DE102015109885A1

DE102015109885A1 - Pixelstruktur, Verfahren zur Herstellung einer Pixelstruktur, Arraysubstrat, Anzeigetafel und Anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE102015109885A1
Application number: DE102015109885.7A
Authority: DE
Inventors: Yao Lin; Dandan QIN; Zhaokeng CAO; Yinghua MO
Original assignee: Tianma Microelectronics Co Ltd; Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd
Current assignee: Tianma Microelectronics Co Ltd; Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd
Priority date: 2014-10-10
Filing date: 2015-06-19
Publication date: 2016-04-14
Anticipated expiration: 2035-06-20
Also published as: CN104483788A; US9659974B2; CN104483788B; US9268190B1; US20160155756A1; DE102015109885B4

Abstract

Die vorliegende Erfindung stellt eine Pixelstruktur, ein Verfahren zur Herstellung einer Pixelstruktur, ein Arraysubstrat, eine Anzeigetafel und eine Anzeigevorrichtung bereit. Die Pixelstruktur weist mehrere Datenleitungen und mehrere Abtastleitungen auf, wobei mehrere Pixeleinheiten durch Überschneidung der mehreren Datenleitungen mit den mehreren Abtastleitungen gebildet sind. Eine Pixeleinheit entspricht einer der mehreren Datenleitungen und einer der mehreren Abtastleitungen. Die Pixeleinheit weist eine Pixelelektrode und ein TFT auf. Die Pixelelektrode weist mehrere Spalte mit Biegungen auf. Die Pixelelektrode der Pixeleinheit in einer Reihe ist mit einem TFT einer Pixeleinheit in einer vorhergehenden angrenzenden Reihe zur Pixelelektrode der Pixeleinheit elektrisch verbunden ist, und die Biegung der Pixelelektrode nahe dem TFT erstreckt sich zum Dünnschichttransistor.

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Anmeldung betrifft ein Gebiet der Anzeigetechnik und insbesondere eine Pixelstruktur, ein Verfahren zur Herstellung einer Pixelstruktur, ein Arraysubstrat, eine Anzeigetafel und eine Anzeigevorrichtung.
Hintergrund
Mit der Entwicklung der Anzeigetechnik haben sich Flüssigkristallanzeigevorrichtungen (LCD-Vorrichtungen), engl. Liquid Crystal Display – LCD, weit verbreitet, wobei die Anzeigewirkung der LCD-Vorrichtungen kontinuierlich verbessert wird.
Eine Pixelstruktur, die auf einem Dünnschichttransistor-Arraysubstrat (TFT-Arraysubstrat), engl. Thin Film Transistor – TFT, liegt, ist ein wichtiger Teil der LCD-Vorrichtung. Durch verschiedene Pixelstrukturen kann die LCD-Vorrichtung verschiedene Anzeigewirkungen haben. 1 ist ein schematisches Strukturschaubild der Pixelstruktur aus dem Stand der Technik. Wie in 1 gezeigt, weist im Stand der Technik die Pixelstruktur der LCD-Vorrichtung mehrere Datenleitungen 11, mehrere Abtastleitungen 12, mehrere Pixeleinheiten 13, die durch die Überschneidung der mehreren Datenleitungen 11 mit den mehreren Abtastleitungen 12 gebildet sind, und einen TFT 14 sowie eine Pixelelektrode 15 auf, die in jeder der Pixeleinheiten 13 angeordnet sind. Jede Pixelelektrode 15 weist mehrere Spalte 151 auf, wobei jeder Spalt 151 zwei Enden aufweist (in 1 ein oberes Ende und ein unteres Ende des Spalts), die jeweils eine Biegung A1 haben. Darüber hinaus ist ein Bereich A2 der Bereich, der von einer schwarzen Matrix auf einem Farbfiltersubstrat bedeckt ist, wenn das Farbfiltersubstrat korrekt an einem TFT-Arraysubstrat befestigt wird.
Aus 1 ist ersichtlich, dass die schwarze Matrix einen Teil der Biegung A1 des Spalts 151 abdeckt und der verbleibende Teil der Biegung A1 in einem Öffnungsbereich liegt, wenn das Farbfiltersubstrat korrekt am TFT-Arraysubstrat befestigt ist. Insbesondere liegen mehr Teile der Biegung A1 im Öffnungsbereich, wenn das Farbfiltersubstrat beim Befestigen zum TFT-Arraysubstrat verschoben ist. Da sich beim Steuern der Richtung der Flüssigkristallmoleküle das von der Biegung A1 des Spalts 151 gebildete elektrische Feld von dem elektrischen Feld unterscheidet, das von dem übrigen Teil des Spalts 151, der nicht zur Biegung A1 gehört, gebildet wird, führt beim Anzeigen durch die Flüssigkristallanzeigevorrichtung das von der Biegung A1 des Spalts 151 gebildete elektrische Feld zu einer verringerten Lichtdurchlässigkeit im Vergleich zu dem elektrischen Feld, das von dem verbleibenden Teil des Spalts 151, der nicht zur Biegung A1 gehört, gebildet ist. Wenn außerdem mehr Teile der Biegung A1 des Spalts 151 im Öffnungsbereich liegen, wird auch das Risiko von Schlieren in dem auf der LCD-Vorrichtung angezeigten Bild erhöht.
Kurzzusammenfassung
Die vorliegende Erfindung stellt eine Pixelstruktur, ein Verfahren zur Herstellung einer Pixelstruktur, ein Arraysubstrat, eine Anzeigetafel und eine Anzeigevorrichtung bereit, um das Problem aus dem Stand der Technik zu lösen, das darin besteht, dass die Lichtdurchlässigkeit aufgrund der Biegungen der Spalte, die im Öffnungsbereich liegen, reduziert wird, während ein hohes Risiko von Schlieren in dem auf der LCD-Vorrichtung angezeigten Bild erhöht wird.
Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird eine Pixelstruktur bereitgestellt, mit:
mehreren Datenleitungen und mehreren Abtastleitungen,
mehreren Pixeleinheiten, die durch die Überschneidung der mehreren Datenleitungen mit den mehreren Abtastleitungen gebildet sind, wobei
eine Pixeleinheit aus den mehreren Pixeleinheiten einer der mehreren Datenleitungen und einer der mehreren Abtastleitungen entspricht,
die Pixeleinheiten eine Pixelelektrode und einen Dünnschichttransistor aufweisen, wobei die Pixelelektrode mehrere Spalte aufweist, wobei mindestens einer der mehreren Spalte eine Biegung aufweist,
wobei eine Pixelelektrode einer Pixelelektrode in einer Reihe mit einem Dünnschichttransistor einer Pixeleinheit in einer vorangehenden, angrenzenden Reihe zur Pixelelektrode der Pixeleinheit elektrisch verbunden ist und sich die Biegung der Pixelelektrode nahe dem Dünnschichttransistor zum Dünnschichttransistor hin erstreckt.
Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ferner ein Verfahren zur Herstellung einer Pixelstruktur bereitgestellt, das Folgendes umfasst:
Ausbilden von mehreren Dünnschichttransistoren,
Ausbilden von mehreren Datenleitungen und von mehreren Abtastleitungen, wobei mehrere Pixeleinheiten durch die Überschneidung der mehreren Datenleitungen mit den mehreren Abtastleitungen gebildet werden und jede Pixeleinheit einen Dünnschichttransistor aufweist,
Ausbilden von mehreren Pixelelektroden, wobei eine Pixelelektrode in einer Pixeleinheit liegt, wobei die Pixelelektrode mehrere Spalte aufweist und mindestens ein Spalt eine Biegung aufweist und wobei eine Pixelelektrode einer Pixeleinheit in einer Reihe mit einem Dünnschichttransistor einer Pixeleinheit in einer vorangehenden angrenzenden Reihe zur Pixelelektrode der Pixeleinheit elektrisch verbunden ist und sich die Biegung der Pixelelektrode nahe dem Dünnschichttransistor zum Dünnschichttransistor hin erstreckt.
Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ferner ein Arraysubstrat mit der oben genannten Pixelstruktur bereitgestellt.
Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ferner eine Anzeigetafel mit dem oben genannten Arraysubstrat bereitgestellt.
Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ferner eine Anzeigevorrichtung mit der oben genannten Anzeigetafel bereitgestellt.
Bei der Pixelstruktur, dem Verfahren zur Herstellung der Pixelstruktur, dem Arraysubstrat, der Anzeigetafel und der Anzeigevorrichtung gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ist in einer Spalte von Pixeleinheiten eine Pixelelektrode jeder Pixeleinheit in einer Reihe mit einem Dünnschichttransistor einer Pixeleinheit in einer vorhergehenden angrenzenden Reihe elektrisch verbunden, und die Biegung der Pixelelektrode nahe dem Dünnschichttransistor erstreckt sich zum Dünnschichttransistor hin, und die Biegung nahe dem Dünnschichttransistor kann somit von einer schwarzen Matrix im Farbfiltersubstrat vollständig bedeckt sein, nachdem das Farbfiltersubstrat am Arraysubstrat befestigt wurde, so dass die Anzahl der Biegungen im Öffnungsbereich verringert wird und somit die Lichtdurchlässigkeit verbessert wird, während das Risiko von Schlieren in dem angezeigten Bild auch verringert wird, wodurch die Anzeigewirkung der Anzeigetafel und der Anzeigevorrichtung verbessert wird.
Beschreibung der Zeichnungen
Weitere Merkmale, Gegenstände und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung von nicht einschränkenden Beispielen mit Bezug auf die nachfolgenden beigefügten Zeichnungen. Darin zeigen:
1 ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer Pixelstruktur aus dem Stand der Technik.
2 ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer Pixelstruktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
3A ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer weiteren Pixelstruktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
3B ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer weiteren Pixelstruktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
4 ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer weiteren Pixelstruktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
5A ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer weiteren Pixelstruktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
5B ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer weiteren Pixelstruktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
5C ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer weiteren Pixelstruktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
6A ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer Pixelelektrode gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
6B ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer weiteren Pixelelektrode gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
6C ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer weiteren Pixelelektrode gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
7 ein schematisches Flussdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung einer Pixelstruktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
8 ist ein schematisches Schaubild des Aufbaus eines Arraysubstrats gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
9 ist ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer Anzeigetafel gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und
10 ist ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Ausführliche Beschreibung der Ausführungsformen
Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend weiter zusammen mit den beigefügten Zeichnungen und Ausführungsformen näher veranschaulicht. Es ist zu verstehen, dass hier beschriebene besondere Ausführungsformen lediglich dazu dienen, die vorliegende Erfindung zu erläutern und nicht die vorliegende Erfindung einzuschränken. Es sei zusätzlich angemerkt, dass für eine leichtere Beschreibung lediglich Teile des mit der vorliegenden Erfindung zusammenhängenden Inhalts und nicht der vollständige Inhalt in den beigefügten Zeichnungen veranschaulicht ist.
Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird eine Pixelstruktur bereitgestellt. 2 ist ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer Pixelstruktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Pixelstruktur weist mehrere Datenleitungen 21, mehrere Abtastleitungen 22 und mehrere Pixeleinheiten 23 auf, die durch die Überschneidung der mehreren Datenleitungen 21 mit den mehreren Abtastleitungen 22 gebildet sind, wobei jede der Pixeleinheiten 23 einer der mehreren Datenleitungen 21 und einer der mehreren Abtastleitungen 21 entspricht, und jede der Pixeleinheiten 23 eine Pixelelektrode 25 und einen Dünnschichttransistor 24 darin aufweist. Die Pixelelektrode 25 weist mehrere Spalte 251 auf, wobei mindestens einer der mehreren Spalte 251 eine Biegung B1 aufweist. In einer Spalte von Pixeleinheiten 23 ist die Pixelelektrode 25 jeder Pixeleinheit 23 in einer Reihe mit dem Dünnschichttransistor 24 der Pixeleinheit 23 in einer vorangehenden angrenzenden Reihe elektrisch verbunden, und die Biegung B1 der Pixelelektrode 25 nahe dem Dünnschichttransistor 24 erstreckt sich zum Dünnschichttransistor 24.
Es sei angemerkt, dass die Pixelelektrode der Pixeleinheit und der Dünnschichttransistor, der mit der Pixelelektrode elektrisch verbunden und dazu ausgelegt ist, diese zu steuern, dazu verwendet werden, die Anzeige der Pixeleinheit zu implementieren. Der Dünnschichttransistor steuert die Pixelelektrode, und der Dünnschichttransistor steuert somit die die Pixelelektrode aufweisende Pixeleinheit. Die mit der Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors elektrisch verbundene Abtastleitung kann den Dünnschichttransistor ein- oder ausschalten. Die Datenleitung ist mit der Source-Elektrode des Dünnschichttransistors elektrisch verbunden, wobei die Datenleitung ein Datensignal für die mit dem Dünnschichttransistor elektrisch verbundene Pixelelektrode bereitstellen kann, wenn der Dünnschichttransistor eingeschaltet ist. Auf dieser Basis entspricht jede der obigen Pixeleinheiten 23 einer der Datenleitungen 21 und einer der Abtastleitungen 22. Die Datenleitung 21, die der Pixeleinheit 23 entspricht, ist nämlich diejenige, die mit dem Dünnschichttransistor 24 zur Steuerung der Pixeleinheit 23 elektrisch verbunden ist, und die Abtastleitung 22, die der Pixeleinheit 23 entspricht, ist diejenige, die mit dem Dünnschichttransistor 24 zur Steuerung der Pixeleinheit 23 elektrisch verbunden ist.
In einer Spalte aus Pixeleinheiten ist die Pixelelektrode 25 jeder Pixeleinheit 23 in einer Reihe mit einem Dünnschichttransistor 24 der Pixeleinheit 23 in der vorhergehenden angrenzenden Reihe elektrisch verbunden, und die Biegung B1 der Pixelelektrode 25 nahe dem Dünnschichttransistor 24 erstreckt sich zum Dünnschichttransistor 24 hin, wobei die Biegung B1 nahe dem Dünnschichttransistor 24 somit vollständig von der schwarzen Matrix in dem Farbfiltersubstrat bedeckt sein kann, nachdem das Farbfiltersubstrat am Arraysubstrat befestigt wurde. Mit einer solchen Pixelstruktur wird die Anzahl der Biegungen der Pixelelektrode in dem Öffnungsbereich reduziert und dementsprechend die Lichtdurchlässigkeit verbessert, wobei das Risiko von Schlieren in dem auf der LCD-Vorrichtung angezeigten Bild im Vergleich zum Stand der Technik verringert wird.
Bei der in 2 gezeigten Pixelstruktur sind die Pixeleinheiten als Matrix angeordnet. Die Pixeleinheiten können außerdem alternativ versetzt angeordnet sein. In einer Spalte von Pixeleinheiten ist nämlich jede Pixeleinheit in einer Reihe zu einer Pixeleinheit in einer angrenzenden Reihe um eine halbe Breite der Pixeleinheit zu einer Seite versetzt. Die Pixelstruktur aus 3 unterscheidet sich von der Pixelstruktur aus 2 dadurch, dass die Pixelelektrode 25 der Pixeleinheit 23 in einer Reihe mit dem Dünnschichttransistor 24 der Pixeleinheit in einer vorhergehenden angrenzenden Reihe zur Pixelelektrode 25 der Pixeleinheit 23 elektrisch verbunden ist, der Dünnschichttransistor 24 der Pixeleinheit in einer vorhergehenden angrenzenden Reihe auf der linken Seite der Pixelelektrode 25 der Pixeleinheit 23 in der Reihe liegt und sich die Biegung B1 der Pixelelektrode 25 nahe dem Dünnschichttransistor 24 zum Dünnschichttransistor 24 erstreckt. Außerdem ist ein Bereich B2 aus 3A der Bereich, der von einer schwarzen Matrix auf einem Farbfiltersubstrat bedeckt ist, das korrekt am TFT-Arraysubstrat befestigt ist.
Mit Bezug auf 3A ist die Biegung B1 über der Pixelelektrode 25 zu dem mit der Pixelelektrode 25 elektrisch verbundenen Dünnschichttransistor 24 gekrümmt. Als solche kann sich die Biegung B1 noch weiter zum entsprechenden Dünnschichttransistor 24 erstrecken, wodurch die Biegung B1 von der schwarzen Matrix des Farbfiltersubstrats besser abgedeckt werden kann.
3A ist lediglich ein spezifisches Beispiel der Pixelstruktur, die durch die Anordnung der Pixeleinheiten auf versetzte Weise gebildet ist. Bei einem weiteren besonderen Beispiel unterscheidet sich die Pixelstruktur aus 3B von der Pixelstruktur aus 3A dadurch, dass eine Pixelelektrode 25 jeder Pixeleinheit 23 mit einem Dünnschichttransistor 24 einer Pixeleinheit 23 in einer vorhergehenden angrenzenden Reihe zur Pixelelektrode 25 elektrisch verbunden ist, der Dünnschichttransistor 24 der Pixeleinheit in einer vorhergehenden angrenzenden Reihe auf der rechten Seite der Pixelelektrode 25 der Pixeleinheit 23 in der Reihe liegt und sich die Biegung B2 der Pixelelektrode 25 nahe dem Dünnschichttransistor 24 zum Dünnschichttransistor 24 hin erstreckt. In 3B ist ebenso die Biegung B1 über der Pixelelektrode 25 zu dem mit der Pixelelektrode 25 elektrisch verbundenen Dünnschichttransistor 24 gekrümmt.
Auf der Basis der oben beschriebenen Pixelstruktur weist bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Pixelstruktur ferner eine gemeinsame Elektrode 26 auf, wie in 4 gezeigt ist. Die gemeinsame Elektrode 26 ist zwischen der Pixelelektrode 25 und einer Filmschicht angeordnet, wobei die Filmschicht eine Source-Elektrode 242 und eine Drain-Elektrode 243 des Dünnschichttransistors 24 aufweist, der mit der Pixelelektrode 25 elektrisch verbunden ist, wobei die gemeinsame Elektrode 26 über eine dritte Isolierschicht 273 von der Pixelelektrode 25 elektrisch isoliert ist und über eine zweite Isolierschicht 272 von der Source-Elektrode 242 und der Drainelektrode 243 elektrisch isoliert ist. Wie in 4 gezeigt, ist außerdem die Gate-Elektrode 241 von einer ersten Isolierschicht 271 bedeckt, liegt eine aktive Schicht 244 auf der ersten Isolierschicht 271, sind die Source-Elektrode 242 und die Drain-Elektrode 243 separat an zwei lateralen Seiten der aktiven Schicht 244 angeordnet und mit der aktiven Schicht 244 elektrisch verbunden, sind die Source-Elektrode 242, die Drain-Elektrode 243 und die aktive Schicht 244 über die erste Isolierschicht 271 von der Gate-Elektrode 241 isoliert und ist die Drain-Elektrode 243 mit der Pixelelektrode 253 elektrisch verbunden.
Da sich die Pixelelektrode 25 mit der Abtastleitung 24 überlappt, die dem Dünnschichttransistor 24 entspricht, der mit der Pixelelektrode 25 elektrisch verbunden ist, kann im Betrieb im Überlappungsbereich eine Wirkung auf das elektrische Signal erzeugt werden. Die gemeinsame Elektrode 26 liegt deswegen zwischen der Pixelelektrode 25 und der Source-Elektrode 242, und die Drain-Elektrode 243 des Dünnschichttransistors 24 kann die Funktion haben, das elektrische Signal im Überlappungsbereich zwischen der Pixelelektrode 25 und der Abtastleitung 22 abzuschirmen.
Es sei angemerkt, dass die in 4 gezeigte Anordnung der Gate-Elektrode 241 des Dünnschichttransistors 24, bei der die Gate-Elektrode 241 zwischen der Source-Elektrode 242 und der Drain-Elektrode 243 angeordnet ist, lediglich ein besonderes Beispiel ist. In anderen Beispielen kann die Gate-Elektrode 241 alternativ über der Source-Elektrode 242 und der Drain-Elektrode 243 liegen, was nicht darauf beschränkt ist.
Bei der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung überlappt sich ferner in einer Spalte von Pixeleinheiten eine Biegung einer Pixelelektrode jeder Pixeleinheit in einer Reihe, die nahe einem Dünnschichttransistor einer Pixeleinheit in einer vorhergehenden angrenzenden Reihe liegt, mit der Abtastleitung und ist von dieser isoliert, wobei die Abtastleitung dazu ausgelegt ist, den Dünnschichttransistor zu steuern. Bei den Pixelstrukturen der 5A bis 5C, die den Pixelstrukturen von 2, 3A bzw. 3B entsprechen, überlappt sich beispielsweise eine Biegung B1 über der Elektrode 25 mit der Abtastleitung 22 und ist von dieser isoliert, welche dem Dünnschichttransistor 24 entspricht, der mit der Pixelelektrode 25 elektrisch verbunden ist. Die Biegung B1 erstreckt sich zum Dünnschichttransistor, der mit der Pixelelektrode 25 elektrisch verbunden ist, die die Biegung B1 aufweist, und überlappt sich mit der Abtastleitung 22, die dazu ausgelegt ist, den Dünnschichttransistor 24 zu steuern, so dass die Biegung B1 besser von der schwarzen Matrix des Farbfiltersubstrats bedeckt und somit die Biegung B1 in Lichtübertragungsrichtung vollständig von der schwarzen Matrix bedeckt werden kann, wodurch die Lichtdurchlässigkeit der Pixelstruktur verbessert wird und auch das Risiko von Schlieren in dem angezeigten Bild verringert wird.
Bei der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist die Pixelelektrode optional fingerförmig. Wie in 6A gezeigt, ist die Pixelelektrode 25 fingerförmig. Ein Ende des Spalts 251 der Pixelelektrode 25 (ein oberes Ende des Spalts 251 in 6A) weist die Biegung B1 auf, wobei das andere Ende des Spalts 251 (ein unteres Ende des Spalts 251 in 6A) keine Biegung B1 hat. Ein Ende der Pixelelektrode 25, das die Biegung B1 aufweist, ist mit dem Dünnschichttransistor 24 der Pixeleinheit 23, die in einer vorhergehenden Reihe und angrenzend an eine Pixeleinheit 23 mit der Pixelelektrode 25 liegt, elektrisch verbunden. Die Biegung B1 erstreckt sich zum Dünnschichttransistor 24, so dass die Biegung B1 vollständig von der schwarzen Matrix des Farbfiltersubstrat bedeckt ist, ohne dass die Biegung B1 im Öffnungsbereich liegt, wodurch ferner die Lichtdurchlässigkeit der Pixelstruktur verbessert wird und das Risiko von Schlieren in dem angezeigten Bild gesenkt wird.
Es sei angemerkt, dass zusätzlich zu den obigen Strukturen der Pixelelektrode die Struktur der Pixelelektrode auch auf andere Weise ausgestaltet werden kann. Wie in 6B gezeigt, haben beispielsweise zwei Enden des Spalts 251 der Pixelelektrode 25 jeweils eine Biegung B1, die zur gleichen Seite gebogen sind, wie etwa zur rechten Seite. Wie in 6C gezeigt, haben alternativ zwei Enden des Spalts 251 der Pixelelektrode 25 jeweils eine Biegung B1, die zur rechten Seite gebogen ist, wobei sich außerdem die Spalte aus 6C dadurch von denen aus 6B unterscheiden, dass sie ferner eine V-förmige Gestalt haben, so dass eine doppelte Bereichsstruktur der Pixelelektrode 25 gebildet ist.
Bei der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ferner die Source-Elektrode des Dünnschichttransistors mit der Datenleitung elektrisch verbunden, die der Pixeleinheit entspricht, die den Dünnschichttransistor aufweist, und die Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors ist mit der Abtastleitung elektrisch verbunden, die der Pixeleinheit entspricht, die den Dünnschichttransistor aufweist. Mit einer derartigen Art der elektrischen Verbindung für den Dünnschichttransistor ist in einer Spalte von Pixeleinheiten eine Pixelelektrode jeder Pixeleinheit in einer Reihe mit einem Dünnschichttransistor einer Pixeleinheit in einer vorhergehenden angrenzenden Reihe elektrisch verbunden.
Bei der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Abstand zwischen einer Pixelelektrode und einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit mit dem Dünnschichttransistor, der mit der Pixelelektrode elektrisch verbunden ist, gleich oder größer 4 µm und gleich oder kleiner 6 µm. Durch die Festlegung des Abstands zwischen der Pixelelektrode und einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit mit dem Dünnschichttransistor, der mit der Pixelelektrode elektrisch verbunden ist, in einem derartigen Bereich zwischen 4 µm und 6 µm kann die Anzahl der Biegungen im Öffnungsbereich reduziert und dabei eine Störung der Feldsignale zwischen einer Pixelelektrode und einer Pixelelektrode einer Pixeleinheit mit dem Dünnschichttransistor, der mit der Pixelelektrode elektrisch verbunden ist, verhindert werden.
Bei einer vorliegenden Ausführungsform wird ferner ein Verfahren zur Herstellung einer Pixelstruktur bereitgestellt. 7 ist ein schematisches Flussdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung der Pixelstruktur gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Mit Bezug auf 7 umfasst das Verfahren zur Herstellung der Pixelstruktur die nachfolgenden Schritte 301 bis 303.
In Schritt 301 werden mehrere Dünnschichttransistoren ausgebildet. Die gebildeten Dünnschichttransistoren weisen insbesondere jeweils eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode, eine Drain-Elektrode und einen aktiven Bereich zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode auf, wobei die Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors über der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode liegt (Dünnschichttransistor mit einer oben liegenden Gate-Struktur) oder unter der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode (Dünnschichttransistor mit einer unten liegenden Gate-Struktur), wobei dies nicht darauf beschränkt ist.
In Schritt 302 werden mehrere Datenleitungen und mehrere Abtastleitungen ausgebildet, wobei mehrere Pixeleinheiten durch die Überschneidung der mehreren Datenleitungen mit den mehreren Abtastleitungen gebildet werden und jede der Pixeleinheiten einen Dünnschichttransistor aufweist.
In Schritt 303 werden mehrere Pixelelektroden ausgebildet, wobei eine Pixelelektrode in einer Pixeleinheit ausgebildet wird und die Pixelelektrode mehrere Spalte aufweist, wobei mindestens einer der mehreren Spalte eine Biegung hat und wobei in einer Spalte von Pixeleinheiten eine Pixelelektrode jeder Pixeleinheit in einer Reihe mit einem Dünnschichttransistor einer Pixeleinheit in einer vorhergehenden angrenzenden Reihe elektrisch verbunden ist und sich die Biegung der Pixelelektrode nahe dem Dünnsichttransistor zum Dünnschichttransistor hin erstreckt.
Bei der vorliegenden Ausführungsform liegt eine Biegung einer Pixelelektrode jeder Pixeleinheit in einer Reihe nahe einem Dünnschichttransistor einer Pixeleinheit in einer vorhergehenden angrenzenden Reihe und überlappt sich eine Biegung einer Pixelelektrode mit der Abtastleitung zur Steuerung des Dünnschichttransistors und ist von dieser isoliert.
Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ferner ein Arraysubstrat bereitgestellt. 8 ist ein schematisches Schaubild des Aufbaus des Arraysubstrats gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Mit Bezug auf 8 weist das Arraysubstrat ein Glassubstrat 41 und eine Pixelstruktur 42 auf, wobei es sich um die Pixelstruktur gemäß den obigen Ausführungsformen handeln kann.
Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ferner eine Anzeigetafel bereitgestellt. 9 ist ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer Anzeigetafel gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Mit Bezug auf 9 weist die Anzeigetafel ein Arraysubstrat 51, ein Farbfiltersubstrat 52, das gegenüber dem Arraysubstrat 51 liegt, und eine Flüssigkristallschicht 53 auf, die zwischen dem Arraysubstrat 51 und dem Farbfiltersubstrat 52 liegt. Die Flüssigkristallschicht 53 wird aus Flüssigkristallmolekülen 531 gebildet. Das Arraysubstrat 51 bei der vorliegenden Ausführungsform kann das Arraysubstrat gemäß den obigen Ausführungsformen sein.
Es sei angemerkt, dass die obige Anzeigetafel in Abhängigkeit von spezifischen Anforderungen eine Berührungserfassungsfunktion haben kann oder nicht. Die Berührungserfassungsfunktion kann eine elektromagnetische Berührungserfassungsfunktion, eine kapazitive Berührungserfassungsfunktion oder eine elektromagnetisch und kapazitiv integrierte Berührungserfassungsfunktion sein.
Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ferner eine Anzeigevorrichtung 60 bereitgestellt. 10 ist ein schematisches Schaubild des Aufbaus einer Anzeigevorrichtung 60. Mit Bezug auf 10 weist die Anzeigevorrichtung 60 eine Anzeigetafel 61 und ferner eine Treiberschaltung sowie weitere Vorrichtungen zur Unterstützung des normalen Betriebs der Anzeigevorrichtung 60 auf. Die Anzeigetafel 61 ist die Anzeigetafel gemäß den obigen Ausführungsformen. Die Anzeigevorrichtung 60 kann ein Mobiltelefon, ein Desktop-Computer, ein Laptop-Computer, ein Tablet-Computer oder ein elektronisches Papier sein.
Bei der Pixelstruktur, dem Verfahren zur Herstellung der Pixelstruktur, dem Arraysubstrat, der Anzeigetafel und der Anzeigevorrichtung gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ist eine Pixelelektrode jeder Pixeleinheit in einer Reihe mit einem Dünnschichttransistor einer Pixeleinheit in einer vorhergehenden angrenzenden Reihe zur Pixelelektrode der Pixeleinheit elektrisch verbunden, und die Biegung der Pixelelektrode nahe dem Dünnschichttransistor erstreckt sich zum Dünnschichttransistor, und somit kann die Biegung nahe dem Dünnschichttransistor vollständig von der schwarzen Matrix in dem Farbfiltersubstrat bedeckt werden, nachdem das Farbfiltersubstrat am Arraysubstrat befestigt wurde, so dass die Anzahl der Biegungen im Öffnungsbereich reduziert und somit die Lichtdurchlässigkeit verbessert und dabei auch das Risiko von Schlieren in dem angezeigten Bild reduziert wird, wodurch der Anzeigeeffekt der Anzeigetafel und der Anzeigevorrichtung verbessert wird.
Es sei angemerkt, dass vorstehend lediglich bevorzugte Ausführungsformen und die angewandten Technologieprinzipien der vorliegenden Erfindung beschrieben sind. Es sollte für den Fachmann zu verstehen sein, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die hier beschriebenen besonderen Ausführungsformen beschränkt ist. Der Fachmann kann zahlreiche offensichtliche Änderungen, Anpassungen und Alternativen vornehmen, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Auch wenn die vorliegende Erfindung mit den obigen Ausführungsformen ausführlich veranschaulicht ist, ist somit die vorliegende Erfindung nicht nur auf die obigen Ausführungsformen beschränkt und kann ferner noch weitere äquivalente Ausführungsformen umfassen, ohne von dem Konzept der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Der Umfang der vorliegenden Erfindung hängt von den beigefügten Ansprüchen ab.

Claims

Pixelstruktur (42), mit: mehreren Datenleitungen (21) und mehreren Abtastleitungen (22), mehreren Pixeleinheiten (23), die durch Überschneidung der mehreren Datenleitungen (21) mit den mehreren Abtastleitungen (22) gebildet sind, wobei eine Pixeleinheit aus den mehreren Pixeleinheiten (23) einer der mehreren Datenleitungen (21) und einer der mehreren Abtastleitungen (22) entspricht, die Pixeleinheit (23) eine Pixelelektrode (25) und einen Dünnschichttransistor (24) aufweist und die Pixelelektrode (25) mehrere Spalte (251) aufweist, wobei mindestens einer der mehreren Spalte (251) eine Biegung (B1) aufweist, wobei eine Pixelelektrode (25) einer Pixeleinheit (23) in einer Reihe mit einem Dünnschichttransistor (24) einer Pixeleinheit in einer vorhergehenden angrenzenden Reihe zur Pixelelektrode (25) der Pixeleinheit (23) elektrisch verbunden ist und sich die Biegung (B1) der Pixelelektrode (25) nahe dem Dünnschichttransistor (24) zum Dünnschichttransistor (24) hin erstreckt.
Pixelstruktur (42) nach Anspruch 1, wobei die Biegung (B1) der Pixelelektrode (25) jeder Pixeleinheit (23) in einer Reihe in der Nähe eines Dünnschichttransistors (24) einer Pixeleinheit (23) in einer vorhergehenden angrenzenden Reihe liegt und sich die Biegung (B1) der Pixelelektrode (25) mit der Abtastleitung (22), die zur Steuerung des Dünnschichttransistors (24) ausgebildet ist, überlappt und von dieser isoliert ist.
Pixelstruktur (42) nach Anspruch 1, wobei die mehreren Pixeleinheiten (23) versetzt angeordnet sind.
Pixelstruktur (42) nach Anspruch 3, wobei die Pixelelektrode (25) der Pixeleinheit (23) in einer Reihe mit dem Dünnschichttransistor (24) der Pixeleinheit (23) in einer vorhergehenden angrenzenden Reihe zur Pixelelektrode (25) der Pixeleinheit (23) elektrisch verbunden ist und der Dünnschichttransistor (24) der Pixeleinheit (23) in einer vorhergehenden angrenzenden Reihe an einer Seite der Pixelelektrode (25) der Pixeleinheit (23) in der Reihe liegt und sich die Biegung (B1) der Pixelelektrode (25) nahe dem Dünnschichttransistor (24) zum Dünnschichttransistor (24) hin erstreckt, oder die Pixelelektrode (25) jeder Pixeleinheit (23) mit dem Dünnschichttransistor (24) der Pixeleinheit (23) in einer vorhergehenden angrenzenden Reihe zur Pixelelektrode (25) der Pixeleinheit (23) elektrisch verbunden ist und der Dünnschichttransistor (24) der Pixeleinheit (23) in einer vorhergehenden angrenzenden Reihe an einer anderen Seite der Pixelelektrode (25) der Pixeleinheit (23) in der Reihe liegt und sich die Biegung (B1) der Pixelelektrode (25) nahe dem Dünnschichttransistor zum Dünnschichttransistor (24) hin erstreckt.
Pixelstruktur (42) nach Anspruch 4, wobei die Biegung (B1) der Pixelelektrode (25) zum Dünnschichttransistor (24) gekrümmt ist, der mit der Pixelelektrode (25) elektrisch verbunden ist.
Pixelstruktur (42) nach Anspruch 1, wobei die mehreren Pixeleinheiten (23) in einer Matrix angeordnet sind.
Pixelstruktur (42) nach Anspruch 6, wobei in einer Spalte von Pixeleinheiten (23) die Pixelelektrode (25) der Pixeleinheit (23) in einer Reihe mit dem Dünnschichttransistor (24) der Pixeleinheit (23) in einer vorhergehenden angrenzenden Reihe zur Pixelelektrode (25) der Pixeleinheit (23) elektrisch verbunden ist und sich die Biegung (B1) der Pixelelektrode (25) nahe dem Dünnschichttransistor (24) zum Dünnschichttransistor (24) hin erstreckt.
Pixelstruktur (42) nach Anspruch 1, die ferner eine gemeinsame Elektrode (26) aufweist, die zwischen der Pixelelektrode (25) und einer Filmschicht liegt, wobei die Filmschicht eine Source-Elektrode (242) und eine Drain-Elektrode (243) des Dünnschichttransistors (24) aufweist, der mit der Pixelelektrode (25) elektrisch verbunden ist, und die gemeinsame Elektrode (26) von der Pixelelektrode (25) und der Filmschicht isoliert ist.
Pixelstruktur (42) nach Anspruch 1, wobei die Pixelelektrode (25) fingerförmig ist.
Pixelstruktur nach Anspruch 1, wobei ein Abstand zwischen der Pixelelektrode (25) und einer Pixelelektrode (25) einer Pixeleinheit (23) mit dem Dünnschichttransistor (24), der mit der Pixeleinheit (23) elektrisch verbunden ist, größer oder gleich 4 µm und kleiner oder gleich 6 µm ist.
Pixelstruktur (42) nach Anspruch 1, wobei eine Source-Elektrode (242) des Dünnschichttransistors (24) mit der Datenleitung (21) elektrisch verbunden ist, die der Pixeleinheit (23) mit dem Dünnschichttransistor (24) entspricht, und eine Gate-Elektrode (241) des Dünnschichttransistors (24) mit der Abtastleitung (22) elektrisch verbunden ist, die der Pixeleinheit (23) mit dem Dünnschichttransistor (24) entspricht.
Verfahren zur Herstellung einer Pixelstruktur (42), das Folgendes umfasst: Ausbilden von mehreren Dünnschichttransistoren (24), Ausbilden von mehreren Datenleitungen (21) und von mehreren Abtastleitungen (22), wobei mehrere Pixeleinheiten (23) durch die Überschneidung der mehreren Datenleitungen (21) mit den mehreren Abtastleitungen (22) gebildet sind und jede der Pixeleinheiten (23) einen Dünnschichttransistor (24) aufweist, Ausbilden von mehreren Pixelelektroden (25), wobei eine Pixelelektrode (25) in einer Pixeleinheit (23) liegt, wobei die Pixelelektrode (25) mehrere Spalte (251) aufweist, wobei mindestens einer der mehreren Spalte (251) eine Biegung (B1) aufweist und wobei eine Pixelelektrode (25) einer Pixeleinheit (23) in einer Reihe mit einem Dünnschichttransistor (24) einer Pixeleinheit (23) in einer vorhergehenden angrenzenden Reihe zur Pixelelektrode (25) der Pixeleinheit (23) elektrisch verbunden ist und sich die Biegung (B1) der Pixelelektrode (25) nahe dem Dünnschichttransistor (24) zum Dünnschichttransistor (24) hin erstreckt.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 12, wobei eine Biegung (B1) der Pixelelektrode (25) der Pixeleinheit (23) in einer Reihe einem Dünnschichttransistor (24) einer Pixeleinheit (23) in einer vorhergehenden angrenzenden Reihe nahe liegt und sich die Biegung (B1) der Pixelelektrode (25) mit der Abtastleitung (22) zur Steuerung des Dünnschichttransistors (24) überlappt und von dieser isoliert ist.
Arraysubstrat (51), das die Pixelstruktur (42) nach einem der Ansprüche 1 bis 11 aufweist.
Anzeigetafel (61), die das Arraysubstrat nach Anspruch 14 aufweist.
Anzeigevorrichtung (60), die die Anzeigetafel (61) nach Anspruch 15 aufweist.