DE102018104064A1 - Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung - Google Patents

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Abstract

Ein Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung enthält: Vorbereiten eines Halbleitersubstrats, das mit einer Ohmscher-Kontakt-Schicht, einer Driftschicht und einer hochohmigen Schicht versehen ist, Bilden einer oberen Elektrode mit einer Kontaktbereich, der mit jeder der oberen Flächen der Driftschicht und der hochohmigen Schicht in Kontakt steht, wobei eine äußere periphere Kante des Kontaktbereiches an der hochohmigen Schicht lokalisiert ist und die obere Elektrode in Schottky-Kontakt mit zumindest der Driftschicht ist, und Bilden einer unteren Elektrode, die in ohmschem Kontakt mit einer unteren Oberfläche der Ohmscher-Kontakt-Schicht ist. Beim Halbleitersubstrat ist die Driftschicht an einem ersten Bereich der oberen Fläche der Ohmscher-Kontakt-Schicht und die hochohmige Schicht an einem zweiten Bereich der oberen Fläche der Ohmscher-Kontakt-Schicht, die den ersten Bereich umgibt, lokalisiert.

Description

  • TECHNISCHES FELD
  • Die hierin offenbarten Lehren beziehen sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung.
  • HINTERGRUND
  • Die Japanische Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 2013-102081 beschreibt eine Halbleitervorrichtung. Diese Halbleitervorrichtung enthält ein Halbleitersubstrat, eine obere Elektrode und eine untere Elektrode. Das Halbleitersubstrat enthält eine Ohmscher-Kontakt-Schicht, eine Driftschicht, die auf der Ohmscher-Kontakt-Schicht lokalisiert ist, und eine hochohmige Schicht, die auf einer Oberflächenschicht der Driftschicht vorgesehen ist. Die obere Elektrode ist in Schottky-Kontakt mit der Driftschicht, und die untere Elektrode ist in ohmschem Kontakt mit einer unteren Fläche der Ohmscher-Kontakt-Schicht. Die obere Elektrode ist in Kontakt mit den oberen Flächen der Driftschicht und der hochohmigen Schicht innerhalb eines Kontaktbereiches, und eine äußere periphere Kante dieses Kontaktbereiches ist auf der hochohmigen Schicht. Lokalisiert gemäß einer solchen Struktur breitet sich am äußeren Rand dieses Kontaktbereichs zwischen der oberen Elektrode und dem Halbleitersubstrat leicht eine Sperrschicht aus, so dass eine Durchbruchsspannung der Halbleitervorrichtung durch eine Elektrische-Feld-Konzentration in einer Nähe des äußeren Randes des Kontaktbereichs, die geschwächt wird, verbessert wird.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Die vorgenannte Halbleitervorrichtung sieht die hochohmige Schicht nur an der Fläche der Driftschicht vor. Gemäß einer solchen Struktur wird eine elektrische Feldverteilung in der Driftschicht, die zwischen der Ohmscher-Kontakt-Schicht und der hochohmigen Schicht eingefügt ist, unregelmäßig, und ein starkes elektrisches Feld kann lokal auftreten, z.B. in einer Nähe einer Schnittstelle der hochohmigen Schicht und der Driftschicht. Die Lehren hierin sehen eine neue Struktur vor, die dieses Problem löst und die außerdem eine Durchbruchsspannung einer Halbleitervorrichtung verbessern kann, und ein Herstellungsverfahren dafür.
  • Mit der hierin offenbarten Struktur einer Halbleitervorrichtung kann ein Halbleitersubstrat aufweisen: eine n-artige Ohmscher-Kontakt-Schicht, eine n-artige Driftschicht, die an einem ersten Bereich einer oberen Fläche einer Ohmscher-Kontakt-Schicht lokalisiert ist und die bei einer Trägerdichte niedriger als die Ohmscher-Kontakt-Schicht ist, und eine n-artige hochohmige Schicht, die an einem zweiten Bereich der oberen Fläche der Ohmscher-Kontakt-Schicht lokalisiert ist und die bei einer Trägerdichte, wo der zweite Bereich den ersten Bereich umgibt, niedriger als die Driftschicht ist. Eine obere Elektrode berührt die oberen Flächen der Driftschicht und der hochohmigen Schicht, und eine äußere periphere Kante einer Kontaktfläche davon ist an der hochohmigen Schicht lokalisiert und steht in Schottky-Kontakt zumindest mit der Driftschicht. Eine untere Elektrode ist im ohmschen Kontakt mit einer unteren Fläche der Ohmscher-Kontakt-Schicht.
  • Bei der vorstehenden Struktur befindet sich die hochohmige Schicht nicht nur an der Fläche der Driftschicht, sondern erstreckt sich auch auf die Ohmscher-Kontakt-Schicht. Gemäß dieser Struktur tritt eine Unregelmäßigkeit bei der Verteilung des elektrischen Feldes um die hochohmige Schicht herum weniger auf, und eine lokale Erzeugung eines starken elektrischen Feldes kann unterdrückt werden. Aufgrund dessen wird die Durchbruchspannung der Halbleitervorrichtung außerdem verbessert.
  • Die Lehren hierin offenbaren außerdem ein Herstellungsverfahren für die vorstehend genannte Halbleitervorrichtung. Dieses Herstellungsverfahren kann die Herstellung eines Halbleitersubstrats aufweisen, das aufweist: eine n-artige Ohmscher-Kontakt-Schicht, eine n-artige Driftschicht, die an einer ersten Region einer oberen Fläche der Ohmscher-Kontakt-Schicht lokalisiert ist und die bei einer Trägerdichte niedriger als die Ohmscher-Kontakt-Schicht ist, und eine n-artige hochohmige Schicht, die an einem zweiten Bereich der oberen Fläche der Ohmscher-Kontakt-Schicht lokalisiert ist, wobei der zweite Bereich den ersten Bereich umgibt und die hochohmige Schicht bei der Trägerdichte niedriger als die Driftschicht ist, Bilden einer oberen Elektrode, die eine Kontaktfläche hat, die mit jeder der oberen Flächen der Driftschicht und der hochohmigen Schicht in Kontakt steht, wobei eine äußere periphere Kante des Kontaktbereiches an der hochohmigen Schicht lokalisiert ist und die obere Elektrode in Schottky-Kontakt mit zumindest der Driftschicht steht, und Bilden einer unteren Elektrode, die in ohmschem Kontakt mit einer unteren Oberfläche der Ohmscher-Kontakt-Schicht steht. Gemäß dieses Herstellungsverfahrens kann die vorgenannte Halbleitervorrichtung mit der verbesserten Durchbruchspannung hergestellt werden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Draufsicht einer Halbleitervorrichtung 10.
    • 2 ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie II-II von 1, und zeigt schematisch eine Struktur, die sich auf eine Durchbruchspannung der Halbleitervorrichtung 10 bezieht.
    • 3 ist ein Flussdiagramm, das einen Fluss eines Herstellungsverfahrens einer Halbleitervorrichtung 10 einer ersten Ausführungsform zeigt.
    • 4 ist ein Diagramm, das einen Prozess bei einem Vorbereiten eines Halbleitersubstrats 12 (S12) erklärt, und zeigt einen Initialzustand des Halbleitersubstrats 12.
    • 5 ist ein Diagramm, das einen Prozess bei dem Vorbereiten des Halbleitersubstrats 12 (S12) erklärt, und zeigt das Halbleitersubstrat 12, bei dem eine Driftschicht 34 gebildet wird.
    • 6 ist ein Diagramm, das einen Prozess bei dem Vorbereiten des Halbleitersubstrats 12 (S12) erklärt, und zeigt das Halbleitersubstrat 12, bei dem die Driftschicht in einer zweiten Region Y entfernt wird.
    • 7 ist ein Diagramm, das einen Prozess bei dem Vorbereiten des Halbleitersubstrats 12 (S12) erklärt, und zeigt das Halbleitersubstrat 12, bei dem eine hochohmige Schicht 36 durch epitaktisches Wachstum gebildet wird.
    • 8 ist ein Diagramm, das einen Prozess bei dem Vorbereiten des Halbleitersubstrats 12 (S12) erklärt, und zeigt das Halbleitersubstrat 12, bei dem ein überschüssiger Abschnitt der hochohmigen Schicht 36 entfernt wird.
    • 9 ist ein Diagramm, das einen Prozess bei einem Bilden eines isolierenden Films 20 (S14) erklärt, und zeigt das Halbleitersubstrat 12, bei dem der isolierende Film 20 über eine Gesamtheit einer oberen Fläche 12a gebildet ist.
    • 10 ist ein Diagramm, das einen Prozess bei dem Bilden des isolierenden Films 20 (S14) erklärt, und zeigt das Halbleitersubstrat 12, bei dem der isolierende Film 20 gemustert ist.
    • 11 ist ein Diagramm, das einen Prozess bei einem Bilden einer oberen Elektrode 14 (S16) erklärt, und zeigt das Halbleitersubstrat 12, bei dem die obere Elektrode 14 über die Gesamtheit der oberen Fläche 12a gebildet ist.
    • 12 ist ein Diagramm, das einen Prozess bei dem Bilden der oberen Elektrode 14 (S16) erklärt, und zeigt das Halbleitersubstrat 12, bei dem die obere Elektrode 14 gemustert ist.
    • 13 ist ein Diagramm, das einen Prozess bei einem Bilden eines schützenden Films 22 (S18) erklärt, und zeigt das Halbleitersubstrat 12, bei dem der schützende Film über die Gesamtheit der oberen Fläche 12a gebildet ist.
    • 14 ist ein Diagramm, das einen Prozess bei dem Bilden des schützenden Films 22 (S18) erklärt, und zeigt das Halbleitersubstrat 12, bei dem der schützende Film 22 gemustert ist.
    • 15 ist ein Diagramm, das einen Prozess bei einem Vorbereiten eines Halbleitersubstrats 12 (S12) einer zweiten Ausführungsform erklärt, und zeigt das Halbleitersubstrat 12, bei dem eine Driftschicht 34 gebildet ist.
    • 16 ist ein Diagramm, das einen Prozess beim Vorbereiten des Halbleitersubstrats 12 (S12) der zweiten Ausführungsform erklärt, und zeigt das Halbleitersubstrat 12, bei dem Fremdstoffe in die Driftschicht 34 an einer zweiten Region Y ionenimplantiert werden.
    • 17 ist ein Diagramm, das einen Prozess beim Vorbereiten des Halbleitersubstrats 12 (S12) der zweiten Ausführungsform erklärt, und zeigt das Halbleitersubstrat 12, bei dem eine andere Driftschicht 34 gebildet ist.
    • 18 ist ein Diagramm, das einen Prozess beim Vorbereiten des Halbleitersubstrats 12 (S12) der zweiten Ausführungsform erklärt, und zeigt das Halbleitersubstrat 12, bei dem Fremdstoffe in die Driftschicht 34 an der zweiten Region Y ionenimplantiert werden.
    • 19 ist ein Diagramm, das einen Prozess beim Vorbereiten des Halbleitersubstrats 12 (S12) der zweiten Ausführungsform erklärt, und zeigt das Halbleitersubstrat 12, bei dem noch eine andere Driftschicht 34 gebildet ist.
    • 20 ist ein Diagramm, das einen Prozess beim Vorbereiten des Halbleitersubstrats 12 (S12) der zweiten Ausführungsform erklärt, und zeigt das Halbleitersubstrat 12, bei dem Fremdstoffe in die Driftschicht 34 an der zweiten Region Y ionenimplantiert werden.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Eine Struktur und ein Herstellungsverfahren der vorliegenden Offenbarung kann auf eine Halbleitervorrichtung angewendet werden, die einen Halbleiter verwendet, bei dem die Bildung einer p-artigen Region schwierig ist. Im Allgemeinen ist eine Schutzringstruktur, die eine p-artige Schutzringregion hat, als eine der Strukturen bekannt, die die Durchbruchspannung einer Halbleitervorrichtung verbessern kann. Jedoch ist der Einsatz der Schutzringstruktur schwierig bei einem Halbleiter, bei dem sich eine p-artige Region nicht ohne weiteres bilden lässt. In dieser Hinsicht erfordern nicht die Struktur und die Herstellungsweise der vorliegenden Offenbarung die Bildung einer p-artigen Region, demnach dies als effektiv für einen Halbleiter, bei dem die Bildung einer p-artigen Region schwierig ist, bezeichnet werden kann. Als ein Halbleiter, bei dem die Bildung einer p-artigen Region schwierig ist, können Oxidhalbleiter so wie Galliumoxid (Ga2O3) beispielhaft dargestellt werden. Insbesondere mit einem Oxidhalbleiter, bei dem ein Leitungsbandminimum (CBM) des Oxidhalbleiters kleiner als -4,0 eV und ein Valenzbandmaximum (VBM) des Oxidhalbleiters kleiner als -6,0 eV mit einem Vakuumniveau als Referenz ist, ist die Bildung der p-artigen Region schwierig. Jedoch können die Struktur und das Herstellungsverfahren der vorliegenden Offenbarung außerdem auf eine Halbleitervorrichtung, das andere Halbleiter verwendet (wie z.B. das Galliumnitrid (GaN)), passend angewandt werden.
  • Bei einer Ausführungsform kann das Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung außerdem die Bildung eines isolierenden Films an einem Bereich der oberen Fläche der die Kontaktfläche umgebenden hochohmigen Schicht aufweisen, wobei das Bilden des isolierenden Films zwischen dem Vorbereiten des Substrats und dem Bilden der oberen Elektrode durchgeführt wird. In diesem Fall kann sich beim Bilden der oberen Elektrode ein Teil der oberen Elektrode auf dem isolierenden Film bilden. Gemäß einer solchen Konfiguration weist ein Teil der oberen Elektrode über der hochohmigen Schicht in Richtung des isolierenden Films, und eine elektrische Feldkonzentration kann durch einen Feldplatteneffekt außerdem vermindert werden. Das heißt, ein Teil der oberen Elektrode kann als Feldplattenelektrode funktionieren.
  • In der vorgenannten Ausführungsform kann die Bildung des isolierenden Films durch ein CVD-Verfahren (Chemical Vapor Deposition) erfolgen. Wenn das Nebel-CVD-Verfahren genutzt wird, wird ein Rohmaterial des isolierenden Films (der zum Beispiel ist Aluminiumoxid) in Nebelform gefördert, so dass sich der isolierende Film innerhalb einer relativ kurzen Zeitperiode bilden kann.
  • In einer Ausführungsform kann das Vorbereiten des Halbleitersubstrats aufweisen: Bilden der Driftschicht durch epitaktisches Wachstum in der ersten Region und der zweiten Region der oberen Fläche der Ohmscher-Kontakt-Schicht, Entfernen eines Teils der Driftschicht, der sich auf der zweiten Region befindet, durch Ätzen, und Bilden der hochohmigen Schicht durch epitaktisches Wachstum in der zweiten Region der oberen Fläche der Ohmscher-Kontakt-Schicht, nachdem die Driftschicht entfernt wurde. In diesem Fall kann, auch wenn es nicht besonders begrenzt ist, das epitaktische Wachstum der hochohmigen Schicht mit Nebel-CVD-Verfahren durchgeführt werden. Durch eine Nutzung des Nebel-CVD-Verfahrens kann eine epitaktische Wachstumsschicht, die frei von Hohlräumen oder Spalten ist, auch auf einer nicht flachen Fläche, die die der durch Ätzen gebildeten Ecken enthalten.
  • Alternativ kann das Vorbereiten des Halbleitersubstrats in einer anderen Ausführungsform aufweisen: Bilden der Driftschicht durch epitaktisches Wachstum an der ersten Region und der zweiten Region der oberen Oberfläche der Ohmscher-Kontakt-Schicht; und Durchführen einer Ionenimplantation von Fremdstoffen in einen Teil der Driftschicht, der sich an der zweiten Region befindet, wobei die Fremdstoffe eine Eigenschaft zum Reduzieren der Trägerdichte des Teils der Driftschicht zu haben. Aufgrund dessen wird ein Teil der Driftschicht, der auf der zweiten Region gebildet ist, in die hochohmige Schicht umgewandelt. Da die Driftschicht und die hochohmige Schicht aus einer gleichen epitaktischen Wachstumsschicht konfiguriert werden, können Fremdkörper vermieden werden, die z.B. zwischen der Driftschicht und der hochohmigen Schicht eindringen.
  • Bei der vorstehenden Ausführungsform kann das Bilden der Driftschicht und das Durchführen der Ionenimplantation beim Vorbereiten des Halbleitersubstrats wiederholt werden. Aufgrund dessen können die Driftschicht und die hochohmige Schicht relativ dick ausgebildet und die Durchbruchspannung der Halbleitervorrichtung erhöht werden.
  • Repräsentative, nicht einschränkende Beispiele der vorliegenden Erfindung werden nun anhand der beigefügten Zeichnungen detaillierter beschrieben. Diese detaillierte Beschreibung soll lediglich dazu dienen, einem Fachmann weitere Details für die Ausübung bevorzugter Aspekte der vorliegenden Lehre zu vermitteln und soll den Erfindungsumfang nicht eingrenzen. Darüber hinaus kann jede der nachstehend offenbarten zusätzlichen Merkmale und Lehren einzeln oder in Verbindung mit anderen Merkmalen und Lehren verwendet werden, um verbesserte Halbleitervorrichtungen sowie Verfahren zu deren Nutzung und Herstellung vorzusehen.
  • Darüber hinaus sind Kombinationen von Merkmalen und Schritten, die in der folgenden detaillierten Beschreibung offenbart werden, möglicherweise nicht erforderlich, um die Erfindung im weitesten Sinne auszuüben, sondern werden lediglich gelehrt, um repräsentative Beispiele der Erfindung besonders zu beschreiben. Darüber hinaus können verschiedene Merkmale der vorstehend beschriebenen und nachstehend beschriebenen repräsentativen Beispiele sowie die verschiedenen unabhängigen und abhängigen Ansprüche in Weisen kombiniert werden, die nicht speziell und explizit aufgezählt werden, um zusätzliche nützliche Ausführungsformen der vorliegenden Lehren vorzusehen.
  • Alle in der Beschreibung und/oder den Ansprüchen offenbarten Merkmale sollen getrennt und unabhängig voneinander zum Zweck der ursprünglichen schriftlichen Offenbarung sowie zum Zweck der Einschränkung des beanspruchten Gegenstands, unabhängig von der Zusammensetzung der Merkmale in den Ausführungsformen und/oder den Ansprüchen, offenbart werden. Zusätzlich sind alle Wertebereiche oder Anzeigen von Entitätengruppen dazu bestimmt, um jeden möglichen Zwischenwert oder jede mögliche Zwischenentität zum Zwecke der ursprünglichen schriftlichen Offenlegung sowie zur Einschränkung des beanspruchten Gegenstands zu offenbaren.
  • (Erste Ausführungsform) Eine Halbleitervorrichtung 10 und ein Herstellungsverfahren davon einer ersten Ausführungsform werden mit Bezug zu der Zeichnungen beschrieben. Die Halbleitervorrichtung 10 ist eine Art von Leistungshalbleitervorrichtung und kann in einer Schaltung zur Stromzuführung zu einem Motor verwendet werden, der Räder in einem elektrisch angetriebenen Fahrzeug wie einem Elektrofahrzeug, einem Hybridfahrzeug und einem Brennstoffzellenfahrzeug antreibt. Es sei darauf hingewiesen, dass die in dieser Ausführungsform offenbarten technischen Elemente nicht auf die Halbleitervorrichtung 10 und das Herstellungsverfahren davon beschränkt sind und auf verschiedene andere Halbleitervorrichtungen und Herstellungsverfahren angewendet werden können. Im Folgenden wird zunächst eine Konfiguration der Halbleitervorrichtung 10 beschrieben und dann das Herstellungsverfahren der Halbleitervorrichtung 10 beschrieben.
  • Wie es in 1 und 2 gezeigt wird, enthält die Halbleitervorrichtung 10 ein Halbleitersubstrat 12, eine obere Elektrode 14, einen isolierenden Film 20, einen Schutzfilm 22 und eine untere Elektrode 24. Die obere Elektrode 14, der isolierender Film 20 und der Schutzfilm 22 sind sich an einer oberen Fläche 12a des Halbleitersubstrats 12 vorgesehen und die untere Elektrode 24 ist an einer unteren Fläche 12b des Halbleitersubstrats 12 vorgesehen. Ein äußerer Umfangsabschnitt 14f der oberen Elektrode 14 weist über den isolierender Film 20 in Richtung des Halbleitersubstrat 12 und fungiert als Feldplattenelektrode.
  • Das Halbleitersubstrat 12 ist ein n-artiges Halbleitersubstrat. Das Halbleitersubstrat 12 der vorliegenden Ausführungsform ist, obwohl es nicht besonders begrenzt ist, ein Galliumoxid (Ga2O3)-Substrat. Das Halbleitersubstrat 12 enthält eine n-artige Ohmscher-Kontakt-Schicht 32, eine Driftschicht 34, die eine mit niedrigere Trägerdichte als die Ohmscher-Kontakt-Schicht 32 hat, und eine hochohmige Schicht 36 mit niedrigerer Trägerdichte als die Driftschicht 34 hat. Die Ohmscher-Kontakt-Schicht 32 ist als untere Schicht des Halbleitersubstrats 12 lokalisiert und bildet die untere Fläche 12b des Halbleitersubstrats 12. Die Driftschicht 34 und die hochohmige Schicht 36 sind an der Ohmscher-Kontakt-Schicht 32 vorgesehen und bilden die obere Fläche 12a des Halbleitersubstrats 12.
  • Spezifisch ist die Drift-Schicht 34 an einer ersten Region X einer oberen Fläche 32a der Ohmscher-Kontakt-Schicht 32 vorgesehen und erstreckt sich bis zur oberen Fläche 12a des Halbleitersubstrats 12. Die hochohmige Schicht 36 ist an einem zweiten Bereich Y der oberen Fläche 32a der Ohmscher-Kontakt-Schicht 32 vorgesehen und erstreckt sich bis zur oberen Fläche 12a des Halbleitersubstrats 12. In einer Draufsicht ist die erste Region X in einem mittleren Abschnitt des Halbleitersubstrats 12 lokalisiert, die zweite Region Y ist in einem peripheren Abschnitt des Halbleitersubstrats 12 lokalisiert und die erste Region X ist von der zweiten Region Y umgeben. Das heißt, die Driftschicht 34 ist durch die hochohmigen Schicht 36 umgeben. Bei dieser Ausführungsform enthält die obere Fläche 32a der Ohmscher-Kontakt-Schicht 32 eine Niveaudifferenz an einer Grenze zwischen ihrer ersten Region X und ihrer zweiten Region Y, eine solche Niveaudifferenz ist jedoch nicht zwingend erforderlich.
  • Die obere Elektrode 14 ist mit beiden Elementen, Driftschicht 34 und hochohmiger Schicht 36, an der oberen Fläche 12a des Halbleitersubstrats 12 in Kontakt, und die äußeren peripheren Kanten eines Kontaktbereiches S davon sind an der hochohmigen Schicht 36 lokalisiert. Das heißt, die Kontaktfläche S zwischen der oberen Elektrode 14 und dem Halbleitersubstrat 12 enthält eine obere Fläche 34a der Driftschicht 34 und eine obere Fläche 36a der hochohmigen Schicht 36, und die obere Fläche 34a der Driftschicht 34 ist von der oberen Fläche 36a der hochohmigen Schicht 36 umgeben. Die obere Elektrode 14 befindet sich in Schottky-Kontakt mit zumindest der oberen Fläche 34a der Driftschicht 34. Obwohl dies nur ein Beispiel ist, enthält die obere Elektrode 14 eine Schottky-Elektrode 16 und eine Kontaktelektrode 18. Die Kontaktelektrode 18 ist an der Schottky-Elektrode 16 vorgesehen und ist elektrisch mit der Schottky-Elektrode 16 verbunden. Ein Material der Schottky-Elektrode 16 muss lediglich ein leitfähiges Material sein, das in der Lage ist, einen Schottky-Kontakt mit der Driftschicht 34 herzustellen, und es ist nicht besonders begrenzt, obwohl es z.B. Platin (Pt) sein kann. Andererseits muss ein Material der Kontaktelektrode 18 lediglich ein leitfähiges Material sein und ist nicht besonders begrenzt, obwohl er z.B. Gold (Au) sein kann. Alternativ kann die Kontaktelektrode 18 eine mehrschichtige Struktur mit Schichten aus Titan (Ti), Nickel (Ni) und Gold haben.
  • Der isolierende Film 20 ist an der hochohmigen Schicht 36 vorgesehen und erstreckt sich ringförmig entlang der Kanten des Halbleitersubstrats 12. Spezifisch ist innerhalb der oberen Fläche 36a der hochohmigen Schicht 36 der isolierende Film 20 in einem Bereich T vorgesehen, der die vorgenannte Kontaktfläche S umgibt. Das heißt, die inneren peripheren Kanten 20c des isolierenden Films 20 sind die äußeren peripheren Kanten der Kontaktfläche S zwischen dem Halbleitersubstrat 12 und der oberen Elektrode 14. Wie vorgenannt, ist die Feldplattenelektrode 14f, die den äußeren Umfangsbereich der oberen Elektrode 14 bildet, auf dem isolierenden Film 20 lokalisiert und weist über den isolierenden Film 20 in Richtung des Halbleitersubstrats 12. Spezifischer weist die Feldplattenelektrode 14f über den isolierenden Film 20 in Richtung der hochohmigen Schicht. Ein Material des isolierenden Films 20 muss lediglich ein Material mit gewünschter Isolationseigenschaft sein und ist daher nicht besonders begrenzt, obwohl er aber z.B. Aluminiumoxid (Al2O3) sein kann.
  • Der Schutzfilm 22 erstreckt sich ringförmig entlang der Peripherie des Halbleitersubstrats 12 und bedeckt den äußeren peripheren Abschnitt der oberen Elektrode 14, der die Feldplattenelektrode 14f enthält, und den isolierenden Film 20. Die inneren Umfangskanten 22c der Schutzfolie 22 definieren eine Öffnung, durch die die obere Elektrode 14 freigelegt werden kann. Ein Material der Schutzfolie 22 muss lediglich ein isolierendes Material sein, und es ist nicht besonders begrenzt, obwohl er aber z.B. ein polymerer Werkstoff wie Polyimid sein kann.
  • Die untere Elektrode 24 ist in ohmschem Kontakt mit einer unteren Fläche 32b der Ohmscher-Kontakt-Schicht 32 an der unteren Fläche 12b des Halbleitersubstrats 12. Ein Material der unteren Elektrode 24 muss lediglich ein Material sein, das mit der Ohmscher-Kontakt-Schicht 32 ohmschen Kontakt aufnehmen kann und ist demnach nicht besonders begrenzt. Die untere Elektrode 24 dieser Ausführungsform steht in Kontakt mit der Gesamtheit der unteren Oberfläche 12b des Halbleitersubstrats 12 auf, obwohl, wie in einer anderen Ausführungsform, die untere Elektrode 24 nur mit einem Teil der unteren Oberfläche 12b des Halbleitersubstrats 12 in Kontakt stehen kann.
  • Gemäß der vorgenannten Struktur verkörpert die Halbleitervorrichtung 10 dieser Ausführungsform eine Schottky-Barrierediode (nachfolgend kurz „Diode“ genannt), die die obere Elektrode 14 als Anode und die untere Elektrode 24 als Kathode verwendet. Bei dieser Diode sind die äußeren Umfangskanten der Kontaktfläche S zwischen dem Halbleitersubstrat 12 und der oberen Elektrode 14 an der hochohmigen Schicht 36 lokalisiert. Da die hochohmige Schicht 36 eine niedrigere Trägerdichte als die Driftschicht 34 hat, breitet sich eine Sperrschicht nicht in der hochohmigen Schicht 36 aus, wenn zwischen dem Halbleitersubstrat 12 und der oberen Elektrode 14 eine invertierte Vorspannung angelegt wird. Zusätzlich erstreckt sich die hochohmige Schicht 36 bis zur Ohmscher-Kontakt-Schicht 32. Gemäß einer solchen Struktur tritt die Unregelmäßigkeit in der elektrischen Feldverteilung um die hochohmige Schicht 36 weniger auf, mit einer Struktur verglichen, bei der die Driftschicht 34 zwischen der hochohmigen Schicht 36 und der Ohmscher-Kontakt-Schicht 32 eingefügt ist, und kann eine lokale Erzeugung eines starken elektrischen Feldes unterdrückt werden. Aufgrund dessen verbessert sich außerdem die Durchbruchspannung der Halbleitervorrichtung 10.
  • Zusätzlich enthält die Halbleitervorrichtung 10 die Feldplattenelektrode 14f. Die Feldplattenelektrode 14f ist über den isolierender Film 20 in Richtung der hochohmigen Schicht 36 des Halbleitersubstrats 12 gerichtet. Gemäß einer solchen Struktur breitet sich die Sperrschicht durch Feldplatteneffekt leicht aus, und die elektrische Feldkonzentration in den äußeren peripheren Kanten der Kontaktfläche S wird außerdem vermindert.
  • Als nächstes wird ein Herstellungsverfahren für die Halbleitervorrichtung 10 beschrieben. 3 ist ein Flussdiagramm, das einen Fluss des Herstellungsverfahrens der vorliegenden Ausführungsform zeigt. Zunächst wird in Schritt S12 ein Halbleitersubstrat 12 vorbereitet. Bei diesem Schritt, wenn auch nicht besonders begrenzt, wird das Halbleitersubstrat 12 mit einer Ohmscher-Kontakt-Schicht 32, einer Driftschicht 34 und einer hochohmigen Schicht 36, wie es in 8 gezeigt wird, nach den in 4 bis 8 gezeigten Prozessen hergestellt. Bei diesem Halbleitersubstrat 12 ist die Driftschicht 34 an einer ersten Region X einer oberen Oberfläche 32a der Ohmscher-Kontakt-Schicht 32 lokalisiert und die hochohmige Schicht 36 ist an einer zweiten Region Y der oberen Oberfläche 32a der Ohmscher-Kontakt-Schicht 32 lokalisiert, und in dieser Konfiguration umgibt die zweite Region Y die erste Region X. Beide Elemente, Driftschicht 34 und hochohmige Schicht 36, haben direkten Kontakt mit der oberen Oberfläche 32a der Ohmscher-Kontakt-Schicht 32, und es ist keine Driftschicht 34 zwischen der Ohmscher-Kontakt-Schicht 32 und der hochohmigen Schicht 36 eingefügt.
  • Zunächst wird, wie es in 4 gezeigt wird, das Halbleitersubstrat 12, das nur die Ohmscher-Kontakt-Schicht 32 enthält, vorbereitet. Wie vorgenannt, kann das Halbleitersubstrat 12 ein Galliumoxid-Substrat sein. Waschen und andere Prozesse werden bei Bedarf an dem Halbleitersubstrat 12 durchgeführt. Als nächstes wird, wie es in 5 gezeigt wird, die Driftschicht 34 an der Ohmscher-Kontakt-Schicht 32 gebildet. Die Driftschicht 34 bildet sich über eine Gesamtheit der Ohmscher-Kontakt-Schicht 32. Das heißt, dass die Driftschicht 34 nicht nur an der ersten Region X, sondern auch an der zweiten Region Y gebildet wird. Diese Driftschicht 34 ist nicht besonders begrenzt, sondern kann durch epitaktisch wachsendes Galliumoxid gebildet werden. Dieses epitaktische Wachstum kann z.B. durch ein MOCVD-Verfahren (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) oder ein HVPE-Verfahren (Hydride Vapor Phase Epitaxy) durchgeführt werden. Alternativ kann das epitaktische Wachstum der Driftschicht 34 auch mit Hilfe eines Nebel-CVD-Verfahrens durchgeführt werden.
  • Als nächstes wird, wie es in 6 gezeigt wird, ein Teil der Driftschicht 34, die sich an der zweiten Region Y bildet, durch Ätzen entfernt. Aufgrund dessen wird die obere Fläche 32a der Ohmscher-Kontakt-Schicht 32 im zweiten Bereich Y freigelegt. Dann wird, wie es in 7 gezeigt wird, die hochohmige Schicht 36 an dem zweiten Bereich Y der oberen Fläche 32a der Ohmscher-Kontakt-Schicht 32 gebildet. In diesem Stadium kann die hochohmige Schicht 36 über die Gesamtheit einer oberen Fläche 12a des Halbleitersubstrats 12 einschließlich eines Bereiches an der Driftschicht 34 gebildet werden. Die Bildung der hochohmigen Schicht 36 kann durch epitaktisches Wachstum von Galliumoxid durchgeführt werden. Obwohl es nicht besonders begrenzt ist, kann dieses epitaktische Wachstum durch das Nebel-CVD-Verfahren durchgeführt werden. Bei Nutzung des Nebel-CVD-Verfahrens wird ein Rohmaterial davon (hier Galliumoxid) in Nebelform gefördert, so dass sich sogar auf dem Halbleitersubstrat 12, das eine durch das vorher durchgeführte Ätzen gebildete Niveaudifferenz aufweist, innerhalb kurzer Zeit eine hohlraumfreie epitaktische Wachstumsschicht bilden kann.
  • Beim epitaktischen Wachstum der hochohmigen Schicht 36 können im Vergleich zum epitaktischen Wachstum der Driftschicht 34 vorzugsweise Fremdstoffe aus Eisen (Fe) und/oder Magnesium (Mg) hinzugefügt werden. Die Hinzufügung dieser Fremdstoffe unterdrückt die Trägerdichte der hochohmigen Schicht 36, die niedriger als die der Driftschicht 34 ist, und der spezifische Widerstand steigt. Es sei darauf hingewiesen, dass die Fremdstoffe nicht auf bestimmte Arten von Stoffen begrenzt sind, und sie können jeder Stoff sein, der die Trägerdichte der n-artigen Driftschicht 34 niedrig unterdrücken kann. Alternativ kann eine Konzentration der zuzuführenden n-artigen Fremdstoffe einfach abgesenkt werden. Als nächstes wird, wie es in 8 gezeigt wird, die überflüssige hochohmige Schicht 36 entfernt, um die obere Fläche 12a des Halbleitersubstrats 12 zu planarisieren. Obwohl diese Planarisierung nicht besonders begrenzt ist, kann sie aber mit einem CMP-Verfahren (Chemical Mechanical Polishing) durchgeführt werden. Die planarisierte obere Oberfläche 12a des Halbleitersubstrats 12 hat die Driftschicht 34 und die darauf freiliegende hochohmige Schicht 36, und die hochohmige Schicht 36 umgibt die Driftschicht 34. Gemäß dem Obenstehenden wird das Halbleitersubstrat 12, das die Ohmscher-Kontakt-Schicht 32, die Driftschicht 34 und die hochohmigen Schicht 36 enthält, vorbereitet.
  • Zu 3 zurückkehrend, wird in Schritt S14 ein isolierender Film 20 an der oberen Fläche 12a des Halbleitersubstrats 12 gebildet. Die Bildung des isolierenden Films 20 ist nicht besonders begrenzt, kann aber durch die in 9 und 10 gezeigten Prozesse durchgeführt werden. Erstens, wie es in 9 gezeigt wird, bildet sich der isolierender Film 20 über die gesamte obere Fläche 12a des Halbleitersubstrats 12. Das heißt, der isolierende Film 20 bildet sich sowohl an den vorgenannten Kontaktbereich S als auch im Bereich T, der den Kontaktbereich S umgibt (siehe 2). Die Bildung des isolierenden Films 20 kann z.B. durch ein Nebel-CVD-Verfahren durchgeführt werden. Gemäß dem Nebel-CVD-Verfahren wird das Material des isolierenden Films 20 (z.B. Aluminiumoxid) in Nebelform gefördert, so dass sich der hohlraumfreie isolierende Film 20 innerhalb kurzer Zeit bilden kann. Dann wird, wie es in 10 gezeigt wird, ein zentraler Abschnitt des isolierenden Films 20, der an dem Kontaktbereich S lokalisiert, durch Ätzen entfernt, um den isolierenden Film 20 ringförmig zu formen. Aufgrund dessen erhält der isolierende Film 20 eine Öffnung, durch die die Driftschicht 34 und die hochohmige Schicht 36 des Halbleitersubstrats 12 freigelegt werden können.
  • In Schritt S16 von 3 wird eine obere Elektrode 14 auf der oberen Fläche 12a des Halbleitersubstrats 12 gebildet. Die Bildung der oberen Elektrode 14 ist nicht besonders begrenzt, kann aber durch die in 11 und 12 gezeigten Prozesse erfolgen. Zunächst wird, wie es in 11 gezeigt wird, die obere Elektrode 14 über die Gesamtheit der oberen Fläche 12a des Halbleitersubstrats 12 gebildet. Das heißt, die obere Elektrode 14 kommt mit der Driftschicht 34, der hochohmigen Schicht 36 und dem isolierenden Film 20 in Kontakt. Wie vorgenannt, enthält die obere Elektrode 14 der vorliegenden Ausführungsform eine Schottky-Elektrode 16 und eine Kontaktelektrode 18. In diesem Fall wird zuerst die Schottky-Elektrode 16 und darauf die Kontaktelektrode 18 gebildet. Obwohl dies nur ein Beispiel ist, kann ein Material der Schottky-Elektrode 16 Platin und ein Material der Kontaktelektrode 18 Gold sein. Als nächstes wird, wie es in 12 gezeigt wird, ein äußerer peripherer Abschnitt der oberen Elektrode 14 durch Ätzen entfernt, um die obere Elektrode 14 in eine gewünschte Form zu bringen. Ein Teil der oberen Elektrode 14 ist dabei auf dem isolierenden Film 20 lokalisiert und funktioniert als Feldplattenelektrode 14f.
  • In Schritt S18 von 3 wird ein schützender Film 22 auf der oberen Fläche 12a des Halbleitersubstrats 12 gebildet. Die Bildung des schützenden Films 22 ist nicht besonders begrenzt, jedoch kann sie durch die in 13 und 14 gezeigten Prozesse durchgeführt werden. Erstens wird, wie es in 13 gezeigt wird, der schützende Film 22 über die Gesamtheit der oberen Fläche 12a des Halbleitersubstrats 12 gebildet. Wie vorgenannt, ist das Material des schützenden Films 22 das isolierende Material und kann z.B. Polyimid sein. Dann wird, wie es in 14 gezeigt wird, ein zentraler Abschnitt des schützenden Films 22 durch Ätzen entfernt. Aufgrund dessen ist der schützender Film 22 ringförmig strukturiert, und innere periphere Kanten 22c des schützenden Films 22 definieren eine Öffnung, durch die die obere Elektrode 14 freigelegt werden kann.
  • In Schritt S20 von 3 wird eine untere Elektrode 24 auf einer unteren Fläche 12b des Halbleitersubstrats 12 gebildet. Aufgrund dessen ist die Struktur der Halbleitervorrichtung 10, die in 1 und 2 gezeigt wird, abgeschlossen. Normalerweise wird eine Vielzahl von Halbleitervorrichtungen 10 gleichzeitig auf einem Stück Halbleiterwafer hergestellt, und es wird ein Plättchenschneiden durchgeführt, um einen Halbleiterwafer in eine Vielzahl von Halbleitervorrichtungen 10 zu trennen.
  • Die Struktur der Halbleitervorrichtung 10 und das Herstellungsverfahren davon, wie es bei dieser Ausführungsform beschrieben wird, sind nicht auf eine Halbleitervorrichtung aus Galliumoxid begrenzt und können in geeigneter Weise auf Halbleitervorrichtungen angewendet werden, die andere Arten von Halbleitermaterialien verwenden. Es sei darauf hingewiesen, dass Galliumoxid als eine Substanz bekannt ist, in der eine p-Typ-Region nicht leicht gebildet werden kann, so dass es schwierig ist, eine Schutzringstruktur einzustellen, die einen p-artigen Schutzringregion in der Halbleitervorrichtung 10, die das Galliumoxid-Halbleitersubstrat 12 verwendet, erfordert. In diesem Zusammenhang kann gemäß der Struktur und dem Herstellungsverfahren der vorliegenden Ausführungsform die Durchbruchspannung der Halbleitervorrichtung 10 ohne Bildung der p-artigen Region verbessert werden. Demnach können die Struktur und das Herstellungsverfahren der vorliegenden Ausführungsform insbesondere bei einer Halbleitervorrichtung, die ein Halbleitermaterial verwendet, mit dem die Bildung der p-artigen-Region schwierig ist, geeignet eingesetzt werden. Als solche Halbleitermaterialien können Oxidhalbleiter, bei denen ein Leiterbandminimum (CBM) kleiner als -4,0 eV und ein Valenzbandmaximum (VBM) kleiner als -6,0 eV ist, mit einem Vakuumniveau als Referenz, beispielhaft dargestellt werden.
  • (Zweite Ausführungsform) Eine andere Ausführungsform eines Herstellungsverfahrens einer Halbleitervorrichtung 10 wird beschrieben. Im Vergleich zu dem Herstellungsverfahren, das bei der ersten Ausführungsform beschrieben wird, weicht das Herstellungsverfahren der vorliegenden Ausführungsform bei seinem Vorgang zum Vorbereiten eines Halbleitersubstrats 12 ab (S12 von 3). Das heißt, bei dieser Ausführungsform wird ein Halbleitersubstrat 12, das eine Ohmscher-Kontakt-Schicht 32, eine Driftschicht 34 und eine hochohmige Schicht 36 enthält, durch Verfahren von 15 bis 20 statt der in 5 bis 8 gezeigten Prozesse vorbereitet. Andere Verfahren ähneln denen der ersten Ausführungsform, so dass eine redundante Beschreibung ausgelassen wird.
  • Zunächst wird, wie es in 15 gezeigt wird, das Halbleitersubstrat 12, das nur die Ohmscher-Kontakt-Schicht 32 enthält, vorbereitet und die Driftschicht 34 auf einer Oberfläche 32a der Ohmscher-Kontakt-Schicht 32 gebildet. Die Driftschicht 34 wird über eine Gesamtheit der Ohmscher-Kontakt-Schicht 32. Das heißt, die Driftschicht 34 wird nicht nur an einer ersten Region X der oberen Fläche 32a der Ohmscher-Kontakt-Schicht 32 gebildet, sondern auch an einer zweiten Region Y davon. Wie es später beschrieben wird, wird bei dem Herstellungsverfahren der vorliegenden Ausführungsform die Bildung der Driftschicht 34 in mehreren Schritten durchgeführt. Demnach ist eine Dicke der Driftschicht 34 in diesem Stadium dünner als eine Dicke der Driftschicht 34, die als vollständige Schicht benötigt wird. Die Bildung dieser Driftschicht 34 ist nicht besonders begrenzt, aber kann durch epitaktisches Wachsen von Galliumoxid erfolgen. Außerdem kann dieses epitaktische Wachstum, ähnlich wie bei der ersten Ausführungsform, z.B. durch das MOCVD-Verfahren, das HVPE-Verfahren oder das Nebel-CVD-Verfahren durchgeführt werden.
  • Als nächstes werden, wie es in 16 gezeigt wird, Fremdstoffe, die die Trägerdichte unterdrücken, in einen Teil der auf der zweiten Region Y gebildeten Driftschicht 34 implantiert. Eine Vielzahl von Pfeilen ION in der Zeichnung zeigt schematisch die Ionenimplantation der Fremdstoffe. Die zu implantierenden Fremdstoffen sind Fremdstoffe, die die Trägerdichte in der n-artigen Driftschicht 34 unterdrücken, und es sind z.B. Eisen (Fe) und/oder Magnesium (Mg), wie bereits bei der ersten Ausführungsform erklärt. Bei dieser Ionenimplantation kann vorübergehend eine Schutzmaske 40 auf einer oberen Fläche 34a der Driftschicht 34 an einer ersten Region X gebildet werden, so dass die Fremdstoffe nicht in die Driftschicht 34 an der ersten Region X eingebracht werden. Auf diese Weise erhält die obere Fläche 32a der Ohmscher-Kontakt-Schicht 32 die Driftschicht 34, die an der ersten Region X lokalisiert ist, und die hochohmige Schicht 36, die an der zweiten Region Y lokalisiert ist, wird darauf gebildet.
  • Als nächstes wird, wie es in 17 gezeigt wird, eine neue Driftschicht 34 an der bestehenden Driftschicht 34 und der hochohmigen Schicht 36 gebildet. Diese Drift-Schicht 34 ist ähnlich über beide Regionen, erste Region X und zweite Region Y, gebildet. Dann werden, wie es in 18 gezeigt wird, die Fremdstoffe, die die Trägerdichte unterdrücken, in einen Teil dieser Driftschicht 34 implantiert, die sich an der zweiten Region Y gebildet hat. Auch bei dieser Ionenimplantation kann vorübergehend eine Schutzmaske 42 auf einer oberen Fläche 34a der Driftschicht 34 an der ersten Region X gebildet werden, so dass die Fremdstoffe nicht in die Driftschicht 34 an der ersten Region X eingebracht werden. Auf diese Weise wird an der ersten Region X eine dickere Driftschicht 34 und an der zweiten Region Y eine dickere hochohmige Schicht 36 gebildet.
  • Als nächstes wird, wie es in 19 gezeigt wird, eine weitere Driftschicht 34 an der bestehenden Driftschicht 34 und der hochohmigen Schicht 36 gebildet. Diese Drift-Schicht 34 ist ähnlich über beide Regionen, erste Region X und zweite Region Y, gebildet. Dann werden, wie es in 20 gezeigt wird, die Fremdstoffe, die die Trägerdichte unterdrücken, in einen Teil dieser Driftschicht 34, die sich an der zweiten Region Y gebildet hat, implantiert. Auch bei dieser Ionenimplantation kann vorübergehend eine Schutzmaske 44 an einer Oberseite 34a der Driftschicht 34 an der ersten Region X gebildet werden, so dass die Fremdstoffe nicht in die Driftschicht 34 an der ersten Region X eingebracht werden. Dabei wird an der ersten Region X eine noch dickere Driftschicht 34 und an der zweiten Region Y eine noch dickere hochohmige Schicht 36 gebildet. Gemäß den obigen Prozessen wird das Halbleitersubstrat 12, das die Ohmscher-Kontakt-Schicht 32, die Driftschicht 34 und die hochohmige Schicht 36 enthält, vorbereitet.
  • Bei dem Herstellungsverfahren dieser Ausführungsform werden die Bildung der Driftschicht 34 und die Ionenimplantation der Fremdstoffe wiederholt, um das Halbleitersubstrat 12 vorzubereiten. Aufgrund dessen können sowohl die Driftschicht 34 als auch die hochohmige Schicht 36 dick ausgebildet und die Durchbruchspannung der Halbleitervorrichtung 10 verbessert werden. Die Anzahl der Wiederholungen der Bildung der Driftschicht 34 und der Ionenimplantation der Fremdstoffe ist nicht besonders begrenzt. So kann z.B. die Anzahl der zu wiederholenden Zyklen gemäß den erforderlichen Dicken der Driftschicht 34 und der hochohmigen Schicht 36 bestimmt werden. Bei einer anderen Ausführungsform kann die Bildung der Driftschicht 34 und die Ionenimplantation der Fremdstoffe jeweils nur einmal durchgeführt werden, und der Zyklus darf nicht wiederholt werden.

Claims (9)

  1. Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung (10), wobei das Verfahren aufweist: Vorbereiten eines Halbleitersubstrats (12), das aufweist: eine n-artige Ohmscher-Kontakt-Schicht (32), eine n-artige Driftschicht (34), die an einem ersten Bereich (X) einer oberen Fläche (32a) der Ohmscher-Kontakt-Schicht (32) lokalisiert ist, und die bei einer Trägerdichte niedriger als die Ohmscher-Kontakt-Schicht (32) ist, eine n-artige hochohmige Schicht (36), die an einem zweiten Bereich (Y) der oberen Fläche (32a) der Ohmscher-Kontakt-Schicht (32) lokalisiert ist, wobei der zweite Bereich (Y) den ersten Bereich (X) umgibt und die hochohmige Schicht (36) bei der Trägerdichte niedriger als die Driftschicht (34) ist, Bilden einer oberen Elektrode (14), die eine Kontaktfläche (S) hat, die mit jeder der oberen Flächen (34a, 36a) der Driftschicht (34) und der hochohmigen Schicht (36) in Kontakt steht, wobei eine äußere periphere Kante (20c) der Kontaktfläche (S) auf der hochohmigen Schicht (36) lokalisiert ist, und die obere Elektrode (14) in Schottky-Kontakt mit zumindest der Driftschicht (36) ist, und Bilden einer unteren Elektrode (24), die in ohmschem Kontakt mit einer unteren Fläche (32b) der Ohmscher-Kontakt-Schicht (32) steht.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Halbleitersubstrat (12) ein Substrat aus Oxidhalbleiter ist, und, mit einem Vakuumniveau als Referenz, ein Leitungsbandminimum (CBM) des Oxidhalbleiters kleiner als -4,0 eV und ein Valenzbandmaximum (VBM) des Oxidhalbleiters kleiner als -6,0 eV ist.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Halbleitersubstrat (12) ein Substrat aus Galliumoxid ist.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-3, das außerdem aufweist: Bilden eines isolierenden Films (20) an einem Bereich (T) der oberen Fläche (36a) der hochohmigen Schicht (36), die die Kontaktfläche (S) umgibt, wobei die Bildung des isolierenden Films (20) zwischen dem Vorbereiten des Substrats (12) und dem Bilden der oberen Elektrode (14) durchgeführt wird, wobei bei der Bildung der oberen Elektrode (14) ein Teil der oberen Elektrode (14) an dem isolierenden Film (20) gebildet wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei das Bilden des isolierenden Films (20) durch ein Nebel-CVD-Verfahren durchgeführt wird.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-5, wobei das Vorbereiten des Halbleitersubstrats (12) aufweist: Bilden der Driftschicht (34) durch epitaktisches Wachstum an dem ersten Bereich (X) und dem zweiten Bereich (Y) der oberen Fläche (32a) der Ohmscher-Kontakt-Schicht (32), Entfernen eines Teils der Driftschicht (34), der an dem zweiten Bereich (Y) lokalisiert ist, durch Ätzen, und Bilden der hochohmigen Schicht (36) durch epitaktisches Wachstum an dem zweiten Bereich (Y) der oberen Fläche (32a) der Ohmscher-Kontakt-Schicht (32), nachdem der Driftbereich (34) entfernt wurde.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei das epitaktische Wachstum der hochohmigen Schicht (36) durch ein Nebel-CVD-Verfahren durchgeführt wird.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1-5, wobei das Vorbereiten des Halbleitersubstrats (12) aufweist: Bilden der Driftschicht (34) durch epitaktisches Wachstum an dem ersten Bereich (X) und dem zweiten Bereich (Y) der oberen Fläche (32a) der Ohmscher-Kontakt-Schicht (32), und Durchführen einer Ionenimplantation von Fremdstoffen in einen Teil der Driftschicht (34), der an dem zweiten Bereich (Y) lokalisiert ist, wobei die Fremdstoffe eine Eigenschaft haben, die Trägerdichte des Teils des Driftbereichs (34) zu verringern.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Bilden der Driftschicht (34) und das Durchführen der Ionenimplantation bei dem Vorbereiten des Halbleitersubstrats (12) wiederholt werden.
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