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Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der am 30. Dezember 2013 eingereichten,
chinesischen Patentanmeldung Nr. 201310747157.6 mit dem Titel „VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES TOUCH-SUBSTRATES“, deren Inhalt hier durch Bezugnahme vollständig mit aufgenommen wird.
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Gebiet der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das technische Gebiet der Touchscreens und insbesondere auf ein Verfahren zur Herstellung eines Touch-Substrates.
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Hintergrund der Erfindung
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Touchscreens stellen derzeit einen zukunftsträchtigen Entwicklungstrend dar. Eine Touch-Elektrode eines kapazitiven Touchscreens umfasst eine Sensing-Elektrode und eine Ansteuerelektrode, wobei die Sensing-Elektrode und die Ansteuerelektrode allgemein breit ausgebildet sind (beispielsweise überdecken die Sensing-Elektrode und die Ansteuerelektrode eine offene Pixelfläche), um die Berührungsempfindlichkeit zu gewährleisten.
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Die Sensing-Elektrode und die Ansteuerelektrode weisen einen gewissen Widerstand auf, und ihre Berührungsempfindlichkeit kann durch Verringern des Widerstands der Sensing-Elektrode und der Ansteuerelektrode verbessert werden, z. B. kann der Widerstand der Sensing-Elektrode und der Ansteuerelektrode verringert werden durch Vergrößern ihrer Dicke, unter der Bedingung, dass die Breite der Sensing-Elektrode und der Ansteuerelektrode nicht verändert wird, oder durch Vergrößern ihrer Breite, unter der Bedingung, dass die Dicke der Sensing-Elektrode und der Ansteuerelektrode nicht verändert wird. Die Breite der Sensing-Elektrode und der Ansteuerelektrode kann jedoch nicht willkürlich verändert werden, da sonst der Berührungseffekt beeinträchtigt wird. Wenn der Widerstand der Sensing-Elektrode und der Ansteuerelektrode durch Vergrößern der Dicke der Sensing-Elektrode und der Ansteuerelektrode verringert wird, erfüllt die Transmission eines kapazitiven Touchscreens gegebenenfalls nicht die Anforderungen, da die Sensing-Elektrode und die Ansteuerelektrode die offene Pixelfläche überdecken. Zur Lösung der obigen Probleme werden Hilfsleitungen unter der Sensing-Elektrode und/oder der Ansteuerelektrode nach dem Stand der Technik hinzugefügt, wobei eine Vielzahl von Hilfsleitungen eine Hilfsleitungsschicht bildet; und die Hilfsleitungen werden parallel an die Sensing-Elektrode und/oder die Ansteuerelektrode angeschlossen, so dass sich der Widerstand der Sensing-Elektrode und/oder der Ansteuerelektrode verringert.
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Beim Ätzen der Hilfsleitungen kann es jedoch zu Ausrichtungsfehlern kommen. Um zu verhindern, dass die offene Pixelfläche von breiten Hilfsleitungen überdeckt werden und dadurch die Transmission des kapazitiven Touchscreens beeinträchtigt wird, kann die Breite der Hilfsleitungen nur kleiner als die Breite der Abschattungsschicht gestaltet werden. Es gibt gewisse Unterschiede zwischen der Breite der mit diesem Verfahren erhaltenen Hilfsleitungen und der Breite der Struktur der Abschattungsschicht, so dass der Effekt der Verringerung des Widerstands der Sensing-Elektrode und/oder der Ansteuerelektrode nicht ideal ist und sich die Berührungsempfindlichkeit des kapazitiven Touchscreens lässt nicht deutlich verbessern lässt.
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Kurzfassung der Erfindung
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Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines Verfahrens zur Herstellung eines Touch-Substrates, um die Probleme zu lösen, dass der Effekt der Verringerung des Widerstands einer Sensing-Elektrode und/oder einer Ansteuerelektrode durch das parallele Anschließen der Sensing-Elektrode und/oder der Ansteuerelektrode an Hilfsleitungen nicht ideal ist und die Berührungsempfindlichkeit eines kapazitiven Touchscreens nicht deutlich verbessert werden kann.
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Das Ziel der Erfindung wird durch folgende technische Lösungen erreicht:
Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sieht ein Verfahren zur Herstellung eines Touch-Substrates vor, das zur Bildung einer Ansteuerelektrode und einer Sensing-Elektrode auf einem Basissubstrat verwendet wird. Das Verfahren umfasst die Schritte: Bilden einer Abschattungsschicht auf einer Seitenfläche des Basissubstrates; Bilden eines ersten transparenten, leitfähigen Films auf der anderen Seitenfläche des Basissubstrates, wobei der erste leitfähige Film zur Herstellung einer Hilfsleitungsschicht verwendet wird; Bilden der Hilfsleitungsschicht aus dem ersten leitfähigen Film durch ein Strukturierungsverfahren mit der Abschattungsschicht als Maskenstruktur, wobei eine Breite einer Struktur auf der Hilfsleitungsschicht annähernd der einer Struktur auf der Abschattungsschicht entspricht; und Bilden der Ansteuerelektrode und der Sensing-Elektrode auf dem Basissubstrat.
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Die Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung hat die folgenden vorteilhaften Effekte: die Abschattungsschicht und die Hilfsleitungen werden auf unterschiedlichen Seitenflächen des Basissubstrates gebildet, und die Hilfsleitungen werden unter Verwendung der Abschattungsschicht als Maskenstruktur hergestellt, so dass die Breite der Hilfsleitungen der Breite der Abschattungsschicht entspricht. Die Hilfsleitungen werden parallel an die Sensing-Elektrode und/oder die Ansteuerelektrode angeschlossen, so dass der Widerstand der Sensing-Elektrode und/oder der Ansteuerelektrode verringert und die Berührungsempfindlichkeit eines kapazitiven Touchscreens verbessert wird.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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1 zeigt ein Flussdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung eines Touch-Substrates gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
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2 zeigt ein Flussdiagramm der Bildung einer Hilfsleitungsschicht aus dem ersten leitfähigen Film durch ein Strukturierungsverfahren mit einer Abschattungsschicht als Maskenstruktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
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3 ist ein schematisches Diagramm, das die Bildung einer Abschattungsschicht 2 auf einer Seitenfläche des Basissubstrates 1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
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4 ist ein schematisches Diagramm, das die Bildung eines ersten leitfähigen Films 3 auf der anderen Seitenfläche des Basissubstrates 1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
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5 ist ein schematisches Diagramm, welches das Aufbringen eines Fotolackfilms 4 auf den ersten leitfähigen Film 3 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
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6 ist ein schematisches Diagramm, das die Belichtung des in 5 gezeigten Fotolackfilms 4 unter Verwendung der Abschattungsschicht 2 als Maskenstruktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
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7 ist ein schematisches Diagramm, das die Bildung einer gleichen Struktur wie der Abschattungsschicht 2 auf dem Fotolackfilm 4 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
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8 ist ein schematisches Diagramm, das die Bildung einer Hilfsleitungsschicht 5 auf dem in 7 gezeigten, ersten leitfähigen Film gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
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9 ist ein schematisches Diagramm der Hilfsleitungsschicht 5 nach Entfernen des Fotolackfilms 4 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
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10 ist ein schematisches Diagramm, das die Bildung einer Touch-Elektrode 6 auf der Hilfsleitungsschicht 5 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
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11 ist ein schematisches Diagramm, welches das Aufbringen eines transparenten, leitfähigen Films auf die in 9 gezeigte Hilfsleitungsschicht 5 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
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12 ist ein schematisches Diagramm, das die Bildung eines Fotolackfilms 9 auf dem transparenten, leitfähigen Film 8 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
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13 ist ein schematisches Diagramm, das die Bildung der Struktur der Touch-Elektrode 6 aus dem Fotolackfilm 9 durch ein Strukturierungsverfahren gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt; und
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14 ist ein schematisches Diagramm, welches das Wegätzen des transparenten, leitfähigen Films 8 in einem Bereich, der nicht durch den Fotolackfilm 9 abgeschattet ist, zur Bildung der Struktur der Touch-Elektrode 6 durch ein Strukturierungsverfahren gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
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Detaillierte Beschreibung der Ausführungsformen
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Die Verfahren zur Umsetzung der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend in Verbindung mit den der Beschreibung beigefügten Zeichnungen noch detaillierter veranschaulicht. Es sei angemerkt, dass gleiche oder ähnliche Bezugszeichen durchweg für die gleichen oder ähnliche Bauteile oder für Bauteile mit den gleichen oder ähnlichen Funktionen stehen. Die nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschriebenen Ausführungsformen sind Beispiele und dienen lediglich zur Auslegung der vorliegenden Erfindung, aber nicht zu deren Einschränkung.
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Unter Bezugnahme auf 1 sieht eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Touch-Substrates vor, wobei das Verfahren zur Bildung einer Ansteuerelektrode und einer Sensing-Elektrode auf einem Basissubstrat angewendet wird. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte:
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101: Bilden einer Abschattungsschicht auf einer Seitenfläche des Basissubstrates.
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Die Abschattungsschicht ist allgemein auf einer Seitenfläche des Substrates angeordnet. Bei dem Basissubstrat handelt es sich allgemein um ein Glassubstrat zur Herstellung eines Farbfiltersubstrates, und die Abschattungsschicht kann auf einer Seitenfläche des Basissubstrates nahe den Flüssigkristallen oder auf einer Betrachtungsseite angeordnet sein. Wenn das mit der Abschattungsschicht versehene Farbfiltersubstrat und ein Array-Substrat einander gegenüber angeordnet sind, um eine Flüssigkristallbox zu bilden, wird die Abschattungsschicht zur Abschattung von Metallleitungen, wie Datenleitungen, Gateleitungen, herkömmlichen Elektrodenleitungen und/oder dergleichen, auf dem Array-Substrat verwendet. Bei dieser Ausführungsform ist die Abschattungsschicht vorzugsweise auf einer Seitenfläche nahe den Flüssigkristallen angeordnet.
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Vorzugsweise ist die Abschattungsschicht eine Schwarzmatrix.
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102: Bilden eines ersten transparenten, leitfähigen Films auf der anderen Seitenfläche des Basissubstrates, wobei der erste leitfähige Film zur Herstellung einer Hilfsleitungsschicht verwendet wird.
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Es sei angemerkt, dass zum Zweck einer deutlichen Verringerung des Widerstandes der Ansteuerelektrode und/oder der Sensing-Elektrode nach dem parallelen Anschließen von durch den ersten leitfähigen Film gebildeten Hilfsleitungen an die Ansteuerelektrode und/oder die Sensing-Elektrode der Widerstand des Materials des ersten leitfähigen Films kleiner oder gleich dem Widerstand der Materialien der Ansteuerelektrode und der Sensing-Elektrode ist. Vorzugsweise ist das Material des ersten leitfähigen Films ein Material eines transparenten, leitfähigen Films (TCF) mit niedrigem Widerstand.
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Bei dem Material des TCF mit niedrigem Widerstand kann es sich z. B. um Indiumzinnoxid (ITO), Aluminium-Zinkoxid (AZO) oder Gallium-Zinkoxid (GZO) handeln.
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Die obigen Materialien für den TCF mit niedrigem Widerstand dienen lediglich zur Veranschaulichung dieser Ausführungsform und sollen die vorliegende Erfindung nicht einschränken.
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103: Bilden der Hilfsleitungsschicht aus dem ersten leitfähigen Film durch ein Strukturierungsverfahren mit der Abschattungsschicht als Maskenstruktur, wobei eine Breite einer Struktur auf der Hilfsleitungsschicht der einer Struktur auf der Abschattungsschicht entspricht.
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Es versteht sich, dass die gebildete Hilfsleitungsschicht mit einer Vielzahl von Hilfsleitungen versehen ist und die Breite der Struktur der Hilfsleitungsschicht den Breiten der Hilfsleitungen entspricht. Die Abschattungsschicht weist dabei eine Vielzahl von Abschattungsstreifen auf, wobei die Breite der Struktur auf der Abschattungsschicht der Breite der Abschattungsstreifen entspricht.
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Wie in 2 gezeigt, wird die Hilfsleitungsschicht aus dem ersten leitfähigen Film durch ein Strukturierungsverfahren mit der Abschattungsschicht als Maskenstruktur gebildet, wobei insbesondere folgende Schritte erfolgen:
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201: Aufbringen eines Fotolackfilms auf den ersten leitfähigen Film.
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202: Belichten des Fotolackfilms in einem Bereich, der nicht durch die Abschattungsschicht abgeschattet ist, durch Sicherstellen, dass das Belichtungslicht in die Seitenfläche eintritt, auf der sich die Abschattungsschicht befindet, und aus der Seitenfläche austritt, auf der sich der erste leitfähige Film befindet.
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Bei diesem Schritt wird aufgrund der Opazität der Abschattungsschicht beim Eintritt des Belichtungslichtes in die Seitenfläche, auf der sich die Abschattungsschicht befindet, ein durch die Abschattungsschicht abgeschatteter Bereich nicht mit dem Belichtungslicht bestrahlt, und der Bereich, der nicht durch die Abschattungsschicht abgeschattet ist, wird ebenfalls mit dem Belichtungslicht bestrahlt, so dass die Abschattungsschicht als Maskenstruktur verwendet wird.
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203: Bilden einer Struktur, die der Abschattungsschicht auf dem Fotolackfilm entspricht, durch Entwicklungs- und Reinigungsverfahren.
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204: Bilden der Hilfsleitungsschicht aus dem ersten leitfähigen Film durch ein Ätzverfahren.
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Vorzugsweise besteht der Fotolackfilm aus einem Positivlack. Bei dieser Ausführungsform wird der Fotolackfilm mit dem Licht durch den ersten transparenten, leitfähigen Film im folgenden Belichtungsverfahren durch Einsatz des Positivlacks strukturiert, so dass der über den Fotolackfilm hinaus gehende Teil, der beizubehalten ist, der Positivlack wird.
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Durch die Verwendung der Abschattungsschicht als Maskenstruktur kann die Breite der Struktur der Hilfsleitungsschicht, die annähernd oder vollständig der Breite der Struktur der Abschattungsschicht entspricht, erhalten werden, d.h. die Breiten der Hilfsleitungen entsprechen annähernd oder vollständig den Breiten der Abschattungsstreifen.
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Bei dieser Ausführungsform wird die Abschattungsschicht als Maskenstruktur verwendet, so dass einerseits keine zusätzliche Maske vorgesehen werden muss, und die Hilfsleitungen, deren Position derjenigen der Struktur der Abschattungsschicht entspricht und deren Breite annähernd oder vollständig der Struktur der Abschattungsschicht entspricht, können durch Einmalbelichtungs-, Entwicklungs- und Ätzverfahren erhalten werden, wobei die Abschattungsschicht zur Selbstausrichtung und zur Begrenzung der Breiten der Hilfsleitungen verwendet wird; und andererseits muss nicht berücksichtigt werden, dass die Breiten der Hilfsleitungen die Breite der Struktur der Abschattungsschicht überschreiten, sondern die Hilfsleitungen können die maximale Breite aufweisen.
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104: Bilden der Ansteuerelektrode und der Sensing-Elektrode auf dem Basissubstrat, auf dem der Schritt 103 abgeschlossen ist.
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Nur die Ansteuerelektrode, nur die Sensing-Elektrode oder sowohl die Ansteuerelektrode als auch die Sensing-Elektrode können auf dem Basissubstrat gebildet werden, auf dem die Hilfsleitungsschicht gebildet wird.
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Beispielsweise wird nur die Ansteuerelektrode auf dem Basissubstrat gebildet, auf dem die Hilfsleitungsschicht gebildet wird, d.h. die Hilfsleitungen stehen nur mit der Ansteuerelektrode in direktem Kontakt, so dass der Widerstand der Ansteuerelektrode durch Parallelschaltung verringert wird.
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Vorzugsweise umfasst der Schritt des Bildens der Ansteuerelektrode und der Sensing-Elektrode noch die Schritte:
Bilden eines zweiten leitfähigen Films auf der Hilfsleitungsschicht, und Bilden nur der Ansteuerelektrode aus dem zweiten leitfähigen Film durch ein Strukturierungsverfahren, wobei die Ansteuerelektrode in direktem Kontakt mit der Hilfsleitungsschicht steht;
Entfernen eines Bereichs der Hilfsleitungsschicht, der nicht von der Ansteuerelektrode überdeckt wird, durch ein Ätzverfahren;
Bilden der Sensing-Elektrode auf dem Basissubstrat, auf dem die vorgenannten Schritte abgeschlossen sind, wobei die Ansteuerelektrode und die Sensing-Elektrode auf unterschiedlichen Schichten angeordnet und voneinander isoliert sind.
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Bei dieser Ausführungsform kann die Breite der gebildeten Ansteuerelektrode in direktem Kontakt mit der Hilfsleitungsschicht die Breiten der Hilfsleitungen der Hilfsleitungsschicht überschreiten, wobei die Dicke des Teils der Ansteuerelektrode, der die Hilfsleitungen überschreitet, kleiner als eine Summe der Dicke der Ansteuerelektrode und der Dicken der Hilfsleitungen ist, so dass der Teil der Ansteuerelektrode, der die Hilfsleitungen überschreitet, die Transmission nicht beeinträchtigt, und das Ziel der Verringerung des Widerstands der Ansteuerelektrode durch Parallelschaltung zwischen der Ansteuerelektrode und den Hilfsleitungen erreicht wird. Dabei werden die Breiten der Hilfsleitungen maximiert, d.h. die Breiten der Hilfsleitungen entsprechen annähernd oder vollständig der Breite der Struktur der Abschattungsschicht, und der Widerstand der Ansteuerelektrode kann durch Parallelschaltung der Ansteuerelektrode und der Hilfsleitungen am stärksten verringert werden.
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Bei einem anderen Beispiel wird nur die Sensing-Elektrode auf dem Basissubstrat gebildet, auf dem die Hilfsleitungsschicht gebildet wird, d.h. die Hilfsleitungen stehen nur mit der Sensing-Elektrode in direktem Kontakt, so dass der Widerstand der Sensing-Elektrode durch Parallelschaltung verringert wird.
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Vorzugsweise umfasst der Schritt des Bildens der Ansteuerelektrode und der Sensing-Elektrode noch die Schritte:
Bilden eines zweiten leitfähigen Films auf der Hilfsleitungsschicht, und Bilden nur der Sensing-Elektrode aus dem zweiten leitfähigen Film durch ein Strukturierungsverfahren, wobei die Sensing-Elektrode in direktem Kontakt mit der Hilfsleitungsschicht steht;
Entfernen eines Bereichs der Hilfsleitungsschicht, der nicht von der Sensing-Elektrode überdeckt wird, durch ein Ätzverfahren;
Bilden der Ansteuerelektrode auf dem Basissubstrat, auf dem die vorgenannten Schritte abgeschlossen sind, wobei die Ansteuerelektrode und die Sensing-Elektrode auf unterschiedlichen Schichten angeordnet und voneinander isoliert sind.
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Bei dieser Ausführungsform kann die Breite der gebildeten Sensing-Elektrode in direktem Kontakt mit der Hilfsleitungsschicht die Breiten der Hilfsleitungen der Hilfsleitungsschicht überschreiten, wobei die Dicke des Teils der Sensing-Elektrode, der die Hilfsleitungen überschreitet, kleiner als eine Summe der Dicke der Sensing-Elektrode und der Dicken der Hilfsleitungen ist, so dass der Teil der Sensing-Elektrode, der die Hilfsleitungen überschreitet, die Transmission nicht beeinträchtigt, und das Ziel der Verringerung des Widerstands der Sensing-Elektrode durch Parallelschaltung der Sensing-Elektrode und der Hilfsleitungen erreicht wird. Dabei werden die Breiten der Hilfsleitungen maximiert, d.h. die Breiten der Hilfsleitungen entsprechen annähernd oder vollständig der Breite der Struktur der Abschattungsschicht, und der Widerstand der Sensing-Elektrode kann durch Parallelschaltung der Sensing-Elektrode und der Hilfsleitungen am stärksten verringert werden.
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Bei einem anderen Beispiel werden die Ansteuerelektrode und die Sensing-Elektrode auf dem Basissubstrat gebildet, auf dem die Hilfsleitungsschicht gebildet wird, d.h. die Hilfsleitungen stehen in direktem Kontakt mit der Ansteuerelektrode und der Sensing-Elektrode, so dass der Widerstand der Ansteuerelektrode und der Sensing-Elektrode durch Parallelschaltung verringert wird.
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Vorzugsweise umfasst der Schritt des Bildens der Ansteuerelektrode und der Sensing-Elektrode noch die Schritte:
Bilden eines zweiten leitfähigen Films auf der Hilfsleitungsschicht, und Bilden der Ansteuerelektrode und der Sensing-Elektrode aus dem zweiten leitfähigen Film durch ein Strukturierungsverfahren;
Entfernen eines Bereichs der Hilfsleitungsschicht, der nicht von der Ansteuerelektrode und der Sensing-Elektrode überdeckt wird, durch ein Ätzverfahren, wobei die Ansteuerelektrode und die Sensing-Elektrode auf derselben Schicht angeordnet und voneinander isoliert sind.
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Bei dieser Ausführungsform kann die Breite der gebildeten Ansteuerelektrode und der gebildeten Sensing-Elektrode in direktem Kontakt mit der Hilfsleitungsschicht die Breiten der Hilfsleitungen der Hilfsleitungsschicht überschreiten, wobei die Dicke der Teile der Ansteuerelektrode und der Sensing-Elektrode, die die Hilfsleitungen überschreiten, kleiner als eine Summe der Dicken der Ansteuerelektrode und der Sensing-Elektrode sowie der Dicken der Hilfsleitungen ist, so dass die Teile der Ansteuerelektrode und der Sensing-Elektrode, die die Hilfsleitungen überschreiten, die Transmission nicht beeinträchtigen, und das Ziel der Verringerung des Widerstands der Ansteuerelektrode und der Sensing-Elektrode durch Parallelschaltung der Ansteuerelektroden und der Sensing-Elektroden sowie der Hilfsleitungen erreicht wird. Dabei werden die Breiten der Hilfsleitungen maximiert, d.h. die Breiten der Hilfsleitungen entsprechen annähernd oder vollständig der Breite der Struktur der Abschattungsschicht, und der Widerstand der Ansteuerelektrode und der Sensing-Elektrode kann durch Parallelschaltung der Ansteuerelektroden und der Sensing-Elektroden sowie der Hilfsleitungen am stärksten verringert werden. In dieser Situation muss natürlich die Isolierung am Schnittpunkt der Ansteuerelektrode und der Sensing-Elektrode berücksichtigt werden, die hier nicht redundant beschrieben wird.
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Die Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung hat die folgenden vorteilhaften Effekte: die Abschattungsschicht und die Hilfsleitungen werden auf unterschiedlichen Seitenflächen des Basissubstrates gebildet, und die Hilfsleitungen werden unter Verwendung der Abschattungsschicht als Maskenstruktur hergestellt, so dass die Breiten der Hilfsleitungen der Breite der Abschattungsschicht entsprechen. Die Hilfsleitungen werden parallel an die Sensing-Elektrode und/oder die Ansteuerelektrode angeschlossen, so dass der Widerstand der Sensing-Elektrode und/oder der Ansteuerelektrode verringert und die Berührungsempfindlichkeit eines kapazitiven Touchscreens verbessert ist.
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Zur deutlicheren Veranschaulichung der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend die Herstellung der Hilfsleitungsschicht und eine Struktur der Hilfsleitungsschicht mit einer darauf gebildeten Touch-Elektrode in Verbindung mit den 3 bis 9 dargestellt.
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In 3 bis 10 haben die jeweiligen Bezugszeichen die gleiche Bedeutung.
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3 zeigt ein schematisches Diagramm der Bildung einer Abschattungsschicht 2 auf einer Seitenfläche eines Basissubstrates 1.
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4 zeigt ein schematisches Diagramm der Bildung eines ersten leitfähigen Films 3 auf der anderen Seitenfläche des Basissubstrates 1.
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Vorzugsweise ist das Material des ersten leitfähigen Films 3 ein Material eines transparenten, leitfähigen Films mit niedrigem Widerstand. Bei dem Material des transparenten leitfähigen Films kann es sich um Indiumzinnoxid, Aluminium-Zinkoxid oder Gallium-Zinkoxid handeln.
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5 zeigt ein schematisches Diagramm des Aufbringens eines Fotolackfilms 4 auf den ersten leitfähigen Film 3. Der Fotolack ist ein Positivlack.
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6 zeigt ein schematisches Diagramm der Belichtung des in 5 gezeigten Fotolackfilms 4 unter Verwendung der Abschattungsschicht 2 als Maskenstruktur.
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7 zeigt ein schematisches Diagramm der Bildung einer gleichen Struktur wie der Abschattungsschicht 2 auf dem Fotolackfilm 4.
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8 zeigt ein schematisches Diagramm der Bildung einer Hilfsleitungsschicht 5 auf dem in 7 gezeigten, ersten leitfähigen Film.
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9 zeigt ein schematisches Diagramm der Hilfsleitungsschicht 5 nach Entfernen des verbleibenden Fotolackfilms 4, wobei die Abschattungsschicht 2 auf einer Seitenfläche des Basissubstrates gebildet wird, die Hilfsleitungsschicht 5 auf der anderen Seitenfläche des Basissubstrates gebildet wird, und die Breite der Struktur der Hilfsleitungsschicht 5 derjenigen der Struktur der Abschattungsschicht 2 entspricht.
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Zum besseren und einfacheren Verständnis der Hilfsleitungsschicht 5 und der Ansteuerelektrode und/oder der Sensing-Elektrode gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung zeigt 10 ein schematisches Diagramm der Bildung einer Touch-Elektrode 6 auf der Hilfsleitungsschicht 5, wobei die Touch-Elektrode 6 die Ansteuerelektrode und/oder die Sensing-Elektrode sein kann. Die Breite der Struktur der Hilfsleitungsschicht 5 entspricht derjenigen der Struktur der Abschattungsschicht 2, und die Breite der Touch-Elektrode 6 ist größer als die der Struktur der Hilfsleitungsschicht 5.
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Um die in 10 gezeigte Touch-Elektrode 6 zu erhalten, sollten ferner die folgenden Schritte zur Herstellung der Touch-Elektrode 6 in Verbindung mit 3 bis 9 berücksichtigt werden.
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Schritt 1: Aufbringen eines transparenten, leitfähigen Films 8 auf die in 9 gezeigte Hilfsleitungsschicht 5, wie in 11 dargestellt. Der transparente, leitfähige Film 8 wird zum Bilden der in 10 gezeigten Touch-Elektrode 6 verwendet, und bei dem Material des transparenten leitfähigen Films 8 kann es sich um Indiumzinnoxid, Aluminium-Zinkoxid oder Gallium-Zinkoxid handeln.
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Schritt 2: Bilden eines Fotolackfilms 9 auf dem transparenten, leitfähigen Film 8, wie in 12 dargestellt.
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Schritt 3: Bilden einer Struktur der Touch-Elektrode 6 aus dem Fotolackfilm 9 durch ein Strukturierungsverfahren, wie in 13 gezeigt.
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Schritt 4: Wegätzen eines Bereichs des transparenten, leitfähigen Films 8, der nicht durch den Fotolackfilm 9 abgeschattet ist, durch ein Strukturierungsverfahren zur Bildung der Struktur der Touch-Elektrode 6, wie in 14 gezeigt.
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Schritt 5: weiteres Ätzen der Hilfsleitungsschicht 5, die nicht von der Touch-Elektrode 6 überdeckt wird, durch ein Ätzverfahren, um eine finale Hilfsleitungsschicht zu erhalten.
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Schritt 6: Bilden der in 10 gezeigten Touch-Elektrode 6 nach Entfernen des verbleibenden Fotolacks, wobei die Touch-Elektrode 6 in direktem Kontakt mit der Hilfsleitungsschicht 5 steht.
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Das obige Strukturierungsverfahren kann einen oder mehrere Belichtungs-, Entwicklungs-, Ätz- und Reinigungsvorgänge umfassen, wobei je nach Bedarf unterschiedliche Strukturierungsverfahren gewählt werden können.
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Es versteht sich, dass der Fachmann verschiedene Modifikationen und Variationen der vorliegenden Erfindung vornehmen kann, ohne vom Gedanken und Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Daher soll die vorliegende Erfindung diese Modifikationen und Variationen abdecken, vorausgesetzt, diese Modifikationen und Variationen der vorliegenden Erfindung fallen unter den Umfang der Ansprüche der vorliegenden Erfindung und deren äquivalenter Technologien.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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