DE102017117008B4 - Kompositrefraktärbeschichtungen - Google Patents
Kompositrefraktärbeschichtungen Download PDFInfo
- Publication number
- DE102017117008B4 DE102017117008B4 DE102017117008.1A DE102017117008A DE102017117008B4 DE 102017117008 B4 DE102017117008 B4 DE 102017117008B4 DE 102017117008 A DE102017117008 A DE 102017117008A DE 102017117008 B4 DE102017117008 B4 DE 102017117008B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- coated article
- phase
- hkl
- alumina
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/403—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
- C23C28/042—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material including a refractory ceramic layer, e.g. refractory metal oxides, ZrO2, rare earth oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
- C23C28/044—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material coatings specially adapted for cutting tools or wear applications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/32—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/34—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/34—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates
- C23C28/345—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates with at least one oxide layer
- C23C28/3455—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates with at least one oxide layer with a refractory ceramic layer, e.g. refractory metal oxide, ZrO2, rare earth oxides or a thermal barrier system comprising at least one refractory oxide layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/34—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates
- C23C28/347—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates with layers adapted for cutting tools or wear applications
Abstract
Beschichteter Artikel, umfassend:ein Substrat; undeine Beschichtung, die durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) auf dem Substrat abgeschieden und angelagert wurde, wobei die Beschichtung eine mehrphasige Refraktärschicht einschließt, die eine Aluminiumoxidphase und eine Zirconiumdioxidphase umfasst, wobei die Zirconiumdioxidphase einen Texturkoeffizienten für die (200)-Wachstumsrichtung, TC(200), von mehr als 4 aufweist, wobei der Texturkoeffizient (TC) definiert ist als:TC(hkl)=I(hkl)Io(hkl){1n∑I(hkl)Io(hkl)}−1wobeil(hkl) = gemessene Intensität der (hkl)-Reflexionlo(hkl) = Standardintensität der (hkl)-Reflexion gemäß der Karte 00-037-1484 des ICDD (International Center for Diffraction Data)n = Anzahl der in der TC-Berechnung verwendeten Reflexionenin der TC-Berechnung verwendete (hkl)-Reflexionen sind (-111), (111), (200), (-112), (220) und (-221).
Description
- GEBIET DER ERFINDUNG
- Die vorliegende Erfindung betrifft Refraktärbeschichtungen und insbesondere Kompositrefraktärbeschichtungen, die mittels chemischer Gasphasenabscheidung (Chemical Vapor Deposition, CVD) auf Schneidwerkzeug- und/oder Verschleißanwendungen abgeschieden werden.
- HINTERGRUND
- Schneidwerkzeuge, unter anderem Hartmetall-Schneidwerkzeuge, werden sowohl in beschichtetem als auch in unbeschichtetem Zustand zum Bearbeiten verschiedener Metalle und Legierungen verwendet. Zum Erhöhen des Verschleißwiderstands, der Leistung und Lebensdauer des Schneidwerkzeugs werden eine oder mehrere Schichten aus Refraktärmaterial auf die Schneidwerkzeugflächen aufgetragen. Beispielsweise werden TiC, TiCN, TiN und/oder Al2O3 auf Hartmetallsubstrate durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) und durch physikalische Gasphasenabscheidung (Physical Vapor Deposition, PVD) aufgetragen. Obwohl Refraktärbeschichtungen bei einer Vielzahl von Anwendungen wirksam den Verschleiß unterdrücken und die Lebensdauer verlängern, haben sie auf einschichtigen oder mehrschichtigen Konstruktionen der vorgenannten Refraktärmaterialien zunehmend ihre Leistungsgrenze erreicht, wodurch die Entwicklung neuer Beschichtungsarchitekturen für Schneidwerkzeuge nötig wird.
- Der wissenschaftliche Artikel von P. Martensson et al. „Influence of the concentration of ZrCl4 on texture, morphology and growth rate of CVD grown α-Al2O3 coatings deposited by the AlCl3/ZrCl4/H2/CO2/H2S process“ (Surf. Coat. Technol., Vol. 200, 2006, S. 3626-3632. - ISSN 0257-8972) offenbart den Einfluss der ZrCl4-Konzentration auf die Abscheiderate, die Schichtzusammensetzung und die Textur von Schichten aus α-Al2O3, die durch chemische Gasphasenabscheidung mittels eines AlCl3/ZrCl4/CO2/H2S/H2-basierten Verfahrens aufgewachsen wurden. Insbesondere wurde gezeigt, dass bereits eine geringe Konzentration von ZrCl4 im Reaktionsgasgemisch einen großen Einfluss auf die Textur der α-Al2O3 Schicht hat und zur Ausbildung einer ausgeprägten (300) Textur führt.
- Des Weiteren ist aus der
DE 600 37 893 T2 ein beschichtetes Hartmetall bekannt umfassend eine Beschichtung auf einer Oberfläche. Die Beschichtung umfasst eine Innenschicht, Zwischenschicht und Außenschicht, in dieser Reihenfolge von der Seite des Hartmetalls aus. Die einzelnen Schichten weisen einen spezifischen Aufbau und spezifische Flächenrauhigkeiten auf. - ZUSAMMENFASSUNG
- Unter einem Gesichtspunkt werden Artikel beschrieben, die verschleißfeste Beschichtungen umfassen, die eine oder mehrere Kompositrefraktärschichten einsetzen. Kurz, ein hierin beschriebener beschichteter Artikel umfasst ein Substrat und eine Beschichtung, die mittels CVD auf dem Substrat abgeschieden und angelagert wurde, wobei die Beschichtung eine mehrphasige Refraktärschicht aufweist, die eine Aluminiumoxidphase und eine Zirconiumdioxidphase umfasst, wobei die Zirconiumdioxidphase einen Texturkoeffizienten für die (200)-Wachstumsrichtung, TC(200), von mehr als 4 aufweist, wobei der Texturkoeffizient (TC) definiert ist als:
- I(hkl) = gemessene Intensität der (hkl)-Reflexion
- Io(hkl) = Standardintensität der (hkl)-Reflexion gemäß der Karte 00-037-1484 des ICDD (International Center for Diffraction Data)
- n = Anzahl der in der TC-Berechnung verwendeten Reflexionen in der TC-Berechnung verwendete (hkl)-Reflexionen sind (-111), (111), (200), (-112), (220) und (-221).
- In einigen Ausführungsformen ist die Aluminiumoxidphase mit Zirconium dotiert. Außerdem beträgt das Verhältnis von Aluminium zu Zirconium in der mehrphasigen Refraktärschicht in einigen Ausführungsformen von 1,5 bis 3.
- Diese und andere Ausführungsformen werden in der folgenden detaillierten Beschreibung ausgeführt.
- Figurenliste
-
-
1 veranschaulicht ein Substrat einer beschichteten Schneidplatte gemäß einigen hierin beschriebenen Ausführungsformen. -
2 ist ein Röntgenbeugungsdiagramm (XRD) einer mehrphasigen Refraktärschicht, das die Zirconiumdioxidphase gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht. -
3 vergleicht ein Röntgenbeugungsdiagramm von zirconiumdotiertem Aluminiumoxid einer Kompositbeschichtung einer hierin beschriebenen Ausführungsform mit einem Röntgenbeugungsdiagramm von Standard-Aluminiumoxid. -
4 ist eine mittels Rasterelektronenmikroskopie (REM) aufgenommene Querschnittsabbildung einer mehrphasigen Refraktärschicht gemäß einer hierin beschriebenen Ausführungsform. -
5 ist eine mittels REM aufgenommene Querschnittsabbildung einer mehrphasigen Refraktärschicht gemäß einer hierin beschriebenen Ausführungsform. -
6 ist eine mittels REM aufgenommene Querschnittsabbildung einer mehrphasigen Refraktärschicht. - DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
- Hierin beschriebene Ausführungsformen werden anhand der folgenden ausführlichen Beschreibung und der Beispiele und deren vorherigen und folgenden Beschreibungen leichter verständlich. Hierin beschriebene Elemente, Vorrichtungen und Verfahren sind jedoch nicht auf die speziellen Ausführungsformen beschränkt, die in der ausführlichen Beschreibung und in den Beispielen vorgestellt werden.
- Unter einem Gesichtspunkt werden Artikel beschrieben, die Refraktärbeschichtungen umfassen, die Kompositarchitekturen einsetzen. Artikel mit derartigen Refraktärbeschichtungen sind, in einigen Ausführungsformen, für Anwendungen mit hoher Abnutzung und/oder Abrieb, wie Metallschneideanwendungen, geeignet. Nunmehr unter Bezugnahme auf bestimmte Komponenten umfasst ein beschichteter Artikel ein Substrat. Ein beschichteter Artikel kann ein beliebiges Substrat umfassen, das mit den Aufgaben der vorliegenden Erfindung nicht unvereinbar ist. Beispielsweise kann ein Substrat ein Schneidwerkzeug oder ein Werkzeug sein, das bei Verschleißanwendungen verwendet wird. Zu Schneidwerkzeugen gehören, ohne darauf beschränkt zu sein, Wendeschneideinsätze, Schaftfräser oder Bohrer. Indizierbare Schneideinsätze können eine beliebige gewünschte ANSI-Standardgeometrie für Fräs- oder Drehanwendungen aufweisen. Substrate hierin beschriebener beschichteter Artikel können aus Hartmetall, Carbid, Keramik, Cermet, Stahl oder einer anderen Legierung gebildet sein. Ein Hartmetallsubstrat umfasst bei einigen Ausführungsformen Wolframcarbid (WC). WC kann in einem Schneidwerkzeugsubstrat in einer Menge von mindestens ca. 80 Gewichtsprozent oder in einer Menge von mindestens ca. 85 Gewichtsprozent vorliegen. Darüber hinaus können metallische Bindemittel von Hartmetall Cobalt oder eine Cobaltlegierung umfassen. Beispielsweise kann Cobalt in einem Hartmetallsubstrat in einer Menge im Bereich von 1 Gewichtsprozent bis 15 Gewichtsprozent vorliegen. Bei einigen Ausführungsformen liegt Cobalt in einem Hartmetallsubstrat in einer Menge im Bereich von 5 bis 12 Gewichtsprozent oder von 6 bis 10 Gewichtsprozent vor. Ferner kann ein Hartmetallsubstrat eine bindemittelangereicherte Zone vorweisen, die an der Oberfläche des Substrats beginnt und sich von der Oberfläche des Substrats nach innen erstreckt.
- Hartmetallsubstrate können außerdem einen oder mehrere Zusatzstoffe umfassen, beispielsweise eines oder mehrere der folgenden Elemente und/oder ihrer Verbindungen: Titan, Niob, Vanadium, Tantal, Chrom, Zirconium und/oder Hafnium. Bei einigen Ausführungsformen bilden Titan, Niob, Vanadium, Tantal, Chrom, Zirconium und/oder Hafnium mit dem WC des Substrats Mischkristallcarbide. Bei diesen Ausführungsformen kann das Substrat eines oder mehrere Mischkristallcarbide in einer Menge von 0,1 bis 5 Gewichtsprozent umfassen. Darüber hinaus kann ein Hartmetallsubstrat Stickstoff umfassen.
- Ein Schneidwerkzeugsubstrat kann eine oder mehrere Schneidkanten umfassen, die an der Verbindungsstelle zwischen einer Spanfläche und Freifläche(n) des Substrats ausgebildet sind.
1 veranschaulicht eine Schneidplatte gemäß einer hierin beschriebenen Ausführungsform. Wie1 veranschaulicht, weist das Substrat (10) Schneidkanten (12) auf, die an Verbindungsstellen zwischen der Substratspanfläche (14) und Freiflächen (16) ausgebildet sind. Das Substrat (10) umfasst außerdem eine Öffnung (18) zum Befestigen des Substrats (10) an einem Werkzeughalter. - Wie hierin beschrieben, umfasst eine CVD-Beschichtung, die an das Substrat angehaftet ist, eine mehrphasige Refraktärschicht, die eine Aluminiumoxidphase und eine Zirconiumdioxidphase umfasst, wobei die Zirconiumdioxidphase einen TC(200) von mehr als 4 aufweist, wobei der Texturkoeffizient definiert ist als
- l(hkl) = gemessene Intensität der (hkl)-Reflexion
- Io(hkl) = Standardintensität der (hkl)-Reflexion gemäß der Karte 00-037-1484 des ICDD (International Center for Diffraction Data)
- n = Anzahl der in der TC-Berechnung verwendeten Reflexionen
- in der TC-Berechnung verwendete (hkl)-Reflexionen sind (-111), (111), (200), (-112), (220) und (-221).
- In einigen Ausführungsformen hat der TC(200) einen aus Tabelle I ausgewählten Wert. Tabelle I - TC(200) für ZrO2-Phase
≥ 4,5 ≥ 5 ≥ 5,5 4,1-6 - In einigen Ausführungsformen sind TC(-111), TC(111), TC(-112), TC(220) und TC(-221) alle gleichzeitig kleiner als 1.
2 ist ein Röntgenbeugungsdiagramm (XRD) einer mehrphasigen Refraktärschicht, das die Zirconiumdioxidphase gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht. - Die XRD-Peakdaten zur Berechnung des TC(200) werden auf einem Bragg-Fokussierungsdiffraktometer gemessen.
- Zur Inzidenzoptik gehörten:
- Lange Feinfokus-Röntgenröhre, die bei 45 kV und 40 MA arbeitet.
- Optik mit variabler Divergenz, die im automatischen Modus arbeitet, um ein konstant bestrahltes Probenvolumen während der Analyse sicherzustellen.
- Fester Antistreuungsschlitz
- Zur Aufnahmeoptik gehörten:
- Variabler Antistreuungsschlitz, der im automatischen Modus arbeitet, um sich dem automatischen Divergenzschlitz anzupassen Mehrstreifen-Halbleiterdetektor, der im Scanning-Modus arbeitet.
- Scan-Parameter (Geschwindigkeit und Zählzeit) werden so ausgewählt, dass mindestens zehn Datenschritte über die Halbwertsbreite (FWHM) des Peaks und insgesamt ungefähr 10.000 Zählungen am intensivsten Peak sichergestellt werden. Die erfassten Daten werden zuerst vom variablen Modus in den fixen Modus, der für die Analyse verwendbar ist, umgerechnet. Diese Umrechnung erfolgt mithilfe der Formel:
- Die korrigierte Intensität wird mit Peakerkennungssoftware analysiert, um die Peakposition aller Peaks in den erfassten Daten zu identifizieren. Die Peaks werden dann mit einer Profilfunktion verfeinert, um die Peakposition und die Peakhöhe genau zu erkennen. Diese Peakdaten werden sowohl für die Analyse des Zirconiumdioxid-Texturkoeffizienten als auch die quantitative Analyse der mehrphasigen Refraktärschicht verwendet. Aufgrund der Komplexität der CVD-Beschichtungsarchitektur wurde keine Dickenkorrektur für die Peakintensität angewendet.
- Die Zirconiumdioxidphase kann in der mehrphasigen Refraktärschicht in jeder Menge vorhanden sein, die mit den Aufgaben der vorliegenden Erfindung nicht inkonsistent ist. In einigen Ausführungsformen ist die Zirconiumdioxidphase in einer Menge von 5-60 Gewichtsprozent der mehrphasigen Refraktärschicht vorhanden. Die Zirconiumdioxidphase ist in einigen Ausführungsformen in einer aus Tabelle II ausgewählten Menge vorhanden. Tabelle II - ZrO2-Gehalt der mehrphasigen Refraktärschicht (Gew.-%)
10-50 20-40 30-40 5-30 5-25 35-50 - Die Zirconiumdioxidphase kann primär eine monokline Kristallstruktur aufweisen. In einigen Ausführungsformen umfasst die Zirconiumdioxidphase eine Mischung aus monoklinen und tetragonalen Kristallphasen. Zum Beispiel kann die Zirconiumdioxidphase zu 60-99,9 % monoklin und zu übrigen Teilen tetragonal sein. In anderen Ausführungsformen ist die tetragonale Phase in der Zirconiumdioxidphase in einer Menge von 1-35 % oder 5-30 % vorhanden.
- Die Zirconiumdioxidphase ist in einigen Ausführungsformen innerhalb einer Aluminiumoxidphase dispergiert. Zum Beispiel kann die Zirconiumdioxidphase in der Aluminiumoxidphase dispergiert sein. In anderen Ausführungsformen ist die Zirconiumdioxidphase heterogenin der Aluminiumoxidphase verteilt, wodurch ein oder mehrere Zirconiumdioxidgradienten gebildet werden. Außerdem können Körner der Zirconiumdioxidphase generell eine säulenartige Morphologie aufweisen. In einigen Ausführungsformen haben Zirconiumdioxidkörner zum Beispiel ein Aspektverhältnis von mehr als 1,3, wobei die Längsachse senkrecht oder im Wesentlichen senkrecht zum Substrat ist.
- Ferner kann die Zirconiumdioxidphase geringe Niveaus von Eigenzugspannung im Zustand, wie sie angelagert wurde, aufweisen. In einigen Ausführungsformen weist die Zirconiumdioxidphase eine Eigenzugspannung von 100-400 MPa im Zustand, wie sie angelagert wurde, auf. In anderen Ausführungsformen liegt die Zugspannung der Zirconiumdioxidphase, wie sie angelagert wurde, im Bereich von 150-300 MPa. Eigenspannung und Scherspannung werden durch Röntgenstrahlbeugung mithilfe der Chi-Neigung-Sin2ψ-Methode im Bezug auf die (002)-Reflexion der monoklinen Zirconiumdioxid-Kristallphase bestimmt. Daten wurden auf einem Bragg-Diffraktometer gesammelt und wie vorstehend dargelegt verarbeitet.
- Die Peakdaten wurden dann mithilfe der folgenden Gleichungen für Absorption und Transparenz korrigiert:
- Absorptionskorrektur
- Transparenzkorrektur
- t = Schichtdicke
- µ = linearer Absorptionskoeffizient (cm-1)
- θ = 2Theta / 2 (Grad)
- (ω-θ) = Omega-Versatzwinkel (Grad)
- ψ = Neigungswinkel (Psi-Spannung) (Grad)
- τ = Informationstiefe (Mikrometer)
- R = Goniometerradius (mm)
- Polarisationskorrektur
- Die Kα2-Peaks wurden mit dem Ladell-Modell entfernt. Die Peakpositionen wurden mit einer Pearson-Formprofilfunktion verfeinert.
-
- σφ = σ1 cos2 φ + σ2 sin2 φ
- dφψ = Gitterkonstante bei Winkel φ und Neigung ψ
- do = spannungsfreie Gitterkonstante
- φ = Drehwinkel
- ψ = Prüfkörperneigung
- σ1 & σ2 = primäre Spannungstensoren in Prüfkörperoberfläche
- σφ = Spannung bei Drehwinkel φ
- S1 & ½ S2 = Röntgenelastizitätskonstante
- Für die vorliegende Zirconiumdioxidanalyse wurde die Poissonzahl (u) auf 0,23 eingestellt, und der Elastizitätsmodul (E in GPa) wurde anhand der Literatur auf 220 bestimmt.
- Die Aluminiumoxidphase kann in der mehrphasigen Refraktärschicht in jeder Menge vorliegen, die mit den Aufgaben der vorliegenden Erfindung nicht inkonsistent ist. In einigen Ausführungsformen ist die Aluminiumoxidphase die Hauptphase der mehrphasigen Refraktärschicht. Zum Beispiel kann die Aluminiumoxidphase in einer Menge von 55-95 Gewichtsprozent der mehrphasigen Refraktärschicht vorliegen. Alternativ liegt die Aluminiumoxidphase in einer kleineren Menge als die Zirconiumdioxidphase vor. Je nach CVD-Bedingungen kann die Aluminiumoxidphase α-Aluminiumoxid, κ-Aluminiumoxid oder Mischungen (α/κ) davon sein. Zudem kann die Aluminiumoxidphase mit Zirconium (Zr) dotiert sein. In einigen Ausführungsformen ist Zirconium in der Aluminiumoxidphase in einer Menge von 0,1 bis 5 Gewichtsprozent der Aluminiumoxidphase vorhanden. Zirconium kann in der Aluminiumoxidphase auch in einer aus Tabelle III ausgewählten Menge vorhanden sein. Tabelle III - Zr-Dotiermittel (Gew.-% der Aluminiumoxidphase)
0,5-30 1-15 2-10 5-20 - Die Gegenwart von Zirconium in der Aluminiumoxidphase verändert gezwungenermaßen das Aluminiumoxidgitter. Eine Veränderung des Aluminiumoxidgitters durch Einbringung von Zirconium wird durch Röntgenstrahlbeugung deutlich.
3 vergleicht ein Röntgenbeugungsdiagramm von zirconiumdotiertem Aluminiumoxid einer Kompositbeschichtung einer hierin beschriebenen Ausführungsform mit einem Röntgenbeugungsdiagramm von Standard-Aluminiumoxid. Wie in3 dargestellt, zeigen die Reflexionen von Aluminiumoxid (024) und (116) eine erhebliche Verbreiterung aufgrund von zirconiuminduzierter Gitterverzerrung. - Ähnlich der Zirconiumdioxidphase können Körner der Aluminiumoxidphase ebenfalls eine säulenartige Morphologie aufweisen, wobei die Längsachse senkrecht oder im Wesentlichen senkrecht zum Substrat ist. Ferner kann die Aluminiumoxidphase eine geringe Eigenzugspannung im Zustand, wie sie angelagert wurde, aufweisen. In einigen Ausführungsformen hat die Aluminiumoxidphase eine Eigenzugspannung von 200-600 MPa oder 250-500 MPa im Zustand, wie sie angelagert wurde. Die Eigenspannung der Aluminiumoxidphase kann mithilfe der Chi-Neigung-Sin2ψ-Methode im Bezug auf die (116)-Reflexion bestimmt werden. Für die Analyse der Aluminiumoxidphase wurde die Poissonzahl (u) auf 0,19 eingestellt, und der Elastizitätsmodul (E in GPa) wurde durch Analyse einer einphasigen α-Aluminiumoxidbeschichtung durch Nanoindentationshärtemessung auf 415 bestimmt.
- Quantitative Analysen der Zirconiumdioxid- und Aluminiumoxidphasen der Refraktärschicht werden mithilfe der Rietveld-Methode bereitgestellt. Daten werden mit einem Bragg-Diffraktometer gesammelt und wie vorstehend dargelegt verarbeitet. Alle Phasen in dem gesammelten Muster werden identifiziert, und Strukturdaten werden für jede Phase für die Rietveld-Analyse ausgewählt. Um die Rietveld-Analyse konsistent zu halten, werden die gleichen Strukturdaten für alle Analysen der Beschichtung verwendet. Die verwendeten Strukturdaten werden der Datenbank ICDD PDF4 2015 entnommen. Die verwendeten Strukturdaten sind von den folgenden Karten:
04-001-7278 Zirconiumdioxid (tetragonal) 04-004-4339 Zirconiumdioxid (monoklin) 04-006-0204 Titanoxycarbonnitrid 03-065-9875 Titancarbonitrid 04-006-9359 Aluminiumoxid (alpha) 04-012-6907 Aluminiumoxid (kappa) 04-016-3697 Wolframcarbid
Bei der Rietveld-Verfeinerung werden Parameter für die gesammelten Daten korrigiert für: - Prüfkörperverschiebung
- Keine Verschiebung
- Hintergrundprofilierung anhand des Chebyshev-Profils
- Einteilungsfaktor
- Gitterparameter
- Caglioti V
- Caglioti W
- Um die Korrektheit der Rietveld-Verfeinerung sicherzustellen, müssen alle Phasen in der Probe verfeinert werden. Die Verfeinerung wird fortgesetzt, bis eine Anpassungsgüte von mindestens 0,9 (90 %) erreicht ist. Sobald die Verfeinerung abgeschlossen ist, werden alle anderen Phasen als die Phase in der Kompositschicht aus der Verfeinerung entfernt, und die Kompositschichtphasen werden auf 100 % normalisiert.
- Die mehrphasige Refraktärschicht kann jede beliebige Dicke aufweisen, die mit den Aufgaben der vorliegenden Erfindung nicht inkonsistent. In einigen Ausführungsformen hat die mehrphasige Refraktärschicht, die Aluminiumoxid- und Zirconiumdioxidphasen umfasst, eine Dicke von 0,1 µm-15 µm. Die Dicke der mehrphasigen Refraktärschicht kann aus Tabelle IV ausgewählt sein. Tabelle IV - Dicke der mehrphasigen Refraktärschicht (um)
0,5-10 1-5 5-10 0,1-5 - Die mehrphasige Refraktärschicht, die Aluminiumoxid- und Zirconiumdioxidphasen umfasst, kann direkt auf der Substratoberfläche angelagert werden. Alternativ kann eine hierin beschriebene Beschichtung ferner eine oder mehrere Innenschichten zwischen der mehrphasigen Refraktärschicht und dem Substrat umfassen. Die Innenschicht(en) umfassen bei einigen Ausführungsformen ein oder mehrere metallische Elemente, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Aluminium und metallischen Elementen der Gruppen IVB, VB und VIB des Periodensystems, und ein oder mehrere nichtmetallische Elemente, die aus den Gruppen IIIA, IVA, VA und VIA des Periodensystems ausgewählt sind. Bei einigen Ausführungsformen umfassen eine oder mehrere Innenschichten zwischen dem Substrat und der mehrphasigen Refraktärschicht ein Carbid, Nitrid, Carbonitrid, Oxycarbonitrid, Oxid oder Borid eines oder mehrerer metallischer Elemente, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Aluminium und metallischen Elementen der Gruppen IVB, VB und VIB des Periodensystems.
- Beispielsweise sind eine oder mehrere Innenschichten ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Titannitrid, Titancarbonitrid, Titanoxycarbonitrid, Titancarbid, Zirconiumnitrid, Zirconiumcarbonitrid, Hafniumnitrid und Hafniumcarbonitrid. Ferner kann eine Schicht aus Titanoxycarbonitrid als Bindeschicht für die Refraktärschicht und die Innenschichten der Beschichtung genutzt werden. Die Innenschicht(en) der Beschichtung können eine beliebige Dicke aufweisen, die mit den Aufgaben der vorliegenden Erfindung nicht unvereinbar ist. Bei einigen Ausführungsformen kann eine einzelne Innenschicht eine Dicke von mindestens 1,5 µm aufweisen. Alternativ kann eine Vielzahl von Innenschichten zusammen eine Dicke von mindestens 1,5 µm erreichen.
- Die mehrphasige Refraktärschicht, die Aluminiumoxid- und Zirconiumdioxidphasen umfasst kann die äußerste Schicht der Beschichtung sein. Alternativ kann eine hier beschriebene Beschichtung eine oder mehrere Außenschichten über der mehrphasigen Refraktärschicht umfassen. Die Außenschicht(en) können ein oder mehrere metallische Elemente umfassen ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Aluminium und metallischen Elementen der Gruppen IVB, VB und VIB des Periodensystems, und ein oder mehrere nichtmetallische Elemente, die aus den Gruppen IIIA, IVA, VA und VIA des Periodensystems ausgewählt sind. Die Außenschicht(en) über der Refraktärschicht können ein Carbid, Nitrid, Carbonitrid, Oxycarbonitrid, Oxid oder Borid eines oder mehrerer metallischer Elemente umfassen, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Aluminium und metallischen Elementen der Gruppen IVB, VB und VIB des Periodensystems. Beispielsweise sind eine oder mehrere Außenschichten ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Titannitrid, Titancarbonitrid, Titanoxycarbonitrid, Titancarbid, Zirconiumnitrid, Zirconiumcarbonitrid, Hafniumnitrid, Hafniumcarbonitrid und Aluminiumoxid und Mischungen davon.
- Die Außenschichten von hierin beschriebenen Beschichtungen können eine beliebige Dicke aufweisen, die mit den Aufgaben der vorliegenden Erfindung nicht unvereinbar ist. Eine Außenschicht einer Beschichtung kann bei einigen Ausführungsformen eine Dicke im Bereich von 0,2 µm bis 5 µm aufweisen.
- Hierin beschriebene Beschichtungen können Beschichtungsnachbehandlungen unterzogen werden. Beschichtungen können beispielsweise mit verschiedenen Nass- und/oder Trockenpartikelzusammensetzungen abgestrahlt werden. Ein Abstrahlen nach dem Beschichten kann auf beliebige Weise erfolgen. Bei einigen Ausführungsformen umfasst das Abstrahlen nach dem Beschichten Kugelabstrahlen oder Druckabstrahlen. Das Druckabstrahlen kann auf eine Vielfalt von Arten erfolgen, einschließlich Druckluftabstrahlen, Nass-Druckluftabstrahlen, Druck-Flüssigkeitsabstrahlen, Nassabstrahlen und Dampfabstrahlen. Das Nassabstrahlen erfolgt beispielsweise unter Verwendung einer Aufschlämmung aus anorganischen und/oder keramischen Partikeln wie aus Aluminiumoxid und Wasser. Die Teilchenaufschlämmung kann mittels Druckluft auf eine Oberfläche des beschichteten Schneidwerkkörpers projiziert werden, so dass sie auf die Oberfläche der Beschichtung auftrifft. Die anorganischen und/oder keramischen Teilchen können im Allgemeinen in einem Größenbereich zwischen ca. 20 µm und ca. 100 µm liegen.
- Zu Abstrahlparametern gehören Druck, Auftreffwinkel, Abstand zur Oberfläche des Teils und Zeitdauer. Bei einigen Ausführungsformen kann der Auftreffwinkel in einem Bereich von ca. 10 Grad bis ca. 90 Grad liegen, d. h. die Partikel treffen auf die Beschichtungsoberfläche in einem Winkel auf, der in einem Bereich von ca. 10 Grad bis ca. 90 Grad liegt. Geeignete Drücke können in einem Bereich von 0,2-0,38 Megapascal (MPa) (30-55 Pound pro Quadratinch (psi)) in einem Abstand zur beschichteten Oberfläche von 2,54-15 Zentimetern (1-6 Inch) liegen. Ferner kann die Zeitdauer des Abstrahlens im Allgemeinen in einem Bereich von 1 bis 10 Sekunden oder länger liegen. Das Abstrahlen kann im Allgemeinen über dem Oberflächenbereich der Beschichtung erfolgen, oder es kann auf ausgewählten Stellen erfolgen, beispielsweise in einem Werkstückkontaktbereich des Schneidwerkzeugs. Ein Werkstückkontaktbereich kann eine gehonte Region des Schneidwerkzeugs sein.
- Bei anderen Ausführungsformen wird eine Beschichtung einer Polierbehandlung nach dem Beschichten unterzogen. Das Polieren kann mit einer Paste mit einer geeigneten Diamant- oder Keramikschleifkorngröße erfolgen. Die Korngröße der Paste liegt bei einigen Ausführungsformen im Bereich von 1 µm bis 10 µm. Bei einer Ausführungsform wird zum Polieren der Beschichtung eine Diamantschleifkornpaste von 5-10 µm verwendet. Ferner kann die Schleifkornpaste auf die CVD-Beschichtung durch eine beliebige Vorrichtung, beispielsweise Bürsten, aufgetragen werden, die mit den Aufgaben der vorliegenden Erfindung nicht unvereinbar ist. Bei einer Ausführungsform wird beispielsweise ein Flachpinsel verwendet, um in einem Werkstückkontaktbereich des Schneidwerkzeugs Schleifpaste auf die CVD-Beschichtung aufzutragen.
- Eine hierin beschriebene Beschichtung kann über einen Zeitraum hinweg abgestrahlt oder poliert werden, der ausreicht, um eine erwünschte Oberflächenrauheit (Ra) und/oder andere Parameter, wie beispielsweise das Verringern von Zugspannung in der Beschichtung, zu erzielen. Bei einigen Ausführungsformen weist eine Beschichtung, die einer Nachbehandlung unterzogen wurde, eine aus Tabelle V ausgewählte Oberflächenrauheit (Ra) auf. Tabelle V - Oberflächenrauigkeit nach der Beschichtung (Ra)
Oberflächenrauheit (Ra) der Beschichtung - nm ≤ 500 ≤ 250 < 200 10-250 50-175 25-150 - Die Oberflächenrauheit der Beschichtung kann durch optische Profilometrie unter Verwendung optischer Profilometer der Baureihe WYKO® NT, im Handel erhältlich von Veeco Instruments, Inc. mit Sitz in Plainview, New York, ermittelt werden.
- Zudem entfernt eine Beschichtungsnachbehandlung bei einigen Ausführungsformen eine oder mehrere Außenschichten der Beschichtung nicht. Bei einigen Ausführungsformen trägt beispielsweise eine Beschichtungsnachbehandlung eine Außenschicht aus TiN, TiCN und/oder TiOCN nicht ab. Alternativ kann eine Beschichtungsnachbehandlung eine oder mehrere Außenschichten, wie beispielsweise TiN, TiCN und/oder TiOCN, entfernen oder teilweise entfernen.
- Wie hierin beschrieben, wird die mehrphasige Refraktärschicht durch CVD abgeschieden. Die mehrphasige Refraktärschicht kann aus einer gasförmigen Mischung aus H2, N2, CO2, HCl, AlCl3, ZrCl4 und H2S abgeschieden werden. Das AlCl3 und ZrCl4 können während der Initiierung und des Wachstums der mehrphasigen Refraktärschicht gleichzeitig in die Abscheidekammer eingeführt werden. Die Gegenwart von ZrCl4 während der Nukleierung der mehrphasigen Refraktärschicht unterscheidet sich von vorherigen Verfahren, bei denen zunächst eine Aluminiumoxidschicht nukleiert wird und anschließend ZrCl4 während des Wachstums der Aluminiumoxidschicht eingeführt wird. Das vorliegende CVD-Verfahren unterscheidet sich auch von vorherigen Techniken, bei denen Aluminiumoxid- und Zirconiumdioxidschichten unabhängig voneinander in einem geschichteten Format gezüchtet werden. In einigen Ausführungsformen werden AlCl3 und ZrCl4 in separaten Generatoren aus Metallspänen und HCl bei 350-400 °C gebildet. Allgemeine CVD-Verfahrensparameter zum Abscheiden der mehrphasigen Refraktärschicht sind in Tabelle VI angegeben. Tabelle VI - CVD-Verfahrensparameter für mehrphasige Refraktärschicht
Prozessschritt H2 Vol.-% N2 Vol.-% CO2 Vol.-% HCl Vol.-% H2S Vol.-% AlCl3 Vol.-% ZrCl4 Vol.-% Al2O3/ZrO2-Schicht Rest 4-6 4-6 1,5-2 0,05-0,15 1,5-3 1,5-2,5 - Die mehrphasige Refraktärschicht kann direkt auf der Oberfläche des Substrats abgeschieden werden. Alternativ können sich eine oder mehrere Innenschichten der Beschichtung zwischen dem Substrat und der mehrphasigen Refraktärschicht befinden. Allgemeine CVD-Abscheidungsparameter für verschiedene Innenschichten sind in Tabelle VII bereitgestellt. Tabelle VII - CVD-Parameter zur Abscheidung von Innenschichten
Zusammensetzung der Grundschicht Gasgemisch Temperatur °C Druck mbar Dauer Min. TiN H2, N2, TiCl4 800-900 60-100 10-90 MT-TiCN H2, N2, TiCl4, CH3CN 750-900 65-100 50-400 HT-TiCN H2, N2, TiCl4, CH4 900-1050 60-160 30-200 TiOCN H2, N2, TiCl4, CH4, CO 900-1050 200-550 30-70 - Die vorgenannten allgemeinen CVD-Parameter zur Abscheidung von Innenschichten können bei einigen Ausführungsformen auf die Abscheidung einer oder mehrerer Außenschichten über der Refraktärschicht angewendet werden.
- Diese und weitere Ausführungsformen werden in den nachfolgenden, nicht einschränkenden Beispielen weiter veranschaulicht.
- Beispiel 1 - Beschichtete Schneidwerkzeuge
- Hierin beschriebene Schneidwerkzeuge wurden hergestellt, indem Schneideinsatzsubstrate aus gesintertem Wolframcarbid (WC-Co) [ANSI-Standardgeometrie CNMG432RN] in einen Heißwand-CVD-Reaktor mit axialer Strömung platziert wurden. Die Schneideinsätze umfassten 6 Gew.-% Cobaltbindemittel, wobei die restlichen WC-Körner eine Größe von 1 bis 5 µm aufweisen. Eine Beschichtung, die eine hierin beschriebene mehrphasige Refraktärschicht aufweist, wurde gemäß Tabellen VIII und IX auf den Schneidplatten abgeschieden. Die mehrphasige Refraktärschicht wies eine Zr-dotierte Aluminiumoxidphase und eine Zirconiumdioxidphase auf. Eine äußere TiN-Schicht wurde über der Nanokompositrefraktärschicht abgeschieden, um die Beschichtung zu vervollständigen. Alternativ kann, wenn gewünscht, eine Außenschicht von TiOCN über der Nanokompositrefraktärschicht abgeschieden werden, um die Beschichtung zu vervollständigen. Tabelle VIII - CVD-Abscheidung der Beschichtung
Prozessschritt H2 Vol.-% N2 Vol.-% TiCl4 Vol.-% CH3CN Vol.-% CH4 Vol.-% CO2 Vol.-% CO Vol.-% HCl Vol.-% H2S Vol.-% AlCl3 Vol.-% ZrCl4 Vol.-% TiN 33,5 22,3 0,03 - - - - - - - - MT-TiCN 54,5 8,2 0,05 0,01 - - - - - - - HT-TiCN 50,7 40,5 0,06 - 2,6 - - - - - - TiOCN 73,9 14,8 0,06 - 3,8 - 1,5 - - - - ZrAl2O3/ZrO2 Verbundstoff 83,3 4,6 - - - 5,6 - 1,9 0,1 2,8 1,9 TiN (Außenschicht) 55,9 38,4 0,06 - - - - - - - - TiOCN* (Außenschicht) 50,0 40,0 0,06 - 2,8 - 1,2 - - - -
*Alternative Außenschicht Tabelle IX - CVD-AbscheidunasschritteProzessschritt Temperatur °C Druck mbar Zeit Min. TiN 850-960 60-90 10-90 MT-TiCN 900-940 70-100 50-400 HT-TiCN 900-1050 60-150 30-200 TiOCN 950-1050 200-500 30-70 ZrAl2O3/ZrO2-Komposit 950-1050 50-120 10-500 TiN (Außenschicht) 850-960 60-90 10-90 TiOCN (Außenschicht)* 950-1050 200-500 30-180
*Alternative Außenschicht - Die entstandene Beschichtung wies die in Tabelle X aufgeführten Eigenschaften auf. Tabelle X - Eigenschaften der CVD-Beschichtung
Beschichtungsschichten Dicke (µm) TiN 0,7 MT-TiCN 8,4 HT-TiCN/TiOCN 1,1 ZrAl2O3/ZrO2-Komposit 10,6 TiN* 1,6
* Entfernt durch Behandlung nach Beschichtung - Die in Tabelle X aufgeführte TiN-Außenschicht wurde anschließend durch vorstehend beschriebene Behandlung durch Teilchenaufschlämmung nach der Beschichtung entfernt. Die beschichteten Schneidplatten wiesen einen durchschnittlichen TC(200) von 5,2 auf.
4 ist ein mittels REM aufgenommener Querschnitt der mehrphasigen Refraktärschicht von einer Schneidplatte des vorliegenden Beispiels. Wie in der REM-Abbildung dargestellt, umfasst die mehrphasige Refraktärschicht Zirconiumdioxid (helle Phase), das in Aluminiumoxid (dunkle Phase) dispergiert ist. Die Zirconiumdioxidphase kann große Körner sowie kleine Kristallite in der Aluminiumoxidmatrix aufweisen. - Beispiel 2 - Beschichtete Schneidwerkzeuge
- Hierin beschriebene Schneidwerkzeuge wurden hergestellt, indem Schneideinsatzsubstrate aus gesintertem Wolframcarbid (WC-Co) [ANSI-Standardgeometrie CNMG432RN] in einen Heißwand-CVD-Reaktor mit axialer Strömung platziert wurden. Die Schneideinsätze umfassten 6 Gew.-% Cobaltbindemittel, wobei die restlichen WC-Körner eine Größe von 1 bis 5 µm aufweisen. Eine Beschichtung, die eine hierin beschriebene mehrphasige Refraktärschicht aufwies, wurde gemäß Tabelle IX auf den Schneidplatten abgeschieden. Die mehrphasige Refraktärschicht wies eine Zr-dotierte Aluminiumoxidphase und eine Zirconiumdioxidphase auf. Eine äußere TiN-Schicht wurde über der Nanokompositrefraktärschicht abgeschieden, um die Beschichtung zu vervollständigen. Alternativ kann, wenn gewünscht, eine Außenschicht von TiOCN über der Nanokompositrefraktärschicht abgeschieden werden, um die Beschichtung zu vervollständigen. Tabelle XI - CVD-Abscheidung der Beschichtung
Prozessschritt H2 Vol.-% N2 Vol.-% TiCl4 Vol.-% CH3CN Vol.-% CH4 Vol.-% CO2 Vol.-% CO Vol.-% HCl Vol.-% H2S Vol.-% AlCl3 Vol.-% ZrCl4 Vol.-% TiN 33,5 22,3 0,03 - - - - - - - - MT-TiCN 54,5 8,2 0,05 0,01 - - - - - - - HT-TiCN 50,7 40,5 0,06 - 2,6 - - - - - - TiOCN 73,9 14,8 0,06 - 3,8 - 1,5 - - - - ZrAl2O3/ZrO2 Verbundstoff 85,6 4,8 - - - 4,1 - 1,9 0,1 1,6 1,9 TiN (Außenschicht) 55,9 38,4 0,06 - - - - - - - - TiOCN* (Außenschicht) 50,0 40,0 0,06 - 2,8 - 1,2 - - - -
* Alternative Außenschicht - Zeit, Temperaturen und Drücke für die Abscheidung sind in Tabelle IX angegeben. Die entstandenen Beschichtungen wiesen die in Tabelle XII aufgeführten Eigenschaften auf. Die in Tabelle XII aufgeführte TiN-Außenschicht wurde anschließend durch eine vorstehend beschriebene Behandlung durch Teilchenaufschlämmung nach der Beschichtung entfernt. Die beschichteten Schneidplatten wiesen einen durchschnittlichen TC(200) von 4,15 auf.
5 ist ein mittels REM aufgenommener Querschnitt der mehrphasigen Refraktärschicht von einer Schneidplatte des vorliegenden Beispiels. Es sind große Zirconiumdioxidkörner sowie kleine Kristallite vorhanden. Tabelle XII - Eigenschaften der CVD-BeschichtungBeschichtungsschichten Dicke (µm) TiN 0,5 MT-TiCN 8,3 HT-TiCN/TiOCN 1,0 ZrAl2O3/ZrO2-Komposit 7,7 TiN* 1,6
* Entfernt durch Behandlung nach Beschichtung - Beispiel 3 - Beschichtete Schneidwerkzeuge
- Beschichtete Schneidwerkzeuge wurden hergestellt, indem Schneideinsatzsubstrate aus gesintertem Wolframcarbid (WC-Co) [ANSI-Standardgeometrie CNMG432RN] in einen Heißwand-CVD-Reaktor mit axialer Strömung platziert wurden. Die Schneideinsätze umfassten 6 Gew.-% Cobaltbindemittel, wobei die restlichen WC-Körner eine Größe von 1 bis 5 µm aufweisen. Eine Beschichtung, die eine hierin beschriebene mehrphasige Refraktärschicht aufwies, wurde gemäß Tabelle XIII auf den Schneidplatten abgeschieden. Die mehrphasige Refraktärschicht wies eine Zr-dotierte Aluminiumoxidphase und eine Zirconiumdioxidphase auf. Eine äußere TiN-Schicht wurde über der Nanokompositrefraktärschicht abgeschieden, um die Beschichtung zu vervollständigen. Alternativ kann, wenn gewünscht, eine Außenschicht von TiOCN über der Nanokompositrefraktärschicht abgeschieden werden, um die Beschichtung zu vervollständigen. Tabelle XIII - CVD-Abscheidung der Beschichtung
Prozessschritt H2 Vol.-% N2 Vol.-% TiCl4 Vol.-% CH3CN Vol.-% CH4 Vol.-% CO2 Vol.-% CO Vol.-% HCl Vol.-% H2S Vol.-% AlCl3 Vol.-% ZrCl4 Vol.-% TiN 33,5 22,3 0,03 - - - - - - - - MT-TiCN 54,5 8,2 0,05 0,01 - - - - - - - HT-TiCN 50,7 40,5 0,06 - 2,6 - - - - - - TiOCN 73,9 14,8 0,06 - 3,8 - 1,5 - - - - ZrAl2O3/ZrO2 Verbundstoff 84,6 4,7 - - - 5,0 - 1,9 0,03 1,9 1,9 TiN (Außenschicht) 55,9 38,4 0,06 - - - - - - - - TiOCN* (Außenschicht) 50,0 40,0 0,06 - 2,8 - 1,2 - - - -
* Alternative Außenschicht - Zeit, Temperaturen und Drücke für die Abscheidung sind in Tabelle IX angegeben. Die entstandenen Beschichtungen wiesen die in Tabelle XIV aufgeführten Eigenschaften auf. Die in Tabelle XIV aufgeführte TiN-Außenschicht wurde anschließend durch eine vorstehend beschriebene Behandlung durch Teilchenaufschlämmung nach der Beschichtung entfernt. Die beschichteten Schneidplatten wiesen einen durchschnittlichen TC(200) von 3,5 auf.
6 ist ein mittels REM aufgenommener Querschnitt der mehrphasigen Refraktärschicht von einer Schneidplatte des vorliegenden Beispiels. Tabelle XIV - Eigenschaften der CVD-BeschichtungBeschichtungsschichten Dicke (µm) TiN 0,7 MT-TiCN 8,6 HT-TiCN/TiOCN 1,0 ZrAl2O3/ZrO2-Komposit 9,9 TiN* 1,6
* Entfernt durch Behandlung nach Beschichtung - Beispiel 4 - Metallzerspanungsprüfung
- Beschichtete Schneidplatten der Beispiele 1-3 und des Vergleichsbeispiels 1 wurden einer kontinuierlichen Drehprüfung nach den nachstehenden Parametern unterzogen. Vergleichsweise 1 verwendete das gleiche Hartmetallsubstrat wie die Beispiele 1-3 und wies die Beschichtungsarchitektur von Tabelle XV auf. Tabelle XV - Eigenschaften der CVD-Beschichtung von Vergleichsbeispiel 1
Beschichtungsschichten Dicke (µm) TiN 0,7 MT-TiCN 8,5 HT-TiCN/TiOCN 1,1 Al2O3 5,3 - Die CVD-Behandlung von Vergleichsbeispiel 1 wies eine TiN-Außenschicht auf, die anschließend durch eine vorstehend beschriebene Behandlung durch Teilchenaufschlämmung nach der Beschichtung entfernt wurde. Für die Drehprüfung wurde das Ende der Lebensdauer (EOL) durch Freiflächenabnutzung (VB) > 0,3 mm festgehalten. Die Schneidedauer von Vergleichsbeispiel 1 wurde auf eine Lebensdauer von 100 % normalisiert.
- Drehparameter
-
- Werkstück: Stahl, Qualität 4340
- Geschwindigkeit: 229 m/m (750 sfm)
- Vorschubgeschwindigkeit: 0,30 mm/U (0,012 ipr)
- Schnitttiefe: 0,1 mm
- Freiwinkel: -5°
- Wie in Tabelle XVI angegeben, stellte die Beschichtung von Schneidplatten der Beispiele 1 und 2 mit einem Zirconiumdioxid-TC(200) von mehr als 4 erhebliche Verbesserungen für die Schneidedauern bereit. Schneidplatten von Beispiel 3, wobei der TC(200) weniger als 4 betrug, erfüllten die Leistung von Vergleichsbeispiel 1 nicht.
- Beispiel 5 - Metallzerspanungsprüfung
- Beschichtete Schneidplatten der Beispiele 1-3 und des Vergleichsbeispiels 1 wurden einer kontinuierlichen Drehprüfung nach den nachstehenden Parametern unterzogen. Für die Drehprüfung wurde das Ende der Lebensdauer (EOL) durch Kraterabnutzung (CW) > 0,1 mm festgehalten. Die Schneidedauer von Vergleichsbeispiel 1 wurde auf eine Lebensdauer von 100 % normalisiert.
- Drehparameter
-
- Werkstück: Stahl, Qualität 1045
- Geschwindigkeit: 305 m/m (1000 sfm)
- Vorschubgeschwindigkeit: 0,30 mm/U (0,012 ipr)
- Schnitttiefe: 0,08 mm
- Freiwinkel: -5°
- Wie in Tabelle XVII angegeben, stellte die Beschichtung von Schneidplatten der Beispiele 1 und 3 erhebliche Verbesserungen für die Schneidedauern bereit. Die Schneidplatten von Beispiel 2 glichen der Leistung von Vergleichsbeispiel 1.
Rietveld-Verfeinerungsparameter für jede Phase sind:
Jede Ausrichtung in den Mustern wird mithilfe kugelförmiger Harmonischer korrigiert.
Beschichteter Schneideinsatz | Lebensdauer (%) |
Vergleichsbeispiel 1 | 100 |
Beispiel 1 | 118 |
Beispiel 2 | 113 |
Beispiel 3 | 89 |
Beschichteter Schneideinsatz | Lebensdauer (%) |
Vergleichsbeispiel 1 | 100 |
Beispiel 1 | 159 |
Beispiel 2 | 100 |
Beispiel 3 | 134 |
Claims (21)
- Beschichteter Artikel, umfassend: ein Substrat; und eine Beschichtung, die durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) auf dem Substrat abgeschieden und angelagert wurde, wobei die Beschichtung eine mehrphasige Refraktärschicht einschließt, die eine Aluminiumoxidphase und eine Zirconiumdioxidphase umfasst, wobei die Zirconiumdioxidphase einen Texturkoeffizienten für die (200)-Wachstumsrichtung, TC(200), von mehr als 4 aufweist, wobei der Texturkoeffizient (TC) definiert ist als:
- Beschichteter Artikel nach
Anspruch 1 , wobei der TC(200) mehr als 4,5 beträgt. - Beschichteter Artikel nach
Anspruch 1 , wobei der TC(200) mehr als 5 beträgt. - Beschichteter Artikel nach
Anspruch 1 , wobei der TC(200) mehr als 5,5 beträgt. - Beschichteter Artikel nach
Anspruch 1 , wobei der TC(200) von 4,1 bis 6 beträgt. - Beschichteter Artikel nach
Anspruch 1 , wobei die Aluminiumoxidphase mit Zirconium dotiert ist. - Beschichteter Artikel nach
Anspruch 6 , wobei Zirconium in der Aluminiumoxidphase in einer Menge von 0,1 - 3 Gewichtsprozent der Aluminiumoxidphase vorhanden ist. - Beschichteter Artikel nach
Anspruch 6 , wobei die Aluminiumoxidphase α-Aluminiumoxid, κ-Aluminiumoxid oder Mischungen davon ist. - Beschichteter Artikel nach
Anspruch 1 , wobei die Zirconiumdioxidphase in der Aluminiumoxidphase dispergiert ist. - Beschichteter Artikel nach
Anspruch 1 , wobei Zirconiumdioxid in einer Menge von 20-40 Gewichtsprozent der mehrphasigen Refraktärschicht vorhanden ist. - Beschichteter Artikel nach
Anspruch 1 , wobei die Zirconiumdioxidphase primär eine monokline Kristallstruktur aufweist. - Beschichteter Artikel nach
Anspruch 1 , wobei die Zirconiumdioxidphase eine Mischung aus monoklinen und tetragonalen Kristallphasen umfasst. - Beschichteter Artikel nach
Anspruch 12 , wobei die Zirconiumdioxidphase zu 60-99,9 % monoklin ist. - Beschichteter Artikel nach
Anspruch 12 , wobei die Zirconiumdioxidphase zu 1-10 % tetragonal ist. - Beschichteter Artikel nach
Anspruch 1 , wobei die Beschichtung ferner eine oder mehrere Innenschichten zwischen der mehrphasigen Refraktärschicht und dem Substrat umfasst. - Beschichteter Artikel nach
Anspruch 15 , wobei die eine oder die mehreren Innenschichten ein oder mehrere metallische Elemente, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Aluminium und metallischen Elementen der Gruppen IVB, VB und VIB des Periodensystems, und ein oder mehrere nichtmetallische Elemente, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus IIIA, IVA, VA und VIA des Periodensystems, umfassen. - Beschichteter Artikel nach
Anspruch 1 , wobei die Beschichtung ferner eine oder mehrere Außenschichten über der mehrphasigen Refraktärschicht umfasst. - Beschichteter Artikel nach
Anspruch 17 , wobei die eine oder die mehreren Außenschichten ein oder mehrere metallische Elemente, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Aluminium und metallischen Elementen der Gruppen IVB, VB und VIB des Periodensystems, und ein oder mehrere nichtmetallische Elemente, die ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus IIIA, IVA, VA und VIA des Periodensystems, umfassen. - Beschichteter Artikel nach
Anspruch 1 , wobei das Substrat ein Schneidwerkzeug ist. - Beschichteter Artikel nach
Anspruch 19 , wobei das Schneidwerkzeug eine Schneidplatte oder ein rotierendes Schneidwerkzeug ist. - Beschichteter Artikel nach
Anspruch 1 , wobei das Substrat Hartmetall, Carbid, Cermet, Keramik oder Stahl ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/253,460 | 2016-08-31 | ||
US15/253,460 US10273575B2 (en) | 2016-08-31 | 2016-08-31 | Composite refractory coatings and applications thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102017117008A1 DE102017117008A1 (de) | 2018-03-01 |
DE102017117008B4 true DE102017117008B4 (de) | 2022-11-03 |
Family
ID=61166840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102017117008.1A Active DE102017117008B4 (de) | 2016-08-31 | 2017-07-27 | Kompositrefraktärbeschichtungen |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10273575B2 (de) |
CN (1) | CN107794514B (de) |
DE (1) | DE102017117008B4 (de) |
Families Citing this family (211)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
CN109112500B (zh) * | 2017-06-22 | 2022-01-28 | 肯纳金属公司 | Cvd复合材料耐火涂层及其应用 |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
KR20200108016A (ko) | 2018-01-19 | 2020-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
EP3737779A1 (de) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | Verfahren zum abscheiden eines ruthenium-haltigen films auf einem substrat durch ein zyklisches abscheidungsverfahren |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
TW202344708A (zh) | 2018-05-08 | 2023-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
TWI819010B (zh) | 2018-06-27 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
WO2020002664A1 (en) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | Ab Sandvik Coromant | Method of treating a cutting tool, and a cutting tool |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) * | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
JP2020136677A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
JP2021019198A (ja) | 2019-07-19 | 2021-02-15 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
US11371150B2 (en) | 2020-01-04 | 2022-06-28 | Kennametal Inc. | Coating and coated cutting tool comprising the coating |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
WO2023034286A1 (en) * | 2021-08-30 | 2023-03-09 | Kennametal Inc. | Surface coated cutting tools |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE60037893T2 (de) | 1999-06-21 | 2008-05-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Beschichtetes hartmetall |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4702970A (en) * | 1987-01-20 | 1987-10-27 | Gte Laboratories Incorporated | Composite coatings on ceramic substrates |
AU1026588A (en) * | 1987-01-20 | 1988-07-21 | Gte Laboratories Incorporated | Composite coatings |
US4749629A (en) * | 1987-01-20 | 1988-06-07 | Gte Laboratories | Ultrathin laminated oxide coatings and methods |
EP1536041B1 (de) * | 2003-11-25 | 2008-05-21 | Mitsubishi Materials Corporation | Beschichteter Cermet Schneideinsatz mit harter, gegen Abschiefern beständiger Beschichtung |
JP4645983B2 (ja) * | 2005-04-12 | 2011-03-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 硬質被覆層が高速断続切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具 |
JP2010143825A (ja) * | 2007-02-28 | 2010-07-01 | Toyo Kasei Kogyo Co Ltd | ビス−(1(2)h−テトラゾール−5−イル)アミン化合物および反応中間体、ならびにその製造方法 |
JP5099490B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2012-12-19 | 三菱マテリアル株式会社 | 硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具 |
US7597511B2 (en) * | 2007-12-28 | 2009-10-06 | Mitsubishi Materials Corporation | Surface-coated cutting tool with hard coating layer having excellent abrasion resistance |
KR101084942B1 (ko) * | 2009-06-09 | 2011-11-17 | 강원대학교산학협력단 | 천우슬을 이용한 관절염 치료제 |
JP5582409B2 (ja) * | 2011-01-11 | 2014-09-03 | 三菱マテリアル株式会社 | 硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具 |
US9181620B2 (en) * | 2013-03-21 | 2015-11-10 | Kennametal Inc. | Coatings for cutting tools |
US9650714B2 (en) * | 2014-12-08 | 2017-05-16 | Kennametal Inc. | Nanocomposite refractory coatings and applications thereof |
-
2016
- 2016-08-31 US US15/253,460 patent/US10273575B2/en active Active
-
2017
- 2017-07-27 DE DE102017117008.1A patent/DE102017117008B4/de active Active
- 2017-08-25 CN CN201710740491.7A patent/CN107794514B/zh active Active
-
2019
- 2019-04-17 US US16/386,960 patent/US10844481B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE60037893T2 (de) | 1999-06-21 | 2008-05-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Beschichtetes hartmetall |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
MARTENSSON, P. Influence of the concentration of ZrCl4 on texture, morphology and growth rate of CVD grown α-Al2O3 coatings deposited by the AlCl3/ZrCl4/H2/CO2/H2S process. In: Surf. Coat. Technol. Vol. 200, 2006, S.3626 – ISSN 0257-8972 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180057934A1 (en) | 2018-03-01 |
CN107794514B (zh) | 2021-05-07 |
CN107794514A (zh) | 2018-03-13 |
DE102017117008A1 (de) | 2018-03-01 |
US10844481B2 (en) | 2020-11-24 |
US20190242013A1 (en) | 2019-08-08 |
US10273575B2 (en) | 2019-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102017117008B4 (de) | Kompositrefraktärbeschichtungen | |
DE102018112535B4 (de) | Cvd-kompositrefraktärbeschichtungen und deren anwendungen | |
DE112006001156C5 (de) | Schneidspitze mit austauschbaren Klingen | |
DE102012003857B4 (de) | Beschichtete Schneidwerkzeuge | |
DE112011100870B4 (de) | Beschichteter keramischer Schneideeinsatz und Verfahren zur Herstellung desselben | |
EP0577678B1 (de) | Verbundkörper, verwendung des verbundkörpers und verfahren zu seiner herstellung | |
USRE49475E1 (en) | Coated cutting tool | |
DE112011100871B4 (de) | Beschichteter PcBN-Schneideinsatz, diesen beschichteten PcBN-Schneideinsatz verwendendes beschichtetes PcBN-Schneidwerkzeug und Verfahren zur ihrer Herstelllung | |
DE102015121206B4 (de) | Widerstandsfähige Nanoverbundbeschichtungen | |
DE112011101379T5 (de) | Beschichtung für Schneidwerkzeuge | |
EP3577253B1 (de) | Beschichtetes werkzeug | |
DE102013113501B4 (de) | Beschichtungen für Schneidwerkzeuge | |
DE112014001520B4 (de) | Beschichtungen für Schneidwerkzeuge | |
DE112014001640B4 (de) | Mehrschichtig strukturierte Beschichtungen für Schneidwerkzeuge und Verfahren zum Herstellen eines Schneidwerkzeugs | |
DE102012004809B4 (de) | Beschichtetes Schneidwerkzeug sowie Verfahren zum Herstellen des beschichteten Schneidwerkzeugs | |
DE102015115859A1 (de) | Mehrschichtig strukturierte Beschichtungen für Schneidwerkzeuge | |
DE102013113502B4 (de) | Beschichtete polykristalline c-BN-Schneidwerkzeuge, Verfahren zur Herstellung derartiger Schneidwerkzeuge und Verfahren zur maschinellen Bearbeitung eines Werkstücks | |
DE112014001562T5 (de) | Beschichtungen für Schneidwerkzeuge | |
DE102016118162A1 (de) | Hybridnanokompositbeschichtungen und deren anwendungen | |
DE102015121205B4 (de) | Untereinander verankerte mehrschichtige Refraktärbeschichtungen | |
DE112019004436T5 (de) | Beschichtetes werkzeug und schneidwerkzeug | |
DE112019004438T5 (de) | Beschichtetes werkzeug und schneidwerkzeug | |
DE102019200984B4 (de) | Beschichtetes Schneidewerkzeug | |
DE102020135082A1 (de) | Beschichtung und die beschichtung umfassendes beschichtetes schneidwerkzeug | |
DE112021005580T5 (de) | Beschichtetes werkzeug und schneidwerkzeug, welches das beschichtete werkzeug aufweist |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |