DE102016114463A1 - Die-befestigungsverfahren und halbleiterbauelemente, die auf der grundlage solcher verfahren hergestellt werden - Google Patents
Die-befestigungsverfahren und halbleiterbauelemente, die auf der grundlage solcher verfahren hergestellt werden Download PDFInfo
- Publication number
- DE102016114463A1 DE102016114463A1 DE102016114463.0A DE102016114463A DE102016114463A1 DE 102016114463 A1 DE102016114463 A1 DE 102016114463A1 DE 102016114463 A DE102016114463 A DE 102016114463A DE 102016114463 A1 DE102016114463 A1 DE 102016114463A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- die
- semiconductor
- attach material
- die attach
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 153
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 146
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 20
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 3
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 claims description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
- H01L23/49513—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad having bonding material between chip and die pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04026—Bonding areas specifically adapted for layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05639—Silver [Ag] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05644—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/05686—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2224/05687—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
- H01L2224/2731—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in liquid form
- H01L2224/27312—Continuous flow, e.g. using a microsyringe, a pump, a nozzle or extrusion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
- H01L2224/2731—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in liquid form
- H01L2224/2732—Screen printing, i.e. using a stencil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/2901—Shape
- H01L2224/29012—Shape in top view
- H01L2224/29015—Shape in top view comprising protrusions or indentations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29199—Material of the matrix
- H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29199—Material of the matrix
- H01L2224/29294—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a liquid not provided for in groups H01L2224/292 - H01L2224/29291
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29317—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/29324—Aluminium [Al] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/29344—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/29355—Nickel [Ni] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
- H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2224/29387—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/3201—Structure
- H01L2224/32012—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad
- H01L2224/32013—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad the layer connector being larger than the bonding area, e.g. bond pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/3205—Shape
- H01L2224/32057—Shape in side view
- H01L2224/32058—Shape in side view being non uniform along the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32104—Disposition relative to the bonding area, e.g. bond pad
- H01L2224/32105—Disposition relative to the bonding area, e.g. bond pad the layer connector connecting bonding areas being not aligned with respect to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32104—Disposition relative to the bonding area, e.g. bond pad
- H01L2224/32106—Disposition relative to the bonding area, e.g. bond pad the layer connector connecting one bonding area to at least two respective bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83194—Lateral distribution of the layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83399—Material
- H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/83417—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/83424—Aluminium [Al] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83399—Material
- H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/83439—Silver [Ag] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83399—Material
- H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/83447—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83399—Material
- H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/83455—Nickel [Ni] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83399—Material
- H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/8346—Iron [Fe] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83399—Material
- H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/83463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/83464—Palladium [Pd] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
- H01L2224/83815—Reflow soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8384—Sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
- H01L2224/83851—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83909—Post-treatment of the layer connector or bonding area
- H01L2224/83948—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83909—Post-treatment of the layer connector or bonding area
- H01L2224/83951—Forming additional members, e.g. for reinforcing, fillet sealant
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83986—Specific sequence of steps, e.g. repetition of manufacturing steps, time sequence
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06513—Bump or bump-like direct electrical connections between devices, e.g. flip-chip connection, solder bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
- H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
Ein Halbleiterbauelement umfasst einen Träger, einen Halbleiter-Die und ein Die-Befestigungsmaterial, das zwischen dem Träger und dem Halbleiter-Die angeordnet ist. Eine Hohlkehlhöhe des Die-Befestigungsmaterials ist kleiner als ungefähr 95 % einer Höhe des Halbleiter-Die. Eine maximale Erstreckung des Die-Befestigungsmaterials über die Kanten einer dem Die-Befestigungsmaterial zugewandten Hauptfläche des Halbleiter-Die ist kleiner als ungefähr 200 Mikrometer.
Description
- GEBIET
- Die vorliegende Offenbarung betrifft allgemein Halbleitertechnologie. Insbesondere betrifft die Offenbarung Die-Befestigungsverfahren und Halbleiterbauelemente, die auf der Grundlage solcher Verfahren hergestellt werden.
- HINTERGRUND
- Bei einer Fertigung von Halbleiterbauelementen können Halbleiter-Dies an Trägern mithilfe von Die-Befestigungsmaterialien (Die-Attach-Materialien) befestigt werden. Abschnitte des Die-Befestigungsmaterials, die unerwünschterweise an bestimmten Positionen der Halbleiter-Dies abgeschieden wurden, können die Zuverlässigkeit der Halbleiterbauelemente beeinflussen. Größen der Halbleiter-Dies verringerten sich in der Halbleitertechnologie im Laufe der Zeit und können in zukünftigen Anwendungen weiter abnehmen. Hersteller von Halbleiterbauelementen versuchen, Lösungen mit verbesserter Zuverlässigkeit, reduzierter Größe und reduzierten Herstellungskosten bereitzustellen.
- KURZDARSTELLUNG
- Verschiedene Aspekte beziehen sich auf ein Halbleiterbauelement, das einen Träger, einen Halbleiter-Die und ein Die-Befestigungsmaterial, das zwischen dem Träger und dem Halbleiter-Die angeordnet ist, umfasst. Eine Hohlkehlhöhe des Die-Befestigungsmaterials ist kleiner als ungefähr 95 % einer Höhe des Halbleiter-Die, und eine maximale Erstreckung des Die-Befestigungsmaterials über die Kanten einer dem Die-Befestigungsmaterial zugewandten Hauptfläche des Halbleiter-Die ist kleiner als ungefähr 200 Mikrometer.
- Verschiedene Aspekte beziehen sich auf ein Verfahren, das die folgenden Vorgänge umfasst: Bereitstellen eines Trägers, Abscheiden eines Die-Befestigungsmaterials auf dem Träger, und Anordnen eines Halbleiter-Die auf dem Die-Befestigungsmaterial, wobei eine dem Die-Befestigungsmaterial zugewandte Hauptfläche des Halbleiter-Die zumindest teilweise das Die-Befestigungsmaterial kontaktiert, wobei unmittelbar nach dem Anordnen des Halbleiter-Die auf dem Die-Befestigungsmaterial eine erste maximale Erstreckung des Die-Befestigungsmaterials über die Kanten der Hauptfläche kleiner ist als ungefähr 100 Mikrometer.
- Verschiedene Aspekte beziehen sich auf ein Verfahren, das die folgenden Vorgänge umfasst: Bereitstellen eines Trägers, Abscheiden eines Die-Befestigungsmaterials auf dem Träger, Anordnen eines Halbleiter-Die auf dem Die-Befestigungsmaterial, und Ausbilden einer Hohlkehle des Die-Befestigungsmaterials an einer Seitenfläche des Halbleiter-Die, wobei das Ausbilden der Hohlkehle ausschließlich auf einem Kriechen des Die-Befestigungsmaterials entlang der Seitenfläche des Halbleiter-Die basiert.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Die begleitenden Zeichnungen sind beigefügt, um ein weiteres Verständnis von Aspekten bereitzustellen, und sie sind in dieser Beschreibung aufgenommen und bilden einen Teil von ihr. Die Zeichnungen veranschaulichen Aspekte und zusammen mit der Beschreibung dienen sie einer Erläuterung von Prinzipien von Aspekten. Andere Aspekte und viele der beabsichtigten Vorteile von Aspekten werden leicht erkennbar sein, wenn sie unter Bezugnahme auf die nachstehende ausführliche Beschreibung besser verstanden werden. Die Elemente der Zeichnungen sind in Bezug aufeinander nicht notwendigerweise maßstabsgetreu. Gleiche Bezugszeichen können entsprechend ähnliche Elementente bezeichnen.
-
1 umfasst1A und1B , wobei1A eine Querschnittsseitenansicht eines Halbleiterbauelements100 gemäß der Offenbarung schematisch darstellt, und1B eine Draufsicht auf das Halbleiterbauelement100 zeigt. -
2 veranschaulicht ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens200 gemäß der Offenbarung. Das Verfahren200 stellt eine Möglichkeit zum Befestigen eines Halbleiter-Die an einem Träger bereit. -
3 veranschaulicht ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens300 gemäß der Offenbarung. Das Verfahren300 stellt eine Möglichkeit zum Befestigen eines Halbleiter-Die an einem Träger bereit. -
4 umfasst4A bis4H , die ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements400 gemäß der Offenbarung schematisch darstellen. Das Verfahren400 stellt eine Möglichkeit zum Befestigen eines Halbleiter-Die an einem Träger bereit. - AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
- In der nachstehenden ausführlichen Beschreibung wird Bezug auf die begleitenden Zeichnungen genommen, in denen zur Veranschaulichung konkrete Aspekte, in denen die Offenbarung genutzt werden kann, gezeigt sind. In dieser Hinsicht kann Terminologie, die sich auf Richtungen bezieht, wie z.B. „oben“, „unten“, „vorne“, „hinten“ usw., mit Bezug auf die Ausrichtung der gerade beschriebenen Figuren verwendet werden. Da Komponenten von beschriebenen Bauelementen in einer Vielzahl von verschiedenen Ausrichtungen angeordnet sein können, kann die Terminologie, die sich auf Richtungen bezieht, zu Zwecken der Veranschaulichung verwendet werden und ist keineswegs einschränkend. Andere Aspekte können verwendet werden, und strukturelle oder logische Änderungen können vorgenommen werden, ohne vom Konzept der vorliegenden Offenbarung abzuweichen. Die nachstehende ausführliche Beschreibung soll daher nicht in einem einschränkenden Sinne verstanden werden und das Konzept der vorliegenden Offenbarung ist durch die beigefügten Ansprüche definiert.
- Die hier beschriebenen Bauelemente können einen oder mehrere Halbleiter-Dies (oder Halbleiterchips) umfassen. Die Halbleiter-Dies können verschiedener Art sein und können mithilfe verschiedener Technologien hergestellt werden. Im Allgemeinen können die Halbleiter-Dies integrierte Schaltungen, passive elektronische Komponenten, aktive elektronische Komponenten usw. umfassen. Die integrierten Schaltungen können als integrierte Logikschaltungen, integrierte analoge Schaltungen, integrierte Mischsignal-Schaltungen, integrierte Leistungsschaltungen usw. ausgelegt sein. Die Halbleiter-Dies müssen nicht aus einem bestimmten Halbleitermaterial hergestellt werden und können anorganische und/oder organische Materialien, die keine Halbleiter sind, wie zum Beispiel Isolatoren, Kunststoffe, Metalle usw., enthalten. In einem Beispiel können die Halbleiter-Dies aus einem Elementhalbleitermaterial, zum Beispiel Si usw., hergestellt werden. In einem weiteren Beispiel können die Halbleiter-Dies aus einem Verbindungshalbleiter, zum Beispiel GaN, SiC, SiGe, GaAs usw., hergestellt werden. Die Halbleiter-Dies können zusätzlich eine oder mehrere Metallschichten auf der Rückseite des Halbleiter-Die, z.B. für ein Halbleiterbauelement mit einem vertikalen Stromfluss, der einen ohmschen Kontakt an der Rückseite des Halbleiter-Die erfordert, umfassen.
- Ein Halbleiter-Die kann zwei gegenüberliegende Hauptflächen und Seitenflächen, die die Hauptflächen verbinden, aufweisen. Elektroden des Halbleiter-Die können auf einer oder auf beiden der Hauptflächen des Halbleiter-Die angeordnet sein. Eine aktive Hauptfläche des Halbleiter-Die kann Elektroden und/oder aktive Strukturen, wie z.B. mikroelektronische Komponenten und integrierte Schaltungen, umfassen. Im Allgemeinen können Halbleiter-Dies eine beliebige Größe aufweisen. Insbesondere kann eine Höhe (einer Seitenfläche) eines Halbleiter-Die kleiner als ungefähr 400 Mikrometer, insbesondere kleiner als ungefähr 150 Mikrometer, und mehr insbesondere kleiner als ungefähr 100 Mikrometer bis ungefähr 20 Mikrometer sein. Die Hauptflächen des Halbleiter-Die können eine rechteckige Form, insbesondere eine quadratische Form, aufweisen. Ein Flächeninhalt einer Hauptfläche eines Halbleiter-Die kann in einem Bereich von ungefähr 0,5 Quadratmillimeter bis ungefähr 50 Quadratmillimeter, insbesondere von ungefähr 1,5 Quadratmillimeter bis ungefähr 25 Quadratmillimeter liegen.
- Die hier beschriebenen Bauelemente können einen Träger umfassen, über dem ein oder mehrere Halbleiter-Dies angeordnet werden können. Im Allgemeinen kann ein Träger aus mindestens einem von einem Metall, einer Legierung, einem Dielektrikum, einem Kunststoff, einer Keramik usw. hergestellt werden. Der Träger kann eine homogene Struktur aufweisen, aber er kann auch interne Strukturen, wie z.B. leitende Pfade mit einer elektrischen Umverteilungsfunktion, vorsehen. In einem Beispiel kann ein Träger einen Leiter (Lead), ein Die-Pad oder einen Leiterrahmen (Leadframe) mit einem oder mehreren Leitern (Leads) und einem oder mehreren Die-Pads umfassen. Ein Leiterrahmen kann aus Metallen und/oder Metalllegierungen, insbesondere aus mindestens einem von Kupfer, Kupferlegierungen, Nickel, Eisennickel, Aluminium, Aluminiumlegierungen, Stahl, Edelstahl usw., gefertigt werden. Der Leiterrahmen kann ein vorplattierter Leiterrahmen sein, der mit einem elektrisch leitfähigen Material, zum Beispiel mindestens einem von Kupfer, Silber, Palladium, Gold, Nickel, Eisennickel, Nickelphosphor usw., plattiert ist. Eine Fläche des Leiterrahmens und insbesondere eine Die-Montagefläche eines Die-Pads, kann aufgeraut oder strukturiert sein. In einem weiteren Beispiel kann der Träger eine gedruckte Leiterplatte umfassen. In einem weiteren Beispiel kann der Träger mindestens eines von einer Keramik und einer mit einem Metall plattierten Keramik umfassen. In einem noch weiteren Beispiel kann der Träger ein Leistungselektroniksubstrat, wie z.B. ein Direct Bonded Copper Substrat, ein Active Metal Brazed Substrat, ein isoliertes Metallsubstrat usw. umfassen. In einem noch weiteren Beispiel kann der Träger ein (zum Beispiel keramisches) Substrat umfassen, das derart ausgelegt sein kann, dass es eine Umverteilung elektrischer Signale im Inneren des Substrats oder durch das Substrat mithilfe einer in dem Substrat enthaltenen Umverteilungsstruktur bereitstellt.
- Die hier beschriebenen Bauelemente können ein Die-Befestigungsmaterial umfassen. Im Allgemeinen kann ein Die-Befestigungsmaterial eine beliebige Art Material sein, das derart ausgelegt ist, das es einen Halbleiter-Die an einem Träger befestigt oder fixiert. Insbesondere kann das Die-Befestigungsmaterial derart ausgelegt sein, dass es in einer flüssigen oder viskosen Form auf einer Fläche eines Objekts, wie z.B. eines Trägers, abgeschieden wird. Das Die-Befestigungsmaterial kann nach seiner Abscheidung, insbesondere nachdem ein Halbleiter-Die auf dem Die-Befestigungsmaterial angeordnet wurde, härten. In einem Beispiel kann ein Härten des Die-Befestigungsmaterials auf einem Härtungsprozess beruhen, der in einem Ofen durchgeführt werden kann. Eine Härtungszeit kann in einem Bereich von ungefähr 10 Minuten bis ungefähr 3 Stunden liegen, und eine Härtungstemperatur kann in einem Bereich von ungefähr 100 Grad Celsius bis ungefähr 300 Grad Celsius liegen.
- In einem Beispiel kann das Die-Befestigungsmaterial eine Klebepaste, insbesondere eine Polymer-basierte Klebepaste oder eine Epoxid-basierte Klebepaste, sein. Klebepasten, die auf unmodifizierten Polymeren basieren, können isolierend sein oder sie können eine niedrige elektrische und/oder thermische Leitfähigkeit aufweisen. Geeignete Füllpartikeln können verwendet werden, um leitfähige Klebepasten mit einer erhöhten elektrischen und/oder thermischen Leitfähigkeit bereitzustellen. Die Füllpartikeln können hinzugefügt werden, um ein Netz innerhalb der Polymermatrix zu bilden, so dass Elektronen und/oder Wärme quer über die Partikelkontaktpunkte fließen können, um das Gemisch elektrisch und/oder thermisch leitfähig zu gestalten. Die Füllpartikeln können z.B. mindestens eines von Silber, Kupfer, Nickel, Gold, Aluminium, Mischsystemen davon umfassen. Die Füllpartikeln können außerdem z.B. mindestens eines von Siliziumdioxid, Aluminiumoxid, Tonerde, Bornitrid, Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Mischsystemen davon umfassen. Im Fall von Silber-Füllpartikeln kann das Die-Befestigungsmaterial insbesondere leitfähige Silber-Klebepaste umfassen oder es kann ihr entsprechen. Die Füllpartikeln können einen Durchmesser aufweisen, der in einem Bereich von ungefähr 50 Nanometer bis ungefähr 10 Mikrometer liegt. In einem weiteren Beispiel kann das Die-Befestigungsmaterial mindestens eines von einem Lotmaterial, einer Lotpaste, einer Sinterpaste umfassen.
- Eine thermische Leitfähigkeit des Die-Befestigungsmaterials kann größer als ungefähr 0,5 W/(m∙K), insbesondere größer als ungefähr 5 W/(m∙K) und mehr insbesondere größer als ungefähr 10 W/(m∙K) sein. Die thermische Leitfähigkeit kann einen Wert bis zu ungefähr 250 W/(m∙K) aufweisen.
-
1 umfasst1A und1B , wobei1A eine Querschnittsseitenansicht eines Halbleiterbauelements100 gemäß der Offenbarung schematisch darstellt, und1B eine Draufsicht auf das Halbleiterbauelement100 zeigt. Das Halbleiterbauelement100 ist in einer allgemeinen Weise dargestellt, um Aspekte der Offenbarung qualitativ anzugeben. Das Halbleiterbauelement100 kann weitere Komponenten umfassen, die der Einfachheit halber nicht dargestellt sind. - Das Halbleiterbauelement
100 kann einen Träger10 , einen Halbleiter-Die12 und ein Die-Befestigungsmaterial14 , das zwischen dem Träger10 und dem Halbleiter-Die12 angeordnet ist, umfassen. Eine Hohlkehlhöhe A des Die-Befestigungsmaterials14 kann kleiner sein als ungefähr 95 % einer Höhe B des Halbleiter-Die12 . Das Die-Befestigungsmaterial14 kann eine Hohlkehle (oder Kehle) an einer Seitenfläche16 des Halbleiter-Die12 bilden, wobei die Hohlkehlhöhe A als eine Höhe eines Abschnitts der Seitenfläche16 , der mit dem Die-Befestigungsmaterial14 abgedeckt ist, spezifiziert werden kann. Das heißt, die Hohlkehlhöhe A kann 0 % der Höhe B des Halbleiter-Die12 sein, wenn die Seitenfläche16 vollständig von dem Die-Befestigungsmaterial14 freigelegt ist, und die Hohlkehlhöhe A kann 100 % der Höhe B des Halbleiter-Die12 betragen, wenn die Seitenfläche16 vollständig mit dem Die-Befestigungsmaterial14 abgedeckt ist. Alternativ kann die Hohlkehlhöhe A als ein Unterschied zwischen der Höhe B des Halbleiter-Die12 und einer Höhe C des Abschnitts der Seitenfläche16 , der von dem Die-Befestigungsmaterial14 freigelegt ist, spezifiziert werden. Eine maximale Erstreckung D des Die-Befestigungsmaterials14 über die Kanten einer dem Die-Befestigungsmaterial14 zugewandten Hauptfläche18 des Halbleiter-Die12 kann insbesondere bei Betrachtung in eine Richtung, die im Wesentlichen senkrecht zu der Hauptfläche18 des Halbleiter-Die12 ist, kleiner sein als ungefähr 200 Mikrometer, wie in1B dargestellt. -
2 und3 veranschaulichen schematisch Ablaufdiagramme von Verfahren200 und300 gemäß der Offenbarung. Die Verfahren200 und300 sind in einer allgemeinen Weise dargestellt, um Aspekte der Offenbarung qualitativ anzugeben. Jedes der Verfahren200 und300 kann weitere Vorgänge umfassen, die der Einfachheit halber nicht dargestellt sind. Zum Beispiel kann jedes der Verfahren200 und300 durch einen beliebigen der Aspekte, die in Verbindung mit dem Verfahren von4A bis4H beschrieben sind, erweitert werden. - Das Verfahren
200 von2 kann die folgenden Vorgänge umfassen. In einem Vorgang20 kann ein Träger bereitgestellt werden. In einem Vorgang22 kann ein Die-Befestigungsmaterial auf dem Träger abgeschieden werden. In einem Vorgang24 kann ein Halbleiter-Die auf dem Die-Befestigungsmaterial angeordnet werden, wobei eine dem Die-Befestigungsmaterial zugewandte Hauptfläche des Halbleiter-Die zumindest teilweise das Die-Befestigungsmaterial kontaktiert. Unmittelbar nach dem Anordnen des Halbleiter-Die auf dem Die-Befestigungsmaterial ist eine maximale Erstreckung des Die-Befestigungsmaterials über die Kanten der Hauptfläche kleiner als ungefähr 100 Mikrometer. - Das Verfahren
300 von3 kann die folgenden Vorgänge umfassen. In einem Vorgang26 kann ein Träger bereitgestellt werden. In einem Vorgang28 kann ein Die-Befestigungsmaterial auf dem Träger abgeschieden werden. In einem Vorgang30 kann ein Halbleiter-Die auf dem Die-Befestigungsmaterial angeordnet werden. In einem Vorgang32 kann eine Hohlkehle des Die-Befestigungsmaterials an einer Seitenfläche des Halbleiter-Die ausgebildet werden, wobei das Ausbilden der Hohlkehle ausschließlich auf einem Kriechen des Die-Befestigungsmaterials entlang der Seitenfläche des Halbleiter-Die basiert. -
4A bis4H veranschaulichen schematisch ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements400 , dessen Querschnitt in4G dargestellt ist. Das Halbleiterbauelement400 kann als eine Implementierung des Halbleiterbauelements100 betrachtet werden, so dass Einzelheiten des Halbleiterbauelements400 , die nachstehend beschrieben werden, gleichermaßen auf das Halbleiterbauelement100 angewendet werden können. Außerdem kann das Verfahren von4A bis4H als eine Implementierung der in2 und3 dargestellten Verfahren betrachtet werden. Einzelheiten des Verfahrens400 , die nachstehend beschrieben werden, können daher gleichermaßen auf die Verfahren von2 und3 angewendet werden. - In
4A kann ein Träger10 bereitgestellt werden. Der Träger10 kann eine beliebige Art Objekt sein, das derart ausgelegt ist, dass es einen Halbleiter-Die trägt, und für einen solchen Zweck in der Halbleitertechnologie verwendet wird. Der Träger10 kann mindestens eine Die-Montagefläche34 bereitstellen, die zum Montieren eines Halbleiter-Die geeignet ist. Der Träger100 kann mindestens eines von einem Leiter (Lead), einem Die-Pad, einem Leiterrahmen (Leadframe), einer gedruckten Leiterplatte, einer Keramik, einer mit einem Metall plattierten Keramik, einem Substrat, einem elektronischen Leistungssubstrat umfassen oder dem entsprechen. - In
4B kann ein Die-Befestigungsmaterial14 auf der Die-Montagefläche34 des Trägers10 abgeschieden werden. Das Die-Befestigungsmaterial14 kann eine beliebige Art Material sein, das derart ausgelegt ist, das es ein Halbleiter-Die an dem Träger10 befestigt oder fixiert. Zum Beispiel kann das Die-Befestigungsmaterial14 mindestens eines von einer Klebepaste, einer leitfähigen Klebepaste, einer leitfähigen Silberklebepaste, einem Lotmaterial, einer Lotpaste, einer Sinterpaste umfassen oder dem entsprechen. In einem Beispiel kann das Die-Befestigungsmaterial14 ein Polymermaterial und mindestens eines von elektrischen leitfähigen und thermisch leitfähigen Füllpartikeln (nicht dargestellt) umfassen. Die Füllpartikeln können hierbei z.B. mindestens eines von Silber, Kupfer, Nickel, Gold, Aluminium, Mischsystemen davon umfassen. Die Füllpartikeln können außerdem z.B. mindestens eines von Siliziumdioxid, Aluminiumoxid, Tonerde, Bornitrid, Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Mischsystemen davon umfassen. Eine thermische Leitfähigkeit des Die-Befestigungsmaterials14 kann größer als ungefähr 0,5 W/(m∙K), insbesondere größer als ungefähr 5 W/(m∙K) und mehr insbesondere größer als ungefähr 10 W/(m∙K) sein. Die thermische Leitfähigkeit kann einen Wert bis zu ungefähr 250 W/(m∙K) aufweisen. - Das Die-Befestigungsmaterial
14 kann z.B. unter Verwendung mindestens eines von einer Rakeltechnik, einer Drucktechnik, einer Dispensiertechnik usw. abgeschieden werden. Die ausgewählte Technik kann vom Typ des verwendeten Die-Befestigungsmaterials14 abhängen. Insbesondere kann das Die-Befestigungsmaterial14 auf der Montagefläche34 in einer flüssigen Form abgeschieden werden und kann später, nachdem ein Halbleiter-Die auf dem Die-Befestigungsmaterial14 angeordnet wurde, gehärtet oder ausgehärtet werden. -
4C veranschaulicht eine obere Draufsicht auf4B . Ein gestricheltes Rechteck R zeigt einen Umriss oder eine Form einer Hauptfläche eines Halbleiter-Die an, der über dem Träger10 auf dem Die-Befestigungsmaterial14 zu montieren ist. Im Allgemeinen kann ein Umriss oder eine Form des auf dem Träger10 abgeschiedenen Die-Befestigungsmaterials14 bei Betrachtung in einer Richtung, die im Wesentlichen senkrecht zu der Die-Montagefläche34 ist, beliebig sein.4C zeigt ein Beispiel eines Umrisses S, der verwendet werden kann. Der Beispielumriss S kann einen mittleren Abschnitt, der im Wesentlichen in der Mitte des Rechtecks R angeordnet sein kann, und mehrere Arme, die sich von dem mittleren Abschnitt zu den Ecken des Rechtecks R erstrecken, umfassen. Insbesondere kann der Umriss S des abgeschiedenen Die-Befestigungsmaterials14 vollständig innerhalb des Umrisses R des Halbleiter-Die liegen. Der Flächeninhalt des Die-Befestigungsmaterials14 , der die Die-Montagefläche34 abdeckt (d.h. der Flächeninhalt innerhalb des Umrisses S), kann in einem Bereich von ungefähr 20 % bis ungefähr 80 % des Flächeninhalts der Hauptfläche des Halbleiter-Die (d.h. des Flächeninhalts innerhalb des Umrisses R), insbesondere in einem Bereich von ungefähr 40 % bis ungefähr 60 % liegen. - In
4D kann ein Halbleiter-Die12 einer beliebigen Art bereitgestellt werden. Eine Höhe B des Halbleiter-Die12 kann kleiner als ungefähr 400 Mikrometer, insbesondere kleiner als ungefähr 150 Mikrometer, insbesondere kleiner als ungefähr 120 Mikrometer, insbesondere kleiner als ungefähr 100 Mikrometer, und mehr insbesondere kleiner als ungefähr 60 Mikrometer bis ungefähr 20 Mikrometer sein. Die dem Die-Befestigungsmaterial14 zugewandte Hauptfläche18 des Halbleiter-Die12 kann eine rechteckige Form, insbesondere eine quadratische Form, aufweisen. Ein Flächeninhalt der Hauptfläche18 kann in einem Bereich von ungefähr 0,5 Quadratmillimeter bis ungefähr 50 Quadratmillimeter, insbesondere von ungefähr 1,5 Quadratmillimeter bis ungefähr 25 Quadratmillimeter liegen. Zum Beispiel kann die Hauptfläche18 einem von einer Silberschicht, einer Goldschicht und einer Siliziumoxidschicht entsprechen. - Der Halbleiter-Die
12 kann mithilfe einer beliebigen geeigneten Technik bereitgestellt werden. Im Beispiel von4D kann der Halbleiter-Die12 mithilfe eines Arms38 bereitgestellt werden, der derart ausgelegt sein kann, dass er den Halbleiter-Die12 hält und ihn in eine beliebige Raumrichtung, insbesondere zum Die-Befestigungsmaterial14 hin, bewegt. In einem Beispiel kann der Arm38 ein Arm eines Bestückungsautomaten (nicht dargestellt) sein. Der Halbleiter-Die 12 kann an eine Position, wie in4D gezeigt, bewegt werden, wobei die Hauptfläche18 des Halbleiter-Die12 im Wesentlichen parallel zu der Die-Montagefläche34 und/oder der oberen Fläche des Die-Befestigungsmaterials14 angeordnet werden kann. - In
4E kann der Halbleiter-Die12 von dem Arm38 freigegeben werden. Die Freigabe von dem Arm38 kann insbesondere durchgeführt werden, wenn die Hauptfläche18 des Halbleiter-Die12 bereits zumindest teilweise das Die-Befestigungsmaterial14 kontaktieren kann. In einem Beispiel kann4E die Anordnung unmittelbar nach dem Befestigen des Halbleiter-Die12 auf dem Die-Befestigungsmaterial14 veranschaulichen. In einem weiteren Beispiel kann4E die Anordnung kurz nach dem Befestigen des Halbleiter-Die12 an dem Die-Befestigungsmaterial14 , zum Beispiel nach nicht mehr als ungefähr 5 Sekunden, insbesondere nach nicht mehr als ungefähr 3 Sekunden, und mehr insbesondere nach nicht mehr als ungefähr 1 Sekunde, veranschaulichen. -
4F veranschaulicht eine obere Draufsicht von4E . Eine erste maximale Erstreckung D1 des Die-Befestigungsmaterials14 über die Kanten der Hauptfläche18 des Halbleiter-Die12 kann kleiner als ungefähr 100 Mikrometer, insbesondere kleiner als ungefähr 80 Mikrometer, insbesondere kleiner als ungefähr 60 Mikrometer und mehr insbesondere kleiner als ungefähr 40 Mikrometer sein. - In
4G kann eine Hohlkehle40 des Die-Befestigungsmaterials14 an einer Seitenfläche16 des Halbleiter-Die12 ausgebildet worden sein. Insbesondere kann4G die Anordnung in einem statischen Zustand veranschaulichen, wobei ein Selbstfluss des Die-Befestigungsmaterials14 beendet sein kann. Die Hohlkehle40 kann daher während eines Selbstflusses des Die-Befestigungsmaterials14 ausgebildet werden. Das Ausbilden der Hohlkehle40 kann (insbesondere ausschließlich) auf einem Kriechen des Die-Befestigungsmaterials14 entlang der Seitenfläche16 des Halbleiter-Die12 in Aufwärtsrichtung basieren. Das heißt, es wird möglicherweise keine zusätzliche Kraft ausgeübt, um den Halbleiter-Die12 in das Die-Befestigungsmaterial14 hineinzudrücken. Das Kriechen des Die-Befestigungsmaterials14 entlang der Seitenfläche16 des Halbleiter-Die12 kann auf einer adhäsiven Kraft zwischen dem Die-Befestigungsmaterial14 und der Seitenfläche16 des Halbleiter-Die12 basieren. Mit anderen Worten kann das Kriechen des Die-Befestigungsmaterials14 auf einer Kapillarwirkung beruhen. Demzufolge kann die Hohlkehle40 eine Form eines Meniskus, insbesondere eines konkaven Meniskus, aufweisen. - Der Abschnitt des Die-Befestigungsmaterials
14 , der zwischen dem Träger10 und dem Halbleiter-Die12 angeordnet ist, kann als Klebefuge (Bondline) bezeichnet werden. Eine Dicke F der Klebefuge kann im Wesentlichen konstant über der Hauptfläche18 des Halbleiter-Die12 sein, aber sie kann aufgrund von Prozessungenauigkeiten natürlich variieren. Ein Durchschnittswert der Klebefugendicke F liegt in einem Bereich von ungefähr 10 Mikrometer bis ungefähr 80 Mikrometer, insbesondere von ungefähr 20 Mikrometer bis ungefähr 50 Mikrometer. In dem Beispiel von4F kann eine am weitesten links befindliche Klebefugendicke FL von einer am weitesten rechts befindlichen Dicke FR der Klebefuge unterschiedlich sein. Eine resultierende Neigung des Halbleiter-Die12 und/oder des Die-Befestigungsmaterials14 (d.h. ein Unterschied FL – FR) kann kleiner sein als ungefähr 15 Mikrometer. -
4H veranschaulicht eine obere Draufsicht auf4G in einem statischen Zustand des Die-Befestigungsmaterials14 . Während des Selbstflusses des Die-Befestigungsmaterials14 und des Kriechens des Die-Befestigungsmaterials14 , wie vorstehend beschrieben, können sich Abschnitte des Die-Befestigungsmaterials14 weiter über die Kanten der Hauptfläche18 des Halbleiter-Die12 erstrecken. Eine zweite maximale Erstreckung D2 des Die-Befestigungsmaterials14 über die Kanten der Hauptfläche18 des Halbleiter-Die12 kann kleiner als ungefähr 200 Mikrometer, insbesondere kleiner als ungefähr 150 Mikrometer und mehr insbesondere kleiner als 100 Mikrometer sein. Insbesondere kann die zweite maximale Erstreckung D2 größer gleich der ersten maximalen Erstreckung D1 sein. Die zweite maximale Erstreckung D2 von4H kann der maximalen Erstreckung D von1 entsprechen. - Es können Abschnitte der Kanten der Hauptfläche
18 vorhanden sein, an denen sich das Die-Befestigungsmaterial14 nicht über die Kanten erstreckt. Im Beispiel von4G erstreckt sich das Die-Befestigungsmaterial14 möglicherweise nicht über die Kanten der Hauptfläche18 an drei Ecken (unten links, unten rechts, oben rechts) der Hauptfläche18 . Das Die-Befestigungsmaterial14 kann sich über die Kanten der Hauptfläche18 des Halbleiter-Die12 an mehr als ungefähr 50 % der Gesamtlänge der Kanten, insbesondere an mehr als ungefähr 75 % der Gesamtlänge der Kanten, insbesondere an mehr als ungefähr 90 % der Gesamtlänge der Kanten und mehr insbesondere an mehr als ungefähr 95 % der Gesamtlänge der Kanten erstrecken. Unter Bezugnahme auf das Beispiel von1B kann sich das Die-Befestigungsmaterial14 über die Kanten der Hauptfläche18 an 100 % der Gesamtlänge der Kanten, d.h. an jeder Position der Kanten, erstrecken. - Das Verfahren von
4A bis4H kann weitere Vorgänge umfassen, die der Einfachheit halber nicht dargestellt sind. Zum Beispiel kann das Verfahren einen weiteren Vorgang umfassen, in dem das Die-Befestigungsmaterial14 gehärtet werden kann, nachdem der statische Zustand des Die-Befestigungsmaterials14 erreicht wurde. Ein Härten des Die-Befestigungsmaterials14 kann z.B. auf einem Härtungsprozess basieren. Eine Härtungszeit kann in einem Bereich von ungefähr 10 Minuten bis ungefähr 3 Stunden liegen, und eine Härtungstemperatur kann in einem Bereich von ungefähr 100 Grad Celsius bis ungefähr300 Grad Celsius liegen. Des Weiteren können eine oder mehrere Komponenten der Anordnung in ein Kapselungsmaterial eingebettet werden, das mindestens eines von einem Laminat, einem Epoxid, einem gefüllten Epoxid, einem Glasfaser-gefüllten Epoxid, einem Imid, einem Thermoplast, einem Duroplast-Polymer, einer Polymermischung umfassen kann. Unter Bezugnahme auf4G , kann ein Kapselungsmaterial insbesondere über dem Halbleiter-Die12 , dem Die-Befestigungsmaterial14 und der Die-Montagefläche34 abgeschieden werden. - Bauelemente und Verfahren gemäß der Offenbarung können die folgenden Wirkungen und/oder Vorteile im Vergleich mit anderen Bauelementen und Verfahren bereitstellen. Die aufgelisteten Wirkungen sind weder ausschließend noch beschränkend.
- Gemäß der Offenbarung kann die maximale Erstreckung des Die-Befestigungsmaterials über die Kanten der Hauptfläche des Halbleiter-Die reduziert werden. Dementsprechend können größere Halbleiter-Dies auf einer gegebenen Größe des Trägers angeordnet werden. Außerdem kann die Menge des erforderlichen Die-Befestigungsmaterials reduziert werden. Außerdem kann eine Kontaminierung, die durch einen Überlauf des Die-Befestigungsmaterials verursacht wird, reduziert werden. Des Weiteren kann ein Risiko einer Schichtablösung eines Kapselungsmaterials von dem Die-Befestigungsmaterial reduziert werden.
- Gemäß der Offenbarung kann ein Überlauf des Die-Befestigungsmaterials auf die obere Hauptfläche des Halbleiter-Die unterdrückt werden. Dementsprechend kann ein Risiko, dass das Die-Befestigungsmaterial die Bonddrahtverbindungen auf der oberen Hauptfläche des Halbleiter-Die beschädigt, reduziert werden. Des Weiteren kann ein Risiko von Kurzschlüssen auf der oberen Hauptfläche des Halbleiter-Die reduziert werden. Halbleiter-Dies mit einer reduzierten Höhe können daher sicher an Trägern befestigt werden. Bauelemente gemäß der Offenbarung können eine verbesserte Bauelementzuverlässigkeit bereitstellen.
- Gemäß der Offenbarung kann eine verbesserte Gleichförmigkeit der Klebefugendicke bereitgestellt werden. Außerdem kann eine Hohlraummenge in der Klebefuge reduziert werden.
- Wie in dieser Beschreibung verwendet, müssen die Begriffe „verbunden“, „gekoppelt“, „elektrisch verbunden“ und/oder „elektrisch gekoppelt“ nicht notwendigerweise bedeuten, dass Elemente direkt miteinander verbunden oder gekoppelt sein müssen. Zwischenelemente können zwischen den „verbundenen“, „gekoppelten“, „elektrisch verbundenen“ oder „elektrisch gekoppelten“ Elementen vorgesehen werden.
- Außerdem kann das Wort „über“, das z.B. in Bezug auf eine „über“ einer Fläche eines Objekts ausgebildete oder angeordnete Materialschicht verwendet wird, hier in der Bedeutung verwendet werden, dass die Materialschicht „unmittelbar auf“, z.B. in direktem Kontakt mit, der betreffenden Fläche angeordnet (z.B. ausgebildet, abgeschieden usw.) werden kann. Das Wort „über“, das z.B. in Bezug auf eine „über“ einer Fläche ausgebildete oder angeordnete Materialschicht verwendet wird, kann hier auch in der Bedeutung verwendet werden, dass die Materialschicht „indirekt auf“ der betreffenden Fläche angeordnet (z.B. ausgebildet, abgeschieden usw.) werden kann, wobei z.B. eine oder mehrere zusätzliche Schichten zwischen der betreffenden Fläche und der Materialschicht angeordnet werden.
- Außerdem sollen, sofern die Begriffe „aufweisen“ „enthalten“, „einschließlich“, „mit“ oder Abwandlungen davon entweder in der ausführlichen Beschreibung oder den Ansprüchen verwendet werden, derartige Begriffe auf eine ähnliche Weise wie der Begriff „umfassen“ inklusiv sein. Das heißt, die Begriffe „aufweisen“, „enthalten“, „einschließlich“, „mit“, „umfassen“ und dergleichen sind, wie hier verwendet, offene Begriffe, die das Vorhandensein von genannten Elementen oder Merkmalen anzeigen, aber zusätzliche Elemente oder Merkmale nicht ausschließen. Die Artikel „ein“ und „der“/„die“/„das“ sollen sowohl Pluralformen als auch Singularformen umfassen, sofern nicht eindeutig anders vom Kontext angegeben.
- Des Weiteren wird das Wort „beispielhaft“ hier in der Bedeutung als ein Beispiel, eine Instanz oder Veranschaulichung dienend verwendet. Jeder Aspekt oder jede Ausgestaltung, der/die hier als „beispielhaft“ beschrieben ist, ist nicht notwendigerweise als vorteilhaft gegenüber anderen Aspekten oder Ausgestaltungen zu verstehen. Vielmehr soll der Gebrauch des Wortes „beispielhaft“ Konzepte auf eine konkrete Art und Weise präsentieren. Der in dieser Anmeldung verwendete Begriff „oder“ soll ein inklusives „oder“, und nicht ein exklusives „oder“ bedeuten. Das heißt, „X setzt A oder B ein“ soll jede der natürlichen inklusiven Permutationen umfassen, sofern nicht anders angegeben oder aus dem Kontext ersichtlich. Das heißt, wenn X A einsetzt, X B einsetzt, oder X sowohl A als auch B einsetzt, dann ist „X setzt A oder B ein“ in jedem der vorhergehenden Fälle erfüllt. Außerdem können die in dieser Anmeldung und den beigefügten Ansprüchen verwendeten Artikel „ein“, „eine“, „einer“ allgemein als „ein oder mehrere“ verstanden werden, sofern nicht anders angegeben oder aus dem Kontext ersichtlich, dass sie sich auf eine Singularform beziehen. Außerdem bedeutet mindestens eines von A und B oder dergleichen im Allgemeinen A oder B oder sowohl A als auch B.
- Bauelemente und Verfahren zum Herstellen von Bauelementen sind hier beschrieben. Kommentare, die in Verbindung mit einem beschriebenen Bauelement geäußert werden, können auch für ein entsprechendes Verfahren wahr sein, und umgekehrt. Wenn zum Beispiel eine bestimmte Komponente eines Bauelements beschrieben wird, kann ein entsprechendes Verfahren zum Herstellen des Bauelements einen Vorgang zum Bereitstellen der Komponente auf eine geeignete Weise umfassen, auch wenn ein derartiger Vorgang nicht explizit beschrieben oder in den Figuren dargestellt ist. Außerdem können die Merkmale der verschiedenen hier beschriebenen beispielhaften Aspekte miteinander kombiniert werden, sofern nicht anders spezifiziert.
- Obwohl die Offenbarung unter Bezugnahme auf eine oder mehrere Implementierungen gezeigt und beschrieben wurde, werden einem Fachmann äquivalente Abwandlungen und Modifikationen zumindest teilweise auf der Grundlage einer Lektüre und eines Verständnisses dieser Beschreibung und der beigefügten Zeichnungen in den Sinn kommen. Die Offenbarung umfasst alle solche Modifikationen und Abwandlungen und ist lediglich durch das Konzept der nachstehenden Ansprüche beschränkt. Insbesondere im Hinblick auf die verschiedenen Funktionen, die durch die vorstehend beschriebenen Komponenten (z.B. Elemente, Einrichtungen usw.) ausgeführt werden, sollen die Begriffe, die zum Beschreiben derartiger Komponenten verwendet werden, einer beliebigen, sofern nicht anders angegeben, Komponente entsprechen, die die bestimmte Funktion der beschriebenen Komponente ausführt (z.B. die funktionell äquivalent ist), auch wenn sie der offenbarten Struktur, die die Funktion in den hier veranschaulichen Beispielimplementierungen der Offenbarung ausführt, strukturell nicht äquivalent ist. Obwohl ein bestimmtes Merkmal der Offenbarung möglicherweise in Bezug auf lediglich eine oder auf mehrere Implementierungen offenbart wurde, kann außerdem ein derartiges Merkmal mit einem oder mehreren anderen Merkmalen der anderen Implementierungen kombiniert werden, wie es für eine gegebene oder besondere Anwendung erwünscht oder vorteilhaft sein kann.
Claims (20)
- Halbleiterbauelement, umfassend: einen Träger, einen Halbleiter-Die, und ein Die-Befestigungsmaterial, das zwischen dem Träger und dem Halbleiter-Die angeordnet ist, wobei eine Hohlkehlhöhe des Die-Befestigungsmaterials kleiner ist als ungefähr 95 % einer Höhe des Halbleiter-Die, und eine maximale Erstreckung des Die-Befestigungsmaterials über die Kanten einer dem Die-Befestigungsmaterial zugewandten Hauptfläche des Halbleiter-Die kleiner ist als ungefähr 200 Mikrometer.
- Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei das Die-Befestigungsmaterial eine Hohlkehle an einer Seitenfläche des Halbleiter-Die ausbildet, wobei die Hohlkehlhöhe die Höhe des Abschnitts der Seitenfläche ist, der mit dem Die-Befestigungsmaterial bedeckt ist.
- Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Hohlkehle eine Form eines Meniskus aufweist.
- Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Höhe des Halbleiter-Die kleiner ist als ungefähr 400 Mikrometer.
- Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine durchschnittliche Klebefugendicke des Die-Befestigungsmaterials in einem Bereich von ungefähr 10 Mikrometer bis ungefähr 80 Mikrometer liegt.
- Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Neigung des Halbleiter-Die oder des Die-Befestigungsmaterials kleiner ist als ungefähr 15 Mikrometer.
- Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei sich das Die-Befestigungsmaterial über die Kanten der dem Die-Befestigungsmaterial zugewandten Hauptfläche des Halbleiter-Die an mehr als ungefähr 50 % der Gesamtlänge der Kanten erstreckt.
- Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine thermische Leitfähigkeit des Die-Befestigungsmaterials größer ist als ungefähr 0,5 W/(m∙K).
- Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Die-Befestigungsmaterial mindestens eines von einer Klebepaste, einer leitfähigen Klebepaste, einer leitfähigen Silberklebepaste, einem Lotmaterial, einer Lotpaste, einer Sinterpaste umfasst.
- Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Die-Befestigungsmaterial ein Polymermaterial und mindestens eines von elektrisch leitfähigen und thermisch leitfähigen Füllpartikeln umfasst.
- Halbleiterbauelement nach Anspruch 10, wobei die Füllpartikeln mindestens eines von Silber, Kupfer, Nickel, Gold, Aluminium, Mischsystemen davon umfassen.
- Halbleiterbauelement nach Anspruch 10 oder 11, wobei die Füllpartikeln mindestens eines von Siliziumdioxid, Aluminiumoxid, Tonerde, Bornitrid, Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Mischsystemen davon umfassen.
- Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Träger mindestens eines von einem Lead, einem Die-Pad, einem Leiterrahmen, einer gedruckten Leiterplatte, einer Keramik, einer mit einem Metall plattierten Keramik, einem Substrat, einem elektronischen Leistungssubstrat umfasst.
- Verfahren, umfassend: Bereitstellen eines Trägers, Abscheiden eines Die-Befestigungsmaterials auf dem Träger, und Anordnen eines Halbleiter-Die auf dem Die-Befestigungsmaterial, wobei eine dem Die-Befestigungsmaterial zugewandte Hauptfläche des Halbleiter-Die zumindest teilweise das Die-Befestigungsmaterial kontaktiert, wobei unmittelbar nach dem Anordnen des Halbleiter-Die auf dem Die-Befestigungsmaterial eine erste maximale Erstreckung des Die-Befestigungsmaterials über die Kanten der Hauptfläche kleiner ist als ungefähr 100 Mikrometer.
- Verfahren nach Anspruch 14, ferner umfassend: Ausbilden einer Hohlkehle des Die-Befestigungsmaterials an einer Seitenfläche des Halbleiter-Die, wobei das Ausbilden der Hohlkehle auf einem Kriechen des Die-Befestigungsmaterials entlang der Seitenfläche des Halbleiter-Die basiert.
- Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, wobei das Kriechen des Die-Befestigungsmaterials auf einer adhäsiven Kraft zwischen dem Die-Befestigungsmaterial und dem Halbleiter-Die basiert.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, ferner umfassend: nach dem Anordnen des Halbleiter-Die auf dem Die-Befestigungsmaterial, weiteres Erstrecken des Die-Befestigungsmaterials über die Kanten der Hauptfläche, wobei eine zweite maximale Erstreckung des Die-Befestigungsmaterials über die Kanten der Hauptfläche kleiner ist als ungefähr 200 Mikrometer.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 17, das ferner ein Härten des Die-Befestigungsmaterials umfasst, wobei eine Härtungszeit in einem Bereich von ungefähr 10 Minuten bis ungefähr 3 Stunden liegt, und eine Härtungstemperatur in einem Bereich von ungefähr 100 Grad Celsius bis ungefähr 300 Grad Celsius liegt.
- Verfahren, umfassend: Bereitstellen eines Trägers, Abscheiden eines Die-Befestigungsmaterials auf dem Träger, Anordnen eines Halbleiter-Die auf dem Die-Befestigungsmaterial, und Ausbilden einer Hohlkehle des Die-Befestigungsmaterials an einer Seitenfläche des Halbleiter-Die, wobei das Ausbilden der Hohlkehle ausschließlich auf einem Kriechen des Die-Befestigungsmaterials entlang der Seitenfläche des Halbleiter-Die basiert.
- Verfahren nach Anspruch 19, ferner umfassend: Ausbilden von Abschnitten des Die-Befestigungsmaterials, die sich über die Kanten einer dem Die-Befestigungsmaterial zugewandten Hauptfläche des Halbleiter-Die erstrecken, wobei eine maximale Erstreckung des Die-Befestigungsmaterials über die Kanten der Hauptfläche kleiner ist als ungefähr 200 Mikrometer.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102016114463.0A DE102016114463B4 (de) | 2016-08-04 | 2016-08-04 | Die-befestigungsverfahren und halbleiterbauelemente, die auf der grundlage solcher verfahren hergestellt werden |
US15/663,956 US10396015B2 (en) | 2016-08-04 | 2017-07-31 | Die attach methods and semiconductor devices manufactured based on such methods |
CN201710650631.1A CN107689357B (zh) | 2016-08-04 | 2017-08-02 | 芯片附接方法和基于这种方法制造的半导体装置 |
KR1020170098582A KR20180016307A (ko) | 2016-08-04 | 2017-08-03 | 다이 부착 방법 및 그러한 방법에 기초하여 제조된 반도체 디바이스 |
US16/518,351 US10832992B2 (en) | 2016-08-04 | 2019-07-22 | Die attach methods and semiconductor devices manufactured based on such methods |
KR1020190150223A KR20190132330A (ko) | 2016-08-04 | 2019-11-21 | 다이 부착 방법 및 그러한 방법에 기초하여 제조된 반도체 디바이스 |
US17/036,271 US11296015B2 (en) | 2016-08-04 | 2020-09-29 | Die attach methods and semiconductor devices manufactured based on such methods |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102016114463.0A DE102016114463B4 (de) | 2016-08-04 | 2016-08-04 | Die-befestigungsverfahren und halbleiterbauelemente, die auf der grundlage solcher verfahren hergestellt werden |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102016114463A1 true DE102016114463A1 (de) | 2018-02-08 |
DE102016114463B4 DE102016114463B4 (de) | 2019-10-17 |
Family
ID=60996484
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102016114463.0A Active DE102016114463B4 (de) | 2016-08-04 | 2016-08-04 | Die-befestigungsverfahren und halbleiterbauelemente, die auf der grundlage solcher verfahren hergestellt werden |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10396015B2 (de) |
KR (2) | KR20180016307A (de) |
CN (1) | CN107689357B (de) |
DE (1) | DE102016114463B4 (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102016114463B4 (de) * | 2016-08-04 | 2019-10-17 | Infineon Technologies Ag | Die-befestigungsverfahren und halbleiterbauelemente, die auf der grundlage solcher verfahren hergestellt werden |
US10825781B2 (en) * | 2018-08-01 | 2020-11-03 | Nxp B.V. | Semiconductor device with conductive film shielding |
CN111063810B (zh) * | 2018-10-16 | 2021-11-12 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 发光装置及其制备方法 |
US10770422B2 (en) * | 2018-12-29 | 2020-09-08 | Micron Technology, Inc. | Bond chucks having individually-controllable regions, and associated systems and methods |
US10770421B2 (en) | 2018-12-29 | 2020-09-08 | Micron Technology, Inc. | Bond chucks having individually-controllable regions, and associated systems and methods |
WO2021149637A1 (ja) * | 2020-01-23 | 2021-07-29 | ローム株式会社 | 電子装置および電子装置の製造方法 |
US11887921B2 (en) | 2020-08-28 | 2024-01-30 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method of producing semiconductor devices and corresponding semiconductor device |
CN116997999A (zh) * | 2021-03-15 | 2023-11-03 | 罗姆股份有限公司 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003063239A2 (en) * | 2002-01-18 | 2003-07-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling die attach fillet height to reduce die shear stress |
US20080265439A1 (en) * | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Die bonding agent and a semiconductor device made by using the same |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US396015A (en) * | 1889-01-08 | Method of electric riveting | ||
JPH11176849A (ja) | 1997-12-05 | 1999-07-02 | Mitsui High Tec Inc | 半導体装置の製造方法 |
US6426552B1 (en) * | 2000-05-19 | 2002-07-30 | Micron Technology, Inc. | Methods employing hybrid adhesive materials to secure components of semiconductor device assemblies and packages to one another and assemblies and packages including components secured to one another with such hybrid adhesive materials |
WO2002080268A1 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-10 | Infineon Technologies Ag | A substrate for mounting a semiconductor chip |
JP4963148B2 (ja) * | 2001-09-18 | 2012-06-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2003188212A (ja) | 2001-10-11 | 2003-07-04 | Dt Circuit Technology Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US20040262781A1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-12-30 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method for forming an encapsulated device and structure |
US7456050B2 (en) * | 2003-07-01 | 2008-11-25 | Stmicroelectronics, Inc. | System and method for controlling integrated circuit die height and planarity |
SG153627A1 (en) * | 2003-10-31 | 2009-07-29 | Micron Technology Inc | Reduced footprint packaged microelectronic components and methods for manufacturing such microelectronic components |
JP5018117B2 (ja) | 2007-02-15 | 2012-09-05 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 電子部品の実装方法 |
JP2012060020A (ja) | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体チップ実装体の製造方法及び半導体装置 |
US8252631B1 (en) * | 2011-04-28 | 2012-08-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for integrated circuit packages using materials with low melting point |
JP6024200B2 (ja) * | 2012-05-18 | 2016-11-09 | 富士電機機器制御株式会社 | 表面実装基板への電子部品実装方法 |
JP5851952B2 (ja) | 2012-07-19 | 2016-02-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US9196602B2 (en) * | 2013-05-17 | 2015-11-24 | Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited | High power dielectric carrier with accurate die attach layer |
JP5854062B2 (ja) | 2014-02-03 | 2016-02-09 | 住友ベークライト株式会社 | 熱伝導性シートおよび半導体装置 |
US10205069B2 (en) * | 2014-07-31 | 2019-02-12 | Bridgelux Inc. | LED array package |
US10516085B2 (en) * | 2014-08-21 | 2019-12-24 | Luminus, Inc. | Devices and methods including an LED and reflective die attach material |
KR101680428B1 (ko) | 2014-10-10 | 2016-11-28 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 ncf 및 이의 제조 방법, ncf를 이용한 반도체 패키지 제조 방법 |
DE102016114463B4 (de) * | 2016-08-04 | 2019-10-17 | Infineon Technologies Ag | Die-befestigungsverfahren und halbleiterbauelemente, die auf der grundlage solcher verfahren hergestellt werden |
-
2016
- 2016-08-04 DE DE102016114463.0A patent/DE102016114463B4/de active Active
-
2017
- 2017-07-31 US US15/663,956 patent/US10396015B2/en active Active
- 2017-08-02 CN CN201710650631.1A patent/CN107689357B/zh active Active
- 2017-08-03 KR KR1020170098582A patent/KR20180016307A/ko active Application Filing
-
2019
- 2019-07-22 US US16/518,351 patent/US10832992B2/en active Active
- 2019-11-21 KR KR1020190150223A patent/KR20190132330A/ko not_active Application Discontinuation
-
2020
- 2020-09-29 US US17/036,271 patent/US11296015B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003063239A2 (en) * | 2002-01-18 | 2003-07-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling die attach fillet height to reduce die shear stress |
US20080265439A1 (en) * | 2007-04-26 | 2008-10-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Die bonding agent and a semiconductor device made by using the same |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JP 2012-060020 A * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190348347A1 (en) | 2019-11-14 |
US20210013132A1 (en) | 2021-01-14 |
US11296015B2 (en) | 2022-04-05 |
US10832992B2 (en) | 2020-11-10 |
CN107689357B (zh) | 2021-01-22 |
US20180040530A1 (en) | 2018-02-08 |
CN107689357A (zh) | 2018-02-13 |
KR20190132330A (ko) | 2019-11-27 |
US10396015B2 (en) | 2019-08-27 |
KR20180016307A (ko) | 2018-02-14 |
DE102016114463B4 (de) | 2019-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102016114463B4 (de) | Die-befestigungsverfahren und halbleiterbauelemente, die auf der grundlage solcher verfahren hergestellt werden | |
DE102013103085B4 (de) | Mehrfachchip-Leistungshalbleiterbauteil | |
DE102013015942B4 (de) | Halbleiterbrückenschaltung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterbrückenschaltung | |
DE102014113238B4 (de) | Elektronische Leistungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Leistungsvorrichtung | |
DE102009032995B4 (de) | Gestapelte Halbleiterchips | |
DE102014103773B4 (de) | Mehrchip-Halbleiter-Leistungsbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE102009025570B4 (de) | Elektronische Anordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE102014102006B4 (de) | Halbleitermodul | |
DE102012100243B4 (de) | Anordnung mit drei Halbleiterchips und Herstellung einer solchen Anordnung | |
DE102009039227B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
DE102010037439B4 (de) | Bauelement mit einem Halbleiterchip und einem Träger und Fabrikationsverfahren | |
DE102012110494A1 (de) | Vorrichtung umfassend zwei Leistungshalbleiterchips und Herstellungsverfahren dafür | |
DE102011000751A1 (de) | Halbleiter-Bauelement mit einem einen Hohlraum aufweisenden Träger und Herstellungsverfahren | |
DE102015115999B4 (de) | Elektronische Komponente | |
DE10003671A1 (de) | Halbleiter-Bauelement | |
DE102012105929A1 (de) | Halbleiter-Bauelement mit einem Kontaktclip mit Vorsprüngen und Herstellung davon | |
DE102007025950A1 (de) | Halbleitervorrichtung und ihr Herstellungsverfahren | |
DE102009006152A1 (de) | Elektronikbauelement und Verfahren zur Herstellung des Elektronikbauelements | |
DE102011113269A1 (de) | Halbleitermodul und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE102014109909A1 (de) | Chipbaugruppe mit eingebetteter passiver Komponente | |
DE102013108354A1 (de) | Elektronikbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Elektronikbauelements | |
DE102008039389A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE102014112411A1 (de) | Eingekapselte Halbleitervorrichtung | |
DE102013103920B4 (de) | Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Verwenden eines B-Zustand härtbaren Polymers | |
DE102015101146A1 (de) | Halbleitervorrichtung mit mehreren Kontaktclips |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R082 | Change of representative |