DE102009006152A1 - Elektronikbauelement und Verfahren zur Herstellung des Elektronikbauelements - Google Patents
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- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/37001—Core members of the connector
- H01L2224/37099—Material
- H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
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- H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/37001—Core members of the connector
- H01L2224/37099—Material
- H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/37117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/37124—Aluminium [Al] as principal constituent
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- H01L2224/37001—Core members of the connector
- H01L2224/37099—Material
- H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/37147—Copper [Cu] as principal constituent
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- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
- H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
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- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/731—Location prior to the connecting process
- H01L2224/73151—Location prior to the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73153—Bump and layer connectors
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73219—Layer and TAB connectors
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73221—Strap and wire connectors
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- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83399—Material
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83399—Material
- H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/83439—Silver [Ag] as principal constituent
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- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83399—Material
- H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/83447—Copper [Cu] as principal constituent
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83399—Material
- H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/83455—Nickel [Ni] as principal constituent
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- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83399—Material
- H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/8346—Iron [Fe] as principal constituent
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
- H01L2224/8382—Diffusion bonding
- H01L2224/83825—Solid-liquid interdiffusion
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
- H01L2224/848—Bonding techniques
- H01L2224/84801—Soldering or alloying
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
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Abstract
Ein Elektronikbauelement und ein Verfahren zur Herstellung des Elektronikbauelements werden beschrieben. Eine Ausführungsform beinhaltet das Anbringen eines ersten Halbleiterchips (10) an einen ersten metallischen Clip (11). Der erste Halbleiterchip (10) wird nach dem Anbringen des ersten Halbleiterchips (10) an den ersten metallischen Clip (11) über einem Systemträger (13) platziert.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Elektronikbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung.
- Elektronikbauelemente können Träger enthalten, auf denen Halbleiterchips platziert werden können. Weiterhin können Elektronikbauelemente elektrisch leitende Einrichtungen wie etwa metallische Clips enthalten, um eine elektrische Kopplung zwischen den Komponenten des Bauelements bereitzustellen.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Bauelement zu schaffen, bei dem Halbleiterchip, Träger und metallischer Clip in vorteilhafter Weise angeordnet sind. Ferner soll ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Bauelements angegeben werden.
- Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
- Die beiliegenden Zeichnungen sind aufgenommen, um ein eingehenderes Verständnis von Ausführungsformen zu vermitteln, und sind in diese Spezifikation aufgenommen und stellen einen Teil dieser dar. Die Zeichnungen veranschaulichen Ausführungsformen und dienen zusammen mit der Beschreibung der Erläuterung von Prinzipien von Ausführungsformen. Andere Ausführungsformen und viele der damit einhergehenden Vorteile von Ausführungsformen lassen sich ohne weiteres verstehen, wenn sie durch Bezugnahme auf die folgende ausführliche Beschreibung besser verstanden werden. Die Elemente der Zeichnungen sind relativ zueinander nicht notwendigerweise maß stabsgetreu. Gleiche Bezugszahlen bezeichnen entsprechende ähnliche Teile.
- Die
1A bis1C zeigen schematisch eine Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen eines Bauelements. - Die
2A bis2E zeigen schematisch eine Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen eines Bauelements. - Die
3A bis3G zeigen schematisch eine Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen eines Bauelements. -
4 zeigt eine Grundschaltung einer Halbbrücke. - Die
5A bis5C zeigen schematisch eine Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen des Bauelements. - In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beiliegenden Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil hiervon bilden und in denen als Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung praktiziert werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „Oberseite", „Unterseite", „Vorderseite", „Rückseite", „vorderer", „hinterer" usw. unter Bezugnahme auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Weil Komponenten von Ausführungsformen in einer Reihe verschiedener Orientierungen positioniert sein können, wird die Richtungsterminologie zu Zwecken der Darstellung verwendet und ist in keinerlei Weise beschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einem beschränkenden Sinne zu verstehen, und der Schutzbereich der vorliegenden Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert.
- Es versteht sich, dass die Merkmale der verschiedenen hierin beschriebenen Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch etwas anderes angegeben ist.
- Bauelemente mit Halbleiterchips werden unten beschrieben. Die Halbleiterchips können von extrem verschiedenen Arten sein und können beispielsweise integrierte elektrische oder elektrooptische Schaltungen enthalten. Die Halbleiterchips können beispielsweise als Leistungshalbleiterchips wie etwa Leistungstransistoren, Leistungsdioden oder IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) konfiguriert sein. Weiterhin können die Halbleiterchips Steuerschaltungen, Mikroprozessoren oder mikroelektromechanische Komponenten enthalten. Bei einer Ausführungsform können Halbleiterchips mit einer vertikalen Struktur beteiligt sein, das heißt, dass die Halbleiterchips auf derartige Weise hergestellt sein können, dass elektrische Ströme in einer Richtung senkrecht zu den Hauptoberflächen der Halbleiterchips fließen können. Ein Halbleiterchip mit einer vertikalen Struktur kann bei einer Ausführungsform Kontaktelemente auf seinen beiden Hauptoberflächen aufweisen, das heißt auf seiner Oberseite und Unterseite. Bei einer Ausführungsform können Leistungstransistoren, Leistungsdioden und IGBTs eine vertikale Struktur besitzen. Beispielhaft können sich die Source-Elektrode und die Gate-Elektrode eines Leistungstransistors und die Anodenelektrode einer Leistungsdiode auf einer Hauptoberfläche befinden, während die Drain-Elektrode des Leistungstransistors und die Katodenelektrode der Leistungsdiode auf der anderen Hauptoberfläche angeordnet sind. Eine Leistungsdiode kann in einer Ausführungsform als eine Schottky-Diode verkörpert sein. Weiterhin können die unten beschriebenen Bauelemente integrierte Schaltungen zum Steuern der integrierten Schaltungen von anderen Halbleiterchips enthalten, beispielsweise der integrierten Schaltungen von Leistungstransistoren oder Leistungsdioden. Die Halbleiterchips brauchen nicht aus einem spezifischen Halbleitermaterial hergestellt sein, beispielsweise Si, SiC, SiGe, GaAs, und können weiterhin anorganische und/oder organische Materi alien enthalten, die keine Halbleiter sind, wie etwa beispielsweise Isolatoren, Kunststoffe oder Metalle. Zudem können die Halbleiterchips gekapselt oder ungekapselt sein.
- Die Halbleiterchips besitzen Elektroden (oder Kontaktpads), die das Herstellen eines elektrischen Kontakts mit den in den Halbleiterchips enthaltenen integrierten Schaltungen gestatten. Eine oder mehrere Metallschichten können auf den Elektroden der Halbleiterchips aufgebracht sein. Die Metallschichten können mit einer beliebigen gewünschten geometrischen Gestalt und einer beliebigen gewünschten Materialzusammensetzung hergestellt werden. Die Metallschichten können beispielsweise in Form einer einen Bereich bedeckenden Schicht vorliegen. Als das Material kann jedes gewünschte Metall oder jede gewünschte Metalllegierung verwendet werden, beispielsweise Aluminium, Titan, Gold, Silber, Kupfer, Palladium, Platin, Nickel, Chrom oder Nickel-Vanadium. Die Metallschichten brauchen nicht homogen oder aus nur einem Material hergestellt zu sein, das heißt, verschiedene Zusammensetzungen und Konzentrationen der in den Metallschichten enthaltenen Materialien sind möglich.
- Die Halbleiterchips können auf Trägern montiert sein. Die Träger können von beliebiger Gestalt oder Größe oder aus einem beliebigen Material sein. Während der Fabrikation der Bauelemente kann der Träger derart bereitgestellt werden, dass andere Träger in der Nähe angeordnet sind und durch Verbindungseinrichtungen mit dem Träger verbunden sind, mit dem Zweck, die Träger zu trennen. Der Träger kann aus Metallen oder Metalllegierungen hergestellt sein, bei einer Ausführungsform Kupfer, Kupferlegierungen, Eisen-Nickel, Aluminium, Aluminiumlegierungen oder anderen Materialien. Er kann weiterhin elektrisch leitend sein. Zudem können die Träger mit einem elektrisch leitenden Material elektrochemisch beschichtet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Eisen-Nickel oder Nickel-Phosphor. Der Träger kann beispielsweise ein Systemträger (Leadframe) oder ein Teil eines Systemträgers wie etwa ein Die-Pad (Chipträger) oder ein metallischer Clip (Bügel) oder irgendein anderes starres Substrat sein. Der Träger oder ein Teil davon kann gebogen sein, zum Beispiel auf S-förmige Weise. Dadurch kann der Träger zwei Oberflächen mit verschiedenen Höhen verbinden.
- Die Halbleiterchips und die Träger, wie etwa Systemträger oder metallische Clips oder andere geeignete Substrate, können durch Löten verbunden werden. Löten ist ein Prozess, bei dem zwei oder mehr Gegenstände wie etwa Metallgegenstände durch Schmelzen und Fließen eines Lötmaterials in die Fuge miteinander verbunden werden. Um die Halbleiterchips an die Träger zu löten, kann Lötmaterial auf den Halbleiterchips, bei einer Ausführungsform auf einer oder mehreren Elektroden der Halbleiterchips, oder auf den Trägern abgeschieden werden. Wenn als Verbindungstechnik zum Verbinden der Halbleiterchips mit den Trägern Diffusionslöten verwendet wird, werden Lötmaterialien verwendet, die nach dem Ende der Lötoperation an der Grenzfläche zwischen dem Halbleiterchip und dem Träger aufgrund von Grenzflächendiffusionsprozessen zu intermetallischen Phasen führen. In diesem Fall ist der Einsatz von AuSn-, AgSn-, CuSn-, Sn-, AuIn-, AgIn-, AuSi- oder CuIn-Loten denkbar.
- Wenn ein Weichlötprozess zum Verbinden der Halbleiterchips und der Träger miteinander verwendet wird, bleibt Lötmaterial an der Grenzfläche zwischen dem Halbleiterchip und dem Träger nach der Beendigung des Lötprozesses zurück.
- Wenn die Halbleiterchips adhäsiv an die Träger gebondet werden, ist es möglich, elektrisch leitende Kleber zu verwenden, die auf gefüllten oder ungefüllten Polyimiden, Epoxidharzen, Acrylatharzen, Siliconharzen oder Mischungen davon basieren können und die mit Gold, Silber, Nickel oder Kupfer angereichert sein können, um eine elektrische Leitfähigkeit herzustellen.
- Die Bauelemente können ein Formmaterial (Moldmaterial) enthalten, das mindestens Teile der Komponenten der Bauelemente bedeckt. Das Formmaterial kann ein beliebiges angemessenes thermoplastisches oder wärmehärtendes Material sein. Verschiedene Techniken können verwendet werden, um die Komponenten mit dem Formmaterial zu bedecken, beispielsweise Formpressen oder Spritzgießen.
- Die
1A bis1C zeigen schematisch ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements100 . Ein Querschnitt durch das durch das Verfahren erhaltene Bauelement100 ist in1C dargestellt. Zuerst werden ein erster Halbleiterchip10 und ein erster metallischer Clip11 bereitgestellt (siehe1A ). Dann wird der Halbleiterchip10 an dem metallischen Clip11 angebracht (siehe1B ). Falls ein Diffusionslötprozess durchgeführt wird, um den Halbleiterchip10 an den metallischen Clip11 anzubringen, bleiben kein Lötmaterial oder nur Spuren von Lötmaterial zwischen den zwei Komponenten nach dem Fertigstellen des Lötprozesses zurück. Statt dessen wird durch den Diffusionslötprozess an der Grenzfläche zwischen dem Halbleiterchip10 und dem metallischen Clip11 eine intermetallische Phase12 erzeugt. Der Diffusionslötprozess kann eine elektrische Kopplung zwischen dem Halbleiterchip10 und dem metallischen Clip11 herstellen. - Nach dem Anbringen des Halbleiterchips
10 an den metallischen Clip11 kann der Halbleiterchip10 über einem Träger13 platziert werden, beispielsweise einem Systemträger oder einem Die-Pad des Systemträgers. Die Verbindung zwischen dem Halbleiterchip10 und dem Träger13 kann durch einen Weichlötprozess oder einen Klebeprozess hergestellt werden, was dazu führt, dass Lötmaterial14 oder Klebematerial14 zwischen den beiden Komponenten verbleibt. - Die
2A bis2E zeigen schematisch ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements200 , von dem ein Querschnitt in2E gezeigt ist. Das in2A bis2E gezeigte Ver fahren ist eine Weiterentwicklung des in1A bis1C gezeigten Verfahrens. Die Einzelheiten des Herstellungsverfahrens, die unten beschrieben sind, können deshalb gleichermaßen auf das Verfahren der1A bis1C angewendet werden. - In
2A werden der Halbleiterchip10 und der metallische Clip11 bereitgestellt. Der Halbleiterchip10 kann eine erste Elektrode15 auf einer ersten Hauptoberfläche16 und eine zweite Elektrode17 auf einer zweiten Hauptoberfläche18 , die der ersten Hauptoberfläche16 gegenüberliegt, aufweisen. Der Halbleiterchip10 kann beispielsweise ein IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), eine vertikale Leistungsdiode oder ein vertikaler Leistungstransistor, beispielsweise ein Leistungs-MOSFET, sein. Im letzteren Fall, der beispielhaft in2A gezeigt ist, können die erste und zweite Elektrode15 und17 Drain- bzw. Source-Elektroden sein. Weiterhin kann der Halbleiterchip10 eine dritte Elektrode19 auf der zweiten Hauptoberfläche18 aufweisen, die in dem Fall, dass der Halbleiterchip10 ein Leistungstransistor ist, als eine Gate-Elektrode fungiert. - Der metallische Clip
11 kann aus Metallen oder Metalllegierungen hergestellt sein, bei einer Ausführungsform Kupfer, Kupferlegierungen, Eisen-Nickel, Aluminium, Aluminiumlegierungen oder anderen elektrisch leitenden Materialien. Weiterhin kann der metallische Clip11 mit einem elektrisch leitenden Material elektrochemisch beschichtet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Eisen-Nickel oder Nickel-Phosphor. Der metallische Clip11 kann eine oder mehrere planare Oberflächen aufweisen, auf denen die Komponenten des herzustellenden Bauelements200 platziert werden können oder die zum Plazieren des metallischen Clips11 auf den Komponenten verwendet werden können. Die Gestalt des metallischen Clips11 ist auf keine Größe oder geometrische Gestalt beschränkt. Der metallische Clip11 kann gebogen sein, wie beispielhaft in2A gezeigt. Ein Abschnitt oder mehrere Abschnitte des metal lischen Clips11 können S-förmig sein. Der metallische Clip11 kann eine Dicke im Bereich von 100 μm bis 1 mm aufweisen oder sogar noch dicker sein. Der metallische Clip11 kann durch Stanzen, Prägen, Pressen, Schneiden, Sägen, Fräsen oder irgendeine andere angemessene Technik hergestellt werden. - Wie in
2B dargestellt, ist der Halbleiterchip10 mit seiner dem metallischen Clip11 zugewandten ersten Hauptoberfläche16 an dem metallischen Clip11 befestigt. Die Drain-Elektrode15 kann durch Diffusionslöten elektrisch an den metallischen Clip11 gekoppelt sein. Dazu kann ein Lötmaterial auf der Drain-Elektrode15 oder der unteren Oberfläche des metallischen Clips11 abgeschieden werden (nicht dargestellt), beispielsweise durch Sputtern oder durch andere geeignete physikalische oder chemische Abscheidungsverfahren. Das Lötmaterial kann eine Dicke im Bereich von 100 nm bis 10 μm besitzen, bei einer Ausführungsform im Bereich von 1 bis 3 μm. Das Lötmaterial kann beispielsweise aus AuSn, AgSn, CuSn, Sn, AuIn, AgIn, AuSi oder CuIn bestehen. - Zum Herstellen der gelöteten Verbindung kann der metallische Clip
11 von einer Heizplatte auf eine Temperatur über dem Schmelzpunkt des Lötmaterials erhitzt werden, beispielsweise im Bereich von 200 bis 400°C, bei einer Ausführungsform im Bereich von 330 bis 350°C. Bei einer Ausführungsform können sowohl der Halbleiterchip10 als auch der metallische Clip11 in einem Ofen platziert und auf eine angemessene Temperatur erhitzt werden. Eine Pick-and-Place-Anlage (Greifen-und-Platzieren-Anlage) kann verwendet werden, die in der Lage ist, den Halbleiterchip10 aufzugreifen und ihn auf dem erhitzten metallischen Clip11 zu platzieren oder umgekehrt. Während des Lötprozesses kann der Halbleiterchip10 für eine angemessene Zeit im Bereich zwischen 10 und 200 ms, bei einer Ausführungsform etwa 50 ms, auf den metallischen Clip11 gepresst werden. - Während des Lötprozesses erzeugt das Lötmaterial eine metallische Verbindung zwischen dem Halbleiterchip
10 und dem metallischen Clip11 , der aufgrund der Tatsache, dass das Lötmaterial eine temperaturbeständige und mechanisch hoch stabile intermetallische Phase mit hochschmelzenden Materialien des Halbleiterchips10 und des metallischen Clips11 , die verbunden werden sollen, bildet, hohen Temperaturen standhalten kann. Die intermetallische Phase besitzt einen höheren Schmelzpunkt als das zum Erzeugen der intermetallischen Phase verwendete Lötmaterial. Im Prozess wird das niedrigschmelzende Lötmaterial vollständig umgewandelt, das heißt, es geht vollständig in die intermetallische Phase über. Der Prozess ist diffusionsgesteuert, und seine Dauer nimmt mit der Zunahme der Dicke der Lötmaterialschicht zu. - Anstatt einen einzelnen metallischen Clip
11 zu verwenden, kann ein integrales Array (Anordnung) aus metallischen Clips bereitgestellt werden und ein Halbleiterchip kann auf jedem der metallischen Clips montiert werden. Später in dem Herstellungsprozess können die individuellen Bauelemente getrennt werden, indem das integrale Array aus metallischen Clips zerlegt wird. - Wie in
2C dargestellt, werden der erste Halbleiterchip10 zusammen mit dem ersten metallischen Clip11 über dem Systemträger13 platziert. Ein auf einem zweiten metallischen Clip auf ähnliche Weise wie der erste Halbleiterchip10 montierter zweiter Halbleiterchip kann ebenfalls über dem Systemträger13 platziert werden (in2C nicht dargestellt). Weiterhin können mit weiteren metallischen Clips verbundene weitere Halbleiterchips über dem Systemträger13 platziert werden (in2C nicht dargestellt). Die Halbleiterchips können auf einem aus Halbleitermaterial hergestellten Wafer produziert worden sein. Die Halbleiterchips können auf dem gleichen Wafer hergestellt worden sein, können aber auch auf verschiedenen Wafern hergestellt worden sein. Weiterhin können die Halbleiterchips physisch identisch sein, können aber auch verschiedene integrierte Schaltungen enthalten. - Der Systemträger
13 kann aus Metallen oder Metalllegierungen hergestellt sein, bei einer Ausführungsform Kupfer, Kupferlegierungen, Eisen-Nickel, Aluminium, Aluminiumlegierungen oder anderen elektrisch leitenden Materialien. Weiterhin kann der Systemträger13 mit einem elektrisch leitenden Material elektrochemisch beschichtet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Eisen-Nickel oder Nickel-Phosphor. Die Gestalt des Systemträgers13 ist auf keine Größe oder geometrische Gestalt beschränkt. Der Abschnitt des Systemträgers13 , über dem der Halbleiterchip10 und der metallische Clip11 platziert sind, können mehrere Pads (Kontaktflächen)20 ,21 ,22 und23 enthalten, wobei die Pads20 und23 als ein einzelnes Pad verkörpert sein können. Jedes der Pads20 bis23 kann mit einer Schicht aus Lötmaterial14 beschichtet sein. Bei einer Ausführungsform kann das Lötmaterial14 auf dem Halbleiterchip10 und dem metallischen Clip11 abgeschieden sein. Die Schichten des Lötmaterials14 können eine Dicke im Bereich zwischen 10 und 30 μm besitzen. Das Lötmaterial14 kann beispielsweise aus AuSn, AgSn, CuSn, Sn, AuIn, AgIn, AuSi oder CuIn bestehen. - Ein Weichlötprozess kann durchgeführt werden, um den Halbleiterchip
10 und den metallischen Clip11 mit dem Systemträger13 zu verbinden. Dazu können der Systemträger13 und/oder der Halbleiterchip10 sowie der metallische Clip11 auf eine Temperatur im Bereich von 200 bis 400°C erhitzt werden, und der Halbleiterchip10 und der metallische Clip11 können auf dem Systemträger13 platziert werden. Wegen der erhöhten Schmelztemperatur der während des Diffusionslötprozesses erzeugten intermetallischen Phase wird die intermetallische Phase zwischen dem Halbleiterchip10 und dem metallischen Clip11 während des Weichlötprozesses nicht geschmolzen. Nach dem Anbringen kann der metallische Clip11 aufgrund der S-Gestalt des metallischen Clips11 (siehe2D ) an den Pads20 und23 angebracht werden. Die Source- und Gate-Elektroden17 und19 des Halbleiterchips10 werden an den Pads21 bzw.22 angebracht. - Anstelle eines Weichlötprozesses kann adhäsives Bonden unter Einsatz eines elektrisch leitenden Klebers verwendet werden, um den Halbleiterchip
10 und den metallischen Clip11 an den Systemträger13 anzubringen. Der elektrisch leitende Kleber kann auf gefüllten oder ungefüllten Polyimiden, Epoxidharzen, Acrylatharzen, Siliconharzen oder Mischungen davon basieren und kann mit Gold, Silber, Nickel oder Kupfer angereichert sein, um eine elektrische Leitfähigkeit zu erzeugen. - Wenn Weichlöten oder adhäsives Bonden als eine Verbindungstechnik verwendet wird, bleibt eine Schicht auf dem Lötmaterial
14 oder dem Kleber14 an der Grenzfläche zwischen dem Halbleiterchip10 und dem Systemträger13 nach dem Löt- oder Klebeprozess zurück, wie in2D gezeigt. Diese Schicht kann eine Dicke im Bereich zwischen 1 bis 30 μm besitzen. - Ein Formmaterialtransferprozess (Moldprozess) kann durchgeführt werden, um die auf dem Systemträger
13 angeordneten Komponenten mit einem Formmaterial24 (Moldmaterial) zu kapseln (siehe2E ). Das Formmaterial24 kann einen beliebigen Abschnitt des Bauelements200 kapseln, lässt aber mindestens Teile der Pads20 bis23 unbedeckt. Die exponierten Oberflächen der Pads20 bis23 können als externe Kontaktelemente zum elektrischen Koppeln des Bauelements200 an andere Komponenten wie etwa beispielsweise eine Leiterplatte, wie etwa eine PCB (Printed Circuit Board; gedruckte Leiterplatte) verwendet werden. - Das Formmaterial
24 kann aus einem beliebigen angemessenen thermoplastischen oder wärmehärtenden Material bestehen, bei einer Ausführungsform kann es aus einem üblicherweise in der gegenwärtigen Halbleiterkapselungstechnologie verwendeten Material bestehen. Es können verschiedene Techniken eingesetzt werden, um die Komponenten des Bauelements200 mit dem Formmaterial24 zu bedecken, beispielsweise Formpressen oder Spritzgießen. - Vor oder nach der Kapselung mit dem Formmaterial
24 werden die individuellen Bauelemente200 durch Trennung des Systemträgers13 , beispielsweise durch Sägen, voneinander getrennt. - Die
3A bis3G zeigen schematisch ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements300 , von dem eine Draufsicht in3G gezeigt ist. Die Einzelheiten des Herstellungsverfahrens, die oben in Verbindung mit2A bis2E beschrieben sind, können gleichermaßen auf das Verfahren der3A bis3G angewendet werden. - Wie in
3A gezeigt, werden ein erster Halbleiterchip10 , ein zweiter Halbleiterchip30 , ein erster Träger11 und ein zweiter Träger31 bereitgestellt. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind beide Halbleiterchips10 und30 Leistungshalbleiterchips, bei einer Ausführungsform Leistungstransistoren. Beide Träger11 und31 können als metallische Clips implementiert werden und können S-förmig sein. - Eine erste Baugruppe kann hergestellt werden, indem der erste Halbleiterchip
10 mit dem ersten metallischen Clip11 verbunden wird, und eine zweite Baugruppe kann hergestellt werden, indem der zweite Halbleiterchip30 mit dem zweiten metallischen Clip31 verbunden wird (siehe3B ). Die metallischen Clips11 und31 können an den Source-Elektroden17 der Halbleiterchips10 bzw.30 angebracht werden. Beide Baugruppen können unter Verwendung eines Diffusionslötprozesses wie oben in Verbindung mit2B beschrieben hergestellt werden. Der Diffusionslötprozess verursacht intermetallische Phasen zwischen den Halbleiterchips10 und30 sowie den jeweiligen metallischen Clips11 und31 . - Nach der Vormontage der ersten und zweiten Baugruppe können die erste und zweite Baugruppe miteinander und auch mit einem dritten Träger verbunden werden. Der dritte Träger kann ein Systemträger
13 sein. In3C sind nur zwei Pads32 und33 des Systemträgers13 gezeigt. Die erste und zweite Baugruppe und der Systemträger13 können durch Einsatz eines Weichlötprozesses oder eines Klebeprozesses verbunden werden. Ähnlich wie oben in Verbindung mit2C beschrieben, können die Pads32 und33 sowie die obere Oberfläche des ersten metallischen Clips11 mindestens teilweise mit einer Schicht aus Lötmaterial14 oder einem elektrisch leitenden Kleber14 bedeckt werden. Bei einer Ausführungsform kann das Lötmaterial14 oder der elektrisch leitende Kleber14 auf den Drain-Elektroden15 der Halbleiterchips10 und30 sowie der unteren Oberfläche des zweiten metallischen Clips31 abgeschieden werden. Die Schichten des Lötmaterials14 oder des elektrisch leitenden Klebers14 können eine Dicke im Bereich zwischen 10 und 30 μm besitzen. - Wie in
3D gezeigt können die erste Baugruppe, die zweite Baugruppe und der Systemträger13 derart verbunden sein, dass die Drain-Elektrode15 des ersten Halbleiterchips10 elektrisch an das Pad32 gekoppelt ist, die Drain-Elektrode15 des zweiten Halbleiterchips30 elektrisch an den ersten metallischen Clip11 gekoppelt ist und der zweite metallische Clip31 elektrisch an das Pad33 gekoppelt ist. Weiterhin können die Komponenten derart verbunden sein, dass die unteren Oberflächen der Pads32 und33 und des ersten metallischen Clips11 eine gemeinsame Ebene bilden. Wenn zum Verbinden der vormontierten Komponenten ein Weichlöt- oder Klebeprozess verwendet wird, bleibt Lötmaterial14 oder Kleber14 an den Löt- oder Klebegrenzflächen zurück, wie in3D gezeigt. - In
3E ist die Baugruppe, die in3D im Querschnitt dargestellt ist, in Draufsicht gezeigt. Hier sind das Pad33 und der zweite metallische Clip31 um 90° gedreht. In3D wurden diese Komponenten zur besseren Darstellung unterschiedlich angeordnet. - In der Draufsicht sind auch weitere Pads
34 und35 des Systemträgers13 dargestellt. Bonddrähte36 und37 können angebracht sein, um die Drain-Elektroden19 des ersten und zweiten Halbleiterchips10 und30 elektrisch an die Pads34 bzw.35 zu koppeln (siehe3F ). - Ein Formmaterialtransferprozess kann durchgeführt werden, um die auf dem Systemträger
13 angeordneten Komponenten mit einem Formmaterial24 zu kapseln (siehe3G ). Das Formmaterial24 kann einen beliebigen Abschnitt des Bauelements300 kapseln, lässt aber mindestens Teile der Pads32 bis35 und des ersten metallischen Clips11 unbedeckt, beispielsweise ihre unteren Oberflächen. Die exponierten Oberflächen der Pads32 bis35 und des ersten metallischen Clips11 können als externe Kontaktelemente verwendet werden, um das Bauelement300 elektrisch an andere Komponenten zu koppeln. - Vor oder nach der Kapselung mit dem Formmaterial
24 können die individuellen Bauelemente300 durch Trennung des Systemträgers13 beispielsweise durch Sägen voneinander getrennt werden. - Wenn die Verbindungen wie in
3G gezeigt vorliegen, kann das Bauelement300 als eine Halbbrücke verwendet werden. Eine Grundschaltung einer zwischen zwei Knoten N1 und N2 angeordneten Halbbrücke400 ist in4 gezeigt. Die Halbbrücke400 besteht aus zwei in Reihe geschalteten Schaltern S1 und S2. Die Halbleiterchips10 und30 können als die beiden Schalter S1 bzw. S2 implementiert sein. Im Vergleich zu dem in3G dargestellten Bauelement300 ist der Knoten N1 die Drain-Elektrode15 des ersten Halbleiterchips10 , der zwischen den beiden Schaltern S1 und S2 angeordnete Knoten N3 ist die Drain-Elektrode15 des zweiten Halbleiterchips30 , und der Knoten N2 ist die Source-Elektrode17 des zweiten Halbleiterchips30 . - Die Halbbrücke
400 kann beispielsweise in Elektronikschaltungen zum Konvertieren von Gleichspannungen implementiert werden, bei einer Ausführungsform Gleichspannungswandlern. Gleichspannungswandler können verwendet werden, um eine von einer Batterie oder einem Akkumulator gelieferte Eingangsgleichspannung in eine Ausgangsgleichspannung zu konvertieren, die an den Bedarf der nachgeschalteten Elektronikschaltungen angepasst ist. Gleichspannungswandler können als Step-Down-Wandler (Abwärtswandler) verkörpert sein, bei denen die Ausgangsspannung kleiner ist als die Eingangsspannung, oder als Step-Up-Wandler (Aufwärtswandler), bei denen die Ausgangsspannung größer ist als die Eingangsspannung. Frequenzen von mehreren MHz oder höher können an Gleichspannungswandler angelegt werden. Weiterhin können Ströme von bis zu 50 A oder noch höher durch die Gleichspannungswandler fließen. - Für einen Fachmann ist es offensichtlich, dass die in
1C ,2E und3G gezeigten Bauelemente100 ,200 und300 nur als Ausführungsbeispiele gedacht sind und viele Variationen möglich sind. Beispielsweise kann das Bauelement300 unter Verwendung eines geringfügig anderen Fabrikationsverfahrens, das in5A bis5C gezeigt ist, hergestellt werden. Gemäß diesem Fabrikationsverfahren wird die erste Baugruppe durch Diffusionslöten der Drain-Elektrode15 des ersten Halbleiterchips10 an die obere Oberfläche des Pads32 hergestellt (siehe5A ). Die zweite Baugruppe wird durch Diffusionslöten der Drain-Elektrode15 des zweiten Halbleiterchips30 an die obere Oberfläche des ersten metallischen Clips11 hergestellt. - Die erste und zweite Baugruppe und der zweite metallische Clip
31 werden dann durch Weichlöten oder adhäsives Bonden miteinander verbunden. Dazu wird eine Schicht aus Lötmaterial14 oder elektrisch leitendem Kleber14 auf der Source- Elektrode17 der Halbleiterchips10 und30 und dem Pad33 abgeschieden (siehe5B ). Nach dem Weichlötprozess bleibt eine dünne Schicht aus Lötmaterial14 an den Lötgrenzflächen zurück (siehe5C ). - Andere Variationen des Fabrikationsverfahrens des Bauelements
300 sind ebenfalls möglich. Diese Variationen können beinhalten, dass Baugruppen durch Diffusionslöten vormontiert werden und die Baugruppen dann durch Weichlöten oder adhäsives Bonden miteinander verbunden werden. - Während ein bestimmtes Merkmal oder ein bestimmter Aspekt einer Ausführungsform der Erfindung bezüglich nur einer von mehreren Implementierungen offenbart worden sein mag, kann außerdem ein derartiges Merkmal oder ein derartiger Aspekt mit einem oder mehreren anderen Merkmalen oder Aspekten der anderen Implementierungen kombiniert werden, wie für eine gegebene oder bestimmte Anwendung erwünscht und vorteilhaft sein kann. Weiterhin soll in dem Ausmaß, in dem die Ausdrücke „enthalten", „haben", „mit" oder andere Varianten davon entweder in der ausführlichen Beschreibung oder den Ansprüchen verwendet werden, solche Ausdrücke auf eine Weise ähnlich dem Ausdruck „umfassen" einschließend sein. Die Ausdrücke „gekoppelt" und „verbunden" können zusammen mit Ableitungen verwendet worden sein. Es versteht sich, dass diese Ausdrücke verwendet worden sein können, um anzugeben, dass zwei Elemente unabhängig davon miteinander kooperieren oder interagieren, ob sie in direktem physischen oder elektrischen Kontakt stehen oder sie nicht in direktem Kontakt miteinander stehen. Weiterhin versteht sich, dass Ausführungsformen der Erfindung in diskreten Schaltungen, teilweise integrierten Schaltungen oder ganz integrierten Schaltungen oder Programmierungseinrichtungen implementiert sein können. Außerdem ist der Ausdruck „beispielhaft" lediglich als ein Beispiel anstatt das Beste oder Optimale gemeint. Es ist auch zu verstehen, dass hierin dargestellte Merkmale und/oder Elemente mit bestimmten Abmessungen relativ zueinander zum Zweck der Vereinfachung und zum leichten Verständnis dargestellt worden sind und dass tatsächliche Abmessungen von den hierin dargestellten wesentlich differieren können.
- Wenngleich hierin spezifische Ausführungsformen dargestellt und beschrieben worden sind, versteht der Durchschnittsfachmann, dass eine Vielzahl alternativer und/oder äquivalenter Implementierungen für die gezeigten und beschriebenen spezifischen Ausführungsformen substituiert werden können, ohne von dem Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Die vorliegende Anmeldung soll alle Adaptationen oder Variationen der hierin erörterten spezifischen Ausführungsformen abdecken. Deshalb soll die vorliegende Erfindung nur durch die Ansprüche und die Äquivalente davon beschränkt werden.
Claims (25)
- Verfahren, umfassend: Anbringen eines ersten Halbleiterchips (
10 ) an einen ersten metallischen Clip (11 ); und Platzieren des ersten Halbleiterchips (10 ) über einem Systemträger (13 ) nach dem Anbringen des ersten Halbleiterchips (10 ) an den ersten metallischen Clip (11 ). - Verfahren nach Anspruch 1, umfassend: Anbringen eines zweiten Halbleiterchips (
30 ) an einen zweiten metallischen Clip (31 ); und Platzieren des zweiten Halbleiterchips (30 ) über dem Systemträger (13 ) nach dem Anbringen des zweiten Halbleiterchips (30 ) an den zweiten metallischen Clip (31 ). - Verfahren nach Anspruch 2, wobei der Systemträger (
13 ) nach dem Platzieren des ersten und zweiten Halbleiterchips (10 ,30 ) zerlegt wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Diffusionslötprozess zum Anbringen des ersten Halbleiterchips (
10 ) an den ersten metallischen Clip (11 ) durchgeführt wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Weichlötprozess oder ein Klebeprozess durchgeführt wird, um den ersten Halbleiterchip (
10 ) an den Systemträger (13 ) anzubringen. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, umfassend: Anbringen einer ersten Oberfläche (
16 ) des ersten Halbleiterchips (10 ) an den ersten metallischen Clip (11 ); und Platzieren des ersten Halbleiterchips (10 ) über dem Systemträger (13 ), wobei eine zweite Oberfläche (18 ) des ersten Halbleiterchips (10 ) dem Systemträger (13 ) zugewandt ist. - Verfahren nach Anspruch 6, wobei der erste Halbleiterchip (
10 ) eine erste Elektrode (15 ) auf seiner ersten Oberfläche (16 ) und eine zweite Elektrode (17 ) auf seiner zweiten Oberfläche (18 ) aufweist. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mindestens ein Abschnitt des ersten metallischen Clips (
11 ) S-förmig ist. - Verfahren, umfassend: Herstellen einer ersten Baugruppe durch Verbinden eines ersten Halbleiterchips (
10 ) mit einem ersten Träger (11 ); Herstellen einer zweiten Baugruppe durch Verbinden eines zweiten Halbleiterchips (30 ) mit einem zweiten Träger (31 ); und Verbinden der ersten Baugruppe und der zweiten Baugruppe miteinander. - Verfahren nach Anspruch 9, wobei der erste Träger ein Systemträger (
13 ) ist und der zweite Träger ein metallischer Clip (11 ) ist. - Verfahren nach Anspruch 9, wobei der erste und zweite Träger metallische Clips (
11 ,31 ) sind. - Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei ein dritter Träger (
13 ;31 ) mit der ersten und zweiten Baugruppe verbunden wird. - Verfahren nach Anspruch 12, wobei der dritte Träger ein Systemträger (
13 ) oder ein metallischer Clip (31 ) ist. - Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 13, wobei ein Diffusionslötprozess zum Verbinden des ersten Halbleiterchips (
10 ) mit dem ersten Träger (11 ) durchgeführt wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 14, wobei ein Weichlötprozess oder ein Klebeprozess zum Verbinden der ersten und zweiten Baugruppe miteinander durchgeführt werden.
- Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 15, wobei der erste und der zweite Halbleiterchip (
10 ,30 ) nach dem Verbinden der ersten und zweiten Baugruppe miteinander mit einem Formmaterial (24 ) bedeckt werden. - Verfahren, umfassend: Bereitstellen eines Halbleiterchips (
10 ) mit einer ersten Oberfläche (16 ) und einer der ersten Oberfläche (16 ) gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (18 ); Anbringen der ersten Oberfläche (16 ) des Halbleiterchips (10 ) an einen metallischen Clip (11 ) mittels eines Diffusionslötprozesses; und Anbringen der zweiten Oberfläche (18 ) des Halbleiterchips (10 ) an einem Träger (13 ) mittels eines Weichlötprozesses oder eines Klebeprozesses nach dem Anbringen des Halbleiterchips (10 ) an den metallischen Clip (11 ). - Verfahren nach Anspruch 17, wobei der Halbleiterchip (
10 ) nach dem Anbringen des Halbleiterchips (10 ) an dem Träger (13 ) mit einem Formmaterial (24 ) bedeckt wird. - Verfahren nach Anspruch 17 oder 18, wobei der Halbleiterchip (
10 ) eine erste Elektrode (15 ) auf seiner ersten Oberfläche (16 ) und eine zweite Elektrode (17 ) auf seiner zweiten Oberfläche (18 ) aufweist. - Bauelement (
100 ;200 ;300 ), umfassend: einen Träger (13 ); ein über dem Träger (13 ) platziertes Lötmaterial (14 ) oder einen über dem Träger platzierten (13 ) elektrisch leitenden Kleber (14 ); einen über dem Lötmaterial (14 ) oder dem elektrisch leitenden Kleber (14 ) platzierten ersten Halbleiterchip (10 ); und einen über dem ersten Halbleiterchip (10 ) platzierten ersten metallischen Clip (11 ), wobei sich eine intermetallische Phase (12 ) an der Grenzfläche zwischen dem ersten Halbleiterchip (10 ) und dem ersten metallischen Clip (11 ) befindet. - Bauelement (
200 ;300 ) nach Anspruch 20, wobei mindestens ein Abschnitt des ersten metallischen Clips (11 ) S-förmig ist. - Bauelement (
300 ) nach Anspruch 20 oder 21, wobei ein zweiter Halbleiterchip (30 ) über dem ersten metallischen Clip (11 ) platziert ist. - Bauelement (
300 ) nach Anspruch 22, wobei ein zweiter metallischer Clip (31 ) über dem zweiten Halbleiterchip (30 ) platziert ist. - Bauelement (
200 ;300 ) nach einem der Ansprüche 20 bis 23, wobei der erste Halbleiterchip (10 ) eine erste Elektrode (15 ) auf einer ersten Oberfläche (16 ) und eine zweite Elektrode (17 ) auf einer der ersten Oberfläche (16 ) gegenüberliegenden zweiten Oberfläche (18 ) aufweist. - Bauelement, umfassend: einen Träger (
13 ); einen über dem Träger (13 ) platzierten ersten Halbleiterchip (10 ); einen über dem ersten Halbleiterchip (10 ) platzierten metallischen Clip (11 ); und einen über dem metallischen Clip (11 ) platzierten zweiten Halbleiterchip (30 ), wobei sich eine intermetallische Phase an der Grenzfläche zwischen dem metallischen Clip (11 ) und dem zweiten Halbleiterchip (30 ) befindet.
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US12/020,821 | 2008-01-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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---|---|
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DE (1) | DE102009006152B4 (de) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2477222A3 (de) * | 2011-01-14 | 2014-11-05 | International Rectifier Corporation | Gestapelte Halbbrückenverpackung mit einer stromführenden Schicht |
US9048230B2 (en) | 2011-01-14 | 2015-06-02 | International Rectifier Corporation | Half-bridge package with a conductive clip |
EP2950341A3 (de) * | 2014-05-30 | 2015-12-30 | Delta Electronics, Inc. | Halbleiterbauelement |
US9349677B2 (en) | 2011-01-14 | 2016-05-24 | Infineon Technologies Americas Corp. | Stacked half-bridge package with a common leadframe |
EP3399549A1 (de) | 2017-05-05 | 2018-11-07 | Robert Bosch GmbH | Halbleitermodul |
WO2018202509A1 (de) | 2017-05-05 | 2018-11-08 | Robert Bosch Gmbh | Halbleitermodul |
WO2019219535A1 (de) | 2018-05-15 | 2019-11-21 | Robert Bosch Gmbh | Entwärmungsanordnung für ein halbleiterleistungsmodul |
DE102019133235A1 (de) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | Infineon Technologies Austria Ag | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements unter verwendung verschiedener verbindungsverfahren für den halbleiterdie und den clip |
DE102013104742B4 (de) | 2012-05-17 | 2023-08-31 | Denso Corporation | Verdrahtungselement und Halbleitermodul mit demselben |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005027356B4 (de) * | 2005-06-13 | 2007-11-22 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterleistungsbauteilstapel in Flachleitertechnik mit oberflächenmontierbaren Außenkontakten und ein Verfahren zur Herstellung desselben |
WO2010004609A1 (ja) * | 2008-07-07 | 2010-01-14 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
US8138587B2 (en) * | 2008-09-30 | 2012-03-20 | Infineon Technologies Ag | Device including two mounting surfaces |
US8124449B2 (en) * | 2008-12-02 | 2012-02-28 | Infineon Technologies Ag | Device including a semiconductor chip and metal foils |
US8354303B2 (en) * | 2009-09-29 | 2013-01-15 | Texas Instruments Incorporated | Thermally enhanced low parasitic power semiconductor package |
US8154108B2 (en) * | 2010-03-29 | 2012-04-10 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Dual-leadframe multi-chip package and method of manufacture |
CN102222660B (zh) * | 2010-04-16 | 2014-07-02 | 万国半导体有限公司 | 双引线框架多芯片共同封装体及其制造方法 |
US8847408B2 (en) * | 2011-03-02 | 2014-09-30 | International Rectifier Corporation | III-nitride transistor stacked with FET in a package |
US20130264721A1 (en) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | Infineon Technologies Ag | Electronic Module |
CN102664175A (zh) * | 2012-05-02 | 2012-09-12 | 无锡虹光半导体技术有限公司 | 一种电源转换芯片的多芯片封装结构 |
US8586480B1 (en) * | 2012-07-31 | 2013-11-19 | Ixys Corporation | Power MOSFET having selectively silvered pads for clip and bond wire attach |
US9735078B2 (en) | 2014-04-16 | 2017-08-15 | Infineon Technologies Ag | Device including multiple semiconductor chips and multiple carriers |
CN110546757B (zh) * | 2017-04-24 | 2023-05-19 | 罗姆股份有限公司 | 电子元器件和半导体装置 |
DE102017127089B4 (de) * | 2017-11-17 | 2022-05-25 | Infineon Technologies Austria Ag | Multi-Die-Gehäuse und Leistungswandler |
US11189550B2 (en) * | 2018-04-10 | 2021-11-30 | Jmj Korea Co., Ltd. | Low-cost semiconductor package using conductive metal structure |
US11776937B2 (en) | 2018-07-04 | 2023-10-03 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Electronic module |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11186572A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Canon Inc | 光起電力素子モジュール |
JP2003124420A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-25 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及び該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法 |
EP1316999A1 (de) * | 2001-11-28 | 2003-06-04 | Continental ISAD Electronic Systems GmbH & Co. oHG | Verfahren und Vorichtung zum Kontaktieren von Leistungselektronik-Bauelementen |
US6677669B2 (en) * | 2002-01-18 | 2004-01-13 | International Rectifier Corporation | Semiconductor package including two semiconductor die disposed within a common clip |
DE10235797A1 (de) | 2002-08-05 | 2004-02-19 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterchipanordnung auf einem Träger |
DE10249206B3 (de) | 2002-10-22 | 2004-07-01 | Siemens Ag | Verfahren zum Zusammenbau eines Leistungsbauelements |
JP2005217072A (ja) | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
US7211135B2 (en) * | 2004-03-16 | 2007-05-01 | Nanogate Coating Systems Gmbh | Writable and printable colloidal gold solution |
DE102005054872B4 (de) * | 2005-11-15 | 2012-04-19 | Infineon Technologies Ag | Vertikales Leistungshalbleiterbauelement, Halbleiterbauteil und Verfahren zu deren Herstellung |
US7541681B2 (en) | 2006-05-04 | 2009-06-02 | Infineon Technologies Ag | Interconnection structure, electronic component and method of manufacturing the same |
US7271470B1 (en) * | 2006-05-31 | 2007-09-18 | Infineon Technologies Ag | Electronic component having at least two semiconductor power devices |
US8035221B2 (en) * | 2007-11-08 | 2011-10-11 | Intersil Americas, Inc. | Clip mount for integrated circuit leadframes |
-
2008
- 2008-01-28 US US12/020,821 patent/US8642394B2/en active Active
-
2009
- 2009-01-26 DE DE102009006152.5A patent/DE102009006152B4/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9601418B2 (en) | 2011-01-14 | 2017-03-21 | Infineon Technologies Americas Corp. | Stacked half-bridge package |
US9048230B2 (en) | 2011-01-14 | 2015-06-02 | International Rectifier Corporation | Half-bridge package with a conductive clip |
US9349677B2 (en) | 2011-01-14 | 2016-05-24 | Infineon Technologies Americas Corp. | Stacked half-bridge package with a common leadframe |
EP2477222A3 (de) * | 2011-01-14 | 2014-11-05 | International Rectifier Corporation | Gestapelte Halbbrückenverpackung mit einer stromführenden Schicht |
US9583477B2 (en) | 2011-01-14 | 2017-02-28 | Infineon Technologies Americas Corp. | Stacked half-bridge package |
DE102013104742B4 (de) | 2012-05-17 | 2023-08-31 | Denso Corporation | Verdrahtungselement und Halbleitermodul mit demselben |
US9431327B2 (en) | 2014-05-30 | 2016-08-30 | Delta Electronics, Inc. | Semiconductor device |
EP2950341A3 (de) * | 2014-05-30 | 2015-12-30 | Delta Electronics, Inc. | Halbleiterbauelement |
EP3399549A1 (de) | 2017-05-05 | 2018-11-07 | Robert Bosch GmbH | Halbleitermodul |
WO2018202509A1 (de) | 2017-05-05 | 2018-11-08 | Robert Bosch Gmbh | Halbleitermodul |
US11037867B2 (en) | 2017-05-05 | 2021-06-15 | Robert Bosch Gmbh | Semiconductor module |
WO2019219535A1 (de) | 2018-05-15 | 2019-11-21 | Robert Bosch Gmbh | Entwärmungsanordnung für ein halbleiterleistungsmodul |
DE102019133235A1 (de) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | Infineon Technologies Austria Ag | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements unter verwendung verschiedener verbindungsverfahren für den halbleiterdie und den clip |
US11804424B2 (en) | 2019-12-05 | 2023-10-31 | Infineon Technologies Austria Ag | Method for fabricating a semiconductor device by using different connection methods for the semiconductor die and the clip |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US8642394B2 (en) | 2014-02-04 |
DE102009006152B4 (de) | 2018-03-01 |
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