CN114050170A - 显示面板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种显示面板及其制造方法,所述方法包括步骤:提供基底,所述基底具有相背的第一表面和第二表面;在所述基底的第一表面上形成多个阵列排布的发光二极管芯片;在所述基底的第一表面上填充第一材质形成覆盖所述的多个发光二极管芯片的第一平坦层;在所述第一平坦层中远离所述基底的表面形成驱动电路层,并使所述驱动电路层与所述的多个发光二极管芯片电性连接;在所述多个发光二极管芯片中的至少部分发光二极管芯片的出光侧形成色彩转换层。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及显示面板及其制造方法。
背景技术
目前,微型发光二极管(Micro-LED)显示面板在制造过程中,需要对发光二极管芯片先后经过剥离、巨量转移、对组以及键合等工艺步骤,制造微型发光二极管显示面板的工艺较为复杂,制造工艺的过程冗长、成本高且良品率比较低。
因此,如何简化微型发光二极光显示面板的工艺是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本申请的目的在于提供显示面板及其制造方法,旨在解决显示面板的制造工艺过程冗长的技术问题。
一种显示面板的制造方法,包括步骤:
提供基底,所述基底具有相背的第一表面和第二表面;
在所述基底的第一表面上形成多个阵列排布的发光二极管芯片;
在所述基底的第一表面上填充第一材质形成覆盖所述的多个发光二极管芯片的第一平坦层;
在所述第一平坦层中远离所述基底的表面形成驱动电路层,并使所述驱动电路层与所述的多个发光二极管芯片电性连接;
在所述多个发光二极管芯片中的至少部分发光二极管芯片的出光侧形成色彩转换层。
本实施例提供的方法中,省去了传统制造显示面板过程中发光二极管芯片的剥离、巨量转移、对组和键合等工艺以及辅助上述工艺的结构,有效地简化了显示面板的结构以及制作显示面板的步骤,从而降低了所述显示面板的制作成本。
可选的,在所述基底上形成所述发光二极管芯片包括步骤:
在所述基底的第一表面形成磊晶层;
在所述磊晶层形成第一电极和第二电极;
分别在第一电极和第二电极的周围形成保护层。
通过在基底上完成发光二极管芯片的制作,使得显示面板的制造工艺更为简单。
可选的,在所述基底的第一表面上填充第一材质形成覆盖所述的多个发光二极管芯片的第一平坦层之后,在第一平坦层中开设多个隔光孔;向多个隔光孔中填充第二材质以形成用于隔离相邻发光二极管芯片的隔光层;或者
在所述基底的第一表面上填充第一材质形成覆盖所述的多个发光二极管芯片的第一平坦层之前,在基底第一表面形成用于隔离相邻发光二极管芯片的隔光层。
通过隔光层隔离相邻发光二极管芯片,避免发光二极管芯片发出的光线之间出现串色。
可选的,在所述第一平坦层中远离所述基底的表面形成驱动电路层,包括步骤:
在第一平坦层中远离所述基底的表面形成与所述第一电极、第二电极相连的驱动电路层,所述驱动电路层包括透光区和布线区;
所述透光区与所述多个发光二极管芯片的发光区对应,以供多个所述发光二极管芯片发出的光线穿过所述透光区。
所述驱动电路层设置有透光区,可有效提高所述驱动电路层的透光率,所述驱动电路层设置有布线区,可防止发光二极管芯片发出的光线射入驱动电路层时产生串色。
可选的,所述方法还包括步骤:
在所述驱动电路层中远离所述基底的表面设置有第二平坦层;
在所述第二平坦层开设多个分别与多个发光二极管芯片对应的通光槽,所述多个通光槽中的至少部分通光槽容置有所述色彩转换层。
通过在所述第二平坦层的通光槽中形成色彩转换层,可对发光二极管芯片发出光线进行转换色彩,还能均化从所述色彩转换层经过的光线。
可选的,所述方法还包括步骤:
在第二平坦层中远离所述驱动电路层的表面提供封装层,所述多个色彩转换层处于所述封装层与驱动电路层之间;使得水氧难以进入到通光槽中,避免水氧影响到光线穿过所述色彩转换层的光效。
可选的,在形成数量与多个发光二极管芯片数量对应的色彩转换层之前,还包括步骤:
在基底开设多个分别与多个发光二极管芯片对应的通光槽,所述多个通光槽中的至少部分通光槽容置有所述色彩转换层。
所述磊晶层在所述基底上生长,在基底上开设容置所述色彩转换层的通光槽,可使得磊晶层直接与所述色彩转换层接触,使得发光二极管芯片发出光线穿过色彩转换层的透过率更高。
可选的,所述方法还包括步骤:
提供覆盖在所述基底的第二表面上的封装层,所述多个色彩转换层分别处于所述封装层与所述多个发光二极管芯片之间;
在驱动电路层中远离所述基底的表面提供玻璃基板。
所述封装层和多个发光二极管芯片封闭将多个色彩转换层分别封闭在所述多个通光槽中,可避免水氧进入到通光槽中,而影响到光线穿过所述色彩转换层的光效;所述玻璃基板用于保护驱动电路层,并提升显示面板强度。
基于同样的发明构思,本申请还提供一种显示面板,所述显示面板包括:
基底,包括相背的第一表面和第二表面;
多个发光二极管芯片,所述多个发光二极管芯片阵列排布并设置在所述基底的第一表面;
第一平坦层,设置在所述基底的第一表面上,并覆盖所述多个发光二极管芯片,所述第一平坦层中远离所述基底的表面设置有与多个发光二极管芯片电性相连的驱动电路层;
多个色彩转换层,所述多个色彩转换层与所述多个发光二极管芯片中的至少部分发光二极管芯片对应。
本申请实施例中公开的显示面板中省去了用于辅助发光二极管芯片剥离、巨转、对组、键合等工艺的结构,所述显示面板的整体结构更为紧凑简单。
可选的,所述发光二极管芯片包括磊晶层、第一电极、第二电极和保护层;
所述磊晶层与所述基底的第一表面接触;
所述第一电极和所述第二电极与所述磊晶层、驱动电路层相连;
所述保护层设置于所述第一电极、第二电极的周围。
可选的,所述第一平坦层设置有多个隔光孔;
所述隔光孔中设置有用于隔离相邻发光二极管芯片的隔光层。
通过隔光层隔离相邻发光二极管芯片,避免发光二极管芯片发出的光线之间出现串色。
可选的,所述驱动电路层包括透光区和布线区,
所述透光区与所述多个发光二极管芯片的发光区对应,以供多个所述发光二极管芯片的发光区发出的光线穿过所述透光区。
所述驱动电路层设置有透光区,可有效提高所述驱动电路层的透光率,所述驱动电路层设置有布线区,可防止发光二极管芯片发出光线射入驱动电路层时产生串色。
可选的,所述驱动电路层至少包括阵列基板行驱动电路、发光驱动电路、像素控制电路、解复用器电路中的一项。
可选的,所述显示面板还包括第二平坦层,所述第二平坦层设置在驱动电路层中远离所述基底的表面上,所述第二平坦层开设有多个通光槽,所述多个通光槽分别与所述多个发光二极管芯片对应,且所述多个通光槽中的至少部分通光槽容置有所述色彩转换层。
通过在所述第二平坦层的通光槽中形成色彩转换层,可对发光二极管芯片发出光线进行转换色彩,还能均化从所述色彩转换层经过的光线。
可选的,所述显示面板还包括封装层;
所述封装层设置在所述第二平坦层中远离所述驱动电路层的表面,所述多个色彩转换层分别处于所述封装层与所述驱动电路层之间。
所述封装层和所述驱动电路层将多个色彩转换层分别封闭在所述多个通光槽中,可避免水氧进入到通光槽中,而影响到光线穿过所述色彩转换层的光效。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图3为本申请实施例提供的显示面板的制造方法的流程示意图。
附图标记说明:
a-通光槽;
10-基底;11-第一表面;12-第二表面;
20-发光二极管芯片;21-磊晶层;22a-第一电极;22b-第二电极;23-保护层;
30-第一平坦层;31-隔光孔;
40-驱动电路层;41-透光区;42-布线区;
50-色彩转换层;
60-隔光层;
70-第二平坦层;
80-封装层;
90-玻璃基板。
具体实施方式
为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施方式。相反地,提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本申请。
现有方案的问题阐述微型发光二极管(Micro-LED)显示面板在制造过程中,需要对发光二极管芯片先后经过剥离、巨量转移、对组以及键合等工艺步骤,制造微型发光二极管显示面板的工艺较为复杂,制造工艺的过程冗长、成本高且良品率比较低。
基于此,本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案,其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
参见图3,图3为本申请实施例提供的显示面板的制造方法的流程示意图,所述方法包括步骤:
S1,提供基底,所述基底具有相背的第一表面11和第二表面12。
在本申请提供的实施例中,所述基底的材质与发光二极管芯片20发出的光线需要相应,例如,若发光二极管芯片20发出的光线为蓝光,则所述基底为可为蓝宝石。
S2,在所述基底的第一表面11上形成多个阵列排布的发光二极管芯片20。
在本申请提供的实施例中,所述发光二极管芯片20在所述基底上直接制作形成,所述发光二极管芯片20可发出光线。
S3,在所述基底的第一表面11上填充第一材质形成覆盖所述的多个发光二极管芯片20的第一平坦层30。
在本申请提供的实施例中,所述第一平坦层30中远离所述基底的表面平坦设置,所述第一材质可为OC(光学透明粘剂,Optically Clear Adhesive)、PI(聚酰亚胺(Polyimide,缩写PI))等有机或无机材质;所述第一平坦层30中远离所述基底的表面平坦设置,所述第一材质可可通过黄光工艺进行图形化,所述第一平坦层30中远离所述基底的表面与所述基底的距离大于所述发光二极管芯片20中远离所述基底的表面与所述基底的距离。
S4,在所述第一平坦层30中远离所述基底的表面形成驱动电路层40,并使所述驱动电路层40与所述的多个发光二极管芯片20电性连接。
在本申请提供的实施例中,所述第一平坦层30中远离所述基底的表面平坦设置,可利于所述驱动电路层40的具体结构的形成,所述驱动电路层40具体可为TFT驱动电路层40(薄膜晶体管驱动电路层),所述驱动电路层40用于控制所述发光二极管芯片20发出光线。
S5,在所述多个发光二极管芯片20中的至少部分发光二极管芯片20的出光侧形成色彩转换层50。
所述发光二极管芯片发出的光线能够射入所述色彩转换层50中,所述色彩转换层50对射入所述色彩转换层50的光线进行色彩转换,所述色彩转换层50按照转换光线的最终色彩进行分类,具体地,所述色彩转换层50可包括蓝光色彩转换层、红光色彩转换层、绿光色彩转换层等,蓝光色彩转换层能将射入到所述蓝光色彩转换层的光线转换成蓝光并射出,红光色彩转换层能将射入到所述红光色彩转换层的光线转换层红光并射出,所述蓝光色彩转换层能将射入到所述绿光色彩转换层的光线转换成滤光并射出;示例性地,发光二极管芯片20发出的光线为蓝光,若蓝光射入蓝光色彩转换层中,从蓝光色彩转换层射出的光线为蓝光,若蓝光射入红光色彩转换层中,从红光色彩转换层射出的光线为红光,若蓝光射入绿光色彩转换层中,从绿光色彩转换层射出的光线为绿光。
在一种可能的实现方式中,所述色彩转换层50的数量可与所述发光二极管芯片20的数量相同,每个色彩转换层50对应一个发光二极管芯片20,各个发光二极管芯片20发出的光分别经过与之对应的色彩转换层50转换,例如,所述显示面板需要发出蓝光,而各个发光二极管芯片20发出的光为非蓝光,各个色彩转换层50可将分别各个发光二极管芯片20发出的光转换为蓝光。
在另一种可能的实现方式中,所述色彩转换层50的数量可少于所述发光二极管芯片20的数量,所述多个发光二极管芯片20中的部分发光二极管芯片20分别与所述多个色彩转换层50的数量对应;例如,各个色彩转换层50可将发光二极管芯片20发出的光线转换为蓝光,所述多个发光二极管芯片20中部分发光二极管芯片20的可发出非蓝光,其余的发光二极管芯片20可发出蓝光,可发出非蓝光的发光二极管芯片20分别与所述多个色彩转换层50一一对应,当可发出非蓝光的发光二极管芯片20在发光时,各个色彩转换层50将各个发光二极管芯片20发出的非蓝光转换为蓝光,其余发出蓝光的发光二极管芯片20在发光时,无须经过色彩转换层50进行转换。
在本申请实施例中,在基底上形成发光二极管芯片20,省去了传统制造显示面板过程中发光二极管芯片20的剥离、巨量转移、对组和键合等工艺以及辅助上述工艺的结构,有效地简化了显示面板的结构以及制作显示面板的步骤,从而降低了所述显示面板的制作成本。
在本申请实施例中,在所述基底上形成所述发光二极管芯片20包括步骤:
通过金属有机化合物化学气相沉淀在所述基底的第一表面11形成磊晶层21,所述磊晶层21作为所述发光二极管芯片20的发光区;
通过黄光工艺形成第一电极22a和第二电极22b;
通过黄光工艺分别在所述第一电极22a和第二电极22b的周围形成保护层23。
一般来说,所述磊晶层21的材质需与所述发光二极管芯片20发出光线的色彩相对应,在所述基底的第一表面11形成磊晶层21时,通过金属有机化合物化学气相沉淀在基底第一表面11上生长与发光二极管芯片20发出光线色彩对应的磊晶层21,金属有机化合物化学气相沉淀简称MOCVD。
具体地,在形成发光二极管芯片20时,先在基底上通过金属有机化合物化学气相沉淀形成磊晶层21,通过黄光工艺使得磊晶层21形成第一电极22a和第二电极22b之后,通过黄光工艺在第一电极22a和第二电极22b的周围形成保护层23。
在一些实施例中,在所述基底的第一表面11上填充第一材质形成覆盖所述的多个发光二极管芯片20的第一平坦层30之后:
通过黄光工艺在第一平坦层30中开设多个隔光孔31;
向多个隔光孔31中填充第二材质以形成用于隔离相邻发光二极管芯片20的隔光层60。
在本申请提供的实施例中,在所述基底的第一表面11形成多个发光二极管芯片20,多个发光二极管芯片20在所述基底上阵列排布,在所述基底的第一表面11填充第一材质以形成第一平坦层30时,第一材质先填充在多个阵列排布的发光二极管芯片20的间隙中,并逐步将所述多个所述发光二极管覆盖。
在一些实施例中,在所述基底的第一表面上填充第一材质形成覆盖所述的多个发光二极管芯片的第一平坦层之前,在基底第一表面形成用于隔离相邻发光二极管芯片的隔光层。
参见图1,图1为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图,所述第一平坦层30中远离所述基底的表面与所述基底的距离大于或等于发光二极管芯片20中远离所述基底的表面与所述基底的距离。
在本申请提供的实施例中,所述隔光层60用来将相邻的发光二极管芯片20进行隔离,具体地,所述第二材质具体为黑色的有机材质或无机材质,避免发光二极管芯片20发出的光线之间产生串色。
在所述第一平坦层30中远离所述基底的表面形成与所述第一电极22a、第二电极相连的驱动电路层40,包括步骤:
通过黄光工艺在第一平坦层30中远离所述基底的表面形成驱动电路层40,并使得所述驱动电路层40包括透光区41和布线区42;
并进一步使得透光区41与所述多个发光二极管芯片20的发光区对应,以供多个所述发光二极管芯片20的发光区发出的光线分别穿过所述透光区41。
在本申请提供的实施例中,所述第一平坦层30为易与光发生反应的材质,通过黄光工艺光刻所述第一平坦中远离所述基底的表面,以形成与所述第一电极22a、第二电极电性相连的所述驱动电路层40。
在本申请提供的实施例中,所述驱动电路层40中透光区41主要为由氧化铟锡(英文,Indium Tin Oxide;简称,ITO)等材质而制成的电极引线,氧化铟锡具有透明导电的特征,当所述发光二极管芯片20在发光时,发光二极管芯片20的发光区发出的光线可穿过所述透光区41,所述驱动电路层40设置有透光区41,可有效提高所述驱动电路层40的透光率,本申请实施例中,所述驱动电路层40设置有布线区42,可防止发光二极管芯片20发出光线射入驱动电路层40时产生串色。
本申请实施例具有两种实现方式,第一种实现方式,参见图1,所述制造显示面板的方法还包括步骤:
在所述驱动电路层40中远离所述基底的表面设置有第二平坦层70;
在所述第二平坦层70开设多个数量与所述发光二极管芯片20数量对应的通光槽a,所述多个通光槽a中的至少部分通光槽容置有所述多个色彩转换层。
在本申请提供的实施例中,在具体制造所述显示面板时,先在驱动电路层40中远离所述基底的表面提供第二平坦层70,再在第二平坦层70上开设通光槽a,之后再在所述通光槽a中形成色彩转换层50。
具体的,所述第二平坦层70的材质具体可为光学透明粘剂(英文,OpticallyClear Adhesive;简称,OC)、聚酰亚胺(英文,Polyimide;简称,PI)等有机或无机材质,所述第二平坦层70中靠近所述驱动电路层40的表面与所述驱动电路层40贴合,所述第二平坦层70中远离所述驱动电路层40的表面平坦设置,所述第二平坦层70开设有多个通光槽a,所述通光槽a贯穿所述第二平坦层70的两个端面;在所述通光槽a中形成色彩转换层50时,通过喷墨打印的方式在所述通光槽a中形成色彩转换层50。
在本申请提供的实施例中,在所述通光槽a中形成色彩转换层50,可对发光二极管芯片20发出光线进行转换色彩,还能均化从所述色彩转换层50经过的光线。
所述制造显示面板的方法还包括步骤:
在第二平坦层70中远离所述驱动电路层40的表面提供封装层80,所述封装层80和所述驱动电路层40将所述多个色彩转换层50封闭在所述多个通光槽a中。
在本申请提供的实施例中,所述封装层80可选材料为SiNx/SiO2、PR(光刻胶)等有机或无机封装材料,所述封装层80覆盖在所述第二平坦层70中远离所述驱动电路层40的表面,所述封装层和所述驱动电路层40将多个色彩转换层50分别封闭在所述多个通光槽a中,可避免水氧进入到通光槽a中,而影响到光线穿过所述色彩转换层50的光效。
在第一种实现方式中,发光二极管芯片20发出的光线经过驱动电路层40,再穿过驱动电路层40,从所述驱动电路层40输出的光线射入色彩转换层50中,进入所述色彩转换层50的光线经过所述色彩转换层50转换并从所述通光槽a中射出。
第二种实现方式,参见图2,图2为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图,在形成数量与多个发光二极管芯片20数量对应的色彩转换层50之前,还包括步骤:
在基底开设数量与发光二极管芯片20数量对应的通光槽a,所述多个通光槽a分别用于容置所述多个色彩转换层50。
在第二种实现方式中,发光二极管芯片20发出的光线直接射入色彩转换层50,经过色彩转换层50转换光线色彩,并从所述通光槽a射出。
与第一种实现方式相比,所述发光二极管芯片20的磊晶层21与所述色彩转换层50靠得更近,所述磊晶层21在所述基底上生长,可直接与所述色彩转换层50接触,发光二极管芯片20发出的光线无需穿过驱动电路层40,如此以下,第二种实现方式制造出的显示面板具有更好的光线,发光二极管芯片20发出光线穿过色彩转换层50的透过率更高,所述基底可采用蓝宝石基底。
在第二种实现方式中,所述制造显示面板的方法还包括步骤:
提供覆盖在所述基底的第二表面12上的封装层80,所述封装层80和所述多个发光二极管芯片20将所述多个色彩转换层50封闭在所述多个通光槽a中;
在驱动电路层40中远离所述基底的表面提供玻璃基板90。
所述封装层80可选材料为SiNx/SiO2、PR(光刻胶)等有机或无机封装材料,所述封装层80覆盖在所述基底的第二表面12,所述封装层和多个发光二极管芯片20封闭将多个色彩转换层50分别封闭在所述多个通光槽a中,可避免水氧进入到通光槽a中,而影响到光线穿过所述色彩转换层50的光效。
所述玻璃基板90用于保护驱动电路层40,并提升显示面板强度。
本申请实施例中提供一种显示面板,显示面板包括基底、多个发光二极管芯片20、第一平坦层30和多个色彩转换层50;所述基底包括相背的第一表面11和第二表面12;所述多个发光二极管芯片20设置在所述基底的第一表面11;所述第一平坦层30设置在所述基底的第一表面11上,并覆盖所述多个发光二极管芯片20,所述第一平坦层30中远离所述基底的表面设置有与多个发光二极管芯片20电性相连的驱动电路层40;
所述多个色彩转换层50与所述多个发光二极管芯片20中的至少部分发光二极管芯片对应,所述色彩转换层以用于转换所述多个发光二极管芯片20的发光区发出的光线的色彩。
所述显示面板采用如上方法制造而成,本申请实施例中公开的显示面板中省去了用于辅助发光二极管芯片20剥离、巨转、对组、键合等工艺的结构,所述显示面板的整体结构更为紧凑简单。
所述发光二极管芯片20包括磊晶层21、第一电极22a和第二电极22b和保护层23;
所述磊晶层21与所述基底的第一表面11接触,所述磊晶层21为所述发光二极管芯片20的发光区;
所述第一电极22a、第二电极22b与所述磊晶层21、驱动电路层40相连;
所述保护层23设置于所述第一电极22a和第二电极22b的周围。
在本申请实施例中,若所述基底的材质为蓝宝石,所述磊晶层21与所述基底的颜色相应。
在本申请提供的实施例中,所述发光二极管芯片20在所述基底上形成,具体地,先基底上生长形成磊晶层21,再通过黄光工艺在磊晶层21上形成第一电极22a和第二电极22b,并通过黄光工艺在第一电极22a、第二电极22b的周围形成保护层23。
所述第一平坦层30设置有多个隔光孔31;
所述隔光孔31中设置有用于隔离相邻发光二极管芯片20的隔光层60。
在本申请实施例中,可通过黄光工艺在第一平坦层30开设隔光层60,再在隔光孔31中填充黑色的有机或无机材质以形成所述隔光层60。
所述驱动电路层40包括透光区41和布线区42。
所述透光区41与所述多个发光二极管芯片20的发光区对应,以供多个所述发光二极管芯片20的发光区发出的光线穿过所述透光区41。
在本申请提供的实施例中,所述驱动电路层40具体为薄膜晶体管驱动电路层40(TFT驱动电路层),所述驱动电路层40中的透光区41主要为由氧化铟锡(英文,Indium TinOxide;简称,ITO)等材质而制成的电极引线,氧化铟锡具有透明导电的特征,当所述发光二极管芯片20在发光时,发光二极管芯片20的发光区发出的光线可穿过所述透光区41,所述驱动电路层40设置有透光区41,可有效提高所述驱动电路层40的透光率,本申请实施例中,所述驱动电路层40设置有布线区42,以防止发光二极管芯片20发出光线射入驱动电路层40时产生串色。
所述驱动电路层40至少包括阵列基板行驱动电路(GOA电路)、发光驱动电路(EOA电路)、像素控制电路(pixel电路)、解复用器电路(Dmux电路)中的一项。
所述显示面板还包括第二平坦层70,所述第二平坦层70设置在驱动电路层40中远离所述基底的表面上,所述第二平坦层70开设有数量与所述色彩转换层50数量对应的用于容置所述色彩转换层50的通光槽a。
所述第二平坦层70与所述驱动电路层40相贴,所述第二平坦层70中远离所述驱动电路层40的表面平坦设置,所述第二平坦层70的材质具体可为光学透明粘剂(英文,Optically Clear Adhesive;简称,OC)、聚酰亚胺(英文,Polyimide;简称,PI)等有机或无机材质。
所述显示面板还包括封装层80,所述封装层80设置在所述第二平坦层70中远离所述驱动电路层40的表面,所述封装层80与驱动电路层40将所述色彩转换层50封闭在所述通光槽a内。
所述封装层80可选材料为SiNx/SiO2、PR(光刻胶)等有机或无机封装材料,所述封装层80覆盖在所述第二平坦层70中远离所述驱动电路层40的表面,所述封装层和所述驱动电路层40将多个色彩转换层50分别封闭在所述多个通光槽a中,可避免水氧进入到通光槽a中,而影响到光线穿过所述色彩转换层50的光效,在本申请实施例中,所述发光二极管芯片20发出光线的出光方向如图1所示。
本申实施例还提供一种显示面板,所述显示面板包括:
基底,包括相背的第一表面11和第二表面12;所述基底开设有多个通光槽a;
数量与所述通光槽a数量对应的发光二极管芯片20,多个所述发光二极管芯片20阵列排布并设置在所述基底的第一表面11,所述发光二极管芯片20具有发光区;
第一平坦层30,设置在所述基底的第一表面11上,并覆盖所述多个发光二极管芯片20,所述第一平坦层30中远离所述基底的表面设置有与多个发光二极管芯片20电性相连的驱动电路层40;
多个色彩转换层50,所述多个色彩转换层与所述多个通光槽中至少部分通光槽的数量对应,所述多个色彩转换层50分别容置于所述多个通光槽a,所述多个色彩转换层50分别与所述多个发光二极管芯片20的发光区对应,以用于转换所述多个发光二极管芯片20的发光区发出的光线的色彩。
发光二极管芯片20中的磊晶层21在所述基板上生长形成,可与色彩转换层50直接接触,发光二极管芯片20中的发光区发出的光线可直接射入色彩转换层50,并由所述色彩转换层50转换色彩射出,提高了发光二极管芯片20的发出光线从色彩转换层50射出的出光效率,发光二极管芯片20发出光线,出光方向如图2所示。
所述显示面板还包括封装层80和玻璃基板90;
所述封装层80设置在基底的第二表面12,所述封装层80与所述多个发光二极管芯片20将多个色彩转换层50分别封闭在多个通光槽a中;
所述玻璃基板90设置在驱动电路层40中远离所述基底的表面。
在本申请提供的实施例中,所述封装层80可选材料为SiNx/SiO2、PR(光刻胶)等有机或无机封装材料,所述封装层80覆盖在所述基底的第二表面12,所述封装层和多个发光二极管芯片20封闭将多个色彩转换层50分别封闭在所述多个通光槽a中,可避免水氧进入到通光槽a中,而影响到光线穿过所述色彩转换层50的光效。
所述玻璃基板90用于保护驱动电路层40,并提升显示面板强度。
应当理解的是,本申请的应用不限于上述的举例,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,所有这些改进和变换都应属于本申请所附权利要求的保护范围。
Claims (15)
1.一种显示面板的制造方法,其特征在于,包括步骤:
提供基底,所述基底具有相背的第一表面和第二表面;
在所述基底的第一表面上形成多个阵列排布的发光二极管芯片;
在所述基底的第一表面上填充第一材质形成覆盖所述的多个发光二极管芯片的第一平坦层;
在所述第一平坦层中远离所述基底的表面形成驱动电路层,并使所述驱动电路层与所述的多个发光二极管芯片电性连接;
在所述多个发光二极管芯片中的至少部分发光二极管芯片的出光侧形成色彩转换层。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述基底上形成所述发光二极管芯片包括步骤:
在所述基底的第一表面形成磊晶层;
在所述磊晶层形成第一电极和第二电极;
分别在第一电极和第二电极的周围形成保护层。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
在所述基底的第一表面上填充第一材质形成覆盖所述的多个发光二极管芯片的第一平坦层之后,在第一平坦层中开设多个隔光孔;向多个隔光孔中填充第二材质以形成用于隔离相邻发光二极管芯片的隔光层;或者
在所述基底的第一表面上填充第一材质形成覆盖所述的多个发光二极管芯片的第一平坦层之前,在基底第一表面形成用于隔离相邻发光二极管芯片的隔光层。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,在所述第一平坦层中远离所述基底的表面形成驱动电路层,包括步骤:
在第一平坦层中远离所述基底的表面形成与所述第一电极、第二电极相连的驱动电路层,所述驱动电路层包括透光区和布线区;
所述透光区与所述多个发光二极管芯片的发光区对应,以供多个所述发光二极管芯片发出的光线穿过所述透光区。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括步骤:
在所述驱动电路层中远离所述基底的表面设置有第二平坦层;
在所述第二平坦层开设多个分别与多个发光二极管芯片对应的通光槽,所述多个通光槽中的至少部分通光槽容置有所述色彩转换层。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述方法还包括步骤:
在第二平坦层中远离所述驱动电路层的表面提供封装层,所述多个色彩转换层处于所述封装层与驱动电路层之间。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在形成数量与多个发光二极管芯片数量对应的色彩转换层之前,还包括步骤:
在基底开设多个分别与多个发光二极管芯片对应的通光槽,所述多个通光槽中的至少部分通光槽容置有所述色彩转换层。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述方法还包括步骤:
提供覆盖在所述基底的第二表面上的封装层,所述多个色彩转换层分别处于所述封装层与所述多个发光二极管芯片之间;
在驱动电路层中远离所述基底的表面提供玻璃基板。
9.一种显示面板,其特征在于,包括:
基底,包括相背的第一表面和第二表面;
多个发光二极管芯片,所述多个发光二极管芯片阵列排布并设置在所述基底的第一表面;
第一平坦层,设置在所述基底的第一表面上,并覆盖所述多个发光二极管芯片,所述第一平坦层中远离所述基底的表面设置有与多个发光二极管芯片电性相连的驱动电路层;
多个色彩转换层,所述多个色彩转换层与所述多个发光二极管芯片中的至少部分发光二极管芯片对应。
10.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述发光二极管芯片包括磊晶层、第一电极、第二电极和保护层;
所述磊晶层与所述基底的第一表面接触;
所述第一电极和所述第二电极与所述磊晶层、驱动电路层相连;
所述保护层设置于所述第一电极、第二电极的周围。
11.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第一平坦层设置有多个隔光孔;
所述隔光孔中设置有用于隔离相邻发光二极管芯片的隔光层。
12.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层包括透光区和布线区,
所述透光区与所述多个发光二极管芯片的发光区对应,以供多个所述发光二极管芯片的发光区发出的光线穿过所述透光区。
13.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述驱动电路层至少包括阵列基板行驱动电路、发光驱动电路、像素控制电路、解复用器电路中的一项。
14.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第二平坦层,所述第二平坦层设置在驱动电路层中远离所述基底的表面上,所述第二平坦层开设有多个通光槽,所述多个通光槽分别与所述多个发光二极管芯片对应,且所述多个通光槽中的至少部分通光槽容置有所述色彩转换层。
15.如权利要求14所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括封装层;
所述封装层设置在所述第二平坦层中远离所述驱动电路层的表面,所述多个色彩转换层分别处于所述封装层与所述驱动电路层之间。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110957132.3A CN114050170A (zh) | 2021-08-19 | 2021-08-19 | 显示面板及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202110957132.3A CN114050170A (zh) | 2021-08-19 | 2021-08-19 | 显示面板及其制造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114050170A true CN114050170A (zh) | 2022-02-15 |
Family
ID=80204363
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110957132.3A Pending CN114050170A (zh) | 2021-08-19 | 2021-08-19 | 显示面板及其制造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN114050170A (zh) |
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