DE102012221294B4 - Zusammensetzen von anorganischen Aktivmatrix-Leuchtdioden für Anzeigeeinheiten - Google Patents

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Abstract

Verfahren zum Bilden einer Aktivmatrix-Leuchtdioden(LED)-Anordnung, wobei das Verfahren aufweist: Entfernen einer Schicht eines anorganischen LED-Materials von einem Basissubstrat, das ursprünglich darauf aufgewachsen wurde; und Bonden der entfernten Schicht des anorganischen LED-Materials mit einem Aktivmatrix-Dünnschichttransistor(TFT)-Backplane-Array, wobei das Entfernen der Schicht des anorganischen LED-Materials von dem Basissubstrat aufweist: Bilden einer oder mehrerer Spannungsschichten auf einer oberen Fläche des anorganischen LED-Materials, die dem Basissubstrat gegenüber liegt; Bilden einer flexiblen Handhabungsschicht auf der einen oder den mehreren Spannungsschichten; und Einwirken einer Kraft auf die flexible Handhabungsschicht, um die Spannungsschicht und zumindest einen Teil des anorganischen LED-Materials von dem Basissubstrat abzutrennen.

Description

  • Hintergrund
  • Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein die Herstellung von Halbleitereinheiten und insbesondere Verfahren zum Zusammensetzen von anorganischen Aktivmatrix-Leuchtdioden für Anzeigeeinheiten.
  • Das Interesse an Anzeigen mit organischen Leuchtdioden (OLED) für Anwendungen in Flachbildschirmen hat neuerdings angesichts ihrer im Vergleich mit Flüssigkristallanzeigen (LCD) kürzeren Reaktionszeiten, der größeren Betrachtungswinkel, des höheren Kontrasts, des geringeren Gewichts, des geringeren Stromverbrauchs und der Eignung für flexible Substrate stark zugenommen. Trotz der nachgewiesenen Überlegenheit der OLEDs gegenüber den LCDs gibt es immer noch einige herausfordernde Probleme bezüglich der Kapselung und Lebensdauer, der Fertigungsausbeute, der Farbintensität und der Ansteuerelektronik, denen sämtlich hohe Aufmerksamkeit gewidmet wird.
  • Ungeachtet dessen werden OLEDs weiterhin als zukünftige Technologie der Wahl für die Herstellung von flexiblen Aktivmatrixanzeigen weithin erforscht. Obwohl durch Passivmatrix angesteuerte OLED-Anzeigen bereits handelsüblich sind, unterstützen sie nicht die für die nächste Bildschirmgeneration erforderliche Auflösung, da Formate mit hohem Informationsgehalt (high information content, HIC) nur mit dem Aktivmatrix-Ansteuersystem verarbeitet werden können. Eine Aktivmatrix betrifft die Kombination der aktiven Schalt- und/oder Ansteuereinheiten (üblicherweise Dünnschichttransistoren) und der durch die aktiven Einheiten gesteuerten passiven Einheiten (wie beispielsweise LEDs). Die aktiven und passiven Teile der Aktivmatrix werden als Rückseite (backplane) beziehungsweise als Frontseite (front plane) bezeichnet.
  • Im Gegensatz zu den gängigen anorganischen LEDs ist die geringere Abscheidungstemperatur von organischen Materialien bestens für preiswerte flexible Substrate geeignet. Die Lebensdauer und der Wirkungsgrad der jetzigen organischen LEDs stehen denen der anorganischen LEDs jedoch noch deutlich nach.
  • Kurzüberblick
  • Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform beinhaltet ein Verfahren zum Bilden einer Aktivmatrix-Leuchtdioden(LED)-Anordnung das Entfernen einer ursprünglich auf ein Basissubstrat aufgewachsenen Schicht eines anorganischen LED-Materials von diesem; und das Verbinden der entfernten Schicht des anorganischen LED-Materials mit einer Aktivmatrix-Dünnschichttransistor(TFT)-Rückseitenanordnung.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform beinhaltet ein Verfahren zum Bilden einer Anzeigeeinheit das Aufwachsen einer oder mehrerer Schichten eines anorganischen Leuchtdioden(LED)-Materials auf ein Basissubstrat; das Abtrennen der einen oder mehreren Schichten des anorganischen LED-Materials von dem Basissubstrat durch eine spannungsinduzierte Abplatztechnik; und das Verbinden der einen oder mehreren abgetrennten Schichten des anorganischen LED-Materials mit einer Aktivmatrix-Dünnschichttransistor(TFT)-Rückseitenanordnung, wodurch eine Aktivmatrix-LED-Anordnung bzw. ein Aktivmatrix-LED-Array definiert wird.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform beinhaltet eine Aktivmatrix-Leuchtdioden(LED)-Anordnung eine Schicht des anorganischen LED-Materials, die mit einem Aktivmatrix-Dünnschichtttransistor(TFT)-Backplane-Array verbunden ist.
  • Folgende Dokumente beschäftigen sich mit dem Thema von LED-Arrays:
    D1 ( US 2008/0308820 A1 ) beschriebt ein LED-Array auf einem Basissubstrat und einer Trägerschicht. Es sind verschiedene Farben der LEDs vorgesehen. Sie lassen sich individuell ansteuern.
  • D2 ( WO 2011/071559 A1 ) beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Micro-Arrays aus LEDs. Über eine Flip-Chip-Technologie werden zwei Chip-Hälften zusammengefügt. Die jeweiligen Basissubstrate bleiben erhalten.
  • D3 ( WO 2009/089105 A1 ) beschreibt eine flexible Anzeigeeinheit mit einer Vielzahl von Pixel-Chips (Chixels), die auf einem flexiblem Substrat angeordnet sind. Außerdem können Filter vorgesehen sein. Das Verfahren berücksichtigt, dass ein gewünschter Biegeradius des flexiblen Substrates eingehalten werden kann.
  • D4 ( EP 2 341 543 A1 ) offenbart eine LED-Vorrichtung und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Das Besondere an dieser LED-Vorrichtung ist die Art der Kontaktierung einer der LED-Schichten durch ein Loch in mindestens einer der Schichten des Schichtenstapels der die LED ausmacht.
  • Kurzbeschreibung der verschiedenen Zeichnungsansichten
  • Unter Bezugnahme auf die beispielhaften Zeichnungen weisen gleiche Elemente in den verschiedenen Figuren gleiche Bezugsnummern auf, wobei:
  • 1 ein Ablaufplan ist, der das Verfahren zum Bilden eines anorganischen Aktivmatrix-LED-Array veranschaulicht;
  • 2(a) eine Querschnittsansicht einer aufgewachsenen anorganischen LED-Einheit ist, die bei dem Verfahren von 1 verwendet wird;
  • 2(b) eine Querschnittsansicht einer alternativen Ausführungsform der aufgewachsenen anorganischen LED-Einheit von 2(a) ist;
  • 3 eine Querschnittsansicht ist, die die Bildung einer oder mehrerer Spannungsschichten und einer flexiblen Handhabungsschicht auf einer aufgewachsenen anorganischen LED-Einheit veranschaulicht;
  • 4 eine Querschnittsansicht ist, die das durch mechanische Krafteinwirkung ausgelöste Abplatzen der LED-Einheit entlang einer Bruchebene durch Abziehen der Spannungsschicht(en) mittels der flexiblen Handhabungsschicht veranschaulicht;
  • 5 eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme (SEM) ist, die eine Abplatztechnik für Halbleiterschichten darstellt;
  • 6 ein Schaltschema ist, das ein Aktivmatrix-TFT-Backplane-Array veranschaulicht, mit der die abgespalteten LED-Schichten der LED-Einheit verbunden werden können;
  • 7 eine Querschnittsansicht ist, die das mechanische Verbinden der abgespalteten anorganischen LED-Einheit mit einem Aktivmatrix-TFT-Backplane-Array veranschaulicht;
  • 8 eine Querschnittsansicht ist, die mehrere strukturierte anorganische LED-Einheiten veranschaulicht, die mit einem Aktivmatrix-TFT-Backplane-Array verbunden sind, um Teilpixel zu definieren;
  • 9 eine Querschnittsansicht einer einzelnen anorganischen LED-Einheit ist, die unter Verwendung von Farbfiltern mit einem Aktivmatrix-TFT-Backplane-Array verbunden ist, um Teilpixel zu definieren; und
  • 10 eine Querschnittsansicht einer alternativen Ausführungsform einer einzelnen anorganischen LED-Einheit ist, die unter Verwendung von Farbfiltern mit einem Aktivmatrix-TFT-Backplane-Array verbunden ist, um Teilpixel zu definieren.
  • Detaillierte Beschreibung
  • Hierin wird ein Verfahren zum Anordnen von anorganischen Leuchtdioden (LEDs) auf einer Dünnschichttransistor(TFT)-Rückseite zum Herstellen von Aktivmatrix-LED-Anzeigen sowohl auf flexiblen als auch auf starren Substraten offenbart. Kurz gesagt verwenden die hierin beschriebenen Ausführungsformen eine spannungsinduzierte Substrat-Abspalttechnik, um eine Schicht einer auf herkömmliche Weise aufgewachsenen anorganischen LED-Einheit unter Verwendung einer mechanischen Verbindungstechnik (zum Beispiel durch Kaltschweißen) auf eine integrierte TFT-Rückseite zu übertragen, um ein anorganisches Aktivmatrix-LED-Array zu erzeugen. Bislang bedienten sich alle praktischen Ansätze zum Zusammenfügen von LED-Einheiten mit TFT-Rückseitensubstraten der Tieftemperaturabscheidung des oben erwähnten organischen LED-Materials.
  • Unter Bezugnahme auf 1 wird zunächst ein Ablaufplan gezeigt, der ein Verfahren 100 zum Bilden eines anorganischen Aktivmatrix-LED-Array gemäß einer beispielhaften Ausführungsform veranschaulicht. Auf 1 kann später Bezug genommen werden, wenn anhand weiterer Figuren die Blöcke des Ablaufplans ausführlich beschrieben werden. In Block 102 wird durch Aufwachsen anorganischer LED-Schichten auf ein Basissubstrat eine LED-Einheit gebildet. Diese anfängliche LED-Einheit kann gemäß in der Technik bekannten Techniken gebildet werden, indem zum Beispiel eine Galliumnitrid(GaN)-LED-Struktur auf einem Saphir-Basissubstrat gebildet wird. Dann werden in Block 106 die LED-Schichten (z. B. p-leitende Schicht/aktive Schicht/n-leitende Schicht), welche die LED-Einheit aufweisen, von dem Basissubstrat entfernt, auf das sie durch eine spannungsinduzierte Abspalttechnik aufgewachsen worden sind. Die somit durch Abspalten von dem Basissubstrat übertragenen LED-Schichten werden dann in Schritt 108 zum Beispiel durch Kaltschweißen mit einem Aktivmatrix-TFT-Backplane-Array verbunden.
  • Für eine Anzeigeeinheit mit einer großen Anzahl farbiger Teilpixel ist es denkbar, dass die mit dem Backplane-Array verbundene einzelne planare LED-Einheit mit jeweils eigenen Farbfiltern ausgestattet sein kann. Wenn gemäß Entscheidungsblock 110 eine Farbfilterung angewendet werden soll, werden Farbfilter gemäß Block 112 gebildet. Werden jedoch keine Farbfilter verwendet, können andererseits gemäß Block 114 die LED-Schichten eines ersten Halbleitertyps (z. B. durch herkömmliche Lithografie) strukturiert werden. Anschließend kann die LED-Bearbeitung durch Aufwachsen/Abspalten/Verbinden/Strukturieren wiederholt werden (d. h. der Prozess springt zurück zu Block 102), um ein benachbartes Teilpixel mit einer verschiedenfarbigen Lichtemission zu erzeugen. Auch wenn Farbfilter gebildet werden, können die übertragenen LED-Schichten strukturiert werden, um die mechanische Flexibilität der Aktivmatrix zu verbessern, wenn ein flexibles TFT-Backplane-Array verwendet wird.
  • 2(a) und 2(b) veranschaulichen ausführlicher beispielhafte Ausführungsformen einer LED-Einheit 200a bzw. 200b. Gezeigt wird, dass die LED-Einheit 200a von 2(a) ein Basissubstrat 202 (z. B. Saphir) enthält, auf dem wahlweise eine oder mehrere Pufferschichten 204 (z. B. Aluminiumnitrid) gebildet werden können. Auf den Pufferschichten 204 wird eine p-leitend dotierte Halbleiterschicht 206 (z. B. GaN) gebildet, auf der p-leitend dotierten Halbleiterschicht 206 wird eine aktive Schicht oder ein aktiver Bereich 208 (z. B. InGaN) gebildet, und auf der aktiven Schicht 208 wird eine n-leitend dotierte Halbleiterschicht 210 (z. B. GaN) gebildet. Die gestrichelte Linie 212 zeigt die gewünschte Stelle, an der die LED-Schichten abgespaltet werden, um sie vom Basissubstrat 202 und den Pufferschichten 204 zu entfernen. In der LED-Einheit 200b von 2(b) ist die Polarität der LED lediglich insofern umgekehrt, als auf den Pufferschichten 204 eine n-leitend dotierte Halbleiterschicht 210 und auf dieser die aktive Schicht 208 und eine p-leitend dotierte Halbleiterschicht 206 gebildet wurden.
  • Unter Bezugnahme auf 3 wird nunmehr eine Querschnittsansicht zum Veranschaulichen der Bildung einer oder mehrerer Spannungsschichten und einer flexiblen Handhabungsschicht auf einer aufgewachsenen anorganischen LED-Einheit gezeigt. Bei diesem Beispiel wird die LED-Einheit 200b von 2(b) als beispielhaftes Quellensubstrat für den Abplatzprozess von diesem veranschaulicht. Insbesondere werden auf dem Quellen-LED-Substrat 200b eine oder mehrere dünne kostengünstige Spannungsschichten (wahlweise eine Haftschicht 302 und eine Metallschicht 304) abgeschieden. Dann wird auf die metallische Spannungsschicht 304 eine flexible Handhabungsschicht 306 aufgebracht.
  • Die wahlweise aufzubringende Haftschicht 302 kann aus einem Metall wie beispielsweise Titan (Ti), Wolfram (W), Chrom (Cr), Nickel (Ni) und deren Legierungen gebildet werden. Die metallische Spannungsschicht 304 kann ein Metall wie beispielsweise Ni, Cr und Eisen (Fe) enthalten, das gegenüber einer Grenzfläche zwischen der Haftschicht 302 und dem Quellensubstrat 200b gebildet wird. Die flexible Handhabungsschicht 306 (zum Beispiel ein Polyimid) weist einen geeigneten Krümmungsradius derart auf, dass die Handhabungsschicht 306 nicht zu starr ist und den Abplatzprozess nicht beeinträchtigt.
  • Die Dicken der dünnen Spannungsschicht oder -schichten 302, 304 werden einzeln oder zusammen so gewählt, dass sie ein spontanes Abplatzen des Quellensubstrats 200b durch bloßes Abscheiden der Spannungsschichten selbst verhindern. Der Abplatzprozess soll vielmehr kontrolliert so durchgeführt werden, dass das Einwirken einer mechanischen Kraft auf die Handhabungsschicht 306 zum Abblättern eines Teils des LED-Quellensubstrats entlang der in 4 gezeigten vorgesehenen Stelle führt. Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform ist die Dicke der von dem Quellensubstrat 200b abgeblätterten Halbleiterschicht 304 ungefähr doppelt so groß wie die Summe der Dicken der Spannungsschicht 304 und der wahlweise aufzubringenden Haftschicht 302. Durch Steuern der Stärke der Spannung in der Spannungsschicht 304 kann der geeignete Wert der Dicke der Spannungsschicht 304 so gewählt werden, dass eine gewünschte Dicke der abgeblätterten LED-Halbleiterschichten 308 entfernt wird.
  • Zur weiteren Veranschaulichung zeigt 5 eine rasterelektronenmikroskopische Aufnahme (SEM) einer Abspalttechnik für Halbleiterschichten, bei der eine ungefähr 2 Mikrometer (μm) dicke GaN-Schicht von einer GaN-LED-Struktur abgelöst wird, die auf ein Saphirsubstrat aufgewachsen wurde. Nähere Einzelheiten zum gesteuerten Abplatzen von Halbleiterschichten unter Verwendung einer oder mehrerer metallischer Spannungsschichten und einer Handhabungsschicht sind zu finden in der veröffentlichten US-Patentanmeldung US 2010/0 311 250 A1, die an den Inhaber der vorliegenden Patentanmeldung abgetreten wurde und deren Inhalt in seiner Gesamtheit hierin einbezogen ist.
  • Unter Bezugnahme auf das TFT-Backplane-Array, mit der die entfernte Schicht einer LED-Einheit verbunden werden kann, zeigt 6 ein Schaltschema, das ein Aktivmatrix-TFT-Backplane-Array 600 veranschaulicht, mit der die abgespalteten LED-Schichten der LED-Einheit verbunden werden können. Obwohl klar ist, dass eine reale LED-Anordnung viel mehr Pixelstrukturen aufweisen kann, ist die veranschaulichte Anordnung 600 als 3×2-Aktivmatrix-LED-Array mit einer 2-TFT-Pixelstruktur dargestellt. Jedes Pixel 602 beinhaltet in seiner einfachsten Form zum Beispiel einen Schalt-TFT 604, einen Ansteuer-TFT 606, einen Speicherkondensator 608 und eine LED 610. Es können jedoch auch andere Rückseitengestaltungen verwendet werden, wie sie für Aktivmatrix-OLED-Anzeigen üblich sind.
  • Unter Bezugnahme auf 7 wird nunmehr eine Querschnittsansicht gezeigt, die das mechanische Verbinden einer abgespalteten anorganischen LED-Einheit mit einer Aktivmatrix-TFT-Rückseite veranschaulicht, um so ein Aktivmatrix-LED-Array 700 zu definieren. Bei der gezeigten Ausführungsform wird allgemein die Aktivmatrix-TFT-Rückseite mit der Bezugsnummer 702 und die damit verbundene LED-Einheit mit der Bezugsnummer 704 bezeichnet. Auch hier soll die dargestellte Polarität der veranschaulichten LED 704 nur beispielhaft sein. Ferner zeigt 7, dass die Anordnung 700 auch eine (untere) Kontaktelektrode 706 aufweist, die zum Herstellen eines Kontakts zwischen dem Treiber-TFT in der Rückseite 702 und der LED 704 dient. Bei der Kontaktelektrode 706 kann es sich um ein transparentes leitendes Oxid (TCO), ein Metall oder eine TCO/Metall-Doppelschicht handeln (wobei eine dünne Metallschicht auf dem TCO abgeschieden werden kann, um bei Bedarf die Verbindungsqualität zu verbessern). Ferner wird auf der LED 704 eine obere Elektrode 708 gebildet, wobei die obere Elektrode aus denselben oder anderen Elektrodenmaterialien als die Kontaktelektrode 706 gebildet werden kann. Je nachdem, ob für die obere Elektrode und/oder die untere Elektrode ein metallisches (lichtundurchlässiges) oder ein TCO-Material (transparent) verwendet wird, kann die Anzeige an der Oberseite, der Unterseite oder an beiden Seiten emittieren.
  • Ferner wird darauf hingewiesen, dass die zum Abspalten (z. B. der Schicht 306 von 3 und 4, die in 7 nicht gezeigt wird) verwendete Handhabungsschicht nach dem Verbinden von der Oberseite der Aktivmatrix entfernt oder dort belassen werden kann.
  • Wie oben erwähnt kann die LED-Schicht nach dem Verbinden mit der Rückseite strukturiert werden, und anschließend kann die Prozedur des Abspaltens/Verbindens/Strukturierens für eine weitere LED-Schicht wiederholt werden, um ein benachbartes Pixel mit einer andersfarbigen Lichtemission zu erzeugen, das durch das Aktivmatrix-LED-Array 800 von 8 dargestellt wird. In diesem Fall weist die Aktivmatrix-TFT-Rückseite 802 eine erste strukturierte LED 804a und eine zweite strukturierte LED 804b auf, wobei die LEDs 804a, 804b aus unterschiedlichen Typen von Halbleitermaterialien bestehen, die so gewählt werden können, dass sie zwei unterschiedliche Farbemissionen erzeugen. Es sollte klar sein, dass zusätzlich zu den LEDs 804a, 804b noch eine oder mehrere weitere LED-Einheiten auf der Rückseite 802 gebildet werden können, um ein einzelnes Teilpixel wie beispielsweise für eine RGB- oder RGBW-Farbanzeige zu definieren. Obwohl die Herstellung der Anordnung 800 in Bezug auf die Anzahl der Bearbeitungsschritte komplexer ist, bieten die einzelnen LED-Materialien insofern den Vorteil der Energieeinsparung, als keine Farbfilterung erforderlich ist.
  • Abgesehen von der Strukturierung und der Wiederholung der Abplatz- und Verbindungsschritte der LED-Schicht kann eine einzelne übertragene LED-Schicht als Grundlage einer Anzeige dienen, in der die LED-Schicht auf der Rückseite unstrukturiert bleibt. Wie in dem Aktivmatrix-LED-Array 900 von 9 dargestellt, weist die Aktivmatrix-TFT-Rückseite 902 eine mit dieser verbundene einzelne oder LED-Deckstruktur 904 auf, wie sie oben beschrieben wurde. Für eine Anzeige mit Oberseitenemission werden auf der Oberseite der LED-Struktur 904, die dem Rückseitensubstrat gegenüber liegt, Farbfilter 906a und 906b bereitgestellt. In diesem Fall erübrigt sich aufgrund der Art des Leitungsmechanismus der LED die Strukturierung der LED insofern, als die seitliche Leitung durch die Halbleiterschichten der LED nur gering ist. Obwohl 9 ein Paar Farbfilter 906a, 906b zeigt, sollte auch hier klar sein, dass drei oder mehr solcher Farbfilter verwendet werden können, um eine einzelne Pixelstruktur zu bilden.
  • Abschließend veranschaulicht 10 eine alternative Ausführungsform der Anordnung von 9, in der für eine Anzeige mit Unterseitenemission die Farbfilter 906a, 906b an der Unterseite der Rückseite 902 angeordnet sind. Eine weitere Alternative kann eine Anzeige mit doppelseitiger (Zweiflächen-)Emission beinhalten, bei der Farbfilter an beiden Seiten der Anzeige angeordnet sind. Auf jeden Fall können zwischen den Farbfiltern und dem TCO/Metall (an der Oberseite) und dem Substrat (an der Unterseite) weitere (nicht gezeigte) in der Technik bekannte Passivierungs-/Schutz-/Optikschichten angeordnet werden.

Claims (12)

  1. Verfahren zum Bilden einer Aktivmatrix-Leuchtdioden(LED)-Anordnung, wobei das Verfahren aufweist: Entfernen einer Schicht eines anorganischen LED-Materials von einem Basissubstrat, das ursprünglich darauf aufgewachsen wurde; und Bonden der entfernten Schicht des anorganischen LED-Materials mit einem Aktivmatrix-Dünnschichttransistor(TFT)-Backplane-Array, wobei das Entfernen der Schicht des anorganischen LED-Materials von dem Basissubstrat aufweist: Bilden einer oder mehrerer Spannungsschichten auf einer oberen Fläche des anorganischen LED-Materials, die dem Basissubstrat gegenüber liegt; Bilden einer flexiblen Handhabungsschicht auf der einen oder den mehreren Spannungsschichten; und Einwirken einer Kraft auf die flexible Handhabungsschicht, um die Spannungsschicht und zumindest einen Teil des anorganischen LED-Materials von dem Basissubstrat abzutrennen.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, das ferner das Bilden einer Haftschicht aufweist, die eine Grenzfläche zwischen dem anorganischen LED-Material und der einen oder den mehreren Spannungsschichten bildet.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die eine oder die mehreren Spannungsschichten Metall aufweisen.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die flexible Handhabungsschicht ein Polyimidmaterial aufweist.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei eine Dicke der einen oder der mehreren Spannungsschichten so gewählt wird, dass das anorganische LED-Material an einer gewünschten Stelle in Bezug auf die Dicke des abgeblätterten anorganischen LED-Materials von dem Basissubstrat abblättert.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das anorganische LED-Material durch Kaltschweißen mit dem Aktivmatrix-TFT-Backplane-Array gebondet wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, das ferner das Strukturieren des an dem Aktivmatrix-TFT-Backplane-Array gebondeten anorganischen LED-Materials und das Wiederholen des Entfernens und Bondens mit weiteren entfernten Schichten aus anorganischem LED-Material unterschiedlichen Typs aufweist, um benachbarte Teilpixeleinheiten mit unterschiedlichen Lichtemissionscharakteristiken zu bilden.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, das ferner das Bilden einer Mehrzahl von Farbfiltern zumindest auf einer oberen oder einer unteren Fläche des Aktivmatrix-LED-Array aufweist.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das anorganische LED-Material Galliumnitrid (GaN) aufweist und das Basissubstrat Saphir aufweist.
  10. Verfahren zum Bilden einer Anzeigeeinheit, wobei das Verfahren aufweist: Aufwachsen einer oder mehrerer Schichten eines anorganischen Leuchtdioden(LED)-Materials auf einem Basissubstrat; Abtrennen der einen oder der mehreren Schichten des anorganischen LED-Materials von dem Basissubstrat durch eine spannungsinduzierte Abspalttechnik; und Bonden der einen oder mehreren abgetrennten Schichten des anorganischen LED-Materials an ein Aktivmatrix-Dünnschichttransistor(TFT)-Backplane-Array und dadurch Definieren eines Aktivmatrix-LED-Array.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die spannungsinduzierte Abspalttechnik aufweist: Bilden einer oder mehrerer Spannungsschichten auf einer oberen Fläche des anorganischen LED-Materials, die dem Basissubstrat gegenüber liegt; Bilden einer flexiblen Handhabungsschicht auf der einen oder den mehreren Spannungsschichten; und Einwirken einer Kraft auf die flexible Handhabungsschicht derart, dass die Spannungsschicht und zumindest ein Teil des anorganischen LED-Materials von dem Basissubstrat abgetrennt werden, und/oder wobei das anorganische LED-Material durch Kaltschweißen mit dem Aktivmatrix-TFT-Backplane-Array gebondet wird, und/oder wobei das Verfahren ferner das Strukturieren des mit dem Aktivmatrix-TFT-Backplane-Array verbundenen anorganischen LED-Materials und das Wiederholen des Entfernens und des Bondens an weiteren entfernten Schichten des anorganischen LED-Materials eines unterschiedlichen Typs derart aufweist, dass benachbarte Teilpixeleinheiten mit unterschiedlichen Lichtemissionscharakteristiken gebildet werden, und/oder wobei das Verfahren ferner ein Bilden einer Mehrzahl von Farbfiltern zumindest auf einer oberen oder einer unteren Fläche des Aktivmatrix-LED-Array aufweist, und/oder wobei das anorganische LED-Material Galliumnitrid (GaN) aufweist und das Basissubstrat Saphir aufweist.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, das ferner ein Bilden einer Haftschicht aufweist, die eine Grenzfläche zwischen dem anorganischen LED-Material und der einen oder den mehreren Spannungsschichten bildet, und/oder wobei die eine oder die mehreren Spannungsschichten Metall aufweisen, und/oder wobei die flexible Handhabungsschicht ein Polyimidmaterial aufweist, und/oder wobei eine Dicke der einen oder der mehreren Spannungsschichten so gewählt wird, dass das anorganische LED-Material an einer gewünschten Stelle in Bezug auf die Dicke des abgeblätterten anorganischen LED-Materials von dem Basissubstrat abblättert.
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