DE102012216318A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 5
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 2
- 101000806846 Homo sapiens DNA-(apurinic or apyrimidinic site) endonuclease Proteins 0.000 abstract description 12
- 101000835083 Homo sapiens Tissue factor pathway inhibitor 2 Proteins 0.000 abstract description 12
- 102100026134 Tissue factor pathway inhibitor 2 Human genes 0.000 abstract description 12
- 101100219315 Arabidopsis thaliana CYP83A1 gene Proteins 0.000 abstract description 10
- 101100269674 Mus musculus Alyref2 gene Proteins 0.000 abstract description 10
- 101100140580 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) REF2 gene Proteins 0.000 abstract description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0828—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches
-
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
- H02H3/08—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011-216533 | 2011-09-30 | ||
| JP2011216533A JP5726037B2 (ja) | 2011-09-30 | 2011-09-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102012216318A1 true DE102012216318A1 (de) | 2013-04-04 |
Family
ID=47878800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102012216318A Ceased DE102012216318A1 (de) | 2011-09-30 | 2012-09-13 | Halbleitervorrichtung |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9013850B2 (enExample) |
| JP (1) | JP5726037B2 (enExample) |
| KR (1) | KR101391657B1 (enExample) |
| CN (1) | CN103036542B (enExample) |
| DE (1) | DE102012216318A1 (enExample) |
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- 2012-06-25 CN CN201210209562.8A patent/CN103036542B/zh active Active
- 2012-09-13 DE DE102012216318A patent/DE102012216318A1/de not_active Ceased
- 2012-09-20 KR KR1020120104371A patent/KR101391657B1/ko not_active Expired - Fee Related
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| JP2013077976A (ja) | 2013-04-25 |
| CN103036542B (zh) | 2015-09-16 |
| KR101391657B1 (ko) | 2014-05-07 |
| KR20130035886A (ko) | 2013-04-09 |
| US20130083442A1 (en) | 2013-04-04 |
| CN103036542A (zh) | 2013-04-10 |
| JP5726037B2 (ja) | 2015-05-27 |
| US9013850B2 (en) | 2015-04-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R012 | Request for examination validly filed | ||
| R016 | Response to examination communication | ||
| R084 | Declaration of willingness to licence | ||
| R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
| R003 | Refusal decision now final |