DE102014104242A1 - Tft-array-substrat und herstellungsverfahren sowie anzeigevorrichtung - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung schafft ein TFT-Array-Substrat, das Folgendes umfasst: eine erste Metallschicht mit einer ersten gemeinsamen Elektrodenleitung, eine zweite Metallschicht mit einer zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung und eine dritte gemeinsame Elektrodenleitung, wobei die dritte gemeinsame Elektrodenleitung mit wenigstens einer der ersten gemeinsamen Elektrodenleitung und der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung verbunden ist. Das von der vorliegenden Erfindung bereitgestellte TFT-Array-Substrat kann wenigstens einen der Effekte der Reduzierung der Verzögerung eines Signals einer gemeinsamen Elektrodenleitung (gemeinsames Signal), der Reduzierung von Flickerstörungen und von Übersprechen (crosstalk) ohne Reduzierung des Aperturverhältnisses erzielen und damit die Kosten senken und das Herstellungsverfahren vereinfachen.

Description

  • QUERVERWEISE ZU VERWANDTEN ANMELDUNGEN
  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität gegenüber der Chinesischen Patenanmeldung Nr. 201310326789.5 vom 30. Juli 2013, deren Inhalt diesem Dokument durch Bezugnahme zur Gänze einbezogen werden soll.
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft das technische Gebiet der Anzeigen (Displays), insbesondere ein TFT-Array-Substrat und ein Herstellungsverfahren eines solchen, sowie eine Anzeigevorrichtung mit einem TFT-Array-Substrat.
  • Stand der Technik
  • Derzeit nehmen Flachbildschirme wie beispielsweise LCDs (Liquid Crystal Displays) eine dominante Position im Markt für Flachbildschirme ein, was sie bestimmten Merkmalen wie einem kleinen Volumen, einem geringen Gewicht, ihrer Dünnheit, dem geringen Stromverbrauch, der Strahlungsfreiheit und dergleichen verdanken. In einem Bildgabeverfahren wird jeder Flüssigkristall-Pixelpunkt in einem LCD-Flachbildschirm von einem in ein TFT-Array-Substrat integrierten Dünnschichttransistor (TFT) angesteuert und mit einer peripheren Ansteuerelektronik in Kooperation gebracht, um Bilder anzuzeigen. Der TFT ist ein die Lumineszenz steuernder Schalter und somit ein wesentlicher Punkt zur Realisierung großer Größen von Flüssigkristallanzeigen und OLED-Displays, und er steht in direktem Zusammenhang mit der Entwicklung leistungsfähiger Flachbildschirme. Bei immer noch höheren Anforderungen an die Auflösung der Produkte wird in der TFT-Substratstruktur die Frage, wie die Verzögerung des Signals der gemeinsamen Elektrodenleitung (gemeinsames Signal) sowie Flicker-Erscheinungen und das Übersprechen (Crosstalk) ohne Reduzierung des Aperturverhältnisses reduziert und die Anzeigequalität verbessert werden kann, zu einem von den Fachleuten dringend zu lösenden Problem.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Angesichts dieser Umstände schafft die vorliegende Erfindung ein TFT-Array-Substrat und ein Herstellungsverfahren eines solchen sowie eine Anzeigevorrichtung mit einem TFT-Array-Substrat.
  • Ein TFT-Array-Substrat umfasst einen Display-Bereich und einen Non-Display-Bereich, wobei der Display-Bereich eine erste Metallschicht mit einer ersten gemeinsamen Elektrodenleitung und eine zweite Metallschicht mit einer zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung umfasst; und der Non-Display-Bereich umfasst eine dritte gemeinsame Elektrodenleitung, und die dritte gemeinsame Elektrodenleitung ist elektrisch mit mindestens einer der ersten gemeinsamen Elektrodenleitung und der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung verbunden.
  • Dementsprechend schafft die vorliegende Erfindung ferner ein Verfahren zur Herstellung eines TFT-Array-Substrats, wobei das Verfahren folgende Elemente umfasst:
    Bilden einer ersten Metallschicht mit einer ersten gemeinsamen Elektrodenleitung in einem Display-Bereich; Bilden einer zweiten Metallschicht mit einer zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung auf der ersten Metallschicht; und Bilden einer dritten gemeinsamen Elektrodenleitung in einem Non-Display-Bereich.
  • Die vorliegende Erfindung schafft ferner eine Anzeigevorrichtung mit dem genannten TFT-Array-Substrat und einem Farbfiltersubstrat, das dem TFT-Array-Substrat gegenüber angeordnet ist, wobei auf einer Seite des Farbfiltersubstrats eine transparente gemeinsame Elektrode angeordnet ist und die Seite des Farbfiltersubstrats dem TFT-Array-Substrat zugewandt ist.
  • Im Vergleich zum Stand der Technik weist die vorliegende Erfindung mindestens einen der nachstehenden besonderen Vorteile auf.
  • Gemäß dem TFT-Array-Substrat und dem Herstellungsverfahren desselben sowie der Anzeigevorrichtung der vorliegenden Erfindung ist die erste gemeinsame Elektrodenleitung in der ersten Metallschicht (in derselben Schicht wie eine Gate-Leitung) angeordnet, und die zweite gemeinsame Elektrodenleitung ist in der zweiten Metallschicht (in derselben Schicht wie eine Datenleitung) angeordnet, so dass eine bestimmte Anzahl von Datenleitungen verringert werden kann. Die zweite gemeinsame Elektrodenleitung wird durch geschickte Nutzung der verringerten Anzahl von Datenleitungen in der vorliegenden Erfindung so angeordnet, dass das Aperturverhältnis nicht kleiner wird, zumal die dritte gemeinsame Elektrodenleitung mit wenigstens einer der ersten gemeinsamen Elektrodenleitung und der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung elektrisch verbunden ist, so dass im Ansteuerungsprozess der Gate-Leitung die TFT-Array-Struktur eine Stromleitung in Längsrichtung (Datenleitungsrichtung) und Querrichtung (Gate-Leitungsrichtung) ausführen kann, um wenigstens die Verzögerung des Signals der gemeinsamen Elektrodenleitung (gemeinsames Signal) zu reduzieren, die Flicker-Störungen und das Übersprechen zu reduzieren und die Anzeigequalität zu verbessern; außerdem sind die Kosten eines (in den Figuren nicht dargestellten) Source-Drives höher als jene eines (in den Figuren nicht dargestellten) Gate-Drives, und eine bestimmte Anzahl von Datenleitungen wird verringert, so dass die Anzahl der Gate-Drives verringert wird, woraus resultiert, dass wenigstens einer der Vorteile der Verringerung der Herstellungskosten und der Vereinfachung des Prozessablaufs erzielt werden kann.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist ein schematisches Diagramm einer Struktur eines TFT-Array-Substrats in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 2 ist ein schematisches Diagramm einer Struktur eines TFT-Array-Substrats in einem anderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 3 ist ein schematisches Diagramm einer Struktur eines TFT-Array-Substrats in einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 4 ist ein schematisches Diagramm einer Struktur eines TFT-Array-Substrats in einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 5(a) ist ein schematisches Diagramm einer Struktur eines Herstellungsprozesses des TFT-Array-Substrats im vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 5(b) ist ein schematisches Diagramm einer Struktur eines Herstellungsprozesses des TFT-Array-Substrats im vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 5(c) ist ein schematisches Diagramm einer Struktur eines Herstellungsprozesses des TFT-Array-Substrats im vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • Detaillierte Beschreibung der Ausführungsbeispiele
  • Um das genannte Ziel, die Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung besser zu erklären, folgt nachstehend eine weitere Illustration der vorliegenden Erfindung in Kombination mit den Zeichnungen und Ausführungsbeispielen.
  • Es ist zu beachten, dass in der folgenden Beschreibung spezifische Details ausgeführt werden, um die vorliegende Erfindung vollständig zu verstehen. Die vorliegende Erfindung kann jedoch auch auf zahlreiche von den beschriebenen Implementierungen abweichende Arten implementiert werden, und einschlägig bewanderte Fachleute können ähnliche Erweiterungen vornehmen, ohne vom Konzept der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Die vorliegende Erfindung ist deshalb nicht auf die nachstehend offenbarten spezifischen Implementierungen beschränkt.
  • In einem Ausführungsbeispiel gemäß 1 schafft die vorliegende Erfindung ein TFT-Array-Substrat mit einem Display-Bereich A und einem Non-Display-Bereich B. Der Display-Bereich A umfasst: eine erste Metallschicht 11 mit einer ersten gemeinsamen Elektrodenleitung 111 und eine zweite Metallschicht 12 mit einer zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung 121; der Non-Display-Bereich B umfasst eine dritte gemeinsame Elektrodenleitung 21, die zur Bereitstellung eines gemeinsamen Signals verwendet wird, und die dritte gemeinsame Elektrodenleitung 21 ist mit der ersten gemeinsamen Elektrodenleitung 111 elektrisch verbunden, die dritte gemeinsame Elektrodenleitung 21 ist mit der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung 121 elektrisch verbunden und die erste gemeinsame Elektrodenleitung 111 ist mit der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung 121 nicht elektrisch verbunden.
  • Die erste Metallschicht 11 umfasst ferner eine Gate-Leitung 112, wobei die Gate Leitung 112 eine Doppel-Gate-Leitungsstruktur aufweist und die Gate-Leitung 112 von der ersten gemeinsamen Elektrodenleitung 111 getrennt ist; insbesondere wird die Gate-Leitung 112 nicht von der ersten gemeinsamen Elektrodenleitung 111 geschnitten, um einem Isolierungszweck zu genügen. Die erste gemeinsame Elektrodenleitung 111 ist nicht auf eine gerade Linie oder gebogene Linie beschränkt, und in diesem Ausführungsbeispiel ist die erste gemeinsame Elektrodenleitung 111 eine gerade Linie und parallel zu der Gate-Leitung 112; die zweite Metallschicht 12 umfasst ferner eine Datenleitung 122, und die Datenleitung 122 ist von der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung 121 getrennt, insbesondere wird die Datenleitung 122 nicht von der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung 121 geschnitten, um einem Isolierungszweck zu genügen. Die zweite gemeinsame Elektrodenleitung 121 ist nicht auf eine gerade Linie oder eine gebogene Linie beschränkt, und in diesem Ausführungsbeispiel ist die zweite gemeinsame Elektrodenleitung 121 eine gerade Linie und parallel zu der Datenleitung 122.
  • Obwohl die erste gemeinsame Elektrodenleitung 111 und die zweite gemeinsame Elektrodenleitung 121 in diesem Ausführungsbeispiel in unterschiedlichen Schichten angeordnet sind, bildet die Verdrahtungsform der ersten gemeinsamen Elektrodenleitung 111 und der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung 121 in einem Draufsichtwinkel eine Mehrzahl verbundener rechteckiger Rahmen auf der Ebene und stellt insgesamt die Form eines Netzes dar.
  • In diesem Ausführungsbeispiel umfasst das TFT-Array-Substrat ferner die auf der zweiten Metallschicht 12 angeordneten Pixelelektroden 13, und da eine Doppel-Gate-Leitungsstruktur ausgeführt ist, ist die Anzahl der Pixelelektroden 13 in jeder Reihe größer oder doppelt so groß wie die Anzahl der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitungen 121. Diesem Prinzip folgend können einschlägig bewanderte Fachleute die Anzahl der Pixelelektroden 13 und der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitungen 121 nach Bedarf anpassen.
  • In diesem Ausführungsbeispiel kann das Material der ersten Metallschicht 11 und der zweiten Metallschicht 12 in Entsprechung zu unterschiedlichen Gerätstrukturen und Prozesserfordernissen ausgewählt werden, wobei das im allgemeinen verwendete Metall eine Einzelschichtstruktur von Mo, Cr, W, Ti, Ta, Mo, Al oder Cu oder eine Verbundstruktur einer Kombination zweier oder mehrerer von Mo, Cr, W, Ti, Ta, Mo, Al und Cu und die Dicke allgemein 200–350 nm ist. Die Pixelelektrode 13 kann aus transparenten Materialien gemacht sein, wie Indiumzinnoxid, Aluminiumzinkoxid, Indiumzinkoxid, Zinnoxid, Indiumoxid, Indiumgalliumoxid, Zinkoxid und dergleichen.
  • Aufgrund der verwendeten Doppel-Gate-Leitungsstruktur 112 kann die Anzahl der Datenleitungen 122 in diesem Ausführungsbeispiel auf die Hälfte verringert werden. Die zweite gemeinsame Elektrodenleitung 121 wird durch geschickte Nutzung des ursprünglich von den verringerten Datenleitungen 122 belegten Raumes in der vorliegenden Erfindung angeordnet, so dass das Aperturverhältnis nicht kleiner wird. Ferner ist die erste gemeinsame Elektrodenleitung 111 elektrisch mit der dritten gemeinsamen Elektrodenleitung 21 verbunden, um das gemeinsame Signal zu empfangen; die zweite gemeinsame Elektrodenleitung 121 ist elektrisch mit der dritten gemeinsamen Elektrodenleitung 21 verbunden, um das gemeinsame Signal zu empfangen; die Verzögerung des gemeinsamen Signals kann durch die netzförmige Verbreitung der ersten gemeinsamen Elektrodenleitung 111 und der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung 121 verhindert werden, so dass unterschiedliche von der Verzögerung des gemeinsamen Signals verursachte Defekte vermieden werden können und die Anzeigequalität verbessert wird. Da außerdem die Kosten des (in den Figuren nicht dargestellten) Source-Drives höher sind als jene des (in den Figuren nicht dargestellten) Gate-Drives und die Anzahl der Datenleitungen in diesem Ausführungsbeispiel verringert ist, ist die Anzahl der Source-Drives entsprechend ebenfalls verringert, woraus sich geringere Herstellungskosten ableiten.
  • In einem anderen Ausführungsbeispiel ist das TFT-Array-Substrat des voranstehenden Ausführungsbeispiels teilweise modifiziert. Die wiederholten Teile werden weggelassen, und der Unterschied zwischen diesem Ausführungsbeispiel und dem oben stehenden Ausführungsbeispiel liegt in der Verbindungsbeziehung zwischen der ersten, der zweiten und der dritten gemeinsamen Elektrodenleitung. Wie in 2 dargestellt, ist die erste gemeinsame Elektrodenleitung 111 elektrisch mit der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung 121 über ein Loch 14 verbunden, und die erste gemeinsame Elektrodenleitung 111 ist auch mit der dritten gemeinsamen Elektrodenleitung 21 elektrisch verbunden, während die zweite gemeinsame Elektrodenleitung 121 mit der dritten gemeinsamen Elektrodenleitung 21 nicht verbunden ist.
  • In diesem Ausführungsbeispiel umfasst das TFT-Array-Substrat ferner eine (in den Figuren nicht dargestellte) Isolierschicht zwischen der ersten Metallschicht 11 und der zweiten Metallschicht 12, wobei die erste und die zweite gemeinsame Elektrodenleitung elektrisch über ein Loch 14 verbunden sind, das die Isolierschicht penetriert, und die Isolierschicht aus einer Verbundstruktur gemacht ist, die aus einer Kombination zweier oder mehrerer der nachstehend aufgeführten Materialien zusammengesetzt ist: Siliciumoxid, Siliziumoxinitrid und Siliziumnitrid.
  • In diesem Ausführungsbeispiel sind die erste und die zweite gemeinsame Elektrodenleitung elektrisch über ein Durchgangsloch 14 verbunden, das die Isolierschicht penetriert, und die erste gemeinsame Elektrodenleitung 111 ist elektrisch mit der dritten gemeinsamen Elektrodenleitung 21 verbunden, während die zweite gemeinsame Elektrodenleitung 121 mit der dritten gemeinsamen Elektrodenleitung 21 nicht verbunden ist, wobei jedoch die erste und die zweite gemeinsame Elektrodenleitung das gemeinsame Signal von der dritten gemeinsamen Elektrodenleitung empfangen kann und die Verzögerung des gemeinsamen Signals mittels der netzförmigen Verdrahtung der ersten gemeinsamen Elektrodenleitung 111 und der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung 121 vermieden werden kann, so dass verschiedene durch die Verzögerung des gemeinsamen Signals bedingte Defekte verhindert werden können, ohne das Aperturverhältnis zu verringern, und die Anzeigequalität verbessert wird. Da ferner die Anzahl der Datenleitungen in diesem Ausführungsbeispiel verringert ist, ist entsprechend auch die Anzahl der Source-Drives verringert, woraus sich geringere Herstellungskosten ergeben.
  • In einem weiteren Ausführungsbeispiel ist das TFT-Array-Substrat des zweiten Ausführungsbeispiels teilweise modifiziert. Die wiederholten Teile werden weggelassen, und der Unterschied zwischen diesem Ausführungsbeispiel und dem zweiten Ausführungsbeispiel besteht darin, dass, wie in 3 dargestellt, die zweite gemeinsame Elektrodenleitung 121 elektrisch mit der dritten gemeinsamen Elektrodenleitung 21 verbunden ist, aber die erste gemeinsame Elektrodenleitung 111 mit der dritten gemeinsamen Elektrodenleitung 21 nicht verbunden ist.
  • In einem weiteren Ausführungsbeispiel ist das TFT-Array-Substrat des zweiten Ausführungsbeispiels teilweise modifiziert. Die wiederholten Teile sind weggelassen, und der Unterschied zwischen diesem Ausführungsbeispiel und dem zweiten Ausführungsbeispiel besteht darin, dass, wie in 4 dargestellt, die dritte gemeinsame Elektrodenleitung 21 ebenfalls mit der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung 121 elektrisch verbunden ist.
  • In diesem Ausführungsbeispiel sind die erste und die zweite gemeinsame Elektrodenleitung elektrisch mit der dritten gemeinsamen Elektrodenleitung 21 verbunden und damit zu einer besseren Reduzierung der Impedanz der gemeinsamen Elektrodenleitungen fähig, um die Signalverzögerung der gemeinsamen Elektrodenleitungen weiter abzuschwächen.
  • Wie in 5(a) bis 5(c) dargestellt, schafft die vorliegende Erfindung ferner ein Herstellungsverfahren des TFT-Array-Substrats. Wenn die Struktur des vierten Ausführungsbeispiels als Beispiel genommen wird, umfasst das Herstellungsverfahren die folgenden Schritte.
  • Wie in 5(a) dargestellt, ist eine erste Metallschicht 11 gebildet, wobei die erste Metallschicht eine erste gemeinsame Elektrodenleitung 111 in einem Display-Bereich A und eine dritte gemeinsame Elektrodenleitung 21 in einem Non-Display-Bereich B umfasst.
  • Wie in 5(b) dargestellt, ist auf der ersten Metallschicht 11 eine zweite Metallschicht 12 gebildet, und die zweite Metallschicht 12 umfasst eine zweite gemeinsame Elektrodenleitung 121.
  • Im allgemeinen sind die erste gemeinsame Elektrodenleitung und die dritte gemeinsame Elektrodenleitung 21 integriert ausgebildet und in derselben Schicht angeordnet, aber nicht auf diese Konfiguration beschränkt. Die dritte gemeinsame Elektrodenleitung 21 und die zweite gemeinsame Elektrodenleitung können ebenfalls integriert geformten und in derselben Schicht angeordnet sein.
  • Eine weitere detaillierte Beschreibung bezieht sich nachstehend auf das von der vorliegenden Erfindung bereitgestellte Herstellungsverfahren des TFT.
  • Wie in 5(a) dargestellt, wird die erste Metallschicht 11 auf einem (in der Figur nicht dargestellten) Substrat mittels Sputterns oder Verdampfens aufgebracht, dann wird eine (in der Figur nicht dargestellte) Isolierschicht und eine (in der Figur nicht dargestellte) Fotolackschicht mit einer bestimmten Dicke auf die erste Metallschicht 11 in einer plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidung aufgetragen, und die Fotolackschicht wird belichtet und durch eine Gate-Maskenplatte entwickelt, um ein Fotolackmuster zu bilden; dann wird die erste Metallschicht 11 geätzt, um die überschüssige Fotolackschicht zu entfernen. Eine Gate-Leitung 112, eine erste gemeinsame Elektrodenleitung 111 und eine dritte gemeinsame Elektrodenleitung 21 werden gebildet, und die Gate-Leitung 112 weißt eine Doppel-Gate-Leitungsstruktur auf.
  • Wie in 5(b) dargestellt wird auf dieser Basis eine zweite Metallschicht 12 mit einer bestimmten Dicke abgelegt, eine Datenleitung 122 und eine durch die Gate-Leitung 112 und die erste gemeinsame Elektrodenleitung 111 geschnittene zweite gemeinsame Elektrodenleitung 121 werden durch eine Maskenplatte der Datenleitung 122 gebildet, die zweite gemeinsame Elektrodenleitung 121 wird von der ersten gemeinsamen Elektrodenleitung 111 auf isolierte Weise geschnitten, die Gate-Leitung 112 wird von der ersten gemeinsamen Elektrodenleitung 111 getrennt, und in diesem Ausführungsbeispiel ist die erste gemeinsame Elektrodenleitung 111 eine gerade Linie und parallel zu der Gate-Leitung 112; die Datenleitung 122 wird von der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung 121 in diesem Ausführungsbeispiel getrennt, die zweite gemeinsame Elektrodenleitung 121 ist eine gerade Linie und parallel zu der Datenleitung 122.
  • Wie in 5(a) bis 5(c) dargestellt, ist in der Isolierschicht ein Durchgangsloch 14 ausgebildet, und auf der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung 121 ist eine Pixelelektrode 13 ausgebildet.
  • Dementsprechend stellen sich die Herstellungsverfahren in anderen Ausführungsbeispielen wie folgt dar.
  • Das erste Ausführungsbeispiel schafft ein TFT-Array-Substrat, und das vierte Ausführungsbeispiel schafft ebenfalls ein TFT-Array-Substrat. In dem Verfahren zur Herstellung des TFT-Array-Substrats des ersten Ausführungsbeispiels ist das im vierten Ausführungsbeispiel bereitgestellte Verfahren zur Herstellung des TFT-Array-Substrats teilweise modifiziert. Die wiederholten Teile werden weggelassen, und der Unterschied zwischen dem Verfahren zur Herstellung des TFT-Array-Substrats im ersten Ausführungsbeispiel und dem Verfahren zur Herstellung des TFT-Array-Substrats im vierten Ausführungsbeispiel besteht darin, dass in der Isolierschicht kein Loch ausgebildet ist, also das Durchgangsloch 14 nicht vorhanden ist. Da die erste und die zweite gemeinsame Elektrodenleitung elektrisch mit der dritten gemeinsamen Elektrodenleitung verbunden sind, ist der Prozess einfacher und leichtgängiger.
  • Das zweite Ausführungsbeispiel schafft ein TFT-Array-Substrat. In dem Verfahren des zweiten Ausführungsbeispiels zur Herstellung des TFT-Array-Substrats ist das Verfahren des vierten Ausführungsbeispiels zur Herstellung des TFT-Array-Substrats teilweise modifiziert. Die wiederholten Teile werden weggelassen, und der Unterschied zwischen dem Verfahren zur Herstellung des TFT-Array-Substrats im zweiten Ausführungsbeispiel und dem Verfahren zur Herstellung des TFT-Array-Substrats im vierten Ausführungsbeispiel besteht darin, dass die zweite gemeinsame Elektrodenleitung 121 nicht mit der dritten gemeinsamen Elektrodenleitung 21 verbunden ist.
  • Das dritte Ausführungsbeispiel schafft ein TFT-Array-Substrat. In dem Verfahren des dritten Ausführungsbeispiels zur Herstellung des TFT-Array-Substrats ist das Verfahren des vierten Ausführungsbeispiels zur Herstellung des TFT-Array-Substrats teilweise modifiziert. Die wiederholten Teile werden weggelassen, und der Unterschied zwischen dem Verfahren zur Herstellung des TFT-Array-Substrats im dritten Ausführungsbeispiel und dem Verfahren zur Herstellung des TFT-Array-Substrats im vierten Ausführungsbeispiel besteht darin, dass die erste gemeinsame Elektrodenleitung 111 nicht mit der dritten gemeinsamen Elektrodenleitung 21 verbunden ist.
  • Die vorliegende Erfindung schafft ferner eine (in den Figuren nicht dargestellte) Anzeigevorrichtung mit einem TFT-Array-Substrat und einem (in den Figuren nicht dargestellten) Farbfiltersubstrat, das dem TFT-Array-Substrat gegenüber angeordnet ist, wobei das TFT-Array-Substrat aus einem der TFT-Array-Substrate im ersten Ausführungsbeispiel, zweiten Ausführungsbeispiel, dritten Ausführungsbeispiel und vierten Ausführungsbeispiel ausgewählt ist. Eine (in den Figuren nicht dargestellte) transparente gemeinsame Elektrode ist auf einer Seite des Farbfiltersubstrats angeordnet, wobei die Seite des Farbfiltersubstrats dem TFT-Array-Substrat zugewandt ist. Die transparente gemeinsame Elektrode und die Pixelelektrode bilden ein vertikales elektrisches Feld, beispielsweise eine TN- oder eine VA-Anzeigevorrichtung. Als weiteres bevorzugtes Ausführungsbeispiel kann das TFT-Array-Substrat auch die transparente gemeinsame Elektrode zur Bildung eines transversalen elektrischen Feldes mit der Pixelelektrode umfassen, beispielsweise eine IPS- oder FFS-Anzeigevorrichtung. Im allgemeinen handelt es sich bei der Anzeigevorrichtung um eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung.
  • Zu beachten ist ferner:
    • 1. Eine TFT-Aktivschicht im TFT-Array-Substrat der vorliegenden Erfindung kann amorphes Silizium, Niedertemperatur-Polysilizium oder Metalloxid sein, und das zugehörige Herstellungsverfahren kann die in der Fachwelt bekannte Technologie anwenden, die hier nicht näher beschrieben wird.
    • 2. In der vorliegenden Erfindung kann die erste gemeinsame Elektrodenleitung 111 durch dasselbe Maskenplattenverfahren wie die Gate-Leitung 112 gebildet werden, und die erste gemeinsame Elektrodenleitung 111 kann auch in einem vom Maskenplattenverfahren der Gate-Leitung 112 unterschiedlichen Verfahren gebildet werden; die zweite gemeinsame Elektrodenleitung 121 kann durch dasselbe Maskenplattenverfahren wie die Datenleitung 122 gebildet werden, und die zweite gemeinsame Elektrodenleitung 121 kann auch durch ein vom Maskenplattenverfahren der Datenleitung 122 verschiedenen Verfahren gebildet werden; es ist nur erforderlich, dass die erste gemeinsame Elektrodenleitung 111 und die Gate-Leitung 112 in derselben Metallschicht angeordnet sind und die zweite gemeinsame Elektrodenleitung 121 und die Datenleitung 122 in derselben Metallschicht angeordnet sind.
    • 3. Das Musterbildungsverfahren der vorliegenden Erfindung umfasst Verfahren wie das Beschichten von Fotolack, das Belichten durch eine Maske, Entwickeln, Ätzen, das Abbeizen von Fotolack und dergleichen; der Fotolack ist nicht auf positiven Fotolack oder negativen Fotolack beschränkt, wobei in den voranstehenden Ausführungsbeispielen der positive Fotolack als Beispiel diente.
  • Gemäß dem TFT-Array-Substrat und dem Herstellungsverfahren für einen solchen sowie der Anzeigevorrichtung mit dem TFT-Array-Substrats der vorliegenden Erfindung ist zusammenfassend festzuhalten, dass die erste gemeinsame Elektrodenleitung 111 in der ersten Metallschicht 11 (dieselbe Schicht wie die Gate-Leitung 112) angeordnet ist, die zweite gemeinsame Elektrodenleitung 121 in der zweiten Metallschicht 12 (dieselbe Schicht wie die Datenleitung 122) angeordnet ist und die Doppel-Gate-Leitungsstruktur angewendet wird, so dass eine bestimmte Anzahl von Datenleitungen verringert werden kann. Die zweite gemeinsame Elektrodenleitung 121 ist in der vorliegenden Erfindung durch geschickte Nutzung der verringerten Anzahl von Datenleitungen so angeordnet, dass das Aperturverhältnis nicht verringert wird; überdies kann die Verzögerung des gemeinsamen Signals durch die netzförmige Verdrahtung der ersten gemeinsamen Elektrodenleitung 111 und der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung 121 vermieden werden. Im Gate-Leitung-Steuerungsverfahren der Gate-Leitung 112 kann die TFT-Array-Struktur die Stromleitung in Längsrichtung (Richtung der Datenleitung 122) und Querrichtung (Gate-Leitung 112) durchführen, um wenigstens die Verzögerung des gemeinsamen Signals zu reduzieren, Flickerstörungen und das Übersprechen ohne Reduzierung des Apertur-Verhältnisses zu reduzieren und die Anzeigequalität verbessern. Da außerdem die Kosten des (in den Figuren nicht dargestellten) Source-Drives höher sind als jene des (in den Figuren nicht dargestellten) Gate-Drives und eine bestimmte Anzahl von Datenleitungen verringert ist, so dass die Anzahl der Source-Drives entsprechend geringer ist, lässt sich mindestens einer der Effekte verringerter Herstellungskosten und vereinfachter Prozessabläufe erzielen.
  • Es versteht sich, dass einschlägig bewanderte Fachleute unterschiedliche Modifikationen und Variationen anwenden können, ohne vom Prinzip und Geltungsumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Die vorliegende Erfindung soll sich entsprechend auch auf diese Modifikationen und Variationen erstrecken, vorausgesetzt dass diese Modifikationen und Variationen innerhalb des Geltungsumfangs der Ansprüche der vorliegenden Erfindung und deren Äquivalenten liegen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • CN 201310326789 [0001]

Claims (13)

  1. TFT-Array-Substrat mit einem Display-Bereich und einem Non-Display-Bereich, wobei der Display-Bereich Folgendes umfasst: eine erste Metallschicht, die eine erste gemeinsame Elektrodenleitung umfasst; und eine zweite Metallschicht, die eine zweite gemeinsame Elektrodenleitung umfasst; und wobei der Non-Display-Bereich eine dritte gemeinsame Elektrodenleitung umfasst, wobei die dritte gemeinsame Elektrodenleitung elektrisch mit wenigstens einer der ersten gemeinsamen Elektrodenleitung und der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung verbunden ist.
  2. TFT-Array-Substrat gemäß Anspruch 1, wobei die erste und die zweite gemeinsame Elektrodenleitung mit der dritten gemeinsamen Elektrodenleitung elektrisch verbunden sind.
  3. TFT-Array-Substrat gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die erste gemeinsame Elektrodenleitung mit der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung elektrisch verbunden ist.
  4. TFT-Array-Substrat gemäß Anspruch 1, wobei die erste Metallschicht ferner eine Gate-Leitung umfasst und die zweite Metallschicht ferner eine Datenleitung umfasst.
  5. TFT-Array-Substrat gemäß Anspruch 4, wobei die Gate-Leitung eine Doppel-Gate-Leitungsstruktur aufweist.
  6. TFT-Array-Substrat gemäß Anspruch 4, wobei die Gate-Leitung von der ersten gemeinsamen Elektrodenleitung getrennt ist und die Datenleitung von der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung getrennt ist.
  7. TFT-Array-Substrat gemäß Anspruch 6, wobei die erste gemeinsame Elektrodenleitung und die zweite gemeinsame Elektrodenleitung gerade Linien oder gebogene Linien sind.
  8. TFT-Array-Substrat gemäß Anspruch 3, ferner umfassend: eine zwischen der ersten Metallschicht und der zweiten Metallschicht angeordnete Isolierschicht; wobei die erste und die zweite gemeinsame Elektrodenleitung über ein Durchgangsloch, das die Isolierschicht penetriert, elektrisch verbunden sind.
  9. TFT-Array-Substrat gemäß Anspruch 1, wobei die Verdrahtung der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitung und der ersten gemeinsamen Elektrodenleitung als Netz in der Ebene geformt ist.
  10. TFT-Array-Substrat gemäß Anspruch 1, ferner umfassend: Pixelelektroden in der zweiten Metallschicht; wobei die Anzahl der zweiten gemeinsamen Elektrodenleitungen im TFT-Array-Substrat i ist, die Anzahl der Pixelelektroden in jeder Reihe j ist, 2i kleiner oder gleich j ist und i und j positive Ganzzahlen sind.
  11. Herstellungsverfahren des TFT-Array-Substrats, umfassend: Bilden einer ersten Metallschicht, die eine erste gemeinsame Elektrodenleitung umfasst, in einem Display-Bereich; Bilden einer zweiten Metallschicht, die eine zweite gemeinsame Elektrodenleitung umfasst, auf der ersten Metallschicht; und Bilden einer dritten gemeinsamen Elektrodenleitung in einem Non-Display-Bereich.
  12. Herstellungsverfahren des TFT-Array-Substrats gemäß Anspruch 11, wobei zwischen der ersten Metallschicht und der zweiten Metallschicht eine Isolierschicht gebildet ist und in der Isolierschicht ein Durchgangsloch ausgebildet ist.
  13. Anzeigevorrichtung, umfassend: ein TFT-Array-Substrat gemäß einem der Ansprüche 1–10; und ein Farbfiltersubstrat, das gegenüber dem TFT-Array-Substrat angeordnet ist; wobei eine transparente gemeinsame Elektrode auf einer Seite des Farbfiltersubstrats angeordnet ist und die Seite des Farbfiltersubstrats dem TFT-Array-Substrat zugewandt ist.
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