei die Schottky-Diode derart angeordnet, dass sich die Metallschicht auf die Isolierschicht erstreckt.
  • {Zusammenfassung der Erfindung}
  • Im Übrigen ist eine TVS- (Transient Voltage Suppressor) Diode als eine Vorrichtung zum Schutz von Kommunikationsleitungen bekannt. Die TVS-Diode ist beispielsweise in eine Kommunikationsleitung als bidirektionale Zener-Diode eingebaut, die in der Lage ist, eine Plus- oder Minus-Überspannung zu absorbieren, und wenn eine hohe Spannung aufgrund einer ESD (Electro Static Discharge - elektrostatische Entladung) kurzzeitig an die Kommunikationsleitung angelegt wird, wird eine Ausgangsspannung an einer Anschlussschaltung festgeklemmt bzw. gehalten, um einen vorgegebenen Spannungswert oder weniger zu erreichen.
  • Eine gewöhnliche Zener-Struktur (pn-Übergangsabschnitt) hat jedoch eine vergleichsweise lange Sperrverzögerungszeit trr, und demzufolge kann bei einer Polaritätsumkehrzeitsteuerung einer Eingangsspannung (Eingangssignal) eine Verzögerung auftreten. Das Problem dieser Verzögerung wird im Verhältnis zu einer Erhöhung der Geschwindigkeit eines Verarbeitungssignals deutlicher.
  • In dieser Hinsicht ist es möglich, wenn eine Schottky-Diode, wie beispielsweise die des Patentdokuments 1, als eine TVS-Diode verwendet wird, die Sperrverzögerungszeit trr zu beschleunigen, und dennoch gibt es einen Fall, in dem die zulässige ESD-Menge der Diode verringert wird.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Halbleitervorrichtung bereitzustellen, die in der Lage ist, eine Verringerung der zulässigen ESD-Menge zu begrenzen, während eine Sperrverzögerungszeit trr verkürzt wird, und die in der Lage ist, wünschenswerte Zener-Eigenschaften zu realisieren.
  • Eine Halbleitervorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen in der Halbleiterschicht wahlweise gebildeten Bereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps, einen Verunreinigungsrandbereich (peripherer Verunreinigungsbereich) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der um den Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps in der Halbleiterschicht herum gebildet ist, und eine Schottky-Elektrode, die auf der Halbleiterschicht gebildet ist und die einen Schottky-Übergangsabschnitt zwischen einem Teil eines ersten Leitfähigkeitstyps der Halbleiterschicht und der Schottky-Elektrode bildet, und wobei in der Halbleitervorrichtung ein pn-Übergangsabschnitt zwischen dem Verunreinigungsrandbereich und dem Teil des ersten Leitfähigkeitstyps der Halbleiterschicht eine höhere Spannungsfestigkeit als eine Zenerspannung Vz einer Zener-Diode aufweist, die aus einem pn-Übergangsabschnitt zwischen dem Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps und dem Teil des ersten Leitfähigkeitstyps der Halbleiterschicht besteht.
  • Gemäß dieser Anordnung/Konfiguration ist es möglich, einen Vorwärtsstrom durch den Schottky-Übergangsabschnitt fließen zu lassen, und demzufolge ist es möglich, eine Sperrverzögerungszeit trr, die in Anspruch genommen wird, wenn eine Umkehrspannung an den Schottky-Übergangsabschnitt angelegt wird, kürzer als in einem Fall zu erzeugen, in dem ein Vorwärtsstrom/Durchlassstrom durch einen pn-Übergangsabschnitt fließen kann. Andererseits sind der Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer relativ niedrigen Spannungsfestigkeit und der Verunreinigungsrandbereich mit einer relativ höheren Spannungsfestigkeit als der Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps, die jeweils als ein pn-Übergangsbereich dienen, unabhängig voneinander gebildet. Wenn daher eine Sperrspannung angelegt wird, ist es möglich, eine hohe zulässige ESD-Menge durch den Verunreinigungsrandbereich zu halten, und eine Ausgangsspannung kann durch die Zenerdiode auf einen vorgegebenen Spannungswert oder weniger festgeklemmt werden. Mit anderen Worten ist es in der Halbleiterschicht mit dem Schottky-Übergangsabschnitt möglich, eine Halbleitervorrichtung zu realisieren, die die Anforderung von drei Eigenschaften der Sperrverzögerungszeit trr, der Zener-Spannung Vz und der zulässigen ESD-Menge erfüllt, indem zwei Arten von Bereichen vorgesehen werden, d,h., durch Bereitstellen pn-Übergangsabschnitts (der Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps), der die Zener-Spannung Vz übernimmt, und des pn-Übergangsabschnitts (der Verunreinigungsrandbereich), der die zulässige ESD-Menge übernimmt.
  • In der Halbleitervorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann der Verunreinigungsrandbereich bezogen auf eine Frontfläche (vordere Fläche) der Halbleiterschicht tiefer als der Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps sein.
  • In der Halbleitervorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Tiefe des Verunreinigungsrandbereichs 1,2 µm bis 4,2 µm betragen, und eine Tiefe des Bereichs des zweiten Leitfähigkeitstyps kann 0,6 µm bis 1,4 µm betragen.
  • In der Halbleitervorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Serienwiderstand des Teils des ersten Leitfähigkeitstyps der Halbleiterschicht 0,09 Ω · cm bis 0,14 Ω · cm betragen.
  • In der Halbleitervorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Tiefe des Verunreinigungsrandbereichs 3,6 µm bis 4,5 µm betragen, und eine Tiefe des Bereichs des zweiten Leitfähigkeitstyps kann 0,9 µm bis 2,5 µm betragen.
  • In der Halbleitervorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Serienwiderstand des Teils des ersten Leitfähigkeitstyps der Halbleiterschicht 0,14 Ω · cm bis 0,2 Ω · cm betragen.
  • In der Halbleitervorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann in einer Tiefenrichtung von einer Frontfläche der Halbleiterschicht ein Konzentrationsgradient des Verunreinigungsrandbereichs stärker bzw. mehr graduell als ein Konzentrationsgradient des Bereichs des zweiten Leitfähigkeitstyps sein.
  • In der Halbleitervorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann der Verunreinigungsrandbereich eine Störstellenkonzentration von 1 × 1018 cm-3 bis 5 × 1019 cm-3 aufweisen, und der Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps kann eine Störstellenkonzentration von 5 × 1018 cm-3 bis 1 × 1020 cm-3 aufweisen.
  • In der Halbleitervorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können die Bereiche des zweiten Leitfähigkeitstyps in einer Draufsicht punktförmig angeordnet sein, und der Verunreinigungsrandbereich kann einen Schutzring umfassen, der die Bereiche des zweiten Leitfähigkeitstyps umgibt.
  • In der Halbleitervorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können die Bereiche des zweiten Leitfähigkeitstyps streifenförmig in einer Draufsicht angeordnet sein, und der Verunreinigungsrandbereich kann einen Schutzring umfassen, der die Bereiche des zweiten Leitfähigkeitstyps umgibt.
  • In der Halbleitervorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die Halbleiterschicht eine planare Größe von 0,2 mm im Quadrat bis 0,45 mm im Quadrat aufweisen.
  • Die Halbleitervorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine bidirektionale Zenerdiode umfassen, die in eine Kommunikationsschaltung aufgenommen ist.
  • Figurenliste
    • 1 zeigt eine schematische Draufsicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
    • 2 zeigt eine Schnittdarstellung entlang der Schnittlinie II-II von 1.
    • 3A zeigt eine Ansicht, die einen Konzentrationsgradienten eines Halbleiterbereichs vom p-Typ zeigt.
    • 3B zeigt eine Ansicht, die einen Konzentrationsgradienten eines Schutzrings zeigt.
    • 4 zeigt eine Ansicht, die ein Beispiel eines Kommunikationssystems zeigt, in dem die Halbleitervorrichtung aufgenommen ist.
    • 5 zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem ersten Referenzbeispiel.
    • 6 zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem zweiten Referenzbeispiel.
    • 7 zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem dritten Referenzbeispiel.
    • 8 zeigt eine Ansicht, die eine Wellenform einer Eingangsspannung bei einem BCI-Test zeigt.
    • 9A und 9B zeigen Ansichten, von denen jede eine Wellenform einer Ausgangsspannung einer Kommunikationsleitung zeigt, wenn die Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten Referenzbeispiel aufgenommen ist.
    • 10A und 10B zeigen Ansichten, von denen jede eine Wellenform einer Ausgangsspannung einer Kommunikationsleitung zeigt, wenn die Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung aufgenommen ist.
    • 11 zeigt eine Ansicht, die einen Verbesserungseffekt einer zulässigen ESD-Menge zeigt.
    • 12 zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einem vierten Referenzbeispiel.
    • 13 zeigt eine schematische Draufsicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
    • 14 zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • {Beschreibung der Ausführungsformen}
  • Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden im Folgenden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ausführlich beschrieben.
  • 1 zeigt eine schematische Draufsicht einer Halbleitervorrichtung 1 gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 2 zeigt eine Schnittdarstellung entlang der Schnittlinie II-II von 1. 3A zeigt eine Ansicht, die einen Konzentrationsgradienten eines Halbleiterbereichs 12 vom p-Typ zeigt. 3B zeigt eine Ansicht, die einen Konzentrationsgradienten eines Schutzrings 21 zeigt. In 1 sind eine Anodenelektrode 13 und eine Oberflächenisolierfilm 18 nicht gezeigt.
  • Die Halbleitervorrichtung 1 hat in der Draufsicht zum Beispiel eine quadratische Chipform und ihre Längen in der Richtung von oben nach unten und von rechts nach links können in der Folie bzw. dem Blatt von 1 jeweils 0,2 mm bis 0,45 mm betragen.
  • Die Halbleitervorrichtung 1 umfasst ein Substrat 2 (Si-Substrat) aus Si vom n+-Typ, das ein Beispiel einer Halbleiterschicht der vorliegenden Erfindung ist. Die Dicke des Substrats 2 kann beispielsweise 50 µm bis 300 µm betragen. Beispielsweise können N (Stickstoff), P (Phosphor), As (Arsen) oder Sb (Antimon) als in dem Substrat 2 enthaltene Verunreinigung vom n-Typ verwendet werden.
  • Eine Kathodenelektrode 4, die als eine ohmsche Elektrode dient, ist auf einer Rückseite bzw. hinteren Fläche 3 des Substrats 2 derart gebildet, dass sie ihre gesamte Fläche abdeckt. Die Kathodenelektrode 4 besteht aus einem Metall (z. B. Au oder Ag), das mit Si vom n-Typ einen ohmschen Kontakt herstellt. Die Dicke der Kathodenelektrode 4 kann beispielsweise 0,3 µm bis 2,0 µm betragen.
  • Eine Epitaxieschicht 6 aus Si vom n-Typ, die ein Beispiel einer Halbleiterschicht der vorliegenden Erfindung darstellt, ist auf einer Frontfläche bzw. vorderen Fläche 5 des Substrats 2 gebildet.
  • Ein Feldisolierfilm 11, der ein Kontaktloch 9 aufweist, das einen Teil der Epitaxieschicht 6 als einen aktiven Bereich 8 freilegt, und mit dem ein den aktiven Bereich 8 umgebender Außenumfangsbereich 10 abgedeckt ist, ist auf einer vorderen Fläche 7 der Epitaxieschicht 6 gebildet. Der Feldisolierfilm 11 besteht beispielsweise aus SiO2 (Siliziumoxid) . Die Dicke des Feldisolierfilms beträgt beispielsweise 0,5 µm bis 3 µm.
  • Der Halbleiterbereich 12 vom p-Typ ist wahlweise/selektiv in dem aktiven Bereich 8 auf der Seite der vorderen Fläche 7 der Epitaxieschicht 6 gebildet. Daher ist eine aus einem pn-Übergang zwischen dem Halbleiterbereich 12 vom p-Typ und einem Teil 16 vom n-Typ hergestellte Zener-Diode 22 in der Epitaxieschicht 6 gebildet. Der Halbleiterbereich 12 vom p-Typ weist einen Bodenabschnitt auf, der in einer Schnittdarstellung in der Form einer im Wesentlichen gekrümmten Fläche/Oberfläche gebildet ist und der in einer Tiefenrichtung mit einer im Wesentlichen konstanten Breite von der vorderen Fläche 7 der Epitaxieschicht 6 gebildet ist. In der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform besteht der Halbleiterbereich 12 vom p-Typ aus einer Mehrzahl von Punkten, die in einer Matrix in einer Draufsicht angeordnet sind, wie in 1 gezeigt. Somit ist der Teil 16 vom n-Typ, der in einer Draufsicht eine gitterartige Form aufweist, zu der vorderen Fläche 7 der Epitaxieschicht 6 freigelegt. Zum Beispiel können B (Bor), Al (Aluminium) oder Ar (Argon) als Verunreinigung bzw. Störstelle vom p-Typ verwendet werden, die in dem Bereich 12 vom p-Typ enthalten ist.
  • Die Anodenelektrode 13 ist auf dem Feldisolierfilm 11 gebildet. Die Anodenelektrode 13 kann eine zweischichtige Struktur aufweisen, die aus einem Schottky-Metall 14 und einem Kontaktmetall 15 besteht.
  • Das Schottky-Metall 14 ist in dem Kontaktloch 9 des Feldisolierfilms 11 mit dem Teil 16 vom n-Typ der Epitaxieschicht 6 verbunden und bildet einen Schottky-Übergangsabschnitt 17 zwischen dem Teil 16 vom n-Typ und dem Schottky-Metall 14. Das Schottky-Metall 14 ist in das Kontaktloch 9 des Feldisolierfilms 11 eingelassen und steht flanschförmig aus dem Kontaktloch 9 nach außen hervor, um einen Umfangsrandabschnitt des Kontaktlochs 9 in dem Feldisolierfilm 11 von oben abzudecken.
  • Vorzugsweise wird in der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform Pt (Platin) als Schottky-Metall 14 verwendet, obwohl keine besonderen Beschränkungen vorliegen, wenn ein Metall verwendet wird, das den Schottky-Übergangsabschnitt 17 zwischen dem Teil 16 vom n-Typ und dem Schottky-Metall 14 bilden kann. Pt ist in der Lage, eine vergleichsweise hohe Schottky-Barriere zwischen einem Halbleiter vom n-Typ oder dergleichen und dem Schottky-Metall 14 zu bilden. Selbst wenn beispielsweise die Störstellenkonzentration vom n-Typ der Epitaxieschicht 6 erhöht wird, um den Widerstand zu verringern, um die Zener-Diode 22 zwischen dem Halbleiterbereich 12 vom p-Typ und dem Teil 16 vom n-Typ zu bilden, ist es möglich, das Auftreten eines Leckstroms zuverlässiger zu unterbinden als in einem Fall, in dem Ti oder dergleichen verwendet wird. Natürlich kann Ti in Abhängigkeit von der Konzentration der Epitaxieschicht 6 verwendet werden.
  • Das Kontaktmetall 15 ist auf dem Schottky-Metall 14 gestapelt und steht flanschförmig aus dem Kontaktloch 9 nach außen hervor, so dass es den Umfangsrandabschnitt des Kontaktlochs 9 in dem Feldisolierfilm 11 von oben auf dieselbe Weise wie das Schottky-Metall 14 abdeckt. Das Kontaktmetall 15 kann beispielsweise aus Al (Aluminium) bestehen.
  • Der Oberflächenisolierfilm 18 ist auf einer obersten Fläche der Halbleitervorrichtung 1 gebildet. Der Oberflächenisolierfilm 18 besteht zum Beispiel aus SiN (Siliziumnitrid). Die Dicke des Oberflächenisolierfilms 18 beträgt beispielsweise 0,2 µm bis 2,0 µm. Der Oberflächenisolierfilm 18 deckt einen Flanschabschnitt 19 ab, der auf dem Feldisolierfilm 11 in dem Kontaktmetall 15 verläuft, und legt andererseits einen zentralen Teil 20 des Kontaktmetalls 15, der von dem Flanschabschnitt 19 umgeben ist und welcher hohler als der Flanschabschnitt 19 ist, als ein Pad frei. Zum Beispiel ist ein Verbindungselement, wie beispielsweise ein Bonddraht (Bonding Wire), mit dem freiliegenden zentralen Teil 20 verbunden.
  • Der Schutzring 21, der ein Beispiel für einen Verunreinigungsrandbereich der vorliegenden Erfindung darstellt, ist auf der vorderen Fläche 7 der Epitaxieschicht 6 in dem äußeren Umfangsbereich 10 gebildet. Somit wird ein pn-Übergangsabschnitt 23, der durch einen pn-Übergang zwischen dem Schutzring 21 vom p-Typ und dem Teil 16 vom n-Typ erzeugt wird, an der Epitaxieschicht 6 gebildet. Der Schutzring 21 weist einen Bodenabschnitt auf, der in einer Schnittdarstellung in der Form einer im Wesentlichen gekrümmten Fläche bzw. Oberfläche gebildet ist und der mit einer im Wesentlichen konstanten Breite bis zu einer tieferen Position als der Halbleiterbereich 12 vom p-Typ in der Tiefenrichtung von der vorderen Fläche 7 der Epitaxieschicht 6 gebildet ist. In der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform ist der Schutzring 21 derart gebildet, dass er den Halbleiterbereich 12 vom p-Typ entlang einer Außenlinie bzw. einer Kontur des Kontaktlochs 9 in einer solchen Weise umgibt, dass er sich zwischen der Innenseite und der Außenseite des Kontaktlochs 9 des Feldisolierfilms 11 in einer Draufsicht zu erstrecken (d.h., um sich zwischen dem aktiven Bereich 8 und dem äußeren Umfangsbereich 10 zu erstrecken), wie in 1 gezeigt ist. Demzufolge umfasst der Schutzring 21 einen inneren Teil, der von dem Kontaktloch 9 nach innen vorsteht, und einen äußeren Teil, der von dem Kontaktloch 9 nach außen vorsteht. Der innere Teil des Schutzrings 21 steht mit einem Anschlussabschnitt der Anodenelektrode 13 (dem Schottky-Metall 14) in dem Kontaktloch 9 in Kontakt. Der äußere Teil des Schutzrings 21 liegt der Anodenelektrode 13 gegenüber, wobei sich der Umfangsrandabschnitt des Feldisolierfilms 11 dazwischen befindet.
  • In der Halbleitervorrichtung 1 gemäß der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform werden Parameter von physikalischen Größen und Parameter von physikalischen Eigenschaften der jeweiligen Komponenten der Halbleitervorrichtung 1 in geeigneter Weise derart eingestellt, dass ein Zener-Durchbruch mit der Zener-Diode 22 zwischen dem Halbleiterbereich 12 vom p-Typ und dem Teil 16 vom n-Typ in hervorragender Weise erreicht wird und um auf diese Weise durch den Schutzring 21 eine ausgezeichnete zulässige ESD-Menge zu erzeugen.
  • Es wird zum Beispiel ein Fall angenommen, in dem die Zenerspannung Vz der Zenerdiode 22 ausgelegt ist, dass sie 16 V bis 18 V beträgt, und in dem die Spannungsfestigkeit (Durchbruchsspannung) des pn-Übergangsabschnitts 23 ausgelegt ist, dass sie 24 V bis 30 V beträgt.
  • In diesem Fall kann der Schutzring 21 in Bezug auf die Tiefe des Schutzrings 21 und die Tiefe des Halbleiterbereichs 12 vom p-Typ eine Tiefe D2 von beispielsweise 1,2 µm bis 4,2 µm aufweisen, und der Halbleiterbereich 12 vom p-Typ kann eine Tiefe D1 von beispielsweise 0,6 µm bis 1,4 µm aufweisen.
  • Andererseits kann der Konzentrationsgradient in Bezug auf die Störstellenkonzentration des Schutzrings 21 und die Störstellenkonzentration des Halbleiterbereichs 12 vom p-Typ mehr graduell sein als der Konzentrationsgradient des Halbleiterbereichs 12 vom p-Typ in der Tiefenrichtung von der vorderen Fläche 7 der Epitaxieschicht 6, wie in 3A und 3B gezeigt. Bei ausführlicher Betrachtung der Störstellenkonzentration kann der Schutzring 21 eine Störstellenkonzentration von beispielsweise 1 × 1018 cm3 bis 5 × 1019 cm-3 aufweisen, und der Halbleiterbereich 12 vom p-Typ kann eine Störstellenkonzentration von zum Beispiel 5 × 1018 cm-3 bis 1 × 1020 cm-3 aufweisen.
  • Der Serienwiderstand des Teils 16 vom n-Typ der Epitaxieschicht 6 kann beispielsweise 0,09 Ω·cm bis 0,14 Ω·cm betragen. Es ist möglich, den Serienwiderstand des Teils 16 vom n-Typ beispielsweise durch Einstellen der Dicke der Epitaxieschicht 6 und der ebenen Fläche des Schottky-Übergangsabschnitts 17 derart einzustellen, dass sie jeweils in geeignete Bereiche fallen. Der Schottky-Übergangsabschnitt 17 ist ein anderer Bereich als der Halbleiterbereich 12 vom p-Typ und der Schutzring 21 in der Epitaxieschicht 6, wie in 1 gezeigt, und demzufolge ist es möglich, die ebene Fläche des Schottky-Übergangsabschnitts 17 beispielsweise durch Ändern des Abstands (Pitch) P des Halbleiterbereichs 12 vom p-Typ (d.h., Abstand eines zentralen Raums zwischen einander benachbarten Halbleiterbereichen 12 vom p-Typ), der Breite W1 des Halbleiterbereichs 12 vom p-Typ und der Breite W2 des Schutzrings 21 einzustellen bzw. anzupassen, die in 1 gezeigt sind. Bei genauerer Betrachtung der physikalischen Größe kann/darf beispielsweise die Dicke der Epitaxieschicht 6 nicht geringer als die Tiefe D2 des Schutzrings 21 sein und nicht mehr als 7 µm betragen, der Abstand P des Halbleiterbereichs 12 vom p-Typ kann 4,0 µm bis 12,0 µm betragen, die Breite W1 des Halbleiterbereichs 12 vom p-Typ kann 1,0 µm bis 7,0 µm betragen und die Breite W2 des Schutzrings 21 kann 10 µm bis 40 µm betragen.
  • Als nächstes wird ein Fall angenommen, in dem die Zener-Spannung Vz der Zener-Diode 22 ausgelegt ist, dass sie 24 V bis 27 V beträgt, und in dem die Spannungsfestigkeit (Durchbruchsspannung) des pn-Übergangsabschnitts 23 ausgelegt ist, dass sie 35 V bis 40 V beträgt.
  • In diesem Fall kann der Schutzring 21 in Bezug auf die Tiefe des Schutzrings 21 und die Tiefe des Halbleiterbereichs 12 vom p-Typ eine Tiefe D2 von beispielsweise 3,6 µm bis 4,5 µm aufweisen, und der Halbleiterbereich 12 vom p-Typ kann eine Tiefe D1 von beispielsweise 0,9 µm bis 2,5 µm aufweisen.
  • Andererseits kann in Bezug auf die Störstellenkonzentration des Schutzrings 21 und die Störstellenkonzentration des Halbleiterbereichs 12 vom p-Typ der Konzentrationsgradient des Schutzrings 21 mehr graduell als der Konzentrationsgradient des Halbleiterbereichs 12 vom p-Typ in der Tiefenrichtung von der vorderen Fläche 7 der Epitaxieschicht 6 sein, wie in 3A und 3B gezeigt. In Bezug auf eine genauere Betrachtung der Störstellenkonzentration kann der Schutzring 21 eine Störstellenkonzentration von beispielsweise 1 × 1018 cm-3 bis 5 × 1019 cm-3 aufweisen, und der Halbleiterbereich 12 vom p-Typ kann eine Störstellenkonzentration von zum Beispiel 5 × 1018 cm-3 bis 1 × 1020 cm-3 aufweisen.
  • Der Serienwiderstand des Teils 16 vom n-Typ der Epitaxieschicht 6 kann beispielsweise 0,14 Ω·cm bis 0,2 Ω·cm betragen. Genauer gesagt kann/darf die Dicke der Epitaxieschicht 6 in Bezug auf die physikalische Größe beispielsweise nicht geringer als die Tiefe D2 des Schutzrings 21 und nicht größer als 7 µm sein, der Abstand P des Halbleiterbereichs 12 vom p-Typ kann 4,0 µm bis 12,0 µm betragen, die Breite W1 des Halbleiterbereichs 12 vom p-Typ kann 1,0 µm bis 7,0 µm betragen und die Breite W2 des Schutzrings 21 kann 10 µm bis 40 µm betragen.
  • Es wird darauf hingewiesen, dass der Abstand P des Halbleiterbereichs 12 vom p-Typ (einschließlich eines Falls, in dem eine Mehrzahl von Halbleiterbereichen 12 vom p-Typ in einer streifenförmigen Art und Weise angeordnet sind, wie es später beschrieben wird) derart eingestellt ist, dass er in den zuvor genannten Bereich fällt, um das Flächenverhältnis sowohl des pn-Übergangsabschnitts 23 als auch des Schottky-Übergangsabschnitts 17 in dem aktiven Bereich 8 einzustellen. Beispielsweise ist es bevorzugt, das Flächenverhältnis des Schottky-Übergangsabschnitts 17 in dem aktiven Bereich 8 auf 20% bis 50% einzustellen, und der Bereich des Abstands P des Halbleiterbereichs 12 vom p-Typ, der zum Einstellen dieses Flächenverhältnisses geeignet ist, ist wie oben erwähnt festgelegt. Es ist möglich, eine Sperrverzögerungszeit trr effektiv zu reduzieren, und es ist möglich, die zulässige ESD-Menge effektiv zu verbessern, indem das Flächenverhältnis des Schottky-Übergangsabschnitts 17 in dem zuvor genannten Bereich eingestellt wird.
  • 4 zeigt eine Ansicht, die ein Beispiel eines Kommunikationssystems zeigt, in dem die Halbleitervorrichtung 1 aufgenommen ist.
  • Das Kommunikationssystem 30 ist ein System, in dem zum Beispiel eine CAN- (Controller Area Network) Datenkommunikation für Fahrzeuge verwendet wird.
  • Das Kommunikationssystem 30 hat eine High-Leitung 31H und eine Low-Leitung 31L und umfasst elektronische Steuereinheiten (Electronic Control Units - ECU) 32 und 33, die über die Leitungen 31H und 31L miteinander kommunikativ verbunden sind.
  • Eine Anschlussschaltung 43, die zum Beispiel Widerstände 40, 41 und einen Kondensator 42 umfasst, ist mit der High-Leitung 31H und der Low-Leitung 31L verbunden.
  • Zusätzlich sind die obigen Halbleitervorrichtungen 1, die als Schutzvorrichtungen dienen und als bidirektionale Zener-diode 49 und als bidirektionale Zenerdiode 50 verwendet werden, mit der High-Leitung 31H beziehungsweise der Low-Leitung 31L verbunden.
  • In dem so gebildeten Kommunikationssystem 30 sind die ECUs 32 und 33 über die Kommunikationsleitungen miteinander verbunden und Kommunikationsdaten werden über die Kommunikationsleitungen gesendet und empfangen. Auf der Grundlage der empfangenen Daten wird eine Steueroperation ausgeführt, die jeder ECU 32, 33 zugeordnet ist.
  • Andererseits gibt es einen Fall, in dem aufgrund einer elektrostatischen Entladung (electro static discharge - ESD) oder dergleichen kurzzeitig eine hohe Spannung an das Kommunikationssystem 30 angelegt wird, während das Kommunikationssystem 30 arbeitet. Selbst in diesem Fall ermöglichen es die bidirektionalen Zenerdioden 49 und 50, einen Einfluss (beispielsweise einen Vorrichtungsbruch) auf die Anschlussschaltung 43 zu reduzieren, wenn eine Ausgangsspannung an der Anschlussschaltung 43 in geeigneter Weise festgeklemmt wird, so dass sie ein vorgegebener Spannungswert oder weniger wird.
  • In den letzten Jahren ist jedoch eine Kommunikationsgeschwindigkeit erhöht worden, und daher ist es notwendig, die Spannungsklemmung zuverlässig durchzuführen, während eine Verzögerung in der Ausgangsspannung verhindert wird. Daher umfasst die Halbleitervorrichtung 1, die als bidirektionale Zenerdioden 49 und 50 zum Schutz verwendet wird, den Schottky-Übergangsabschnitt 17 und zusätzlich noch die Zenerdiode 22 und den pn-Übergangsabschnitt 23, die eine höhere Spannungsfestigkeit als die Zenerspannung Vz der Zenerdiode 22 an der Position des Schutzrings 21 aufweisen.
  • Durch diese Konfiguration erzielte Wirkungen können zum Beispiel durch einen BCI- (Bulk Current Injection) Test demonstriert werden.
  • Wenn die durch den BCI-Test nachgewiesenen Wirkungen beschrieben werden, werden die Halbleitervorrichtungen 51, 61 und 71 gemäß 5 (erstes Referenzbeispiel), 6 (zweites Referenzbeispiel) und 7 (drittes Referenzbeispiel) jeweils als eine Konfiguration im Vergleich zu der der Halbleitervorrichtung 1 erwähnt.
  • Die Halbleitervorrichtung 51 von 5 weist den Halbleiterbereich 12 vom p-Typ auf, der über die Gesamtheit der Seite der vorderen Fläche 7 des aktiven Bereichs 8 der Epitaxieschicht 6 gebildet ist, und unterscheidet sich von der Halbleitervorrichtung 1 dadurch, dass der Schottky-Übergangsabschnitt 17 und der Schutzring 21 nicht gebildet sind.
  • Die Halbleitervorrichtung 61 von 6 unterscheidet sich von der Halbleitervorrichtung 1 dadurch, dass der Halbleiterbereich 12 vom p-Typ nicht gebildet ist und dass die Tiefe des Schutzrings 21 im Wesentlichen gleich zu der des Halbleiterbereichs 12 vom p-Typ ist, obwohl der Schottky-Übergangsabschnitt 17 und die Schutzring 21 gebildet sind.
  • Die Halbleitervorrichtung 71 von 7 unterscheidet sich von der Halbleitervorrichtung 1 darin, dass der Halbleiterbereich 12 vom p-Typ nicht gebildet ist, obwohl der Schottky-Übergangsabschnitt 17 und der Schutzring 21 (der tiefer als der Halbleiterbereich 12 vom p-Typ ist) gebildet sind.
  • In dem BCI-Test ist eine Injektionssonde 52 auf halbem Weg an einem Abschnitt von sowohl der High-Leitung 31H als auch der Low-Leitung 31L angeordnet, wie beispielsweise in 4 gezeigt, und ein Rauschstrom wird von der Injektionssonde 52 eingespeist.
  • 8 zeigt eine Ansicht, die eine Wellenform einer Eingangsspannung (eine Eingangswellenform 53) bei einem BCI-Test zeigt. 9A und 9B zeigen Ansichten, von denen jede eine Wellenform einer Ausgangsspannung der Kommunikationsleitung (eine Ausgangswellenform 54 an der High-Seite und eine Ausgangswellenform 56 an der Low-Seite) zeigt, wenn die Halbleitervorrichtung 51 gemäß dem ersten Referenzbeispiel als die bidirektionale Zenerdiode 49 und als die bidirektionale Zenerdiode 50 aufgenommen ist. 10A und 10B zeigen Ansichten, von denen jede eine Wellenform einer Ausgangsspannung der Kommunikationsleitung (eine Ausgangswellenform 55 an der High-Seite und eine Ausgangswellenform 58 an der Low-Seite) zeigt, wenn die Halbleitervorrichtung 1 als die bidirektionale Zenerdiode 49 und als die bidirektionale Zenerdiode 50 aufgenommen ist.
  • In der Halbleitervorrichtung 51 wirkt bzw. arbeitet die Zenerdiode 22 normalerweise in Bezug auf die Eingangsspannung ± 30 V, und sowohl in der Ausgangswellenform 54 auf der High-Seite als auch in der Ausgangswellenform 56 auf der Low-Seite wird die Spannung ausgegeben, während sie bei ± 20 V festgeklemmt wird, wie in 9A und 9B gezeigt. Andererseits tritt eine Verzögerung 57, die sich aus der Sperrverzögerungszeit trr der Zener-Diode 22 ergibt, zu einem Polaritätsinversionszeitpunkt einer Eingangsspannung auf, da der Schottky-Übergangsabschnitt 17 nicht gebildet ist.
  • Andererseits wirkt bzw. arbeitet die Zenerdiode 22 in der Halbleitervorrichtung 1 normalerweise in Bezug auf die Eingangsspannung ± 30 V, und sowohl in der Ausgangswellenform 55 auf der High-Seite als auch in der Ausgangswellenform 58 auf der Low-Seite wird die Spannung wird ausgegeben, während sie auf ± 20 V auf dieselbe Weise wie bei der Halbleitervorrichtung 51 festgeklemmt wird, wie in 10A und 10B gezeigt. Darüber hinaus ist der Schottky-Übergangsabschnitt 17 gebildet, und daher ist es möglich, einen Vorwärtsstrom durch den Schottky-Übergangsabschnitt 17 fließen zu lassen. Daher ist es möglich, die Sperrverzögerungszeit trr kürzer zu gestalten als in einem Fall, in dem ein Vorwärtsstrom wie in der Halbleitervorrichtung 51 durch die Zener-Diode 22 fließen kann, und es versteht sich, dass die Spannung mit einer idealen Spannungsform (Spannungsverlauf) ohne das Auftreten der Verzögerung 57 ausgegeben wird.
  • Zusätzlich sind in der Halbleitervorrichtung 1 der Halbleiterbereich 12 vom p-Typ mit einer relativ niedrigen Spannungsfestigkeit und der Schutzring 21 mit einer relativ höheren Spannungsfestigkeit als Halbleiterbereich 12 vom p-Typ, von denen jeder als ein pn-Übergangsbereich dient, unabhängig voneinander gebildet. Wenn also eine Sperrspannung angelegt wird, ist es möglich, eine hohe zulässige ESD-Menge durch den Schutzring 21 zu halten, während eine Ausgangsspannung festgeklemmt werden kann, um durch die Zenerdiode 22 einen vorgegebenen Spannungswert oder weniger zu erreichen. Mit anderen Worten ist es in der Epitaxieschicht 6 mit dem Schottky-Übergangsabschnitt 17 möglich, eine Halbleitervorrichtung zu realisieren, die die Anforderung von drei Eigenschaften der Sperrverzögerungszeit trr, der Zener-Spannung Vz und der zulässigen ESD-Menge durch Bereitstellen von zwei Arten von Bereichen erfüllt, d.h., durch Bereitstellen des pn-Übergangsabschnitts (des Halbleiterbereichs 12 vom p-Typ), der die Zenerspannung Vz übernimmt, und des pn-Übergangsabschnitts (des Schutzrings 21), der die zulässige ESD-Menge übernimmt.
  • Verbesserungswirkungen der zulässigen ESD-Menge, die durch die Konfiguration der vorliegenden bevorzugten Ausführungsform hervorgerufen wird, können unter Bezugnahme auf 11 und 12 beschrieben werden.
  • Wenn Verbesserungswirkungen der zulässigen ESD-Menge beschrieben werden, wird eine Halbleitervorrichtung 81 gemäß 12 (viertes Referenzbeispiel) als eine Konfiguration im Vergleich zu der der Halbleitervorrichtung 1 erwähnt. Die Halbleitervorrichtung 81 von 8 unterscheidet sich von der Halbleitervorrichtung 1 dadurch, dass die Tiefe des Schutzrings 21 im Wesentlichen der des Halbleiterbereichs 12 vom p-Typ entspricht.
  • Aus dem Simulationsergebnis von 11 ist ersichtlich geworden, dass die zulässige ESD-Menge im Vergleich zu der Konfiguration der Halbleitervorrichtung 81 um etwa 10% verbessert werden kann, wenn die Konfiguration der Halbleitervorrichtung 1 verwendet wird.
  • In der Halbleitervorrichtung 61, die in Bezug auf den BCI-Test und die zulässige ESD-Menge nicht simuliert werden soll, ist der Schottky-Übergangsabschnitt 17 gebildet, und daher ist es denkbar, dass die Verzögerung 57 reduziert werden kann, und dennoch ist nur der vergleichsweise flache Schutzring 21 als pn-Übergangsbereich gebildet, und die Fläche des pn-Übergangsbereichs ist kleiner als in der Halbleitervorrichtung 51 hergestellt, und daher wird erwartet, dass die zulässige ESD-Menge verringert wird. Andererseits ist in der Halbleitervorrichtung 71 der Schutzring 21 tiefer als in der Halbleitervorrichtung 61, und es wird erwartet, dass die zulässige ESD-Menge angehoben wird, und im Gegensatz dazu wird die Zener-Spannung Vz höher und anders als bei den Wellenformen 54 und 55 von 9A, 9B und 10A, 10B besteht die Gefahr, dass die Ausgangsspannung nicht festgeklemmt werden kann, um einen vorgegebenen Spannungswert oder weniger zu erreichen.
  • Obwohl die bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wie oben beschrieben worden ist, kann die vorliegende Erfindung auf andere Arten ausgeführt werden.
  • Zum Beispiel kann die Mehrzahl von Halbleiterbereichen 12 vom p-Typ streifenförmig angeordnet sein, wie in 13 gezeigt, obwohl die Mehrzahl von Halbleiterbereichen 12 vom p-Typ punktförmig in dem aktiven Bereich 8 angeordnet ist, wie in der obigen bevorzugten Ausführungsform beschrieben ist. In diesem Fall kann der Abstand P des streifenförmigen Halbleiterbereichs 12 vom p-Typ beispielsweise 3,0 µm bis 13,0 µm betragen.
  • Außerdem kann nur ein Halbleiterbereich 12 vom p-Typ derart gebildet sein, dass er mit dem Schutzring 21 in Kontakt kommt (um zu ermöglichen, dass sich ein Teil mit diesem überlappt), wie in 14 gezeigt, obwohl die Mehrzahl von Halbleiterbereichen 12 vom p-Typ gebildet ist, und alle sind so ausgebildet, dass sie von dem Schutzring 21 entfernt sind (um nicht damit in Kontakt zu kommen), wie in der obigen bevorzugten Ausführungsform beschrieben ist. Natürlich kann der einzelne Halbleiterbereich 12 vom p-Typ vom Schutzring 21 entfernt ausgebildet sein (nicht gezeigt).
  • Zusätzlich kann ein anderes Substrat als Silizium, das aus einem Halbleitermaterial wie SiC (Siliziumcarbid) hergestellt ist, anstelle des Siliziumsubstrats 2 verwendet werden, obwohl das Siliziumsubstrat 2 als ein Beispiel eines Halbleitersubstrats verwendet wird, wie es in der obigen bevorzugten Ausführungsform beschrieben ist.
  • Obwohl die Diode (bidirektionale Zenerdiode) zum Schutz, die zu einem Verwendungszweck der Halbleitervorrichtung 1 in das Kommunikationssystem 30 aufgenommen ist, als ein Beispiel genommen wird, wie in der obigen bevorzugten Ausführungsform beschrieben ist, kann die Halbleitervorrichtung 1 zu einem anderen Verwendungszweck verwendet werden.
  • Darüber hinaus können verschiedene Designänderungen innerhalb des Schutzumfangs des in den Ansprüchen genannten Gegenstands vorgenommen werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2009164238 [0002]

Claims (12)

  1. Halbleitervorrichtung, aufweisend: eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps; einen in der Halbleiterschicht wahlweise gebildeten Bereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps; einen Verunreinigungsrandbereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der um den Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps herum in der Halbleiterschicht gebildet ist; und eine Schottky-Elektrode, die auf der Halbleiterschicht gebildet ist und die einen Schottky-Übergangsabschnitt zwischen einem Teil eines ersten Leitfähigkeitstyps der Halbleiterschicht und der Schottky-Elektrode bildet, wobei ein pn-Übergangsabschnitt zwischen dem Verunreinigungsrandbereich und dem Teil des ersten Leitfähigkeitstyps der Halbleiterschicht eine höhere Spannungsfestigkeit als eine Zenerspannung Vz einer Zener-Diode aufweist, die aus einem pn-Übergangsabschnitt zwischen dem Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps und dem Teil des ersten Leitfähigkeitstyps der Halbleiterschicht besteht.
  2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Verunreinigungsrandbereich bezogen auf eine vordere Fläche der Halbleiterschicht tiefer als der Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps ist.
  3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, wobei eine Tiefe des Verunreinigungsrandbereichs 1,2 µm bis 4,2 µm beträgt und eine Tiefe des Bereichs des zweiten Leitfähigkeitstyps 0,6 µm bis 1,4 µm beträgt.
  4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, wobei ein Serienwiderstand des Teils des ersten Leitfähigkeitstyps der Halbleiterschicht 0,09 Ω · cm bis 0,14 Ω · cm beträgt.
  5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, wobei eine Tiefe des Verunreinigungsrandbereichs 3,6 µm bis 4,5 µm beträgt und eine Tiefe des Bereichs des zweiten Leitfähigkeitstyps 0,9 µm bis 2,5 µm beträgt.
  6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, wobei ein Serienwiderstand des Teils des ersten Leitfähigkeitstyps der Halbleiterschicht 0,14 Ω · cm bis 0,2 Ω · cm beträgt.
  7. Halbleitervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 6, wobei in einer Tiefenrichtung von einer vorderen Fläche der Halbleiterschicht ein Konzentrationsgradient des Verunreinigungsrandbereichs mehr graduell als ein Konzentrationsgradient des Bereichs des zweiten Leitfähigkeitstyps ist.
  8. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 7, wobei der Verunreinigungsrandbereich eine Störstellenkonzentration von 1 × 1018 cm-3 bis 5 × 1019 cm-3 aufweist und der Bereich des zweiten Leitfähigkeitstyps eine Störstellenkonzentration von 5 × 1018 cm-3 bis 1 × 1020 cm-3 aufweist.
  9. Halbleitervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 8, wobei die Bereiche des zweiten Leitfähigkeitstyps in einer Draufsicht punktförmig angeordnet sind, und der Verunreinigungsrandbereich einen Schutzring umfasst, der die Bereiche des zweiten Leitfähigkeitstyps umgibt.
  10. Halbleitervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 8, wobei die Bereiche des zweiten Leitfähigkeitstyps streifenförmig in einer Draufsicht angeordnet sind, und der Verunreinigungsrandbereich einen Schutzring umfasst, der die Bereiche des zweiten Leitfähigkeitstyps umgibt.
  11. Halbleitervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 10, wobei die Halbleiterschicht eine planare Größe von 0,2 mm im Quadrat bis 0,45 mm im Quadrat aufweisen.
  12. Halbleitervorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 11, ferner aufweisend eine bidirektionale Zenerdiode, die in eine Kommunikationsschaltung aufgenommen ist.
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