DE102012216318A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102012216318A1
DE102012216318A1 DE102012216318A DE102012216318A DE102012216318A1 DE 102012216318 A1 DE102012216318 A1 DE 102012216318A1 DE 102012216318 A DE102012216318 A DE 102012216318A DE 102012216318 A DE102012216318 A DE 102012216318A DE 102012216318 A1 DE102012216318 A1 DE 102012216318A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
voltage
switching element
circuit
semiconductor device
time
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102012216318A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Kazuaki Hiyama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE102012216318A1 publication Critical patent/DE102012216318A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0828Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H3/00Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
    • H02H3/08Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current

Landscapes

  • Power Conversion In General (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
DE102012216318A 2011-09-30 2012-09-13 Halbleitervorrichtung Ceased DE102012216318A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-216533 2011-09-30
JP2011216533A JP5726037B2 (ja) 2011-09-30 2011-09-30 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102012216318A1 true DE102012216318A1 (de) 2013-04-04

Family

ID=47878800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102012216318A Ceased DE102012216318A1 (de) 2011-09-30 2012-09-13 Halbleitervorrichtung

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9013850B2 (enExample)
JP (1) JP5726037B2 (enExample)
KR (1) KR101391657B1 (enExample)
CN (1) CN103036542B (enExample)
DE (1) DE102012216318A1 (enExample)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015213081A1 (de) 2015-07-13 2017-01-19 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Schutz einer Schaltungsanordnung und Steuervorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE102018104621A1 (de) * 2018-02-28 2019-08-29 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Betreiben eines Transistorbauelements und elektronische Schaltung mit einem Transistorbauelement

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015023654A (ja) * 2013-07-18 2015-02-02 株式会社デンソー 半導体素子の電流検出装置
CN105518992B (zh) * 2013-09-06 2018-11-30 三菱电机株式会社 半导体装置
JP5831528B2 (ja) * 2013-10-31 2015-12-09 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JP6379476B2 (ja) * 2013-11-25 2018-08-29 シンフォニアテクノロジー株式会社 半導体装置
JP6353648B2 (ja) * 2013-12-10 2018-07-04 矢崎総業株式会社 半導体異常検出回路
JP6190280B2 (ja) * 2014-01-22 2017-08-30 株式会社日立製作所 半導体駆動装置ならびにこれを用いた電力変換装置
JP6197685B2 (ja) 2014-02-19 2017-09-20 株式会社デンソー ゲート駆動回路
US9431386B2 (en) * 2014-05-22 2016-08-30 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Current sensing of emitter sense insulated-gate bipolar transistor (IGBT)
EP2955849A1 (de) * 2014-06-11 2015-12-16 CT-Concept Technologie GmbH Vorrichtung zum Erzeugen eines dynamischen Referenzsignals für eine Treiberschaltung für einen Halbleiter-Leistungsschalter
KR101733442B1 (ko) 2014-12-29 2017-05-10 주식회사 케이씨씨 기판의 휨 방지 구조체
DE102015211059B3 (de) * 2015-06-16 2016-09-01 Ellenberger & Poensgen Gmbh Elektronischer Schutzschalter
CN107408878B (zh) * 2015-09-30 2019-07-30 富士电机株式会社 多相电力变换装置的控制电路
US10298223B2 (en) * 2015-12-18 2019-05-21 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device driving circuit
JP6787348B2 (ja) * 2016-02-17 2020-11-18 富士電機株式会社 半導体素子の過電流保護装置
JP6323485B2 (ja) * 2016-03-24 2018-05-16 株式会社オートネットワーク技術研究所 給電制御装置
CN109075556B (zh) * 2016-04-28 2019-12-03 罗姆股份有限公司 过电流保护电路
WO2017199949A1 (ja) * 2016-05-20 2017-11-23 株式会社デンソー スイッチング素子の駆動制御装置
JP2017212870A (ja) * 2016-05-20 2017-11-30 株式会社デンソー スイッチング素子の駆動制御装置
KR102685402B1 (ko) * 2017-01-16 2024-07-15 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 동작 방법
JP6790908B2 (ja) * 2017-02-23 2020-11-25 株式会社デンソー 半導体装置
CN110337784B (zh) * 2017-02-28 2023-06-09 三菱电机株式会社 半导体装置及电力转换系统
JP6787203B2 (ja) * 2017-03-21 2020-11-18 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の制御回路
US10611246B2 (en) * 2017-03-29 2020-04-07 Ford Global Technologies, Llc Gate driver with temperature compensated turn-off
JP6656471B2 (ja) * 2017-04-25 2020-03-04 三菱電機株式会社 過電流保護装置、インバータ装置、コンバータ装置及び空気調和機
JP6939059B2 (ja) * 2017-04-27 2021-09-22 富士電機株式会社 半導体素子の駆動装置
EP3641113B1 (en) * 2017-05-16 2022-05-11 Fuji Electric Co., Ltd. Control device and semiconductor apparatus
TWI646767B (zh) * 2017-05-22 2019-01-01 偉詮電子股份有限公司 電源控制裝置及電源控制系統
CN107393491B (zh) * 2017-07-18 2018-08-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 时钟信号输出电路及液晶显示装置
CN107257193B (zh) * 2017-07-19 2019-05-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种过流保护电路及液晶显示器
DE112018005588T5 (de) * 2017-10-17 2020-07-16 Fuji Electric Co., Ltd. Überstrom-erfassungseinrichtung, steuereinrichtung und überstrom-erfassungsverfahren
CN111448761A (zh) * 2017-12-28 2020-07-24 新电元工业株式会社 半导体开关控制电路以及开关电源装置
CN108802480B (zh) * 2018-06-20 2024-02-06 国网安徽省电力有限公司滁州供电公司 一种感应电压测量装置
KR102026931B1 (ko) * 2018-07-20 2019-10-01 한국전기연구원 전력 스위치용 단락보호회로
JP7346944B2 (ja) * 2019-07-03 2023-09-20 富士電機株式会社 半導体素子の電流検出回路及び電流検出方法、並びに半導体モジュール
KR102703415B1 (ko) * 2019-07-25 2024-09-04 엘에스일렉트릭(주) 과전류 보호회로 및 이를 사용하는 전력변환장치
JP7413754B2 (ja) * 2019-12-18 2024-01-16 富士電機株式会社 半導体駆動装置および電力変換装置
KR102337796B1 (ko) * 2020-01-09 2021-12-08 엘지전자 주식회사 반도체 소자 구동장치
US11531054B2 (en) * 2020-03-23 2022-12-20 Semiconductor Components Industries, Llc IGBT/MOSFET fault protection
CN113765070B (zh) * 2020-06-01 2024-01-23 中车株洲电力机车研究所有限公司 基于电感电流变化率的igbt短路保护电路和方法
JP7494609B2 (ja) * 2020-07-10 2024-06-04 富士電機株式会社 半導体モジュール
JP7513201B2 (ja) * 2021-04-23 2024-07-09 富士電機株式会社 過電流検出回路、駆動制御装置および電力変換装置
JP7571663B2 (ja) * 2021-05-31 2024-10-23 株式会社デンソー ゲート駆動装置
JP2024116934A (ja) * 2023-02-16 2024-08-28 株式会社東芝 電子回路、方法、コンピュータプログラム及び電子システム

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008206348A (ja) 2007-02-21 2008-09-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2999887B2 (ja) * 1992-10-09 2000-01-17 三菱電機株式会社 Igbtの過電流保護回路及び半導体集積回路装置
JPH06213939A (ja) * 1993-01-19 1994-08-05 Tokai Rika Co Ltd 電流検出回路
US5945802A (en) * 1996-09-27 1999-08-31 General Electric Company Ground fault detection and protection method for a variable speed ac electric motor
KR100318365B1 (ko) 1997-06-26 2002-09-05 삼성전기주식회사 모터구동회로의 과전류보호회로
JP3589392B2 (ja) * 1999-02-26 2004-11-17 矢崎総業株式会社 過電流検出回路及び過電流検出・保護回路
JP3625165B2 (ja) * 1999-12-01 2005-03-02 矢崎総業株式会社 半導体スイッチング装置
US6381114B1 (en) 2000-03-31 2002-04-30 Micro Motion, Inc. Integrated current source feedback and current limiting element
JP4219567B2 (ja) * 2001-04-03 2009-02-04 三菱電機株式会社 半導体装置
JP4295928B2 (ja) * 2001-05-28 2009-07-15 三菱電機株式会社 半導体保護回路
JP4057260B2 (ja) 2001-08-07 2008-03-05 株式会社日立製作所 電源回路、電源システム、および電子装置
JP3767445B2 (ja) * 2001-09-28 2006-04-19 アンデン株式会社 過電流保護機能を有する電源供給装置、負荷駆動装置および車両用電源供給装置
JP3800115B2 (ja) * 2002-03-25 2006-07-26 株式会社デンソー 過電流検出機能付き負荷駆動回路

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008206348A (ja) 2007-02-21 2008-09-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015213081A1 (de) 2015-07-13 2017-01-19 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Schutz einer Schaltungsanordnung und Steuervorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE102018104621A1 (de) * 2018-02-28 2019-08-29 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Betreiben eines Transistorbauelements und elektronische Schaltung mit einem Transistorbauelement
US11005472B2 (en) 2018-02-28 2021-05-11 Infineon Technologies Ag Method for operating a transistor device and electronic-circuit with a transistor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013077976A (ja) 2013-04-25
CN103036542B (zh) 2015-09-16
KR101391657B1 (ko) 2014-05-07
KR20130035886A (ko) 2013-04-09
US20130083442A1 (en) 2013-04-04
CN103036542A (zh) 2013-04-10
JP5726037B2 (ja) 2015-05-27
US9013850B2 (en) 2015-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102012216318A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE4410978C2 (de) Schaltung und Verfahren zur Verbesserung der Kurzschlußbeständigkeit eines bipolaren Transistors mit isoliertem Gate (IGBT)
DE112013006487B4 (de) Ansteuervorrichtung für Halbleiterelemente und Halbleitervorrichtigung
DE112007000857B4 (de) Drei Treiberschaltungen für Halbleiterelemente mit Kurzschlusserfassung
DE102005031622B4 (de) Steuervorrichtung eines Halbleiterschalters
DE102007058740B4 (de) Schaltungsanordnung mit einer Überstromsicherung
DE112017003368T5 (de) Treiberschaltung und leistungsmodul mit derselben
DE102009046255B4 (de) Ansteuerverfahren für einen Halbleiterschalter und Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Gates eines Schalttransistors
DE112007002270T5 (de) Gate-Ansteuerschaltung
DE10048433B4 (de) Lastbetätigungsschaltkreis
DE112014004979B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE102006061183A1 (de) Energieversorgungssteuerung
DE102012219646A1 (de) Halbleitervorrichtung, die eine an ein Halbleiterschaltelement angelegte Spannung misst
DE112018005588T5 (de) Überstrom-erfassungseinrichtung, steuereinrichtung und überstrom-erfassungsverfahren
WO2015189332A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum erzeugen eines dynamischen referenzsignals für eine treiberschaltung für einen halbleiter-leistungsschalter
DE102020104717A1 (de) Gate-Treiber und Leistungswandler
EP3518421A1 (de) Schutz eines in einem schaltbetrieb betriebenen feldeffekttransistors vor einem überlaststrom
EP4022770A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur kurzschlussdetektion durch sättigungserkennung in leistungshalbleiterschaltern
EP0690898B1 (de) Schaltungsanordnung zum Schutz eines ein- und auschaltbaren Leistungshalbleiterschalters vor Überspannungen
DE102020125428A1 (de) Treiberschaltung eines spannungsgesteuerten Leistungshalbleiterelements
DE102006036569B4 (de) Treiberschaltung eines Halbleiter-Leistungsschaltelementes
DE102014202617B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Messen eines Batteriezellenstromes
DE102017108769A1 (de) Steuereinrichtung für einen Leistungshalbleiterschalter
DE102013015723B3 (de) Verbesserte Ansteuerung von Leistungshalbleitern
DE102020108878A1 (de) Schutzschaltung mit Halbleiterschalter, Verfahren zum Betreiben eines Halbleiterschalters, Hochvoltbordnetz sowie Kraftfahrzeug

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R084 Declaration of willingness to licence
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final